CN102477585B - 电浆蚀刻设备、晶圆治具及设置晶圆的方法 - Google Patents
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Abstract
一种电浆蚀刻设备、晶圆治具及设置晶圆的方法，电浆蚀刻设备包含一反应腔、一下电极、一晶圆治具，及一设于反应腔体内并对应位于下电极上方的上电极。下电极设于反应腔体内并具有一呈方形的本体。晶圆治具覆盖于下电极的本体上，并具有一呈方形的底板，底板设有多个晶圆容置槽，各晶圆容置槽可分别容纳一晶圆。本装置可以容纳较多的晶圆，达到最佳的空间利用率，提高生产效能，而且易定位，能够将加载晶圆至反应腔体内的流程自动化。
Description
技术领域
本发明涉及一种电浆蚀刻设备及晶圆治具，特别是涉及一种可自动化加载晶圆的电浆蚀刻设备、晶圆治具及设置晶圆的方法。
背景技术
现有用于晶圆的电浆蚀刻设备是使用圆形的电极，而承载晶圆的治具也配合电极为圆形。参阅图1，由于晶圆治具9的外轮廓为圆形，而一般晶圆容置槽91是呈数组排列，且大致呈方形排列，因而受限于晶圆治具9的圆形边界，使得晶圆治具9的整体面积并未能充分的利用。例如图1所示，在相邻边界的部分区域92(方形排列的晶圆容置槽91外侧区域)其宽度容不下一个晶圆容置槽91，但是该等区域92加总的面积还可以再容纳几个晶圆容置槽91，所以该等区域92即为浪费的空间。
再者，由于晶圆治具的外轮廓为圆形，没有方向性，欲将已承载晶圆的晶圆治具置入电浆蚀刻设备的电极上时，不容易将晶圆治具定位，所以无法利用机器手臂自动摆放，需增加作业时间及人力成本。
发明内容
本发明的目的，在于提供一种可以增加设置晶圆空间的电浆蚀刻设备。
本发明的另一目的，在于提供一种用于电浆蚀刻设备的晶圆治具。
本发明的再一目的，在于提供一种在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法。
本发明电浆蚀刻设备包含一反应腔体、一设于该反应腔体内的下电极、一设于该反应腔体内并对应位于该下电极上方的上电极以及一晶圆治具，该下电极具有一冷却系统，该晶圆治具覆盖于该下电极上，并具有一呈方形的底板，该底板设有多个分别用于容置晶圆的晶圆容置槽。
较佳地，该晶圆治具还具有一盖板，该盖板覆盖于该底板上，并具有多个分别对应所述晶圆容置槽的开口，且各开口的内径小于各晶 圆容置槽的内径，该盖板位于各开口周侧的部分压抵于各晶圆的周缘。
较佳地，该冷却系统包括多个设于该下电极顶面且朝向该晶圆治具的出气孔。
较佳地，该盖板的每一开口呈截头倒锥状。
较佳地，该晶圆治具的每一晶圆容置槽与该冷却系统相连通。
较佳地，所述晶圆容置槽是沿平行该底板侧边的方向纵横对齐排列。
较佳地，所述晶圆容置槽是沿平行该底板侧边的方向纵横错位排列。
本发明晶圆治具适用于电浆蚀刻设备，该晶圆治具包含一底板，该底板呈方形并排列设置有多个分别用于容置晶圆的晶圆容置槽。
较佳地，该晶圆治具还包含一覆盖于该底板上的盖板，该盖板具有多个分别对应所述晶圆容置槽的开口，且各开口的内径小于各晶圆容置槽的内径，使该盖板位于各开口周侧的部分压抵于各晶圆的周缘。
本发明电浆蚀刻设备包含一反应腔体、一设于该反应腔体内的下电极以及一设于该反应腔体内并对应位于该下电极上方的上电极，该下电极具有一冷却系统，及一呈方形的本体，该本体顶面设有多个分别用于容置晶圆的晶圆容置槽。
较佳地，该冷却系统设于该本体内。
本发明在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法是制备一呈方形的承载装置，且该承载装置包含多个晶圆容置槽，以在对应该承载装置的方形的承载范围内布设多个晶圆。
较佳地，所述晶圆是呈纵横对齐排列。
较佳地，所述晶圆是呈纵横错位排列。
较佳地，所述晶圆是呈放射状排列。
较佳地，该承载装置为如前面所述的晶圆治具。
较佳地，该承载装置为如前面所述的下电极。
本发明的有益的效果在于：通过该电浆蚀刻设备中用以设置晶圆的承载装置(晶圆治具或下电极)呈方形，可以容纳较多的晶圆，达到最佳的空间利用率，提高生产效能，而且较容易定位，能够将加载晶圆至反应腔体内的流程自动化。
附图说明
图1是一示意图，说明现有电浆蚀刻设备的一晶圆治具；
图2是一示意图，说明本发明电浆蚀刻设备的第一较佳实施例；
图3是一示意图，说明本发明电浆蚀刻设备的第二较佳实施例；
图4是一示意图，说明本发明在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法的一实施态样；
图5是一示意图，说明本发明在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法的另一实施态样；
图6是一示意图，说明本发明在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法的再一实施态样。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明：
参阅图2，本发明电浆蚀刻设备的第一较佳实施例，可供设置多个晶圆5，包含一反应腔体1、一下电极2、一晶圆治具3及一设于反应腔体1内并对应位于下电极2上方的上电极4。
下电极2设于反应腔体1内，具有一呈方形的本体21，并具有一冷却系统22。冷却系统22包括多个设于本体21顶面且朝向晶圆治具3的出气孔221，在本实施例中，冷却系统22与反应腔体1外的气体供应系统(未图标)连接，借以在蚀刻晶圆5时提供冷却气体。
晶圆治具3覆盖于下电极2上，并具有一呈方形的底板31及一盖板32。底板31设有多个晶圆容置槽311，各晶圆容置槽311可分别容纳一晶圆5，且各晶圆容置槽311与冷却系统22相连通，以使冷却气体可以在晶圆5周侧流动，带走晶圆5上的热能。在本实施例中，晶圆容置槽311是借由穿设于底板31的冷却孔312与冷却系统22相连通。
在第一较佳实施例中，用以承载晶圆5的承载装置为晶圆治具3，设置晶圆5的方法，可以如图4所示，在对应晶圆治具3的方形承载范围内，晶圆容置槽311是沿平行该底板31侧边的方向纵横对齐排 列，使晶圆5呈对齐排列；或如图5所示，晶圆容置槽311是沿平行该底板31侧边的方向纵横错位排列，使晶圆5呈错位排列；或如图6所示，使晶圆5呈放射状排列。但是也可以依据晶圆5的大小及数量选择较佳的排列方式，并不限制。晶圆容置槽311的排列方式即是对应晶圆5的位置设置。
盖板32覆盖于底板31上，并具有多个分别对应各晶圆容置槽311的开口321，各开口321呈截头倒锥状，且各开口321底部内径小于晶圆容置槽311内径，使盖板32以其位于各开口321周侧的部分分别压抵于各晶圆5的周缘。底板31与下电极2之间设有一密封环6，以避免由下电极2的出气孔221流出的冷却气体泄漏，而使冷却气体能进入底板31的冷却孔312，于电浆蚀刻晶圆5时将晶圆5冷却。在本较佳实施例中，晶圆治具3具有盖板32，但是不使用盖板32也可以。而且借由方形晶圆治具3来承载晶圆5，亦可适用于非方形的下电极，下电极外型并不以本实施例为限。
利用方形的晶圆治具3，可以增加设置晶圆5的空间，达到最佳的空间利用率。而且方形的晶圆治具3有四个侧边，相较于圆形容易定位，可以利用机器将晶圆5置入晶圆治具3，并利用机器将晶圆治具3连同夹置于晶圆治具3内的晶圆5，一起置入反应腔体1内的下电极2上，而能够将加载晶圆5至反应腔体1内的流程自动化。当晶圆治具3放置于下电极2到达定位后，可借由位于下电极2两侧的扣压装置7将晶圆治具3固定。扣压装置7可以升降，欲放置或取出晶圆治具3时，将扣压装置7升起即可移动晶圆治具3，待需要将晶圆治具3固定于下电极2时，再将扣压装置7下降而抵于晶圆治具3上。
参阅图3，本发明电浆蚀刻设备的第二较佳实施例，包含：一反应腔体1、一下电极2及一上电极4。上电极4设于反应腔体1内并对应位于下电极2上方。下电极2设于反应腔体1内，具有一呈方形的本体21及多个设于本体21顶面的晶圆容置槽23，且下电极2还具有一设于本体21内的冷却系统(未图标)，冷却系统由布设在本体21内的循环冷却液体管路组成，冷却系统的冷却液体会流经各晶圆容置槽23，以将热能带走。
在第二较佳实施例中，用以承载晶圆5的承载装置为下电极2， 晶圆容置槽23的设置方法与第一较佳实施例相同，同样可参阅图4、图5或图6的排列方式。
综上所述，本发明电浆蚀刻设备中用以承载晶圆5的承载装置(晶圆治具3或下电极2)呈方形，可以容纳较多的晶圆5，达到最佳的空间利用率，提高生产效能，而且较容易定位，能够将加载晶圆5至反应腔体1内的流程自动化，故确实能达成本发明的目的。
Claims (17)
1.一种电浆蚀刻设备，包含一反应腔体、一设于该反应腔体内的下电极、一设于该反应腔体内并对应位于该下电极上方的上电极以及一晶圆治具，该下电极具有一冷却系统；其特征在于：
该晶圆治具覆盖于该下电极上，并具有一呈方形的底板，该底板设有多个分别用于容置晶圆的晶圆容置槽。
2.根据权利要求1所述的电浆蚀刻设备，其特征在于：该晶圆治具还具有一盖板，该盖板覆盖于该底板上，并具有多个分别对应所述晶圆容置槽的开口，且各开口的内径小于各晶圆容置槽的内径，该盖板位于各开口周侧的部分压抵于各晶圆的周缘。
3.根据权利要求1或2所述的电浆蚀刻设备，其特征在于：该冷却系统包括多个设于该下电极顶面且朝向该晶圆治具的出气孔。
4.根据权利要求2所述的电浆蚀刻设备，其特征在于：该盖板的每一开口呈截头倒锥状。
5.根据权利要求3所述的电浆蚀刻设备，其特征在于：该晶圆治具的每一晶圆容置槽与该冷却系统相连通。
6.根据权利要求1或2所述的电浆蚀刻设备，其特征在于：所述晶圆容置槽是沿平行该底板侧边的方向纵横对齐排列。
7.根据权利要求1或2所述的电浆蚀刻设备，其特征在于：所述晶圆容置槽是沿平行该底板侧边的方向纵横错位排列。
8.一种晶圆治具，适用于电浆蚀刻设备，其特征在于该晶圆治具包含：
一底板，呈方形并排列设置有多个分别用于容置晶圆的晶圆容置槽。
9.根据权利要求8所述的晶圆治具，其特征在于：该晶圆治具还包含一覆盖于该底板上的盖板，该盖板具有多个分别对应所述晶圆容置槽的开口，且各开口的内径小于各晶圆容置槽的内径，该盖板位于各开口周侧的部分压抵于各晶圆的周缘。
10.一种电浆蚀刻设备，包含一反应腔体、一设于该反应腔体内的下电极以及一设于该反应腔体内并对应位于该下电极上方的上电极，该下电极具有一冷却系统，其特征在于：
该下电极还具有一呈方形的本体，该本体顶面设有多个分别用于容置晶圆的晶圆容置槽。
11.根据权利要求10所述的电浆蚀刻设备，其特征在于：该冷却系统设于该本体内。
12.一种在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法，其特征在于：制备一呈方形的承载装置，且该承载装置包含多个晶圆容置槽，以在对应该承载装置的方形的承载范围内布设多个晶圆。
13.根据权利要求12所述的在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法，其特征在于：所述晶圆是呈纵横对齐排列。
14.根据权利要求12所述的在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法，其特征在于：所述晶圆是呈纵横错位排列。
15.根据权利要求12所述的在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法，其特征在于：所述晶圆是呈放射状排列。
16.根据权利要求12所述的在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法，其特征在于：该承载装置为如权利要求8所述的晶圆治具。
17.根据权利要求12所述的在电浆蚀刻设备中设置晶圆的方法，其特征在于：该承载装置为如权利要求10中所述的下电极。
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| US4512841A (en) * | 1984-04-02 | 1985-04-23 | International Business Machines Corporation | RF Coupling techniques |
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