CN111968938A - 承载装置和工艺腔室 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种承载装置和工艺腔室，包括可旋转的承载盘和旋转升降机构，旋转升降机构包括多个旋转轴、升降驱动装置和旋转驱动装置，承载盘上设置有沿其周向均匀分布的多个用于承载晶片的第一工位；各个第一工位的中心设置有沿承载盘的厚度贯通的第一通孔；旋转轴与第一通孔的数量相同并一一对应，且能够穿过与其对应的第一通孔，旋转轴的顶端具有用于承载晶片的承载面；升降驱动装置用于驱动所有旋转轴同步上升或下降，使旋转轴的顶端高于或低于第一工位所在平面；旋转驱动装置用于驱动所有旋转轴同步自转第一预设角度。本发明提供的承载装置和工艺腔室，能够降低晶片整体沉积速率的差异，降低晶片整体成膜厚度的差异，提高晶片表面的均匀性。

Description

承载装置和工艺腔室
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种承载装置和工艺腔室。
背景技术
目前，在半导体加工工艺的晶片取放过程中，通常是通过增加单次工艺的晶片放置量或者采用多站流动式取放片模式，分步沉积，以提高半导体加工设备的产能。但是，单次大量放置晶片模式仅适用于对晶片间均匀性要求不高的工况，且需要人工取放晶片，自动化程度不高；而多站流动式取放片模式，则可以适用于对晶片间均匀性要求较高的工况，且一次可按要求装载定量晶片，适用于大批量自动化生产工况。
如图1所示，在现有技术中，适用于多站流动式取放片模式的半导体加工设备中，机械手102控制手指103将片盒101内的晶片105传递至反应腔104中，反应腔104内设有加热器108、传片机构和多个喷淋头106，传片机构通过控制叉指107升降，将手指103上的晶片105传递至加热器108上，并通过控制叉指107旋转，使晶片105在加热器上的多个工位移动，分步沉积，多站流动式取放片模式具体流程为：叉指107将晶片105从手指103上传递至多个喷淋头106中对应传片位置的喷淋头106的工艺位置，进行第一次工艺，在第一次工艺结束后，叉指107携带晶片105上升，并旋转至下一个喷淋头106的工艺位置，进行第二次工艺，在第一次工艺结束后至第二次工艺开始之前，通过手指103和叉指107将另一个晶片105传递至位于对应传片位置的喷淋头106的工艺位置，进行第一次工艺，重复上述步骤，当一个晶片105经过所有喷淋头106后，通过叉指107和手指103将该晶片105传回片盒101，从而完成对一个晶片105的加工。
但是，在现有技术中，由于加热器108边缘处的气流分布与加热器108中心处的气流不均匀，以及边界效应的影响，会使晶片105边缘区域的沉积速率慢于晶片105中间区域的沉积速率，导致晶片105边缘区域的成膜与晶片105中间区域的成膜相比较薄，影响晶片105表面的均匀性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置和工艺腔室，其能够降低晶片整体沉积速率的差异，降低晶片整体成膜厚度的差异，提高晶片表面的均匀性。
为实现本发明的目的而提供一种承载装置，包括：可旋转的承载盘和旋转升降机构，所述旋转升降机构包括多个旋转轴、升降驱动装置和旋转驱动装置，其中，在所述承载盘上设置有沿所述承载盘的周向均匀分布的多个用于承载晶片的第一工位；且各个所述第一工位的中心设置有沿所述承载盘的厚度贯通的第一通孔；
所述旋转轴的数量与所述第一通孔的数量相同且一一对应地设置，所述旋转轴能够穿过与其对应的所述第一通孔，且所述旋转轴的顶端具有用于承载所述晶片的承载面；
所述升降驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步上升或下降，以使所述旋转轴的顶端高于或低于所述第一工位所在平面；
所述旋转驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步自转第一预设角度。
优选的，所述升降驱动装置包括升降架和升降驱动源，其中，所述升降驱动源与所述升降架连接，用于驱动所述升降架作升降运动；
各个所述旋转轴可绕自身轴线旋转地设置在所述升降架上，且所述旋转轴在其轴向上与所述升降架相对固定。
优选的，所述升降架为环体，在所述环体中设置有沿其周向均匀分布的多个第二通孔，所述第二通孔的数量与所述旋转轴的数量相同，且一一对应地设置；所述旋转轴可绕自身轴线旋转地设置在与其对应的所述第二通孔中。
优选的，所述旋转驱动装置包括第一旋转驱动源和传动组件，所述传动组件分别连接所述第一旋转驱动源和各个所述旋转轴，所述第一旋转驱动源用于通过所述传动组件驱动各个所述旋转轴同步自转所述第一预设角度。
优选的，所述传动组件包括主动轮、多个从动轮和传动带，其中，所述从动轮的数量与所述旋转轴的数量相同，且各个所述从动轮一一对应地套设在各个所述旋转轴上；
所述传动带分别与所述从动轮和所述主动轮的表面相接触；
所述第一旋转驱动源用于驱动所述主动轮自转，以使所述主动轮在摩擦力的作用下通过所述传动带带动各个所述从动轮及所述旋转轴同步自转所述第一预设角度。
优选的，在所述承载盘上，且位于各个所述第一工位处设置有安放槽，所述第一通孔设置于所述安放槽的中心。
优选的，所述承载装置还包括加热盘，所述加热盘设置在所述承载盘的下方，且所述加热盘与所述承载盘相互分离，所述承载盘的下表面与所述加热盘的上表面之间具有竖直间隙。
优选的，在所述加热盘上设置有沿所述加热盘的周向均匀分布，并沿所述加热盘的厚度贯通的多个第三通孔，所述第三通孔的数量与所述第一通孔的数量相同且一一对应地设置，以供所述旋转轴能够依次穿过与其对应的所述第三通孔和所述第一通孔。
优选的，在所述加热盘的中心设置有沿所述加热盘的厚度贯通的第四通孔；
所述承载装置还包括第二旋转驱动源和传动轴，其中，所述传动轴与所述第二旋转驱动源连接，并穿过所述第四通孔与所述承载盘连接，所述第二旋转驱动源用于通过所述传动轴驱动所述承载盘自转第二预设角度。
本发明还提供一种工艺腔室，所述工艺腔室包括本发明提供的承载装置。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的承载装置借助旋转升降机构中的升降驱动装置驱动所有的旋转轴同步上升或下降，使旋转轴的顶端高于或低于第一工位所在平面，以使旋转轴能够将机械手上的晶片托起，并能够将晶片放置在承载盘的第一工位上，并借助旋转升降机构中的旋转驱动装置驱动所有的旋转轴同步自转第一预设角度，以在旋转轴托起晶片时，通过旋转轴使晶片自转第一预设角度，从而使晶片在随承载盘旋转进行多次工艺的过程中，晶片中靠近承载盘边缘的部分发生改变，与现有技术相比，不会出现晶片中靠近承载盘边缘的部分始终不变的情况，进而降低晶片整体沉积速率的差异，降低晶片整体成膜厚度的差异，提高晶片表面的均匀性。
本发明提供的工艺腔室，借助本发明提供的承载装置，能够降低晶片整体沉积速率的差异，降低晶片整体成膜厚度的差异，提高晶片表面的均匀性。
附图说明
图1为现有技术中适用于多站流动式取放片模式的半导体加工设备的结构示意图；
图2为本发明提供的承载装置的结构示意图；
图3为本发明提供的承载装置的结构示意图；
图4为本发明提供的承载装置的结构示意图；
图5为本发明提供的承载装置的结构示意图；
图6为本发明提供的晶片传输方法的放片过程的流程图；
图7为本发明提供的晶片传输方法的取片过程的流程图；
附图标记说明：
101-片盒；102-机械手；103-手指；104-反应腔；105-晶片；106-喷淋头；107-叉指；108-加热器；201-工艺腔室；211-承载盘；212-第一工位；213-第一通孔；214-加热盘；215-传动轴；216-第二旋转驱动源；221-旋转轴；231-升降架；232-升降驱动源；233-第二通孔；241-第一旋转驱动源；242-主动轮；243-从动轮；244-传动带；251-晶片。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的承载装置和工艺腔室进行详细描述。
如图1-图5所示，本实施例提供一种承载装置，包括可旋转的承载盘211和旋转升降机构，旋转升降机构包括多个旋转轴221、升降驱动装置和旋转驱动装置，其中，在承载盘211上设置有沿承载盘211的周向均匀分布的多个用于承载晶片251的第一工位212；且各个第一工位212的中心设置有沿承载盘211的厚度贯通的第一通孔213；旋转轴221的数量与第一通孔213的数量相同且一一对应地设置，旋转轴221能够穿过与其对应的第一通孔213，且旋转轴221的顶端具有用于承载晶片251的承载面；升降驱动装置用于驱动所有的旋转轴221同步上升或下降，以使旋转轴221的顶端高于或低于第一工位212所在平面；旋转驱动装置用于驱动所有的旋转轴221同步自转第一预设角度。
本实施例提供的承载装置借助旋转升降机构中的升降驱动装置驱动所有的旋转轴221同步上升或下降，使旋转轴221的顶端高于或低于第一工位212所在平面，以使旋转轴221能够将机械手上的晶片251托起，并能够将晶片251放置在承载盘211的第一工位212上，并借助旋转升降机构中的旋转驱动装置驱动所有的旋转轴221同步自转第一预设角度，以在旋转轴221托起晶片251时，通过旋转轴221使晶片251自转第一预设角度，从而使晶片251在随承载盘211旋转进行多次工艺的过程中，晶片251中靠近承载盘211边缘的部分会发生改变，与现有技术相比，不会出现晶片251中靠近承载盘211边缘的部分始终不变的情况，进而降低晶片251整体沉积速率的差异，降低晶片251整体成膜厚度的差异，提高晶片251表面的均匀性。
具体的，晶片251的加工工艺是分步进行的，在现有技术中，在一个完整的工艺过程中，多个晶片251一一对应的放置在多个第一工位212中，即，多个晶片251沿承载盘211的周向均匀分布，此时，每个晶片251都会有靠近承载盘211中心区域的部分和靠近承载盘211边缘区域的部分，而由于承载盘211边缘处的气流与承载盘211中心处的气流分布不均匀，以及边界效应的影响，会使每个晶片251中靠近承载盘211边缘区域的部分的沉积速率慢于晶片251靠近承载盘211中心区域的部分的沉积速率，这就导致了晶片251靠近承载盘211边缘区域的部分的成膜与晶片251靠近承载盘211中心区域的部分的成膜相比较薄，从而影响晶片251表面的均匀性，而在本实施例中，在一个完整的工艺过程中，每两步之间，都会借助升降驱动装置驱动所有旋转轴221同步上升，以使旋转轴221的顶端高于第一工位212所在平面，以托起多个第一工位212上的晶片251，并借助旋转升降机构中的旋转驱动装置驱动所有旋转轴221同步自转第一预设角度，以使所有第一工位212上的晶片251同步自转第一预设角度，从而调整每个晶片251中靠近承载盘211边缘区域的部分和靠近承载盘211中心区域的部分，将原先靠近承载盘211边缘区域的部分调整至靠近承载盘211中心区域，将靠近承载盘211中心区的部分调整至域原先靠近承载盘211边缘区域，进而降低晶片251整体沉积速率的差异，降低晶片251整体成膜厚度的差异，提高晶片251表面的均匀性。
在本实施例中，升降驱动装置包括升降架231和用于驱动升降架231作升降运动的升降驱动源232，其中，升降驱动源232与升降架231连接，用于驱动升降架231作升降运动；各个旋转轴221可绕自身轴线旋转地设置在升降架231上，且旋转轴221在其轴向上与升降架231相对固定。
具体的，升降驱动源232通过驱动升降架231作升降运动，以使设置在升降架231上的各个旋转轴221同时上升或下降，各个旋转轴221可绕自身轴线旋转地设置在升降架231上，以使各个旋转轴221能够在旋转驱动装置的驱动下相对于升降架231能够绕自身轴线旋转。在实际应用中，升降驱动源232可以采用电缸，但是，升降驱动源232的种类并不限于此。
在本实施例中，升降架231为环体，在环体中设置有沿其周向均匀分布的多个第二通孔233；第二通孔233的数量与旋转轴221的数量相同，且一一对应地设置；旋转轴221可绕自身轴线旋转地设置在与其对应的第二通孔233中。
具体的，多个第二通孔233在升降架231上所形成的环形与多个第一通孔213在承载盘211上所形成的环形相对应，以使各个旋转轴221能够穿过与其对应的第一通孔213，并均可绕自身轴线旋转地设置在与其对应的第二通孔233中，以使各个旋转轴221可绕自身轴线旋转地设置在升降架231上，以使旋转驱动装置能够驱动旋转轴221自转第一预设角度。
在本实施例中，旋转驱动装置包括第一旋转驱动源241和传动组件，传动组件分别连接第一旋转驱动源241和各个旋转轴221，第一旋转驱动源241用于通过传动组件驱动各个旋转轴221同步自转第一预设角度。
具体的，第一旋转驱动源241通过驱动传动组件旋转，以使与传动组件连接的各个旋转轴221同步自转第一预设角度。在实际应用中，第一旋转驱动源241可以采用旋转电机，但是，第一旋转驱动源241的种类并不限于此。
在本实施例中，传动组件包括主动轮242、多个从动轮243和传动带244，其中，从动轮243的数量与旋转轴221的数量相同，且各个从动轮243一一对应地套设在各个旋转轴221上；传动带244分别与从动轮243和主动轮242的表面相接触；第一旋转驱动源241用于驱动主动轮242自转，以使主动轮242在摩擦力的作用下通过传动带244带动各个从动轮243及旋转轴221同步自转第一预设角度。
具体的，在每个旋转轴221上都套设从动轮243，从动轮243与旋转轴221固定连接，以使传动带244能够通过从动轮243带动旋转轴221自转，传动带244套设在所有的从动轮243的外周，所有的从动轮243都与传动带244的内侧面相接触，以通过传动带244同时带动所有的从动轮243自转预设角度，主动轮242与传动带244的内侧面相接触，以使主动轮242能够在摩擦力的作用下带动所有的传动带244围绕所有从动轮243构成的圆周中心旋转，第一旋转驱动源241与主动轮242连接，以使第一旋转驱动源241驱动主动轮242自转。
在实际应用中，所有的从动轮243与主动轮242将传动带244涨紧，以使传动带244与所有的从动轮243和主动轮242之间紧贴，提高传动效率，另外，从动轮243并不限于都与传动带244的内侧面相接触，也可以都与传动带244的外侧面相接触，或者一部分从动轮243与传动带244的内侧面相接触，另一部分从动轮243与传动带244的外侧面相接触，并且，主动轮242也不限于与传动带244的内侧面相接触，也可以与传动带244的外侧面相接触。
可选的，第一预设角度满足下述公式：a＝360°/N；其中，a为第一预设角度；N为第一工位212的数量。
在本实施例中，承载盘211上设置有六个第一工位212，承载盘211每旋转一次进行一次分步工艺，旋转六次完成所有工艺，即，一个晶片251在一个第一工位212上，需要随承载盘211旋转六次，经过六次分步工艺，才能完成所有的工艺，将第一预设角度设置为60°，当一个晶片251随承载盘211旋转六次之后，恰好自转一周，即，将晶片251分为六个长度相同的弧边，在晶片251完成所有的工艺后，每个弧边都能在靠近承载盘211的边缘被加工，或者在靠近承载盘211的中心被加工，从而降低晶片251整体沉积速率的差异，降低晶片251整体成膜厚度的差异，提高晶片251表面的均匀性。
在实际应用中，晶片251在随承载盘211旋转完成所有的工艺后，晶片251自转的数量并与限于一周，还可以是两周或者更多，当设置为晶片251自转两周时，第一预设角度满足a＝720°/N；其中，a为第一预设角度；N为第一工位212的数量；当设置为晶片251自转三周时，a＝1080°/N；其中，a为第一预设角度；N为第一工位212的数量，即，a＝360°X/N；其中，X为晶片251自转的周数；a为第一预设角度；N为第一工位212的数量。
在本实施例中，在承载盘211上，且位于各个第一工位212中设置有安放槽，第一通孔213设置于安放槽的中心。
具体的，安放槽用于放置晶片251，安放槽为相对于每个第一工位212凹陷的槽，晶片251放置在安放槽中，以通过安放槽对晶片251进行限制，避免晶片251在随承载盘211旋转的过程中，发生晃动，以提高晶片251在加工过程中的稳定性，提高晶片251表面的均匀性。
在本实施例中，承载装置还包括加热盘214，加热盘214设置在承载盘211的下方，用于在工艺过程中对承载盘211上的晶片251进行加热，且加热盘214与承载盘211相互分离，并且承载盘211的下表面与加热盘214的上表面之间具有竖直间隙，以提高加热盘214热辐射的效果，提高加热盘214的加热效果，并且可以避免加热盘214阻碍承载盘211的旋转，提高承载盘211的旋转稳定性，提高晶片251表面的均匀性。
可选的，竖直间隙小于或等于1mm，以避免加热盘214产生的热量过多的扩散至承载盘211以外的地方，但是，竖直间隙的竖直并不限于此。
在本实施例中，在加热盘214上设置有沿加热盘214的周向均匀分布，并沿加热盘214的厚度贯通的多个第三通孔(图中未标出)，第三通孔的数量与第一通孔213的数量相同且一一对应地设置，以供旋转轴221能够依次穿过与其对应的第三通孔和第一通孔213。
具体的，多个第三通孔在加热盘214上所形成与多个第一通孔213在承载盘211上所形成的环形相对应的环形，且多个第三通孔与多个第一通孔213一一对应，以使各个旋转轴221能够依次穿过与其对应的第三通孔和第一通孔213。
在本实施例中，在加热盘214的中心设置有沿加热盘214的厚度贯通的第四通孔(图中未标出)；承载装置还包括第二旋转驱动源216和传动轴215，其中，传动轴215与第二旋转驱动源216连接，并穿过第四通孔与承载盘211连接，第二旋转驱动源216用于通过传动轴215驱动承载盘211自转第二预设角度，从而使承载盘211能够旋转。
本实施例还提供一种工艺腔室201，工艺腔室201包括本实施例提供的承载装置。
本实施例提供的工艺腔室201，承载装置设置在工艺腔室201中，借助本发明提供的承载装置，能够降低晶片251整体沉积速率的差异，降低晶片251整体成膜厚度的差异，提高晶片251表面的均匀性。
以下将结合图1-图7对上述各个实施例中提供的承载装置的具体工作过程进行描述，以便更好地理解本发明的优点。以将其用于晶片的传输方法为例，通过上述承载装置与机械手配合实现晶片251的传输；晶片传输方法包括放片过程、取片过程和工艺过程，其中，放片过程包括以下步骤：
S11，使承载盘211旋转，直至其中一个第一工位212到达取放片位置；
S12，使机械手将晶片251传输至与取放片位置对应的第一工位212的上方；
S13，使用升降驱动装置驱动所有的旋转轴221同步上升，以将机械手上的晶片251托起；
S14，使机械手退出；
S15，使用旋转驱动装置驱动所有的旋转轴221同步自转第一预设角度；
S16，使用升降驱动装置驱动所有的旋转轴221同步下降，以将晶片251传递至第一工位212上；
取片过程包括以下步骤：
S21，使承载盘211旋转，直至其中一个第一工位212到达取放片位置；
S22，使用升降驱动装置驱动所有的旋转轴221同步上升，以将晶片251自第一工位212上脱离；
S23，使用机械手取出对应取放片位置的旋转轴221上的晶片251；
工艺过程，包括：对所有的第一工位212上的晶片251进行一步工艺；
其中，交替进行放片过程和工艺过程，直至第一个传入第一工位212上的晶片251完成N步工艺，N为第一工位212的数量；然后，交替进行取片过程、放片过程和工艺过程。
本实施例提供的晶片传输方法，借助本发明提供的承载装置与机械手配合实现晶片251的传输，通过使用升降驱动装置驱动所有的旋转轴221同步上升或者下降，以将机械手上的晶片251托起，或将晶片251传递至第一工位212上，对所有的第一工位212上的晶片251进行一步工艺，并使用旋转升降机构中的旋转驱动装置驱动所有的旋转轴221同步自转第一预设角度，以在旋转轴221托起晶片251时，通过旋转轴221使晶片251自转第一预设角度，且使承载盘211旋转直至其中一个第一工位212到达取放片位置，从而使晶片251在随承载盘211旋转进行多次工艺的过程中，晶片251中靠近承载盘211边缘的部分会发生改变，与现有技术相比，不会出现晶片251中靠近承载盘211边缘的部分始终不变的情况，进而降低晶片251整体沉积速率的差异，降低晶片251整体成膜厚度的差异，提高晶片251表面的均匀性。
具体的，以本实施例中第一工位212有六个，承载盘211逆时针旋转来具体说明本实施例提供的晶片传输方法，当承载盘211上没有晶片251时，进行放片过程，承载盘211旋转至其中一个第一工位212到达取放片位置，此时，称该第一工位212为一号第一工位212，其余第一工位212按照逆时针顺序依次为二号至六号第一工位212，当一号第一工位212停止在取放片位置时，机械手携带晶片251进入工艺腔室201，并位于一号第一工位212上方，升降驱动装置驱动所有旋转轴221同步上升，通过一号第一工位212中的旋转轴221将机械手上的晶片251托起，在晶片251脱离机械手后，机械手退出工艺腔室201，并通过旋转驱动装置驱动所有旋转轴221同步自转第一预设角度，以使一号第一工位212处的晶片251自转第一预设角度，再通过升降驱动装置驱动所有旋转轴221同步下降至低于所有第一工位212所在平面，以使晶片251落在一号第一工位212上，进行工艺过程，对晶片251进行第一步加工，在第一步加工后，承载盘211逆时针旋转，并在六号第一工位212旋转至之前一号第一工位212所在位置时，也就是一号第一工位212位于之前二号第一工位212所在位置时，停止旋转，并循环上述过程，以使六个第一工位212上都放置有晶片251，当一号第一工位212旋转至一周再次回到一号第一工位212所在位置时，也就是一号第一工位212上的晶片251进行了全部六步加工，完成所有加工工艺之后，进行取片过程，升降驱动装置驱动所有旋转轴221同步上升，以承载所有晶片251上升，机械手进入工艺腔室201将一号第一工位212上的晶片251取出工艺腔室201，随后的工艺中，承载盘211每旋转一次，都会有一个晶片251完成所有加工工艺，这就需要循环放片过程、工艺过程和取片过程，通过上述放片过程、工艺过程和取片过程可以通过一个承载盘211对多个晶片251同时进行工艺，并在旋转轴221托起晶片251时，通过旋转轴221使晶片251自转第一预设角度，降低晶片251整体沉积速率的差异，降低晶片251整体成膜厚度的差异，提高晶片251表面的均匀性。
综上所述，本实施例提供的承载装置和工艺腔室201，能够降低晶片251整体沉积速率的差异，降低晶片251整体成膜厚度的差异，提高晶片251表面的均匀性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种承载装置，其特征在于，包括：可旋转的承载盘和旋转升降机构，所述旋转升降机构包括多个旋转轴、升降驱动装置和旋转驱动装置，其中，在所述承载盘上设置有沿所述承载盘的周向均匀分布的多个用于承载晶片的第一工位；且各个所述第一工位的中心设置有沿所述承载盘的厚度贯通的第一通孔；
所述旋转轴的数量与所述第一通孔的数量相同且一一对应地设置，所述旋转轴能够穿过与其对应的所述第一通孔，且所述旋转轴的顶端具有用于承载所述晶片的承载面；
所述升降驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步上升或下降，以使所述旋转轴的顶端高于或低于所述第一工位所在平面；
所述旋转驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步自转第一预设角度。
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述升降驱动装置包括升降架和升降驱动源，其中，所述升降驱动源与所述升降架连接，用于驱动所述升降架作升降运动；
各个所述旋转轴可绕自身轴线旋转地设置在所述升降架上，且所述旋转轴在其轴向上与所述升降架相对固定。
3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述升降架为环体，在所述环体中设置有沿其周向均匀分布的多个第二通孔，所述第二通孔的数量与所述旋转轴的数量相同，且一一对应地设置；所述旋转轴可绕自身轴线旋转地设置在与其对应的所述第二通孔中。
4.根据权利要求2或3所述的承载装置，其特征在于，所述旋转驱动装置包括第一旋转驱动源和传动组件，所述传动组件分别连接所述第一旋转驱动源和各个所述旋转轴，所述第一旋转驱动源用于通过所述传动组件驱动各个所述旋转轴同步自转所述第一预设角度。
5.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述传动组件包括主动轮、多个从动轮和传动带，其中，所述从动轮的数量与所述旋转轴的数量相同，且各个所述从动轮一一对应地套设在各个所述旋转轴上；
所述传动带分别与所述从动轮和所述主动轮的表面相接触；
所述第一旋转驱动源用于驱动所述主动轮自转，以使所述主动轮在摩擦力的作用下通过所述传动带带动各个所述从动轮及所述旋转轴同步自转所述第一预设角度。
6.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，在所述承载盘上，且位于各个所述第一工位处设置有安放槽，所述第一通孔设置于所述安放槽的中心。
7.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括加热盘，所述加热盘设置在所述承载盘的下方，且所述加热盘与所述承载盘相互分离，所述承载盘的下表面与所述加热盘的上表面之间具有竖直间隙。
8.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，在所述加热盘上设置有沿所述加热盘的周向均匀分布，并沿所述加热盘的厚度贯通的多个第三通孔，所述第三通孔的数量与所述第一通孔的数量相同且一一对应地设置，以供所述旋转轴能够依次穿过与其对应的所述第三通孔和所述第一通孔。
9.根据权利要求7或8所述的承载装置，其特征在于，在所述加热盘的中心设置有沿所述加热盘的厚度贯通的第四通孔；
所述承载装置还包括第二旋转驱动源和传动轴，其中，所述传动轴与所述第二旋转驱动源连接，并穿过所述第四通孔与所述承载盘连接，所述第二旋转驱动源用于通过所述传动轴驱动所述承载盘自转第二预设角度。
10.一种工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室包括如权利要求1-9任意一项所述的承载装置。
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