CN108155082A - 真空处理装置的运转方法 - Google Patents

真空处理装置的运转方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108155082A
CN108155082A CN201711439328.3A CN201711439328A CN108155082A CN 108155082 A CN108155082 A CN 108155082A CN 201711439328 A CN201711439328 A CN 201711439328A CN 108155082 A CN108155082 A CN 108155082A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vacuum
sample
processing chamber
vacuum processing
sample platform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711439328.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108155082B (zh
Inventor
佐藤浩平
牧野昭孝
田中海
田中一海
属优作
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of CN108155082A publication Critical patent/CN108155082A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108155082B publication Critical patent/CN108155082B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明提供一种真空处理装置，其在被处理物大口径化的情况下也能够使处理的均匀性良好，并且高效地进行稳态/非稳态维护。在具有真空搬运室的真空处理装置中，具备：具有圆筒形状的下部容器(250)；试料台单元，其具有试料台(241)以及具备相对于试料台的中心轴线配置为轴对称的支承梁的环状的试料台基座(242)；具有圆筒形状的上部容器(230)；以及移动机构(210)，其固定于试料台基座(242)，且使试料台单元能够在上下方向以及水平方向上移动。

Description

真空处理装置的运转方法
本申请是申请号为201410408799.8、申请日为2014年8月19日、发明名称为“真空处理装置”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种具备被减压的处理室的真空处理装置的运转方法。
背景技术
在进行半导体晶圆等被处理物的处理的真空处理装置中，例如在对真空处理室内部进行了减压的状态下向其内部导入处理用气体，对被导入的处理用气体进行等离子体化，利用与自由基的化学反应、电子的溅射，进行在具备静电吸盘的试料台上保持的半导体晶圆等被处理物的处理。
关于真空处理装置，例如在专利文献1中公开。另外，关于在真空处理腔室内使用的静电吸盘，例如在专利文献2中公开。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-252201号公报
专利文献2：日本特表2005-516379号公报
发明概要
发明要解决的课题
在真空处理装置中使用了处理用气体，在对处理用气体进行等离子体化而处理被处理物(晶圆)时反应生成物附着于真空处理室内部。当在配置于处理室内部的部件的表面附着反应生成物时，产生如下问题，即，由于该部件的劣化，反应生成物成为微小粒子而从表面剥离并落下，作为异物而附着在晶圆等进行污染。为了抑制该情况，需要对处理室内部的部件进行定期更换或清扫，去除成为异物的原因的反应生成物等，进行使各部件的表面再生的处理(维护)。维护的期间将处理室内部向大气压的环境开放，无法进行处理，停止了装置的运转，因此处理的效率降低。
并且，近年来，作为被处理物的半导体晶圆的大口径化不断发展。因此，真空处理装置也大型化，构成该装置的各个部件也大型化，并且其重量也处于增加趋势，预料到部件的拆卸或移动、安装等变得不容易且维护所需要的时间增长，担心维护效率的进一步降低。
因此，发明人等研究通过现有的技术能否应对上述课题。
在专利文献1中公开了一种真空处理装置，其具备上部内筒腔室、试料台以及配置在排气部侧的下部内筒腔室，该上部内筒腔室在外侧腔室的内部构成进行被处理物的处理的处理室。在本真空处理装置中，在进行维护时，将配置在上部内筒腔室的上部的、构成用于生成等离子体的放电室的放电室基板以将配置在搬运室侧的铰接部作为支点进行旋转的方式向上方抬起，确保上部内侧腔室的作业空间，从而将上部内侧腔室向上方抬起而从外侧腔室取出。另外，记载有如下技术：供环状的支承基座构件(试料台组件)固定的试料台基板以将配置在搬运室侧的铰接部作为支点进行旋转的方式向上方抬起，确保下部内侧腔室的作业空间，从而将下部内侧腔室向上方抬起而从外侧腔室取出，该支承基座构件具备将试料台的铅垂方向的中心作为轴而绕轴配置并固定的支承梁。需要说明的是，通过将支承梁以试料台的铅垂方向的中心为轴呈轴对称配置(即，相对于试料台的中心轴的气体流路形状为大致同轴轴对称)，从而将上部内筒腔室内的试料台上的空间的气体等(处理气体、等离子体中的粒子或反应生成物)通过该支承梁彼此之间的空间而经由下部内筒腔室而被排出。由此，被处理物周向上的气体的流动变得均匀，从而能够实现对被处理物的均匀处理。
在将该放电室基板以及试料台基板以铰接部为支点而拉起的技术应用于大口径化的被加工物的维护的情况下，由于固定有放电基板、试料台的支承梁大型化且重量增加，因此难以通过手工将其向上部拉起，担心确保上部内筒腔室、下部内筒腔室的作业空间变得困难。另外，排气部的维护以从外侧腔室的上部向内窥视的方式进行，担心因装置的大型化使手无法够到而难以进行充分的清扫。并且，担心构成向上部被拉起的放电基板、试料台的部件的设置、更换等非稳态维护使搭脚处变得不稳定。即使利用吊车等将固定放电基板、试料台的支承梁拉起，也无法消除后述的两个问题。
在专利文献2中公开有(沿水平方向)通过设于真空处理室的侧壁的开口部从而能够在腔室内进行安装、拆卸且搭载有静电吸盘装配件的悬臂的基板支承部。在将该技术应用于大口径化的被加工物的维护的情况下，由于基板支承部在腔室侧壁的开口部处进行真空密封，因此担心当重量增加时朝向真空密封部的负载负荷增大而难以保持真空。另外，由于是悬臂，因此相对于试料支承部的中心轴线的气体流路形状无法成为同轴的轴对称，被处理物的周向上的气体的流动变得不均匀，难以对被处理物进行均匀处理。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种真空处理装置的运转方法，即使在被处理物为大口径化的情况下，也能够使处理的均匀性良好，并且不仅高效地进行稳态维护且高效地进行非稳态维护。
解决方案
作为用于实现上述目的的一方式，提供一种真空处理装置的运转方法，其特征在于，
所述真空处理装置具有至少一个真空搬运室和多个真空处理室，该真空处理室以在该一个真空搬运室与一个真空处理室之间夹着内部配置有被处理物的搬运路径的阀室的方式与所述一个真空搬运室连结，其中，
所述一个真空处理室具备：
具有排气开口的基板；
下部容器，其配置在所述基板上，且水平剖面的内壁呈圆形；
试料台单元，其配置在所述下部容器之上，且具有载置被处理物的试料台、支承所述试料台且相对于所述试料台的中心轴呈轴对称地配置的支承梁、以及在该支承梁的外周侧与该支承梁连结的环状的试料台基座，该环状的试料台基座构成将所述真空处理室的内部与外部的大气压的空间气密地划分的隔壁；
上部容器，其配置在所述试料台基座之上，且在与该试料台基座之间构成将所述真空处理室的内部与外部的大气压的空间划分的隔壁，并且，在其外侧壁具有在与所述真空搬运室之间搬运所述被处理物的第一开口部，该上部容器的水平剖面的内壁呈圆形；以及
密封构件，其夹在所述基板、所述下部容器、具有环状的试料台基座以及上部容器各自之间而配置，且对所述真空处理室的内部与外部之间进行气密地封固，
所述真空处理装置在所述一个真空处理室与邻接的其他真空处理室之间、以及邻接于所述真空处理装置的其他真空处理装置与该一个真空处理室之间配置有作业者用的作业空间，
所述真空处理装置具备移动单元，该移动单元在所述一个真空处理室和所述邻接的其他真空处理室之间的所述作业空间与所述环状的试料台基座之间、且在所述试料台基座的外侧相对于所述阀室远离该试料台基座的中心的位置处与试料台基座连接地配置，并且该移动单元能够进行使具有上下方向的轴且包含该试料台基座的所述试料台单元相对于所述下部容器沿着所述轴在上下方向上移动的上下动作、以及使通过该上下动作而向所述下部容器的上方分离的所述试料台单元沿水平方向移动到该下部容器的上方的区域的外侧且远离所述阀室的位置的水平动作，
利用所述移动单元，使所述试料台单元在上下动作中从所述下部容器向上方分离，然后在水平动作中使该试料台单元移动到从上方观察时的所述作业空间，从而能够同时进行包含比该试料台单元靠下方配置的所述基板在内的所述一个真空处理室的维护和所述试料台单元的维护。
发明效果
根据本发明，能够提供一种真空处理装置，即使在被处理物大口径化的情况下，也能够使处理的均匀性良好，并且不仅高效地进行稳态维护还高效地进行非稳态维护。
附图说明
图1A是本发明的实施例的真空处理装置的简要俯视图(局部透视)。
图1B是图1A所示的真空处理装置的简要立体图。
图2A是用于说明本发明的实施例的真空处理装置中的被处理物的搬运的主要部分简要俯视图(闸阀处于打开的状态，搬运机器人将被处理物搬入真空处理室的状态，或者想要搬出的状态)。
图2B是用于说明本发明的实施例的真空处理装置中的被处理物的搬运的主要部分简要俯视图(闸阀处于关闭的状态，被处理物朝向真空搬运室搬入的状态)。
图3A是本发明的实施例的真空处理装置中的真空处理室的剖视图(闸阀关闭的状态)。
图3B是本发明的实施例的真空处理装置中的真空处理室的剖视图(闸阀打开的状态)。
图4A是用于说明本发明的实施例的真空处理装置的真空处理室中的维护的顺序的俯视图(卸下线圈与电源后的状态)。
图4B是图4A所示的真空处理室的简要剖视图。
图5A是用于说明本发明的实施例的真空处理装置的真空处理室中的维护的顺序的俯视图(卸下石英板、防水板、石英内筒后的状态)。
图5B是图5A所示的真空处理室的简要剖视图。
图6A是用于说明本发明的实施例的真空处理装置的真空处理室中的维护的顺序的俯视图(卸下气体导入环后的状态)。
图6B是图6A所示的真空处理室的简要剖视图。
图7A是用于说明本发明的实施例的真空处理装置的真空处理室中的维护的顺序的俯视图(借助回旋升降机将放电组件单元抬起且回旋的状态)。
图7B是图7A所示的真空处理室的简要剖视图。
图8A是用于说明本发明的实施例的真空处理装置的真空处理室中的维护的顺序的俯视图(卸下接地环、上部容器后的状态)。
图8B是图8A所示的真空处理室的简要剖视图。
图9A是用于说明本发明的实施例的真空处理装置的真空处理室中的维护的顺序的俯视图(借助回旋升降机将试料台单元抬起且回旋的状态)。
图9B是图9A所示的真空处理室的简要剖视图。
图10A是用于说明本发明的实施例的真空处理装置的真空处理室中的维护的顺序的俯视图(卸下下部容器后的状态)。
图10B是图10A所示的真空处理室的简要剖视图。
附图标记说明如下：
100…真空处理装置，101…大气组件，102…真空组件，104、104-1、104-2…真空搬运室，105…闸室，106…大气搬运室，107…盒台，108…搬运中间室，109…大气搬运机器人，110、110-1、110-2…真空搬运机器人，111…第一闸阀，112…第二闸阀，115…阀室，200、200-1、200-2、200-3、200-4…真空处理室，201…第一高频电源，202…盖构件(石英板)，203…防水板，204…气体导入环，205…石英内筒，206…线圈，207…O型环，210…回旋升降机，211…回旋轴，220…放电组件单元，221…放电组件基座，222…加热器，223…第一温度控制器，224…放电组件，225…接地环，230…上部容器，240…试料台单元，241…试料台，242…试料台基座，243…第二高频电源，244…第二温度控制器，245…试料台底部盖，250…下部容器，260…基板，261…排气部盖，262…工作缸，270…排气泵，280…支柱，290…中心轴线，300…被处理物(晶圆、试料)，310…放电组件单元的移动方向，320…试料台单元的移动方向，400…作业者。
具体实施方式
发明人等为了实现上述目的而研究出满足下述三者的方法。
(1)为了确保良好的处理的均匀性，将处理室形状相对于载置被处理物的试料台的中心轴线设为大致同轴轴对称。
(2)为了能够进行容易的稳态维护，即使应对大口径化也能够从作为稳态维护的对象部件的腔室构件迅速地去除反应生成物等。需要说明的是，在此，稳态维护容易是指不需要割开电源线缆、进行水冷却净化等在非稳态维护时进行的作业。
(3)为了能够进行容易的非稳态维护，即使应对大口径也可以将作为非稳态维护对象的放电用电极头、各种传感器容易地拉出。
其结果是，可知设为以下的结构是有效的。
相对于(1)，至少将真空处理室的水平剖面的内壁形状设为圆形状，支承试料台的支承梁以试料台的铅垂方向的中心为轴线而配置为轴对称，固定在环状的支承基座构件。
相对于(2)，将进行稳态维护的部件设为能够交换(更换)。即，并非现场对附着有反应生成物等的部件进行清扫，而是能够更换为新的部件或者清扫后的部件。另外，将非稳态维护对象部件以相关部件为单位汇集为单元，利用单元单位能够在水平方向上移动，在稳态维护时以使上述非稳态维护对象部件不会成为作业的障碍的方式容易进行回避。
相对于(3)，使非稳态维护对象部件以相关部件为单位汇集成的单元在维护时在水平方向上移动，在周围设置作业空间。
以下，利用实施例来说明。需要说明的是，在图中相同的附图标记表示相同的构成要素。
(实施例)
使用图1A～图10B对本发明的实施例的真空处理装置进行说明。图1A是本实施例的真空处理装置的简要俯视图(局部透视)，图1B是图1A所示的真空处理装置的简要立体图。作为本实施例的真空处理装置100的等离子体处理装置具有大气组件101与真空组件102。大气组件101是在大气压下搬运半导体晶圆等被处理物(试料)、进行收纳定位等的部分，真空组件102是在从大气压减压的压力下搬运晶圆等试料、进行处理等且在载置了试料的状态下使压力上下的部分。
大气组件101具备大气搬运室106、以及安装在该大气搬运室106的前表面侧且将收纳有处理用或者清洗用的试料的盒载置于其上表面的多个盒台107。大气组件101是将收纳在盒台107上的各盒的内部的处理用或者清洗用的晶圆在与大气搬运室106的背面连结的真空组件102之间进行互换的位置，在大气搬运室106内部为了进行这样的晶圆搬运而配置有具备晶圆保持用的臂的大气搬运机器人109。
真空组件102具备：进行减压而处理试料的多个真空处理室200-1、200-2、200-3、200-4；真空搬运室104-1、104-2，其与这些真空处理室连结，且在其内部具备在减压下搬运试料的真空搬运机器人110-1、110-2；以及连接该真空搬运室104-1与大气搬运室106的闸室105；连接真空搬运室104-1与真空搬运室104-2的搬运中间室108。该真空组件102由其内部被减压而能够维持为高真空度的压力的单元构成。这些大气搬运机器人或真空搬运机器人的动作、真空处理室中的处理的控制通过控制装置来进行。
图3A是表示图1A所示的实施例的真空处理室的结构的简要的纵向剖视图。尤其是，在图3A中示出了真空处理室200中的真空处理室的结构的示意图。在本实施例中配置有相同构造的真空处理室，但也可以组装具有其他构造的真空处理室。
图3A所示的真空处理室具备：包含上部容器230、下部容器250的真空容器；与该真空容器连结配置的下方的排气泵270；上方的第一高频电源201；以及螺线管线圈206。上部容器、下部容器具有水平剖面形状为圆形状的内壁，在其内部的中央部配置有圆筒形状的试料台241。上部容器、下部容器的外壁构成真空隔壁。试料台241被设置于试料台基座242的支承梁进行保持，支承梁以试料台的铅垂方向的中心为轴线而配置为轴对称(即，气体流路形状相对于试料台的中心轴线290为大致同轴轴对称)。上部容器230内的试料台241上的空间的气体等(处理气体、等离子体中的粒子或反应生成物)通过该支承梁彼此间的空间而经由下部容器250进行排气，因此载置有被处理物(试料)300的试料台241的周方向上的气体的流动变得均匀，能够进行相对于被处理物300的均匀处理。需要说明的是，试料台基座242具有具备支承梁的环状，该环部分保持在作为真空容器的下部容器与上部容器的周围，进行真空密封，因此即便试料台等的重量增加也能够对应。
在本实施例中，真空处理室由包含在基板260上依次层叠的圆筒形状的下部容器250、具备支承梁的环状的试料台基座242、圆筒形状的上部容器230、接地环225、圆筒形状的放电组件224、气体导入环204的多个构件来构成，各个构件借助O型环207来真空密封。在放电组件224的内侧配置有圆筒形状的石英内筒205。另外，在试料台基座242上固定具有试料台底部盖245的试料台241而构成试料台单元，安装有加热器222的放电组件224固定于放电组件基座221而构成放电组件单元。另外，上部容器230、下部容器250、基板260具有凸缘部，上部容器230与下部容器250在凸缘部处分别螺纹固定于基板260。需要说明的是，在本实施例中，构成真空处理室的构件具有圆筒形状，但关于外壁形状也可以使水平剖面形状不是圆形而是矩形，也可以是其他形状。
在真空处理室的上方配置有构成真空容器的具有圆板形状的盖构件202，在该盖构件202的下方配置有构成真空处理室的顶面的圆板形状的防水板203。上述盖构件202与防水板203是石英等电介质制的构件，构成为能够供微波或UHF、VHF波等的高频电场透过，来自配置在上方的第一高频电源的电场通过上述结构向真空处理室内供给。另外，在真空容器的外侧侧壁的外周以包围该真空容器的外周的方式配置磁场的形成机构(螺线管线圈)206且能够将产生的磁场向真空处理室内供给。
在防水板203上配置有作为多个贯通孔的处理用气体的导入孔，从气体导入环204导入的处理用气体通过该导入孔而向真空处理室内供给。防水板203的导入孔位于作为试料台241的上表面的试料的载置面的上方且在试料台241的绕中心轴线290的轴对称的区域中配置有多个，通过均等配置的导入孔将具有规定的组成且由不同气体成分构成的处理用气体向真空处理室内导入。
通过将由作为电场形成机构的第一高频电源201与作为磁场形成机构的螺线管线圈206产生的电磁波以及磁场向真空处理室内供给，导入到真空处理室内部的处理用气体被激发而在试料台241上方的放电组件224内的空间内被等离子体化。此时，处理用气体分子被电离成电子与离子、或者解离成自由基。在生成该等离子体的区域中，安装与第一温度控制器223连接的加热器222，设置有在放电组件基座221上配置的放电组件224，能够加热与等离子体接触的石英内筒205。由此，能够减少反应生成物向石英内筒205、放电组件224的附着。因此，能够将这些构件从稳态维护的对象中排除。
载置晶圆的试料台241以与该防水板203的中心轴线290一致的方式配置在真空处理室的内部。在进行基于等离子体的处理时，作为被处理物300的晶圆载置于作为试料台241的上表面的圆形的载置面而在被构成该面的电介质的膜静电吸附保持(静电吸盘)的状态下进行处理。在本实施例中，作为试料的半导体晶圆考虑使用直径为450mm的结构，将圆筒形状的真空处理室的内径设为800mm。其中，也能够设为该尺寸以下(600mm左右)。
另外，在配置于试料台241内部的电极上连接有高频偏压电源(第二高频电源)243，利用物理反应以及所述自由基与晶圆表面的化学反应之间的相互反应进行蚀刻处理，该物理反应是利用因供给的高频电力而在试料台241以及载置于其上的试料300的上方形成的高频偏压，将等离子体中的荷电粒子向试料的表面诱导且使其碰撞而产生的。另外，能够借助第二温度控制器244将试料台的温度控制为期望的温度。向试料台241外加高频偏压或试料台241的温度控制是经由在包含支承梁的试料台基座242内部所形成的空洞内配置的电源用配线软线、温度控制用的配线软线或者制冷剂用配管来进行的。需要说明的是，虽未图示，在所述配线软线之外，也能够包含温度传感器、静电吸盘用配线软线。在配置于试料台241的周边的上部容器230处容易附着反应生成物，因此该上部容器230是稳态维护的对象构件。
在真空处理室的下方配置有与其底部经由具有排气开口的基板260而连结的排气泵270。设于基板260的排气开口配置在试料台241的正下方，通过利用工作缸262使配置在排气开口上的具有大致圆板形状的排气部盖261上下移动，从而能够调整排气电导系数，利用排气泵270来调节向真空处理室外排出的内部的气体或等离子体、生成物的量、速度。该排气部盖261在处理被处理物时被打开，利用排气泵270等排气机构的动作与处理用气体的供给的平衡，将真空处理室内部的空间的压力保持为期望的真空度。在本实施例中，将处理中的压力调节为预定在0.1～4Pa的范围内的值。作为排气泵而使用分子涡轮泵。需要说明的是，排气部盖261能够在维护时关闭而利用O型环对排气泵进行真空密封。需要说明的是，附图标记111是第一闸阀，附图标记112是第二闸阀，附图标记115是阀室，附图标记280是支柱。
导入到真空处理室内的处理用气体、以及等离子体或处理时的反应生成物借助排气泵270等排气机构的动作从真空处理室上部通过试料台241的外周侧的空间，经由下部容器250移动至设于下方的基板260的开口。下部容器250容易附着反应生成物，因此成为稳态维护的对象构件。
蚀刻处理中的真空处理室内部的压力由真空计(未图示)监视，利用排气部盖261来控制排气速度，从而对真空处理室内部的压力进行控制。所述处理用气体的供给或电场形成机构、磁场形成机构、高频偏压、排气机构的动作通过未图示且以能够通信的方式进行连接的控制装置来调节。
在应用于等离子体处理的处理用气体中，按照各工序的条件而使用将单一种类的气体或者多个种类的气体以最佳流量比混合而成的气体。该混合气体的流量通过气体流量控制器(未图示)来调节，且经由与其连结的气体导入环204向真空容器上部的真空处理室上方的防水板203与盖构件202之间的气体滞留用的空间导入。在本实施例中使用不锈钢制的气体导入环。
接下来，使用图2A～图3B对被处理物向真空处理室内的搬入、从真空处理室的搬出的顺序进行说明。首先，在大气组件中，将从盒中通过大气搬运机器人取出的晶圆经由闸室而向真空搬运室104搬运。图2B表示向真空搬运室104搬入了晶圆300的状态。真空处理室与真空搬运室经由第一闸阀111而与第二闸阀连接。在本附图中，这两个闸阀都关闭，利用O型环207进行真空密封。附图标记115是阀室，附图标记210是回旋升降机(移动机构)。回旋升降机210见后述。接下来，在使真空处理室与真空搬运室的压力一致以后，如图2A所示，使用具备臂的真空搬运机器人110而将晶圆300从真空搬运室104向真空处理室搬入。此时，第一闸阀111以及第二闸阀112这两者都处于打开的状态。接下来，如图3A所示，将晶圆300载置于真空处理室内的试料台241，真空搬运机器人返回真空搬运室，关闭第一闸阀111、第二闸阀112。
在真空处理室内，当结束朝向晶圆300的处理时，在调整真空处理室与真空搬运室的压力之后，如图3B所示，将第一闸阀111、第二闸阀112设为打开状态。紧接着如图2A所示使用真空搬运机器人110而从试料台241取下晶圆300。紧接着，如图2B所示将晶圆300向真空搬运室104搬入。之后，晶圆300在其他真空处理室中进行了处理后、或者不进行处理而经由闸室向盒搬运。
接下来，使用图4A～图10B对稳态维护的顺序进行说明。图4A、图4B表示从图3A、图3B所示的真空处理室的结构拆除螺线管线圈206和第一高频电源201、并且将与排气泵270连接的基板260的开口部由排气部盖261堵塞并真空密封的结构，图4A是俯视图，图4B是剖视图。利用排气部盖261对排气泵270进行真空密封，使排气泵270预先运转，从而能够缩短维护后的真空处理室的调试时间。需要说明的是，图4B所示的剖视图为了说明回旋升降机210而与图3A、图3B相比观察方向不同。即，图3A、图3B所示的剖视图是在图4A所示的俯视图中从右侧看到的图，图4B所示的剖视图是在图4A所示的俯视图中从下侧看到的图。图5B～图10B所示的剖视图是从与图4B所示的剖视图相同的方向观察的图。
接下来，如图5A、图5B所示，使石英板202、其下方的防水板203以及石英内筒205向上方移动而将它们拆下。由此，在真空处理室的上端露出气体导入环204。另外，在真空处理室内部露出试料台241与试料台基座242的支承梁的部分。
接下来，如图6A、图6B所示，使气体导入环204朝向上方移动而将其拆下。
紧接着，如图7A、图7B所示，将包含固定于回旋升降机210的可动部的放电组件基座221与安装于其上的放电组件224以及加热器222在内的放电组件单元220如箭头310所示那样以回旋轴211为中心向上方移动之后，使其绕逆时针方向水平回旋，从而自铅垂上方观察而朝向真空处理室的区域外移动。在本实施例中也能够使放电组件单元绕逆时针方向回旋，将回旋升降机的位置变更为相反一侧(图中右侧配置变更为左侧配置)而绕顺时针方向回旋。将放电组件单元220向上方移动的距离设为越过接地环225的突起部的高度以上。在本实施例中设为5cm，但不限定于此。需要说明的是，在接地环的突起部的高度较低的情况下，设为O型环207从放电组件单元220或者接地环225脱离的高度(数cm)以上。并且，能够将回旋角度设为180度，但也能够设为90度以上270度以下。其中，考虑到作业性而优选为180度±20度。通过将并非稳态维护的对象的放电相关构件作为放电组件单元220汇集而进行回旋，能够使上述构件从真空处理室的上部迅速且容易地回避。通过使放电组件单元220回避，在真空处理室的上端露出接地环225。
接下来，如图8A、图8B所示，使接地环225以及作为主要的稳态维护对象构件的上部容器230向上方移动并将它们拆下。即，能够以可交换(更换)的状态容易地拆下上部容器230。在本实施例中构成真空处理室的真空隔壁自身(上部容器)能够更换。由此，能够将拆卸真空处理室之后的上部容器230的维护时间抑制到最小限度。需要说明的是，在进行维护时，预先将第一闸阀设为关闭，将第二闸阀设为打开。通过关闭第一闸阀111而将真空搬运室104设为真空密封状态，从而能够进行其他真空处理室内的处理，能够将作为真空处理装置的运转率的降低抑制到最小限度。另一方面，通过将第二闸阀112设为打开状态，能够分离上部容器230与阀室115。上部容器230的拆卸通过卸下在凸缘部处固定上部容器230与基板260的螺钉而进行。放电组件单元的移动通过控制回旋升降机的控制装置来进行。该控制装置也可以是回旋升降机专用，也可以作为真空处理装置整体的控制装置的一部分编入。通过卸下上部容器230，除了露出试料台241与支承梁之外，还露出试料台基座242的环部分。
接下来，如图9A、图9B所示，将包含固定于回旋升降机210的可动部的试料台基座242与安装于其上的试料台241以及试料台底部盖245在内的试料台单元240如箭头320所示以回旋轴211为中心向上方移动后，绕逆时针方向水平回旋，从而自铅垂上方观察而向真空处理室的区域外移动。在本实施例中，将试料台单元绕逆时针方向进行了回旋，但也能够将回旋升降机的位置变更为相反一侧(图中右侧配置变更为左侧配置)而绕顺时针方向回旋。将试料台单元240向上方移动的距离设为O型环207从试料台单元240或者下部容器250脱离的高度以上。在本实施例中设为2cm，但不限定于此。另外，期望将回旋角度以与放电组件单元220相同的方式设定。由此，在从铅垂上方观察的情况下，能够减小放电组件单元220与试料台单元240这两者的合计面积。将并非稳态维护的对象的试料台相关构件作为试料台单元240汇集而进行回旋，从而能够使上述构件从真空处理室的上部迅速且容易地回避。利用控制回旋升降机的控制装置来进行试料台单元240的移动。该控制装置也可以是回旋升降机专用，也可以作为真空处理装置整体的控制装置的一部分进行编入。通过使试料台单元240回避，在真空处理室的上端处露出下部容器250。另外，露出排气部盖261的整个表面。
紧接着，在卸下在凸缘部处固定下部容器250与基板260的螺钉之后，如图10A、图10B所示，使作为主要的稳态维护对象构件的下部容器250向上方移动并卸下。即，能够以可交换(更换)的状态容易地卸下下部容器250。由此，能够将在拆卸真空处理室之后的下部容器250的维护时间抑制到最小限度。在卸下下部容器250之后，进行基板260的表面、排气部盖261的表面的检查、配备。由于基板260的露出部被下部容器250覆盖，因此反应生成物的附着较少，并且，排气部盖261的上部表面在处理被处理物时配置在试料台之下，反应生成物的附着较少，能够根据需要进行清扫。在基板260的周边不存在构成真空处理室的壁等(维护上的障碍物)且是扁平的，因此能够使作业者400(在图10B中未图示)的维护的作业效率提高。
在进行了稳态维护对象的构件的清扫或检查及配备、更换(尤其是上部容器与下部容器)之后，通过与上述说明相反的顺序进行组装，用于真空处理。
接下来，对非稳态维护的顺序进行说明。非稳态维护的对象构件主要是构成放电组件单元220的构件与构成试料台单元240的构件。在构成放电组件单元220的构件的情况下，如图7A、图7B所示，能够将放电组件单元220向上方抬起，沿水平方向回旋之后，从期望的方向进行加热器222的检查、更换、放电组件224的内壁的检查、清扫等维护。放电组件单元220从构成其他真空处理室的构件进行回避，因此能够实现作业效率的提高。
在构成试料台单元240的构件的情况下，如图9A、图9B所示，能够将试料台单元向上方抬起，沿水平方向回旋之后，如图10B所示卸下试料台底部盖而从期望的方向进行各种电源软线或传感器的配线、温度调节用部件等的维护。在支承梁内部的空洞中，配置有为了使被处理物静电吸附于试料台而使用的配线软线、为了向试料台外加高频偏压而使用的配线软线、为了控制试料台的温度而使用的配线软线或者制冷剂用配管、为了检测试料台的温度而使用的配线软线中的至少一个，将它们设为非稳态维护的对象。需要说明的是，在放电组件单元220成为作业的障碍的情况下，能够使其绕顺时针方向回旋至从铅垂上方观察供真空处理室配置的区域、或者其附近。由此，能够实现试料台单元240的作业效率的提高。另外，通过使放电组件单元与试料台单元的回旋角度适当错开，能够同时维护两单元，因此作业效率提高。
需要说明的是，在本实施例中，将放电组件单元、试料台单元向上方抬起之后沿水平方向进行了回旋，但也可以设为在抬起后沿水平方向呈直线状拉出的结构。由此，能够将移动范围设为最小限度。另外，谋求移动机构的结构的简化。其中，向水平方向进行回旋的方法在确保维护的作业空间的方面上是有利的。
另外，在本实施例中，不仅对上部容器进行了更换且对下部容器进行了更换，但也可以设为以覆盖下部容器内表面的方式安装衬片(罩)而对该衬片进行更换的结构。
另外，在本实施例中设置一个回旋升降机，使放电组件单元与试料台单元向相同方向回旋，但也能够在确保作业区域的情况下设置两个回旋升降机，分别向不同的方向回旋。通过分别设置放电组件单元用的回旋升降机与试料台单元用的回旋升降机，能够自由设定各个单元的高度。另外，由于能够更多地配置作业者，因此能够容易进行作业的同时进行，能够在短时间内结束作业，作业效率提高。
另外，在上述实施例中，使用回旋升降机进行移动的放电组件单元、试料台单元以外的构成部件的移动通过手工来进行，但也可以使用吊车等起重机。
另外，在本实施例中，作为真空处理装置而使用了ECR类型的真空处理装置，但不限于此，也能够适用于ICP类型的装置等。另外，使用了具备有由链状方式排列的真空处理室的真空处理装置，但不局限于，也能够适用于群簇方式的装置。
如上所述，根据本实施例，能够提供一种真空处理装置，即使在被处理物大口径化的情况下，也能够使处理的均匀性良好(同轴的轴对称排气)，并且不仅进行稳态维护还可以高效地进行非稳态维护。
需要说明的是，本发明并不限定于上述的实施例，还包含各种变形例。例如，上述的实施例为了便于说明本发明而进行了详细说明，但并非限定为具备所说明的所有结构。另外，也能够将某一结构的一部分置换为其他结构、或者也能够在某一结构上添加其他结构。

Claims (8)

1.一种真空处理装置的运转方法，所述真空处理装置具有至少一个真空搬运室和多个真空处理室，该真空处理室以在该一个真空搬运室与一个真空处理室之间夹着内部配置有被处理物的搬运路径的阀室的方式与所述一个真空搬运室连结，其中，
所述一个真空处理室具备：
具有排气开口的基板；
下部容器，其配置在所述基板上，且水平剖面的内壁呈圆形；
试料台单元，其配置在所述下部容器之上，且具有载置被处理物的试料台、支承所述试料台且相对于所述试料台的中心轴呈轴对称地配置的支承梁、以及在该支承梁的外周侧与该支承梁连结的环状的试料台基座，该环状的试料台基座构成将所述真空处理室的内部与外部的大气压的空间气密地划分的隔壁；
上部容器，其配置在所述试料台基座之上，且在与该试料台基座之间构成将所述真空处理室的内部与外部的大气压的空间划分的隔壁，并且，在其外侧壁具有在与所述真空搬运室之间搬运所述被处理物的第一开口部，该上部容器的水平剖面的内壁呈圆形；以及
密封构件，其夹在所述基板、所述下部容器、具有环状的试料台基座以及上部容器各自之间而配置，且对所述真空处理室的内部与外部之间进行气密地封固，
所述真空处理装置在所述一个真空处理室与邻接的其他真空处理室之间、以及邻接于所述真空处理装置的其他真空处理装置与该一个真空处理室之间配置有作业者用的作业空间，
所述真空处理装置具备移动单元，该移动单元在所述一个真空处理室和所述邻接的其他真空处理室之间的所述作业空间与所述环状的试料台基座之间、且在所述试料台基座的外侧相对于所述阀室远离该试料台基座的中心的位置处与试料台基座连接地配置，并且该移动单元能够进行使具有上下方向的轴且包含该试料台基座的所述试料台单元相对于所述下部容器沿着所述轴在上下方向上移动的上下动作、以及使通过该上下动作而向所述下部容器的上方分离的所述试料台单元沿水平方向移动到该下部容器的上方的区域的外侧且远离所述阀室的位置的水平动作，
利用所述移动单元，使所述试料台单元在上下动作中从所述下部容器向上方分离，然后在水平动作中使该试料台单元移动到从上方观察时的所述作业空间，从而能够同时进行包含比该试料台单元靠下方配置的所述基板在内的所述一个真空处理室的维护和所述试料台单元的维护。
2.根据权利要求1所述的真空处理装置的运转方法，其中，
所述试料台单元在所述移动单元的上下动作中从所述下部容器拉开距离而向上方抬起之后，在所述水平动作中使所述试料台单元绕所述轴沿水平方向回旋地移动。
3.根据权利要求1所述的真空处理装置的运转方法，其中，
所述试料台单元在所述移动单元的上下动作中从所述下部容器拉开距离而向上方抬起之后，在所述水平动作中使所述试料台单元沿水平方向直线地移动。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置的运转方法，其中，
所述阀室在内部具有对所述第一开口部进行开闭的第一闸阀，
所述真空搬运室具有在与所述真空处理室之间搬运所述被处理物的第二开口部以及对所述第二开口部进行开闭的第二闸阀，
在所述一个真空处理室的维护时，所述第一闸阀设为打开状态，第二闸阀设为关闭状态。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置的运转方法，其中，
在所述一个真空处理室的维护时，更换所述上部容器及所述下部容器。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置的运转方法，其中，
所述基板的排气开口在所述一个真空处理室的运转期间设为打开状态，在所述一个真空处理室的维护时设为关闭状态。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置的运转方法，其中，
在设于所述支承梁的内部的空洞中，配置有为了使所述被处理物静电吸附于所述试料台而使用的配线软线、为了向所述试料台施加高频偏压而使用的配线软线、为了控制所述试料台的温度而使用的配线软线或者制冷剂用配管、为了检测所述试料台的温度而使用的配线软线中的至少一者。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的真空处理装置的运转方法，其中，
所述真空处理室进行干蚀刻处理。
CN201711439328.3A 2014-01-27 2014-08-19 真空处理装置的运转方法 Active CN108155082B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014012027A JP6293499B2 (ja) 2014-01-27 2014-01-27 真空処理装置
JP2014-012027 2014-01-27
CN201410408799.8A CN104810305B (zh) 2014-01-27 2014-08-19 真空处理装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410408799.8A Division CN104810305B (zh) 2014-01-27 2014-08-19 真空处理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108155082A true CN108155082A (zh) 2018-06-12
CN108155082B CN108155082B (zh) 2020-05-19

Family

ID=53679672

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711439328.3A Active CN108155082B (zh) 2014-01-27 2014-08-19 真空处理装置的运转方法
CN201410408799.8A Active CN104810305B (zh) 2014-01-27 2014-08-19 真空处理装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410408799.8A Active CN104810305B (zh) 2014-01-27 2014-08-19 真空处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11710619B2 (zh)
JP (1) JP6293499B2 (zh)
KR (2) KR101774532B1 (zh)
CN (2) CN108155082B (zh)
TW (2) TWI644382B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI809544B (zh) * 2020-11-30 2023-07-21 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 等離子體處理裝置及其末端執行器、邊緣環、晶圓處理方法、邊緣環更換方法及晶圓的取放方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9293303B2 (en) * 2013-08-30 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low contamination chamber for surface activation
JP6609425B2 (ja) * 2015-06-17 2019-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6607795B2 (ja) 2016-01-25 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6960737B2 (ja) 2017-01-23 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
JP6960830B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置および真空処理装置の運転方法
CN111433390B (zh) * 2017-12-22 2022-09-27 株式会社村田制作所 成膜装置
JP7083463B2 (ja) 2018-02-23 2022-06-13 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
KR102207755B1 (ko) * 2018-05-28 2021-01-26 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치
CN109065432A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 德淮半导体有限公司 一种干法刻蚀设备
JP7296739B2 (ja) * 2019-01-31 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理装置の動作方法
JP6750928B2 (ja) * 2019-03-01 2020-09-02 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
CN111705302B (zh) * 2020-08-18 2020-11-10 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1275174A (zh) * 1998-08-19 2000-11-29 芝浦机械电子装置股份有限公司 真空装置用驱动机构及真空装置
US20050193953A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Akitaka Makino Plasma processing apparatus
CN1711155A (zh) * 2002-11-14 2005-12-21 东京毅力科创株式会社 输送机构的基准位置的修正装置及修正方法
CN1767145A (zh) * 2004-10-29 2006-05-03 株式会社岛津制作所 真空处理装置
US20060099053A1 (en) * 2003-02-06 2006-05-11 Tokyo Electron Limited Vacuum treating device with lidded treatment container
ATE346311T1 (de) * 2002-08-07 2006-12-15 Tokyo Electron Ltd Trägersystem und prüfverfahren
CN1909182A (zh) * 2005-08-05 2007-02-07 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺处理系统及其处理方法
JP2007165659A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置
CN101101888A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 Psk有限公司 衬底传送装置以及使用该装置的衬底加工系统
US20110110751A1 (en) * 2009-11-12 2011-05-12 Susumu Tauchi Vacuum processing system and vacuum processing method of semiconductor processing substrate
CN102569016A (zh) * 2010-12-28 2012-07-11 株式会社日立高新技术 真空处理装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JP3527450B2 (ja) * 1999-12-22 2004-05-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6719851B1 (en) * 2000-09-26 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Lid assembly for opening a process chamber lid and uses therefor
US6669783B2 (en) 2001-06-28 2003-12-30 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US6700090B2 (en) * 2002-04-26 2004-03-02 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing method and plasma processing apparatus
TW558789B (en) * 2002-05-02 2003-10-21 Hitachi High Tech Corp Semiconductor processing device and diagnostic method of semiconductor processing device
JP4522795B2 (ja) * 2003-09-04 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP2006080347A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
KR100667598B1 (ko) * 2005-02-25 2007-01-12 주식회사 아이피에스 반도체 처리 장치
JP2008311385A (ja) 2007-06-14 2008-12-25 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置
US9328417B2 (en) 2008-11-01 2016-05-03 Ultratech, Inc. System and method for thin film deposition
JP5564271B2 (ja) * 2010-01-20 2014-07-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
KR101136728B1 (ko) * 2010-10-18 2012-04-20 주성엔지니어링(주) 기판처리장치와 그의 분해 및 조립방법
US10023954B2 (en) * 2011-09-15 2018-07-17 Applied Materials, Inc. Slit valve apparatus, systems, and methods
US8895452B2 (en) * 2012-05-31 2014-11-25 Lam Research Corporation Substrate support providing gap height and planarization adjustment in plasma processing chamber
JP6491891B2 (ja) * 2015-01-23 2019-03-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP6609425B2 (ja) * 2015-06-17 2019-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6960737B2 (ja) * 2017-01-23 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
JP6960830B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置および真空処理装置の運転方法
JP7083463B2 (ja) * 2018-02-23 2022-06-13 株式会社日立ハイテク 真空処理装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1275174A (zh) * 1998-08-19 2000-11-29 芝浦机械电子装置股份有限公司 真空装置用驱动机构及真空装置
ATE346311T1 (de) * 2002-08-07 2006-12-15 Tokyo Electron Ltd Trägersystem und prüfverfahren
CN1711155A (zh) * 2002-11-14 2005-12-21 东京毅力科创株式会社 输送机构的基准位置的修正装置及修正方法
US20060099053A1 (en) * 2003-02-06 2006-05-11 Tokyo Electron Limited Vacuum treating device with lidded treatment container
US20050193953A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Akitaka Makino Plasma processing apparatus
CN1767145A (zh) * 2004-10-29 2006-05-03 株式会社岛津制作所 真空处理装置
CN1909182A (zh) * 2005-08-05 2007-02-07 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺处理系统及其处理方法
JP2007165659A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置
CN101101888A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 Psk有限公司 衬底传送装置以及使用该装置的衬底加工系统
US20110110751A1 (en) * 2009-11-12 2011-05-12 Susumu Tauchi Vacuum processing system and vacuum processing method of semiconductor processing substrate
CN102569016A (zh) * 2010-12-28 2012-07-11 株式会社日立高新技术 真空处理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI809544B (zh) * 2020-11-30 2023-07-21 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 等離子體處理裝置及其末端執行器、邊緣環、晶圓處理方法、邊緣環更換方法及晶圓的取放方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104810305A (zh) 2015-07-29
TW201738991A (zh) 2017-11-01
KR20150089907A (ko) 2015-08-05
JP6293499B2 (ja) 2018-03-14
KR101835438B1 (ko) 2018-03-08
TW201530678A (zh) 2015-08-01
KR101774532B1 (ko) 2017-09-04
CN108155082B (zh) 2020-05-19
JP2015141908A (ja) 2015-08-03
CN104810305B (zh) 2018-01-30
US20150214014A1 (en) 2015-07-30
TWI600101B (zh) 2017-09-21
KR20170102163A (ko) 2017-09-07
TWI644382B (zh) 2018-12-11
US11710619B2 (en) 2023-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104810305B (zh) 真空处理装置
TWI600082B (zh) 電漿處理裝置
US10692784B2 (en) Vacuum processing apparatus
KR102041227B1 (ko) 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 운전 방법
US20220389575A1 (en) Vacuum processing apparatus
JP7083463B2 (ja) 真空処理装置
JP2010103575A (ja) 真空処理装置
JP6666630B2 (ja) 真空処理装置
JP6750928B2 (ja) 真空処理装置
JP6475877B2 (ja) 真空処理装置
JP6797994B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2017002382A (ja) プラズマ処理装置
JP2008024975A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant