WO2006016550A1 - 加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム - Google Patents

加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム Download PDF

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WO2006016550A1
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Hiroshi Tomita
Ryuji Asai
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Tokyo Electron Limited
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Definitions

  • Heating plate temperature measuring method substrate processing apparatus, and heating plate temperature measuring computer program
  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for performing heat treatment on a surface of a substrate such as a semiconductor wafer, a photomask substrate, and an LCD (Liquid Crystal Display) substrate (liquid crystal display glass substrate) by a heating plate.
  • the invention relates to a method for measuring a temperature of a heating plate, a substrate processing apparatus, and a computer program for measuring the temperature of the heating plate.
  • a resist pattern is formed on the substrate by a technique called photolithography.
  • a resist solution is applied to a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), a liquid film is formed on the surface of the wafer, the resist film is exposed using a photomask, and then developed. Is performed by a series of steps to obtain a desired pattern.
  • Such a resist pattern forming process is generally performed using a resist pattern forming apparatus in which an exposure apparatus is connected to a coating Z developing apparatus for applying and developing a resist solution.
  • FIG. 20 is a plan view showing an example of a conventional resist pattern forming apparatus.
  • a conventional resist pattern forming apparatus includes a carrier block 1A including a carrier stage 11 into which carrier C containing 25 wafers W is loaded and unloaded, a processing block 1B, and an interface block 1C. And an exposure apparatus 1D.
  • the processing block 1B includes a transport unit 12 in the center, a coating unit 13A for applying a resist solution to the wafer around the transport unit 12, a developing unit 13B for performing development processing on the exposed wafer, and the like.
  • Processing block 1A is a transfer arm that transfers wafer W between carrier C and processing block 1B. Is provided.
  • the heating unit includes a heating unit, for example, and performs a predetermined heat treatment on the wafer W by placing the wafer W on a heating plate set to a predetermined temperature.
  • Such heating units include pre-baking to volatilize the thinner in the resist components, post-exposure baking to alleviate the fringes of the resist pattern, and evaporation of residual rinse solution during development.
  • the resist pattern forming apparatus is provided with a plurality of heating units for performing each process.
  • the heating plate is divided into a plurality of heating zones that are heated independently by a plurality of concentric heaters!
  • the heating unit is controlled.
  • FIG. 21 is a perspective view showing a wafer for measuring the temperature of the heating plate.
  • the temperature characteristics of the heating plate are measured by placing temperature sensors on the heating plate, for example, by placing wafers W provided at, for example, 40 locations within the surface, and measuring the temperature at predetermined intervals. Yes.
  • the serial cable 18 connects the temperature sensor 16 and a measuring instrument 17 provided outside the wafer W and having a memory for storing temperature data from each temperature sensor 16. It is necessary to connect with.
  • This wireless wafer includes a temperature sensor, a battery, a memory, and a controller on the wafer itself, and is configured so that temperature data can be stored in the memory at a cycle of, for example, 1 second.
  • a technique for evaluating the uniformity of the substrate temperature during the heat treatment using such a wireless wafer a technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-307606 (Patent Document 1) is known.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 11-307606
  • a wireless wafer If a wireless wafer is used, there is a merit that it can be transferred to the heating unit by the transfer unit in the same way as a normal wafer W.
  • the wireless wafer is transferred into or out of which heating unit at any timing. I do not recognize. For this reason, the timing when the wireless wafer is placed on the heating plate is not divided, and it is difficult to grasp temperature data at an accurate timing.
  • the present inventors also determine the timing when the wireless wafer is placed on the heating plate, and also determine the timing when the wireless wafer is placed on the heating plate, for example, the point that the temperature rises by 10 ° C or more in 5 seconds. is doing.
  • FIG. 22A is a characteristic diagram showing an example of the temperature rising pattern of the heating plate.
  • FIG. 22B is an enlarged view of a portion indicated by B in FIG. 22A.
  • the setting of the temperature rising pattern of the heating plate is incorrect.
  • the heating plate is heated by multiple heaters, it is impossible to know the exact temperature rise pattern in each heating zone, and heat treatment with high in-plane uniformity is performed by aligning the temperature rise patterns in each zone. Therefore, it becomes difficult to control.
  • the beginning of temperature rise after a gentle temperature rise, Since the temperature rises suddenly, if there is an error of 1 second in grasping the timing, the variation in the temperature rise pattern will increase.
  • Patent Document 1 also describes a method for recognizing the timing when a wireless wafer is placed on a heating plate. The method in Ref. 1) cannot be used to measure the temperature of the heating plate.
  • the present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to easily and accurately measure the temperature of the heating plate for heat-treating the substrate, and the force is also determined by the measurement work.
  • the present invention is to provide a method for measuring the temperature of a heating plate, a substrate processing apparatus, and a computer program for measuring the temperature of the heating plate that suppress a decrease in operating efficiency.
  • a method for measuring a temperature of a heating plate includes a carrier carry-in unit for carrying a carrier containing a plurality of substrates, and a substrate placed on the heating plate.
  • a substrate processing apparatus comprising a processing unit including a heating unit that performs heat treatment and a carrier carry-in unit receiving a substrate and transporting the substrate to the processing unit, and measuring a temperature of the heating plate, Temperature detection unit including temperature detection unit, storage unit and substrate controller The process of transferring the temperature detection substrate to the heating unit along the predetermined transfer path by the transfer unit, and temperature detection at a predetermined position in the transfer path Start command output process to output temperature measurement start command to the board controller of the circuit board, and when the temperature detection board receives the temperature measurement start command, The process of storing the column data in the storage unit, the position force of the temperature detection substrate when the temperature measurement start command is output, the transport time until the temperature detection substrate is placed on the heating plate, and the temperature in the storage unit And a time-series data extracting step of extracting time-series data of the temperature detection values after the temperature detection substrate is placed on the heating plate based on the time-series data of the detection values.
  • time-series data of temperature detection values after the adjustment computer force temperature detection substrate is placed on the heating plate is extracted.
  • the heating plate included in the heating plate is further based on time-series data of temperature detection values after the temperature detection substrate is placed on the heating plate. A step of correcting a control parameter of the unit.
  • the heating plate is divided into a plurality of heating regions and is configured to independently heat each divided region by a plurality of heating units
  • the temperature detection unit included in the temperature detection substrate includes: , Provided at the position corresponding to each divided area! / Speak.
  • the heating plate is divided into a plurality of heating regions in the circumferential direction, and is configured so that each of the divided regions is independently heated by a plurality of heating units, and the temperature included in the temperature detection substrate.
  • a plurality of detection units are provided to detect the temperature of each divided region, and the temperature measurement method of the heating plate is further determined by the orientation of the temperature detection substrate when the temperature detection substrate is placed on the heating plate.
  • the method includes a step of correcting the control parameter of each heating unit based on the time series data of the temperature detection value of each divided region obtained based on the time series data of the temperature detection value of each temperature detection unit.
  • the temperature detection substrate is stored, and a carrier controller provided on the carrier placed in the carrier carry-in section outputs a temperature measurement start command, and the temperature measurement start command is This is output when the temperature detection substrate is taken out of the carrier by the transport unit.
  • the heating unit included in the heating plate is further based on time-series data of temperature detection values after the temperature detection substrate is placed on the heating plate. A step of correcting the control parameter of the method.
  • the heating plate is divided into a plurality of heating regions and is configured to independently heat each divided region by a plurality of heating units, and the temperature detection unit included in the temperature detection substrate. Is provided at a position corresponding to each divided area! / Speak.
  • the heating plate is divided into a plurality of heating regions in the circumferential direction, and each of the divided regions is configured to be independently heated by a plurality of heating units, and the temperature included in the temperature detection substrate.
  • a plurality of detection units are provided to detect the temperature of each divided region, and the temperature measurement method of the heating plate further includes the direction of the temperature detection substrate when the temperature detection substrate is placed on the heating plate. Obtained based on time-series data of temperature detection values of each temperature detector
  • the method includes a step of correcting the control parameters of each heating unit based on the time-series data of the temperature detection values of the respective divided regions.
  • a temperature controller is provided, and a carrier controller provided in a carrier placed in the carrier carry-in section outputs a temperature measurement start command. This is output when the temperature detection board is taken out of the carrier by the transfer unit.
  • a substrate processing apparatus performs a heat treatment by placing a substrate on a heating plate and a carrier carry-in section for carrying a carrier containing a plurality of substrates.
  • a processing unit including a heating unit, a transport unit that receives a substrate from a carrier carry-in unit and transports the substrate to the processing unit, and a temperature detection substrate including a temperature detection unit, a storage unit, and a substrate controller are placed on a predetermined transport path.
  • a control unit that controls the transfer unit to transfer the heating unit to the heating unit, a carrier controller that outputs a temperature measurement start command to the substrate controller of the temperature detection substrate at a predetermined position in the transfer path, Positional force of the temperature detection board when the temperature measurement start command is outputTemperature transfer time until the temperature detection board is placed on the heating plate, and temperature measurement start The temperature detection value after the temperature detection substrate is placed on the heating plate based on the time detection data stored in the storage unit included in the temperature detection substrate in response to the start command.
  • a substrate processing apparatus comprising: an adjustment computer that extracts time-series data.
  • control unit further corrects the control parameters of the heating unit included in the heating plate based on the time-series data of the temperature detection value after the temperature detection substrate is placed on the heating plate. To do.
  • the heating plate is divided into a plurality of heating regions, and each divided region is configured to be independently heated by the plurality of heating units, and is included in the temperature detection substrate. Is provided at a position corresponding to each divided area! / Speak.
  • the heating plate is divided into a plurality of heating regions in the circumferential direction, and is configured so that each of the divided regions is independently heated by a plurality of heating units, and the temperature included in the temperature detection substrate.
  • a plurality of detection units are provided to detect the temperature of each divided region, and the control unit further includes a temperature detection base when the temperature detection substrate is placed on the heating plate. Based on the time-series data of the temperature detection values of each divided region obtained based on the plate direction and the time-series data of the temperature detection values of each temperature detection unit, the control parameters of each heating unit are corrected.
  • the carrier controller is provided in a carrier that houses the temperature detection substrate and is placed in the carrier carry-in portion, and outputs a temperature measurement start command when the temperature detection substrate is taken out from the carrier by the conveyance portion. To do.
  • the heating plate is divided into a plurality of heating regions, and each of the divided regions is configured to be independently heated by the plurality of heating units, and the temperature detection unit included in the temperature detection substrate includes , Provided at the position corresponding to each divided area! / Speak.
  • the heating plate is divided into a plurality of heating regions in the circumferential direction, and is configured so that each of the divided regions is independently heated by a plurality of heating units, and the temperature included in the temperature detection substrate.
  • a plurality of detection units are provided to detect the temperature of each divided region, and the control unit further includes the direction of the temperature detection substrate and the temperature detection unit when the temperature detection substrate is placed on the heating plate. Based on the time series data of the temperature detection values of each divided region obtained based on the time series data of the temperature detection values, the control parameters of each heating unit are corrected.
  • the carrier controller accommodates the temperature detection substrate and is provided on the carrier placed in the carrier carry-in portion, and outputs a temperature measurement start command when the temperature detection substrate is taken out from the carrier by the conveyance portion. To do.
  • a computer program for measuring the temperature of a heating plate includes a carrier carry-in unit for carrying a carrier containing a plurality of substrates, and a substrate on the heating plate.
  • a substrate processing apparatus comprising a processing unit including a heating unit that is placed and heat-treated, and a transport unit that receives a substrate from a carrier carry-in unit and transports the substrate to the processing unit
  • a start instruction to output a temperature measurement start command to the board controller of the temperature detection board at a predetermined position in the path An output step, the time-series data of temperature detection substrate the temperature detection value by receiving the temperature measurement start command to the storage portion Steps to store, transport time from the position of the temperature detection substrate when the temperature measurement start command is output until the temperature detection substrate is placed on the heating plate, and time-series data of the temperature detection value in the storage unit
  • a time-series data extraction step for extracting time-series data of temperature detection values after the temperature detection substrate is placed on the heating plate.
  • time-series data of the temperature detection values after the adjustment computer force temperature detection substrate is placed on the heating plate is extracted.
  • the temperature of the heating plate is measured using the temperature detection substrate including the temperature detection unit, the storage unit, and the controller, and thus the temperature of the heating plate can be easily and highly accurately. Can be measured.
  • the position force of the temperature detection substrate when the temperature measurement start command is output.
  • the time-series data of the temperature detection values after the temperature detection substrate is placed on the heating plate is taken out, so the timing when the temperature detection substrate is transported to the heating plate is accurately determined. It is possible to grasp and time-series data of temperature detection values can be extracted with high accuracy, and temperature measurement can be performed with high accuracy.
  • FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus (resist pattern forming apparatus) 100 according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus (resist pattern forming apparatus) 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a side view showing a shelf unit in the substrate processing apparatus 100.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view showing a heating unit in the substrate processing apparatus 100.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view showing a heating unit in the substrate processing apparatus 100.
  • FIG. 4B is a cross-sectional view showing a heating unit in the substrate processing apparatus 100.
  • FIG. 5 is a plan view of the heating plate 34.
  • FIG. 6 is a perspective view of a wireless wafer Ww.
  • FIG. 7 is a view showing a cross-section and the like of a wireless wafer carrier Cw.
  • FIG. 8 is a diagram showing a configuration of the adjustment computer 5.
  • FIG. 9 is a diagram showing the configuration of the control unit 6.
  • FIG. 10 is a flowchart defining an operation procedure when the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention measures the temperature of the heating plate 34.
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing time-series data of temperature detection values of the heating plate.
  • FIG. 12A is a schematic perspective view showing an example of a heating plate in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12B is a schematic perspective view showing an example of a wireless wafer Ww in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13A is a schematic perspective view showing an example of a heating plate in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13B is a schematic perspective view showing an example of a wireless wafer Ww in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a configuration of a control unit 9
  • FIG. 16 is a diagram for explaining a carry-in angle of the wireless well and Ww carried into the heating unit.
  • FIG. 17 is a characteristic diagram showing time-series data of temperature detection values of the heating plate by each temperature sensor.
  • FIG. 18 is a view showing a table in which a wireless wafer to be carried into each heating unit, a carry-in angle of Ww, and a heater position of each temperature sensor are written.
  • FIG. 19 is a characteristic diagram showing time-series data of temperature detection values of each heater.
  • FIG. 20 is a plan view showing an example of a conventional resist pattern forming apparatus.
  • FIG. 21 is a perspective view showing a wafer for measuring the temperature of a heating plate.
  • FIG. 22A is a characteristic diagram showing an example of a temperature rising pattern of a heating plate.
  • FIG. 22B is an enlarged view of a portion indicated by B in FIG. 22A.
  • FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus (resist pattern forming apparatus) 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus (resist pattern forming apparatus) 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 100 has a configuration in which an exposure apparatus is connected to the coating Z developing apparatus.
  • the carrier carrying-in part B1 carries in / out a carrier C in which, for example, 13 wafers W serving as substrates are hermetically stored and a carrier Cw for a wireless wafer in which a carrier wafer Ww is stored.
  • the carrier loading section B1 includes a mounting table 20 on which a plurality of carriers C and a plurality of wireless wafer carriers Cw can be mounted, an opening / closing section 21 provided on the front wall as viewed from the mounting table 20, and an opening / closing section 21. And a transfer arm A1 for taking out the wafer W from the carrier C or the wireless wafer Ww from the wireless wafer carrier Cw.
  • a processing unit B2 surrounded by a casing 22 is connected to the back side of the carrier carry-in unit B1, and a heating / cooling system is sequentially applied to the processing unit B2 with the front side force also directed to the back side.
  • the main transport mechanisms A2 and A3 that deliver ENO and W are alternately arranged. That is, the shelf units Ul, U2, U3 and the main transfer mechanisms A2, A3 are arranged in a line in the front-rear direction when viewed from the carrier carry-in part B1, and an opening for wafer transfer (not shown) is formed at each connection part.
  • the wafer W can freely move in the processing section B2 from the shelf unit U1 on one end side to the shelf unit U3 on the other end side.
  • the main transport mechanisms A2, A3 are arranged in the front-rear direction as viewed from the carrier carry-in part B1, and on one side of the shelf units Ul, U2, U3, and on the right side of the liquid processing units U4, U5. And a space surrounded by a section wall 23 composed of a back surface forming one surface on the left side.
  • the main transfer mechanisms A2 and A3 are configured to be movable back and forth and up and down and rotatable about the vertical axis, and transfer wafers W between the shelf units ui, U2, U3 and liquid processing units U4, U5. can do.
  • the driving of the main transport mechanisms A2 and A3 is controlled by a controller based on a command from the control unit 6 described later.
  • the temperature and humidity control units 24 and 25 are provided with a temperature control device for the processing liquid used in each processing unit and a duct for temperature and humidity control.
  • the liquid processing units U4 and U5 are, for example, an antireflection film coating unit (BA RC) on the storage portion 26 that forms a space for supplying a chemical liquid such as an antireflection film, a resist solution, and a developer.
  • the resist coating unit (COT) and the developing unit (DEV) are stacked in a plurality of stages, for example, five stages.
  • the antireflection film coating unit is referred to as an antireflection film unit
  • the resist coating unit is referred to as a coating unit.
  • FIG. 3 is a side view showing a shelf unit in the substrate processing apparatus 100.
  • shelf units Ul, U2, U3 have a structure in which a plurality of processing units for performing pre-processing and post-processing of processing performed in liquid processing units U4, U5 are stacked in a plurality of stages.
  • processing units for performing the pre-processing and post-processing described above there are a transfer unit (TRS), a temperature control unit (CPL) for adjusting the wafer W to a predetermined temperature, and before applying the resist liquid.
  • Heating unit (BAKE) for performing heat treatment of wafer W
  • pre-baking unit for performing heat treatment of wafer W after application of resist solution, etc.
  • Post-exposure that heats wafer W It is called a jar baking unit, and is called a heating unit (PEB) and a post baking unit that heats the wafer W after development! /, A heating unit (POST), etc. include.
  • PB heating unit
  • POST heating unit
  • This figure shows an example of the layout of these units. This layout is for convenience. In an actual device, the number of units installed is determined in consideration of the processing time of each unit.
  • An exposure apparatus B4 is connected to the back side of the shelf unit U3 in the processing block B2 via an interface unit B3.
  • the interface unit B3 is composed of a first transfer chamber 27 and a second transfer chamber 28 provided before and after the processing unit B2 and the exposure apparatus B4.
  • Each of the main transfer units forms a second transfer unit.
  • Part A4 and auxiliary transport part A5 are provided.
  • a heating unit, a delivery unit, a temperature adjustment unit, a coating unit, an antireflection film forming unit, and a developing unit correspond to the processing unit.
  • the delivery arm A1 and the main transfer mechanisms A2 and A3 correspond to the first transfer unit in the embodiment of the present invention. That is, the first transport unit receives the wafer W and the wireless wafer Ww from the carrier carry-in unit B1 and transports them to the processing unit.
  • FIG. 1 An example of the transfer path of the wafer W when a resist pattern is formed on the product wafer W by the substrate processing apparatus 100 is shown before processing in the carrier C placed on the carrier carry-in portion B1.
  • the wafer W is transferred to the transfer unit (TRS) by the transfer arm A1, and then the wafer W is transferred by the main transfer mechanism A2 and A3 to the temperature control unit (CPL) ⁇ antireflection film forming unit (BARC) ⁇ heating unit ( BAKE) ⁇ Temperature control unit (CPL) ⁇ Coating unit (COT)
  • the resist solution is applied.
  • the wafer W is sent to the exposure apparatus B4 via the heating unit (PAB) ⁇ temperature control unit (CPL) ⁇ delivery unit (TRS) ⁇ interface B3, and a predetermined exposure process is performed.
  • PAB heating unit
  • CPL temperature control unit
  • TRS delivery unit
  • the wafer W after the exposure process is returned to the processing unit B2 through the reverse path. That is, the wafer W after the exposure processing is transported to the heating unit (PEB) ⁇ temperature control unit (CPL) ⁇ development unit (DEV), where development processing is performed, and then the heating unit (POST) ⁇ temperature control unit. (CPL) ⁇ transported in order of shelf unit U1 delivery unit (TRS), and returned to carrier C in carrier loading section B1 by delivery arm A1.
  • FIG. 4A and 4B are cross-sectional views showing the heating unit in the substrate processing apparatus 100.
  • FIG. 4A and 4B are cross-sectional views showing the heating unit in the substrate processing apparatus 100.
  • the heating unit includes a casing 31, a stage 32, a cooling plate 33 having a slit 30 that is movable to the left and right in the figure above the stage, and a heating plate 34. And wafer W loading / unloading ports 35, 36, shirters 37, 38 for opening / closing the loading / unloading ports 35, 36, and lifting pins 39a, 39b, each of which constitutes one set.
  • the inside of the casing 31 is accessed from the main transfer mechanisms A2 and A3, and in the heating unit (PEB) provided in the shelf unit U3, the main transfer mechanism A3 The inside of the casing 31 can be accessed from the main transfer section A4.
  • FIG. 5 is a plan view of the heating plate 34.
  • heating plate 34 includes a heating unit for heating heating plate 34 to a predetermined temperature.
  • the heating unit is composed of, for example, heaters H (H1 to H3) made up of three concentric (ring-shaped) resistance heating wires. Accordingly, the heating plate 34 is independently heated in a state of being divided into three heating regions (zones) in the radial direction by the heaters H (H1 to H3), and the temperature is controlled for each of the three zones.
  • a heating unit that performs beta processing or post-baking processing is not shown, but, for example, a wafer W is placed and the wafer W is heated at a predetermined temperature. It has a heating plate 34 to be applied. Further, the temperature control unit (CPL) has a temperature control plate (not shown), for example, on which the wafer W is mounted and the wafer subjected to each heat treatment is subjected to a temperature adjustment treatment at a predetermined temperature! / RU
  • FIG. 6 is a perspective view of the wireless wafer Ww.
  • wireless wafer Ww includes a temperature sensor 41 that forms a temperature detection unit on the wafer itself, and a controller (substrate controller) 42 that includes a battery and a storage unit therein.
  • Each temperature sensor 41 is connected to the controller 42 by, for example, a cable 43.
  • Each temperature sensor 41 is provided at a position corresponding to three heating zones of the heating plate 34, for example.
  • the wireless wafer Ww is obtained in this manner by detecting temperature data at a predetermined cycle, for example, 1 second cycle, by the temperature sensor 41, for example, in response to an output of a temperature detection start command to the controller 42 as described later.
  • the time series data of the detected temperature values can be stored in the storage unit.
  • FIG. 7 is a view showing a cross section and the like of the wireless wafer carrier Cw.
  • the wireless wafer carrier Cw is configured to be able to transmit and receive wirelessly with the controller 42 of the wireless wafer Ww, outputs a measurement start command to the temperature detection unit 41, and stores in the storage unit of the controller 42.
  • a controller (carrier controller) 45 that reads time-series data of temperature detection values stored in the storage unit 45, and a holding unit 44 that holds the wireless wafer Ww.
  • the controller 45 is configured to be able to exchange data with the adjustment computer 5 provided outside the wireless wafer carrier Cw wirelessly or by wire.
  • FIG. 8 is a diagram showing a configuration of the adjustment computer 5.
  • the adjustment computer 5 is actually composed of a CPU (central processing unit), a program, a memory, and the like. Here, a part of the constituent elements will be described as a block.
  • adjustment computer 5 includes a nose 500, a temperature data storage unit 501 connected to bus 500, a temperature data acquisition unit 502, a summary data calculation unit 503, An offset calculation unit 504, a data display unit 505, and a data transmission / reception unit 506 are provided.
  • the temperature data storage unit 501 stores time-series data of temperature detection values measured by the wireless wafer Ww and transmitted via the controller 45.
  • the temperature data acquisition unit 502 uses the time series data of the temperature detection values measured by the wireless wafer Ww and the transfer history of the wireless wafer Ww managed by the control unit 6 to be described later. Time-series data of temperature detection values after being mounted on the For each heating unit.
  • the summary data calculation unit 503 calculates summary data that is temperature information of the heating plate 34, for example, an average value of the in-plane temperature of the heating plate 34 in a predetermined time zone (hereinafter referred to as “average value” And the in-plane temperature difference of the heating plate 34, for example, the temperature difference of each zone heated by the heaters H1 to H3 (hereinafter referred to as “range”).
  • the offset calculation unit 504 calculates an offset value based on the comparison result between the average value and range of the in-plane temperature of the heating plate and the target temperature range and the target in-plane temperature difference.
  • the offset value is adjusted to match the temperature target value so that the average value and range of the in-plane temperature of the heating plate based on the temperature detection value in each zone is within the target temperature range and the target in-plane temperature difference. Is required.
  • the data display unit 505 displays the acquired temperature data, summary data, and offset value of the heating plate 34 on the operation screen of the adjustment computer 5, for example.
  • Data transmission / reception unit 506 transmits / receives predetermined data to / from control unit 6 described later.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a heating unit (BAKE, PAB, PEB, POST) and other processing units such as a coating unit (COT), a developing unit (DEV), and a temperature control unit (CPL),
  • a control unit 6 that controls at least the transfer system such as the transfer arm A1, the main transfer mechanisms A2, A3, and the second transfer unit (A4, A5) is provided.
  • FIG. 9 is a diagram showing a configuration of the control unit 6.
  • the control unit 6 is actually composed of a CPU, a program, a memory, and the like. Here, a part of the constituent elements will be described as a block.
  • control unit 6 includes a node 600, a recipe storage unit 601, a recipe selection unit 602, a recipe creation unit 603, and a control parameter correction unit connected to bus 600. 604, a data display unit 605, and a data transmission / reception unit 606.
  • the recipe storage unit 601 includes, for example, a temperature measurement recipe used in a temperature measurement mode for measuring the temperature of the calo heat plate 34, and a transfer path used in a processing mode for performing a resist pattern forming process on the product wafer W.
  • a plurality of recipes such as process recipes in which processing conditions in each processing unit are recorded are stored.
  • the temperature measurement recipe is used to measure the temperature of the heating plate 34 at the start-up of the apparatus or periodically. This is a recipe for measuring the temperature of the heating plate 34 at this time by transporting the wireless wafer Ww only to the heating unit and carrying out the normal heat treatment process in each heating unit. is there.
  • the event is described together with the time.
  • data such as the order of conveyance of the heating units, the time of heat treatment performed in the heating units, and the conveyance time are described according to a predetermined time axis.
  • the wireless wafer Ww is transferred to the heating unit by the transfer arm A1 and the main transfer mechanisms A2 and A3 in accordance with a predetermined transfer path and a predetermined time.
  • Recipe selection unit 602 selects an appropriate recipe power stored in recipe storage unit 601. More specifically, when the operator selects an appropriate recipe such as a temperature measurement recipe and a process recipe using an operation unit (operation screen) (not shown), the recipe selection unit 602 can select a recipe cartridge stored in the recipe storage unit 601. Also choose an appropriate one. In this way, the temperature measurement mode and the processing mode can be switched. The operator can also input, for example, the number of wafers to be processed and the type of resist using the operation unit.
  • the recipe creation unit 603 creates a new temperature measurement recipe, process recipe, transfer recipe, and the like based on the operation of the operator.
  • the control parameter correction unit 604 controls the heaters H1 to H3 in the heating plate 34 so that the heating plate 34 of each heating unit falls within a predetermined specification. Correct the parameters and output the corrected control parameters to the controller 61 of each heating unit.
  • PID Proportional Integral Derivative
  • Temperature control is performed in combination with fixed control (MV (Manipulated Value) control) that supplies power to the heaters H1 to H3 with an output pattern fixed by using a heater. Therefore, the control parameter correction unit 604 adjusts the input patterns of PID control and MV control using a predetermined algorithm based on the offset value transmitted from the adjustment computer 5.
  • the data display unit 605 displays temperature data, summary data, and data of the created heating plate 34.
  • the offset value is displayed on the operation screen of the computer which is the control unit 6.
  • the data transmission / reception unit 606 transmits / receives predetermined data to / from the adjustment computer 5.
  • the control unit 6 can exchange data wirelessly or by wire with the adjustment computer 5 of the wireless wafer carrier Cw provided outside the apparatus. Wireless wafer Ww temperature measurement start and end signals and offset values can be sent and received.
  • control unit 6 is provided in the shelf units U1 to U5 in the processing unit B2 except for various heating units (PAB, PEB, POST, BAKE) and heating tubes HPAB, PEB, POST, BAKE).
  • Various processing units such as coating unit (COT), development unit (DEV), and temperature control unit (CPL), delivery arm A1, main transport mechanism A2, A3, and second transport unit A4, A5, etc.
  • COT coating unit
  • DEV development unit
  • CPL temperature control unit
  • delivery arm A1 main transport mechanism A2, A3, and second transport unit A4, A5, etc.
  • controllers 61-63 To each of the transport systems via respective controllers 61-63. The operation of each processing unit and the like is controlled by the controllers 61 to 63 based on commands from the control unit 6.
  • FIG. 10 is a flowchart defining an operation procedure when the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention measures the temperature of the heating plate 34.
  • the adjustment computer 5, the control unit 6, the wireless wafer carrier Cw, and the wireless wafer Ww read and execute a program having each step of the flow chart by reading the memory with an unillustrated memory. This program can also install external force.
  • the operator first selects a temperature measurement recipe for the heating unit (step Sl).
  • this recipe for example, an outline of the temperature measurement recipe and a temperature measurement start switch are displayed on the operation screen of the control unit 6.
  • the control unit 6 outputs a temperature measurement start signal to the controller 45 of the wireless wafer carrier Cw via the adjustment computer 5 (step S2).
  • a temperature measurement start command is output from the controller 45 to the controller 42 of the wireless wafer Ww.
  • the controller 42 receives the temperature measurement start signal, causes the temperature sensor 41 to start temperature measurement at a predetermined period, for example, 1 second period, and stores the time series data of the measured temperature detection value in the storage unit. (Step S3).
  • the step of outputting the temperature measurement start command to the controller 42 of the wireless wafer Ww is performed inside the wireless wafer carrier Cw, so that a predetermined position on the predetermined transfer path is determined. Corresponds to the position in the carrier Cw for the wireless wafer.
  • the wireless wafer Ww is taken out from the wireless wafer carrier Cw by the transfer arm A 1 based on the temperature measurement start signal, and the predetermined transfer path and the predetermined are determined. (Step S4).
  • the wireless wafer Ww is placed on the heating plate 34, and when the elevating pins 39b are lowered, the sensor detects and heat treatment is started. Then, after the heat treatment is performed for a predetermined time, weno and Ww are transferred to the cooling plate 33 and the cooling process is started. After the predetermined time elapses, the wireless wafer Ww is unloaded from the first heating unit.
  • the start timing of the cooling process is determined by the sensor detecting when the wafer W is delivered to the cooling plate 33.
  • the Ueno and Ww carried out of the first heating unit are transported to the second heating unit for next temperature measurement by the main transport mechanisms A2 and A3, and are the same as the first heating unit. Temperature measurement is performed by the wireless wafer Ww (step S5). Next !, the wireless UE and Ww are transported to the third heating unit for temperature measurement, and the temperature is measured in the same way (step S6).
  • the main transfer mechanisms A2, A3 and the delivery are performed.
  • Arm A1 returns wireless wafer Ww to wireless wafer carrier Cw.
  • a control end command is output from the controller 6 to the controller 42 of the wireless wafer Ww via the adjustment computer 5 and the controller 45.
  • Wireless wafer Ww finishes temperature data measurement (Step S7, Step S8) .
  • the wireless wafer Ww for example, the battery is charged.
  • the adjustment computer 5 reads the time-series data of the temperature detection values collected in the storage unit of the wireless wafer Ww via the controller 45 and stores this data in the temperature data storage unit 501. (Step S9).
  • the control unit 6 outputs the transfer history including the predetermined transfer route and time described in the temperature measurement recipe by the data transmission / reception unit 600 to the adjustment computer 5 (step S10).
  • the temperature data acquisition unit 502 of the adjustment converter 5 includes a transfer time from the position of the wireless wafer Ww when the temperature measurement start command is output until the wireless wafer Ww is placed on the heating plate 34, and Based on the temperature detection value time-series data stored in the temperature data storage unit 501 via the storage unit of the wireless wafer Ww, the temperature detection value after the wireless wafer Ww is placed on the heating plate 34 The series data is extracted (step S11).
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing time-series data of temperature detection values of the heating plate.
  • the time-series data of the temperature detection values of the heating plate includes the transfer history indicating the transfer time and the event together with the temperature data of the heating plate 34.
  • the summary data calculation unit 503 calculates summary data, that is, the average value and the range of the in-plane temperature of the heating plate (step S12).
  • the offset calculation unit 504 compares the average value and range of the in-plane temperature of the heating plate with the target temperature range and the target in-plane temperature difference (step S13), and calculates the average value of the in-plane temperature of the heating plate. If the range is within specifications, the heating unit temperature measurement recipe ends.
  • the specification means that the average value and range of the in-plane temperature of the heating plate is within the target temperature range and the target in-plane temperature difference.
  • the target temperature range is, for example, the target temperature ⁇ 0.1 °.
  • the target in-plane temperature difference is within 0.2 ° C.
  • the offset calculation unit 504 calculates an offset value and outputs the calculated offset value to the control unit 6 (step S14).
  • the control parameter correction unit 604 corrects the control parameters of the heaters H1 to H3 in the heating unit based on the offset value, and outputs the correction value of the control parameter to the controller 61 of the heating unit. And heating The subsequent processing is performed with the corrected control parameter (step S15).
  • the control unit 6 selects a recipe so as to restart temperature measurement of the corrected heating unit (PAB), outputs a temperature measurement start command, and executes the temperature measurement recipe.
  • the control unit 6 performs temperature detection by the wireless wafer Ww until the average value and range of the in-plane temperature of the heating plate based on the temperature detection value are within the target temperature range and the target in-plane temperature difference, Acquisition of temperature data of the heating plate 34, calculation of summary data, and calculation of the offset value are automatically repeated.
  • a temperature measurement recipe is set up so that the wireless wafer Ww is transferred only to the corrected heating unit.
  • the temperature of the heating plate 34 is measured by the wireless wafer Ww including the temperature detection unit 41, the storage unit, and the controller 42. Therefore, by automatically transporting the wireless wafer Ww to the heating unit to be measured for temperature data by the transfer arm A1 and the main transport mechanism A2 and A3, the heating plate in the heating unit to be measured for temperature data 34 The temperature characteristics of can be measured. For this reason, compared to measuring the temperature characteristics of the Calo heat plate 34 using a measurement wafer of a type in which a temperature sensor and a measuring instrument installed outside the measurement wafer are connected by a serial cable. Since the measurement wafer can be easily mounted on the heating plate, the measurement wafer is easy to handle, and there is no need to wait for the temperature inside the heating unit to stabilize. The decrease can be suppressed.
  • the wireless wafer Ww is transferred to the heating unit by the control unit 6 along a predetermined transfer path.
  • the position of the wafer Ww can be accurately grasped. Therefore, the timing when the wireless wafer Ww is placed on the heating plate 34 of the predetermined heating unit and the timing when the wireless wafer Ww is delivered from the heating plate 34 to the cooling plate can be accurately recognized.
  • the wireless wafer Ww is located at a predetermined position on a predetermined transfer path, in this example, the position within the wireless wafer carrier Cw placed on the carrier carry-in portion B1.
  • the temperature measurement start command is output to the controller 42 of the wireless wafer Ww until the wireless wafer Ww is placed on the heating plate 34 of the heating unit to be measured from the position in the wireless wafer carrier Cw. It is possible to accurately grasp the transfer time.
  • the heating unit uses the grasped transfer time of the wireless wafer Ww and the time-series data of the temperature detection values stored in the storage unit of the wireless wafer Ww.
  • the timing at which the wireless wafer Ww was placed on the heating plate 34 and the measurement temperature of the wireless wafer Ww at the timing when the wireless wafer Ww was delivered to the cooling plate could be accurately grasped and placed on the heating plate 34.
  • the time series data of the later temperature detection values can be easily and accurately extracted.
  • the operation in the process of each heating unit for example, the temperature at the time of placing the wireless wafer Ww on the heating plate 34 and the wireless wafer on the cooling plate by lowering the lifting pins, the temperature at the time of placing Ww Since the data can be specified, it becomes possible to accurately grasp the temperature data of each operation period based on the time-series data of the temperature detection values, and more accurate analysis can be performed.
  • the temperature data up to the specified time and the temperature data for each zone can be acquired with high accuracy.
  • the average value and range of the in-plane temperature of the heating plate can be accurately grasped. For this reason, it is possible to calculate the offset value with high accuracy, and by correcting the control parameter of the heating plate 34 based on the calculated offset value, the temperature rising pattern of each zone is changed in each calorie heat plate 34. It can be adjusted to align. As a result, the in-plane temperature distribution at the time of temperature rise in each zone can be made uniform, and in-plane uniformity high V and heat treatment can be performed.
  • the wireless wafer in the heating unit (PAB, PEB) described above, the wireless wafer is placed on the heating plate 34 for a predetermined time, and then the cooling plate The wireless wafer Ww is placed for a predetermined time until it reaches a steady temperature, for example 24 ° C, and is used as the first temperature measurement data. Then, the wireless wafer Ww is again placed on the heating plate 34 for a predetermined time, and then the wireless wafer Ww is placed on the cooling plate for a predetermined time until the temperature reaches a constant temperature, to obtain second temperature measurement data.
  • a steady temperature for example 24 ° C
  • temperature data of the heating plate 34 is acquired a plurality of times, the summary data and the offset value are calculated for each of the data forces of the plurality of times, and these average values are set. May be.
  • the temperature of the heating plate can be measured a plurality of times simply by transferring the wireless wafer Ww once to the heating unit to be measured.
  • the control unit 6 calculates time series data, summary data, and offset values of the temperature detection values of the heating plate 34. You may go.
  • the adjustment computer 5 outputs the temperature measurement start and end commands to the controller 45 based on the measurement start and measurement end commands from the control unit 6 and the storage unit power of the wireless wafer Ww.
  • the time series data is transmitted to the control unit 6. Further, the adjustment computer 5 may correct the control parameter of the controller 61 of the heating unit based on the offset value.
  • the heat treatment performed on the wafer includes a heat treatment at a positive temperature for heating the wafer and a negative temperature for cooling the wafer. Heat treatment.
  • the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention has the temperature characteristics of the heating plate 34 included in the heating unit that performs the beta processing and the post-baking processing, and the temperature at a predetermined temperature with respect to the wafer. Temperature to apply the adjustment process It is also applicable when measuring the temperature characteristics of the temperature control plate of the adjustment unit.
  • the temperature measurement start command is sent from the controller 45 of the carrier Cw to the controller 42 of the wireless wafer Ww. May be output. Also, when the substrate is returned to the wireless wafer carrier Cw and the controller 45 of the wireless wafer carrier Cw confirms the presence of the wireless wafer Ww, it outputs a measurement end command to the controller 42 of the wireless wafer Ww. The measurement of temperature data may be completed for wafer Ww.
  • the predetermined position at which the temperature measurement start command is output to the controller 42 of the wireless wafer Ww is detected by the wireless wafer Ww in the transfer path. And the start time of the transfer time of the wireless wafer Ww to the heating plate 34.
  • the predetermined position for outputting the temperature measurement start command that is not limited to such a configuration is that the temperature measurement start command is sent to the controller 42 before the wireless wafer Ww is transferred to the calo heat plate 34.
  • the position can be output, it does not have to be in the wireless wafer carrier Cw placed in the carrier loading section B1, for example, in the buffer cassette provided in the carrier loading section B1 or the processing section B2. It may be a position.
  • the control unit 6 outputs a measurement end command to the controller 42 of the wireless wafer Ww via the adjustment computer 5 and the controller 45.
  • the wireless wafer Ww which is not limited to such a configuration, measures the temperature data for all the heating units for which the temperature data is to be measured, and then performs the wireless wafer carrier Cw.
  • the control unit 6 may directly output a measurement end command to the controller 42 of the wireless wafer Ww to end the measurement of temperature data by the wireless wafer Ww.
  • the wireless wafer Ww is transported to the heating unit along a predetermined transport path, and is transferred at a predetermined position on the predetermined transport path. Since the temperature measurement start command is output to the controller 42 of the wireless wafer Ww, the positional force of the wireless wafer Ww when the temperature measurement start command is output and the transfer time until the wireless wafer Ww is placed on the heating plate 34 Based on the time series data of the temperature detection value stored in the storage unit of the wireless wafer Ww, the time series data of the temperature detection value after the wireless wafer Ww is placed on the heating plate 34 can be extracted. .
  • the present embodiment relates to a substrate processing apparatus in which the operation for adjusting the temperature rising patterns of each zone in each heating plate is changed. Configurations and operations other than those described below are the same as those of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
  • the in-plane temperature of the heating plate 34 can be adjusted by knowing in advance which zone corresponds to which temperature sensor in the (zone)! Specifically, if the zones controlled by the heaters H1 to H3 are zones 1 to 3, the average value of the temperature detection values for each zone 1 to 3 can be grasped. Since the difference (range) between the average values of the temperature detection values is also divided, the power supply amount of each heater HI to H3 can be adjusted based on the average value and the range.
  • FIG. 12A is a schematic perspective view showing an example of a heating plate in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12B is a schematic perspective view showing an example of the wireless wafer W w in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13A is a schematic perspective view showing an example of a heating plate in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13B is a schematic perspective view showing an example of a wireless wafer W w in the second embodiment of the present invention.
  • a notch 80 which is a V-shaped notch for indicating the plane orientation, is formed on a part of the periphery of the wireless wafer Ww.
  • the first temperature sensor 70 and the second temperature sensor 71 are provided diagonally across the temperature controller 42.
  • FIG. 14 is a plan view of a substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention is different from the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention in that a control unit is used instead of the adjustment computer 5 and the control unit 6. With nine.
  • FIG. 15 is a diagram showing a configuration of the control unit 9.
  • the control unit 9 is actually composed of a CPU, a program, a memory, and the like. Here, a part of the components will be described as a block.
  • control unit 9 includes nose 90, recipe storage unit 601, recipe selection unit 602, recipe creation unit 603, and data communication unit 701 connected to nose 90.
  • the recipe storage unit 601, the recipe selection unit 602, and the recipe creation unit 603 have the same configuration as the substrate processing apparatus according to the first embodiment, and thus description thereof will not be repeated here.
  • the data communication unit 701 communicates various data with the wireless wafer Ww.
  • the data communication unit 701 receives, for example, a temperature detection start command to the controllers 82 and 83 and the temperature data detected by the first temperature sensor 70 and the second temperature sensor 71 via the output port 81.
  • Temperature sensor data storage section 702 stores temperature data detected by first temperature sensor 70 and second temperature sensor 71 in each heating unit. [0118] Based on the temperature data stored in the temperature sensor data storage unit 702, the heater data storage unit 703 executes, for example, a temperature data creation program described later, and associates each heating unit with the heater. That is, the temperature data is stored in association with the divided area (heating control area) that the heater takes charge of.
  • the program storage unit 710 stores a temperature data creation program 704 and a heater temperature correction program 705.
  • the heater temperature correction program 705 is used for the temperature controllers 82 and 83 associated with each heater based on the temperature data for each divided region of the heating plate 34 stored in the heater data storage unit 703 and the preset temperature measurement data. Function to output the correction value of the control parameter.
  • the temperature data creation program 704 and the heater temperature correction program 705 are stored in a storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a magnetic optical disk (MO), and a memory card.
  • the temperature data creation program 704 and the heater temperature correction program 705 are installed in the computer that is the control unit 9 and stored in the program storage unit 710.
  • FIG. 16 is a view for explaining the carry-in angle of the wireless wafer Ww carried into the heating unit.
  • the state where the notch 80 is oriented in the direction of loading into the heating unit in the wireless wafer Ww is defined as a loading angle of 0 degrees
  • the wireless wafer Ww loaded into the first heating unit is defined as The carry-in angle is 90 degrees.
  • the first heating unit is configured such that the cooling plate slides between the position where the wireless wafer Ww is accessed with respect to the delivery arm A1 or the main transfer mechanism A2 and the heating plate 34. Therefore, the notch 80 is oriented as shown in FIG.
  • the wireless wafer Ww is placed on the heating plate 34 and heat treatment is performed.
  • the wireless weno and Ww carried out from the first heating unit are transported to the second heating unit stored in the shelf unit U2 by the main transport mechanism A2, and the same processing is performed (Ste S5) in Figure 10.
  • the wireless wafer Ww is transferred to the third heating unit stored in the shelf unit U3 by the main transfer mechanism A3, and the same processing is performed (step S6 in FIG. 10).
  • the carry-in angles of the wireless wafer Ww carried into the second heating unit and the third heating unit are 270 degrees and 90 degrees, respectively.
  • FIG. 17 is a characteristic diagram showing time-series data of temperature detection values of the heating plate by each temperature sensor.
  • the first temperature sensor 70 By transporting the wireless wafer Ww, the first temperature sensor 70 is provided in each heating unit as shown in FIG. The temperature data of the heating area handled and the temperature data of the heating area handled by the second temperature sensor 71 are acquired.
  • FIG. 18 is a diagram showing a table in which the carry-in angle of the wireless wafer Ww carried into each heating unit and the heater position of each temperature sensor are written.
  • the heater heating control region of each heating plate 34 is considered in consideration of the carry-in angle of the wireless wafer Ww to the heating plate 34 of each heater.
  • Which temperature sensor corresponds to the temperature data is determined using a table. That is, based on the carry-in angle of the wireless wafer Ww and the temperature data of the first temperature sensor 70 and the second temperature sensor 71, the temperature of the divided area of each heating plate 34 is obtained.
  • FIG. 19 is a characteristic diagram showing time-series data of temperature detection values of the heaters.
  • temperature data for each heating control region (divided region) that each heater is responsible for is obtained.
  • the temperature data creation program 704 is similar to the control parameter correction unit 604 based on the temperature data shown in the figure and, for example, preset temperature data (this data is stored in a memory (not shown), for example).
  • Power supply control data for each heater It has a function to adjust the input pattern of PID control and MV control, which are data, using a predetermined algorithm. Specifically, by executing the temperature data creation program 704, the temperature target value and time constant in PID control are adjusted, and the power supply level and supply time in MV control are adjusted. It is output from the controller 9 to the temperature controller associated with each heater (step S15 in FIG. 10).
  • control unit 9 selects a recipe so as to restart the temperature measurement of the corrected heating unit, outputs a temperature measurement start command, and executes the temperature measurement recipe.
  • control unit 9 performs temperature detection by the wireless wafer Ww until the average value and range of the in-plane temperature of the heating plate based on the temperature detection value are within the target temperature range and within the target in-plane temperature difference, Acquisition of temperature data of the heating plate 34, calculation of summary data, and calculation of offset values are automatically repeated.
  • the heating area which each of the first temperature sensor 70 and the second temperature sensor 71 formed on the surface of the wireless wafer Ww takes is determined. That is, the correspondence between each temperature sensor formed on the surface of the wireless wafer Ww in each heating unit and each heater provided in the heating plate 34 can be understood. Therefore, the temperature control parameter of each heater can be adjusted based on the temperature data measured by each temperature sensor of each heating unit.

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Abstract

　温度検出部（４１）と記憶部（４２）とコントローラ（４２）とを備えたワイヤレスウエハ（Ｗｗ）により基板（Ｗ）を熱処理する加熱プレート（３４）の温度を測定するにあたり、容易にかつ高精度に温度を測定でき、測定作業による稼動効率の低下を抑える。ワイヤレスウエハ用キャリア（Ｃｗ）内の位置にてワイヤレスウエハ（Ｗｗ）のコントローラ（４２）に温度測定開始指令が出力され、これによりワイヤレスウエハ（Ｗｗ）が温度検出を開始して、温度検出値の時系列データを記憶部（４２）内に格納する。一方ワイヤレスウエハ（Ｗｗ）は予め決められた搬送経路に沿って加熱ユニットに搬送される。そしてワイヤレスウエハ（Ｗｗ）が加熱プレート（３４）に載置されるまでの搬送時間と、記憶部（４２）内の温度検出値の時系列データとに基づいて、ワイヤレスウエハ（Ｗｗ）が加熱プレート（３４）に載置された後の温度検出値の時系列データが取り出される。

Description

明 細 書
加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測 定用のコンピュータプログラム
技術分野
[0001] 本発明は、たとえば半導体ウエノ、、フォトマスク基板及び LCD (Liquid Crystal Dis play)基板 (液晶ディスプレイ用ガラス基板)等の基板の表面に対して加熱プレート〖こ より熱処理を行なう基板処理装置において、加熱プレートの温度測定方法、基板処 理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラムに関する。
背景技術
[0002] 半導体デバイス及び LCD基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ば れる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれて 、る。この技術で は、たとえば半導体ウェハ（以下ウェハという）などの基板に、レジスト液を塗布して、 ウェハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いてレジスト膜を露光した後、現像処 理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われる。
[0003] このようなレジストパターンの形成処理は、一般にレジスト液の塗布及び現像を行な う塗布 Z現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行わ れる。
[0004] 図 20は、従来のレジストパターン形成装置の一例を示す平面図である。
同図を参照して、従来のレジストパターン形成装置は、ウェハ Wを 25枚収納したキ ャリア Cが搬出入されるキャリアステージ 11を備えるキャリアブロック 1Aと、処理ブロッ ク 1Bと、インターフェイスブロック 1Cと、露光装置 1Dとを備える。処理ブロック 1Bは、 中央に搬送部 12を備えると共に、搬送部 12の周りに、ウェハにレジスト液を塗布する ための塗布ユニット 13Aと、露光後のウェハに現像処理を行なうための現像ユニット 13B等を多段に配置した液処理ユニット群と、塗布ユニット及び現像ユニットの処理 の前後にウェハに対して所定の加熱処理を行なうための加熱ユニットと、受け渡しュ ニット等を備えた棚ユニット 14 (14A〜14C)とを備える。また、処理ブロック 1Aは、キ ャリア C内と処理ブロック 1Bとの間でウェハ Wの受け渡しを行なう受け渡しアーム 15 を備える。
[0005] 加熱ユニットは、たとえば加熱部が内蔵され、所定温度に設定された加熱プレート の上にウェハ Wを載置することにより、ウェハ Wに対して所定の加熱処理を行なう。こ のような加熱ユニットとしては、レジスト成分中のシンナーを揮発させるためのプリべ ーク処理、レジストパターンのフリンジを緩和するポストェクスポージャーべ一キング 処理、及び現像時の残留リンス液を蒸発させて除去するか、またはレジストを硬化さ せるポストベータ処理等を行なう複数の種類があり、レジストパターン形成装置には、 各処理を行なう加熱ユニットが複数個設けられて 、る。
[0006] ところで加熱ユニットでは、たとえば加熱プレートが、同心円状の複数のヒータにより 独立して加熱される複数の加熱ゾーンに分割されて!、る場合、膜厚及び現像線幅の 面内均一性を確保するために、各加熱ゾーンの昇温パターンを揃える必要がある。 また膜厚及び現像線幅の加熱ユニット間の均一性を確保するために、同じ処理を行 なう加熱ユニット毎に、加熱プレートの昇温パターンを揃える必要がある。このため装 置の立ち上げ時または定期的に、加熱ユニットの加熱プレートの温度特性を調べ、 加熱ゾーンの昇温パターンを揃えると共に、同じ処理を行なう加熱ユニットでは、同じ 昇温パターンを確保できるように、加熱部の制御を行って 、る。
[0007] 図 21は、加熱プレートの温度測定用のウェハを示す斜視図である。
従来から、加熱プレートの温度特性の測定は、加熱プレートの上に、温度センサが たとえば面内の 40箇所に設けられたウェハ Wを載せて、所定時間毎に温度を測定 することにより行われている。このような場合には、同図に示すように、温度センサ 16 と、ウェハ Wの外部に設けられ、各温度センサ 16からの温度データを保存するメモリ を備えた測定器 17とをシリアルケーブル 18にて接続する必要がある。
[0008] このため加熱プレートの温度特性を測定する場合には、レジストパターン形成装置 の背面カバーを外して、温度センサ 16が設けられたウェハ Wを加熱プレート上に載 置し、温度センサ 16と、ウェハ Wの外側に設けられた測定器 17とをシリアルケーブル 18にて接続しなければならな力つた。このように加熱プレートの温度特性の測定毎に 、装置の背面カバーを開けなければならないのは取り扱いが不便である。またカバー を開けて放熱が起こると、カバーを閉じた後、加熱ユニット内部の温度が安定するの を待つ時間が必要となる力 従来のレジストパターン形成装置では、加熱ユニット毎 にこの作業が必要となるため、待ち時間の総合計は 20時間を越える場合がある。
[0009] このため、本発明者らは、ウェハ W力 外側に延びるシリアルケーブルが不要なヮ ィャレスウェハを用いて温度測定を行なうことを検討して 、る。このワイヤレスウェハと は、ウェハ自体に温度センサ、電池、メモリ及びコントローラを備え、温度データをた とえば 1秒周期でメモリに保存できるように構成されたものである。このようなワイヤレ スウェハを用いて熱処理時の基板温度の均一性を評価する手法としては、特開平 1 1 - 307606号公報 (特許文献 1)の技術が知られて 、る。
特許文献 1：特開平 11― 307606号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] ワイヤレスウェハを用いれば、通常のウェハ Wと同様に搬送部にて加熱ユニットに 搬送できるというメリットがある力 ワイヤレスウェハは、どのタイミングでどの加熱ュ- ットに搬入され、または搬出されるかを認識していない。このため、ワイヤレスウェハが 加熱プレートに載置されたタイミングが分力 ず、正確なタイミングの温度データを把 握することは困難である。
[0011] そこで本発明者らはワイヤレスウェハが加熱プレートに載ったタイミングを温度デー タカも判断し、たとえば 5秒間に 10°C以上上昇するというポイントをワイヤレスウェハ が加熱プレートに載ったタイミングとして把握している。
[0012] ここで、図 22Aは、加熱プレートの昇温パターンの一例を示す特性図である。図 22 Bは、図 22Aの Bで示す部分の拡大図である。
[0013] 同図を参照して、加熱開始時は温度上昇の程度がなだらかであるため、たとえば 5 秒間に 10°C以上上昇するというポイントを正確に把握することは難しい。
[0014] 一方ワイヤレスウェハが加熱プレートに載置された正確なタイミングでの温度データ が分からないと、加熱プレートの昇温パターンの設定が狂ってしまう。たとえば加熱プ レートが複数のヒータにより加熱されている場合、各加熱ゾーンの正確な昇温パター ンが把握できず、各ゾーンでの昇温パターンを揃えて面内均一性の高い熱処理を行 なうように制御することが困難となる。特に昇温開始時は、なだらかな温度上昇の後、 急激に温度が上昇するので、タイミングの把握に 1秒の誤差が生じると、昇温パター ンのばらつきが大きくなつてしまう。
[0015] さらに各加熱ユニット間にて昇温パターンがばらつくと、結果として加熱ユニット間 の均一性の高 、熱処理を行なうことは困難である。特開平 11― 307606号公報 (特 許文献 1)にもワイヤレスウェハが加熱プレートに載ったタイミングの認識手法につい ては記載されて 、な 、ので、実際には特開平 11― 307606号公報 (特許文献 1)の 手法は加熱プレートの温度測定には利用できない。
[0016] 本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は基板を熱処理す る加熱プレートの温度を容易にかつ高精度に測定することでき、し力も測定作業によ る稼動効率の低下を抑える加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱 プレートの温度測定用のコンピュータプログラムを提供することにある。
課題を解決するための手段
[0017] 上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わる加熱プレートの温度測 定方法は、複数の基板を収納したキャリアを搬入するキャリア搬入部と、加熱プレート に基板を載置して熱処理を行なう加熱ユニットを含む処理ユニットと、キャリア搬入部 力 基板を受け取って処理ユニットに搬送する搬送部とを備えた基板処理装置につ いて、加熱プレートの温度を測定する方法であって、温度検出部、記憶部及び基板 コントローラを含む温度検出用の基板を搬送部により予め決められた搬送経路に沿 つて加熱ユニットに搬送する工程と、搬送経路における予め決められた位置にて温 度検出用基板の基板コントローラに温度測定開始指令を出力する開始指令出力ェ 程と、温度測定開始指令を受けて温度検出用基板が温度検出値の時系列データを 記憶部内に記憶する工程と、温度測定開始指令を出力したときの温度検出用基板 の位置力 温度検出用基板が加熱プレートに載置されるまでの搬送時間と、記憶部 内の温度検出値の時系列データと、に基づいて、温度検出用基板が加熱プレートに 載置された後の温度検出値の時系列データを取り出す時系列データ取り出し工程と 、を含む。
[0018] 好ましくは、時系列データ取り出し工程においては、調整用コンピュータ力 温度検 出用基板が加熱プレートに載置された後の温度検出値の時系列データを取り出す。 [0019] より好ましくは、加熱プレートの温度測定方法は、さらに、温度検出用基板が加熱プ レートに載置された後の温度検出値の時系列データに基づいて、加熱プレートに含 まれる加熱部の制御パラメータを補正する工程を含む。
[0020] より好ましくは、加熱プレートは、複数の加熱領域に分割されると共に各分割領域を 複数の加熱部により独立して加熱するように構成され、温度検出用基板に含まれる 温度検出部は、分割領域にそれぞれ対応した位置に設けられて！/ヽる。
[0021] より好ましくは、加熱プレートは、周方向に複数の加熱領域に分割されると共に各 分割領域を複数の加熱部により独立して加熱するように構成され、温度検出用基板 に含まれる温度検出部は、各分割領域の温度検出を行なうために複数設けられ、加 熱プレートの温度測定方法は、さらに、温度検出用基板が加熱プレートに載置される ときの温度検出用基板の向きと各温度検出部の温度検出値の時系列データとを元 に得られた各分割領域の温度検出値の時系列データに基づ 、て、各加熱部の制御 ノ ラメータを補正する工程を含む。
[0022] より好ましくは、開始指令出力工程においては、温度検出用基板を収納すると共に キャリア搬入部に置かれたキャリアに設けられたキャリアコントローラが温度測定開始 指令を出力し、温度測定開始指令は、キャリアから温度検出用基板を搬送部により 取り出すときに出力される。
[0023] 好ましくは、加熱プレートの温度測定方法は、さらに、温度検出用基板が加熱プレ 一トに載置された後の温度検出値の時系列データに基づいて、加熱プレートに含ま れる加熱部の制御パラメータを補正する工程を含む。
[0024] 好ましくは、加熱プレートは、複数の加熱領域に分割されると共に各分割領域を複 数の加熱部により独立して加熱するように構成され、温度検出用基板に含まれる温 度検出部は、分割領域にそれぞれ対応した位置に設けられて！/ヽる。
[0025] 好ましくは、加熱プレートは、周方向に複数の加熱領域に分割されると共に各分割 領域を複数の加熱部により独立して加熱するように構成され、温度検出用基板に含 まれる温度検出部は、各分割領域の温度検出を行なうために複数設けられ、加熱プ レートの温度測定方法は、さらに、温度検出用基板が加熱プレートに載置されるとき の温度検出用基板の向きと各温度検出部の温度検出値の時系列データとを元に得 られた各分割領域の温度検出値の時系列データに基づ 、て、各加熱部の制御パラ メータを補正する工程を含む。
[0026] 好ましくは、開始指令出力工程においては、温度検出用基板を収納すると共にキヤ リア搬入部に置かれたキャリアに設けられたキャリアコントローラが温度測定開始指令 を出力し、温度測定開始指令は、キャリアから温度検出用基板を搬送部により取り出 すときに出力される。
[0027] 上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わる基板処理装置は、複数 の基板を収納したキャリアを搬入するキャリア搬入部と、加熱プレートに基板を載置し て熱処理を行なう加熱ユニットを含む処理ユニットと、キャリア搬入部から基板を受け 取って処理ユニットに搬送する搬送部と、温度検出部、記憶部及び基板コントローラ を含む温度検出用の基板を予め決められた搬送経路に沿って加熱ユニットに搬送 するように搬送部を制御する制御部と、搬送経路における予め決められた位置にて 温度検出用基板の基板コントローラに温度測定開始指令を出力するキャリアコント口 ーラと、温度測定開始指令を出力したときの温度検出用基板の位置力 温度検出用 基板が加熱プレートに載置されるまでの搬送時間と、温度測定開始指令を受けて温 度検出用基板に含まれる記憶部内に記憶された温度検出値の時系列データと、に 基づいて、温度検出用基板が加熱プレートに載置された後の温度検出値の時系列 データを取り出す調整用コンピュータと、を備えた基板処理装置。
[0028] 好ましくは、制御部は、さらに、温度検出用基板が加熱プレートに載置された後の 温度検出値の時系列データに基づいて加熱プレートに含まれる加熱部の制御パラメ ータを補正する。
[0029] より好ましくは、加熱プレートは、複数の加熱領域に分割されると共に、各分割領域 を複数の加熱部により独立して加熱するように構成され、温度検出用基板に含まれる 温度検出部は、分割領域にそれぞれ対応した位置に設けられて！/ヽる。
[0030] より好ましくは、加熱プレートは、周方向に複数の加熱領域に分割されると共に各 分割領域を複数の加熱部により独立して加熱するように構成され、温度検出用基板 に含まれる温度検出部は、各分割領域の温度検出を行なうために複数設けられ、制 御部は、さらに、温度検出用基板が加熱プレートに載置されるときの温度検出用基 板の向きと各温度検出部の温度検出値の時系列データとを元に得られた各分割領 域の温度検出値の時系列データに基づ 、て、各加熱部の制御パラメータを補正する
[0031] より好ましくは、キャリアコントローラは、温度検出用基板を収納すると共にキャリア 搬入部に置かれたキャリアに設けられ、キャリアから温度検出用基板を搬送部により 取り出すときに温度測定開始指令を出力する。
[0032] 好ましくは、加熱プレートは、複数の加熱領域に分割されると共に、各分割領域を 複数の加熱部により独立して加熱するように構成され、温度検出用基板に含まれる 温度検出部は、分割領域にそれぞれ対応した位置に設けられて！/ヽる。
[0033] 好ましくは、加熱プレートは、周方向に複数の加熱領域に分割されると共に各分割 領域を複数の加熱部により独立して加熱するように構成され、温度検出用基板に含 まれる温度検出部は、各分割領域の温度検出を行なうために複数設けられ、制御部 は、さらに、温度検出用基板が加熱プレートに載置されるときの温度検出用基板の向 きと各温度検出部の温度検出値の時系列データとを元に得られた各分割領域の温 度検出値の時系列データに基づ 、て、各加熱部の制御パラメータを補正する。
[0034] 好ましくは、キャリアコントローラは、温度検出用基板を収納すると共にキャリア搬入 部に置かれたキャリアに設けられ、キャリアから温度検出用基板を搬送部により取り 出すときに温度測定開始指令を出力する。
[0035] 上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わる加熱プレートの温度測 定用のコンピュータプログラムは、複数の基板を収納したキャリアを搬入するキャリア 搬入部と、加熱プレートに基板を載置して熱処理を行なう加熱ユニットを含む処理ュ ニットと、キャリア搬入部から基板を受け取って処理ユニットに搬送する搬送部と、を 備えた基板処理装置について、加熱プレートの温度を測定するために用いられるプ ログラムであって、コンピュータに、温度検出部、記憶部及び基板コントローラを含む 温度検出用の基板を搬送部により予め決められた搬送経路に沿って加熱ユニット〖こ 搬送するステップと、搬送経路における予め決められた位置にて温度検出用基板の 基板コントローラに温度測定開始指令を出力する開始指令出力ステップと、温度測 定開始指令を受けて温度検出用基板が温度検出値の時系列データを記憶部内に 記憶するステップと、温度測定開始指令を出力したときの温度検出用基板の位置か ら温度検出用基板が加熱プレートに載置されるまでの搬送時間と、記憶部内の温度 検出値の時系列データと、に基づいて、温度検出用基板が加熱プレートに載置され た後の温度検出値の時系列データを取り出す時系列データ取り出しステップとを実 行させる。
[0036] 好ましくは、時系列データ取り出しステップにおいては、調整用コンピュータ力 温 度検出用基板が加熱プレートに載置された後の温度検出値の時系列データを取り 出す。
発明の効果
[0037] 本発明によれば、温度検出部、記憶部及びコントローラを備えた温度検出用基板 を用いて加熱プレートの温度を測定して 、るので、容易にかつ高精度に加熱プレー トの温度を測定することができる。加熱プレートの温度を測定する際、温度測定開始 指令を出力したときの温度検出用基板の位置力 温度検出用基板が加熱プレートに 載置されるまでの搬送時間と、記憶部内の温度検出値の時系列データと、に基づい て、温度検出用基板が加熱プレートに載置された後の温度検出値の時系列データ を取り出しているので、加熱プレートに温度検出用基板を搬送したタイミングを正確 に把握でき、温度検出値の時系列データを高い精度で取り出すことができ、精度の 高 、温度測定を行なうことができる。
図面の簡単な説明
[0038] [図 1]本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置 (レジストパターン形成装置） 1 00の平面図である。
[図 2]本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置 (レジストパターン形成装置） 1 00の概略斜視図である。
[図 3]基板処理装置 100における棚ユニットを示す側面図である。
[図 4A]基板処理装置 100における加熱ユニットを示す断面図である。
[図 4B]基板処理装置 100における加熱ユ ットを示す断面図である。
[図 5]加熱プレート 34の平面図である。
[図 6]ワイヤレスウェハ Wwの斜視図である。 [図 7]ワイヤレスウェハ用キャリア Cwの断面等を示す図である。
圆 8]調整用コンピュータ 5の構成を示す図である。
[図 9]制御部 6の構成を示す図である。
[図 10]本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置 100が加熱プレート 34の温 度を測定する際の動作手順を定めたフローチャートである。
[図 11]加熱プレートの温度検出値の時系列データを示す特性図である。
[図 12A]本発明の第 2の実施の形態において、加熱プレートの一例を示す概略斜視 図である。
[図 12B]本発明の第 2の実施の形態において、ワイヤレスウェハ Wwの一例を示す概 略斜視図である。
[図 13A]本発明の第 2の実施の形態において、加熱プレートの一例を示す概略斜視 図である。
[図 13B]本発明の第 2の実施の形態において、ワイヤレスウェハ Wwの一例を示す概 略斜視図である。
圆 14]本発明の第 2の実施の形態に係る基板処理装置 100の平面図である。
[図 15]制御部 9の構成を示す図である。
[図 16]加熱ユニットに搬入されるワイヤレスウエノ、 Wwの搬入角度を説明するための 図である。
[図 17]各温度センサによる加熱プレートの温度検出値の時系列データを示す特性図 である。
[図 18]各加熱ユニットに搬入されるワイヤレスウエノ、 Wwの搬入角度と各温度センサ のヒータ位置とが書き込まれたテーブルを示す図である。
[図 19]各ヒータの温度検出値の時系列データを示す特性図である。
[図 20]従来のレジストパターン形成装置の一例を示す平面図である。
[図 21]加熱プレートの温度測定用のウェハを示す斜視図である。
[図 22A]加熱プレートの昇温パターンの一例を示す特性図である。
[図 22B]図 22Aの Bで示す部分の拡大図である。
符号の説明 [0039] W 半導体ウェハ（基板）、 Ww ワイヤレスウェハ（基板）、 C キャリア、 Cw キヤリ ァ（ワイヤレスウェハ用キャリア）、 B1 キャリア搬入部、 B2 処理ブロック、 B3 インタ 一フェイス部、 B4 露光装置、 A1 受け渡しアーム (第 1の搬送部）、 A2, A3 メイン 搬送機構 (第 1の搬送部）、 A4 主搬送部 (第 2の搬送部）、 A5 補助搬送部 (第 2の 搬送部）、 34 加熱プレート、 33 冷却プレート、 41 温度検出部、 42 ワイヤレスゥ ェハ Wwのコントローラ、 45 ワイヤレスウェハ用キャリア Cwのコントローラ、 5 調整 用コンピュータ、 502 温度データ取得部、 503 サマリーデータ算出部、 504 オフ セット算出部、 6, 9 制御部、 604 制御パラメータ補正部、 HI, H2, H3 ヒータ (加 熱部）、 Ul, U2, U3 処理ユニット、 100 レジストパターン形成装置（基板処理装 置)。
発明を実施するための最良の形態
[0040] 以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、図中同一また は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
[0041] <第 1の実施の形態 >
図 1は、本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置 (レジストパターン形成装 置） 100の平面図である。
[0042] 図 2は、本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置 (レジストパターン形成装 置） 100の概略斜視図である。
[0043] 基板処理装置 100は、塗布 Z現像装置に露光装置を接続した構成である。キヤリ ァ搬入部 B1は、基板であるウェハ Wがたとえば 13枚密閉収納されたキャリア Cと、ヮ ィャレスウェハ Wwが収納されたワイヤレスウェハ用キャリア Cwとを搬入出する。キヤ リア搬入部 B1は、キャリア C及びワイヤレスウェハ用キャリア Cwを複数個載置可能な 載置台 20と、この載置台 20から見て前方の壁面に設けられる開閉部 21と、開閉部 2 1を介してキャリア Cからウェハ Wを、またはワイヤレスウェハ用キャリア Cwからワイヤ レスウェハ Wwを取り出すための受け渡しアーム A1とを備える。
[0044] キャリア搬入部 B1の奥側には筐体 22にて周囲を囲まれる処理部 B2が接続されて おり、この処理部 B2には手前側力も奥側に向力つて順に加熱 ·冷却系のユニットを 多段化した 3個の棚ユニット Ul, U2, U3と、後述するその他の処理ユニット間でゥ エノ、 Wの受け渡しを行なうメイン搬送機構 A2, A3とが交互に配列して設けられて ヽ る。即ち、棚ユニット Ul, U2, U3及びメイン搬送機構 A2, A3はキャリア搬入部 B1 側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウェハ搬送 用の開口部が形成されていて、ウェハ Wは処理部 B2内を一端側の棚ユニット U1か ら他端側の棚ユニット U3まで自由に移動できる。
[0045] またメイン搬送機構 A2, A3は、キャリア搬入部 B1から見て前後方向に配置される 棚ユニット Ul, U2, U3側の一面部と、右側の液処理ユニット U4, U5側の一面部と 、左側の一面をなす背面部とで構成される区間壁 23により囲まれる空間内に置かれ ている。
[0046] メイン搬送機構 A2, A3は、進退及び昇降自在かつ鉛直軸回りに回転自在に構成 され、棚ユニット ui, U2, U3及び液処理ユニット U4, U5の各ユニットの間でウェハ Wを搬送することができる。メイン搬送機構 A2, A3は、後述する制御部 6からの指令 に基づいてコントローラにより駆動が制御される。温湿度調節ユニット 24, 25は、各 処理ユニットで用いられる処理液の温度調節装置及び温湿度調節用のダクト等を備 える。
[0047] 液処理ユニット U4, U5は、反射防止膜用の薬液、レジスト液及び現像液等の薬液 供給用のスペースをなす収納部 26の上に、たとえば反射防止膜の塗布ユニット（BA RC)、レジストの塗布ユニット（COT)及び現像ユニット (DEV)を複数段たとえば 5段 に積層した構成とされている。なお用語を簡略ィ匕するために反射防止膜の塗布ュ- ットを反射防止膜ユニット、レジストの塗布ユニットを塗布ユニットと呼ぶことにする。
[0048] 図 3は、基板処理装置 100における棚ユニットを示す側面図である。
同図を参照して、棚ユニット Ul, U2, U3は、液処理ユニット U4, U5にて行なわれ る処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理ユニットを複数段積層した構成 である。上述の前処理及び後処理を行なうための各種処理ユニットの中には、受け 渡しユニット (TRS)、ウェハ Wを所定温度に調整するための温調ユニット（CPL)、レ ジスト液の塗布前にウェハ Wの加熱処理を行なうための加熱ユニット（BAKE)、レジ スト液の塗布後にウェハ Wの加熱処理を行なうためのプリべ一キングユニットなどと呼 ばれている加熱ユニット（PAB)、露光後のウェハ Wを加熱処理するポストェクスポー ジャーべ一キングユニットなどと呼ばれて 、る加熱ユニット（PEB)及び現像処理後の ウェハ Wを加熱処理するポストべ一キングユニットなどと呼ばれて!/、る加熱ユニット（P OST)等が含まれている。同図はこれらユニットのレイアウトの一例を示すものであつ て、このレイアウトは便宜上のものであり、実際の装置では各ユニットの処理時間など を考慮してユニットの設置数が決められる。
[0049] 処理ブロック B2における棚ユニット U3の奥側には、インターフェイス部 B3を介して 露光装置 B4が接続されて 、る。インターフェイス部 B3は処理部 B2と露光装置 B4と の間に前後に設けられる第 1の搬送室 27及び第 2の搬送室 28にて構成されており、 それぞれに第 2の搬送部をなす主搬送部 A4及び補助搬送部 A5が設けられている。
[0050] 基板処理装置 100では、加熱ユニット、受け渡しユニット、温調ユニット、塗布ュ-ッ ト、反射防止膜形成ユニット及び現像ユニットが処理ユニットに相当する。また受け渡 しアーム A1及びメイン搬送機構 A2, A3が本発明の実施の形態における第 1の搬送 部に相当する。すなわち、第 1の搬送部は、キャリア搬入部 B1からウェハ W及びワイ ャレスウェハ Wwを受け取って処理ユニットに搬送する。
[0051] ここで基板処理装置 100にて、製品ウェハ Wにレジストパターンを形成する場合に おけるウェハ Wの搬送経路の一例を示すと、キャリア搬入部 B1に載置されたキャリア C内の処理前のウエノ、 Wは受け渡しアーム A1により受け渡しユニット (TRS)に搬送 され、続いてウェハ Wはメイン搬送機構 A2, A3により、温調ユニット（CPL)→反射 防止膜形成ユニット（BARC)→加熱ユニット (BAKE)→温調ユニット（CPL)→塗布 ユニット（COT)の順序で搬送されて、ここでレジスト液が塗布される。次いでウェハ Wは加熱ユニット（PAB)→温調ユニット (CPL)→受け渡しユニット (TRS)→インタ 一フェイス部 B3を介して露光装置 B4に送られて、所定の露光処理が行われる。
[0052] 露光処理後のウェハ Wは逆の経路で処理部 B2に戻される。すなわち、露光処理 後のウェハ Wは、加熱ユニット（PEB)→温調ユニット (CPL)→現像ユニット（DEV) に搬送され、ここで現像処理が行われ、次いで加熱ユニット（POST)→温調ユニット (CPL)→棚ユニット U1の受け渡しユニット (TRS)の順序で搬送され、受け渡しァー ム A1によりキャリア搬入部 B1のキャリア Cに戻される。
[0053] 次に、加熱ユニットの一例として PAB処理及び PEB処理を行なう加熱ユニットの構 造について簡単に説明する。図 4A及び図 4Bは、基板処理装置 100における加熱 ユニットを示す断面図である。
[0054] 同図を参照して、加熱ユニットは、筐体 31と、ステージ 32と、ステージの上方にお いて図中左右に移動可能な、スリット 30を備えた冷却プレート 33と、加熱プレート 34 と、ウェハ Wの搬入出口 35, 36と、搬入出口 35, 36をそれぞれ開閉するシャツタ 37 , 38と、各々 3本で 1セットを構成する昇降ピン 39a, 39bとを備える。
[0055] 棚ユニット U2に設けられた加熱ユニット（PAB)では、メイン搬送機構 A2, A3から 筐体 31内にアクセスし、棚ユニット U3に設けられた加熱ユニット（PEB)では、メイン 搬送機構 A3、主搬送部 A4から筐体 31内にアクセスできる。
[0056] 即ちこの加熱ユニット（PAB, PEB)にお!/、ては、メイン搬送機構 A2 (主搬送部 A4 )が搬入出口 35 (36)を介して進入すると、昇降ピン 39aを介してメイン搬送機構 A2 ( 主搬送部 A4)上のウェハ Wが冷却プレート 33に受け渡される。そして冷却プレート 3 3の移動及び昇降ピン 39bの昇降により冷却プレート 33と加熱プレート 34との間でゥ ェハ Wの受け渡しが行われる。そして加熱プレート 34により加熱処理がされたウェハ Wは、加熱プレート 34から再び冷却プレート 33に受け渡され、ここで粗冷却された後 、メイン搬送機構 A3に受け取られて、次工程に搬送される。
[0057] 図 5は、加熱プレート 34の平面図である。
同図を参照して、加熱プレート 34は、内部に加熱プレート 34を所定温度に加熱す るための加熱部を備える。加熱部は、たとえば 3つの同心円状 (リング状)の抵抗発熱 線よりなるヒータ H (H1〜H3)により構成されている。これにより加熱プレート 34は、 各ヒータ H (H1〜H3)により径方向に 3つの加熱領域 (ゾーン）に分割された状態で 独立して加熱され、 3つのゾーン毎に温度制御される。
[0058] また加熱ユニットの内、ベータ処理またはポストべ一キング処理（POST)を行なう加 熱ユニットは、図示しないが、たとえばウェハ Wを載置し、ウェハ Wに対し、所定温度 で加熱処理を施す加熱プレート 34を有している。さらに温調ユニット（CPL)は、図示 しないが、たとえばウェハ Wを載置し、各加熱処理が施されたウェハに対し、所定温 度で温度調節処理を施す温調プレートを有して!/、る。
[0059] 図 6は、ワイヤレスウェハ Wwの斜視図である。 同図を参照して、ワイヤレスウェハ Wwは、ウェハ自体に温度検出部をなす温度セ ンサ 41と、内部に電池と記憶部とが設けられたコントローラ (基板コントローラ) 42とを 備える。各温度センサ 41はコントローラ 42に、たとえばケーブル 43によりそれぞれ接 続されている。各温度センサ 41は、たとえば加熱プレート 34の 3つの加熱ゾーンに 対応した位置にそれぞれ設けられる。
[0060] そして、ワイヤレスウェハ Wwは、たとえば後述するようにコントローラ 42への温度検 出開始指令の出力により、温度センサ 41にて所定周期たとえば 1秒周期で温度デー タを検出し、こうして得られた温度検出値の時系列データを記憶部に格納することが できるように構成されている。
[0061] 図 7は、ワイヤレスウェハ用キャリア Cwの断面等を示す図である。
同図を参照して、ワイヤレスウェハ用キャリア Cwは、ワイヤレスウェハ Wwのコント口 ーラ 42と無線により送受信可能に構成され、温度検出部 41に対する測定開始指令 を出力すると共に、コントローラ 42の記憶部内に格納された温度検出値の時系列デ ータを読み出すコントローラ（キャリアコントローラ） 45と、ワイヤレスウェハ Wwを保持 する保持部 44とを備える。コントローラ 45は、ワイヤレスウェハ用キャリア Cwの外部 に設けられた調整用コンピュータ 5と、無線または有線でデータの授受を行なうことが できるように構成されている。
[0062] 図 8は、調整用コンピュータ 5の構成を示す図である。調整用コンピュータ 5は、実 際には CPU (中央処理ユニット）、プログラム及びメモリなどにより構成される力 ここ では構成要素の一部をブロック化して説明する。
[0063] 同図を参照して、調整用コンピュータ 5は、ノ ス 500と、バス 500に接続される、温 度データ格納部 501と、温度データ取得部 502と、サマリーデータ算出部 503と、ォ フセット算出部 504と、データ表示部 505と、データ送受信部 506とを備える。
[0064] 温度データ格納部 501は、ワイヤレスウェハ Wwが測定し、コントローラ 45を介して 送信された温度検出値の時系列データを格納する。温度データ取得部 502は、ワイ ャレスウェハ Wwが測定した温度検出値の時系列データと、後述する制御部 6にて 管理されたワイヤレスウェハ Wwの搬送履歴とから、ワイヤレスウェハ Wwが加熱プレ ート 34に載置された後の温度検出値の時系列データ（以下「加熱プレートの温度デ ータ」という）を加熱ユニット毎に取り出す。サマリーデータ算出部 503は、加熱プレー ト 34の温度データに基づいて、加熱プレート 34の温度情報であるサマリーデータ、 たとえば所定時間帯における加熱プレート 34の面内温度の平均値 (以下「平均値」と いう）及び加熱プレート 34の面内温度差たとえばヒータ H1〜H3にて加熱される各ゾ ーンの温度差 (以下「レンジ」 、う）を算出する。
[0065] オフセット算出部 504は、加熱プレートの面内温度の平均値及びレンジと、目標温 度範囲及び目標面内温度差との比較結果に基づいて、オフセット値を算出する。こ こでオフセット値は、各ゾーンにおける温度検出値に基づく加熱プレートの面内温度 の平均値及びレンジが、目標温度範囲内及び目標面内温度差以内になるように、温 度目標値の合わせ込みを行って求められるものである。
[0066] データ表示部 505は取得された加熱プレート 34の温度データ、サマリーデータ及 びオフセット値をたとえば調整用コンピュータ 5の操作画面に表示する。またデータ 送受信部 506は、後述する制御部 6との間で所定のデータの送受信を行なう。
[0067] さらに基板処理装置 100は、加熱ユニット（BAKE, PAB, PEB, POST)と、塗布 ユニット（COT)、現像ユニット（DEV)及び温調ユニット (CPL)等のその他の各処理 ユニットと、受け渡しアーム A1及びメイン搬送機構 A2, A3ならびに第 2の搬送部 (A 4, A5)等の搬送系等とを少なくとも制御する制御部 6を備える。
[0068] 図 9は、制御部 6の構成を示す図である。制御部 6は、実際には CPU、プログラム 及びメモリなどにより構成される力 ここでは構成要素の一部をブロック化して説明す る。
[0069] 同図を参照して、制御部 6は、ノ ス 600と、バス 600に接続される、レシピ格納部 60 1と、レシピ選択部 602と、レシピ作成部 603と、制御パラメータ補正部 604と、データ 表示部 605と、データ送受信部 606とを備える。レシピ格納部 601には、たとえばカロ 熱プレート 34の温度測定を行なう温度測定モードで用いられる温度測定レシピ、なら びに製品ウェハ Wに対してレジストパターン形成処理を行なう処理モードで用いられ る、搬送経路及び各処理ユニットにおける処理条件などが記録されたプロセスレシピ 等、複数のレシピが格納されている。
[0070] 温度測定レシピは、装置の立ち上げ時または定期的に加熱プレート 34の温度測定 を行なうときに選択されるものであり、加熱ユニットにのみワイヤレスウェハ Wwを搬送 して、各加熱ユニットにて通常の熱処理プロセスを行い、このときの加熱プレート 34 の温度を測定するためのレシピである。
[0071] たとえば温度測定レシピには、イベントが時刻と共に記載されている。具体的には 加熱ユニットの搬送順序、加熱ユニットにて行われる熱処理の時間及び搬送時間等 のデータが所定の時間軸に従って記載されている。これにより、予め決められた搬送 経路及び予め決められた時間に従ってワイヤレスウェハ Wwが受け渡しアーム A1及 びメイン搬送機構 A2, A3によって加熱ユニットに搬送される。
[0072] レシピ選択部 602は、レシピ格納部 601に格納されたレシピ力 適当なものを選択 する。より詳細には、オペレータが図示しない操作部 (操作画面）を用いて温度測定 レシピ及びプロセスレシピ等、適当なレシピを選択することにより、レシピ選択部 602 は、レシピ格納部 601に格納されたレシピカも適当なものを選択する。このようにして 、温度測定モードと処理モードとを切り替えることができる。なおオペレータは、操作 部を用いてたとえばウェハの処理枚数及びレジストの種類などの入力をすることもで きる。レシピ作成部 603は、オペレータの操作に基づいて、新たな温度測定レシピ、 プロセスレシピ及び搬送レシピ等を作成する。
[0073] 制御パラメータ補正部 604は、調整用コンピュータ 5から送信されたオフセット値に 基づいて、各加熱ユニットの加熱プレート 34が所定のスペック内に収まるように加熱 プレート 34におけるヒータ H1〜H3の制御パラメータの補正を行い、補正した制御パ ラメータを各加熱ユニットのコントローラ 61に出力する。ここで加熱プレート 34では、 温度検出値と温度目標値との偏差に基づいてヒータ H1〜H3への電力供給量に対 応する信号を演算して出力する PID (Proportional Integral Derivative)制御と、タイ マを用いて固定された出力パターンでヒータ H1〜H3に電力供給を行なう固定制御 (MV (Manipulated Value)制御）とを組み合わせて温度制御が行われて 、る。した がって、制御パラメータ補正部 604は、調整用コンピュータ 5から送信されたオフセッ ト値に基づ 、て、 PID制御及び MV制御の入力パターンを所定のアルゴリズムで調 整する。
[0074] データ表示部 605は、作成された加熱プレート 34の温度データ、サマリーデータ及 びオフセット値等をたとえば制御部 6であるコンピュータの操作画面に表示する。デ ータ送受信部 606は、調整用コンピュータ 5との間で所定のデータの送受信を行なう 。これにより制御部 6は、既述のように、装置外部に設けられたワイヤレスウェハ用キ ャリア Cwの調整用コンピュータ 5と無線または有線によりデータの授受ができ、調整 用コンピュータ 5との間で、ワイヤレスウェハ Wwの温度測定開始及び終了の信号な らびにオフセット値などを送受信できる。
[0075] さらに制御部 6は、各種カ卩熱ユニット（PAB, PEB, POST, BAKE)と、加熱ュ-ッ HPAB, PEB, POST, BAKE)以外の、処理部 B2における棚ユニット U1〜U5内 に設けられる、塗布ユニット（COT)、現像ユニット（DEV)及び温調ユニット（CPL) 等の各種処理ユニットと、受け渡しアーム A1,メイン搬送機構 A2, A3及び第 2の搬 送部 A4, A5等の搬送系とに、それぞれのコントローラ 61〜63を介して接続される。 各処理ユニット等の動作は制御部 6の指令に基づいてコントローラ 61〜63により制 御される。
[0076] 次に加熱ユニット（PAB)の加熱プレート 34の温度を測定する場合を例にして、本 発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置の動作を説明する。
[0077] 図 10は、本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置 100が加熱プレート 34 の温度を測定する際の動作手順を定めたフローチャートである。調整用コンピュータ 5と、制御部 6と、ワイヤレスウェハ用キャリア Cwと、ワイヤレスウェハ Wwとは、フロー チャートの各ステップを備えるプログラムを図示しないメモリ等力 読み出して実行す る。このプログラムは、外部力もインストールすることができる。
[0078] 同図を参照して、まずオペレータが加熱ユニットの温度測定レシピを選択する (ステ ップ Sl)。このレシピを選択すると、たとえば制御部 6の操作画面上に温度測定レシ ピの概要及び温度測定開始スィッチが表示される。次 、でオペレータがこのスィッチ を押すと、制御部 6は、調整用コンピュータ 5を介してワイヤレスウェハ用キャリア Cw のコントローラ 45に温度測定開始信号を出力する (ステップ S2)。そしてコントローラ 45からワイヤレスウェハ Wwのコントローラ 42に温度測定開始指令が出力される。コ ントローラ 42は温度測定開始信号を受けて、温度センサ 41に所定周期たとえば 1秒 周期にて温度測定を開始させ、測定された温度検出値の時系列データを記憶部内 に格納する（ステップ S3)。
[0079] この例では、ワイヤレスウェハ Wwのコントローラ 42に温度測定開始指令を出力す る工程は、ワイヤレスウェハ用キャリア Cwの内部にて行われるので、予め決められた 搬送経路における予め決められた位置は、ワイヤレスウェハ用キャリア Cw内の位置 が該当する。
[0080] 一方基板処理装置 100では、温度測定開始信号に基づ!/、て、受け渡しアーム A1 によりワイヤレスウェハ Wwがワイヤレスウェハ用キャリア Cwから取り出され、予め決 められた搬送経路及び予め決められた時間に従って、温度データの測定対象となる 加熱ユニット (この例では PAB処理を行なう第 1の加熱ユニット）に搬送される (ステツ プ S4)。
[0081] そして第 1の加熱ユニットでは、既述のようにワイヤレスウェハ Wwが加熱プレート 3 4に載置され、昇降ピン 39bが下降した時点でセンサが検知して熱処理が開始される 。そして所定時間熱処理が行われた後、冷却プレート 33にウエノ、 Wwが受け渡され て冷却処理が開始され、所定時間経過後第 1の加熱ユニットからワイヤレスウェハ W wが搬出される。ここで冷却処理の開始のタイミングは冷却プレート 33にウェハ Wが 受け渡された時点をセンサが検知することにより決定される。
[0082] 次いで第 1の加熱ユニットから搬出されたウエノ、 Wwは、メイン搬送機構 A2, A3に より、次に温度測定を行なう第 2の加熱ユニットに搬送され、第 1の加熱ユニットと同様 にワイヤレスウェハ Wwにより温度測定が行われる（ステップ S5)。次!、でワイヤレスゥ エノ、 Wwは次に温度測定を行なう第 3の加熱ユニットに搬送され、同様に温度測定が 行われる（ステップ S6)。
[0083] こうして予め決められた搬送経路及び時間に従って、温度データの測定対象となる 全ての加熱ユニットにワイヤレスウェハ Wwを搬送して温度データの測定を行った後 、メイン搬送機構 A2, A3及び受け渡しアーム A1により、ワイヤレスウェハ Wwをワイ ャレスウェハ用キャリア Cwに戻す。こうしてたとえばワイヤレスウェハ Wwがワイヤレス ウェハ用キャリア Cw内に戻されたときに、制御部 6より測定終了の指令が調整用コン ピュータ 5及びコントローラ 45を介してワイヤレスウェハ Wwのコントローラ 42に出力さ れ、ワイヤレスウェハ Wwは温度データの測定を終了する（ステップ S7、ステップ S8) 。そしてワイヤレスウェハ Wwではたとえば電池の充電が行われる。
[0084] 次いで調整用コンピュータ 5は、コントローラ 45を介してワイヤレスウェハ Wwの記 憶部に収集された温度検出値の時系列データの読み出しを行 、、このデータを温度 データ格納部 501に格納する (ステップ S9)。一方制御部 6では、データ送受信部 6 06により温度測定レシピに記載された、予め決められた搬送経路及び時間よりなる 搬送履歴を調整用コンピュータ 5に出力する (ステップ S10)。そして調整用コンビュ ータ 5の温度データ取得部 502は、温度測定開始指令を出力したときのワイヤレスゥ ェハ Wwの位置からワイヤレスウェハ Wwが加熱プレート 34に載置されるまでの搬送 時間と、ワイヤレスウェハ Wwの記憶部を介して温度データ格納部 501に格納された 温度検出値の時系列データと、に基づいて、ワイヤレスウェハ Wwが加熱プレート 34 に載置された後の温度検出値の時系列データを取り出す (ステップ S 11)。
[0085] 図 11は、加熱プレートの温度検出値の時系列データを示す特性図である。
同図を参照して、加熱プレートの温度検出値の時系列データには、加熱プレート 3 4の温度データと共に、搬送時刻及びイベントを示す搬送履歴が含まれて!/、る。
[0086] そして加熱プレート 34の温度データに基づいて、サマリーデータ算出部 503は、サ マリーデータ、すなわち加熱プレートの面内温度の平均値及びレンジを算出する（ス テツプ S12)。そしてオフセット算出部 504は、加熱プレートの面内温度の平均値及 びレンジと目標温度範囲及び目標面内温度差との比較を行 ヽ (ステップ S 13)、加熱 プレートの面内温度の平均値及びレンジがスペック内であれば、加熱ユニットの温度 測定レシピを終了する。ここでスペック内とは、加熱プレートの面内温度の平均値及 びレンジが目標温度範囲内及び目標面内温度差以内であることを 、 、、 目標温度 範囲はたとえば目標温度 ±0. 1°C以内であり、また、 目標面内温度差は 0. 2°C以内 である。
[0087] 一方加熱プレートの面内温度の平均値及びレンジがスペック外であれば、オフセッ ト算出部 504は、オフセット値を算出し、算出されたオフセット値を制御部 6に出力す る (ステップ S14)。そして制御部 6では、制御パラメータ補正部 604が、オフセット値 に基づいて加熱ユニットにおけるヒータ H1〜H3の制御パラメータの補正を行い、加 熱ユニットのコントローラ 61に制御パラメータの補正値を出力する。そして、加熱ュ- ットは、補正された制御パラメータで以後の処理を行なう（ステップ S15)。
[0088] そして制御部 6は、補正された加熱ユニット (PAB)の温度測定を再び開始するよう にレシピを選択し、温度測定開始指令を出力して温度測定レシピを実施する。このよ うに制御部 6は、温度検出値に基づく加熱プレートの面内温度の平均値及びレンジ が目標温度範囲内及び目標面内温度差以内になるまで、ワイヤレスウェハ Wwによ る温度検出と、加熱プレート 34の温度データの取得と、サマリーデータの算出と、ォ フセット値の算出とを自動的に繰り返して行なう。ここでたとえば 2回目以降は、補正 された加熱ユニットにのみワイヤレスウェハ Wwを搬送するように温度測定レシピが組 まれる。
[0089] このように本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置では、温度検出部 41と 、記憶部と、コントローラ 42とを備えたワイヤレスウェハ Wwにより加熱プレート 34の 温度を測定しているので、受け渡しアーム A1及びメイン搬送機構 A2, A3により温度 データの測定対象となる加熱ユニットにワイヤレスウェハ Wwを自動的に搬送すること によって、温度データの測定対象となる加熱ユニットにおける加熱プレート 34の温度 特性の測定を行なうことができる。このため温度センサと、測定用ウェハの外側に設 けられた測定器とをシリアルケーブルにて接続するタイプの測定用ウェハを用いてカロ 熱プレート 34の温度特性を測定する場合に比べて、測定用ウェハの加熱プレート上 への載置が容易であるため測定用ウェハの取り扱いが容易であり、また加熱ユニット 内部の温度が安定するのを待つ時間が不要となるので、測定作業による稼働効率の 低下を抑えることができる。
[0090] この際、基板処理装置 100では、制御部 6により、予め決められた搬送経路に従つ てワイヤレスウェハ Wwが加熱ユニットに搬送されているので、時刻により基板処理装 置 100内のワイヤレスウェハ Wwの位置が正確に把握できる。従って所定の加熱ュ ニットの加熱プレート 34にワイヤレスウェハ Wwが載置されたタイミング及び加熱プレ ート 34から冷却プレートにワイヤレスウェハ Wwが受け渡されたタイミングを正確に認 識することができる。
[0091] 一方ワイヤレスウェハ Wwは予め決められた搬送経路における予め決められた位 置、この例ではキャリア搬入部 B1に載置されたワイヤレスウェハ用キャリア Cw内の位 置にて、ワイヤレスウェハ Wwのコントローラ 42に温度測定開始指令が出力されるの で、ワイヤレスウェハ Wwがワイヤレスウェハ用キャリア Cw内の位置から測定対象の 加熱ユニットの加熱プレート 34に載置されるまでの搬送時間を正確に把握することが できる。
[0092] このためワイヤレスウェハ Wwによる温度測定を終了した後で、把握したワイヤレス ウェハ Wwの搬送時間と、ワイヤレスウェハ Wwの記憶部に格納された温度検出値の 時系列データとから、加熱ユニットにおいて加熱プレート 34にワイヤレスウェハ Ww が載置されたタイミング及び冷却プレートにワイヤレスウェハ Wwが受け渡されたタイ ミング等でのワイヤレスウェハ Wwの測定温度が正確に把握でき、加熱プレート 34に 載置された後の温度検出値の時系列データを容易かつ高精度に取り出すことができ る。
[0093] この際、各加熱ユニットのプロセス内での動作、たとえば昇降ピンの下降による加熱 プレート 34へのワイヤレスウェハ Wwの載置時点及び冷却プレートへのワイヤレスゥ エノ、 Wwの載置時点における温度データの特定が可能になるため、温度検出値の 時系列データに基づいて各動作時期の温度データを正確に把握することが可能とな り、より正確な解析ができる。
[0094] さらに加熱プレート 34の正確な温度検出値の時系列データを取得することができる ので、プロセス開始力 指定された時間までの温度データ及びゾーン毎の温度デー タが高い精度で取得でき、加熱プレートの面内温度の平均値及びレンジを正確に把 握できる。このため精度の高いオフセット値の算出を行なうことができ、算出したオフ セット値に基づいて加熱プレート 34の制御パラメータの補正を行なうことにより、各カロ 熱プレート 34において、各ゾーンの昇温パターンが揃うように調整することができる。 これにより各ゾーンの昇温時の面内温度分布を揃えることができ、面内均一性の高 V、熱処理を行なうことができる。
[0095] さらに加熱プレート 34毎に正確な温度曲線が作成できるので、同じ工程を行なう加 熱ユニット間の温度データと、たとえば現像線幅及び膜厚等の膜質データとの比較 を簡単に行なうことができる。そして、比較結果に基づいて所定の膜質の薄膜を得る ことができるように、各加熱ユニットのコントローラ 61の制御パラメータ補正を行なうこ とによって、各加熱ユニットの熱処理の均一性を高めることができる。
[0096] また各加熱プレート 34の正確な温度検出値の時系列データを取得できるので、ヮ ィャレスウェハ Wwの温度測定が 1秒周期にて行われているとしても、その測定間隔 の間を通常の補間方法により補間することにより、たとえば正確な積算値 (面積)が算 出可能となるなど精度の高い 2次加工データを取得することができる。
[0097] なお、本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置では、上述の加熱ユニット ( PAB、 PEB)において、加熱プレート 34上にワイヤレスウェハを所定時間載置し、次 いで冷却プレートにワイヤレスウェハ Wwを定常温度たとえば 24°Cになるまで所定時 間載置して、 1回目の温度測定データとする。そして再び加熱プレート 34上にワイヤ レスウェハ Wwを所定時間載置し、次!、で冷却プレートにワイヤレスウェハ Wwを定 常温度になるまで所定時間載置して、 2回目の温度測定データとする。このような動 作を複数回繰り返すことにより、加熱プレート 34の温度データを複数回取得し、この 複数回のデータ力 それぞれサマリーデータ及びオフセット値を算出してこれらの平 均値を設定するようにしてもよい。この場合には、ワイヤレスウェハ Wwを測定対象の 加熱ユニットに 1回搬送するだけで、加熱プレートの温度を複数回測定することがで きる。
[0098] さらに本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置では、制御部 6が、加熱プレ ート 34の温度検出値の時系列データ、サマリーデータの算出及びオフセット値の算 出を行ってもよい。この場合には、調整用コンピュータ 5は、制御部 6による測定開始 及び測定終了の指令に基づくコントローラ 45への温度測定開始及び終了の指令の 出力ならびにワイヤレスウェハ Wwの記憶部力 読み出した温度検出値の時系列デ ータの制御部 6への送信等を行なう。また調整用コンピュータ 5が、オフセット値に基 づいて加熱ユニットのコントローラ 61の制御パラメータ補正を行ってもよい。
[0099] また本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置では、ウェハに対して行なわ れる熱処理には、ウェハを加熱する正の温度での熱処理と、ウェハを冷却する負の 温度での熱処理とが含まれる。これにより本発明の第 1の実施の形態に係る基板処 理装置は、ベータ処理及びポストべ一キング処理を行なう加熱ユニットが含む加熱プ レート 34の温度特性、ならびにウェハに対して所定温度で温度調節処理を施す温 調ユニットの温調プレートの温度特性を測定する場合にも適用できる。
[0100] また本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置では、ワイヤレスウェハ用キヤ リア Cwから基板を取り出すときに、キャリア Cwのコントローラ 45からワイヤレスウェハ Wwのコントローラ 42に温度測定開始指令を出力してもよい。また、ワイヤレスウェハ 用キャリア Cwに基板が戻され、ワイヤレスウェハ用キャリア Cwのコントローラ 45がヮ ィャレスウェハ Wwの存在を確認したときに、ワイヤレスウェハ Wwのコントローラ 42 に測定終了の指令を出力して、ワイヤレスウェハ Wwでは温度データの測定を終了 してちよい。
[0101] また本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置では、搬送経路においてワイ ャレスウェハ Wwのコントローラ 42に温度測定開始指令を出力する予め決められた 位置が、ワイヤレスウェハ Wwによる温度検出の始点となると共に、ワイヤレスウェハ Wwの加熱プレート 34への搬送時間の始点となる。しかしながら、このような構成に 限定されるものではなぐ温度測定開始指令を出力する予め決められた位置は、カロ 熱プレート 34にワイヤレスウェハ Wwが搬送される前に、コントローラ 42に温度測定 開始指令を出力できる位置であれば、キャリア搬入部 B1に載置されたワイヤレスゥェ ハ用キャリア Cw内の位置でなくてもよぐたとえばキャリア搬入部 B1または処理部 B2 内に設けられたバッファカセット内の位置であってもよい。
[0102] また本発明の第 1の実施の形態に係る基板処理装置では、ワイヤレスウエノヽ Wwが 、温度データの測定対象となる全ての加熱ユニットの温度データの測定を行った後、 ワイヤレスウェハ用キャリア Cw内に戻されたときに、制御部 6より測定終了の指令が 調整用コンピュータ 5及びコントローラ 45を介してワイヤレスウェハ Wwのコントローラ 42に出力される。し力しながら、このような構成に限定されるものではなぐワイヤレス ウェハ Wwが、温度データの測定対象となる全ての加熱ユニットにつ 、て温度データ の測定を行った後、ワイヤレスウェハ用キャリア Cw内に戻る前の搬送経路の途中で 、制御部 6より直接ワイヤレスウェハ Wwのコントローラ 42に測定終了の指令を出力し 、ワイヤレスウェハ Wwによる温度データの測定を終了するようにしてもょ 、。
[0103] この場合であっても、ワイヤレスウェハ Wwは予め決められた搬送経路に沿って加 熱ユニットに搬送され、予め決められた搬送経路における予め決められた位置にてヮ ィャレスウェハ Wwのコントローラ 42に温度測定開始指令が出力されているので、温 度測定開始指令を出力したときのワイヤレスウェハ Wwの位置力 ワイヤレスウェハ Wwが加熱プレート 34に載置されるまでの搬送時間と、ワイヤレスウェハ Wwの記憶 部に保存された温度検出値の時系列データとに基づいて、ワイヤレスウェハ Wwが 加熱プレート 34に載置された後の温度検出値の時系列データを取り出すことができ る。
[0104] 次に、本発明の他の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、図中同一 または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
[0105] <第 2の実施の形態 >
本実施の形態は、各加熱プレートにおける各ゾーンの昇温パターンが揃うように調 整する動作を変更した基板処理装置に関する。以下で説明する内容以外の構成及 び動作は第 1の実施の形態に係る基板処理装置と同様である。
[0106] たとえば図 5に示すように加熱プレート 34に複数のヒータたとえば 3つのヒータ HI 〜H3が同心円状に配置されている場合には、各ヒータ H1〜H3の加熱の受け持ち 領域である分割領域 (ゾーン)の中で、どのゾーンとどの温度センサとが対応して!/、る のかということを予め把握しておくことで加熱プレート 34の面内温度を調整できる。具 体的にはヒータ H1〜H3によりそれぞれ加熱制御されるゾーンをゾーン 1〜3とすると 、各ゾーン 1〜3毎の温度検出値の平均値が把握でき、従って各ゾーン 1〜3におけ る温度検出値の平均値同士の差 (レンジ)も分力るため、平均値及びレンジに基づい て各ヒータ HI〜H3の電力供給量を調整することができる。
[0107] 図 12Aは、本発明の第 2の実施の形態において、加熱プレートの一例を示す概略 斜視図である。図 12Bは、本発明の第 2の実施の形態において、ワイヤレスウェハ W wの一例を示す概略斜視図である。
[0108] 同図 A及び同図 Bを参照して、加熱プレート 34の内部に設けられるヒータ Hが周方 向にも分割されて設けられている場合、温度センサ 41の各々と、各ヒータ Hによりカロ 熱制御されて 、るゾーンとの対応をとるためにはワイヤレスウェハ Wwが加熱プレート 34に載置されているときの向きを考慮する必要がある。
[0109] このような場合において、どのようにして各ゾーンの温度データを把握するかを容易 に理解するために、さらに簡略ィ匕した場合について以下説明する。
[0110] 図 13Aは、本発明の第 2の実施の形態において、加熱プレートの一例を示す概略 斜視図である。図 13Bは、本発明の第 2の実施の形態において、ワイヤレスウェハ W wの一例を示す概略斜視図である。
[0111] 同図 A及び同図 Bを参照して、加熱プレート 34において周方向に 2分割されたヒー タ H10、 HI 1に対応して、ワイヤレスウェハ Ww側に 2個の温度センサ 70、 71が設け られている。
[0112] 同図 Bに示すようにワイヤレスウェハ Wwの周縁の一部には、面方位を示すための V字型の切り欠けであるノッチ 80が形成されている。第 1の温度センサ 70と第 2の温 度センサ 71とは温度コントローラ 42を挟んで対角線状に設けられている。
[0113] 図 14は、本発明の第 2の実施の形態に係る基板処理装置 100の平面図である。
本発明の第 2の実施の形態に係る基板処理装置 100は、本発明の第 1の実施の形 態に係る基板処理装置 100に対して、調整用コンピュータ 5及び制御部 6の代わりに 制御部 9を備える。
[0114] 図 15は、制御部 9の構成を示す図である。制御部 9は、実際には CPU、プログラム 及びメモリなどにより構成される力 ここでは構成要素の一部をブロック化して説明す る。
[0115] 同図を参照して、制御部 9は、ノ ス 90と、ノ ス 90に接続される、レシピ格納部 601と 、レシピ選択部 602と、レシピ作成部 603と、データ通信部 701と、温度センサデータ 格納部 702と、ヒータデータ格納部 703と、プログラム格納部 710とを備える。なおレ シピ格納部 601、レシピ選択部 602及びレシピ作成部 603は第 1の実施の形態にか 力る基板処理装置と同様の構成にあるためここでは説明を繰り返さない。
[0116] データ通信部 701は、ワイヤレスウェハ Wwとの間で種々のデータの通信を行なう。
データ通信部 701は、たとえば出力ポート 81を介してコントローラ 82, 83への温度 検出開始指令ならびに第 1の温度センサ 70及び第 2の温度センサ 71によって検出 された温度データの受信などを行なう。
[0117] 温度センサデータ格納部 702は、各加熱ユニットにおける第 1の温度センサ 70及 び第 2の温度センサ 71によって検出された温度データを格納する。 [0118] ヒータデータ格納部 703は、温度センサデータ格納部 702に格納されている温度 データに基づ 、てたとえば後述する温度データ作成プログラムを実行して、加熱ュ ニット毎にヒータに対応付けて、すなわちヒータが受け持つ分割領域 (加熱制御領域 )に対応付けて温度データを格納する。
[0119] プログラム格納部 710は、温度データ作成プログラム 704及びヒータ温度補正プロ グラム 705を格納する。ヒータ温度補正プログラム 705は、ヒータデータ格納部 703に 格納されている加熱プレート 34の分割領域毎の温度データと予め設定した温度測 定データとに基づいて各ヒータに係る温度コントローラ 82, 83に対して制御パラメ一 タの補正値を出力する機能を有する。
[0120] ここで温度データ作成プログラム 704及びヒータ温度補正プログラム 705は、記憶 媒体たとえばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルデイス ク（MO)及びメモリカードなどに格納されている。そして、温度データ作成プログラム 704及びヒータ温度補正プログラム 705は、制御部 9であるコンピュータにインスト一 ルされ、プログラム格納部 710に格納される。
[0121] 再び図 15を参照して、各加熱ユニットにおける分割領域の温度補正の様子を説明 する。図 10において説明したようにオペレータが搬送開始スィッチを押すと、受け渡 しアーム A1によりワイヤレスウェハ Wwがワイヤレスウェハ用キャリア Cwから取り出さ れ、棚ユニット U1に格納されている第 1の加熱ユニットに搬送される（図 10のステップ S4)。
[0122] 図 16は、加熱ユニットに搬入されるワイヤレスウェハ Wwの搬入角度を説明するた めの図である。同図を参照して、ワイヤレスウェハ Wwにおいて加熱ユニットに搬入す る方向にノッチ 80が向いている状態を搬入角度 0度と定義すると、この例では第 1の 加熱ユニットに搬入されるワイヤレスウェハ Wwの搬入角度を 90度である。なお、この 第 1の加熱ユニットは、受け渡しアーム A1またはメイン搬送機構 A2に対してワイヤレ スウェハ Wwがアクセスされる位置と加熱プレート 34上との間をクーリングプレートが スライドするように構成されており、このためノッチ 80が同図に示すような向きとなる。 そして第 1の加熱ユニットでは、既述のようにワイヤレスウェハ Wwが加熱プレート 34 に載置され、熱処理が行われる。 [0123] 次いで第 1の加熱ユニットから搬出されたワイヤレスウエノ、 Wwは、メイン搬送機構 A2により、棚ユニット U2に格納されている第 2の加熱ユニットに搬送され、同様の処 理が行われる（図 10のステップ S5)。さらにワイヤレスウェハ Wwは、メイン搬送機構 A3により棚ユニット U3に格納されている第 3の加熱ユニットに搬送され、同様の処理 が行われる（図 10のステップ S6)。この例では第 2の加熱ユニット及び第 3の加熱ュ ニットに搬入されるワイヤレスウェハ Wwの搬入角度はそれぞれ 270度及び 90度で あると仮定する。
[0124] 図 17は、各温度センサによる加熱プレートの温度検出値の時系列データを示す特 '性図である。
[0125] 既述のようにして予め決められた搬送経路及び時間に従って、全ての加熱ユニット
(便宜上第 1の加熱ユニット、第 2の加熱ユニット及び第 3の加熱ユニットとする。 )にヮ ィャレスウェハ Wwを搬送することで、同図に示すように各加熱ユニットにおいて第 1 の温度センサ 70が受け持った加熱領域の温度データと、第 2の温度センサ 71が受 け持った加熱領域の温度データとが取得される。
[0126] 図 18は、各加熱ユニットに搬入されるワイヤレスウェハ Wwの搬入角度と各温度セ ンサのヒータ位置とが書き込まれたテーブルを示す図である。
[0127] 温度データ作成プログラム 704により、同図に示すように各加熱ヒータの加熱プレ ート 34へのワイヤレスウェハ Wwの搬入角度を考慮して、各加熱プレート 34のどのヒ ータ加熱制御領域がどの温度センサの温度データに対応するのかがテーブルを用 いて判定される。即ちワイヤレスウェハ Wwの搬入角度と第 1の温度センサ 70及び第 2の温度センサ 71の温度データとに基づいて、各加熱プレート 34の分割領域の温 度が得られる。
[0128] 図 19は、各ヒータの温度検出値の時系列データを示す特性図である。
同図を参照して、第 1の温度センサ 70及び第 2の温度センサ 71ならびに各加熱ュ ニットについて、各ヒータが受け持つ加熱制御領域 (分割領域)毎の温度データが得 られる。温度データ作成プログラム 704は、同図に示す温度データとたとえば予め設 定された温度データ（このデータはたとえば図示しないメモリに格納されている。 )とに 基づいて、制御パラメータ補正部 604と同様に各ヒータに対する電力供給制御デー タである PID制御及び MV制御の入力パターンを所定のアルゴリズムで調整する機 能を有する。具体的には温度データ作成プログラム 704を実行することによって PID 制御における温度目標値及び時定数の調整、及び MV制御における供給電力のレ ベル及び供給時間などを調整し、調整内容に基づく補正値が制御部 9から各ヒータ に係る温度コントローラに出力される（図 10のステップ S15)。
[0129] そして制御部 9は、補正された加熱ユニットの温度測定を再び開始するようにレシピ を選択し、温度測定開始指令を出力して温度測定レシピを実施する。このように制御 部 9は、温度検出値に基づく加熱プレートの面内温度の平均値及びレンジが目標温 度範囲内及び目標面内温度差以内になるまで、ワイヤレスウェハ Wwによる温度検 出と、加熱プレート 34の温度データの取得と、サマリーデータの算出と、オフセット値 の算出とを自動的に繰り返して行なう。
[0130] 以上のように本発明の第 2の実施の形態に係る基板処理装置では、ワイヤレスゥェ ハ Wwを予め決められた搬送経路に沿って各加熱ユニットに搬送するにあたって、加 熱ユニットに搬入するワイヤレスウェハ Wwの搬入角度に基づいて、ワイヤレスウェハ Wwの表面に形成されている第 1の温度センサ 70及び第 2の温度センサ 71の各々 が受け持つ加熱領域を判定する。すなわち、各加熱ユニットにおいてワイヤレスゥェ ハ Wwの表面に形成されている各温度センサと加熱プレート 34の内部に設けられて いる各ヒータとの対応が分かる。したがって、各加熱ユニットの各温度センサによって 測定した温度データに基づいて各ヒータの温度制御パラメータを調整することができ る。

Claims

請求の範囲
[1] 複数の基板 (W, Ww)を収納したキャリア（C, Cw)を搬入するキャリア搬入部（B1) と、加熱プレート（34)に前記基板 (W, Ww)を載置して熱処理を行なう加熱ユニット を含む処理ユニット (U1〜U3)と、キャリア搬入部（B1)力 前記基板 (W, Ww)を受 け取って前記処理ユニット (U1〜U3)に搬送する搬送部 (A1〜A3)とを備えた基板 処理装置について、前記加熱プレート（34)の温度を測定する方法であって、 温度検出部 (41)、記憶部 (42)及び基板コントローラ (42)を含む温度検出用の前 記基板 (Ww)を前記搬送部 (A1〜A3)により予め決められた搬送経路に沿って前 記加熱ユニットに搬送する工程と、
前記搬送経路における予め決められた位置にて前記温度検出用基板 (Ww)の基 板コントローラ (42)に温度測定開始指令を出力する開始指令出力工程と、
前記温度測定開始指令を受けて前記温度検出用基板 (Ww)が温度検出値の時 系列データを前記記憶部 (42)内に記憶する工程と、
前記温度測定開始指令を出力したときの前記温度検出用基板 (Ww)の位置から 前記温度検出用基板 (Ww)が前記加熱プレート（34)に載置されるまでの搬送時間 と、前記記憶部 (42)内の温度検出値の時系列データと、に基づいて、前記温度検 出用基板 (Ww)が前記加熱プレート（34)に載置された後の前記温度検出値の時系 列データを取り出す時系列データ取り出し工程と、を含む加熱プレートの温度測定 方法。
[2] 前記時系列データ取り出し工程においては、調整用コンピュータ（5)が、前記温度 検出用基板 (Ww)が前記加熱プレート（34)に載置された後の前記温度検出値の時 系列データを取り出す請求項 1記載の加熱プレートの温度測定方法。
[3] 前記加熱プレートの温度測定方法は、さらに、前記温度検出用基板 (Ww)が前記 加熱プレート (34)に載置された後の前記温度検出値の時系列データに基づいて、 前記加熱プレート (34)に含まれる加熱部 (H1〜H3)の制御パラメータを補正するェ 程を含む請求項 2記載の加熱プレートの温度測定方法。
[4] 前記加熱プレート (34)は、複数の加熱領域に分割されると共に各分割領域を複数 の加熱部 (H1〜H3)により独立して加熱するように構成され、 前記温度検出用基板 (Ww)に含まれる温度検出部 (41)は、前記分割領域にそれ ぞれ対応した位置に設けられている請求項 2記載の加熱プレートの温度測定方法。
[5] 前記加熱プレート（34)は、周方向に複数の加熱領域に分割されると共に各分割領 域を複数の加熱部 (H1〜H3)により独立して加熱するように構成され、
前記温度検出用基板 (Ww)に含まれる温度検出部 (41)は、前記各分割領域の温 度検出を行なうために複数設けられ、
前記加熱プレートの温度測定方法は、さらに、前記温度検出用基板 (Ww)が前記 加熱プレート (34)に載置されるときの前記温度検出用基板 (Ww)の向きと前記各温 度検出部 (41)の温度検出値の時系列データとを元に得られた前記各分割領域の 温度検出値の時系列データに基づいて、前記各加熱部 (H1〜H3)の制御パラメ一 タを補正する工程を含む請求項 2記載の加熱プレートの温度測定方法。
[6] 前記開始指令出力工程においては、前記温度検出用基板 (Ww)を収納すると共 にキャリア搬入部 (B1)に置かれたキャリア（Cw)に設けられたキャリアコントローラ (4 5)が前記温度測定開始指令を出力し、前記温度測定開始指令は、前記キャリア (C w)から前記温度検出用基板 (Ww)を前記搬送部 (A1〜A3)により取り出すときに出 力される請求項 2記載の加熱プレートの温度測定方法。
[7] 前記加熱プレートの温度測定方法は、さらに、前記温度検出用基板 (Ww)が前記 加熱プレート (34)に載置された後の前記温度検出値の時系列データに基づいて、 前記加熱プレート (34)に含まれる加熱部 (H1〜H3)の制御パラメータを補正するェ 程を含む請求項 1記載の加熱プレートの温度測定方法。
[8] 前記加熱プレート (34)は、複数の加熱領域に分割されると共に各分割領域を複数 の加熱部 (H1〜H3)により独立して加熱するように構成され、
前記温度検出用基板 (Ww)に含まれる温度検出部 (41)は、前記分割領域にそれ ぞれ対応した位置に設けられている請求項 1記載の加熱プレートの温度測定方法。
[9] 前記加熱プレート（34)は、周方向に複数の加熱領域に分割されると共に各分割領 域を複数の加熱部 (H1〜H3)により独立して加熱するように構成され、
前記温度検出用基板 (Ww)に含まれる温度検出部 (41)は、前記各分割領域の温 度検出を行なうために複数設けられ、 前記加熱プレートの温度測定方法は、さらに、前記温度検出用基板 (Ww)が前記 加熱プレート (34)に載置されるときの前記温度検出用基板 (Ww)の向きと前記各温 度検出部 (41)の温度検出値の時系列データとを元に得られた前記各分割領域の 温度検出値の時系列データに基づいて、前記各加熱部 (H1〜H3)の制御パラメ一 タを補正する工程を含む請求項 1記載の加熱プレートの温度測定方法。
[10] 前記開始指令出力工程においては、前記温度検出用基板 (Ww)を収納すると共 にキャリア搬入部 (B1)に置かれたキャリア（Cw)に設けられたキャリアコントローラ (4 5)が前記温度測定開始指令を出力し、前記温度測定開始指令は、前記キャリア (C w)から前記温度検出用基板 (Ww)を前記搬送部 (A1〜A3)により取り出すときに出 力される請求項 1記載の加熱プレートの温度測定方法。
[11] 複数の基板 (W, Ww)を収納したキャリア（C, Cw)を搬入するキャリア搬入部（B1) と、
加熱プレート（34)に前記基板 (W, Ww)を載置して熱処理を行なう加熱ユニットを 含む処理ユニット（U1〜U3)と、
キャリア搬入部（B1)から前記基板 (W, Ww)を受け取って前記処理ユニット (Ul〜 U3)に搬送する搬送部 (A1〜A3)と、
温度検出部 (41)、記憶部 (42)及び基板コントローラ (42)を含む温度検出用の前 記基板 (Ww)を予め決められた搬送経路に沿って前記加熱ユニットに搬送するよう に前記搬送部 (A1〜A3)を制御する制御部（6, 9)と、
前記搬送経路における予め決められた位置にて前記温度検出用基板 (Ww)の基 板コントローラ (42)に温度測定開始指令を出力するキャリアコントローラ (45)と、 前記温度測定開始指令を出力したときの前記温度検出用基板 (Ww)の位置から 前記温度検出用基板 (Ww)が前記加熱プレート（34)に載置されるまでの搬送時間 と、前記温度測定開始指令を受けて前記温度検出用基板 (Ww)に含まれる記憶部（ 42)内に記憶された温度検出値の時系列データと、に基づいて、前記温度検出用基 板 (Ww)が前記加熱プレート（34)に載置された後の前記温度検出値の時系列デー タを取り出す調整用コンピュータ (5)と、を備えた基板処理装置。
[12] 前記制御部（6)は、さらに、前記温度検出用基板 (Ww)が前記加熱プレート (34) に載置された後の前記温度検出値の時系列データに基づいて前記加熱プレート（3 4)に含まれる加熱部 (H1〜H3)の制御パラメータを補正する請求項 11記載の基板 処理装置。
[13] 前記加熱プレート (34)は、複数の加熱領域に分割されると共に、各分割領域を複 数の加熱部 (H1〜H3)により独立して加熱するように構成され、
前記温度検出用基板 (Ww)に含まれる温度検出部 (41)は、前記分割領域にそれ ぞれ対応した位置に設けられている請求項 12記載の基板処理装置。
[14] 前記加熱プレート（34)は、周方向に複数の加熱領域に分割されると共に各分割領 域を複数の加熱部 (H1〜H3)により独立して加熱するように構成され、
前記温度検出用基板 (Ww)に含まれる温度検出部 (41)は、前記各分割領域の温 度検出を行なうために複数設けられ、
前記制御部（9)は、さらに、前記温度検出用基板 (Ww)が前記加熱プレート（34) に載置されるときの前記温度検出用基板 (Ww)の向きと前記各温度検出部 (41)の 温度検出値の時系列データとを元に得られた前記各分割領域の温度検出値の時系 列データに基づいて、前記各加熱部 (H1〜H3)の制御パラメータを補正する請求 項 12記載の基板処理装置。
[15] 前記キャリアコントローラ (45)は、前記温度検出用基板 (Ww)を収納すると共にキ ャリア搬入部（B1)に置かれたキャリア（Cw)に設けられ、前記キャリア（Cw)から前記 温度検出用基板 (Ww)を前記搬送部 (A1〜A3)により取り出すときに前記温度測定 開始指令を出力する請求項 12記載の基板処理装置。
[16] 前記加熱プレート (34)は、複数の加熱領域に分割されると共に、各分割領域を複 数の加熱部 (H1〜H3)により独立して加熱するように構成され、
前記温度検出用基板 (Ww)に含まれる温度検出部 (41)は、前記分割領域にそれ ぞれ対応した位置に設けられて!/ヽる請求項 11記載の基板処理装置。
[17] 前記加熱プレート（34)は、周方向に複数の加熱領域に分割されると共に各分割領 域を複数の加熱部 (H1〜H3)により独立して加熱するように構成され、
前記温度検出用基板 (Ww)に含まれる温度検出部 (41)は、前記各分割領域の温 度検出を行なうために複数設けられ、 前記制御部（9)は、さらに、前記温度検出用基板 (Ww)が前記加熱プレート（34) に載置されるときの前記温度検出用基板 (Ww)の向きと前記各温度検出部 (41)の 温度検出値の時系列データとを元に得られた前記各分割領域の温度検出値の時系 列データに基づいて、前記各加熱部 (H1〜H3)の制御パラメータを補正する請求 項 11記載の基板処理装置。
[18] 前記キャリアコントローラ (45)は、前記温度検出用基板 (Ww)を収納すると共にキ ャリア搬入部（B1)に置かれたキャリア（Cw)に設けられ、前記キャリア（Cw)から前記 温度検出用基板 (Ww)を前記搬送部 (A1〜A3)により取り出すときに前記温度測定 開始指令を出力する請求項 11記載の基板処理装置。
[19] 複数の基板 (W, Ww)を収納したキャリア（C, Cw)を搬入するキャリア搬入部（B1) と、加熱プレート（34)に前記基板 (W, Ww)を載置して熱処理を行なう加熱ユニット を含む処理ユニット (U1〜U3)と、キャリア搬入部（B1)力 前記基板 (W, Ww)を受 け取って前記処理ユニット (U1〜U3)に搬送する搬送部 (A1〜A3)と、を備えた基 板処理装置について、前記加熱プレート（34)の温度を測定するために用いられるプ ログラムであって、コンピュータ（5, 6, 9)に、
温度検出部 (41)、記憶部 (42)及び基板コントローラ (42)を含む温度検出用の前 記基板 (Ww)を前記搬送部 (A1〜A3)により予め決められた搬送経路に沿って前 記加熱ユニットに搬送するステップと、
前記搬送経路における予め決められた位置にて前記温度検出用基板 (Ww)の基 板コントローラ (42)に温度測定開始指令を出力する開始指令出力ステップと、 前記温度測定開始指令を受けて前記温度検出用基板 (Ww)が温度検出値の時 系列データを前記記憶部 (42)内に記憶するステップと、
前記温度測定開始指令を出力したときの前記温度検出用基板 (Ww)の位置から 前記温度検出用基板 (Ww)が前記加熱プレート（34)に載置されるまでの搬送時間 と、前記記憶部 (42)内の温度検出値の時系列データと、に基づいて、前記温度検 出用基板 (Ww)が前記加熱プレート（34)に載置された後の前記温度検出値の時系 列データを取り出す時系列データ取り出しステップとを実行させる加熱プレートの温 度測定用のコンピュータプログラム。 前記時系列データ取り出しステップにおいては、調整用コンピュータ（5)力 前記 温度検出用基板 (Ww)が前記加熱プレート（34)に載置された後の前記温度検出値 の時系列データを取り出す請求項 19記載の加熱プレートの温度測定用のコンビュ ータプログラム。
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