JP2003077816A - 温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置 - Google Patents
温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置Info
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- JP2003077816A JP2003077816A JP2001268438A JP2001268438A JP2003077816A JP 2003077816 A JP2003077816 A JP 2003077816A JP 2001268438 A JP2001268438 A JP 2001268438A JP 2001268438 A JP2001268438 A JP 2001268438A JP 2003077816 A JP2003077816 A JP 2003077816A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に熱的処理を施すプレートの複数の測定
ポイントにおける温度プロファイルを迅速にかつ正確に
計測すること。 【解決手段】 熱板１の１つの計測ポイント２ａ〜２ｄ
に対して例えば４つの位置にそれぞれ温度センサ４ａ〜
４ｄを有する温度検出用基板５を用いてこれら４つの温
度センサ４ａ〜４ｄによりそれぞれ温度を計測し、計測
されたこれらの温度により各温度センサ４ａ〜４ｄの更
正値（Δ４ａ〜Δ４ｄ）を推定しているので、例えば別
の熱板１に対して各温度センサ４ａ〜４ｄにより同時に
かつ正確に温度を計測することが可能になる。従って、
このような複数の温度センサ４ａ〜４ｄを使って熱板１
の複数の計測ポイント２ａ〜２ｄにおける温度プロファ
イルを迅速にかつ正確に計測することができる。
ポイントにおける温度プロファイルを迅速にかつ正確に
計測すること。 【解決手段】 熱板１の１つの計測ポイント２ａ〜２ｄ
に対して例えば４つの位置にそれぞれ温度センサ４ａ〜
４ｄを有する温度検出用基板５を用いてこれら４つの温
度センサ４ａ〜４ｄによりそれぞれ温度を計測し、計測
されたこれらの温度により各温度センサ４ａ〜４ｄの更
正値（Δ４ａ〜Δ４ｄ）を推定しているので、例えば別
の熱板１に対して各温度センサ４ａ〜４ｄにより同時に
かつ正確に温度を計測することが可能になる。従って、
このような複数の温度センサ４ａ〜４ｄを使って熱板１
の複数の計測ポイント２ａ〜２ｄにおける温度プロファ
イルを迅速にかつ正確に計測することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハ等の基板を加熱処理するために用いられる熱板の温度
を計測するための温度計測方法及び温度計測装置に関す
る。
ハ等の基板を加熱処理するために用いられる熱板の温度
を計測するための温度計測方法及び温度計測装置に関す
る。
【０００２】本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板上
にレジストを塗布し、露光後の基板に現像処理を施す装
置や基板上に層間絶縁膜を塗布する装置に係り、特に例
えば基板を加熱処理するために用いられる熱板の温度を
計測するため機能を有する基板処理装置に関する。
にレジストを塗布し、露光後の基板に現像処理を施す装
置や基板上に層間絶縁膜を塗布する装置に係り、特に例
えば基板を加熱処理するために用いられる熱板の温度を
計測するため機能を有する基板処理装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程には、半導体
ウェハ（以下ウェハという）にレジスト膜を形成し、フ
ォト技術を用いて回路パターン等を縮小してレジスト膜
を露光し、これを現像する、フォトリソグラフイといわ
れる一連の工程がある。
ウェハ（以下ウェハという）にレジスト膜を形成し、フ
ォト技術を用いて回路パターン等を縮小してレジスト膜
を露光し、これを現像する、フォトリソグラフイといわ
れる一連の工程がある。
【０００４】このフォトリソグラフィ工程においては、
回路パターンの微細化に伴いレジストパターンの線幅を
精密に制御することが重要になってきている。このよう
なレジストパターンの線幅は、露光前後の加熱処理の温
度やレジスト塗布時の条件等、様々な条件によって変動
する。
回路パターンの微細化に伴いレジストパターンの線幅を
精密に制御することが重要になってきている。このよう
なレジストパターンの線幅は、露光前後の加熱処理の温
度やレジスト塗布時の条件等、様々な条件によって変動
する。
【０００５】一般に、上記の露光前後の加熱処理は熱板
上にウェハを載置することによって行われるが、かかる
熱板の温度が領域的に或いは時間的にばらつくとレジス
トパターンの線幅に影響を与えるため、熱板の温度を高
精度に制御することが要求される。特に、最近では、１
つの熱板で各種の温度に迅速に対応することが要求され
ることから、熱板が非常に薄くなる傾向にある。この場
合には熱板の熱容量が非常に小さいことから熱板の温度
が領域的に或いは時間的にばらつく可能性が高く、従っ
て熱板を複数の領域に分割して領域ごとに温度制御を別
個に行っている。すなわち、領域ごとにヒータや温度セ
ンサを別個に設け、これにより熱板の温度を高精度に制
御している。
上にウェハを載置することによって行われるが、かかる
熱板の温度が領域的に或いは時間的にばらつくとレジス
トパターンの線幅に影響を与えるため、熱板の温度を高
精度に制御することが要求される。特に、最近では、１
つの熱板で各種の温度に迅速に対応することが要求され
ることから、熱板が非常に薄くなる傾向にある。この場
合には熱板の熱容量が非常に小さいことから熱板の温度
が領域的に或いは時間的にばらつく可能性が高く、従っ
て熱板を複数の領域に分割して領域ごとに温度制御を別
個に行っている。すなわち、領域ごとにヒータや温度セ
ンサを別個に設け、これにより熱板の温度を高精度に制
御している。
【０００６】ところで、このような熱板の温度プロファ
イルは製品ごとに個体差を有する。すなわち、個々の熱
板はそれぞれ温度プロファイルが異なり、これらのプロ
ファイルは上記の温度制御の重要なパラメータとなる。
イルは製品ごとに個体差を有する。すなわち、個々の熱
板はそれぞれ温度プロファイルが異なり、これらのプロ
ファイルは上記の温度制御の重要なパラメータとなる。
【０００７】従来から、このような熱板の温度プロファ
イルの計測は、熱板の複数の測定ポイント（例えば温度
制御を別個に行っている各領域に対応する測定ポイン
ト）に対応する位置にそれぞれ温度センサが埋め込まれ
たウェハを熱板上に載置して加熱し、これらの温度セン
サにより同時に複数の測定ポイントの温度を計測するこ
とによって行っている。
イルの計測は、熱板の複数の測定ポイント（例えば温度
制御を別個に行っている各領域に対応する測定ポイン
ト）に対応する位置にそれぞれ温度センサが埋め込まれ
たウェハを熱板上に載置して加熱し、これらの温度セン
サにより同時に複数の測定ポイントの温度を計測するこ
とによって行っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の熱板の温度プロファイルの計測方法では、温
度センサに個体差があり、またこのような温度センサが
埋め込まれたウェハの反りによりこのようなウェハが熱
板に載置された際に熱板との間に浮きが生じる領域もあ
って、熱板の複数の測定ポイントにおける温度を同時に
かつ正確に計測することができない、という問題があ
る。
うな従来の熱板の温度プロファイルの計測方法では、温
度センサに個体差があり、またこのような温度センサが
埋め込まれたウェハの反りによりこのようなウェハが熱
板に載置された際に熱板との間に浮きが生じる領域もあ
って、熱板の複数の測定ポイントにおける温度を同時に
かつ正確に計測することができない、という問題があ
る。
【０００９】本発明は、このような事情に基づきなされ
たもので、基板に熱的処理を施すプレートの複数の測定
ポイントにおける温度プロファイルを迅速にかつ正確に
計測することができる温度計測方法、温度計測装置及び
基板処理装置を提供することを目的としている。
たもので、基板に熱的処理を施すプレートの複数の測定
ポイントにおける温度プロファイルを迅速にかつ正確に
計測することができる温度計測方法、温度計測装置及び
基板処理装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の主たる観点に係る温度計測方法は、基板に
熱的処理を施すためのプレートの温度を計測する方法で
あって、前記基板の少なくとも２つの位置にそれぞれ第
１の及び第２の温度センサが埋め込まれた温度検出用基
板を、前記プレートの計測ポイントと前記第１の温度セ
ンサとがほぼ一致するように、前記プレート上に載置
し、前記第１の温度センサにより第１の温度を計測する
工程と、前記プレートの計測ポイントと前記第２の温度
センサとがほぼ一致するように、前記温度検出用基板を
前記プレート上に載置し、前記第２の温度センサにより
第２の温度を計測する工程と、前記第１及び第２の温度
に応じて、前記第１及び第２の温度センサの更正値を推
定する工程と、前記温度検出用基板を前記プレート上に
載置し、前記第１及び第２の温度センサにより前記プレ
ート上の各所望位置の温度を計測する工程と、前記計測
された所望位置の各温度を前記各更正値により更正する
工程とを具備することを特徴とするものである。
め、本発明の主たる観点に係る温度計測方法は、基板に
熱的処理を施すためのプレートの温度を計測する方法で
あって、前記基板の少なくとも２つの位置にそれぞれ第
１の及び第２の温度センサが埋め込まれた温度検出用基
板を、前記プレートの計測ポイントと前記第１の温度セ
ンサとがほぼ一致するように、前記プレート上に載置
し、前記第１の温度センサにより第１の温度を計測する
工程と、前記プレートの計測ポイントと前記第２の温度
センサとがほぼ一致するように、前記温度検出用基板を
前記プレート上に載置し、前記第２の温度センサにより
第２の温度を計測する工程と、前記第１及び第２の温度
に応じて、前記第１及び第２の温度センサの更正値を推
定する工程と、前記温度検出用基板を前記プレート上に
載置し、前記第１及び第２の温度センサにより前記プレ
ート上の各所望位置の温度を計測する工程と、前記計測
された所望位置の各温度を前記各更正値により更正する
工程とを具備することを特徴とするものである。
【００１１】ここで、「基板に熱的処理を施すためのプ
レート」には、基板を加熱するための熱板の他に、基板
の温度を整える温調板や基板を冷却するための冷却板も
含まれる。
レート」には、基板を加熱するための熱板の他に、基板
の温度を整える温調板や基板を冷却するための冷却板も
含まれる。
【００１２】本発明の他の観点に係る温度計測装置は、
基板に熱的処理を施すためのプレートの温度を計測する
装置であって、前記基板の少なくとも２つの位置にそれ
ぞれ第１の及び第２の温度センサが埋め込まれた温度検
出用基板と、前記第１の及び第２の温度センサにより計
測された前記プレートのほぼ同一計測ポイントにおける
第１及び第２の温度に応じて、前記第１及び第２の温度
センサの更正値を推定する手段と、前記第１及び第２の
温度センサにより計測された前記プレート上の各所望位
置の温度を前記各更正値により更正する手段とを具備す
ることを特徴とするものである。
基板に熱的処理を施すためのプレートの温度を計測する
装置であって、前記基板の少なくとも２つの位置にそれ
ぞれ第１の及び第２の温度センサが埋め込まれた温度検
出用基板と、前記第１の及び第２の温度センサにより計
測された前記プレートのほぼ同一計測ポイントにおける
第１及び第２の温度に応じて、前記第１及び第２の温度
センサの更正値を推定する手段と、前記第１及び第２の
温度センサにより計測された前記プレート上の各所望位
置の温度を前記各更正値により更正する手段とを具備す
ることを特徴とするものである。
【００１３】本発明の別の観点に係る基板処理装置は、
基板上にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板に
現像処理を施す現像部と、前記基板に熱的処理を施すた
めの第１のプレートを有する熱的処理部と、前記基板の
少なくとも２つの位置にそれぞれ第１の及び第２の温度
センサが埋め込まれた温度検出用基板を収容する収容部
と、前記温度検出用基板に熱的処理を施すための第２の
プレートを有すると共に、前記温度測定用基板及び前記
第２のプレートのうち少なくとも一方を回転させる回転
機構を有する温度更正用熱的処理部と、少なくとも各部
間で基板を搬入出する基板搬送部と、前記第１の及び第
２の温度センサにより計測された前記第２のプレートの
ほぼ同一計測ポイントにおける第１及び第２の温度に応
じて、前記第１及び第２の温度センサの更正値を推定す
る手段と、前記第１及び第２の温度センサにより計測さ
れた前記第１のプレート上の各所望位置の温度を前記各
更正値により更正する手段とを具備することを特徴とす
るものである。
基板上にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板に
現像処理を施す現像部と、前記基板に熱的処理を施すた
めの第１のプレートを有する熱的処理部と、前記基板の
少なくとも２つの位置にそれぞれ第１の及び第２の温度
センサが埋め込まれた温度検出用基板を収容する収容部
と、前記温度検出用基板に熱的処理を施すための第２の
プレートを有すると共に、前記温度測定用基板及び前記
第２のプレートのうち少なくとも一方を回転させる回転
機構を有する温度更正用熱的処理部と、少なくとも各部
間で基板を搬入出する基板搬送部と、前記第１の及び第
２の温度センサにより計測された前記第２のプレートの
ほぼ同一計測ポイントにおける第１及び第２の温度に応
じて、前記第１及び第２の温度センサの更正値を推定す
る手段と、前記第１及び第２の温度センサにより計測さ
れた前記第１のプレート上の各所望位置の温度を前記各
更正値により更正する手段とを具備することを特徴とす
るものである。
【００１４】本発明のまた別の観点に係る基板処理装置
は、基板上に層間絶縁膜を塗布する塗布部と、前記基板
に熱的処理を施すための第１のプレートを有する熱的処
理部と、前記基板の少なくとも２つの位置にそれぞれ第
１の及び第２の温度センサが埋め込まれた温度検出用基
板を収容する収容部と、前記温度検出用基板に熱的処理
を施すための第２のプレートを有すると共に、前記温度
測定用基板及び前記第２のプレートのうち少なくとも一
方を回転させる回転機構を有する温度更正用熱的処理部
と、少なくとも各部間で基板を搬入出する基板搬送部
と、前記第１の及び第２の温度センサにより計測された
前記第２のプレートのほぼ同一計測ポイントにおける第
１及び第２の温度に応じて、前記第１及び第２の温度セ
ンサの更正値を推定する手段と、前記第１及び第２の温
度センサにより計測された前記第１のプレート上の各所
望位置の温度を前記各更正値により更正する手段とを具
備することを特徴とするものである。
は、基板上に層間絶縁膜を塗布する塗布部と、前記基板
に熱的処理を施すための第１のプレートを有する熱的処
理部と、前記基板の少なくとも２つの位置にそれぞれ第
１の及び第２の温度センサが埋め込まれた温度検出用基
板を収容する収容部と、前記温度検出用基板に熱的処理
を施すための第２のプレートを有すると共に、前記温度
測定用基板及び前記第２のプレートのうち少なくとも一
方を回転させる回転機構を有する温度更正用熱的処理部
と、少なくとも各部間で基板を搬入出する基板搬送部
と、前記第１の及び第２の温度センサにより計測された
前記第２のプレートのほぼ同一計測ポイントにおける第
１及び第２の温度に応じて、前記第１及び第２の温度セ
ンサの更正値を推定する手段と、前記第１及び第２の温
度センサにより計測された前記第１のプレート上の各所
望位置の温度を前記各更正値により更正する手段とを具
備することを特徴とするものである。
【００１５】本発明では、例えばプレートの１つの計測
ポイントに対して例えば２つの位置にそれぞれ第１の及
び第２の温度センサを有する温度検出用基板を用いてこ
れら２つの温度センサによりそれぞれ温度を計測し、計
測されたこれらの温度により第１及び第２の温度センサ
の更正値を推定しているので、第１及び第２の温度セン
サにより同時にかつ正確にプレートの温度を計測するこ
とが可能になる。従って、このような複数の温度センサ
を使ってプレートの複数の計測ポイントにおける温度プ
ロファイルを迅速にかつ正確に計測することができる。
ポイントに対して例えば２つの位置にそれぞれ第１の及
び第２の温度センサを有する温度検出用基板を用いてこ
れら２つの温度センサによりそれぞれ温度を計測し、計
測されたこれらの温度により第１及び第２の温度センサ
の更正値を推定しているので、第１及び第２の温度セン
サにより同時にかつ正確にプレートの温度を計測するこ
とが可能になる。従って、このような複数の温度センサ
を使ってプレートの複数の計測ポイントにおける温度プ
ロファイルを迅速にかつ正確に計測することができる。
【００１６】本発明の一の形態によれば、前記第１の温
度センサと前記第２の温度センサとは前記温度測定用基
板のほぼ同心円となる位置に配置されていることを特徴
とするものである。これにより、１つの温度センサによ
り計測ポイントを計測した後に、温度測定用基板やプレ
ートを回転させるだけで計測ポイントに対してもう１つ
の温度センサを位置合わせすることができるようにな
る。
度センサと前記第２の温度センサとは前記温度測定用基
板のほぼ同心円となる位置に配置されていることを特徴
とするものである。これにより、１つの温度センサによ
り計測ポイントを計測した後に、温度測定用基板やプレ
ートを回転させるだけで計測ポイントに対してもう１つ
の温度センサを位置合わせすることができるようにな
る。
【００１７】本発明の一の形態によれば、前記プレート
の計測ポイントが前記プレート上の少なくとも２ヶ所に
設けられていることを特徴とするものである。これによ
り、サンプル数が増え、プレートの温度プロファイルを
より正確に計測することができるようになる。
の計測ポイントが前記プレート上の少なくとも２ヶ所に
設けられていることを特徴とするものである。これによ
り、サンプル数が増え、プレートの温度プロファイルを
より正確に計測することができるようになる。
【００１８】本発明の一の形態によれば、前記第１及び
第２の温度センサはそれぞれ前記プレートの各計測ポイ
ントに対応するような前記温度計測用基板の位置に埋め
込まれていることを特徴とするものである。これによ
り、複数の計測ポイントに対して第１の及び第２の温度
センサにより同時に温度の計測が可能となり、効率よく
温度計測を行うことができる。
第２の温度センサはそれぞれ前記プレートの各計測ポイ
ントに対応するような前記温度計測用基板の位置に埋め
込まれていることを特徴とするものである。これによ
り、複数の計測ポイントに対して第１の及び第２の温度
センサにより同時に温度の計測が可能となり、効率よく
温度計測を行うことができる。
【００１９】本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と
利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認
することができる。
利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認
することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。 （第１の実施形態）図１は第１の実施形態に係る温度計
測装置の構成を示す図である。
に基づき説明する。 （第１の実施形態）図１は第１の実施形態に係る温度計
測装置の構成を示す図である。
【００２１】図１において、符号１は計測対象である熱
板を示している。この熱板１は、半導体の製造工程にお
いてウェハを加熱処理するために用いられるものであ
る。この熱板１では、例えば点線で分割された４つの領
域がそれそれ別個に温度制御が行われるようになってい
る。従って、この熱板１上には、同心円となる位置上に
９０°の間隔で４箇所に計測ポイント２ａ〜２ｄがあ
る。
板を示している。この熱板１は、半導体の製造工程にお
いてウェハを加熱処理するために用いられるものであ
る。この熱板１では、例えば点線で分割された４つの領
域がそれそれ別個に温度制御が行われるようになってい
る。従って、この熱板１上には、同心円となる位置上に
９０°の間隔で４箇所に計測ポイント２ａ〜２ｄがあ
る。
【００２２】温度計測装置３は、ウェハＷの複数の位
置、ここでは熱板１における計測ポイント２ａ〜２ｄに
対応する４箇所の位置にそれぞれＲＤＳセンサ等の温度
センサ４ａ〜４ｄが埋め込まれた温度計測用基板５と、
各温度センサ４ａ〜４ｄの出力から計測ポイント２ａ〜
２ｄの温度を算出する計測温度算出装置６とを有する。
置、ここでは熱板１における計測ポイント２ａ〜２ｄに
対応する４箇所の位置にそれぞれＲＤＳセンサ等の温度
センサ４ａ〜４ｄが埋め込まれた温度計測用基板５と、
各温度センサ４ａ〜４ｄの出力から計測ポイント２ａ〜
２ｄの温度を算出する計測温度算出装置６とを有する。
【００２３】温度計測用基板５と計測温度算出装置６と
は、ケーブル７を介して接続され、温度センサ４ａ〜４
ｄの出力はケーブル７を介して計測温度算出装置６に送
出されるようになっているが、例えば温度計測用基板５
から計測温度算出装置６に対して無線によりデータを送
出するようにしても良いし、温度計測用基板５にデータ
蓄積用のメモリを設けて必要なときにメモリから計測温
度算出装置６に送出するようにしても構わない。
は、ケーブル７を介して接続され、温度センサ４ａ〜４
ｄの出力はケーブル７を介して計測温度算出装置６に送
出されるようになっているが、例えば温度計測用基板５
から計測温度算出装置６に対して無線によりデータを送
出するようにしても良いし、温度計測用基板５にデータ
蓄積用のメモリを設けて必要なときにメモリから計測温
度算出装置６に送出するようにしても構わない。
【００２４】計測温度算出装置６は、各温度センサ４ａ
〜４ｄにより計測された熱板１の各計測ポイント２ａ〜
２ｄにおける温度（４ａ〜４ｄ×２ａ〜２ｄ）に応じ
て、各温度センサ４ａ〜４ｄの更正値を推定する推定部
６ａと、温度センサ４ａ〜４ｄにより計測された熱板１
上の計測ポイント２ａ〜２ｄの温度を各更正値により更
正する温度更正部６ｂと、算出された温度等を表示する
表示部６ｃとを備える。なお、このような計測温度算出
装置６は汎用のコンピュータと所定のソフトウエアとに
よって構成しても勿論構わない。
〜４ｄにより計測された熱板１の各計測ポイント２ａ〜
２ｄにおける温度（４ａ〜４ｄ×２ａ〜２ｄ）に応じ
て、各温度センサ４ａ〜４ｄの更正値を推定する推定部
６ａと、温度センサ４ａ〜４ｄにより計測された熱板１
上の計測ポイント２ａ〜２ｄの温度を各更正値により更
正する温度更正部６ｂと、算出された温度等を表示する
表示部６ｃとを備える。なお、このような計測温度算出
装置６は汎用のコンピュータと所定のソフトウエアとに
よって構成しても勿論構わない。
【００２５】次に、このように構成された温度計測装置
３による温度計測方法を説明する。
３による温度計測方法を説明する。
【００２６】図２はこの温度計測方法を示す工程図であ
る。図３は各工程を説明するための図である。
る。図３は各工程を説明するための図である。
【００２７】まず、図３（ａ）に示すように、温度セン
サ４ａと計測ポイント２ａ、温度センサ４ｂと計測ポイ
ント２ｂ、温度センサ４ｃと計測ポイント２ｃ、温度セ
ンサ４ｄと計測ポイント２ｄとがそれぞれ一致するよう
に、温度計測用基板５を所定の加熱温度（例えば５０
℃）に設定された熱板１上に載置し（ステップ２０
１）、各温度センサ４ａ〜４ｄの出力を計測温度算出装
置６に取り込む(ステップ２０２)。
サ４ａと計測ポイント２ａ、温度センサ４ｂと計測ポイ
ント２ｂ、温度センサ４ｃと計測ポイント２ｃ、温度セ
ンサ４ｄと計測ポイント２ｄとがそれぞれ一致するよう
に、温度計測用基板５を所定の加熱温度（例えば５０
℃）に設定された熱板１上に載置し（ステップ２０
１）、各温度センサ４ａ〜４ｄの出力を計測温度算出装
置６に取り込む(ステップ２０２)。
【００２８】次に、図３（ｂ）に示すように、温度セン
サ４ａと計測ポイント２ｂ、温度センサ４ｂと計測ポイ
ント２ｃ、温度センサ４ｃと計測ポイント２ｄ、温度セ
ンサ４ｄと計測ポイント２ａとがそれぞれ一致するよう
に、温度測定用基板５を熱板１に対して９０°回転させ
（ステップ２０３）、各温度センサ４ａ〜４ｄの出力を
計測温度算出装置６に取り込む(ステップ２０４)。
サ４ａと計測ポイント２ｂ、温度センサ４ｂと計測ポイ
ント２ｃ、温度センサ４ｃと計測ポイント２ｄ、温度セ
ンサ４ｄと計測ポイント２ａとがそれぞれ一致するよう
に、温度測定用基板５を熱板１に対して９０°回転させ
（ステップ２０３）、各温度センサ４ａ〜４ｄの出力を
計測温度算出装置６に取り込む(ステップ２０４)。
【００２９】次に、図３（ｃ）に示すように、温度セン
サ４ａと計測ポイント２ｃ、温度センサ４ｂと計測ポイ
ント２ｄ、温度センサ４ｃと計測ポイント２ａ、温度セ
ンサ４ｄと計測ポイント２ｂとがそれぞれ一致するよう
に、温度測定用基板５を熱板１に対して更に９０°回転
させ（ステップ２０５）、各温度センサ４ａ〜４ｄの出
力を計測温度算出装置６に取り込む(ステップ２０６)。
サ４ａと計測ポイント２ｃ、温度センサ４ｂと計測ポイ
ント２ｄ、温度センサ４ｃと計測ポイント２ａ、温度セ
ンサ４ｄと計測ポイント２ｂとがそれぞれ一致するよう
に、温度測定用基板５を熱板１に対して更に９０°回転
させ（ステップ２０５）、各温度センサ４ａ〜４ｄの出
力を計測温度算出装置６に取り込む(ステップ２０６)。
【００３０】次に、図３（ｄ）に示すように、温度セン
サ４ａと計測ポイント２ｄ、温度センサ４ｂと計測ポイ
ント２ａ、温度センサ４ｃと計測ポイント２ｂ、温度セ
ンサ４ｄと計測ポイント２ｃとがそれぞれ一致するよう
に、温度測定用基板５を熱板１に対して更に９０°回転
させ（ステップ２０７）、各温度センサ４ａ〜４ｄの出
力を計測温度算出装置６に取り込む(ステップ２０８)。
サ４ａと計測ポイント２ｄ、温度センサ４ｂと計測ポイ
ント２ａ、温度センサ４ｃと計測ポイント２ｂ、温度セ
ンサ４ｄと計測ポイント２ｃとがそれぞれ一致するよう
に、温度測定用基板５を熱板１に対して更に９０°回転
させ（ステップ２０７）、各温度センサ４ａ〜４ｄの出
力を計測温度算出装置６に取り込む(ステップ２０８)。
【００３１】以上の計測を例えば熱板１を５０℃程度上
昇させながら、例えば３００℃まで行い、データを収集
する（ステップ２０９、２１０）。
昇させながら、例えば３００℃まで行い、データを収集
する（ステップ２０９、２１０）。
【００３２】これにより、各温度センサ４ａ〜４ｄによ
り計測された熱板１の各計測ポイント２ａ〜２ｄにおけ
る温度（４ａ〜４ｄ×２ａ〜２ｄ＠５０℃、１００℃、
１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃）に関するデ
ータが計測温度算出装置６に取り込まれることになる。
り計測された熱板１の各計測ポイント２ａ〜２ｄにおけ
る温度（４ａ〜４ｄ×２ａ〜２ｄ＠５０℃、１００℃、
１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃）に関するデ
ータが計測温度算出装置６に取り込まれることになる。
【００３３】次に、計測温度算出装置６では、推定部６
ａがこれらの温度（４ａ〜４ｄ×２ａ〜２ｄ）に関する
データに応じて、各温度センサ４ａ〜４ｄの更正値を推
定する（ステップ２１１）。この更正値の推定は、例え
ば各温度（５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、２
５０℃、３００℃）毎に４つの計測ポイント２ａ〜２ｄ
においてそれぞれ４つの温度センサ４ａ〜４ｄにより温
度計測が行われているが、各温度（５０℃、１００℃、
１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃）毎に各計測
ポイントにおける４つの温度センサ４ａ〜４ｄによる計
測結果の平均値を求め（４つの計測ポイント２ａ〜２ｄ
で一致する。）、各平均値と各温度センサ４ａ〜４ｄに
より実際に計測された温度との差分を各温度センサ４ａ
〜４ｄの更正値（Δ４ａ〜Δ４ｄ）と推定している。
ａがこれらの温度（４ａ〜４ｄ×２ａ〜２ｄ）に関する
データに応じて、各温度センサ４ａ〜４ｄの更正値を推
定する（ステップ２１１）。この更正値の推定は、例え
ば各温度（５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、２
５０℃、３００℃）毎に４つの計測ポイント２ａ〜２ｄ
においてそれぞれ４つの温度センサ４ａ〜４ｄにより温
度計測が行われているが、各温度（５０℃、１００℃、
１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃）毎に各計測
ポイントにおける４つの温度センサ４ａ〜４ｄによる計
測結果の平均値を求め（４つの計測ポイント２ａ〜２ｄ
で一致する。）、各平均値と各温度センサ４ａ〜４ｄに
より実際に計測された温度との差分を各温度センサ４ａ
〜４ｄの更正値（Δ４ａ〜Δ４ｄ）と推定している。
【００３４】以上により各温度センサ４ａ〜４ｄの温度
毎の更正値（Δ４ａ〜Δ４ｄ）が推定され、これにより
熱板１の温度プロファイルを正確に計測することができ
るようになる。すなわち、温度プロファイルが必要な新
たな熱板１に対して、例えば図１に示したように、上記
のように更正値が推定されている温度センサ４ａ〜４ｄ
を有する温度計測用基板５を載置して各温度（５０℃、
１００℃、１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃）
毎に計測温度算出装置６に計測データ（Ｔ４ａ〜
Ｔ４ｄ）を取り込む（ステップ２１２）。
毎の更正値（Δ４ａ〜Δ４ｄ）が推定され、これにより
熱板１の温度プロファイルを正確に計測することができ
るようになる。すなわち、温度プロファイルが必要な新
たな熱板１に対して、例えば図１に示したように、上記
のように更正値が推定されている温度センサ４ａ〜４ｄ
を有する温度計測用基板５を載置して各温度（５０℃、
１００℃、１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃）
毎に計測温度算出装置６に計測データ（Ｔ４ａ〜
Ｔ４ｄ）を取り込む（ステップ２１２）。
【００３５】次に、計測温度算出装置６における温度更
正部６ｂが、各温度（５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃、２５０℃、３００℃）毎に温度センサ４ａ〜４
ｄにより計測された熱板１上の計測ポイント２ａ〜２ｄ
の温度の計測データ（Ｔ４ａ〜Ｔ４ｄ）を各更正値（Δ
４ａ〜Δ４ｄ）により更正する（ステップ２１３）。例
えば、温度センサ４ａによる更正後の温度はＴ４ａ−Δ
４ａ、温度センサ４ｂによる更正後の温度はＴ４ｂ−Δ
４ｂ、温度センサ４ｃによる更正後の温度はＴ ４ｃ−Δ
４ｃ、温度センサ４ｄによる更正後の温度はＴ４ｄ−Δ
４ｄであり、これを各温度（５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃、２５０℃、３００℃）毎に求めることで
熱板１の温度プロファイルが求められ、このプロファイ
ルが例えば表示部６ｃに表示される。
正部６ｂが、各温度（５０℃、１００℃、１５０℃、２
００℃、２５０℃、３００℃）毎に温度センサ４ａ〜４
ｄにより計測された熱板１上の計測ポイント２ａ〜２ｄ
の温度の計測データ（Ｔ４ａ〜Ｔ４ｄ）を各更正値（Δ
４ａ〜Δ４ｄ）により更正する（ステップ２１３）。例
えば、温度センサ４ａによる更正後の温度はＴ４ａ−Δ
４ａ、温度センサ４ｂによる更正後の温度はＴ４ｂ−Δ
４ｂ、温度センサ４ｃによる更正後の温度はＴ ４ｃ−Δ
４ｃ、温度センサ４ｄによる更正後の温度はＴ４ｄ−Δ
４ｄであり、これを各温度（５０℃、１００℃、１５０
℃、２００℃、２５０℃、３００℃）毎に求めることで
熱板１の温度プロファイルが求められ、このプロファイ
ルが例えば表示部６ｃに表示される。
【００３６】このように本実施形態によれば、例えば熱
板１の１つの計測ポイント２ａ〜２ｄに対して例えば４
つの位置にそれぞれ温度センサ４ａ〜４ｄを有する温度
検出用基板５を用いてこれら４つの温度センサ４ａ〜４
ｄによりそれぞれ温度を計測し、計測されたこれらの温
度により各温度センサ４ａ〜４ｄの更正値（Δ４ａ〜Δ
４ｄ）を推定しているので、例えば別の熱板１に対して
各温度センサ４ａ〜４ｄにより同時にかつ正確に温度を
計測することが可能になる。従って、このような複数の
温度センサ４ａ〜４ｄを使って熱板１の複数の計測ポイ
ント２ａ〜２ｄにおける温度プロファイルを迅速にかつ
正確に計測することができる。
板１の１つの計測ポイント２ａ〜２ｄに対して例えば４
つの位置にそれぞれ温度センサ４ａ〜４ｄを有する温度
検出用基板５を用いてこれら４つの温度センサ４ａ〜４
ｄによりそれぞれ温度を計測し、計測されたこれらの温
度により各温度センサ４ａ〜４ｄの更正値（Δ４ａ〜Δ
４ｄ）を推定しているので、例えば別の熱板１に対して
各温度センサ４ａ〜４ｄにより同時にかつ正確に温度を
計測することが可能になる。従って、このような複数の
温度センサ４ａ〜４ｄを使って熱板１の複数の計測ポイ
ント２ａ〜２ｄにおける温度プロファイルを迅速にかつ
正確に計測することができる。
【００３７】なお、上述した実施形態では、ウェハを加
熱するための熱板１を例にとり説明したが、基板の温度
を整える温調板や基板を冷却するための冷却板について
も本発明を適用することが可能である。
熱するための熱板１を例にとり説明したが、基板の温度
を整える温調板や基板を冷却するための冷却板について
も本発明を適用することが可能である。
【００３８】また、上述した実施形態では、測定ポイン
トや温度センサの数画４つであったが、当然、これより
も少なくても多くても構わない。
トや温度センサの数画４つであったが、当然、これより
も少なくても多くても構わない。
【００３９】更に、基板としてはウェハばかりでなく、
ガラス基板やＣＤ基板等の他の基板であっても勿論構わ
ない。 (第２の実施形態)次に、本発明の第２の実施形態を説明
する。
ガラス基板やＣＤ基板等の他の基板であっても勿論構わ
ない。 (第２の実施形態)次に、本発明の第２の実施形態を説明
する。
【００４０】この第２の実施形態は半導体ウェハに対し
てレジストを塗布し、露光後のウェハに対して現像処理
を施すレジスト塗布現像システムに本発明を適用したも
のである。
てレジストを塗布し、露光後のウェハに対して現像処理
を施すレジスト塗布現像システムに本発明を適用したも
のである。
【００４１】図４はこのレジスト塗布現像システムの平
面図、図５はその正面図、図６はその背面図である。
面図、図５はその正面図、図６はその背面図である。
【００４２】図４に示すように、このレジスト塗布現像
システム１０１は、半導体ウェハに化学増幅型レジスト
を塗布し現像するシステムにおいて、カセットステーシ
ョン１０、処理ステーション１１及びインターフェース
部１２を一体的に接続した構成を有している。
システム１０１は、半導体ウェハに化学増幅型レジスト
を塗布し現像するシステムにおいて、カセットステーシ
ョン１０、処理ステーション１１及びインターフェース
部１２を一体的に接続した構成を有している。
【００４３】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａ
の位置に複数個（例えば４個）のカセットＣが、それぞ
れのウェハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けて
Ｘ方向（図１中の上下方向）一列に載置される。またこ
のカセットＣ配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収
容されたウェハＷのウェハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方
向）に移動可能なウェハ搬送装置２１が、搬送路２１ａ
に沿って移動自在に設けられており、各カセットＣに選
択的にアクセスするように構成されている。
すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａ
の位置に複数個（例えば４個）のカセットＣが、それぞ
れのウェハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けて
Ｘ方向（図１中の上下方向）一列に載置される。またこ
のカセットＣ配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収
容されたウェハＷのウェハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方
向）に移動可能なウェハ搬送装置２１が、搬送路２１ａ
に沿って移動自在に設けられており、各カセットＣに選
択的にアクセスするように構成されている。
【００４４】またウェハ搬送装置２１は、θ方向にも回
動自在に構成されており、後述するように処理ステーシ
ョン１１側の第３の処理装置群Ｇ３の多段装置部に属す
るアライメント装置（ＡＬＩＭ）及びエクステンション
装置（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
動自在に構成されており、後述するように処理ステーシ
ョン１１側の第３の処理装置群Ｇ３の多段装置部に属す
るアライメント装置（ＡＬＩＭ）及びエクステンション
装置（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００４５】前記処理ステーション１１では、図４に示
すように、その中心部には垂直搬送型の主搬送装置２２
が設けられ、その周りに処理室としての各種処理装置が
１組または複数の組毎に多段集積配置されて処理装置群
を構成している。この実施形態のレジスト塗布現像シス
テム１０１においては、５つの処理装置群Ｇ１、Ｇ２、
Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置されており、第１及び第２の処
理装置群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置され、第３
の処理装置群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接し
て配置され、第４の処理装置群Ｇ４はインターフェース
部１２に隣接して配置され、更に破線で示した第５の処
理装置群Ｇ５は背面側に配置されている。主搬送装置２
２は、θ方向に回転自在かつＺ方向に移動可能に構成さ
れており、各処理装置群Ｇ１〜Ｇ５の間でのウェハＷの
受け渡しを行うようになっている。
すように、その中心部には垂直搬送型の主搬送装置２２
が設けられ、その周りに処理室としての各種処理装置が
１組または複数の組毎に多段集積配置されて処理装置群
を構成している。この実施形態のレジスト塗布現像シス
テム１０１においては、５つの処理装置群Ｇ１、Ｇ２、
Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置されており、第１及び第２の処
理装置群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置され、第３
の処理装置群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接し
て配置され、第４の処理装置群Ｇ４はインターフェース
部１２に隣接して配置され、更に破線で示した第５の処
理装置群Ｇ５は背面側に配置されている。主搬送装置２
２は、θ方向に回転自在かつＺ方向に移動可能に構成さ
れており、各処理装置群Ｇ１〜Ｇ５の間でのウェハＷの
受け渡しを行うようになっている。
【００４６】第１の処理装置群Ｇ１では、図５に示すよ
うに、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せ
て所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置、例えば
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥ
Ｖ）が、上下方向に２段に重ねられている。そして第１
の処理装置群Ｇ１と同様に、第２の処理装置群Ｇ２にお
いても、２台のスピンナ型処理装置、例えばレジスト液
塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）が上下
方向に２段に重ねられている。
うに、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せ
て所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置、例えば
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥ
Ｖ）が、上下方向に２段に重ねられている。そして第１
の処理装置群Ｇ１と同様に、第２の処理装置群Ｇ２にお
いても、２台のスピンナ型処理装置、例えばレジスト液
塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）が上下
方向に２段に重ねられている。
【００４７】第３の処理装置群Ｇ３では、図６に示すよ
うに、ウェハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオープン型の処理装置、例えば冷却処理を行う
冷却処理装置（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるた
めのいわゆる疎水化処理を行う疎水化処理装置（Ａ
Ｄ）、位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩ
Ｍ）、エクステンション装置（ＥＸＴ）、露光処理前の
加熱処理を行うプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）、ポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）、及びポ
ストエキスポージャーベーキング装置（ＰＥＢ）が下か
ら順に、例えば８段に重ねられている。
うに、ウェハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオープン型の処理装置、例えば冷却処理を行う
冷却処理装置（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるた
めのいわゆる疎水化処理を行う疎水化処理装置（Ａ
Ｄ）、位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩ
Ｍ）、エクステンション装置（ＥＸＴ）、露光処理前の
加熱処理を行うプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）、ポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）、及びポ
ストエキスポージャーベーキング装置（ＰＥＢ）が下か
ら順に、例えば８段に重ねられている。
【００４８】第４の処理装置群Ｇ４では、後述する温度
計測装置１００、冷却処理も兼ねたエクステンション・
冷却処理装置（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンション装置
（ＥＸＴ）、疎水化処理装置（ＡＤ）、プリベーキング
装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキング装置（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられてい
る。
計測装置１００、冷却処理も兼ねたエクステンション・
冷却処理装置（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンション装置
（ＥＸＴ）、疎水化処理装置（ＡＤ）、プリベーキング
装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキング装置（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられてい
る。
【００４９】インターフェース部１２は、図４に示すよ
うに、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ステ
ーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向については
より小さなサイズに設定されている。図４及び図５に示
すように、このインターフェース部１２の正面側には、
可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッフ
ァカセット（ＢＵＣＲ）が２段に配置され、他方背面部
には周辺露光装置２４（ＷＥＥ）が配設されている。
うに、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ステ
ーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向については
より小さなサイズに設定されている。図４及び図５に示
すように、このインターフェース部１２の正面側には、
可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッフ
ァカセット（ＢＵＣＲ）が２段に配置され、他方背面部
には周辺露光装置２４（ＷＥＥ）が配設されている。
【００５０】前記インターフェース部１２の中央部に
は、ウェハ搬送装置２５が設けられている。ウェハ搬送
装置２５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両
カセットＣＲ、ＢＵＣＲ及び周辺露光装置２４（ＷＥ
Ｅ）にアクセスできるようになっている。ウェハ搬送装
置２５は、θ方向にも回転自在に構成されており、処理
ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ４に属するエ
クステンション装置（ＥＸＴ）や、更には隣接する露光
装置１３側のウェハ受け渡し台（図示せず）にもアクセ
スできるようになっている。
は、ウェハ搬送装置２５が設けられている。ウェハ搬送
装置２５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両
カセットＣＲ、ＢＵＣＲ及び周辺露光装置２４（ＷＥ
Ｅ）にアクセスできるようになっている。ウェハ搬送装
置２５は、θ方向にも回転自在に構成されており、処理
ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ４に属するエ
クステンション装置（ＥＸＴ）や、更には隣接する露光
装置１３側のウェハ受け渡し台（図示せず）にもアクセ
スできるようになっている。
【００５１】次に、上記の温度計測装置１００の構成を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００５２】図７は温度計測装置１００の正面図であ
り、温度計測装置１００は温度計測が行われる計測ブロ
ック１０２と、この計測ブロック１０２上に設けられた
温度計測用基板収容部１０３とを有する。温度計測用基
板収容部１０３には、温度計測用基板１０４を保持する
例えば３本の保持ピン１０５が立設され、この上部に
は、温度計測用基板１０４の接続端子１０６に対して接
触可能に昇降可能とされた接続ピン１０７及びこの接続
ピン１０７を昇降させる昇降機構１０８が設けられてい
る。接続ピン１０７はケーブル１０９を介して図１に示
した計測温度算出装置６に接続されている。
り、温度計測装置１００は温度計測が行われる計測ブロ
ック１０２と、この計測ブロック１０２上に設けられた
温度計測用基板収容部１０３とを有する。温度計測用基
板収容部１０３には、温度計測用基板１０４を保持する
例えば３本の保持ピン１０５が立設され、この上部に
は、温度計測用基板１０４の接続端子１０６に対して接
触可能に昇降可能とされた接続ピン１０７及びこの接続
ピン１０７を昇降させる昇降機構１０８が設けられてい
る。接続ピン１０７はケーブル１０９を介して図１に示
した計測温度算出装置６に接続されている。
【００５３】ここで、温度計測用基板１０４は、図８に
示すように、ウェハＷの例えば同心円上に９０°間隔で
４箇所の位置にそれぞれＲＤＳセンサ等の温度センサ１
１０ａ〜１１０ｄが埋め込まれ、またこの温度センサ１
１０ａ〜１１０ｄにより計測されたデータを蓄積するメ
モリ部１１１、更に上記の接続端子１０６を有する。
示すように、ウェハＷの例えば同心円上に９０°間隔で
４箇所の位置にそれぞれＲＤＳセンサ等の温度センサ１
１０ａ〜１１０ｄが埋め込まれ、またこの温度センサ１
１０ａ〜１１０ｄにより計測されたデータを蓄積するメ
モリ部１１１、更に上記の接続端子１０６を有する。
【００５４】計測ブロック１０２には、図９に示すよう
に、例えば２５℃〜３００℃程度まで加熱温度を可変可
能な熱板１１２が設けられている。熱板１１２は図示を
省略しているが例えば４分割された各領域ごとに温度制
御が別個に行われるようになっている。熱板１１２に
は、基板受け渡し用の例えば３本の昇降ピン１１３が昇
降可能に貫通されており、熱板１１２の下部に設けられ
た昇降機構１１４により昇降ピン１１３が昇降されるよ
うになっている。
に、例えば２５℃〜３００℃程度まで加熱温度を可変可
能な熱板１１２が設けられている。熱板１１２は図示を
省略しているが例えば４分割された各領域ごとに温度制
御が別個に行われるようになっている。熱板１１２に
は、基板受け渡し用の例えば３本の昇降ピン１１３が昇
降可能に貫通されており、熱板１１２の下部に設けられ
た昇降機構１１４により昇降ピン１１３が昇降されるよ
うになっている。
【００５５】また、熱板１１２の上部には、この熱板１
１２を覆うように蓋体１１５が配置されている。蓋体１
１５は昇降機構１１６により昇降されるようになってい
る。そして、加熱時には、蓋体１１５が熱板１１２を覆
って蓋体１１５と熱板１１２との間で密閉空間を形成す
ることで、加熱時に密閉空間内に気流が生じないように
なっており、これによりより効率よくかつより正確に温
度計測を行うことが可能となる。
１２を覆うように蓋体１１５が配置されている。蓋体１
１５は昇降機構１１６により昇降されるようになってい
る。そして、加熱時には、蓋体１１５が熱板１１２を覆
って蓋体１１５と熱板１１２との間で密閉空間を形成す
ることで、加熱時に密閉空間内に気流が生じないように
なっており、これによりより効率よくかつより正確に温
度計測を行うことが可能となる。
【００５６】更に、熱板１１２の下部には、これらの熱
板１１２等を回転駆動する回転駆動機構１１７が設けら
れている。
板１１２等を回転駆動する回転駆動機構１１７が設けら
れている。
【００５７】そして、主搬送装置２２が温度計測用基板
収容部１０３に収容された温度計測用基板１０４を計測
ブロック１０２における熱板１１２に搬送し、この計測
ブロック１０２内で図２に示したステップ２０１〜ステ
ップ２１０を実行する。但し、温度計測用基板１０４と
熱板１１２と間の回転動作については、主搬送装置２２
に温度計測用基板１０４を保持させた状態で、回転駆動
機構１１７が熱板１１２を例えば９０°づつ回転させる
ことで行われる。また、測定データは一旦メモリ１１１
に蓄積され、その後主搬送装置２２が温度計測用基板１
０４を温度計測用基板収容部１０３に搬送し、接続端子
１０６に対して接続ピン１０７を接触した状態で、接続
ピン１０７及びケーブル１０９を介して計測温度算出装
置６に送出している。
収容部１０３に収容された温度計測用基板１０４を計測
ブロック１０２における熱板１１２に搬送し、この計測
ブロック１０２内で図２に示したステップ２０１〜ステ
ップ２１０を実行する。但し、温度計測用基板１０４と
熱板１１２と間の回転動作については、主搬送装置２２
に温度計測用基板１０４を保持させた状態で、回転駆動
機構１１７が熱板１１２を例えば９０°づつ回転させる
ことで行われる。また、測定データは一旦メモリ１１１
に蓄積され、その後主搬送装置２２が温度計測用基板１
０４を温度計測用基板収容部１０３に搬送し、接続端子
１０６に対して接続ピン１０７を接触した状態で、接続
ピン１０７及びケーブル１０９を介して計測温度算出装
置６に送出している。
【００５８】以上の動作によって温度計測用基板１０４
における温度センサ１１０ａ〜１１０ｄの更正が行われ
る（図２のステップ２１２参照）。
における温度センサ１１０ａ〜１１０ｄの更正が行われ
る（図２のステップ２１２参照）。
【００５９】そして、その後温度計測用基板１０４は主
搬送装置２２により温度計測が必要なプリベーキング装
置（ＰＲＥＢＡＫＥ）やポストベーキング装置（ＰＯＢ
ＡＫＥ）に搬送され、これら装置の熱板（図示を省略）
の温度プロファイルの計測が行われる（図２のステップ
２１３参照）。なお、この場合も、測定データは一旦メ
モリ１１１に蓄積され、その後主搬送装置２２が温度計
測用基板１０４を温度計測用基板収容部１０３に搬送
し、接続端子１０６に対して接続ピン１０７を接触した
状態で、接続ピン１０７及びケーブル１０９を介して計
測温度算出装置６に送出している。
搬送装置２２により温度計測が必要なプリベーキング装
置（ＰＲＥＢＡＫＥ）やポストベーキング装置（ＰＯＢ
ＡＫＥ）に搬送され、これら装置の熱板（図示を省略）
の温度プロファイルの計測が行われる（図２のステップ
２１３参照）。なお、この場合も、測定データは一旦メ
モリ１１１に蓄積され、その後主搬送装置２２が温度計
測用基板１０４を温度計測用基板収容部１０３に搬送
し、接続端子１０６に対して接続ピン１０７を接触した
状態で、接続ピン１０７及びケーブル１０９を介して計
測温度算出装置６に送出している。
【００６０】本実施形態では、特にプリベーキング装置
（ＰＲＥＢＡＫＥ）やポストベーキング装置（ＰＯＢＡ
ＫＥ）における熱板の温度ばらつき（例えば、長期使用
による熱板の経時変化、熱板内のヒータの劣化、又はヒ
ータに供給する電力量の変化等による温度ばらつき）を
把握してこれに基づき温度プロファイルを正確に設定で
きるので、加熱処理を非常に正確な温度で行うことが可
能であり、線幅制御を正確に行うことが可能である。
（ＰＲＥＢＡＫＥ）やポストベーキング装置（ＰＯＢＡ
ＫＥ）における熱板の温度ばらつき（例えば、長期使用
による熱板の経時変化、熱板内のヒータの劣化、又はヒ
ータに供給する電力量の変化等による温度ばらつき）を
把握してこれに基づき温度プロファイルを正確に設定で
きるので、加熱処理を非常に正確な温度で行うことが可
能であり、線幅制御を正確に行うことが可能である。
【００６１】なお、上述した第２の実施形態は、半導体
ウェハに対してレジストを塗布し、露光後のウェハに対
して現像処理を施すレジスト塗布現像システムに本発明
を適用したものであったが、勿論他のシステムにも適用
可能である。
ウェハに対してレジストを塗布し、露光後のウェハに対
して現像処理を施すレジスト塗布現像システムに本発明
を適用したものであったが、勿論他のシステムにも適用
可能である。
【００６２】例えば、半導体デバイスの製造工程におけ
るＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）に
より層間絶縁膜するシステムについても本発明を適用で
きる。このＳＯＤシステムは、半導体ウェハ上に塗布膜
をスピンコートし、加熱等の物理的処理や化学的処理を
施して層間絶縁膜を形成するものであり、かかる加熱処
理に用いられる加熱処理装置に対して第２の実施形態と
同様の温度計測装置を設けて温度計測を迅速かつ正確に
行うことが可能である。また、定期的（例えばロット開
始前等）に熱板の温度を自動で測定する機能を持たせる
ことにより、常に熱板の温度ばらつきを確認し補正する
ことができ、自動的に熱板の温度制御（補正）を行うこ
とが可能である。特に、ＳＯＤシステムにおいては、レ
ジスト塗布現像システムに比しより高温、例えば４５０
℃程度で加熱処理が行われ、すなわちレンジが広くなる
傾向にあって、しかもより精度よく温度制御を行うこと
が要求されるため、本発明をかかるシステムに適用して
温度計測を高精度で行うことは極めて重要である。
るＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）に
より層間絶縁膜するシステムについても本発明を適用で
きる。このＳＯＤシステムは、半導体ウェハ上に塗布膜
をスピンコートし、加熱等の物理的処理や化学的処理を
施して層間絶縁膜を形成するものであり、かかる加熱処
理に用いられる加熱処理装置に対して第２の実施形態と
同様の温度計測装置を設けて温度計測を迅速かつ正確に
行うことが可能である。また、定期的（例えばロット開
始前等）に熱板の温度を自動で測定する機能を持たせる
ことにより、常に熱板の温度ばらつきを確認し補正する
ことができ、自動的に熱板の温度制御（補正）を行うこ
とが可能である。特に、ＳＯＤシステムにおいては、レ
ジスト塗布現像システムに比しより高温、例えば４５０
℃程度で加熱処理が行われ、すなわちレンジが広くなる
傾向にあって、しかもより精度よく温度制御を行うこと
が要求されるため、本発明をかかるシステムに適用して
温度計測を高精度で行うことは極めて重要である。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板に熱的処理を施すプレートの複数の測定ポイントに
おける温度プロファイルを迅速にかつ正確に計測するこ
とができる。
基板に熱的処理を施すプレートの複数の測定ポイントに
おける温度プロファイルを迅速にかつ正確に計測するこ
とができる。
【図１】第１の実施形態における温度計測装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】第１の実施形態における温度計測の工程図であ
る。
る。
【図３】第１の実施形態における温度計測の各工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態にかかるレジスト塗
布現像システムの平面図である。
布現像システムの平面図である。
【図５】図４のレジスト塗布現像システムの正面図であ
る。
る。
【図６】図４のレジスト塗布現像システムの背面図であ
る。
る。
【図７】第２の実施形態における温度計測装置の正面図
である。
である。
【図８】第２の実施形態における温度計測用基板の平面
図である。
図である。
【図９】第２の実施形態における温度計測装置の計測ブ
ロックの断面図である。
ロックの断面図である。
１ 熱板
２ａ〜２ｄ 計測ポイント
３ 温度計測装置
４ａ〜４ｄ 各温度センサ
５ 温度計測用基板
６ 計測温度算出装置
６ａ 推定部
６ｂ 温度更正部
１００ 温度計測装置
１０２ 計測ブロック
１０３ 温度計測用基板収容部
１０４ 温度計測用基板
１１０ａ〜１１０ｄ 温度センサ
１１２ 熱板
１１７ 回転駆動機構
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4D075 AC65 AC96 BB24Z BB93Z
CA47 DA06 DB13 DC21 EA05
EA45
4F042 AA07 AB00 BA16 DB17 DC01
DE01 DF07 DF11 DF15 DF25
EB09 EB13 EB17 EB21 EB30
5F046 KA04 KA10
Claims (15)
- 【請求項１】 基板に熱的処理を施すためのプレートの
温度を計測する方法であって、 前記基板の少なくとも２つの位置にそれぞれ第１の及び
第２の温度センサが埋め込まれた温度検出用基板を、前
記プレートの計測ポイントと前記第１の温度センサとが
ほぼ一致するように、前記プレート上に載置し、前記第
１の温度センサにより第１の温度を計測する工程と、 前記プレートの計測ポイントと前記第２の温度センサと
がほぼ一致するように、前記温度検出用基板を前記プレ
ート上に載置し、前記第２の温度センサにより第２の温
度を計測する工程と、 前記第１及び第２の温度に応じて、前記第１及び第２の
温度センサの更正値を推定する工程と、 前記温度検出用基板を前記プレート上に載置し、前記第
１及び第２の温度センサにより前記プレート上の各所望
位置の温度を計測する工程と、 前記計測された所望位置の各温度を前記各更正値により
更正する工程とを具備することを特徴とする温度計測方
法。 - 【請求項２】 請求項1に記載の温度計測方法におい
て、 前記第１の温度センサと前記第２の温度センサとは前記
温度測定用基板のほぼ同心円となる位置に配置されてい
ることを特徴とする温度測定方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の温度測定
方法において、 前記プレートの計測ポイントが前記プレート上の少なく
とも２ヶ所に設けられていることを特徴とする温度測定
方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の温度測定方法におい
て、 前記第１及び第２の温度センサはそれぞれ前記プレート
の各計測ポイントに対応するような前記温度計測用基板
の位置に埋め込まれていることを特徴とする温度測定方
法。 - 【請求項５】 基板に熱的処理を施すためのプレートの
温度を計測する装置であって、 前記基板の少なくとも２つの位置にそれぞれ第１の及び
第２の温度センサが埋め込まれた温度検出用基板と、 前記第１の及び第２の温度センサにより計測された前記
プレートのほぼ同一計測ポイントにおける第１及び第２
の温度に応じて、前記第１及び第２の温度センサの更正
値を推定する手段と、 前記第１及び第２の温度センサにより計測された前記プ
レート上の各所望位置の温度を前記各更正値により更正
する手段とを具備することを特徴とする温度計測装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の温度計測装置におい
て、 前記第１の温度センサと前記第２の温度センサとは前記
温度測定用基板のほぼ同心円となる位置に配置されてい
ることを特徴とする温度測定装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の温度計測装置におい
て、 前記温度測定用基板及び前記プレートのうち少なくとも
一方を回転させる手段を更に具備することを特徴とする
温度測定装置。 - 【請求項８】 請求項４から請求項７のうちいずれか１
項に記載の温度測定装置において、 前記プレートの計測ポイントが前記プレート上の少なく
とも２ヶ所に設けられていることを特徴とする温度測定
装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の温度測定装置におい
て、 前記第１及び第２の温度センサはそれぞれ前記プレート
の各計測ポイントに対応するような前記温度計測用基板
の位置に埋め込まれていることを特徴とする温度測定装
置。 - 【請求項１０】 基板上にレジストを塗布する塗布部
と、 露光後の基板に現像処理を施す現像部と、 前記基板に熱的処理を施すための第１のプレートを有す
る熱的処理部と、 前記基板の少なくとも２つの位置にそれぞれ第１の及び
第２の温度センサが埋め込まれた温度検出用基板を収容
する収容部と、 前記温度検出用基板に熱的処理を施すための第２のプレ
ートを有すると共に、前記温度測定用基板及び前記第２
のプレートのうち少なくとも一方を回転させる回転機構
を有する温度更正用熱的処理部と、 少なくとも各部間で基板を搬入出する基板搬送部と、 前記第１の及び第２の温度センサにより計測された前記
第２のプレートのほぼ同一計測ポイントにおける第１及
び第２の温度に応じて、前記第１及び第２の温度センサ
の更正値を推定する手段と、 前記第１及び第２の温度センサにより計測された前記第
１のプレート上の各所望位置の温度を前記各更正値によ
り更正する手段とを具備することを特徴とする基板処理
装置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の基板処理装置にお
いて、 前記第１のプレートの各所望位置はそれぞれ別個に温度
制御が行われていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１２】 請求項１０又は請求項１１に記載の基
板処理装置において、 前記第１の温度センサと前記第２の温度センサとは前記
温度測定用基板のほぼ同心円となる位置に配置されてい
ることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１３】 基板上に層間絶縁膜を塗布する塗布部
と、 前記基板に熱的処理を施すための第１のプレートを有す
る熱的処理部と、 前記基板の少なくとも２つの位置にそれぞれ第１の及び
第２の温度センサが埋め込まれた温度検出用基板を収容
する収容部と、 前記温度検出用基板に熱的処理を施すための第２のプレ
ートを有すると共に、前記温度測定用基板及び前記第２
のプレートのうち少なくとも一方を回転させる回転機構
を有する温度更正用熱的処理部と、 少なくとも各部間で基板を搬入出する基板搬送部と、 前記第１の及び第２の温度センサにより計測された前記
第２のプレートのほぼ同一計測ポイントにおける第１及
び第２の温度に応じて、前記第１及び第２の温度センサ
の更正値を推定する手段と、 前記第１及び第２の温度センサにより計測された前記第
１のプレート上の各所望位置の温度を前記各更正値によ
り更正する手段とを具備することを特徴とする基板処理
装置。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の基板処理装置にお
いて、 前記第１のプレートの各所望位置はそれぞれ別個に温度
制御が行われていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１５】 請求項１３又は請求項１４に記載の基
板処理装置において、 前記第１の温度センサと前記第２の温度センサとは前記
温度測定用基板のほぼ同心円となる位置に配置されてい
ることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001268438A JP3840387B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001268438A JP3840387B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077816A true JP2003077816A (ja) | 2003-03-14 |
| JP3840387B2 JP3840387B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=19094417
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001268438A Expired - Fee Related JP3840387B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3840387B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006016550A1 (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Limited | 加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム |
| CN100433255C (zh) * | 2004-08-11 | 2008-11-12 | 东京毅力科创株式会社 | 加热板的温度测定方法和基板处理装置 |
| JP2012038969A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置 |
| JP2012038970A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置 |
| CN109524318A (zh) * | 2017-09-19 | 2019-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于烘烤模块的合格性测试方法和系统 |
| US10359320B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-07-23 | Tokyo Electron Limited | Method of measuring a temperature of a heat plate and method thereof |
| CN112947634A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-11 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种热盘温度调整方法及一种热盘装置 |
| CN113496910A (zh) * | 2020-03-19 | 2021-10-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 校温片及其应用方法 |
-
2001
- 2001-09-05 JP JP2001268438A patent/JP3840387B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006016550A1 (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Limited | 加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム |
| CN100433255C (zh) * | 2004-08-11 | 2008-11-12 | 东京毅力科创株式会社 | 加热板的温度测定方法和基板处理装置 |
| US7655886B2 (en) | 2004-08-11 | 2010-02-02 | Tokyo Electron Limited | Method of measuring a heating plate temperature, substrate processing device and computer-readable recording medium with computer program recorded thereon for measuring the heating plate temperature |
| JP2012038969A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置 |
| JP2012038970A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置 |
| US10359320B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-07-23 | Tokyo Electron Limited | Method of measuring a temperature of a heat plate and method thereof |
| CN109524318A (zh) * | 2017-09-19 | 2019-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于烘烤模块的合格性测试方法和系统 |
| CN109524318B (zh) * | 2017-09-19 | 2021-09-28 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于烘烤模块的合格性测试方法和系统 |
| CN113496910A (zh) * | 2020-03-19 | 2021-10-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 校温片及其应用方法 |
| CN113496910B (zh) * | 2020-03-19 | 2024-02-06 | 长鑫存储技术有限公司 | 校温片及其应用方法 |
| CN112947634A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-11 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种热盘温度调整方法及一种热盘装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3840387B2 (ja) | 2006-11-01 |
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