TWI600082B - 電漿處理裝置 - Google Patents

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TWI600082B
TWI600082B TW105105935A TW105105935A TWI600082B TW I600082 B TWI600082 B TW I600082B TW 105105935 A TW105105935 A TW 105105935A TW 105105935 A TW105105935 A TW 105105935A TW I600082 B TWI600082 B TW I600082B
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Description

電漿處理裝置
本發明，係關於針對被搬送至真空容器內部的被減壓的處理室內而配置的半導體晶圓等的基板狀的樣品運用形成於該處理室內的電漿而進行處理的電漿處理裝置，具備可裝卸地配置於上下方向的位置而構成真空容器的複數個構材的電漿處理裝置。
在供於從半導體晶圓等的基板狀的樣品製造半導體裝置用的半導體晶圓的製造裝置方面，一般已知將樣品配置於真空容器內部的被減壓的處理室內而對於在樣品的上表面預先形成的包含遮罩的具有複數個膜層的膜構造的作為處理對象的膜層使用形成於該處理對象的電漿而實施蝕刻等的處理者。在如此之電漿處理裝置，係例如進行：將處理用氣體導入真空容器內部的被減壓的處理室內同時對處理室內供應電場或磁場而將該處理用氣體激發以生成電漿，從而針對被運用靜電力而吸附保持於樣品台上的半導體晶圓上的作為處理對象的膜層，藉包含電漿所含 的自由基等具有活性的粒子與作為處理對象的膜層的材料的化學反應、及如離子的帶電粒子的濺鍍等的物理反應等的相互作用而進行處理。
在晶圓等樣品的處理中形成於處理室內的反應生成物的粒子係在處理室內漂浮而附著於內壁面。隨著樣品的處理的個數、實施處理的時間等的累計增加，所附著的粒子會堆積於處理室內表面而形成膜。其結果，發生如下問題：如此之附著物的堆積物由於與形成於處理室內的電漿之間的相互作用使得其碎片、粒子等再度在處理室內漂浮而附著於樣品的表面而污染形成於樣品、表面等的半導體裝置的電路用的膜構造，處理的結果所得的半導體裝置的性能受損而發生不良致使良率降低。此外，發生如下問題：處理室內表面的附著物與電漿的相互作用的量對於樣品的上表面上方的電漿的電位、密度、強度的值與其分布等亦造成影響，由於所處理的樣品的個數、時間等的累計的增加使得附著物的增加對於樣品的處理的結果造成影響而使處理的結果從開始複數個樣品的處理的時間點發生變動，從作為處理的結果的所加工的形狀的所望者的偏差隨著時間的經過而增加。
為了解決此問題，歷來進行：判定為處理樣品的累計的個數、實施處理的累計的時間等到達既定值時，暫時停止電漿處理裝置的運轉，實施將附著於處理室內表面的物質去除的清掃(清潔)，而使處理室內表面恢復至獲得所望的處理結果的程度。在如此之清掃方面，係 進行：使真空容器內部的處理室成為環境(大氣)壓而向大氣開放，而運用化學溶液以布等擦抹掃除處理室內部的構材的表面(濕式清潔)。
要進行如此之清潔，係需要使處理室內部成為大氣壓而開放，需要每次在該期間中斷樣品的處理。為此，盡可能縮短進行如此之清潔的作業的時間在為了提高真空處理裝置的運轉率而提升整體上的處理的效率方面已顯重要。此外，反應生成物等的處理室內的粒子，係不僅包圍處理室的構材的表面而亦附著於配置在處理室內並將半導體晶圓載置於其上表面而保持的樣品台的表面，故此樣品台的至少載置樣品的上表面以外的地方的表面亦變得需要實施濕式清潔等的將附著物去除的作業。
在將構成處理室的構材表面的濕式清潔所需的時間縮短方面，係可卸除曝於真空處理環境並附著反應生成物的真空容器或構件而替換成新品或洗淨品。在如此之歷來的技術方面，係已知例如揭露於日本發明專利公開2005-252201號公報(專利文獻1)者。在此先前技術，係已揭露：在外側腔室的內部具備構成進行被處理物的處理的處理室的上部內筒腔室與樣品台、及配置於排氣部側的下部內筒腔室的真空處理裝置。
在此現有技術，係已揭露如下構成：在實施裝置的保養時，以使配置於上部內筒腔室的上部，構成生成電漿的放電室的放電室底板以配置於搬送室側的鉸鏈部為支點而旋轉的方式向上方舉起，確保上部內側腔室的作 業空間從而將上部內側腔室朝向上方舉起而從外側腔室取出。此外，記載如下技術：將固定著具備以樣品台的鉛直方向的中心為軸而被繞軸配置並固定的支撐樑的環狀的支撐基底構材(樣品台區塊)的樣品台底板以將配置於搬送室側的鉸鏈部作為支點而予以旋轉的方式朝上方舉起，藉確保下部內側腔室的作業空間從而將下部內側腔室朝向上方舉起而從外側腔室取出後，交換表面未使用或被洗淨而視為清淨的腔室的構材而安裝。
另外，將支撐樑以樣品台的鉛直方向的中心為軸而軸對稱地配置(亦即，相對於樣品台的中心軸的氣體流路形狀為略同軸軸對稱)，使得上部內筒腔室內的樣品台上的空間的氣體等(處理氣體、電漿中的粒子、反應生成物等)通過此支撐樑彼此之間的空間經由下部內筒腔室被排氣。藉此，被處理物圓周方向上的氣體的流動變均勻，變得可進行對於被處理物的均勻的處理。
另一方面，在日本發明專利公開2005-516379號公報(專利文獻2)中，係已揭露：予以(水平方向地)通過設於真空處理腔室的側壁的開口部，使得可相對於腔室而安裝/卸除，搭載靜電夾具組件的懸臂的基板支撐部。可將包含樣品台的基板支撐部取出至真空容器外部，故無須為了進行樣品台的表面的清掃而將處理室的內部開放，另外可並行而實施處理室的內側側壁的清掃與包含樣品台的基板支撐部的表面的清掃，故縮短作業所需的時間而減低裝置的非運轉時間而整體上的處理的效率會提 升。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本發明專利公開2005-252201號公報
[專利文獻2]日本發明專利公開2005-516379號公報
在上述的現有技術方面，係針對以下部分考慮為不充分因而發生問題。
亦即，在上述現有技術，係在真空容器的內部多重地配置不同的容器並在最內側的容器內具備形成電漿的處理室的構成。內側的容器的內表面係面向電漿而附著隨著晶圓的處理而形成的反應生成物等的粒子故要求供於進行交換而將處理室內表面的狀態清淨至可抑制對處理的性能造成不良影響的程度用的作業的縮短。然而，將內外的容器多重地配置的構成下係在內部的容器的卸除時作業員需要大的負擔。
如此要將配置於內側的容器的內外氣密地分隔時在內側的容器，係需要為了使接於內側的容器的O環等的密封構材變形而施加負載於上下方向，故為了實現此則內側的容器，係需要為以裝置被設成可動的狀態下從外部傳達負載的方式收納成在真空容器的內側內包容器的構 成。為此，要取出內側的容器，係需要作業員從外側的真空容器的內部與該真空容器的側壁的上端隔開距離使重量少的內側的容器移動於上下方向，保養的作業需要長的時間。為此，對作業員造成大的負擔。此外，裝置的停機時間變長而依裝置的處理的效率受損。
再者，處理對象的晶圓的徑變大時，比將晶圓收納於內部的內側的容器外側的真空容器的徑係不得不進一步變大。為此，設置處理晶圓的裝置的建築的地板所占有的面積進一步增大。
依專利文獻2的技術時，僅管不需要使內側的容器移動於上方而從外側的真空容器取出的作業，基板支撐部係在腔室側壁的開口部被真空密封。為此，為了支撐徑變大的晶圓而增加尺寸的結果使得採用重量增加的基板支撐部時，具有往真空密封部的負載變大而保持真空變難之虞。此外，在此現有技術，係由於懸臂使得相對於樣品支撐部的中心軸的氣體流路形狀非同軸的軸對稱，具有發生以下問題之虞：被處理物的圓周方向上的氣體的流動變不均勻，對於被處理物進行均勻的處理變困難。
在上述現有技術係並未充分考量關於如此之問題點。本發明之目的，係在於提供提升保養作業的效率而使處理的效率提升的真空處理裝置。
上述目的，係藉以下從而達成：一種電漿處 理裝置，具備真空容器及底板，該真空容器係具有使用電漿而處理被配置於被減壓的內側的晶圓，該底板係載置此真空容器並具有排出來自該真空容器內部的處理室的氣體的開口，構成前述真空容器的至少2個構材被構成為可相對於前述底板在水平方向上移動而被卸除，該電漿處理裝置係具備：一閥箱，其係夾著前述真空容器被配置於該真空容器的側方，在內部搬送前述晶圓；一升降器，其係在前述底板的外周部，亦即夾著前述真空容器在前述閥箱的相反之側的端部，與前述2個可卸除構材的各者連結而安裝，具有此等可卸除構材沿著上下方向移動的上下方向的軸；一迴旋軸，其係被配置於前述升降器的前述上下方向的軸與前述可卸除構材的各者的連結部，此等可卸除構材在其周圍於水平方向上繞該上下方向的軸而迴旋；以及一筒狀構材，其係被配置於前述上下方向的軸的外周，可移動於該軸方向，透過該上方向的移動而與前述2個可卸除構材的連結部的各者連接，使此等連結部及連結於其的可卸除構材的各者移動。
依本發明時，可提供提升保養作業的效率而使處理的效率提升的真空處理裝置。
100‧‧‧真空處理裝置
101‧‧‧大氣區塊
102‧‧‧真空區塊
104、104-1、104-2‧‧‧真空搬送室
105‧‧‧鎖止室
106‧‧‧大氣搬送室
107‧‧‧盒台
108‧‧‧搬送中間室
109‧‧‧大氣搬送機器人
110、110-1、110-2‧‧‧真空搬送機器人
111‧‧‧第1閘閥
112‧‧‧第2閘閥
115‧‧‧閥箱
200、200-1、200-2、200-3、200-4‧‧‧真空處理單元
201‧‧‧第1高頻電源
202‧‧‧蓋構材
203‧‧‧噴灑板
204‧‧‧氣體導入環
205‧‧‧石英內筒
206‧‧‧螺線管線圈
207‧‧‧O環
210‧‧‧迴旋升降器
211‧‧‧上下軸
212、212-1、212-2‧‧‧迴旋軸
213‧‧‧活動螺母
214‧‧‧迴旋基底(放電區塊單元用)
215‧‧‧迴旋基底(樣品台單元用)
220‧‧‧放電區塊單元
221‧‧‧放電區塊基底
222‧‧‧加熱器
223‧‧‧第1溫度控制器
224‧‧‧放電區塊
225‧‧‧接地環
230‧‧‧上部容器
240‧‧‧樣品台單元
241‧‧‧樣品台
242‧‧‧樣品台基底
243‧‧‧第2高頻電源
244‧‧‧第2溫度控制器
245‧‧‧樣品台底部蓋
246‧‧‧支撐樑
250‧‧‧下部容器
260‧‧‧底板
261‧‧‧排氣部蓋
262‧‧‧致動器
270‧‧‧排氣泵浦
280‧‧‧支柱
290‧‧‧中心軸
300‧‧‧晶圓
310‧‧‧放電區塊單元移動的方向
320‧‧‧樣品台單元移動的方向
400‧‧‧作業員
[圖1]本發明的實施例相關之真空處理裝置的示意俯視圖(一部分透視)。
[圖2]本發明的實施例相關之真空處理裝置中的真空 處理單元的剖面圖。
[圖3]供於說明本發明的實施例相關之真空處理裝置中的被處理物的搬送用的主要部分示意俯視圖(閘閥為開的狀態，搬送機器人將被處理物搬入真空處理單元的狀態，或正要搬出的狀態)。
[圖4]供於說明本發明的實施例相關之真空處理裝置中的被處理物的搬送用的主要部分示意俯視圖(閘閥為閉的狀態，被處理物被往真空搬送室搬入的狀態)。
[圖5]供於說明在本發明的實施例相關之真空處理裝置的真空處理單元的保養的順序用的俯視圖(線圈與電源被卸除的狀態)。
[圖6]供於說明在本發明的實施例相關之真空處理裝置的真空處理單元的保養的順序用的俯視圖(石英板、噴灑板、石英內筒被卸除的狀態)。
[圖7]供於說明在本發明的實施例相關之真空處理裝置的真空處理單元的保養的順序用的俯視圖(氣體導入環被卸除的狀態)。
[圖8]供於說明在本發明的實施例相關之真空處理裝置的真空處理單元的保養的順序用的俯視圖(藉迴旋升降器使得放電區塊單元被舉起而迴旋的狀態)。
[圖9]供於說明在本發明的實施例相關之真空處理裝置的真空處理單元的保養的順序用的縱剖面圖(藉迴旋升降器使得放電區塊單元被舉起而迴旋的狀態)。
[圖10]供於說明在本發明的實施例相關之真空處理裝置的真空處理單元的保養的順序用的俯視圖(接地環、上 部容器被卸除的狀態)。示於圖8A的真空處理單元的示意剖面圖。
[圖11]供於說明在本發明的實施例相關之真空處理裝置的真空處理單元的保養的順序用的俯視圖(藉迴旋升降器使得樣品台單元被舉起而迴旋的狀態)。
[圖12]供於說明在本發明的實施例相關之真空處理裝置的真空處理單元的保養的順序用的縱剖面圖(藉迴旋升降器使得樣品台單元被舉起而迴旋的狀態)。
[圖13]供於說明在本發明的實施例相關之真空處理裝置的真空處理單元的保養的順序用的俯視圖(下部容器被卸除的狀態)。
[圖14]示意性針對本發明的實施例相關之電漿處理裝置的示於圖13的狀態下實施保養或檢查的狀態進行繪示的俯視圖。
以下使用圖式說明本發明之實施形態。
[實施例]
以下，就本發明的實施例利用圖1至14作說明。另外，在圖中相同符號係表示相同構成要素。
圖1，係示意性就本發明之實施例相關的真空處理裝置之構成的概略作繪示之圖。圖1(a)，係針對本實施例相關之真空處理裝置100從上方所見的橫剖面 圖，圖1(b)，係針對真空處理裝置100的構成進行繪示的透視圖。
本實施例的真空處理裝置100，係具備：配置於其前方側(圖上右側)的大氣區塊101與配置於後方側(圖上左側)的真空區塊102。大氣區塊101，係在大氣壓下搬送半導體晶圓等的基板狀的樣品，進行收納的定位等的部分，真空區塊102係包含如下部分：在從大氣壓減壓的壓力下搬送樣品或實施處理等，在載置樣品的狀態下使壓力上下升。
大氣區塊101，係具備：外廓為長方體或具有近似於視為其之程度的同等的形狀並於其內部具有是被設成大氣壓或近似於視為其之程度的同等的壓力的空間的大氣搬送室106的框體；以及被沿著此框體的前面側的側面排列而安裝，在內部收納處理用或清潔用的樣品的盒子被載置於其上表面的複數個盒台107。大氣區塊101，係是收納於盒台107上的各盒子的內部的處理用或清潔用的樣品的晶圓在盒子與連結於大氣搬送室106的背面的真空區塊102之間被交換的地方，於大氣搬送室106內部係配置為了如此之晶圓的搬送而具備晶圓保持用的臂件的大氣搬送機器人109。
真空區塊102，係具備：在內部具備被減壓並具有樣品被處理的處理室的真空容器的複數個真空處理單元200-1、200-2、200-3、200-4；與此等真空處理單元連結並在其內部具有是具備在減壓下搬送樣品的真空搬送機 器人110-1、110-2的搬送用的空間的真空搬送室104-1、104-2的真空容器；及具有在該真空搬送用的真空容器(真空搬送容器)與大氣搬送室106的框體之間與此等連接而配置的收納晶圓的空間亦即具有與真空搬送室104-1及大氣搬送室106可連通而配置的鎖止室105的真空容器；在內部具有是在2個真空搬送容器之間與此等連接而配置並設成在真空搬送室104-1及真空搬送室104-2之間與此等可連通的晶圓收納用的空間的搬送中間室108的真空容器。此真空區塊102，係具備其內部被減壓而可維持於既定值的真空度的壓力的真空容器而構成。
此外，上述大氣搬送機器人109、真空搬送機器人110等的搬送的動作、真空處理單元的處理晶圓的動作、在鎖止室105的內部的密封、開放、減壓、升壓的動作等真空處理裝置100的動作，係被藉與執行此等的各部分經由包含採有線或無線者的通信路徑而可收發信號地連接的未圖示的控制裝置而調節。控制裝置，係包含以下而構成：與外部的通信的路徑進行信號的收發的介面；半導體裝置製的微處理器等的運算器；記憶記載著該演算器的演算的演算法的軟體、被通信的信號的值等的資料的RAM、ROM、硬碟、可卸除式碟等的記憶裝置；將此等可通信地連接的通信線路。
利用圖2說明關於本實施例相關之電漿處理裝置的構成。圖2，係示意性就示於圖1的實施例之真空處理單元的構成之概略作繪示的縱剖面圖。本實施例的真 空處理單元200-1、200-2、200-3、200-4，係構成為裝置的構造、動作等相同或近似於視為其之程度的同等者，即使將任1個代替其他3個而配置的情況下晶圓的處理的結果仍獲得相同或同等者。在本圖，係以連結於真空搬送室104-1的真空處理單元200-1、200-2的任一者為例，而作為真空處理單元200進行說明。
示於本圖的真空處理單元200，係具備：包含具有是在內部配置晶圓300並形成電漿而處理的空間的處理室的上部容器230、下部容器250等的真空容器；連結於此而配置在真空容器下方的包含渦輪分子泵浦等的真空泵浦的排氣泵浦270；配置於真空容器上方的是形成電漿形成用的電場的裝置的第1高頻電源201；及是形成磁場的裝置的螺線管線圈206。上部容器230、下部容器250的外周係曝露於真空處理單元200周圍的環境(大氣)，此等容器係構成將其內部的處理室與外部的環境之間氣密地區劃的真空隔壁。
上部容器230、下部容器250等，係具有水平方向上的剖面的形狀為圓形的內壁，在該圓形的內部的中央部配置圓筒狀的樣品台241。樣品台241，係被藉是在其外周側將此包圍而配置的具有環狀的形狀的構材的樣品台基底242與是延伸於水平方向(圖上左右方向)的樑狀的構材的支撐樑246而保持。
支撐樑246係針對通過樣品台241的圓筒形的中心的鉛直方向的軸(中心軸290)在其周圍以軸對稱 亦即繞中心軸290以相同或近似於視為其之程度的同等的角度而放射狀地配置，通過樣品台242的側壁的周圍而流至下方的處理室的氣體的流量、速度等在中心軸290的周圍變不均勻的情形受到抑制。導入上部容器230內的樣品台241上方的處理室內的氣體或電漿、反應生成物的粒子等係通過支撐樑246彼此之間的空間亦即通過以樣品台241、支撐樑246、樣品台基底242而包圍的空間，往以樣品台241下方的下部容器250包圍的處理室的空間而流入，故載置於構成樣品台241上表面的介電體製的膜的圓形的載置面上的晶圓300的圓周方向的氣體的流動的不均勻受到抑制，從是該晶圓300的圓周方向的處理結果的加工形狀的所望者的偏差、不均勻等被減低。另外，樣品台基底242係具有具備支撐樑的環狀，此環部分被以是真空容器的下部容器與上部上述的周圍而保持，被真空密封，故即使樣品台等的重量增加仍可應對。
本實施例的真空處理單元200的真空容器，係在被載置於配置在設置真空處理裝置100的無塵室等的建築的地面上的複數個的支柱280的上端上而與此等連接的底板260上，藉包含以下的複數個構材而構成：載於上下方向而配置的具有圓筒狀的下部容器250、具備支撐樑246的環狀的樣品台基底242、圓筒狀的上部容器230、接地環225、具有圓筒狀的放電區塊224、氣體導入環204的複數個構材而構成；於各構材彼此之間係作為真空密封用的構材夾著O環207而於此等施加負載使得上述容 器的內外被氣密地密封。
此外，在內周側壁面具有圓筒形的放電區塊224的該內側壁面的內側，係配置將此覆蓋而具有圓筒狀的石英內筒205。在放電區塊224的圓筒形的外周側壁的周圍係捲繞而安裝加熱器222。放電區塊224係連接而安裝於配置在其下方的具有環狀的放電區塊基底221而與加熱器222一起構成後述的放電區塊單元220。
此外，於具有圓筒形的樣品台241的下表面係配置樣品台底部蓋245，被以將內部的被設成大氣壓的空間與處理室之間氣密地密封的方式而安裝於樣品台241而構成為此的一部分。內部的空間係經由配置於支撐樑246內部的通路而與真空處理單元200外部的環境(大氣)連通。樣品台241及環狀地配置於其外周側的樣品台基底242以及複數個支撐樑246係構成後述的樣品台單元240。
另外，上部容器230、下部容器250、底板260的各者係具有凸緣部，上部容器230與下部容器250的各者，係分別經由凸緣部藉螺栓等而螺固於底板260，其位置被固定於底板260上。在本實施例，係真空處理單元200的構成真空容器的構材係雖具有圓筒狀惟在外壁的形狀方面水平方向的剖面形狀可為矩形亦可為其他形狀而非圓形。
於真空處理單元200的真空容器上部，係配置：構成真空容器的具有圓板狀的蓋構材202及在其下方 對向於樣品台241上表面的晶圓300的載置面而被面向此配置而構成處理室的頂面的具有圓板狀的噴灑板203。此等蓋構材202及噴灑板203係石英等的介電體製的構材並被構成為可透射微波、UHF、VHF波等的高頻的電場等。
於如此之構成，以配置於蓋構材202上方的第1高頻電源201振盪而形成的電場，係傳播至蓋構材202，透射該蓋構材202及配置於其下方的噴灑板203而在處理室內從樣品台241上方朝向下方而供應。此外，真空容器尤其在本例係在放電區塊224的外側壁的外周側及蓋構材的上方的地方配置作為供於將此等包圍而形成磁場用的手段的螺線管線圈206，以該螺線管線圈206而產生的磁場係供應至處理室內。
於噴灑板203，係配置是複數個貫通孔的處理用氣體的導入孔，從氣體導入環204所導入的處理用氣體通過此導入孔而供應至真空處理單元內。噴灑板203的導入孔，係配置複數個於是樣品台241的上表面的樣品的載置面的上方亦即樣品台241的中心軸290的周圍的軸對稱的區域，具有既定的組成而從不同氣體成分而構成的處理用氣體通過被均等配置的導入孔被導入真空處理單元內。
從未圖示的作為氣源的氣槽等的氣源通過管路及與此連接的氣體導入環204的內部的通路而導入至蓋構材202與噴灑板203之間的間隙空間的處理用氣體，係在該空間的內部擴散而充滿後，通過配置於噴灑板203的中央部的是複數個貫通孔的氣體導入孔而流入至處理室 內。導入至處理室內的處理用氣體的原子或分子，係因從第1高頻電源201與螺線管線圈206所供應的電場及磁場的相互作用而被激發，在樣品台241上方的放電區塊224內的處理室的空間被電漿化。
此情況下，電漿中的處理用氣體的原子、分子等係解離而變化成離子等的帶電粒子或能階倍提高而活性化的自由基等活性種。在本實施例，係於放電區塊224的外周側壁係連接於第1溫度控制器223的加熱器222被捲繞而安裝，藉由於供應至加熱器222的直流的電力而產生的加熱使得與電漿接觸的石英內筒205的表面被調節成適於處理的範圍內的溫度的值。
藉此，往石英內筒205、放電區塊224等的反應生成物的附著被減低。在本實施例，係此等構材可從固定的保養的對象排除。
載置晶圓300的樣品台241，係在真空處理單元的內部被配置成與此噴灑板203的中心軸290相合。進行採電漿的處理時係在晶圓300被載置於是樣品台241的上表面的圓形的載置面而藉構成此面的介電體的膜靜電而吸附保持(靜電夾具)的狀態下進行處理。
此外，於配置於樣品台241內部的具有圓板或圓筒狀的金屬製的基材，係連接著供應在載置於樣品台241的載置面的晶圓300上方形成偏壓電位的高頻電力的第2高頻電力243，透過以下而對該作為處理對象的膜層實施蝕刻處理：藉比被供應至作為電極的基材的第1高頻 電力的頻率低的既定的頻率的高頻電力，依形成於樣品台241及載置於此上的晶圓300的上方的高頻偏壓電位與電漿的電位之間的電位差將電漿中的帶電粒子引誘至包含預先形成於晶圓300的表面的遮罩的具有複數個膜層的膜構造的作為處理對象的膜層的表面而予以衝撞所致的物理反應及前述自由基與晶圓表面的化學反應的相互反應。
此外，在樣品台241的基材的內部，係配置在樣品台241的上下方向的中心軸290的周圍被同心或螺旋狀地配置的冷媒流路，藉第2溫度控制器244設成期望的範圍內的溫度的熱交換媒體被供應而流通。藉此構成使得晶圓300與熱交換媒體進行熱交換從而使樣品台241及晶圓300的溫度被調節成適於處理的範圍內的值。
往樣品台241的高頻偏壓電力的供應用的電源用配線碼、為了調解樣品台241的溫度而供應的熱交換媒體(冷媒)的配管或溫度控制用的配線碼等，係形成於包含支撐樑246的樣品台基底242內部並配置於與真空處理單元200外部的環境連通的管路內。另外，雖未圖示，惟除如此之配線碼以外亦可於管路內配置溫度感測器、靜電夾具用配線碼等。此外，在配置於樣品台241的周邊的上部容器230係容易附著反應生成物，故是固定保養的對象構材。
在真空處理單元200的真空容器的下方，係配置與其底部及具有排出處理室內的氣體、電漿的粒子等用的排氣開口263的底板260連結的排氣泵浦270。設於 底板260的具有圓形的排氣開口263，係在樣品台241的正下方將其中心配置於與中心軸290相合或接近可視為此的程度的同等的位置。
排氣開口263，係配置於其上方的具有略圓板形狀的排氣部蓋261被藉在其外周側與延伸於水平方向(圖上左右方向)的腕部連結的致動器262的上下方向的驅動而上下移動，使得排氣開口263與排氣部蓋261之間的距離被增減而調整從處理室的排氣的電導。在晶圓300的處理中，依該傳導度之值與排氣泵浦270的每單位時間的排氣量而調節排出至真空處理單元外的內部的氣體、電漿、生成物等的流量或速度，藉該排氣與處理用氣體的供應的平衡，使得處理室的壓力被調節至期望的真空度。
導入至處理室內的處理用氣體及電漿、處理時的反應生成物等係藉排氣泵浦270等的排氣手段的動作而從真空處理室上部通過樣品台241的外周壁與樣品台基底242的內周壁面之間的空間，經由下部容器250通過下方的排氣開口263被排出。為此，下部容器250係曝露於來自樣品台241上方的排氣的氣流故容易於其表面附著反應生成物，故固定保養時，如後述，構成為：使樣品台環242於水平方向旋轉而移動從而從下部容器250上方卸除的結果，可與將其內部表面清淨化或洗淨完畢而清淨者進行交換。
在上述的實施例中，係對晶圓300進行蝕刻處理中的處理室內部的壓力，係運用從未圖示的真空計的 輸出而在與該真空計可通信地連接的未圖示的控制部被檢測出，藉由依接收根據此所檢測出的壓力的值而在該控制部被算出並從控制部所發信的指令信號的致動器262的動作的排氣部蓋261的上下方向的移動使得排氣的流量、速度被調節而處理室內部的壓力被調節。在本實施例，處理中的壓力，係在0.1~4Pa的範圍被調節成預先設定之值。
另外，排氣部蓋261，構成為：在將真空處理單元200的內部大氣開放而實施的保養作業中係夾著O環將排氣開口263氣密地閉塞而可將排氣泵浦270入口從外氣密封。下部容器250的內側壁面係容易附著形成於上方的處理室內的反應生成物故作為固定保養的對象構材。
使用於電漿處理的處理用氣體方面，係按針對晶圓300的作為處理對象的膜層進行處理的程序的條件而採用單一種類的氣體、或將複數種類的氣體以最佳的流量比而混合的氣體。此混合氣體，係其流量被藉氣體流量控制器(未圖示)調節並經由與此連結的氣體導入環204而導入噴灑板203與蓋構材202之間的氣體滯留用的空間。在本實施例係使用不銹鋼製的氣體導入環204。
利用圖3及4，而針對本實施例中的在晶圓300的真空處理單元200與真空搬送室104之間的搬送的態樣進行說明。圖3，係示意性針對在示於圖1的實施例相關之真空處理裝置中真空搬送機器人110將樣品W對於真空處理單元內部作搬出入的動作進行繪示的橫剖面 圖。
於本例中，真空處理單元200及真空搬送室104，係連結於圖上左右方向，構成真空處理單元200的上部容器230、閥箱115與搬送室104的各者被夾著O環等的密封材而連接且減壓成既定的真空度的內部被相對於外部的大氣而氣密地密封。於真空搬送室104的內部，係配置搬送樣品的真空搬送機器人110。上部容器230、閥箱115及搬送室104的各者，係於側面具有是晶圓300通過內部被搬送的通路的閘門的開口，通過此閘門與開口，載置於配置在真空搬送機器人110的臂件的前端部的保持部上的晶圓300在上部容器230內部的處理室與搬送室104之間被搬送。
此外，在本實施例，係配置被驅動而移動於上下方向(垂直於圖上紙面的方向)將真空搬送室104及上部容器230各者的閘門的開口開放或氣密地閉塞的2個閘閥。於本實施例，係具備：將配置於真空搬送室104內並面向內部的閘門的開口閉塞的第1閘閥111；及配置於上部容器230的閘門的外側進行該閘門的開口的閉塞的第2閘閥112。第1閘閥111係配置在搬送室104的內部，第2閘閥係配置在連接於上部容器230的外側壁面在與真空搬送室104之間連結於此等的閥箱115的內部。
第1閘閥111及第2閘閥112打開的狀態下，真空搬送機器人110將晶圓300載置於被配置在複數個樑狀構材的兩端部被藉關節作連結而藉各關節部的致動 器、馬達等的旋轉使整體朝向特定的方向伸長及收縮的臂件前端的保持部上的狀態下該臂件伸長，使得晶圓300通過複數個閘門從真空搬送室104內部搬入至上部容器230內的樣品台241的載置面上方。或者，藉臂件的收縮的動作使得結束處理的晶圓300被從上部容器230內的樣品台241的上方搬出至真空搬送室104內。
圖4，係示意性針對在示於圖1的實施例的真空處理單元內正在處理樣品W時的真空處理裝置的狀態進行繪示的橫剖面圖。於本圖中，樣品W被處理的期間，係由於第2閘閥1112使得上部容器230的閘門的開口被氣密地閉塞且處理室內部被相對於閥箱115的內部及真空搬送室104而密封，在此狀態下利用形成於處理室內的電漿而對樣品W實施處理。此情況下，第1閘閥111可打開，或亦可關閉。
第2閘閥112關閉的期間，第2閘閥111的閥體係上部容器230的開口周圍的上部容器230的外周側壁與沿著閥體的抵接面上的外周緣而配置的O環等的密封手段作抵接而防止通過閘門的氣體的流通。此狀態下在閥體的O環的中央側被此所包圍而配置的凸部的上表面，係具備如與上部容器230的具有圓筒形的內壁面構成一體的壁面的形狀。
亦即，第2閘閥112的閥體的配置於密封面側中央的凸部，係在第2閘閥112將閘門閉塞的狀態下，具有與上部容器230的內壁或處理室的圓筒狀同軸且其曲 率被設成同等的圓弧狀。藉此，藉上部容器230的內壁面與在第2閘閥112的閥體的凸部端面面向處理室的面而形成的處理室的形狀，係構成與樣品台241的中心軸同軸的圓筒的側面。藉此，處理室的內側壁面的第2閘閥112的閥體所致的凹凸被減低，處理室內的氣體、電漿等的圓周方向的分布因該閥體所致的凹凸的存在而失衡而造成在樣品W的處理發生不均勻的情形被抑制。
利用圖5至14，而說明關於本實施例的電漿處理裝置的保養時的真空容器的裝卸的構成。圖5，係示意性針對在示於圖2的實施例相關之電漿處理裝置中在保養時第1高頻電源201及螺線管線圈206的單元被從真空容器朝向上方卸除的狀態進行繪示的圖。圖5(a)係從上方所見的俯視圖，圖5(b)係縱剖面圖。
此外，圖6及圖7，係示意性針對從示於圖5的電漿處理裝置進一步卸除真空容器的上部的構材的狀態下的該電漿處理裝置的構成的概略進行繪示的縱剖面圖。在此等圖中，真空處理單元103與真空搬送室104的連結的方向係與示於圖3、4者相等。
圖5，係繪示以下狀態：螺線管線圈206與第1高頻電源201被從示於圖2的真空處理單元的構成去除，同時連接於排氣泵浦270的底板260的排氣開口263被藉排氣部蓋261而氣密地閉塞的真空處理單元200。在本例中，係將接著進行保養作業後被大氣開放的處理室內部與排氣泵浦270的入口藉排氣部蓋261而氣密地區劃， 使得使真空泵浦270在保養作業中仍運轉，從而可縮短至將保養後的真空處理單元200立起而可實施處理為止所需的時間。
接著，將氮等的稀有氣體導入處理室內而使內側的壓力上升至大氣壓或稍比大氣壓大的壓力。在此狀態下，如示於圖6，使構成真空處理單元200的真空容器的上部的蓋構材202及構成其下方的處理室的頂面的噴灑板203、石英內筒205朝向放電區塊224及氣體導入環204的上方移動而從真空容器卸除。
石英內筒205被卸除的狀態下在真空處理單元的上端，係氣體導入環204的內周側壁面曝露於內側的大氣。再者，樣品台241與樣品台基底242的支撐樑246曝露。之後，如示於圖7，使氣體導入環204從放電區塊224上端往上方移動而從真空容器本體卸除。
於此，針對本實施例的真空處理單元所具備的迴旋升降器210的構成，說明於下。迴旋升降器210，係在底板260的外周側端部連結於底板具有延伸於上下方向的至少一個軸的構材，該軸係包含連結著真空容器而可沿著此移動於上下方向的軸與以可在其周圍迴旋的方式連結著真空容器者。
本實施例的迴旋升降器210，係具備：構成真空容器的2個容器與此連結並移動於上下方向用的上下軸211；以及同樣地構成真空容器的2個容器與此連結並迴旋於水平方向用的迴旋軸212。上下軸211係從底板260 上表面超過構成真空容器的上端部的氣體導入環204的上端而延伸的圓筒或圓柱形的構材且放電區塊單元220與樣品台單元240的各者在上下方向的不同高度位置被連結。
放電區塊單元220及樣品台單元240的各者的端部，係構成為：具備上下軸211貫通內側的貫通孔而與是可通過該貫通孔沿著上下軸211移動於不同高度的構材的迴旋基底214、215連結，與此等迴旋基底214、215的上下軸211的中心軸方向的移動同時可上下變更高度。迴旋基底214、215的各者，係在與上下軸211貫通的貫通孔的軸並行具有中心軸的貫通孔內具備是具有圓筒或圓柱狀的關節部的迴旋軸212-1、212-2。
迴旋基底214係經由該迴旋軸212-1、212-2與放電區塊單元220連結，迴旋基底215係與樣品台單元連結。並且，放電區塊單元220係繞迴旋軸212-1的繞中心而旋轉，樣品台單元240係繞迴旋軸212-2的中心軸而旋轉。
如示於圖5，在本實施例，迴旋基底214、215各者的迴旋軸212-1、212-2，係各者配置於是迴旋升降器210的上下軸211的圖上左側的放電區塊單元220及包含樣品台單元240的真空容器或閥箱115或未圖示的真空搬送室104的相反之側。此等單元旋轉於水平方向之軸比迴旋升降器210的上下軸211對於真空處理裝置100的前後方向的軸而位於左右外側，使得大幅確保迴旋的角度，可使放電區塊單元220及樣品台單元240移動至比真 空處理單元200的真空容器的中心軸290更遠的位置，使得可確保各單元的保養的作業用的空間更大而使作業而使其效率提升。
在本實施例，係具備是配置於上下軸211的迴旋基底214的下方且將下方的迴旋基底215貫通於上下方向而配置同時上下軸211貫通內部的筒上的構材的活動螺母213。活動螺母213，係構成為可於上下軸211的中心軸的方向沿著圓筒形的上下軸211的外周側壁而移動於上下。
此外，活動螺母213係具有在上下的端部延伸於外周側的環狀的凸緣部，活動螺母213既定值以上移動於上方向，使得包含凸緣部的上端部與迴旋基底214的下表面抵接。活動螺母213進一步朝上方移動，使得可使迴旋基底214及連結於此的放電區塊單元220朝上方移動。
並且，活動螺母213進一步朝上方移動，使得下端側的凸緣部上表面與迴旋基底215的下表面抵接。活動螺母213從此狀態進一步朝上方移動，使得可使迴旋基底214及放電區塊單元220之對及迴旋基底215與樣品台單元240之對的兩者共同朝上方向移動。
另外，圖5、7中，示出活動螺母213係位於上下軸211的軸向的移動範圍的下限的狀態。在本實施例，係此狀態下抵接於迴旋基底214下表面與此下表面的活動螺母213的上端上表面之間隙係設成1~5mm。此 外，迴旋基底215的下表面與抵接於此的活動螺母213的下端側的凸緣上表面之間隙，係構成為兩者抵接的狀態下構成連結於載置於活動螺母213的上端部的迴旋基底214的放電區塊單元220且放電區塊224的下端部或環狀的放電區塊基底221的下端比下方的接地環225的突起部上端高，在本實施例係設成5cm，惟不限定於此。
接著，如示於圖8及圖9，使放電區塊單元220繞迴旋軸212-1旋轉而移動於水平方向(圖上左方向)而從構成下方的真空容器的上部容器230上方去除。圖8，係示意性針對從示於圖7的電漿處理裝置進一步卸除放電塊單元220的狀態下的該電漿處理裝置的構成的概略進行繪示的圖。圖8，係示意性針對使放電區塊單元220迴旋的狀態進行繪示的電漿處理裝置的俯視圖，圖9，係示意性針對使放電區塊單元220迴旋的狀態進行繪示的電漿處理裝置的縱剖面圖。
如示於此等圖5，在本實施例，係為了構成在真空容器的保養、檢查等的作業中被大氣開放的真空容器的容器的卸除、作業員的接近等，使包含連結於迴旋基底214而連接的放電區塊基底221與連接於此上而安裝的放電區塊224及加熱器222的電區塊單元220，如示於圖9箭頭310，首先沿著上下軸211的中心軸往上方移動後，以迴旋軸212作為中心予以水平繞逆時針迴旋使得從樣品台241或真空容器的中心軸290的鉛直方向的上方，夾著迴旋升降器210或迴旋軸212-1移動至與樣品台241或真 空處理單元200主體相反之側的地方。
該放電區塊單元220的上下軸211的中心軸方向的上方的移動，係使活動螺母213沿著上下軸213的圓筒形的側壁朝上方移動，使該上端側的凸緣部上表面與迴旋基底214的下表面而進一步使迴旋基底214朝上方移動既定的距離而舉起從而實施。此情況下，於活動螺母213與迴旋基底215係如上述具有1~5mm之間隙，故樣品台單元240係保持配置於下部容器250之上的狀態。
在本實施例，係設成將迴旋升降器210夾著底板260的真空容器而在閥箱115或真空搬送室104的相反之側的端部配置於可使放電區塊單元220迴旋於逆時針方向的位置(圖8上係樣品台241或接地環225的左下方)而使放電區塊單元220被藉此迴旋移動而從真空容器外部卸除的構成，惟配置迴旋升降器210的位置係不限於此。亦可設成以下構成：在圖8上的樣品台241或接地環225的左上方的位置配置於底板260的端部，使放電區塊單元220可順時針方向迴旋而卸除。
在本實施例，係在放電區塊單元220的卸除的第一階段方面使此移動於中心軸290方向的上方的距離，係設成放電區塊單元220的下端超過接地環225的突起部上端的高度以上。在本實施例雖係設成5cm，惟不限定於此。
此外，在本實施例使放電區塊單元220迴旋的角度雖係180度，惟在90度以上、270度以下的範圍 依作業員、使用者的要求的規格而選擇。發明人們係考量保養的作業的效率而將180度±20度判斷為適合。
在上述的實施例，係使放電區塊224、放電區塊基底221、加熱器222等作為連接成放電區塊單元220的狀態下的1個單元而迴旋。此係於此放電區塊單元220係反應生成物的附著量相對小而包含其他真空容器的構件的交換的保養、檢查時亦非其對象所致。與上述的迴旋升降器210及放電區塊單元220的連結的構成，使得從真空處理單元200的上部使此等迅速且容易移動，保養檢查的作業的量減低而時間縮短。
藉示於圖8、9使得放電區塊單元220被從真空容器上部卸除，於真空處理單元200的真空容器的上端係接地環225曝露。
接著，如示於圖10，使接地環225及上部容器230相對於真空容器的下方的構材或底板260往上方移動而從真空處理單元200卸除。圖10，係示意性針對從示於圖9的電漿處理裝置進一步卸除接地環225及上部容器230的狀態下的該電漿處理裝置的構成的概略進行繪示的縱剖面圖。
在本實施例，係控制裝置判斷為晶圓300的處理個數或運用電漿的處理的時間的累計超過既定值時下個晶圓300的處理的開始係被暫時延期，真空處理單元200係開始保養、檢查的動作、運轉。在此保養、檢查，構成處理室的內側壁面而於處理中所形成的反應生成物附 著於其內側表面的量相對大的上部容器230，係非在安裝於真空處理單元200的狀態下以布等抹掉該附著物的清掃作業，將上部容器230與新品或清掃完畢且內壁表面清淨的狀態下的相同構成的別的上部容器230交換(交換)。
上部容器230的卸除，係將以螺栓等的螺絲通過配置於其外周側壁的凸緣部作緊固而固定於底板260的上部容器230的該螺絲卸除，作業員將上部容器230朝上方舉起而進行。安裝上部容器230的狀態下上部容器230的下端部的下表面與對向於此的樣品台基底242的外周側環狀部分的上端部上表面之間係藉施加於上下方向的負載而夾著O環207，故作業員係上部容器230的卸除時需要抽離變形而附著於上下表面的任一者的O環207，惟上方的放電區塊單元220係位於繞迴旋基底214的迴旋軸212迴旋而夾著迴旋升降器210的底板260或其上方的真空容器的相反之側的鄰接的真空處理裝置之間的作業用的空間使得充分確保作業員實施作業的空間。為此，抑制將需要清潔的上部容器230卸除或安裝別的上部容器230而交換的作業的量、時間等增加而作業的效率會提升。
另外，在本實施例，放電區塊單元220的移動，係依來自控制裝置的指令針對迴旋升降器210的動作進行調節從而進行。如此之控制裝置係雖可配置在迴旋升降器210的動作的調節方面專用者，惟亦可採取使針對真空處理單元200或真空處理裝置100的整體的動作進行調節的控制裝置的一部分具備該功能。如上所述，將示於圖 10的上部容器230卸除，使得樣品台241與支撐樑246與包含配置於其外周側的環狀部分的樣品台基底242曝露。
接著，如示於圖11、12，使包含連結於迴旋升降器210的迴旋基底215而連接的樣品台基底242及連結於此的樣品台241及樣品台底部蓋245的樣品台單元240，如示於箭頭320，繞迴旋軸212-2水平繞逆時針迴旋，從真空容器或真空處理單元200主體卸除。圖11、12，係示意性針對從示於圖10的電漿處理裝置進一步卸除樣品台單元240的狀態下的該電漿處理裝置的構成的概略進行繪示的圖。圖11係示意性針對使樣品台單元240迴旋的狀態進行繪示的電漿處理裝置的俯視圖，圖12係示意性針對使樣品台單元240迴旋的狀態進行繪示的電漿處理裝置的縱剖面圖。
在本實施例的真空處理單元200，樣品台單元240，係如示於圖12的符號320的箭頭，首先沿著中心軸290往上方移動既定距離後，如示於圖11繞迴旋軸212-2旋轉於繞逆時針的方向而從留於下方的下部容器250的上方卸除而移動至底板260的外側的區域。此情況下，與樣品台單元240連結而連接的迴旋基底215、與沿著迴旋升降器210的上下軸211的外周側壁朝上方移動的活動螺母213的下端部的凸緣部上表面抵接，與該活動螺母213一起朝上方移動既定距離而停止。
此外，在本實施例雖係具備使樣品台單元240 迴旋於逆時針方向的構成，惟不限於此亦可設成改變將迴旋升降器配置於底板260的外周緣部的位置而予以迴旋於順時針方向的構成。此外，使樣品台單元240朝上方移動的距離，係設成在樣品台單元240與配置於下方而載置此的下部容器250之間所夾的O環207從樣品台單元240或下部容器250剝離的高度以上。如此之高度方面在本實施例係設成1cm惟不限定於此。
此外，使樣品台單元240迴旋的角度係設定成與放電區塊單元220成為相同為理想。藉此，在保養的作業中，可縮小從上方所見的情況下放電區塊單元220與樣品台單元240的兩者所占有的面積的合計。此結果，與鄰接的真空處理裝置之間的作業用的空間增大的情形受到抑制，可進一步增加在該地面上配置複數個真空處理裝置的建築中的可設置的真空容器的個數而提高製造的效率。
此外，使包含樣品台241的構造作為樣品台單元240而集中為1個單元而予以迴旋移動，使得可使從真空處理單元200的構成樣品台241等真空容器的部分的卸除的作業變容易而能夠以短時間執行。於樣品台241上表面的載置面係處理中載置晶圓300故成為反應生成物相對難附著的構成，故實施包含上部容器230、下部容器250等的交換的保養、檢查時不會成為實施平時保養、檢查的作業者。所以，將包含樣品台241的如此之構件集中作為樣品台單元240而從下部容器250上方卸除予以移動，使得上述下部容器250的保養、檢查的作業的量、時 間等增加的情形被抑制。
此外，樣品台單元240的移動亦藉針對迴旋升降器210進行控制的控制裝置而進行。使樣品台單元240繞迴旋軸212-2旋轉並移動至底板260的外側的區域，使得在殘留於真空處理單元200的真空容器的上端係下部容器250會曝露。此外，排氣部蓋261的圓形的上表面全體會曝露。
接著，將下部容器250與底板260以凸緣部而緊固的螺絲被卸除後，如示於圖13，使下部容器250往上方移動而卸除。下部容器250被安裝於真空處理單元200的狀態下在下部容器250的下表面與對向於此而抵接的底板260上面之間係施加來自上方的負載而變形的O環207被夾著而配置。
下部容器250的卸除時，係須施加將變形而附著的O環207抽離的力而舉起。如示於圖14，在本實施例，係配置於下部容器250的上方的是構成真空容器的構材的樣品台單元240、放電區塊單元220等，係迴旋於迴旋升降器210周圍而移動至平面形具有矩形狀的底板260的外側的區域，在底板260的周圍未配置迴旋升降器210而形成作業員可站立而作業的空間。為此，容易發揮舉起上述下部容器250所需之外力而將下部容器250卸除，另外可進行與新品或清淨完畢的別的下部容器230交換(交換)的作業。依如此之構成，使得下部容器250的保養作業的量、此所需的時間等被減低，真空處理單元 200未處理晶圓300的所謂非運轉時間的增大被抑制。
將下部容器250卸除的狀態下，係底板260的上表面或排氣部蓋261的上表面曝露於環境，故如示於圖14，可針對此等進行保養、檢查的作業。底板260的露出部係被以下部容器250覆蓋故反應生成物的附著相對少。此外，具有圓形的排氣部蓋261的上表面，係配置於使樣品台241與其中心軸相合的位置或與此同等的位置，其徑係設成不超過具有圓筒形的樣品台241之徑者，故形成於晶圓300的處理中的反應生成物的附著雖相對少，惟此等係可酌情清掃。如上所述，從真空處理單元200卸除實施構成作為保養、檢查的作業的對象的真空容器的構材的清掃、交換等後，係以與卸除時相反的順序安裝於真空處理單元200的底板260上組裝真空容器。
於本實施例，係從構成上述真空容器的蓋構材202、噴灑板203、氣體導入環204、石英內筒205、放電區塊單元220、接地環225、上部容器230、樣品台單元240及下部容器250的真空處理單元200主體的卸除的作業中，活動螺母213係在此沿者其外周側壁而移動的圓筒形的上下軸211的該上下方向的軸上的以下的3處的高度位置停止。亦即，(1)下限位置(蓋構材202、噴灑板203、氣體導入環204及石英內筒205的卸除的期間，圖5~圖7)、(2)中間位置(放電區塊單元220、接地環225及上部容器230的卸除的期間，圖8~圖10)、(3)上端位置(樣品台單元240及下部容器250的卸除 的期間，圖11~圖14)。在本實施例，關於活動螺母213的上述3個位置，係構成為作業員能以與未圖示的顯示燈連動的位置感測器、刻度等而掌握。
此外，在本實施例，係雖不僅上部容器230亦交換下部容器250，惟亦可作成如下構成：以覆蓋下部容器250內面的方式安裝襯墊(蓋件)，交換該襯墊。此外，實施例中在保養作業中運用迴旋升降器210進行移動的放電區塊單元220、樣品台單元240以外的構件等的移動雖係作業員以親自的手工作業而實施的構成惟亦可使用吊車等的起重機。
此外，在本實施例，係雖在真空處理裝置方面使用ECR類型的真空處理裝置，惟不限於此，亦可應用於ICP類型的裝置等。此外，雖使用具備以鏈接方式而排列的真空處理單元的真空處理裝置，惟不限於此，亦可應用於枚葉式的裝置。
如以上所說明，依本實施例時，可提供如下真空處理裝置：即使被處理物大口徑化的情況下，理的均勻性仍處良好(同軸的軸對稱排氣)，且不僅固定的保養，非固定的保養亦可有效進行。
另外，本發明係非限定於上述之實施例者，包含各式各樣的變化例。例如，上述之實施例係為了以容易理解的方式說明本發明而詳細說明者，未必限定於具備所說明之全部的構成者。此外，亦可將某構成的一部分置換成其他構成，此外亦可對某構成加入其他構成。
104‧‧‧真空搬送室
200‧‧‧真空處理單元
201‧‧‧第1高頻電源
202‧‧‧蓋構材
203‧‧‧噴灑板
204‧‧‧氣體導入環
205‧‧‧石英內筒
206‧‧‧螺線管線圈
207‧‧‧O環
221‧‧‧放電區塊基底
222‧‧‧加熱器
223‧‧‧第1溫度控制器
224‧‧‧放電區塊
225‧‧‧接地環
230‧‧‧上部容器
241‧‧‧樣品台
242‧‧‧樣品台基底
243‧‧‧第2高頻電源
244‧‧‧第2溫度控制器
245‧‧‧樣品台底部蓋
246‧‧‧支撐樑
250‧‧‧下部容器
260‧‧‧底板
261‧‧‧排氣部蓋
262‧‧‧致動器
270‧‧‧排氣泵浦
280‧‧‧支柱
290‧‧‧中心軸
300‧‧‧晶圓
263‧‧‧排氣開口

Claims (6)

  1. 一種電漿處理裝置，具備真空容器及底板，該真空容器係具有使用電漿而處理被配置於被減壓的內側的晶圓，該底板係載置此真空容器並具有排出來自該真空容器內部的處理室的氣體的開口，構成前述真空容器的至少2個構材被構成為可相對於前述底板在水平方向上移動而被卸除，該電漿處理裝置係具備：一閥箱，其係夾著前述真空容器被配置於該真空容器的側方，在內部搬送前述晶圓；一升降器，其係在前述底板的外周部，亦即夾著前述真空容器在前述閥箱的相反之側的端部，與前述2個可卸除構材的各者連結而安裝，具有此等可卸除構材沿著上下方向移動的上下方向的軸；一迴旋軸，其係被配置於前述升降器的前述上下方向的軸與前述可卸除構材的各者的連結部，此等可卸除構材在其周圍於水平方向上繞該上下方向的軸而迴旋；以及一筒狀構材，其係被配置於前述上下方向的軸的外周，可移動於該軸方向，透過該上方向的移動而與前述2個可卸除構材的連結部的各者連接，使此等連結部及連結於其的可卸除構材的各者移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，構成前述真空容器的可卸除構材係夾著密封構材而安裝於此真空容器，在安裝於該真空容器的狀態下對前述密 封構材於上下方向施加負載而將前述真空容器的內外氣密地密封。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，構成前述真空容器的於上下重疊而配置的複數個構材的各者被構成為，可在從上方的構材依序沿著前述升降器的前述軸而移動至上方後，從前述底板的上方之處於水平方向上移動至相對於前述閥箱而遠離的位置而被卸除。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，前述迴旋軸夾著前述升降器的前述上下方向的軸而被配置於前述真空搬送室的相反之側。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，構成前述真空容器的可卸除的2個構材係從此等之中的上方的構材依序在隨著沿著前述筒狀構材的前述上下方向的軸的移動與該筒狀構材連接而移動至上方後，被繞前述迴旋軸旋轉而移動。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，構成前述真空容器的可卸除構材為包含將前述晶圓載置於其上表面而支撐的樣品台的單元。
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