CN100433255C - 加热板的温度测定方法和基板处理装置 - Google Patents
加热板的温度测定方法和基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100433255C CN100433255C CNB2005800273243A CN200580027324A CN100433255C CN 100433255 C CN100433255 C CN 100433255C CN B2005800273243 A CNB2005800273243 A CN B2005800273243A CN 200580027324 A CN200580027324 A CN 200580027324A CN 100433255 C CN100433255 C CN 100433255C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aforementioned
- temperature
- substrate
- heating plate
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
本发明在借助具有温度检测部(41)、和具有存储部的基板控制器(42)的无线晶片(Ww)来测定对基板(W)进行热处理的加热板(34)的温度时,可容易且高精度地测定温度,可抑制由测定作业引起的工作效率的降低。在无线晶片输送器(Cw)内的位置上,向无线晶片(Ww)的控制器(42)输出温度测定开始指令,由此,无线晶片(Ww)开始温度检测,将温度检测值存储到前述基板控制器(42)的存储部内。另一方面,无线晶片(Ww)沿着预定的输送路径被输送到加热组件中。然后,基于无线晶片(Ww)载置到加热板(34)上为止的时间、和基板控制器(42)的存储部内的温度检测值的时间序列数据,取出无线晶片(Ww)载置到加热板(34)上之后的温度检测值的时间序列数据。
Description
技术领域
本发明涉及通过加热板对例如半导体晶片、光掩模基板及LCD(Liquid Crystal Display)基板(液晶显示用玻璃基板)等基板的表面进行热处理的基板处理装置,特别涉及加热板的温度测定方法、基板处理装置及加热板的温度测定用计算机程序。
背景技术
在半导体器件及LCD基板的制造工艺中,通过被称为光刻的技术,对基板进行抗蚀剂图形的形成。在该技术中,进行下述一连串工序,即,对例如半导体晶片(以下称为晶片)等基板涂敷抗蚀剂液,在晶片的表面形成液膜,使用光掩模将抗蚀剂膜曝光,之后,进行显影处理,由此得到期望的图形。
这样的抗蚀剂图形形成处理通常是使用在进行抗蚀剂液的涂敷及显影的涂敷/显影装置上连接了曝光装置的抗蚀剂图形形成装置进行的。
图20是表示以往的抗蚀剂图形形成装置的一例的俯视图。
参照该图,以往的抗蚀剂图形形成装置具备:具有输送器平台11的输送器单元1A、处理单元1B、接口单元1C、曝光装置1D,所述输送器平台11将收纳有25张晶片W的输送器C输入输出。处理单元1B在中央具有输送部12,并且在输送部12的周围具有:涂敷组件13A,用于对晶片涂敷抗蚀剂液;液体处理组件组,多层配置有显影组件13B等,所述显影组件13B用于对曝光后的晶片进行显影处理;加热组件,用于在涂敷组件及显影组件的处理前后对晶片进行既定的加热处理;搁板组件14(14A~14C),具有交接组件等。此外,处理单元1A具有交接臂15,所述交接臂15在输送器C内和处理单元1B之间进行晶片W的交接。
加热组件例如内置加热部,通过在设定为既定温度的加热板上载置晶片W,而对晶片W进行既定的加热处理。作为这样的加热组件,有进行下述处理的多个种类,所述处理包括:用于使抗蚀剂成分中的稀释剂挥发的预烘干处理、缓和抗蚀剂图形的边缘的曝光后烘干处理、及使显影时的残留漂洗液蒸发而除去、或使抗蚀剂固化的后烘干处理等。
另外,在加热组件中,在例如加热板被分割为通过同心圆状的多个加热器独立加热的多个加热区域的情况下,为了确保膜厚及显影线宽度在面内的均匀性,需要使各加热区域的升温模式一致。此外,为了确保膜厚及显影线宽度在加热组件间的均匀性,需要使每个进行同样处理的加热组件中的加热板的升温模式一致。因此,在装置起动时或定期检查加热组件的加热板的温度特性,进行加热部的控制,以便能够使加热区域的升温模式一致,并且在进行同样处理的加热组件中确保同样的升温模式。
图21是表示加热板的温度测定用晶片的立体图。
以往,加热板的温度特性测定是通过下述方式进行的,即,将例如在面内的40个部位设置有温度传感器的晶片W载置在加热板上,每隔既定时间测定温度。在这样的情况下,如该图所示,需要由串行缆线18连接温度传感器16和测定器17,所述测定器17设置在晶片W的外部,具有保存来自各温度传感器16的温度数据的存储器。
因此,在测定加热板的温度特性的情况下,必须卸下抗蚀剂图形形成装置的背面盖体,将设置有温度传感器16的晶片W载置于加热板上,并通过串行缆线18将温度传感器16和设置在晶片W外侧的测定器17连接。这样,每次测定加热板的温度特性都必须打开装置的背面盖体,操作不方便。此外,若打开盖体而引起散热,则关闭盖体后等待加热组件内部的温度稳定下来需要时间,但是,在以往的抗蚀剂图形形成装置中,由于每个加热组件都需要该作业,所以有时等待时间的总和超过20个小时。
因此,本发明的发明人研究了使用不需要从晶片W向外侧延伸的串行缆线的无线晶片进行温度测定的技术。所谓无线晶片是在晶片自身上具有温度传感器、电池、存储器及控制器,能以例如1秒的周期将温度数据保存于存储器中的晶片。作为使用这样的无线晶片来评价热处理时基板温度的均匀性的方法,公开有特开平11-307606号公报(专利文献1)的技术。
专利文献1:特开平11-307606号公报
若使用无线晶片,则有与通常的晶片W一样可由输送部将其输送到加热组件上的优点,但是无线晶片不能识别在什么时刻输入到哪个加热组件中或从哪个加热组件输出。因此,不清楚无线晶片载置到加热板上的时刻,难以掌握准确时刻的温度数据。
鉴于此,本发明人们根据温度数据判断无线晶片载置到加热板上的时刻,例如,将5秒钟上升10℃以上的点作为无线晶片W载置于加热板上的时刻而掌握。
这里,图22A是表示加热板的升温模式的一例的特性图。图22B是由图22A的B表示的部分的放大图。
参照该图,由于加热开始时温度上升缓慢,所以难以准确掌握例如5秒钟上升10℃以上的点。
另一方面,若不清楚无线晶片载置到加热板上的准确时刻下的温度数据,则加热板的升温模式的设定将被打乱。例如在加热板被多个加热器加热的情况下,不能掌握各加热区域的准确升温模式,难以进行控制来使各区域中的升温模式一致而进行面内均匀性高的热处理。特别是升温开始时,在缓慢的温度上升之后,温度急剧上升,所以若在时刻的把握上产生1秒的误差,则升温模式的偏差就将很大。
进而,若在各加热组件间升温模式存在偏差,则难以进行加热组件间均匀性高的热处理。在特开平11-307606号公报(专利文献1)中也没有就将无线晶片载置于加热板上的时刻的识别方法进行记载,所以实际上不能将特开平11-307606号公报(专利文献1)的方法用于加热板的温度测定。
发明内容
本发明是在这样的情况下作出的,其目的在于提供一种加热板的温度测定方法、基板处理装置及加热板的温度测定用计算机程序,所述加热板的温度测定方法可容易且高精度地测定对基板进行热处理的加热板的温度,可抑制由测定作业引起的运转效率的降低。
为了解决上述课题,本发明一方面的加热板的温度测定方法,是就基板处理装置测定加热板的温度的方法,所述基板处理装置包括:输送器输入部,将收纳有多个基板的输送器输入;处理组件,包括在加热板上载置基板而进行热处理的加热组件;输送部,从输送器输入部接取基板并输送到处理组件中;所述方法包括下述工序:借助输送部,将包括温度检测部、具有存储部的基板控制器的温度检测用基板沿着预定的输送路径输送到加热组件中;开始指令输出工序,在输送路径中的预定位置上,向温度检测用基板的基板控制器输出温度测定开始指令;温度检测用基板接收温度测定开始指令而将温度检测值的时间序列数据存储到基板控制器的存储部内;和时间序列数据取出工序,基于从输出温度测定开始指令时温度检测用基板的位置起到温度检测用基板载置到加热板上为止的输送时间、和基板控制器的存储部内的温度检测值的时间序列数据,取出温度检测用基板载置到加热板上之后的温度检测值的时间序列数据。
优选地,在时间序列数据取出工序中,调整用计算机取出温度检测用基板载置到加热板上之后的温度检测值的时间序列数据。
更优选地,加热板的温度测定方法还包括下述工序:基于温度检测用基板载置到加热板上之后的温度检测值的时间序列数据,对包含于加热板的加热部的控制参数进行修正。
更优选地,加热板分割成多个加热区域,并且通过多个加热部独立地加热各分割区域,温度检测用基板中包含的温度检测部设置在与分割区域分别对应的位置上。
更优选地,加热板在圆周方向上分割成多个加热区域,并且通过多个加热部独立地加热各分割区域,温度检测用基板中包含的温度检测部设有多个,以便进行各分割区域的温度检测,加热板的温度测定方法还包括下述工序:基于各分割区域的温度检测值的时间序列数据,修正各加热部的控制参数,所述各分割区域的温度检测值的时间序列数据是根据温度检测用基板载置到加热板上时的温度检测用基板的朝向和各温度检测部的温度检测值的时间序列数据而得到的。
更优选地,在开始指令输出工序中,收纳温度检测用基板并被置于输送器输入部的输送器上设置的输送器控制器输出温度测定开始指令,温度测定开始指令在借助输送部将温度检测用基板从该输送器取出时输出。
优选地,加热板的温度测定方法还包括下述工序:基于温度检测用基板载置到加热板上之后的温度检测值的时间序列数据,对加热板中包含的加热部的控制参数进行修正。
优选地,加热板分割成多个加热区域,并且通过多个加热部独立地加热各分割区域,温度检测用基板中包含的温度检测部设置在与分割区域分别对应的位置上。
优选地,加热板在圆周方向上分割成多个加热区域,并且通过多个加热部独立地加热各分割区域,温度检测用基板中包含的温度检测部设有多个,以便进行各分割区域的温度检测,加热板的温度测定方法还包括下述工序:基于各分割区域的温度检测值的时间序列数据,修正各加热部的控制参数,所述各分割区域的温度检测值的时间序列数据是根据温度检测用基板载置到加热板上时的温度检测用基板的朝向和各温度检测部的温度检测值的时间序列数据而得到的。
优选地,在开始指令输出工序中,收纳温度检测用基板并被置于输送器输入部的输送器上设置的输送器控制器输出温度测定开始指令,温度测定开始指令在借助输送部将温度检测用基板从该输送器取出时输出。
为了解决上述课题,本发明另一方面的基板处理装置,具备:输送器输入部,将收纳有多个基板的输送器输入;处理组件,包括在加热板上载置基板而进行热处理的加热组件;输送部,从输送器输入部接取基板并输送到处理组件中;控制部,控制输送部,以便将包括温度检测部、具有存储部的基板控制器的温度检测用的基板沿着预定的输送路径输送到加热组件中;输送器控制器,在输送路径中的预定位置上向温度检测用基板的基板控制器输出温度测定开始指令;调整用计算机,基于从输出温度测定开始指令时温度检测用基板的位置起到温度检测用基板载置到加热板上为止的输送时间、和接收温度测定开始指令而存储到温度检测用基板中包含的基板控制器的存储部内的温度检测值的时间序列数据,取出温度检测用基板载置到加热板上之后的温度检测值的时间序列数据。
优选地,控制部还基于温度检测用基板载置到加热板上之后的温度检测值的时间序列数据,对加热板中包含的加热部的控制参数进行修正。
更加优选地,加热板分割成多个加热区域,并且通过多个加热部独立地加热各分割区域,温度检测用基板中包含的温度检测部设置在与分割区域分别对应的位置上。
更加优选地,加热板在圆周方向上分割成多个加热区域,并且通过多个加热部独立地加热各分割区域,温度检测用基板中包含的温度检测部设有多个,以便进行各分割区域的温度检测,控制部还基于各分割区域的温度检测值的时间序列数据,修正各加热部的控制参数,所述各分割区域的温度检测值的时间序列数据是根据温度检测用基板载置到加热板上时的温度检测用基板的朝向和各温度检测部的温度检测值的时间序列数据而得到的。
更加优选地,输送器控制器设置在收纳温度检测用基板并被置于输送器输入部的输送器上,在借助输送部将温度检测用基板从该输送器取出时输出温度测定开始指令。
优选地,加热板分割成多个加热区域,并且通过多个加热部独立地加热各分割区域,温度检测用基板中包含的温度检测部设置在与分割区域分别对应的位置上。
优选地,加热板在圆周方向上分割成多个加热区域,并且通过多个加热部独立地加热各分割区域,温度检测用基板中包含的温度检测部设有多个,以便进行各分割区域的温度检测,控制部还基于各分割区域的温度检测值的时间序列数据,修正各加热部的控制参数,所述各分割区域的温度检测值的时间序列数据是根据温度检测用基板载置到加热板上时的温度检测用基板的朝向和各温度检测部的温度检测值的时间序列数据而得到的。
优选地,输送器控制器设置在收纳温度检测用基板并被置于输送器输入部的输送器上,在借助输送部将温度检测用基板从该输送器取出时输出温度测定开始指令。
为了解决上述课题,本发明另一方面的加热板的温度测定用计算机程序,用于就基板处理装置测定加热板的温度,所述基板处理装置包括:输送器输入部,将收纳有多个基板的输送器输入;处理组件,包括在加热板上载置基板而进行热处理的加热组件;输送部,从输送器输入部接取基板并输送到处理组件中;所述程序使计算机执行下述步骤:借助输送部,将包括温度检测部、存储部及基板控制器的温度检测用的基板沿着预定的输送路径输送到加热组件中;开始指令输出步骤,在输送路径中的预定位置上,向温度检测用基板的基板控制器输出温度测定开始指令;温度检测用基板接收温度测定开始指令而将温度检测值的时间序列数据存储到存储部内;和时间序列数据取出步骤,基于从输出温度测定开始指令时温度检测用基板的位置起到温度检测用基板载置到加热板上为止的输送时间、和存储部内的温度检测值的时间序列数据,取出温度检测用基板载置到加热板上之后的温度检测值的时间序列数据。
优选地,在时间序列数据取出步骤中,调整用计算机取出温度检测用基板被载置到加热板上之后的温度检测值的时间序列数据。
根据本发明,使用具有温度检测部、存储部及控制器的温度检测用基板,来测定加热板的温度,所以可容易且高精度地测定加热板的温度。在测定加热板的温度时,基于从输出温度测定开始指令时温度检测用基板的位置起到温度检测用基板载置到加热板为止的输送时间、和存储部内的温度检测值的时间序列数据,取出温度检测用基板载置到加热板上之后的温度检测值的时间序列数据,所以可准确地掌握将温度检测用基板输送到加热板上的时刻,能以高精度取出温度检测值的时间序列数据,可进行高精度的温度测定。
附图说明
图1是本发明第1实施方式的基板处理装置(抗蚀剂图形形成装置)100的俯视图。
图2是本发明第1实施方式的基板处理装置(抗蚀剂图形形成装置)100的概略立体图。
图3是表示基板处理装置100的搁板组件的侧视图。
图4A是表示基板处理装置100的加热组件的剖视图。
图4B是表示基板处理装置100的加热组件的剖视图。
图5是加热板34的俯视图。
图6是无线晶片Ww的立体图。
图7是表示无线晶片用输送器Cw的截面等的图。
图8是表示调整用计算机5的结构的图。
图9是表示控制部6的结构的图。
图10是规定本发明第1实施方式的基板处理装置100测定加热板34的温度时的动作顺序的流程图。
图11是表示加热板温度检测值的时间序列数据的特性图。
图12A是在本发明第2实施方式中表示加热板的一例的概略立体图。
图12B是在本发明第2实施方式中表示无线晶片Ww的一例的概略立体图。
图13A是在本发明第2实施方式中表示加热板的一例的概略立体图。
图13B是在本发明第2实施方式中表示无线晶片Ww的一例的概略立体图。
图14是本发明第2实施方式的基板处理装置100的俯视图。
图15是表示控制部9的结构的图。
图16是用于说明输入加热组件中的无线晶片Ww的输入角度的图。
图17是表示利用各温度传感器检测的加热板温度检测值的时间序列数据的特性图。
图18是表示写入有输入到各加热组件中的无线晶片Ww的输入角度和各温度传感器的加热器位置的表格的图。
图19是表示各加热器温度检测值的时间序列数据的特性图。
图20是表示以往的抗蚀剂图形形成装置的一例的俯视图。
图21是表示加热板的温度测定用晶片的立体图,
图22A是表示加热板的升温模式的一例的特性图。
图22B是在图22A中用B表示的部分的放大图。
附图标记说明
W半导体晶片(基板),Ww无线晶片(温度检测用基板),C输送器,Cw输送器(无线晶片用输送器),B1输送器输入部,B2处理单元,B3接口部,B4曝光装置,A1交接臂(第1输送部),A2、A3主输送机构(第1输送部),A4主输送部(第2输送部),A5辅助输送部(第2输送部),34加热板,33冷却板,41温度检测部,42无线晶片Ww的控制器,45无线晶片用输送器Cw的控制器,5调整用计算机,502温度数据取得部,503合计数据运算部,504偏差运算部,6、9控制部,604控制参数修正部,H1、H2、H3加热器(加热部),U1、U2、U3处理组件,100抗蚀剂图形形成装置(基板处理装置)。
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外,对图中相同或相当的部分标注相同附图标记,而不重复其说明。
<第1实施方式>
图1是本发明第1实施方式的基板处理装置(抗蚀剂图形形成装置)100的俯视图。
图2是本发明第1实施方式的基板处理装置(抗蚀剂图形形成装置)100的概略立体图。
基板处理装置100是在涂敷/显影装置上连接有曝光装置的结构。输送器输入部B1将密闭收纳有例如13张基板即晶片W的输送器C、和收纳有无线晶片Ww的无线晶片用输送器Cw输入输出。输送器输入部B1具有:载置台20,可载置多个输送器C及无线晶片用输送器Cw;开闭部21,从该输送器20看设置在前方的壁面上;交接臂Al,用于经由开闭部21从输送器C取出晶片W,或从无线晶片输送器Cw取出无线晶片Ww。
在输送器输入部B1的里侧,连接有周围被框体22包围的处理部B2,在该处理部B2中从近前侧向里侧依次交替排列设置有搁板组件U1、U2、U3和主输送机构A2、A3,所述搁板组件U1、U2、U3将加热·冷却类的组件多层化,设有三个,所述主输送机构A2、A3在后述的其他处理组件间进行晶片W的交接。即,从输送器输入部B1侧观察搁板组件U1、U2、U3及主输送机构A2、A3前后排列成一列,在各自的连接部位形成有未图示的晶片输送用开口部,晶片W在处理部B2内可从一端侧的搁板组件U1自由移动到另一端侧的搁板组件U3。
此外,主输送机构A2、A3放置在由区间壁23包围的空间内,所述区间壁23包括:从输送器输入部B1观察配置在前后方向上的搁板组件U1、U2、U3侧的一面部、右侧液体处理组件U4、U5侧的一面部、和构成左侧的一面的背面部。
主输送机构A2、A3进退及升降自如且绕铅直轴旋转自如,可在搁板组件U1、U2、U3及液体处理组件U4、U5的各组件间输送晶片W。主输送机构A2、A3的驱动基于来自后述控制部6的指令而由控制器驱动。温湿度调节组件24、25具有在各处理组件中使用的处理液的温度调节装置及温湿度调节用管道等。
液体处理组件U4、U5的结构为,在构成用于供给反射防止膜用的药液、抗蚀剂液及显影液等药液的空间的收纳部26上,将例如反射防止膜的涂敷组件(BARC)、抗蚀剂的涂敷组件(COT)及显影组件(DEV)层叠多层,例如5层。另外,为了使用词简化而将反射防止膜的涂敷组件称为反射防止膜组件,将抗蚀剂的涂敷组件称为涂敷组件。
图3是表示基板处理装置100中的搁板组件的侧视图。
参照该图,搁板组件U1、U2、U3的结构为,将用于进行由液体处理组件U4、U5进行的处理的前处理及后处理的各种处理组件层叠多层。在用于进行上述前处理及后处理的各种处理组件中,包括:交接组件(TRS)、用于将晶片W调整为既定温度的调温组件(CPL)、用于在涂敷抗蚀剂液前进行晶片W的加热处理的加热组件(BAKE)、用于在涂敷抗蚀剂液后进行晶片W的加热处理的被称为预烘干组件等的加热组件(PAB)、对曝光后的晶片W进行加热处理的被称为曝光后烘干组件等的加热组件(PEB)、及对显影处理后的晶片W进行加热处理的被称为后烘干组件等的加热组件(POST)等。该图表示这些组件的布置的一例,该布置是出于方便方面的考虑,在实际的装置中考虑各组件的处理时间等决定组件的设置数目。
在处理单元B2中的搁板组件U3的里侧,经由接口部B3连接有曝光装置B4。接口部B3由第1输送室27及第2输送室28构成,在各室中分别设置有构成第2输送部的主输送部A4及辅助输送部A5,所述第1输送室27及第2输送室28在处理部B2和曝光装置B4之间前后设置。
在基板处理装置100中,加热组件、交接组件、调温组件、涂敷组件、反射防止膜形成组件及显影组件相当于处理组件。此外,交接臂A1及主输送机构A2、A3相当于本发明实施方式中的第1输送部。即,第1输送部从输送器B1接取晶片W及无线晶片Ww并向处理组件输送。
这里,若表示用基板处理装置100在制品晶片W上形成抗蚀剂图形时晶片W的输送路径的一例,则载置于输送器输入部B1的输送器C内的处理前晶片W被交接臂A1输送到交接组件(TRS),接着晶片W被主输送机构A2、A3以调温组件(CPL)→反射防止膜形成组件(BARC)→加热组件(BAKE)→调温组件(CPL)→涂敷组件(COT)的顺序输送,在这里涂敷抗蚀剂液。接着,晶片W经由加热组件(PAB)→调温组件(CPL)→交接组件(TRS)→接口部B3而被送入曝光装置B4,进行既定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W以相反的路径返回到处理部B2中。即,曝光处理后的晶片W被输送至加热组件(PEB)→调温组件(CPL)→显影组件(DEL),在这里进行显影处理,接着,以加热组件(POST)→调温组件(CPL)→搁板组件U1的交接组件(TRS)的顺序输送,通过交接臂A1返回到输送器输入部B1的输送器C中。
接着,作为加热组件的一例,对进行PAB处理及PEB处理的加热组件的构造简单进行说明。图4A及图4B是表示基板处理装置100中的加热组件的剖视图。
参照该图,加热组件包括:框体31、平台32、可在平台的上方向图中左右移动的具有狭缝30的冷却板33、加热板34、晶片W的输入输出口35、36、分别开闭输入输出口35、36的活门37、38、和分别由三根构成1组的升降销39a、39b。
对于设置于搁板组件U2的加热组件(PAB),可从主输送机构A2、A3访问框体31内,而对于设置于搁板组件U3的加热组件(PEB),则可从主输送机构A3、主输送部A4访问框体31内。
即,在该加热组件(PAB、PEB)中,主输送机构A2(主输送部A4)经由输入输出口35(36)进入后,主输送机构A2(主输送部A4)上的晶片W经由升降销39a被交接到冷却板33上。然后,通过冷却板33的移动及升降销39b的升降,在冷却板33和加热板34之间进行晶片W的交接。然后,由加热板34进行了加热处理的晶片W从加热板34被再次交接到冷却板33,在这里进行粗冷却后,被主输送机构A3接走,向下一工序输送。
图5是加热板34的俯视图。
参照该图,加热板34在内部具有用于将加热板34加热至既定温度的加热部。加热部包括由例如三个同心圆状(环状)的电阻发热丝构成的加热器H(H1~H3)。由此,加热板34以在直径方向上被各加热器H(H1~H3)分割成三个加热区域(zone)的状态,被独立地加热,对三个区域分别进行温度控制。
此外,加热组件内进行烘干处理或后烘干处理(POST)的加热组件虽然未图示,但是具有例如载置晶片W并对晶片W以既定温度实施加热处理的加热板34。进而,调温组件(CPL)虽然未图示,但是具有例如载置晶片W并对实施了各加热处理的晶片以既定的温度实施温度调节处理的调温板。
图6是无线晶片Ww的立体图。
参照该图,无线晶片Ww在晶片自身上具备构成温度检测部的温度传感器41、和在内部设置有电池和存储部的控制器(基板控制器)42。各温度传感器41例如分别通过缆线43连接在控制器42上。各温度传感器41例如分别设置在与加热板34的三个加热区域对应的位置上。
而且,无线晶片Ww例如如后所述,可通过向控制器42输出温度检测开始指令,而由温度传感器41以既定周期例如1秒的周期检测温度数据,并将这样得到的温度检测值的时间序列数据存储到存储部中。
图7是表示无线晶片用输送器Cw的截面等的图。
参照该图,无线晶片用输送器Cw具有:控制器(输送器控制器)45,能以无线方式与无线晶片Ww的控制器42收发信号,对温度检测部41输出测定开始指令,并且,读出存储在控制器42的存储部内的温度检测值的时间序列数据;和保持部44,保持无线晶片Ww。控制器45能以无线或有线方式,与设置在无线晶片用输送器Cw外部的调整用计算机5进行数据的收发。
图8是表示调整用计算机5的结构的图。调整用计算机5实际上由CPU(中央处理器)、程序及存储器等构成,但是这里将构成要素的一部分模块化进行说明。
参照该图,调整用计算机5具有:总线500,和与总线500连接的温度数据存储部501、温度数据取得部502、合计数据运算部503、偏差运算部504、数据显示部505、数据收发部506。
温度数据存储部501存储由无线晶片Ww测定并经由控制器45发送来的温度检测值的时间序列数据。温度数据取得部502根据无线晶片Ww测定的温度检测值的时间序列数据、和由后述控制部6管理的无线晶片Ww的输送历史记录,针对每个加热组件取出无线晶片Ww载置到加热板34上之后的温度检测值的时间序列数据(以下称为“加热板的温度数据”)。合计数据运算部503基于加热板34的温度数据,算出加热板34的温度信息即合计数据,例如既定时间带中加热板34的面内温度的平均值(以下称为“平均值”),以及加热板34的面内温度差、例如由加热器H1~H3加热的各区域的温度差(以下称为“变动范围”)。
偏差运算部504,基于加热板的面内温度的平均值及变动范围与目标温度范围及目标面内温度差比较的结果,算出偏差值。这里,偏差值是如下求出的,即,进行温度目标值的结合,使得基于各区域的温度检测值的加热板的面内温度的平均值及变动范围,处于目标温度范围内及目标面内温度差以内。
数据显示部505将取得的加热板34的温度数据、合计数据及偏差值例如显示到调整用计算机5的操作画面上。此外,数据收发部506在与后述的控制部6之间进行既定数据的收发。
进而,基板处理装置100具有控制部6,所述控制部6至少控制加热组件(BAKE、PAB、PEB、POST)、涂敷组件(COT)、显影组件(DEV)及调温组件(CPL)等其他各处理组件、和交接臂A1及主输送机构A2、A3以及第2输送部(A4、A5)等输送系统等。
图9是表示控制部6的结构的图。控制部6实际上由CPU、程序及存储器等构成,但是这里将构成要素的一部分模块化而进行说明。
参照该图,控制部6具有:总线600、和与总线600连接的方案存储部601、方案选择部602、方案生成部603、控制参数修正部604、数据显示部605、数据收发部606。在方案存储部601中,存储有多种方案,例如,在进行加热板34的温度测定的温度测定模式中使用的温度测定方案,以及在对制品晶片W进行抗蚀剂图形形成处理的处理模式中使用的、记录有输送路径及各处理组件的处理条件等的处理方案等。
温度测定方案在装置起动时或定期进行加热板34的温度测定时被选择,是用于仅向加热组件输送无线晶片Ww而在各加热组件中进行通常的热处理程序、并测定此时的加热板34温度的方案。
例如,在温度测定方案中记载有事件和时刻。具体地说,按照既定的时间轴记载有加热组件的输送顺序、由加热组件进行的热处理的时间及输送时间等数据。由此,按照预定的输送路径及预定的时间,无线晶片Ww被交接臂A1及主输送机构A2、A3输送到加热组件中。
方案选择部602从存储在方案存储部601中的方案选择适当的方案。更详细地说,操作员使用未图示的操作部(操作画面)来选择温度测定方案及处理方案等适当方案,由此,方案选择部602从存储在方案存储部601中的方案选择适当的方案。这样,可切换温度测定模式和处理模式。另外,操作员也可使用操作部输入例如晶片的处理张数及抗蚀剂的种类等。方案生成部603基于操作员的操作生成新的温度测定方案、处理方案及输送方案等。
控制参数修正部604基于从调整用计算机5发送的偏差值,进行加热板34中的加热器H1~H3的控制参数的修正,以使各加热组件的加热板34落入既定的规格内,并将修正后的控制参数输出到各加热组件的控制器61中。这里,在加热组件34中,将PID(比例积分微分)控制、和固定控制(MV(受控值,Manipulated Value)控制)组合来进行温度控制,所述PID控制基于温度检测值和温度目标值之间的偏差,运算并输出与向加热器H1~H3供给的电力量对应的信号,所述固定控制使用计时器以固定的输出模式向加热器H1~H3进行电力供给。因此,控制参数修正部604基于从调整用计算机5发送来的偏差值,以既定的算法调整PID控制及MV控制的输入模式。
数据显示部605将生成的加热板34的温度数据、合计数据及偏差值等显示到例如作为控制部6的计算机的操作画面上。数据收发部606与调整用计算机5进行既定数据的收发。由此,控制部6如已述那样,可以无线或有线方式与设置在装置外部的无线晶片用输送器Cw的调整用计算机5进行数据的收发,可在与调整用计算机5之间,收发无线晶片Ww的温度测定开始及结束的信号以及偏差值等。
进而,控制部6经由各控制器61~63与各种加热组件(PAB、PEB、POST、BAKE)、加热组件(PAB、PEB、POST、BAKE)以外的设置于处理部B2中的搁板组件U1~U5内的涂敷组件(COT)、显影组件(DEV)及调温组件(CPL)等各种处理组件、以及交接臂A1、主输送机构A2、A3及第2输送部A4、A5等输送系统连接。各处理组件等的动作基于控制部6的指令而被控制器61~63控制。
接着,以测定加热组件(PAB)的加热板34的温度的情况为例,对本发明第1实施方式的基板处理装置的动作进行说明。
图10是规定本发明第1实施方式的基板处理装置100测定加热板34的温度时的动作顺序的流程图。调整用计算机5、控制部6、无线晶片用输送器Cw、无线晶片Ww从未图示的存储器等读出具有流程图的各步骤的程序并加以执行。该程序可从外部装载。
参照该图,首先,操作员选择加热组件的温度测定方案(步骤S1)。选择该方案后,例如在控制部6的操作画面上显示温度测定方案的概要及温度测定开始开关。接着,若操作员按下该开关,则控制部6经由调整用计算机5向无线晶片用输送器Cw的控制器45输出温度测定开始信号(步骤S2)。然后,从控制器45向无线晶片Ww的控制器42输出温度测定开始指令。控制器42接收温度测定开始信号,以既定周期例如1秒的周期使温度传感器41开始温度测定,将测定的温度检测值的时间序列数据存储到存储部内(步骤S3)。
在该例中,由于向无线晶片Ww的控制器42输出温度测定开始指令的工序在无线晶片用输送器Cw的内部进行,所以预定输送路径上的预定位置相当于无线晶片用输送器Cw内的位置。
另一方面,在基板处理装置100中,基于温度测定开始信号,通过交接臂A1将无线晶片Ww从无线晶片用输送器Cw取出,按照预定输送路径及预定时间,输送到作为温度数据的测定对象的加热组件(在本例中是进行PAB处理的第1加热组件)(步骤S4)。
然后,在第1加热组件中,如已述那样,无线晶片Ww被载置在加热板34上,在升降销39b下降的时刻传感器检测而开始热处理。然后,在进行了既定时间热处理后,将晶片Ww交接到冷却板33上而开始冷却处理,在经过既定时间后,将无线晶片Ww从第1加热组件输出。这里,冷却处理的开始时刻是通过由传感器检测晶片W交接到冷却板33上的时刻而决定的。
接着,从第1加热组件输出的晶片Ww被主输送机构A2、A3输送到接着进行温度测定的第2加热组件,与第1加热组件同样地利用无线晶片Ww进行温度测定(步骤S5)。接下来,无线晶片Ww被输送到接着进行温度测定的第3加热组件,同样地进行温度测定(步骤S6)。
这样,按照预定的输送路径及时间,将无线晶片Ww输送到作为温度数据的测定对象的所有加热组件中,进行温度数据的测定,然后,通过主输送机构A2、A3及交接臂A1,将无线晶片Ww送回无线晶片用输送器Cw。这样,例如在无线晶片Ww返回到无线晶片用输送器Cw内时,通过控制部6将测定结束指令经由调整用计算机5及控制器45输送到无线晶片Ww的控制器42,无线晶片Ww结束温度数据的测定(步骤S7、S8)。然后,在无线晶片Ww中,例如进行电池的充电。
接着,调整用计算机5经由控制器45将收集于无线晶片Ww的存储部中的温度检测值的时间序列数据读出,并将该数据存储到温度数据存储部501中(步骤S9)。另一方面,在控制部6中,将输送历史记录输出到调整用计算机5中,所述输送历史记录包括通过数据收发部606记载在温度测定方案中的、预定的输送路径及时间(步骤S10)。然后,调整用计算机5的温度数据取得部502,基于从输出温度测定开始指令时无线晶片Ww的位置起到无线晶片Ww载置到加热板34为止的输送时间、和经由无线晶片Ww的存储部存储在温度数据存储部501中的温度检测值的时间序列数据,取出无线晶片Ww载置到加热板34上后的温度检测值的时间序列数据(步骤S11)。
图11是表示加热板的温度检测值的时间序列数据的特性图。
参照该图,在加热板的温度检测值的时间序列数据中,包含有加热板34的温度数据、和表示输送时刻以及事件的输送历史记录。
然后,基于加热板34的温度数据,合计数据运算部503算出合计数据,即,加热板的面内温度的平均值及变动范围(步骤S12)。然后,偏差运算部504对加热板的面内温度的平均值及变动范围与目标温度范围及目标面内温度差进行比较(步骤S13),若加热板的面内温度的平均值及变动范围在规格内,则结束加热组件的温度测定方案。这里,所谓规格内是指加热板的面内温度的平均值及变动范围在目标温度范围内及目标面内温度差以内,目标温度范围例如是目标温度±0.1℃以内,而目标面内温度差是0.2℃以内。
另一方面,若加热板的面内温度的平均值及变动范围在规格外,则偏差运算部504算出偏差值,将算出的偏差值输出到控制部6中(步骤S14)。然后,在控制部6中,控制参数修正部604基于偏差值进行加热组件中的加热器H1~H3的控制参数的修正,将控制参数的修正值输出到加热组件的控制器61中。然后,加热组件以修正后的控制参数进行以后的处理(步骤S15)。
然后,控制部6选择方案,以便再次开始修正后的加热组件(PAB)的温度测定,输出温度测定开始指令而执行温度测定方案。这样,控制部6,自动地反复进行利用无线晶片Ww实施的温度检测、加热板34的温度数据的取得、合计数据的运算、偏差值的运算,直到基于温度检测值的加热板的面内温度平均值及变动范围变为目标温度范围内及目标面内温度差以内。这里,例如将温度测定方案设计成,在第2次以后将无线晶片Ww只输送到修正过的加热组件中。
这样,在本发明第1实施方式的基板处理装置中,通过具有温度检测部41、存储部、控制器42的无线晶片Ww测定加热板34的温度,测定加热板34的温度,所以可通过交接臂A1及主输送机构A2、A3将无线晶片Ww自动输送到成为温度数据的测定对象的加热组件中,而进行成为温度数据的测定对象的加热组件中的加热板34的温度特性的测定。因此,与使用由串行缆线将温度传感器、设置在测定用晶片的外侧的测定器连接型的测定用晶片来测定加热板34的温度特性的情况相比,由于测定用晶片向加热板上的载置较容易,所以测定用晶片的处理容易,而且,不需要等待加热组件内部的温度稳定所需的时间,所以可抑制由测定作业引起的工作效率的降低。
此时,在基板处理装置100中,通过控制部6按照预定的输送路径,将无线晶片Ww输送到加热组件中,所以可根据时刻准确地掌握无线晶片Ww在基板处理装置100内的位置。因此,可准确地识别无线晶片Ww载置在既定加热组件的加热板34上的时刻以及从加热板34将无线晶片Ww交接到冷却板上的时刻。
另一方面,在无线晶片Ww在预定输送路径上的预定位置上,在该例中是在载置于输送器输入部B1的无线晶片用输送器Cw内的位置上,对无线晶片Ww的控制器42输出温度测定开始指令,所以可准确地掌握无线晶片Ww从无线晶片用输送器Cw内的位置到载置到测定对象的加热组件的加热板34上为止的输送时间。
因此,在利用无线晶片Ww进行的温度测定结束后,根据掌握的无线晶片Ww的输送时间、和存储在无线晶片Ww的存储部中的温度检测值的时间序列数据,准确地掌握在加热组件中无线晶片Ww载置于加热板34上的时刻及无线晶片Ww交接到冷却板的时刻等时的无线晶片Ww的测定温度,可容易且高精度地取出载置到加热板34上之后的温度检测值的时间序列数据。
此时,能够特定各加热组件在处理中的动作的时刻下的温度数据,例如通过升降销的下降而将无线晶片Ww载置到加热板34上的时刻及无线晶片Ww向冷却板载置的时刻下的温度数据,所以可基于温度检测值的时间序列数据,准确地掌握各动作时期的温度数据,可更准确地进行分析。
进而,由于可取得加热板34的准确的温度检测值的时间序列数据,所以能以高精度取得从处理开始到指定时间为止的温度数据及每个区域的温度数据,可准确地掌握加热板的面内温度的平均值及变动范围。因此,能进行高精度的偏差值运算,并且,通过基于算出的偏差值进行加热板34的控制参数修正,可在各加热板34中进行调整以使各区域的升温模式一致。由此,可使各区域升温时的面内温度分布一致,从而可进行面内均匀性较高的热处理。
进而,由于对每个加热板34作成准确的温度曲线,所以可简单地对进行相同工序的加热组件间的温度数据、和例如显影线宽度及膜厚等膜质数据进行比较。而且,可进行各加热组件的控制器61的控制参数修正,以便基于比较结果得到既定膜质的薄膜,由此,可提高各加热组件的热处理的均匀性。
此外,由于可取得各加热板34的准确的温度检测值的时间序列数据,所以即使无线晶片Ww的温度测定以1秒周期进行,也可通过通常的插补方法在其测定间隔之间进行插补,而使得例如可算出准确的积分值(面积)等,从而可取得精度较高的二次加工数据。
另外,根据本发明第1实施方式的基板处理装置,在上述加热组件(PAB、PEB)中,将无线晶片在加热板34上载置既定时间,接着,将无线晶片Ww在冷却板上载置既定时间,直到达到稳定温度、例如24℃为止,将其作为第1次温度测定数据。然后,将无线晶片Ww再次在加热板34上载置既定时间,接着,将无线晶片Ww在冷却板上载置既定时间,直到达到稳定温度为止,将其作为第2次温度测定数据。通过多次反复进行这样的动作,可多次取得加热板34的温度数据,从该多次数据分别算出合计数据及偏差值,并设定它们的平均值。在该情况下,仅通过将无线晶片Ww输送到作为测定对象的加热组件中一次,便可多次测定加热板的温度。
进而,在本发明第1实施方式的基板处理装置中,控制部6也可进行加热板34的温度检测值的时间序列数据、合计数据的运算及偏差值的运算。在该情况下,调整用计算机5进行下述动作,即,基于控制部6发出的测定开始及测定结束指令,向控制器45输出温度测定开始及结束指令;以及将从无线晶片Ww的存储部读出的温度检测值的时间序列数据向控制部6发送等。此外,调整用计算机5也可基于偏差值进行加热组件的控制器61的控制参数修正。
此外,在本发明第1实施方式的基板处理装置中,对晶片进行的热处理包括加热晶片的正温度下的热处理、和冷却晶片的负温度下的热处理。由此,本发明第1实施方式的基板处理装置也可用于测定下述温度特性的情况,所述温度特性指进行烘干处理及后烘干处理的加热组件所包含的加热板34的温度特性、以及对晶片以既定温度实施温度调节处理的调温组件的调温板的温度特性。
此外,在本发明第1实施方式的基板处理装置中,也可在从无线晶片用输送器Cw取出基板时,从输送器Cw的控制器45向无线晶片Ww的控制器42输出温度测定开始指令。此外,也可在基板返回到无线晶片用输送器Cw且无线晶片用输送器Cw的控制器45确认到无线晶片Ww的存在时,对无线晶片Ww的控制器42输出测定结束指令,而在无线晶片Ww中结束温度数据的测定。
此外,在本发明第1实施方式的基板处理装置中,输送路径中对无线晶片Ww的控制器42输出温度测定开始指令的预定位置,为利用无线晶片Ww进行温度检测的起点,并且为无线晶片Ww向加热板34输送的时间的起点。但是,并不限定于这样的方案,输出温度测定开始指令的预定位置,只要是在无线晶片Ww输送到加热板34前能对控制器42输出温度测定开始指令的位置,则也可不是载置到输送器输入部B1中的无线晶片用输送器Cw内的位置,例如也可以是设置在输送器输入部B1或处理部B2内的缓冲盒内的位置。
此外,在本发明第1实施方式的基板处理装置中,无线晶片Ww在对作为温度数据测定对象的所有加热组件进行温度数据的测定后返回到无线晶片用输送器Cw内时,利用控制部6将测定结束的指令经由调整用计算机5及控制器45向无线晶片Ww的控制器42输出。但是,并不限定于这样的方案,也可设计成,无线晶片Ww在对作为温度数据测定对象的所有加热组件进行温度数据的测定后返回到无线晶片用输送器Cw内之前的输送路径中途,利用控制部6直接对无线晶片Ww的控制器42输出测定结束的指令,并结束利用无线晶片Ww进行的温度数据测定。
即使在这种情况下,无线晶片Ww也是沿预定的输送路径被输送到加热组件,在预定输送路径上的预定位置,对无线晶片Ww的控制器42输送温度测定开始指令,所以可基于从输出温度测定开始指令时无线晶片Ww的位置起到无线晶片Ww载置到加热板34为止的输送时间、和保存在无线晶片Ww的存储部中的温度检测值的时间序列数据,取出无线晶片Ww载置到加热板34上之后的温度检测值的时间序列数据。
接着,使用附图对本发明的其他实施方式进行说明。另外,对图中相同或相当部分标注相同附图标记而不重复其说明。
<第2实施方式>
本实施方式涉及对进行调整以使各加热板中的各区域的升温模式一致的动作进行了变更的基板处理装置。除以下说明的内容以外的结构及动作与第1实施方式的基板处理装置一样。
例如如图5所示,在加热板34上同心圆状地配置有多个加热器例如三个加热器H1~H3的情况下,可通过预先掌握在各加热器H1~H3所分担的加热区域即分割区域(zone)中,哪个区域和哪个温度传感器对应,来调整加热板34的面内温度。具体地说,若将分别由加热器H1~H3加热控制的区域设为区域1~3,则可掌握各区域1~3的温度检测值的平均值,因此,还清楚各区域1~3中的温度检测值的平均值彼此的差(变动范围),所以可基于平均值及变动范围调整各加热器H1~H3的电力供给量。
图12A是在本发明第2实施方式中表示加热板的一例的概略立体图。图12B是在本发明第2实施方式中表示无线晶片Ww的一例的概略立体图。
参照该图A及该图B,在设置于加热板34内部的加热器H在圆周方向上也分割设置的情况下,为了得到各温度传感器41和由各加热器H加热控制的区域的对应,需要考虑无线晶片Ww载置在加热板34上时的朝向。
在这样的情况下,为了容易理解如何把握各区域的温度数据,下面对进一步简化的情况进行说明。
图13A是在本发明第2实施方式中表示加热板的一例的概略立体图。图13B是在本发明第2实施方式中表示无线晶片Ww的一例的概略立体图。
参照图13A及图13B,与加热板34中在圆周方向上分成两份的加热器H10、H11对应地,在无线晶片Ww侧设置两个温度传感器70、71。
如图13B所示,在无线晶片Ww的周缘的一部分上,形成有用于表示面方位的V字型缺口即凹口80。第1温度传感器70和第2温度传感器71夹着温度控制器42而设置成对角线状。
图14是本发明第2实施方式的基板处理装置100的俯视图。
本发明第2实施方式的基板处理装置100,相对于本发明第1实施方式的基板处理装置100来说,取代调整用计算机5及控制部6而具有控制部9。
图15是表示控制部9的结构的图。控制部9实际上由CPU、程序及存储器等构成,但是这里将构成要素的一部分模块化而进行说明。
参照该图,控制部9包括:总线90,和与总线90连接的方案存储部601、方案选择部602、方案生成部603、数据通信部701、温度传感器数据存储部702、加热器数据存储部703、程序存储部710。另外,由于方案存储部601、方案选择部602、方案生成部603与第1实施方式的基板处理装置的结构相同,所以这里不重复说明。
数据通信部701在与无线晶片Ww之间进行各种数据的通信。数据通信部701进行下述动作,例如经由输出端口81向控制器82、83输出温度检测开始指令,以及接收由第1温度传感器70及第2温度传感器71检测的温度数据等。
温度传感器数据存储部702存储各加热组件的由第1温度传感器70及第2温度传感器71检测到的温度数据。
加热器数据存储部703基于存储在温度传感器数据存储部702中的温度数据,例如执行后述温度数据生成程序,针对每个加热组件,与加热器对应地,即与加热器所分担的分割区域(加热控制区域)对应地,存储温度数据。
程序存储部710存储温度数据生成程序704及加热器温度修正程序705。加热器温度修正程序705具有下述功能,即,基于存储在加热器数据存储部703中的加热板34每个分割区域的温度数据和预先设定的温度测定数据,对各加热器的温度控制器82、83输出控制参数修正值。
这里,温度数据生成程序704及加热器温度修正程序705存储在存储介质例如软盘、压缩盘片、磁光盘(MO)及存储卡等中。而且,温度数据生成程序704及加热器温度修正程序705安装在控制部9即计算机中,存储在程序存储部710中。
再次参照图15,对各加热组件的分割区域的温度修正方式进行说明。如图10中说明的那样,若操作员按下输送开始开关,则无线晶片Ww被交接臂A1从无线晶片用输送器Cw取出,并输送到存储在搁板组件U1中的第1加热组件中(图10的步骤S4)。
图16是用于说明输入到加热组件中的无线晶片Ww的输入角度的图。参照该图,对于无线晶片Ww,若将凹口80朝向向加热组件输入的方向的状态下的输入角度定义为0度,则在该例中,输入到第1加热组件中的无线晶片Ww的输入角度为90度。另外,该第1加热组件构成为,冷却板在交接臂A1或主输送机构A2访问无线晶片Ww的位置和加热板34上方之间滑动,因此,凹口80设成该图所示的朝向。在第1加热组件中,如已述那样,无线晶片Ww载置在加热板34上,进行热处理。
接着,从第1加热组件输出的无线晶片Ww由主输送机构A2输送到存储在搁板组件U2中的第2加热组件中,进行同样的处理(图10的步骤S5)。进而,无线晶片Ww由主输送机构A3输送到存储在搁板组件U3中的第3加热组件中,进行同样的处理(图10的步骤S6)。在该例中,假设输入到第2加热组件及第3加热组件内的无线晶片Ww的输入角度分别为270度及90度。
图17是表示利用各温度传感器检测的加热板温度检测值的时间序列数据的特性图。
如已述那样,按照预定的输送路径及时间,向所有加热组件(为了方便而设为第1加热组件、第2加热组件及第3加热组件)输送无线晶片Ww,由此,如该图所示,在各加热组件中取得第1温度传感器70所分担的加热区域的温度数据、和第2温度传感器71所分担的加热区域的温度数据。
图18是表示写入有输入到各加热组件中的无线晶片Ww的输入角度和各温度传感器的加热器位置的表格的图。
如该图所示,利用温度数据生成程序704,考虑无线晶片Ww向各加热器的加热板34输入的角度,使用表格判断各加热板34的哪个加热器加热控制区域与哪个温度传感器的温度数据对应。即,基于无线晶片Ww的输入角度、和第1温度传感器70及第2温度传感器71的温度数据,得到各加热板34的分割区域的温度。
图19是表示各加热器温度检测值的时间序列数据的特性图。
参照该图,对第1温度传感器70及第2温度传感器71以及各加热组件,得到各加热器所分担的各加热控制区域(分割区域)的温度数据。温度数据生成程序704具有下述功能,即,基于该图所示的温度数据和例如预先设定的温度数据(该数据例如存储在未图示的存储器中),与控制参数修正部604一样,以既定的算法调整对各加热器发出的电力供给控制数据即PID控制及MV控制的输入模式。具体地说,通过执行温度数据生成程序704,而调整PID控制的温度目标值及时间常数,并调整MV控制中的供给电力的水平及供给时间等,将基于调整内容的修正值从控制部9向各加热器的温度控制器输出(图10的步骤S15)。
然后,控制部9选择方案,以再次开始修正后的加热组件的温度测定,输出温度测定开始指令而执行温度测定方案。这样,控制部9自动地反复进行利用无线晶片Ww实施的温度检测、加热板34的温度数据的取得、合计数据的运算、偏差值的运算,直到基于温度检测值的加热板面内温度的平均值及变动范围达到目标温度范围内及目标面内温度差以内为止。
如以上所述,在本发明第2实施方式的基板处理装置中,在沿着预定的输送路径将无线晶片Ww输送到各加热组件中时,基于输入加热组件中的无线晶片Ww的输入角度,判断在无线晶片Ww的表面形成的第1温度传感器70及第2温度传感器71各自分担的加热区域。即,了解各加热组件中形成在无线晶片Ww的表面的各温度传感器与设置在加热板34内部的各加热器之间的对应。因此,可基于由各加热组件的各温度传感器测定的温度数据,调整各加热器的温度控制参数。
Claims (18)
1.一种加热板的温度测定方法,就基板处理装置测定加热板(34)的温度,所述基板处理装置包括:输送器输入部(B1),将收纳有多个基板(W)的输送器(C)输入;处理组件(U1~U3),包括在加热板(34)上载置前述多个基板(W)而进行热处理的加热组件;输送部(A1~A3),从输送器输入部(B1)接取前述多个基板(W)并输送到前述处理组件(U1~U3)中;
所述方法包括下述工序:
借助前述输送部(A1~A3),将包括温度检测部(41)和具有存储部的基板控制器(42)的温度检测用基板(Ww)沿着预定的输送路径输送到前述加热组件中;
开始指令输出工序,在前述输送路径中的预定位置上,向前述温度检测用基板(Ww)的基板控制器(42)输出温度测定开始指令;
前述温度检测用基板(Ww)接收前述温度测定开始指令而将温度检测值的时间序列数据存储到前述基板控制器(42)的存储部内;和
时间序列数据取出工序,基于从输出前述温度测定开始指令时前述温度检测用基板(Ww)的位置起到前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上为止的输送时间、和前述基板控制器(42)的存储部内的温度检测值的时间序列数据,取出前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上之后的前述温度检测值的时间序列数据。
2.如权利要求1所述的加热板的温度测定方法,其特征在于,在前述时间序列数据取出工序中,调整用计算机(5)取出前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上之后的前述温度检测值的时间序列数据。
3.如权利要求2所述的加热板的温度测定方法,其特征在于,前述加热板的温度测定方法还包括下述工序:基于前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上之后的前述温度检测值的时间序列数据,对包含于前述加热板(34)的加热部(H1~H3)的控制参数进行修正。
4.如权利要求2所述的加热板的温度测定方法,其特征在于,前述加热板(34)分割成多个加热区域,并且通过多个加热部(H1~H3)独立地加热各分割区域,
前述温度检测用基板(Ww)中包含的温度检测部(41)设置在与前述分割区域分别对应的位置上。
5.如权利要求2所述的加热板的温度测定方法,其特征在于,前述加热板(34)在圆周方向上分割成多个加热区域,并且通过多个加热部(H1~H3)独立地加热各分割区域,
前述温度检测用基板(Ww)中包含的温度检测部(41)设有多个,以便进行前述各分割区域的温度检测,
前述加热板的温度测定方法还包括下述工序:基于前述各分割区域的温度检测值的时间序列数据,修正前述各加热部(H1~H3)的控制参数,所述各分割区域的温度检测值的时间序列数据是根据前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上时的前述温度检测用基板(Ww)的朝向和前述各温度检测部(41)的温度检测值的时间序列数据而得到的。
6.如权利要求2所述的加热板的温度测定方法,其特征在于,在前述开始指令输出工序中,收纳前述温度检测用基板(Ww)并被置于输送器输入部(B1)的输送器(Cw)上设置的输送器控制器(45)输出前述温度测定开始指令,前述温度测定开始指令在借助前述输送部(A1~A3)将前述温度检测用基板(Ww)从收纳前述温度检测用基板的输送器(Cw)取出时输出。
7.如权利要求1所述的加热板的温度测定方法,其特征在于,前述加热板的温度测定方法还包括下述工序:基于前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上之后的前述温度检测值的时间序列数据,对前述加热板(34)中包含的加热部(H1~H3)的控制参数进行修正。
8.如权利要求1所述的加热板的温度测定方法,其特征在于,前述加热板(34)分割成多个加热区域,并且通过多个加热部(H1~H3)独立地加热各分割区域,
前述温度检测用基板(Ww)中包含的温度检测部(41)设置在与前述分割区域分别对应的位置上。
9.如权利要求1所述的加热板的温度测定方法,其特征在于,前述加热板(34)在圆周方向上分割成多个加热区域,并且通过多个加热部(H1~H3)独立地加热各分割区域,
前述温度检测用基板(Ww)中包含的温度检测部(41)设有多个,以便进行前述各分割区域的温度检测,
前述加热板的温度测定方法还包括下述工序:基于前述各分割区域的温度检测值的时间序列数据,修正前述各加热部(H1~H3)的控制参数,所述各分割区域的温度检测值的时间序列数据是根据前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上时的前述温度检测用基板(Ww)的朝向和前述各温度检测部(41)的温度检测值的时间序列数据而得到的。
10.如权利要求1所述的加热板的温度测定方法,其特征在于,在前述开始指令输出工序中,收纳前述温度检测用基板(Ww)并被置于输送器输入部(B1)的输送器(Cw)上设置的输送器控制器(45)输出前述温度测定开始指令,前述温度测定开始指令在借助前述输送部(A1~A3)将前述温度检测用基板(Ww)从收纳前述温度检测用基板的输送器(Cw)取出时输出。
11.一种基板处理装置,具备:
输送器输入部(B1),将收纳有多个基板(W)的输送器(C)输入;
处理组件(U1~U3),包括在加热板(34)上载置前述多个基板(W)而进行热处理的加热组件;
输送部(A1~A3),从输送器输入部(B1)接取前述多个基板(W)并输送到前述处理组件(U1~U3)中;
控制部(6、9),控制前述输送部(A1~A3),以便将包括温度检测部(41)和具有存储部的基板控制器(42)的温度检测用基板(Ww)沿着预定的输送路径输送到前述加热组件中;
输送器控制器(45),在前述输送路径中的预定位置上向前述温度检测用基板(Ww)的基板控制器(42)输出温度测定开始指令;
调整用计算机(5),基于从输出前述温度测定开始指令时前述温度检测用基板(Ww)的位置起到前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上为止的输送时间、和接收前述温度测定开始指令而存储到前述温度检测用基板(Ww)中包含的前述基板控制器(42)的存储部内的温度检测值的时间序列数据,取出前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上之后的前述温度检测值的时间序列数据。
12.如权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,前述控制部(6)还基于前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上之后的前述温度检测值的时间序列数据,对前述加热板(34)中包含的加热部(H1~H3)的控制参数进行修正。
13.如权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,前述加热板(34)分割成多个加热区域,并且通过多个加热部(H1~H3)独立地加热各分割区域,
前述温度检测用基板(Ww)中包含的温度检测部(41)设置在与前述分割区域分别对应的位置上。
14.如权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,前述加热板(34)在圆周方向上分割成多个加热区域,并且通过多个加热部(H1~H3)独立地加热各分割区域,
前述温度检测用基板(Ww)中包含的温度检测部(41)设有多个,以便进行前述各分割区域的温度检测,
前述控制部(9)还基于前述各分割区域的温度检测值的时间序列数据,修正前述各加热部(H1~H3)的控制参数,所述各分割区域的温度检测值的时间序列数据是根据前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上时的前述温度检测用基板(Ww)的朝向和前述各温度检测部(41)的温度检测值的时间序列数据而得到的。
15.如权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,前述输送器控制器(45)设置在收纳前述温度检测用基板(Ww)并被置于输送器输入部(B1)的输送器(Cw)上,在借助前述输送部(A1~A3)将前述温度检测用基板(Ww)从收纳前述温度检测用基板的输送器(Cw)取出时输出前述温度测定开始指令。
16.如权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,前述加热板(34)分割成多个加热区域,并且通过多个加热部(H1~H3)独立地加热各分割区域,
前述温度检测用基板(Ww)中包含的温度检测部(41)设置在与前述分割区域分别对应的位置上。
17.如权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,前述加热板(34)在圆周方向上分割成多个加热区域,并且通过多个加热部( 1~H3)独立地加热各分割区域,
前述温度检测用基板(Ww)中包含的温度检测部(41)设有多个,以便进行前述各分割区域的温度检测,
前述控制部(9)还基于前述各分割区域的温度检测值的时间序列数据,修正前述各加热部(H1~H3)的控制参数,所述各分割区域的温度检测值的时间序列数据是根据前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上时的前述温度检测用基板(Ww)的朝向和前述各温度检测部(41)的温度检测值的时间序列数据而得到的。
18.如权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,前述输送器控制器(45)设置在收纳前述温度检测用基板(Ww)并被置于输送器输入部(B1)的输送器(Cw)上,在借助前述输送部(A1~A3)将前述温度检测用基板(Ww)从收纳前述温度检测用基板的输送器(Cw)取出时输出前述温度测定开始指令。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP234765/2004 | 2004-08-11 | ||
JP2004234765 | 2004-08-11 | ||
JP199673/2005 | 2005-07-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101002304A CN101002304A (zh) | 2007-07-18 |
CN100433255C true CN100433255C (zh) | 2008-11-12 |
Family
ID=38693391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005800273243A Active CN100433255C (zh) | 2004-08-11 | 2005-08-08 | 加热板的温度测定方法和基板处理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100433255C (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109524318A (zh) * | 2017-09-19 | 2019-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于烘烤模块的合格性测试方法和系统 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102738028A (zh) * | 2011-04-07 | 2012-10-17 | 旺宏电子股份有限公司 | 晶片倾斜侦测系统 |
CN102541119A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种热板温度控制方法 |
CN106510486B (zh) * | 2016-12-23 | 2023-10-31 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 煎烤机及其加热控制方法和装置 |
JP7170404B2 (ja) | 2018-03-09 | 2022-11-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6942660B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2021-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN112947634B (zh) * | 2021-02-01 | 2022-12-30 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种热盘温度调整方法及一种热盘装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0651346B2 (ja) * | 1990-11-12 | 1994-07-06 | 月島機械株式会社 | 熱成形機の熱板温度制御方式 |
JPH09189613A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置、処理装置及び処理方法 |
JPH11307606A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置の評価方法および評価装置 |
JP2000191183A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-11 | Nec Home Electronics Ltd | プリンタ装置 |
JP2001102275A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理システムおよびそれに用いる加熱処理ユニット |
CN1341275A (zh) * | 1999-02-22 | 2002-03-20 | 施蒂格哈马技术股份公司 | 衬底热处理的装置及方法 |
JP2002124457A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置及び温度測定方法 |
JP2003077816A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置 |
-
2005
- 2005-08-08 CN CNB2005800273243A patent/CN100433255C/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0651346B2 (ja) * | 1990-11-12 | 1994-07-06 | 月島機械株式会社 | 熱成形機の熱板温度制御方式 |
JPH09189613A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置、処理装置及び処理方法 |
JPH11307606A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置の評価方法および評価装置 |
JP2000191183A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-11 | Nec Home Electronics Ltd | プリンタ装置 |
CN1341275A (zh) * | 1999-02-22 | 2002-03-20 | 施蒂格哈马技术股份公司 | 衬底热处理的装置及方法 |
JP2001102275A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理システムおよびそれに用いる加熱処理ユニット |
JP2002124457A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置及び温度測定方法 |
JP2003077816A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109524318A (zh) * | 2017-09-19 | 2019-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于烘烤模块的合格性测试方法和系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101002304A (zh) | 2007-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4343151B2 (ja) | 加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム | |
CN100433255C (zh) | 加热板的温度测定方法和基板处理装置 | |
US7902485B2 (en) | Temperature setting method of thermal processing plate, temperature setting apparatus of thermal processing plate, program, and computer-readable recording medium recording program thereon | |
CN107068588B (zh) | 基板处理装置和基板处理装置的调整方法 | |
JP5107372B2 (ja) | 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 | |
US7868270B2 (en) | Temperature control for performing heat process in coating/developing system for resist film | |
CN1892524B (zh) | 控制方法、温度控制方法、调整装置、温度调节器和热处理装置 | |
KR20080063118A (ko) | 레지스트막을 열처리하기 위한 온도 제어 방법 및 그 장치 | |
WO2008023693A1 (fr) | Machine de développement de revêtement, dispositif de formation de motif de réserve, procédé de développement de revêtement, procédé de formation de motif de réserve, et support de stockage | |
CN101344570B (zh) | 检查方法 | |
US8326559B2 (en) | Substrate processing system, system inspecting method, system inspecting program and recording medium storing the program recorded therein | |
JP6481636B2 (ja) | 熱板の温度測定装置及び熱板の温度測定方法 | |
US7210864B2 (en) | Coating and developing apparatus | |
TWI745734B (zh) | 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法 | |
KR101257536B1 (ko) | 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체 | |
CN112400214B (zh) | 基板处理装置以及基板处理系统 | |
JP2006237260A (ja) | 基板の処理システム,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2010087212A (ja) | 熱処理装置および基板処理装置 | |
JP2005011851A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |