JPH09189613A - 温度測定装置、処理装置及び処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度測定用ウエハにおける測定精度を安定な
ものとし、ケーブルレス測定も可能にする。 【解決手段】 温度検出部となる温度測定ポイントＥ1
〜Ｅ5を、半導体デバイス形成処理方法によって、基板
３２上にパターン形成する。接着剤を用いていないの
で、安定した精度が得られる。温度測定ポイントＥ1〜
Ｅ5からの信号を取り出す端子部３２は、基板の裏面に
形成する。被処理基板を載置する載置台に、端子部３２
と接触自在な接触端子を設けることにより、処理装置内
に信号用ケーブルが曝されず、ケーブルレスの温度測定
が行える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板を載置
する載置部材上で、被処理基板の面内温度をいわば模擬
的に測定するために用いる温度測定装置、当該温度測定
装置を用いるのに適した処理装置、及び前記温度測定装
置を用いて被処理基板に対して処理を行うための処理方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、デバイスが形成される半導体ウエハ（以下、「ウエ
ハ」という）を加熱する処理が行われる。例えばレジス
ト液塗布後の乾燥のための加熱処理をはじめとして、露
光後の加熱処理（ポストエスクポージャベーキング）、
さらにはウエハ表面に所定の薄膜を形成する際のＣＶＤ
処理においては、ウエハＷを載置する載置台に加熱装置
を設け、この加熱装置によって載置台上のウエハを所定
温度まで加熱する処理が行われている。この場合、歩留
まり向上のために、前記加熱によるウエハの面内温度は
なるべく均一にさせる必要がある。

【０００３】従って、載置台上に載置されるウエハの温
度分布を事前に測定して載置台上での温度特性を把握
し、その結果に基づいて適宜補正して、載置台上のウエ
ハを均一に加熱することが重要である。このような温度
分布の測定は、前記加熱処理みならず、他の処理プロセ
ス、例えばエッチング処理においても有益である。

【０００４】そして従来そのような載置台上のウエハの
温度分布を測定するにあたり、例えば図１１に示したよ
うな温度測定用ウエハを用いて、より実際の処理に近づ
けた状態で、いわば模擬的に測定するようにしていた。
この温度測定用ウエハ１０１は、例えばシリコンなどの
基板１０２上に、温度検出用の熱電対１０３を接着剤等
で固定し、これら各熱電対１０３からの信号は、接着剤
等で基板１０２に貼りつけたケーブル１０４を介して引
き出すようにしていた。そして計器自体は、処理室の外
部に設置されているので、前記ケーブル１０４は処理室
を構成するチャンバの例えば蓋体を開放して、当該計器
に接続するようにしていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらそのよう
に基板１０２上に熱電対１０３を接着剤で固定した構成
では、接着剤の外れ、接着状態による温度のばらつきが
あり、正確な温度測定に支障が生ずるおそれがあった。
また接着剤の剥がれにより、処理室内が汚染されるおそ
れもあった。またケーブルによって引き出すので、温度
測定の際には、例えばチャンバの蓋体全体を取り外して
設置する必要があり、面倒であった。しかも例えばプラ
ズマＣＶＤ装置のように、処理室内にプラズマを発生す
る装置では、熱電対やケーブルがプラズマによってスパ
ッタされるので、従来のこの種の温度測定用ウエハは、
処理室内にプラズマを発生させる環境では、温度測定が
不可能であった。

【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、接着剤を使用せずに、温度検出部や
当該温度検出部からの信号伝達部を基板上に形成した、
温度測定装置を提供することを目的とするものである。
また本発明は、信号伝達部からの信号を外部の計器に伝
達するための従来のケーブルを不要とする、いわゆるケ
ーブルレスの温度測定装置を提供することもその目的と
するものである。さらに本発明の目的は、前記ケーブル
レスの温度測定装置を容易に使用できる処理装置を提供
することにもある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項１の温度測定装置は、被処理基板を載置する載置
台上で、被処理基板の面内温度を測定する、即ち載置台
上での処理の際に被処理基板の温度をいわば模擬的に調
べるために用いる装置であって、温度検出部と、この温
度検出部からの信号を端子部へと伝達する信号伝達部
が、基板にパターン形成されると共に、前記端子部は、
この基板の周縁部に形成されたことを特徴としている。

【０００８】基板の材質としては、被処理基板となるウ
エハやＬＣＤ基板と同一の材質が好ましい。例えばシリ
コンや石英ガラスを用いることができる。また温度検出
部や信号伝達部を基板上にパターン形成するには、ウエ
ハやＬＣＤ基板の表面に半導体デバイスを形成する技
術、例えばＣＶＤ処理やエッチング処理などを用いて所
定の温度検出部、信号伝達部を形成することができる。
その他、プリント基板として形成してもよい。このよう
に接着剤を使用せず、温度検出部や信号伝達部を基板上
にパターン形成するため、温度検出部や信号伝達部の基
板上での形成状態は一様であり、従来のような接着剤の
外れ、接着状態による温度のばらつき、接着剤の剥がれ
による、処理室内の汚染の心配はない。

【０００９】そして外部の計器に接続するための端子部
は基板の周縁部に形成されて、いわば集中しているの
で、ケーブルによって外部計器（例えば温度測定に用い
る各種測定機器）に引き出す際も、ケーブルは必要最小
限の長さで済む。

【００１０】また請求項２の温度検出装置は、端子部を
基板の裏面側に形成したことを特徴としている。かかる
手段をとることにより、例えば載置台に当該端子部と接
触自在な導電性のピン等を設けることにより、端子部か
らの信号は当該ピン等を介して、載置台が収容されてい
る処理室の外部へと導出させることができる。従って、
従来のような信号伝達のためのケーブルは不要になり、
処理空間内にケーブルが曝されることはない。

【００１１】請求項３においては、基板の歪みを測定す
る歪測定部が、基板にパターン形成されているので、温
度測定と同時に、基板の反り等を測定することができ
る。これによって、被処理基板に対して処理する場合の
熱の影響による反り等を事前に知ることが可能になる。
基板の歪みを測定する歪測定部の例としては、例えば圧
力センサに使用されているような、素子の歪みによる抵
抗の変化によって圧力や変位を測定する素子、例えばス
トレン・ゲージを用いることができる。しかも金属スト
レンゲージのみならず、ゲージ率の高い半導体ストレン
・ゲージを用いればさらに精度の高い歪み測定が可能で
ある。

【００１２】また半導体ストレン・ゲージは、フォトエ
ッチング等、半導体デバイスのプロセスを経て製作する
ことができるので、基板に歪測定部をパターン形成する
ことが容易であり、歪測定部からの信号伝達部（例えば
リード）も同時に基板にパターン形成することができ
る。

【００１３】請求項４においては、基板表面に露出した
前記記検出部や信号伝達部は、接地される導電性の被膜
で被覆され、さらに当該導電性の被膜の表面が絶縁被膜
で覆われているので、検出部や信号伝達部が外乱、例え
ばノイズの影響を受けて測定精度が低下することを防止
することができる。しかも導電性の被膜の表面はさらに
絶縁被膜で覆われているから、例えばプラズマ処理装置
内の載置台で使用することも可能である。従って、プラ
ズマ雰囲気中での測定も可能になる。これによって被処
理基板上のプラズマ分布（熱分布）を事前に知ることが
でき、予め分布の不均一を例えば排気手段の調整により
是正することができる。

【００１４】請求項５の処理装置においては、載置台上
に載置される薄板形状の温度測定装置の裏面に形成され
た端子部と接触自在な導電性の接触部材が載置台に設け
られているので、例えば請求項２に記載したような、基
板の裏面側に端子部を有する温度測定装置をそのまま使
用することが可能になり、処理装置内においてケーブル
レスの信号伝達経路を実現できる。

【００１５】請求項６の処理方法は、処理装置において
被処理基板に対して処理を施す方法であって、この処理
に先立って、予め前記した請求項１〜４のいずれかに記
載の温度測定装置を用いて測定された処理装置内での温
度データに基づいて、前記処理装置における温度調整機
構を制御することを特徴とする。

【００１６】かかる処理方法によれば、既述した極めて
正確な温度データに基づいて所定の処理を実行すること
ができる。

【００１７】また請求項７の処理方法は、処理装置にお
いて被処理基板に対して処理を施す方法であって、前記
処理に先立って、被処理基板を処理装置に搬入する前段
階において、請求項２に記載の温度測定装置を用いて測
定する工程と、被処理基板を処理装置に搬入した後にこ
の処理装置内において、請求項２に記載の温度測定装置
を用いて測定する工程とを有し、これら２つの工程によ
って得られた各温度データに基づいて、前記前段階にお
ける温度調整機構を調整することを特徴とするものであ
る。

【００１８】ここにいう前段階とは、例えば処理装置に
接続されている真空予備室（ロードロックチャンバ）
や、被処理基板を処理装置へ搬入する搬送アームなどを
いう。既述した請求項２の温度測定装置は、いわゆるケ
ーブルレスタイプであるから、通常の被処理基板と同様
にしてこれを搬送、搬入することができる。従って、例
えば前段階において予備加熱するプロセスの場合、予備
加熱状態で待機していた被処理基板を処理装置内に搬入
した際、温度が低下し、処理装置内で再び加熱する必要
があるとき、予め前段階から処理装置に至るまでの温度
変化を測定して、低下の分を見越して予備加熱を余分に
行い、処理装置でのスループットを向上させることがで
きる。

【００１９】以上の各処理方法における温度調整機構
は、請求項８に記載したように、加熱手段（例えば抵抗
加熱線、セラミックヒータ、ランプなどの加熱装置）、
排気手段（例えば処理装置内のガスを排気するターボ分
子ポンプ、真空ポンプなどの排気装置）、冷却手段（例
えば載置台内に内蔵されている循環冷却路や冷却ジャケ
ット、被処理基板の裏面に供給されるバッククーリング
ガス供給装置）、被処理基板を保持する保持手段（例え
ば載置台上に被処理基板を保持する静電チャック機構や
メカクランプ機構）の中から選択される、１又は２以上
の組み合わせであってもよい。これら各手段の調整によ
って被処理基板の温度は変化するからである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図１は、本実施形態にかかる温度測
定装置としての温度測定用ウエハ１の平面、図２は同側
面を示しており、この温度測定ウエハ１の基板２は、通
常の半導体デバイスが形成されるウエハと同一のシリコ
ンから形成されている。

【００２１】この温度測定用ウエハ１の上面には、温度
測定ポイントが例えば５行５列、即ち温度測定ポイント
Ａ1〜Ａ5、Ｂ1〜Ｂ5、Ｃ1〜Ｃ5、Ｄ1〜Ｄ5、Ｅ1〜Ｅ5ま
で形成されている。これら各温度測定ポイントＡ1〜Ｅ5
は、基板２に対してパターン形成されたものであり、そ
の素子構造は、一般的な半導体デバイス製造プロセスで
あるエッチングや成膜処理を用いて、基板２にパターン
形成されている。例えばアルメル−クロメル熱電対（al
umel-chromel-thermocouple）を利用した素子の場合に
は、図３に示したように、シリコンの基板２の上に形成
された層間絶縁膜３をエッチングによって所定のパター
ンに基づいて例えば縦方向の溝状に削り取り、その後メ
タル成膜によってアルメル４を当該溝内に埋め込み、さ
らに今度はクロメル５を横方向に帯状にパタンーニング
形成し、その接点を温度測定ポイントとして使用するよ
うにしてもよい。

【００２２】このようなプロセスを経て基板２に対して
パターン形成された各温度測定ポイントＡ1〜Ｅ5は、従
来の接着剤を用いた基板への貼りつけと異なり、基板２
に対してパターン形成されているので、全て一様な形成
状態となっている。従って、従来のような接着剤の外
れ、接着状態による温度のばらつき、接着剤の剥がれに
よる処理室内の汚染の心配はない。

【００２３】前記各温度測定ポイントＡ1〜Ｅ5からの信
号は、信号伝達部６を通じて、基板２のオリフラ部分に
設けられている端子部７へと伝達される。この信号伝達
部６は、例えば層間絶縁膜３内に形成してもよく、基板
２の表面に形成したり、基板２表面に形成した後さらに
適宜の絶縁膜で被覆してもよい。

【００２４】前記端子部７は既存の端子構成で足り、そ
こから例えば適宜の引き出しケーブル８を引き出すよう
にすれば、既述した従来の温度測定用ウエハと全く同様
にして使用することができる。

【００２５】本実施形態にかかる温度測定用ウエハ１
は、以上の構成を有しており、温度測定ポイントＡ1〜
Ｅ5は、基板２に対して一様にパターン形成されている
ので接着状態による温度のばらつき等はなく、極めて正
確な温度測定が行える。しかも接着剤を用いていないの
で、処理室内の雰囲気を汚染することもない。またパタ
ーン形成することで、幾層にも重畳させることが容易で
あるから、図１に示したような５行５列の整然とした測
定ポイントの分布を実現させることが容易で、かつこれ
らの各測定ポイントから端子部７への信号伝達部６の形
成も容易である。

【００２６】また外乱に対処するため、接地される導体
層（例えば導電性の金属による薄い被膜）を基板２の表
面に形成すれば、ノイズ等を遮断することができ、測定
精度が向上すると共に、安定した測定ができる。

【００２７】さらにまた前記温度測定用ウエハ１におい
ては、温度測定ポイントＡ1〜Ｅ5が検出した信号（アナ
ログ信号）を、直接端子部７から取り出すようにしてあ
ったが、例えば端子部７内に適宜の演算回路素子を設け
て、アナログ信号をディジタル信号に変換するように構
成すれば、端子部７に設ける端子数を例えば２つに減じ
ることができ、それに伴って引き出すためのケーブル８
の本数も低減し、外乱に影響されにくくなる。また装置
回りも簡素化される。

【００２８】前記温度測定用ウエハ１においては、温度
測定ポイントＡ1〜Ｅ5が行列形式で配置されていたが、
もちろん図４に示した温度測定用ウエハ１１のように、
中心に温度測定ポイントＡ1、その外周に温度測定ポイ
ントＢ1〜Ｂ8、さらにその外周に温度測定ポイントＣ1
〜Ｃ8を、同心円状に並べると共に、各円に同数の温度
測定ポイントを配置して、放射状にすることも容易であ
る。

【００２９】また前記温度測定用ウエハ１における端子
部７は、基板２上面のオリフラ部分に形成してあった
が、図５に示した温度測定用ウエハ２１のように、基板
２２の内部に端子部２３を形成してもよい。この場合に
は、端子部２３を絶縁層で保護することができ、また特
にパーティクルが発生しやすい端子部２３とケーブル８
との接続部分が、被膜で覆われているので、汚染防止効
果をさらに向上させることができる。

【００３０】図６に示した温度測定用ウエハ３１は、基
板３２の裏面側に端子部３３を形成したものである。こ
のように基板３２の裏面側に端子部を形成するには、図
７に示したように、例えば前出温度測定用ウエハ１の端
子部７から上下に導通貫通部３４を形成すればよい。な
おこの端子部３３は、基板３２の裏面と面一になるよう
に成形すれば、後述のような優れた効果を得やすい。も
ちろん下面に凸や下面に凹の形態を持たせてもよい。

【００３１】例えば前記温度測定用ウエハ３１を使用す
るのに適した処理装置の例について説明すると、図８は
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、デバイ
スが形成されるシリコンウエハの上面にフォトレジスト
を塗布した後にこのシリコンウエハを加熱処理するベー
キング装置４１の断面を示しており、このベーキング装
置４１には、略箱形の容器４２と、排気管４３を有する
開閉自在なシャッタ４４を有し、前記容器４２内に被処
理基板である半導体ウエハを載置して、これを加熱する
ための載置台４５が収容されている。

【００３２】前記載置台４５の内部には、加熱するため
のヒータ４６、冷却するための冷媒循環路４７が設けら
れており、載置台４５表面を所定の温度に維持すること
が可能である。

【００３３】また載置台４５には、半導体ウエハの授受
の際に載置台４５から突出して当該半導体ウエハの下面
を支持するための複数、例えば３本の昇降ピン４８が、
上下動自在に設けられており、これら昇降ピン４８の下
端部は、昇降支持体４９を介して、適宜の昇降機構（図
示せず）に連結されている。

【００３４】さらに載置台４５の上面には、載置される
半導体ウエハを直接支持するための接触部材、例えばプ
ロミキシピン５０が複数設けられ、さらに所定位置に接
触端子５１が形成されている。この接触端子５１は、載
置台４５内からベーキング装置４１外部へと導出される
リード５２を介して、温度検出器５３が接続されてい
る。なおこの場合、接触端子５１でプロミキシピン５０
のうちのいずれかを代用するように構成してもよい。

【００３５】このような構成にかかるベーキング装置４
１に、前出温度測定用ウエハ３１を用いると、実際のプ
ロセスと全く同一の雰囲気、条件で被処理基板内の温度
分布の測定が可能である。即ち、通常の半導体ウエハの
処理と全く同様にして、温度測定用ウエハ３１を容器４
２内に搬入して昇降ピン４８の上に載置させ、次いで昇
降ピン４８を降下させると、プロミキシピン５０に載置
されると共に、温度測定用ウエハ３１の下面の端子部３
３が、接触端子５１と接触して導通する。

【００３６】そうすると、温度測定ポイントからの信号
が、端子部３３→接触端子５１→リード５２→温度検出
器へと送られ、被処理基板内の温度分布を模擬的に測定
することができる。従って、従来この種の温度測定用ウ
エハから引き出されていた引き出しケーブルが不要とな
り、いわゆるケーブルレスで温度測定が可能になるので
ある。従って、従来ケーブルによって容器内雰囲気が微
妙な影響を受け、必ずしも実際の処理環境と同一でなか
った状況と比べて、より実際の条件に近い環境で温度測
定が可能になる。

【００３７】前記ベーキング装置は、プラズマを発生さ
せない熱処理装置であるが、ケーブルが容器内に曝され
ることはないので、プラズマを容器内に発生させる装
置、例えばプラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ装
置として構成すれば、従来不可能であった、プラズマ雰
囲気での温度測定を実現できる。なおこの場合、前出温
度測定ポイントＡ1〜Ｅ5は金属からなっているので、温
度測定用ウエハ３１の表面を絶縁材料、例えば耐熱性も
良好なポリイミド系樹脂で被覆すれば、温度測定ポイン
トＡ1〜Ｅ5がプラズマ下でスパッタされることはない。
またこの場合、接地される導電層を前記絶縁材料の下に
形成しておけば、外乱、例えば高周波ノイズによって温
度検出の信号が影響を受けることを防止でき、極めて正
確な温度測定が可能になる。

【００３８】前記温度測定用ウエハ３１、及びベーキン
グ装置４１に適用したような、被処理基板を載置する載
置台に接触端子を形成する技術を用いれば、例えばプレ
ヒーティングを伴うプロセスにおいて、より厳密な温度
測定の下で歩留まりの向上、スループットの向上を図る
ことができる。これを図１０に基づいて説明すれば、図
１０は適宜の熱処理を伴う処理装置５１、及びこの処理
装置６１にゲートバルブ６２を介して隣接した搬送室
（トランスファーチャンバとも称される）７１、そして
該搬送室７１にゲートバルブ７２を介して隣接した予備
加熱室８１を有する処理システムが示されている。

【００３９】処理装置６１は、適宜の処理ガスを容器６
３内に導入すると共に、被処理基板を載置する載置台６
４内に内蔵したヒータ６５でこの被処理基板を加熱して
当該被処理基板に対して所定の処理、例えば成膜処理を
行うように構成されている。また搬送室７１は、被処理
基板を保持して、処理装置６１と予備加熱室８１との間
でこれを搬送する搬送アーム７３を容器７４内に備えて
いる。また予備加熱室８１は、その容器８２内に被処理
基板を載置する載置台８３を備え、該載置台８３内に
は、載置台８３上に載置される被処理基板を加熱するヒ
ータ８４が設けられている。

【００４０】そして処理装置６１の載置台６４、搬送室
７１の搬送アーム７３、及び予備加熱室８１の載置台８
３の各上面（載置面）には、それぞれ温度測定用ウエハ
３１の下面に形成した端子部３３と接触自在な対応する
接触端子６６、７５、８５が設けられている。

【００４１】このように構成された処理装置６１、搬送
室７１の及び予備加熱室８１を有する処理システムにお
いては、まず予備加熱室８１において予め所定の温度に
まで被処理基板を加熱しておき、ついで搬送アーム７３
によって当該被処理基板を処理装置６１内の載置台６４
へと搬送し、次いで所定の処理温度まで被処理基板を加
熱して処理を施すプロセスが行われる。

【００４２】この場合、既述したように処理装置６１の
載置台６４、搬送室７１の搬送アーム７３、及び予備加
熱室８１の載置台８３の各上面（載置面）には、それぞ
れ温度測定用ウエハ３１の下面に形成した端子部３３と
接触自在な対応する接触端子６６、７５、８５が設けら
れているので、予備加熱室８１での温度分布、搬送室７
１での温度分布、及び処理装置６１での温度分布を実際
の処理のプロセスと全く同一条件でそれぞれ、かつ連続
して測定することができる。

【００４３】従って、予備加熱室８１から処理装置６１
に至るまでの過程での温度測定用ウエハ３１の温度の減
衰状況を把握することができる。そうすると事前にこの
ような温度変化を調べておき、例えば予備加熱室８１の
載置台８３での加熱の際に、予め減衰部分を見越してそ
の分余計に加熱することが正確に行え、処理装置６１に
搬入したときは、直ちに所定の処理を行うように各装置
を制御することができる。その結果、従来のように、処
理装置６１で再び所定の処理温度まで加熱するための時
間を大幅に減じることができ、スループットを向上させ
ることができるものである。

【００４４】以上説明した発明の実施形態においては、
温度測定用ウエハに対して、温度測定ポイントを設けた
例について詳述したが、これに限らず基板の歪みを測定
する歪測定部を、基板に併せてパターン形成してもよ
い。そうすれば、温度測定と同時に、基板の反り等を測
定することができる。従って、より実際のプロセスに適
した熱環境を創出して歩留まりの向上を図ることが可能
である。例えば事前に測定した被処理基板の面内温度分
布と共に、被処理基板の反り等を測定し、それに対応し
て温度環境に影響を与える機構や部材を予め微調整して
おくことにより、処理温度の均一性を向上させ、その結
果処理の均一性を実現して歩留まりの向上を図ることが
できる。

【００４５】

【発明の効果】請求項１〜４に記載の温度装置によれ
ば、温度検出部と信号伝達部が基板上にパターン形成さ
れているため、測定精度が正確でかつ安定している。接
着剤を使用していないので、従来のような接着剤の外
れ、接着状態による温度のばらつき、接着剤の剥がれに
よる処理室内の汚染の心配もない。

【００４６】特に請求項１の場合には、基板の周縁部に
端子部が形成されているので、ケーブルによって外部計
器に引き出す際も、該ケーブルの長さも必要最小限でよ
い。また請求項２の場合には、端子部が基板の裏面側に
形成されているので、例えば載置台に当該端子部と接触
自在な導電性のピン等を設けることにより、端子部から
の信号は当該ピン等を介して、載置台が収容されている
処理室の外部へと導出させることができる。従って、従
来のような信号伝達のためのケーブルは不要になる。

【００４７】さらに請求項３の温度測定装置において
は、基板の歪みを測定する歪測定部が、基板にパターン
形成されているので、温度測定と同時に基板の反り等を
測定することができ、被処理基板に対して処理する場合
の熱の影響による反り等を事前に知ることが可能にな
る。請求項４の温度測定装置においては、検出部や伝達
部が外乱、例えばノイズの影響を受けて測定精度が低下
することを防止することができる。しかも導電性の被膜
の表面はさらに絶縁被膜で覆われているから、例えばプ
ラズマ処理装置内の載置台で使用することも可能であ
る。

【００４８】そして請求項５の処理装置においては、請
求項２に記載したような、基板の裏面側に端子部を有す
る温度測定装置を使用することが可能になり、処理装置
内においてケーブルレスの信号伝達経路を実現できる。

【００４９】請求項６の処理方法によれば、極めて正確
な温度データに基づいて所定の処理を実行することがで
き、歩留まりの向上を図ることができる。

【００５０】また請求項７の処理方法によれば、処理装
置でのスループットを向上させることができる。

【００５１】そして請求項８の処理方法によれば、被処
理基板の面内温度分布の調整を、最適化して、歩留まり
を向上させたり、スループットを向上させることが可能
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態にかかる温度測定用ウエハの
平面図である。

【図２】図１の温度測定用ウエハの側面図である。

【図３】図１の温度測定用ウエハにおける温度測定ポイ
ントの構造を要部を示す説明図である。

【図４】温度測定ポイントを放射状に配置した温度測定
用ウエハの平面図である。

【図５】端子部を基板内に形成した温度測定用ウエハの
側面図である。

【図６】端子部を基板の裏面に形成した温度測定用ウエ
ハの一部断面側面図である。

【図７】端子部が基板の裏面に形成されている温度測定
用ウエハの要部拡大縦断面図である。

【図８】載置台の上面に接触端子を形成したベーキング
装置の断面説明図である。

【図９】図８のベーキング装置における載置台の斜視図
である。

【図１０】本発明の実施形態にかかる処理方法を実施す
るための処理システムの説明図である。

【図１１】従来技術にかかる温度測定用ウエハの斜視図
である。

【符号の説明】

１ 温度測定用ウエハ ２ 基板 ３ 層間絶縁膜 Ａ1〜Ｅ5 温度測定ポイント ７ 端子部 ４１ ベーキング装置 ５１ 接触端子 ６１ 処理装置 ６４ 載置台 ６６ 接触端子

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板が載置される部材上で、被処
   理基板の面内温度を模擬的に測定するために用いる装置
   であって、温度検出部と、この温度検出部からの信号を
   端子部へと伝達する信号伝達部が、各々被処理基板と同
   一材質の基板にパターン形成され、前記端子部は、この
   基板の周縁部に形成されたことを特徴とする、温度測定
   装置。
2. 【請求項２】 被処理基板が載置される部材上で、被処
   理基板の面内温度を模擬的に測定するために用いる装置
   であって、温度検出部と、この温度検出部からの信号を
   端子部へと伝達する信号伝達部が、各々被処理基板と同
   一材質の基板にパターン形成され、前記端子部は、この
   基板の裏面側に形成されたことを特徴とする、温度測定
   装置。
3. 【請求項３】 基板の歪みを測定する歪測定部が、基板
   にパターン形成されたことを特徴とする、請求項１又は
   ２に記載の温度測定装置。
4. 【請求項４】 基板表面に露出した前記温度検出部や信
   号伝達部は、接地される導電性の被膜で被覆され、さら
   に当該導電性の被膜の表面が絶縁被膜で覆われたことを
   特徴とする、請求項１又は２に記載の温度測定装置。
5. 【請求項５】 被処理基板を載置する部材を有する処理
   装置において、前記部材には、この部材上に載置される
   薄板形状の温度測定装置の裏面に形成された端子部と接
   触自在な、導電性の接触部材が設けられたことを特徴と
   する、処理装置。
6. 【請求項６】 処理装置において被処理基板に対して処
   理を施す方法であって、前記処理に先立って、予め請求
   項１〜４のいずれかに記載の温度測定装置を用いて測定
   された処理装置内での温度データに基づいて、前記処理
   装置における温度調整機構を制御することを特徴とす
   る、処理方法。
7. 【請求項７】 処理装置において被処理基板に対して処
   理を施す方法であって、前記処理に先立って、被処理基
   板を処理装置に搬入する前段階において、請求項２に記
   載の温度測定装置を用いて測定する工程と、被処理基板
   を処理装置に搬入した後にこの処理装置内において、請
   求項２に記載の温度測定装置を用いて測定する工程とを
   有し、前記２つの工程によって得られた各温度データに
   基づいて、前記前段階における温度調整機構を調整する
   ことを特徴とする、処理方法。
8. 【請求項８】 温度調整機構は、加熱手段、排気手段、
   冷却手段、被処理基板を保持する保持手段のうちの、１
   又は２以上の組み合わせであることを特徴とする、請求
   項６又は７に記載の処理方法。