JP2000091183A - レジスト処理装置及び測定方法 - Google Patents

レジスト処理装置及び測定方法

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JP2000091183A JP11255628A JP25562899A JP2000091183A JP 2000091183 A JP2000091183 A JP 2000091183A JP 11255628 A JP11255628 A JP 11255628A JP 25562899 A JP25562899 A JP 25562899A JP 2000091183 A JP2000091183 A JP 2000091183A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 加熱処理部で加熱される基板の温度を，熱セ
ンサを有するダミー基板によって正確に測定する。 【解決手段】 加熱処理部４３を有するチリングホット
プレート４１の蓋４８に，測定用のピン５０を設ける。
このピン５０は，処理基板としてのウエハＷを加熱する
際にはウエハＷに接触しない。熱電対を有するダミー基
板を加熱した際には，ダミー基板に設けられた出力端子
にピン５０が接触する。測定結果は，処理部５１で処理
された後，表示部５２で表示される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板上にレジスト
を塗布して露光装置に受け渡し，露光装置から受け取っ
た基板を現像処理するレジスト処理装置及びその装置の
測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造におけるフ
ォトレジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以
下，「ウエハ」と称する。）などの基板の表面にレジス
ト液を塗布してレジスト膜を形成し，次いで該レジスト
膜上に所定のパターンを露光した後，当該基板に現像液
を塗布して現像処理することが行われる。このような一
連の処理を行うにあたっては，従来からレジスト処理装
置及び露光装置が使用されている。
【０００３】従来のこの種のレジスト処理装置は，塗布
現像処理に必要な一連の処理を個別に行う処理ユニット
備えている。例えば，疎水化処理ユニット，塗布処理ユ
ニット，加熱処理ユニット，現像処理ユニット等を備え
ている。疎水化処理ユニットは，レジストの定着性を向
上させるための疎水化処理（アドヒージョン処理）を行
う。塗布処理ユニットは，レジスト液の塗布を行う。加
熱処理ユニットは，レジスト液塗布後の基板を加熱して
レジスト膜を硬化させる。また別の加熱処理ユニット
は，露光後の基板を所定の温度で加熱する。現像処理ユ
ニットは，露光後の基板を現像する現像処理を行う。各
処理ユニット間のウエハの搬送，並びに各処理ユニット
に対するウエハの搬入出には，たとえばウエハを保持し
た状態で搬送可能に構成されている搬送装置が用いられ
ている。
【０００４】上記の加熱処理ユニットにおける温度管理
は非常に重要である。温度管理が悪いと，レジストの膜
厚不良や現像不良を引き起こすからである。そのため従
来は，熱電対が埋め込まれたダミーウエハを使って，加
熱処理ユニット内の温度ではなく加熱処理ユニット内の
ウエハの実際の温度を測定している。
【０００５】より具体的に説明すると，測定が必要なと
きにレジスト処理装置の動作を停止し，加熱処理ユニッ
トの蓋を開ける。そして前記熱電対を有するウエハ（以
下，熱電対ウエハ）を加熱処理ユニットのウエハ加熱位
置に作業員が注意深く置いた後，通常の加熱処理と同様
に熱電対ウエハを加熱処理する。その後，別設の温度測
定器によって，熱電対ウエハに埋め込まれた熱電対を介
して温度を測定し，測定結果を処理するようにしてい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来は
上述した一連の作業を人手を介してマニュアルで行って
いたため，加熱処理されたウエハの温度を正確に測定す
るのは困難であった。また熱電対ウエハと温度測定器と
を結ぶ複数のケーブルと加熱処理ユニットのカバーとの
緩衝や，熱電対ウエハを加熱処理ユニットの加熱位置に
マニュアルで載置する際の人為的ミスなどもその原因と
して挙げられる。しかも，上述したようなマニュアルに
よる測定では，実際のラインを相当の間停止することに
なるため，装置の稼動ロスタイムに影響を及ぼしてい
る。さらにまた，ピンセットから熱電対ウエハを落下さ
せて破損させてしまう等の人為的なミスも誘発するとい
う問題もあった。
【０００７】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり，本発明の目的は，加熱処理された基板の温
度を正確に測定することができるレジスト処理装置及び
その測定方法を提供することにある。また本発明の別の
目的は，可能な限り装置の稼動ロスタイムに影響を与え
ることなく，加熱処理された基板の温度を測定すること
ができるレジスト処理装置及びその測定方法を提供する
ことにある。また本発明のさらに別の目的は，熱処理さ
れた基板の温度を人為的なミスなく測定できるレジスト
処理装置及びその測定方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め，請求項１によれば，基板上にレジストを塗布して露
光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基
板を現像処理するレジスト処理装置であって，少なくと
も前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱
処理部と，少なくとも前記露光装置と加熱処理部との間
で基板を受け渡す搬送機構と，熱センサを有するダミー
基板が待機する待機部と，前記加熱処理部に配置され，
前記搬送機構によって前記基板待機部から前記加熱処理
部へ受け渡されて当該加熱処理部で加熱処理された前記
ダミー基板の前記熱センサでセンシングされた温度を計
測する計測手段とを具備したことを特徴とする，レジス
ト処理装置が提供される。
【０００９】このように請求項１の発明では，搬送機構
によって前記基板待機部から前記加熱処理部へ受け渡さ
れて当該加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の
前記熱センサでセンシングされた温度を，計測手段によ
って計測するようにしたので，加熱処理された基板の温
度を正確に測定することができる。また可能な限り装置
の稼働ロスタイムに影響を与えることなく，加熱処理さ
れた基板の温度を人為的なミスがなく測定できる。
【００１０】この場合，請求項２のように，前記待機部
は，前記露光装置と前記加熱処理部との搬送路上の温度
雰囲気内に配置されていることが好ましい。
【００１１】さらにまた請求項３のように，前記露光装
置との間で基板を受け渡すためのインターフェイス部を
有し，前記待機部は，このインターフェイス部に配置さ
れていてもよい。
【００１２】前記ダミー基板としては，請求項４のよう
に，当該ダミー基板の表面に露出し，前記熱センサでセ
ンシングされた結果を出力するための端子を有し，前記
測定手段が，前記加熱処理部内で前記ダミー基板の前記
端子に接触し，前記端子から出力されるセンシングされ
た結果を入力するためのピンを有する構成が提案でき
る。こりによってケーブルレスの測定系を実現できる。
【００１３】さらにこの場合，請求項５のように，前記
ダミー基板の前記端子は，当該ダミー基板の表面より突
き出ていて，前記加熱処理部が，前記基板の上部より前
記基板を覆うように上下動可能に配置された蓋を有し，
前記ピンが，前記蓋が基板を覆ったときに前記ダミー基
板の前記端子に接触する位置に配置されていることが好
ましい。
【００１４】請求項６によれば，基板上にレジストを塗
布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取っ
た前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，
前記基板を加熱処理する加熱処理部と，熱センサ及び前
記熱センサによるセンシング結果を記憶する記憶素子を
有するダミー基板が待機する待機部と，前記加熱処理部
で加熱処理された前記ダミー基板の記憶素子に記憶され
たセンシング結果を読み出す手段とを具備したことを特
徴とする，レジスト処理装置が提供される。
【００１５】この場合，請求項７のように，前記記憶素
子が，前記ダミー基板上に直接形成されていてもよい。
【００１６】請求項８によれば，基板上にレジストを塗
布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取っ
た前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，
前記基板を加熱処理する加熱処理部と，熱センサ及び前
記熱センサによるセンシング結果を無線で送信する送信
機を有するダミー基板が待機する待機部と，前記加熱処
理部で加熱処理された前記ダミー基板の前記送信機から
送信されたセンシング結果を受信する手段とを具備した
ことを特徴とする，レジスト処理装置が提供される。
【００１７】この場合，請求項９のように，前記送信機
は，赤外線を使った無線で送信するように構成すれば好
ましい。
【００１８】また以上の各レジスト処理装置において使
用するダミー基板は，請求項１０に記載したように，前
記基板と同じ部材で構成されていることが好ましい。
【００１９】請求項１１によれば，基板上にレジストを
塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取
った前記基板を現像処理するレジスト処理装置におけ
る，温度を測定方法であって，熱センサを有するダミー
基板をあらかじめ待機させる工程と，前記露光装置から
受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイ
ミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，前記加熱処
理部において前記搬入されたダミー基板を加熱処理する
工程と，前記加熱処理されたダミー基板の熱センサでセ
ンシングされた温度を計測する工程とを具備したことを
特徴とする，測定方法が提供される。前記ダミー基板を
搬入する際には，搬送機構を用いることが好ましい。
【００２０】請求項１２によれば，基板上にレジストを
塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取
った前記基板を現像処理するレジスト処理装置におけ
る，温度の測定方法であって，熱センサ及び前記熱セン
サによるセンシング結果を記憶する記憶素子を有するダ
ミー基板をあらかじめ待機させる工程と，前記露光装置
から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定の
タイミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，前記加
熱処理部で前記搬入されたダミー基板を加熱処理する工
程と，前記加熱処理されたダミー基板の記憶素子に記憶
されたセンシング結果を読み出す工程とを具備すること
を特徴とする，測定方法が提供される。
【００２１】この場合，請求項１３のように，前記読み
出し工程前に，前記加熱処理されたダミー基板を加熱処
理部から，前記加熱処理されたダミー基板の記憶素子に
記憶されたセンシング結果を読み出す読み出し部に，搬
送する工程を更に具備するようにしてもよい。
【００２２】請求項１４によれば，基板上にレジストを
塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取
った前記基板を現像処理するレジスト処理装置における
測定方法であって，熱センサ及び前記熱センサによるセ
ンシング結果を無線で送信する送信機を有するダミー基
板をあらかじめ待機させ，前記露光装置から受け取った
基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイミングで前
記ダミー基板を搬入する工程と，前記加熱処理部で前記
搬入されたダミー基板を加熱処理する工程と，前記加熱
処理された前記ダミー基板の前記送信機から送信された
センシング結果を受信する工程とを具備したことを特徴
とする，測定方法が提供される。
【００２３】この場合，請求項１５のように，前記受信
する工程前に，前記加熱処理されたダミー基板を加熱処
理部から前記加熱処理されたダミー基板の送信機から送
信されたセンシング結果を受信する受信部に搬送する工
程を更に具備するようにしててもよい。
【００２４】前記各測定方法における所定のタイミング
は，請求項１６のように，メンテナンス時や，請求項１
７のような基板のロット単位での処理の開始前や，請求
項１８のようなレジスト処理装置の稼働立ち上げ時を提
案することができる。さらにその他，請求項１９のよう
に，前記基板の異常を検出する工程を更に具備し，その
際に前記基板の異常が検出されたときであってもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明するが，用語は単に説明の便宜のため以
下に記述されたものが用いられるのであって，これらに
限定されない。上，下，右および左なる語は参照された
図面での方向を示すものである。ＩＮ，ＯＵＴなる語は
装置やそれらの示された部分の中心へ向かう，あるいは
離れることを表している。そのような用語は派生語及び
同趣旨の語も含む。
【００２６】図１〜図３に示すように，本実施の形態か
かるレジスト処理装置１は，カセットステーション１
０，処理ステーション１１及びインターフェイス部１２
を一体に接続した構成を有している。カセットステーシ
ョン１０では，ウエハＷが（カセットＣ単位で複数枚，
たとえば２５枚単位で）外部からレジスト処理装置１に
搬入され，またレジスト処理装置１から外部に搬出され
る。また，カセットＣに対してもウエハＷが搬出・搬入
される。処理ステーション１１では，塗布現像処理工程
の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各
種処理ユニットが所定位置に多段に配置されている。イ
ンターフェイス部１２では，このレジスト処理装置１に
隣接して設けられる露光装置１３との間でウエハＷが受
け渡されるようになっている。
【００２７】カセットステーション１０では，図１に示
すように，載置部となるカセット載置台２０上の位置決
め突起２０ａの位置に複数個（たとえば４個）のカセッ
トＣが，それぞれのウエハＷ出入口を処理ステーション
１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置
される。このカセットＣ配列方向（Ｘ方向）およびカセ
ットＣ内に収容されたウエハＷのウエハＷ配列方向（Ｚ
方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が，搬
送路２１ａに沿って移動自在であり，各カセットＣに選
択的にアクセスする。
【００２８】ウエハ搬送体２１は，θ方向に回転自在に
構成されており，後述するように処理ステーション１１
側の第３の処理装置群Ｇ３の多段ユニット部に属するア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになって
いる。
【００２９】処理ステーション１１では，図１に示すよ
うに，その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設け
られ，その周りにユニットとしての各種処理装置が１組
または複数の組に亙って多段集積配置されて処理装置群
を構成している。かかるレジスト処理装置１において
は，５つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５が
配置可能な構成であり，第１および第２の処理装置群Ｇ
１，Ｇ２はシステム正面側に配置され，第３の処理装置
群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ，第４の処理装置群Ｇ４はインターフェイス部１２に
隣接して配置され，さらに破線で示した第５の処理装置
群Ｇ５を背面側に配置することが可能となっている。搬
送装置２２は，θ方向に回転自在でＺ方向に移動可能に
構成されており，各処理装置との間でウエハＷの受け渡
しが可能とされている。
【００３０】第１の処理装置群Ｇ１では，図２に示すよ
うに，カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せ
て所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置，たとえ
ばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置
（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。そして
第１の処理装置群Ｇ１と同様に，第２の処理装置群Ｇ２
においても，２台のスピンナ型処理装置，たとえばレジ
スト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥ
Ｖ）が下から順に２段に重ねられている。
【００３１】図２に示すように，このレジスト処理装置
１の上部には，たとえばＵＬＰＡフィルタなどの高性能
フィルタ２３が，前記３つのゾーン（カセットステーシ
ョン１０，処理ステーション１１，インターフェイス部
１２）毎に設けられている。この高性能フィルタ２３の
上流側から供給された空気は，当該高性能フィルタ２３
を通過する際に，パーティクルや有機成分が捕集，除去
される。したがって，この高性能フィルタ２３を介し
て，上記のカセット載置台２０，ウエハ搬送体２１の搬
送路２１ａ，第１〜第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２，後述
する第３〜第５の処理装置群Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５およびイ
ンターフェイス部１２には，上方からの清浄な空気のダ
ウンフローが，同図の実線矢印または点線矢印の方向に
供給されている。
【００３２】第３の処理装置群Ｇ３では，図３に示すよ
うに，ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理装置，たとえば冷却処理を行
うクーリング装置（ＣＯＬ），レジストの定着性を高め
るためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョン装置
（ＡＤ），位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩ
Ｍ），エクステンション装置（ＥＸＴ），露光処理前の
加熱処理を行うプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）
およびポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下から
順に，たとえば８段に重ねられている。
【００３３】同様に，第４の処理装置群Ｇ４では，図３
に示すように，ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて
所定の処理を行うオーブン型の処理装置，たとえば冷却
処理を行うクーリング装置（ＣＯＬ），冷却処理も兼ね
たエクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯ
Ｌ），エクステンション装置（ＥＸＴ），アドヒージョ
ン装置（ＡＤ），プリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）およびポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下
から順に，たとえば８段に重ねられている。このように
処理温度の低いクーリング装置（ＣＯＬ）やエクステン
ション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置
し，処理温度の高いプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ），ポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）およびア
ドヒージョン装置（ＡＤ）を上段に配置することで，装
置間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。
【００３４】インターフェイス部１２では，図１に示す
ように，奥行き方向（Ｘ方向）については，上記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが，幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。図１および図２
に示すように，このインターフェイス部１２の正面側に
は，可搬性のピックアップカセットＣＲと，定置型のバ
ッファカセットＢＲが２段に配置され，他方背面部には
周辺露光装置２４が配設されている。可搬性のピックア
ップカセットＣＲまたは定置型のバッファカセットＢＲ
には，後述する少なくと1枚のダミーウエハＤＷがあら
かじめ待機している。
【００３５】インターフェイス部１２の中央部には，ウ
エハ搬送体２５が設けられている。ウエハ搬送体２５
は，Ｘ方向，Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセット
ＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置２４にアクセスできるよ
うになっている。ウエハ搬送体２５は，θ方向にも回転
自在となるように構成されており，処理ステーション１
１側の第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション
装置（ＥＸＴ）や，さらには隣接する露光装置１３側の
ウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるよう
になっている。
【００３６】図４および図５に示すように，ダミーウエ
ハＤＷでは，基本的はウエハＷと同一の部材であって同
一寸法で構成された本体３１に，熱センサとしての熱電
対３２が埋め込まれている。本体３１の表面には，後述
する測定用のピンが接触し，熱電対３２でセンシングさ
れた結果を測定用のピンを介して外部に出力するための
端子３３が設けられている。熱電対３２と端子３３との
間は，配線３４により電気的に接続されている。複数の
熱電対３２を本体３１に埋め込むことで温度分布も知る
ことができる。
【００３７】第３の処理装置群Ｇ３および第４の処理装
置群Ｇ４におけるポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）として，図６に示すように，温度管理をより正確に
行い，また加熱処理後の冷却を迅速に行うためにチリン
グホットプレート４１を採用している。
【００３８】チリングホットプレート４１では，ベース
４２上に加熱処理部４３と冷却部４４とが隣接して配置
されている。加熱処理部４２では，ウエハＷを支持する
支持ピン４５がホットプレート４６表面から出没可能に
配置されている。支持ピン４５は駆動装置４７により上
下動されるもので，駆動装置４７の駆動によりウエハＷ
を搬送装置２２などから受け取る際にはホットプレート
４６表面より突き出るようにされ，ウエハＷを加熱処理
する際にはホットプレート４６より没するようにされて
いる（図６の状態）。
【００３９】また，ウエハＷの上部よりウエハＷを覆う
ように蓋４８が配置されている。蓋４８は駆動装置（図
示省略）により上下動される。加熱処理部４３よりウエ
ハＷを出し入れする際には蓋４８が空き，ウエハＷを加
熱処理する際には蓋４８が閉じてホットプレート４６と
蓋４８との間で処理空間が形成される（図６の状態）。
蓋４８の頂部には排気口４９が設けられている。また，
蓋４８の内側には，蓋４８が閉じたときにダミーウエハ
ＤＷの端子３３に接触するように測定用のピン５０が配
置されている。
【００４０】蓋４８が閉じたとき，測定用のピン５０の
先端の位置は，図７に示すように通常のウエハＷの表面
に接触しないが，図８に示すようにダミーウエハＤＷの
端子３３（表面より突き出ているので）には接触するよ
うにされている。このような構造により，特別の駆動や
制御をすることなくダミーウエハＤＷからデータを採取
することが可能となる。
【００４１】図６に示すように，測定用のピン５０は当
該ピン５０を介して入力したデータを処理をする例えば
パソコンで構成される処理部５１に接続されている。処
理部５１は，所定のタイミングでダミーウエハＤＷを待
機位置からこの加熱処理部４３内に送り込み，温度を測
定し，その結果を例えば液晶パネルから構成される表示
部５２に表示する。
【００４２】ここで，ダミーウエハＤＷを使って温度を
測定する上記の所定のタイミングとは， １）メンテナンス時 ２）ウエハＷのロット単位 ３）ウエハの異常が検出されたとき ４）レジスト処理装置１の稼働立ち上げ時 等が有る。ウエハの異常とは，例えば露光不良やレジス
トの膜厚不良のことである。
【００４３】図６に示すように，チリングホットプレー
ト４１における冷却部４４では，チルアーム５３が駆動
部５４の駆動により加熱処理部４３内にアクセスできる
ように構成されている。このように構成されたチリング
ホットプレート４１では，図６中左側の搬送装置２２か
らウエハＷを受け取り，加熱処理部４３で加熱処理を行
った後，冷却部４４に受け渡してここで冷却を行い。そ
の後，冷却されたウエハＷを加熱処理部４３を介して搬
送装置２２に受け渡す。
【００４４】以上のように構成されたレジスト処理装置
１において，ダミーウエハＤＷによる温度測定は次のよ
うに行われる。温度測定が必要になると，処理部５１に
よる制御の下で，例えばインターフェイス部１２のバッ
ファカセットＢＲに待機しているダミーウエハＤＷは，
ウエハ搬送体２５→エクステンション装置（ＥＸＴ）→
搬送装置２２を介してチリングホットプレート４１によ
って構成されるポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）
に搬入される。この経路は，露光された通常の処理基板
としてのウエハＷと同じ経路である。即ち，ダミーウエ
ハＤＷの待機部が露光装置１３とポストベーキング装置
（ＰＯＢＡＫＥ）との搬送路上の温度雰囲気内に配置さ
れることにより，露光された通常のウエハＷと同じ経路
を辿ってポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）に搬入
されることが可能となる。従って，ダミーウエハＤＷは
通常のウエハＷと同様の熱的履歴をもつことになる。
【００４５】ダミーウエハＤＷがチリングホットプレー
ト４１に搬入された後，蓋４８が閉じる。その際，蓋４
８の内側に配置された測定用のピン５０がダミーウエハ
ＤＷの端子３３に接触する。その後，チリングホットプ
レート４１内でダミーウエハＤＷが通常のウエハＷと同
じ加熱条件で加熱される。その際，ダミーウエハＤＷの
熱電対３２でセンシングされた結果は，端子３３，測定
用のピン５０を介して処理部５１に入力される。処理部
５１によって処理された測定データは表示部５２に表示
される。
【００４６】上述したようにダミーウエハＤＷは通常の
ウエハＷと同様の熱的履歴をもっているので，ダミーウ
エハＤＷの測定結果は通常のウエハＷのそれと同じとみ
なしてよい。つまり，本発明により加熱処理されたウエ
ハＷの温度を正確に検出できることになる。そして，こ
の結果を加熱処理の際の温度制御に用いることによっ
て，ウエハの露光不良やレジストの膜厚不良等を低減す
ることができる。しかもダミーウエハＤＷは通常のウエ
ハＷと同一の材質，同一の大きさであるから，ウエハＷ
の温度を実際の状態と同一条件で測定することができ
る。
【００４７】次に本発明の他の実施形態を説明する。こ
の実施形態では，図９に示すようにダミーウエハＤＷに
熱電対９１を埋め込み，さらにこの熱電対９１でセンシ
ングされた結果を記憶する記憶素子９２を設けている。
ダミーウエハＤＷがウエハＷと同じシリコンの場合に
は，ダミーウエハＤＷ上に直接記憶素子９２を形成して
もよいが，もちろん別個に形成した記憶素子９２をダミ
ーウエハＤＷに埋め込むようにしてもよい。記憶素子９
２に記憶されたデータは端子９３より外部に出力され
る。
【００４８】一方，例えば加熱処理部に近い第３または
第４の処理装置群Ｇ３またはＧ４の何れかのユニットに
読み取り部を設ける。読み取り部は，図１０に示すよう
に端子９３に接触してデータを入力する測定用のピン１
００１，当該ピン１００１を介して入力したデータを処
理する例えばパソコンで構成される処理部１００２及び
その結果を表示する例えば液晶パネルから構成される表
示部１００３を有する。
【００４９】次に本発明のさらに別の実施形態を説明す
る。この実施形態では，図１１に示すようにダミーウエ
ハＤＷに熱電対１１０１を埋め込み，さらにこの熱電対
１１０１でセンシングされた結果を無線で送信する送信
機１１０２を埋め込んでいる。送信機１１０２は，無線
として赤外線を使うのが好ましい。耐熱性のある部品で
回路構成できるからである。
【００５０】一方，例えば加熱処理部に近い第３または
第４の処理装置群Ｇ３またはＧ４の何れかのユニットに
受信・データ処理部を設ける。受信・データ処理部は，
図１２に示すように送信機１１０２より信号を受信す
る，例えば赤外線であれば受光素子により構成される受
信部１２０１，当該受信部１２０１を介して入力したデ
ータを処理する例えばパソコンで構成される処理部１２
０２及びその結果を表示する例えば液晶パネルから構成
される表示部１２０３を有する。
【００５１】以上の実施形態では，処理ステーション１
１が垂直搬送型の搬送装置２２を有するものであった
が，図１３に示すように搬送装置２２’がＹ方向に移動
可能で搬送装置２２’の移動路１３０１の両側に塗布装
置や現像装置などの処理装置１３０２を配置した処理ス
テーション１１’を有するレジスト処理装置にも本発明
を適用することができる。
【００５２】以上の実施の形態においては，基板にウエ
ハＷを用いた例について説明したが，本発明はかかる例
には限定されず，ＬＣＤ基板を使用する例についても適
用が可能である。
【００５３】以上説明した実施形態は，あくまでも本発
明の技術的内容を明らかにする意図のものであって，本
発明はそうした具体例にのみ限定して狭義に解釈される
ものではなく，本発明の精神とクレームに述べる範囲
で，いろいろと変更して実施することができるものであ
る。
【００５４】例えば前記実施の形態においては，チリン
グホットプレート４１を主として加熱処理部として例に
挙げたが，冷却機能を持たない単独の加熱処理装置での
温度測定に適用してもよく，その他高温，低温の異なっ
た温度で加熱処理を行う加熱処理装置や，低温用，高温
用の加熱処理装置に対しても適用可能であることはもち
ろんである。
【００５５】
【発明の効果】請求項１のレジスト処理装置によれば，
搬送機構によって搬送されたダミー基板からの温度を，
加熱処理部に配置された計測手段によって計測するの
で，正確な温度測定が行える。請求項２の場合には，待
機部の温度雰囲気が搬送路上の温度雰囲気であるから搬
送中に周囲雰囲気によってダミー基板の温度が変化する
ことはない，従って，好ましい温度測定が可能である。
請求項３のように待機部をインターフェース部に配置す
れば，搬送機構による搬送が通常の基板の搬送と同様に
行える。請求項４の場合には，ケーブルレスで温度測定
が行える。請求項５の場合には，さらに格別温度測定の
ための専用の動作が不要である。
【００５６】請求項６の場合には，記憶素子に測定結果
が記憶されるので，任意の時間，場所にて測定結果を知
ることができる。請求項７の場合には，ダミー基板の搬
送上，取り扱い上有利であり，またダミー基板の大きさ
を実際の基板と同等することが容易である。請求項８の
場合には，無線でデータの送信が可能になり，通常の基
板の処理と全く同様にして測定が可能である。請求項９
の場合には，回路設計上有利である。請求項１０の場合
には，通常の基板と同様の条件で測定ができる。
【００５７】請求項１１の場合には，予め待機させてあ
ったダミー基板を搬入して測定するので，通常の処理と
同様な手順で測定できる。請求項１２の場合には，任意
のときに測定結果を知ることができる。請求項１３の場
合には，読み出し部に搬送してから読み出すので，他の
処理に支障を生じない。請求項１４の場合には，無線で
測定結果を知ることができる。請求項１５の場合には，
より良好な送受信環境に測定結果を知ることができる。
請求項１６の場合には，メンテナンス時を有効に利用す
ることが可能である。請求項１７の場合には，ロットの
切れ目毎に測定するので，ロット毎の基板の均質性を確
保することができる。請求項１８の場合には，装置の立
ち上げ時に必要な補正を行うことができる。請求項１９
の場合には，異常のさらなる発生を未然に防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態にかかるレジスト処理装置
の平面図である。
【図２】図１に示したレジスト処理装置の正面図であ
る。
【図３】図１に示したレジスト処理装置の背面図であ
る。
【図４】図１に示したレジスト処理装置に使用したダミ
ーウエハの正面図である。
【図５】図４に示したダミーウエハの平面図である。
【図６】図１に示したレジスト処理装置におけるチリン
グホットプレートの正面図である。
【図７】図６に示したチリングホットプレートの一部拡
大図である。
【図８】図６に示したチリングホットプレートの一部拡
大図である。
【図９】ダミーウエハの他の例を示す正面図である。
【図１０】図９に示したダミーウエハを使った場合の温
度データ処理系を示すブロック図である。
【図１１】ダミーウエハのさらに別の例を示す正面図で
ある。
【図１２】図１１に示したダミーウエハを使った場合の
温度データ処理系を示すブロック図である。
【図１３】本発明が適用可能なレジスト処理装置の別の
例を示す平面図である。
【符号の説明】
１ レジスト処理装置 １２ インターフェイス部 ３２ 熱電対 ３３ 端子 ４１ チリングホットプレート ４３ 加熱処理部 ５０ ピン ＤＷ ダミーウエハ Ｗ ウエハ

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上にレジストを塗布して露光装置に
    受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像
    処理するレジスト処理装置であって， ・少なくとも前記露光装置から受け取った基板を加熱処
    理する加熱処理部と， ・少なくとも前記露光装置と加熱処理部との間で基板を
    受け渡す搬送機構と， ・熱センサを有するダミー基板が待機する待機部と， ・前記加熱処理部に配置され，前記搬送機構によって前
    記基板待機部から前記加熱処理部へ受け渡されて当該加
    熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の前記熱セン
    サでセンシングされた温度を計測する計測手段とを具備
    したことを特徴とする，レジスト処理装置。
  2. 【請求項２】 前記待機部が，前記露光装置と前記加熱
    処理部との搬送路上の温度雰囲気内に配置されているこ
    とを特徴とする，請求項１に記載のレジスト処理装置。
  3. 【請求項３】 前記露光装置との間で基板を受け渡すた
    めのインターフェイス部を有し，前記待機部が，前記イ
    ンターフェイス部に配置されていることを特徴とする，
    請求項１又は２に記載のレジスト処理装置。
  4. 【請求項４】 前記ダミー基板が，当該ダミー基板の表
    面に露出し，前記熱センサでセンシングされた結果を出
    力するための端子を有し，前記測定手段が，前記加熱処
    理部内で前記ダミー基板の前記端子に接触し，前記端子
    から出力されるセンシングされた結果を入力するための
    ピンを有することを特徴とする，請求項１，２又は３の
    いずれかに記載のレジスト処理装置。
  5. 【請求項５】 前記ダミー基板の前記端子が，当該ダミ
    ー基板の表面より突き出ていて，前記加熱処理部が，前
    記基板の上部より前記基板を覆うように上下動可能に配
    置された蓋を有し，前記ピンが，前記蓋が基板を覆った
    ときに前記ダミー基板の前記端子に接触する位置に配置
    されていることを特徴とする，請求項４に記載のレジス
    ト処理装置。
  6. 【請求項６】基板上にレジストを塗布して露光装置に受
    け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処
    理するレジスト処理装置であって， ・前記基板を加熱処理する加熱処理部と， ・熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を記
    憶する記憶素子を有するダミー基板が待機する待機部
    と， ・前記加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の記
    憶素子に記憶されたセンシング結果を読み出す手段とを
    具備したことを特徴とする，レジスト処理装置。
  7. 【請求項７】 前記記憶素子が，前記ダミー基板上に直
    接形成されていることを特徴とする，請求項６に記載の
    レジスト処理装置。
  8. 【請求項８】 基板上にレジストを塗布して露光装置に
    受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像
    処理するレジスト処理装置であって， ・前記基板を加熱処理する加熱処理部と， ・熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を無
    線で送信する送信機を有するダミー基板が待機する待機
    部と， ・前記加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の前
    記送信機から送信されたセンシング結果を受信する手段
    とを具備したことを特徴とする，レジスト処理装置。
  9. 【請求項９】 前記送信機は，赤外線を使った無線で送
    信するように構成されたことを特徴とする，請求項８に
    記載のレジスト処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記ダミー基板は，前記基板と同じ部
    材で構成されていることを特徴とする，請求項１，２，
    ３，４，５，６，７，８又は９のいずれかに記載のレジ
    スト処理装置。
  11. 【請求項１１】 基板上にレジストを塗布して露光装置
    に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現
    像処理するレジスト処理装置における，測定方法であっ
    て， ・熱センサを有するダミー基板をあらかじめ待機させる
    工程と， ・前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱
    処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する
    工程と， ・前記加熱処理部において前記搬入されたダミー基板を
    加熱処理する工程と， ・前記加熱処理されたダミー基板の熱センサでセンシン
    グされた温度を計測する工程とを具備したことを特徴と
    する，測定方法。
  12. 【請求項１２】 基板上にレジストを塗布して露光装置
    に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現
    像処理するレジスト処理装置における，測定方法であっ
    て， ・熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を記
    憶する記憶素子を有するダミー基板をあらかじめ待機さ
    せる工程と， ・前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱
    処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する
    工程と， ・前記加熱処理部で前記搬入されたダミー基板を加熱処
    理する工程と， ・前記加熱処理されたダミー基板の記憶素子に記憶され
    たセンシング結果を読み出す工程とを具備することを特
    徴とする，測定方法。
  13. 【請求項１３】 前記読み出し工程前に，前記加熱処理
    されたダミー基板を加熱処理部から前記加熱処理された
    ダミー基板の記憶素子に記憶されたセンシング結果を読
    み出す読み出し部に搬送する工程を更に具備することを
    特徴とする，請求項１２に記載の測定方法。
  14. 【請求項１４】 基板上にレジストを塗布して露光装置
    に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現
    像処理するレジスト処理装置における測定方法であっ
    て，熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を
    無線で送信する送信機を有するダミー基板をあらかじめ
    待機させ， ・前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱
    処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する
    工程と， ・前記加熱処理部で前記搬入されたダミー基板を加熱処
    理する工程と， ・前記加熱処理された前記ダミー基板の前記送信機から
    送信されたセンシング結果を受信する工程と，を具備し
    たことを特徴とする，測定方法。
  15. 【請求項１５】 前記受信する工程前に，前記加熱処理
    されたダミー基板を加熱処理部から前記加熱処理された
    ダミー基板の送信機から送信されたセンシング結果を受
    信する受信部に搬送する工程を更に具備することを特徴
    とする，請求項１４に記載の測定方法。
  16. 【請求項１６】 前記所定のタイミングは，メンテナン
    ス時であることを特徴とする，請求項１１，１２，１
    ３，１４又は１５のいずれかに記載の測定方法。
  17. 【請求項１７】 前記所定のタイミングは，前記基板の
    ロット単位での処理の開始前であることを特徴とする，
    請求項１１，１２，１３，１４又は１５のいずれかに記
    載の測定方法。
  18. 【請求項１８】 前記所定のタイミングは，レジスト処
    理装置の稼働立ち上げ時であることを特徴とする，請求
    項１１，１２，１３，１４又は１５のいずれかに記載の
    測定方法。
  19. 【請求項１９】 前記基板の異常を検出する工程を更に
    具備し，前記所定のタイミングが，前記基板の異常が検
    出されたときであることを特徴とする，請求項１１，１
    ２，１３，１４又は１５のいずれかに記載の測定方法。
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