KR20190061880A - 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치 - Google Patents

진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190061880A
KR20190061880A KR1020170160706A KR20170160706A KR20190061880A KR 20190061880 A KR20190061880 A KR 20190061880A KR 1020170160706 A KR1020170160706 A KR 1020170160706A KR 20170160706 A KR20170160706 A KR 20170160706A KR 20190061880 A KR20190061880 A KR 20190061880A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum
substrate
suction holes
central
communicating
Prior art date
Application number
KR1020170160706A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102244010B1 (ko
Inventor
오정훈
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020170160706A priority Critical patent/KR102244010B1/ko
Publication of KR20190061880A publication Critical patent/KR20190061880A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102244010B1 publication Critical patent/KR102244010B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치 내에서 기판을 고정하여 지지하는 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 상면에 기판(10)이 안착되는 기판지지면이 구비되며, 상기 기판(10)을 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 흡착홀(330)들 및 상기 흡착홀(330)과 각각 연통되는 복수의 제1진공유로(360)들을 구비하는 본체부(310)와; 상기 본체부(310)를 지지하며 내부에 상기 제1진공유로(360)와 연통되는 적어도 하나 이상의 제2진공유로(350)를 구비하는 지지샤프트부(320)를 포함하는 진공척(300)에 있어서, 상기 본체부(310)는, 상기 기판지지면으로부터 오목하게 형성되며 상호 인접하는 상기 흡착홀(330)들 사이를 연결하는 복수의 진공홈부(340)들을 포함하며, 상기 복수의 진공홈부(340)들의 최단거리 길이는 서로 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 진공척(300)을 개시한다.

Description

진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치 {Vacuum chuck and substrate processing apparatus having the same}
본 발명은 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치 내에서 기판을 고정하여 지지하는 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
기판에 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치는 기판을 수평상태로 고정하여 지지하기 위한 진공척이 설치될 수 있다.
이러한 기판처리장치에서 기판은, 기판의 저면 전체가 진공척 상면에 균일한 진공압(척킹력)으로 흡착되어 완전히 밀착될 필요가 있다.
만약, 기판에 대한 진공척 진공압이 영역별로 편차를 보이면, 기판에 대한 진공압이 떨어지는 부분에서 기판이 진공척에 완전히 밀착되지 못하고 진공척의 상면에서 들떠 기판의 저면에 원치않는 증착이나 식각이 발생될 수 있고, 위치에 따른 진공압의 차이에 의해 진공척 상에서 기판이 휘어져 균일한 기판처리가 불가능해지기 때문이다.
그러나, 종래의 진공척의 경우, 기판의 저면에 진공압을 형성하여 척킹하기 위한 진공흡착홀이 진공척의 중심에 하나 형성되어 있기 때문에, 중심의 흡착홀에서 멀어져 가장자리로 갈수록 기판 저면에 대한 진공압(척킹력)이 떨어져 편차가 크게 발생하고 진공척의 영역별로(예를들어, 중앙부와 외곽부) 기판에 대한 진공압을 제어할 수 없어, 기판의 저면에 대한 기판처리방지와 기판의 상면에 대한 균일한 기판처리가 어려운 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점 및 필요성을 인식하여, 진공척에 의해 기판에 가해지는 진공압의 위치에 따른 편차를 최소화 할 수 있는 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상면에 기판(10)이 안착되는 기판지지면이 구비되며, 상기 기판(10)을 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 흡착홀(330)들 및 상기 흡착홀(330)과 각각 연통되는 복수의 제1진공유로(360)들을 구비하는 본체부(310)와; 상기 본체부(310)를 지지하며 내부에 상기 제1진공유로(360)와 연통되는 적어도 하나 이상의 제2진공유로(350)를 구비하는 지지샤프트부(320)를 포함하는 진공척(300)을 개시한다.
상기 본체부(310)는, 상기 기판지지면으로부터 오목하게 형성되며 상호 인접하는 상기 흡착홀(330)들 사이를 연결하는 복수의 진공홈부(340)들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 진공홈부(340)들의 최단거리 길이는 서로 동일하게 형성될 수 있다.
상기 복수의 진공홈부(340)들은, 각각의 진공홈부(340)를 경계로 다각형패턴이 형성되도록 상기 기판지지면 상에 형성될 수 있다.
상기 복수의 진공홈부(340)들은, 상기 기판지지면 상에서 기판(10)이 지지되는 지지영역(A) 내측에 위치될 수 있다.
상기 복수의 흡착홀들(330)은, 상기 기판지지면에 기판(10)이 지지된 상태에서 상기 진공홈부(340)에 의해 서로 연통될 수 있다.
상기 복수의 흡착홀들(330)은, 인접하는 흡착홀(330)들 사이의 최단 거리가 서로 동일하게 배치될 수 있다.
상기 복수의 흡착홀들(330)은, 상기 지지영역(A)의 중앙부(C)에 형성되는 중앙흡착홀(332)과, 상기 중앙흡착홀(332)을 중심으로 상기 지지영역(A)의 둘레방향을 따라 배치되는 복수의 외곽흡착홀들(334)을 포함할 수 있다.
상기 복수의 외곽흡착홀들(334)은, 인접하는 흡착홀(330)들 사이의 최단 거리가 서로 동일하도록 상기 중앙흡착홀(332)을 중심으로 하는 가상의 정육각형의 꼭지점에 배치될 수 있다.
상기 제2진공유로(350)는, 상기 복수의 제1진공유로(360)들의 개수에 대응되는 수로 형성될 수 있다.
상기 복수의 제1진공유로(360)들은, 상기 중앙흡착홀(332)과 연통되는 제1중앙진공유로와, 상기 외곽흡착홀(334)들과 연통되는 제1외곽진공유로를 포함할 수 있다.
상기 제2진공유로(350)는, 상기 제1중앙진공유로와 연통되는 제2중앙진공유로(350a)와, 상기 제1외곽진공유로와 연통되는 제2외곽진공유로(350b)를 포함할 수 있다.
다른 측면에서 본 발명은, 상면에 기판(10)이 안착되는 기판지지면이 구비되며, 상기 기판(10)을 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 흡착홀(330)들 및 상기 흡착홀(330)과 각각 연통되는 복수의 제1진공유로(360)들을 구비하는 본체부(310) 및 상기 본체부(310)를 지지하며 내부에 상기 제1진공유로(360)와 연통되는 적어도 하나 이상의 제2진공유로(350)를 구비하는 지지샤프트부(320)를 포함하는 진공척(300)과; 상기 제2진공유로(350)와 결합되어 진공압을 형성하는 진공압발생장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 본체부(310)는, 상기 기판지지면으로부터 오목하게 형성되며 상호 인접하는 상기 흡착홀(330)들 사이를 연결하는 복수의 진공홈부(340)들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 진공홈부(340)들의 최단거리 길이는 서로 동일하게 형성될 수 있다.
상기 복수의 흡착홀(330)들은, 상기 기판지지면 상에서 기판(10)이 지지되는 지지영역(A) 내측에 위치되며, 상기 지지영역(A)의 중앙부(C)에 형성되는 중앙흡착홀(332) 및 상기 중앙흡착홀(332)을 중심으로 상기 지지영역(A)의 둘레방향을 따라 배치되는 복수의 외곽흡착홀들(334)을 포함할 수 있다.
상기 제2진공유로(350)는, 상기 중앙흡착홀(332)과 연통되는 제2중앙진공유로(350a)와, 상기 복수의 외곽흡착홀(334)들과 연통되는 하나 이상의 제2외곽진공유로(350b)를 포함할 수 있다.
상기 제2중앙진공유로(350a) 및 상기 제2외곽진공유로(350b)는, 서로 다른 진공압발생장치와 연결되어 각각의 진공압이 서로 독립적으로 제어될 수 있다.
상기 제2외곽진공유로(350)는, 상기 복수의 외곽흡착홀(334)들의 개수에 대응되는 수로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 진공척 상에 복수의 흡착홀들을 구비하고, 복수의 흡착홀들 사이를 연결하며 같은 길이로 형성되는 복수의 진공홈부들을 포함함으로써, 진공척의 진공압이 복수의 흡착홀들로 분산되어 기판에 가해질 수 있고 진공홈부들을 통해 복수의 흡착홀들을 연통시키는 진공패스가 기판 저면에 균일하게 형성됨으로써 각 흡착홀에 의해 형성되는 진공압의 편차를 최소화 할 수 있는 이점이 있다.
특히, 본 발명에 따른 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 각 흡착홀들 사이의 거리를 동일하게 배치함으로써, 복수의 흡착홀들이 진공척 상에 균일하게 분포되도록 할 수 있고 이를 통해 기판의 저면에 가해지는 진공압의 영역별 편차를 최소화 할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 복수의 흡착홀들의 진공압을 복수의 진공유로들을 통해 각각 개별적으로 제어함으로써, 영역별로 기판에 가해지는 진공압의 차이에 의해 기판이 휘어지는 정도에 따라 각 흡착홀의 진공압을 다르게 제어할 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 진공척을 포함하는 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 진공척을 보여주는 평면도이다.
도 3은, 도 2의 진공척의 Ⅰ-Ⅰ 방향 단면도이다.
도 4는, 도 3의 진공척의 구성 일부를 보여주는 사시도이다.
도 5는, 도 3의 진공척의 변형례를 보여주는 단면도이다.
도 6은, 도 5의 진공척의 구성 일부를 보여주는 사시도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와, 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(200)와, 상기 공정챔버(100)의 하측에 설치되어 기판(10)을 지지하는 진공척(300)과, 진공척(300)과 결합되어 진공압을 형성하는 진공압발생장치를 포함한다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)를 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고 상기 공정챔버(100)는, 측면에 형성된 기판(10)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성될 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 처리공간(S)의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 연결 또는 설치될 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 공정챔버(100) 상측에 설치되어 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 가스분사부(200)는, 상부리드(120)에 설치되며 일측에 형성되는 가스유입부(미도시)와, 가스유입부를 통해 유입된 공정가스를 확산시키는 하나 이상의 확산플레이트(미도시)와, 확산된 공정가스를 처리공간(S)을 향해 분사하는 복수의 분사홀(미도시)들을 포함할 수 있다.
상기 진공척(300)는, 공정챔버(100)의 하측에 설치되어 상면에서 기판(10)을 지지하며 하면에 균일한 진공압을 발생시켜 진공흡착하여 고정하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 진공척(300)은, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상면에 기판(10)이 안착되는 기판지지면이 구비되며, 기판(10)을 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 흡착홀(330)들 및 흡착홀(330)과 각각 연통되는 복수의 제1진공유로(360)들을 구비하는 본체부(310)와, 본체부(310)를 지지하며 내부에 제1진공유로(360)와 연통되는 적어도 하나 이상의 제2진공유로(350)를 구비하는 지지샤프트부(320)를 포함할 수 있다.
상기 본체부(310)는, 상면에 기판(10)을 수평상태로 지지하기 위한 기판지지면이 형성되며, 진공압에 의해 기판지지면에 안착된 기판(10)을 고정하는 구성으로 다양한 구성이 가능하고, 기판(10)의 평면 형상에 대응되는 원형 또는 다각형의 평면형상으로 형성될 수 있으며, 공정환경에 따라 다양한 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 본체부(310)는, 상면에 기판(10)이 안착되는 기판지지면이 구비되는 제1본체부(312)와, 제1본체부(312)의 하측에 결합되어 기판지지면 상에 안착된 기판(10)을 히팅하기 위한 히터부(미도시)를 구비하는 제2본체부(314)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 상기 본체부(310)는, 기판(10)을 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 흡착홀(330)들 및 흡착홀(330)과 각각 연통되는 복수의 제1진공유로(360)들을 구비할 수 있다.
상기 복수의 흡착홀(330)들은, 기판지지면 상에 형성되어 기판(10)에 진공압을 가하는 구성 및 배치가 가능하다.
상기 복수의 흡착홀(330)들은, 기판지지면 상에서 기판(10)이 지지되는 지지영역(A) 내측에 위치될 수 있다. 여기서, 상기 지지영역(A)은 본체부(310)의 기판지지면에 안착된 기판에 대응되는 영역으로써, 기판(10)과 동일한 형상으로 설정될 수 있다.
그리고, 상기 복수의 흡착홀들(330)은, 기판지지면, 특히, 지지영역(A) 내에 다양한 구조로 배치될 수 있다.
예로서, 상기 복수의 흡착홀들(330)은, 기판(10) 저면에 가해지는 진공압의 위치에 따른 편차를 감소시키기 위하여 지지영역(A) 내에 균일하게 분포되거나 또는 진공압의 편차를 고려하여 진공압이 상대적으로 약하게 나타나는 특정 영역에 흡착홀(330)들이 더 많이 배치될 수도 있다.
일 실시예로서, 상기 복수의 흡착홀(330)들은, 지지영역(A)의 중앙부(C)에 형성되는 중앙흡착홀(332)과, 중앙흡착홀(332)을 중심으로 지지영역(A)의 둘레방향을 따라 배치되는 복수의 외곽흡착홀들(334)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 복수의 흡착홀(330)들은, 인접하는 흡착홀(330)들 사이의 최단 거리가 서로 동일하게 배치됨이 바람직하다.
그에 따라, 상기 복수의 외곽흡착홀들(334)은, 인접하는 흡착홀(330)들 사이의 최단 거리가 서로 동일하도록 중앙흡착홀(332)을 중심으로 하는 가상의 정육각형의 6개의 각 꼭지점에 배치될 수 있다.
도 2를 참조하면, 원형의 기판(10)을 지지하는 기판지지면에서, 상기 중앙흡착홀(332)은 기판(10)의 중앙에 대응되는 위치에 형성되며, 외곽흡착홀들(334)은 중앙흡착홀(332)을 중심으로 원주방향을 따라 배치될 수 있다.
이때, 상기 6개의 외곽흡착홀들(334)은, 인접하는 흡착홀(330)들 사이의 최단 거리가 동일하도록 중앙흡착홀(332)을 중심으로 하는 가상의 정육각형(P)의 꼭지점에 배치될 수 있다.
도 2의 경우, 6개의 외곽흡착홀들(334)이 중앙흡착홀(332)을 중심으로 하는 가상의 정육각형(P)의 꼭지점에 배치됨으로써, 중앙흡착홀(332)을 중심으로 하는 하나의 환형루프를 따라 배치된 경우를 도시하였으나, 외곽흡착홀들(334)이 중앙흡착홀(332)을 동심으로 하는 복수의 환형루프들을 따라 배치되는 구조도 가능함은 물론이다.
또한, 중앙흡착홀(332)이 생략된 구조도 가능하며, 기판지지면의 중앙부(C)에 복수의 중앙흡착홀(332)이 환형, 방사형 등 다양한 형태로 배치되는 구조 또한 가능하다.
한편, 도 2의 실시예로서, 복수의 흡착홀(330)들의 분포가 지지영역(A) 상에서 균일한 경우를 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 흡착홀(330)들이 중앙부(C) 또는 외곽부에 상대적으로 밀집되어 배치되는 실시예들도 가능함은 물론이다.
상기 복수의 제1진공유로(360)들은, 복수의 흡착홀(330)들과 각각 대응되어 연통되며, 본체부(310) 내부에 형성되는 유로로써, 다양한 구성 및 형상이 가능하다.
상기 복수의 제1진공유로(360)들은, 지지영역(A)에 기판(10)이 지지된 상태에서 흡착홀(330)들과 연통되어 진공압을 전달할 수 있도록 흡착홀(330)들 하부에 형성될 수 있다.
일 실시예로서, 상기 복수의 제1진공유로(360)들은, 중앙흡착홀(332)과 연통되는 제1중앙진공유로와, 외곽흡착홀(334)들과 연통되는 제1외곽진공유로를 포함할 수 있다.
상기 지지샤프트부(320)는, 본체부(310)를 지지하며 내부에 제1진공유로(360)와 연통되는 적어도 하나 이상의 제2진공유로(350)를 구비하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 지지샤프트부(320)는, 본체부(310)의 저면에 결합되어 상하구동부(미도시)에 의해 상하이동가능하게 설치될 수 있다.
또한, 상기 지지샤프트부(320)는, 제2진공유로(350)를 포함한 기판처리에 필요한 부대설비 설치를 위하여 내부에 빈 공간이 형성될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2진공유로(350)는, 제1진공유로(360)와 연통되어 제1진공유로(360)를 통해 복수의 흡착홀(330)들로 진공압을 전달하기 위한 유로로써, 다양한 가공방식을 따라 형성될 수 있고, 지지샤프트부(320)의 구조에 따라 다양한 형상이 가능하며, 하나 또는 복수 개로 이루어질 수 있다.
상기 제2진공유로(350)는 진공압을 형성하는 진공압발생장치와 결합되므로, 상기 제2진공유로(350)의 개수는 복수의 흡착홀(330)들에 대한 진공압 전달 방식에 따라 결정될 수 있다.
예로서, 기판지지면 상에 구비된 N개의 흡착홀(330)에 동일한 진공압을 전달하고자 한다면 1개의 제2진공유로(350)만을 구비하는 것만으로도 충분하나, 기판지지면 상의 위치에 따라 흡착홀(330)에 다른 진공압을 전달하고자 한다면 서로 다른 진공압을 전달하는 복수의 제2진공유로(350)들을 구비할 필요가 있다.
일 실시예에서, 상기 제2진공유로(350)는, 복수의 제1진공유로(360)들의 개수에 대응되는 수로 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 진공척(300)이 1개의 제1중앙진공유로와 6개의 제1외곽진공유로를 구비하는 경우, 상기 제2진공유로(350)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 1개의 제1중앙진공유로와 6개의 제1외곽진공유로 각각과 연통되는 7개의 제2진공유로(350)를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 복수의 흡착홀(330)들 각각에 전달되는 진공압을 서로 다르게 제어할 수 있는 이점이 있다.
다른 일 실시예에서, 상기 제2진공유로(350)는, 제1중앙진공유로와 연통되는 제2중앙진공유로(350a)와, 제1외곽진공유로와 연통되는 제2외곽진공유로(350b)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제2외곽진공유로(350b)의 개수는, 단일 유로 1개부터 복수의 외곽흡착홀(334)의 개수에 대응되는 개수까지 설계에 따라 적절히 형성될 수 있음은 물론이다.
예로서, 상기 진공척(300)이 1개의 제1중앙진공유로와 6개의 제1외곽진공유로를 구비하는 경우, 제2중앙진공유로(350a)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 중앙흡착홀(332)과 연통된 제1중앙진공유로와 연통되며, 제2외곽진공유로(350b)는 6개의 제1외곽진공유로와 연통될 수 있다.
한편, 1개의 제2외곽진공유로(350b)가 복수의 제1외곽진공유로들과 대응되어 연통되는 경우, 복수의 제1외곽진공유로들을 병합하여 제2외곽진공유로(350b)와 연통시키기 위한 허브유로(351)가 추가로 구비될 수 있다.
상기 제2중앙진공유로(350a)는 제1중앙진공유로와 연통되고 제2외곽진공유로(350b)는 제1외곽진공유로와 연통되므로, 제2중앙진공유로(350a)를 통한 진공압은 중앙흡착홀(332)로 전달되고 제2외곽진공유로(350b)를 통한 진공압은 복수의 외곽흡착홀(334)들로 전달될 수 있다.
즉, 상기 제2중앙진공유로(350a) 및 상기 제2외곽진공유로(350b)는, 서로 다른 진공압발생장치와 연결되어 각각의 진공압이 서로 독립적으로 제어될 수 있으며, 그에 따라 기판지지면의 중앙부와 외곽부를 구분하여 기판(10)에 가해지는 진공흡착력이 다르게 제어될 수 있는 이점이 있다.
한편, 기판지지면을 중앙부와 외곽부로 구분하여 진공압을 서로 독립적으로 제어하는 실시예를 중심으로 설명하였으나, 독립적으로 제어되는 영역은 중앙부와 외곽부에 한정되지 않고 다양한 방식으로 설정될 수 있으며, 제2외곽진공유로(350b)가 복수개로 구성되는 경우 제2외곽진공유로(350b)들도 서로 다른 진공압발생장치와 연결되어 각각의 진공압이 서로 독립적으로 제어될 수 있음은 물론이다.
그리고, 본 발명에 따른 진공척(300)은, 본체부(310)의 기판지지면으로부터 하부방향으로 오목하게 형성되며 상호 인접하는 흡착홀(330)들 사이를 연결하는 복수의 진공홈부(340)들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 진공홈부(340)들은, 기판지지면에 하부방향으로 오목하게 형성되는 홈으로써, 상호 인접하는 흡착홀(330)들 사이를 연결하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 진공홈부(340)에 의하여 기판지지면에 기판(10)이 지지된 상태에서 복수의 흡착홀(330)들이 기판지지면 상에서 서로 연통될 수 있으므로, 상기 진공홈부(340)는 진공분위기를 지지영역(A) 상에 고르게 전달하는 진공통로(진공패스)로 기능할 수 있다.
따라서, 상기 진공홈부(340)는, 기판(10)에 대한 흡착력을 유지하기 위하여 기판지지면 상에서 기판(10)이 지지되는 지지영역(A) 내측에 위치됨이 바람직하다.
상기 진공홈부(340)는, 공정환경에 따라 미리 설정된 폭(W), 깊이 및 길이로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 복수의 진공홈부(340)들의 최단거리 길이는 서로 동일하게 형성됨이 바람직하다.
구체적으로, 상기 진공홈부(340)는, 기판지지면 상에 형성되는 직선홈(342, 344)일 수 있으며, 이때 상기 직선홈(342, 344)들 각각의 길이는 서로 동일하게 형성될 수 있다.
이때, 상기 복수의 진공홈부(340)들은, 도 2에 도시된 바와 같이, 각각의 진공홈부(340)를 경계로 다각형패턴이 형성되도록 상기 기판지지면 상에 형성될 수 있다.
다시말해, 상기 복수의 진공홈부(340)들은, 각 진공홈부(340)들이 서로 교차하여 다각형패턴을 이루도록 구성된다.
즉, 상기 복수의 진공홈부(340)들은, 복수의 직선홈(342, 344)들의 조합을 통해 지지영역(A)을 이루는 평면을 채우는 다각형패턴을 형성할 수 있다. 상기 다각형패턴은, 직선홈(332, 334)들의 조합으로 이루어질 수 있다면, 삼각형, 사각형, 오각형 등 다양한 형상이 가능함은 물론이다.
도 2의 실시예에서, 상기 복수의 진공홈부(340)들은, 지지영역(A)을 채우는 정삼각패턴을 형성하고 있으나, 본 발명의 실시예가 정삼각패턴에 한정되는 것은 아니다.
상기 복수의 진공홈부(340)들은, "적어도 하나의 흡착홀(330)과 직접적으로 연결되는 하나 이상의 제1직선홈(344)들" 및 "다른 직선홈(342, 344)을 통해 적어도 하나의 흡착홀(330)과 간접적으로 연결되는 하나 이상의 제2직선홈(342)"으로 이루어질 수 있다.
또한, 도 2에서, 상기 복수의 진공홈부(340)들에 의해 흡착홀(330)과 연결되는 정삼각패턴이 형성됨에 따라, 각 흡착홀(330)을 중심으로 인접한 6개의 정삼각패턴이 조합되어 정육각형 패턴(G)이 형성될 수 있다.
각 흡착홀(330)을 중심으로 6개의 정삼각패턴이 조합되어 정육각형 패턴(G)이 형성되는 경우, 각 흡착홀(330)에 의한 척킹력이 영역별로 균일하게 분포될 수 있어, 각 흡착홀(330)에 의해 기판(10)에 가해지는 진공압의 영역별 편차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.
한편, 도 2의 경우, 상기 진공홈부(340)가 끝단에서 흡착홀(330)과 연결되는 것을 도시하였으나, 진공홈부(340)의 중간영역에서 흡착홀(330)과 연결되는 것도 가능함은 물론이다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
10: 기판 100: 공정챔버
200: 가스분사부 300: 진공척

Claims (13)

  1. 상면에 기판(10)이 안착되는 기판지지면이 구비되며, 상기 기판(10)을 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 흡착홀(330)들 및 상기 흡착홀(330)과 각각 연통되는 복수의 제1진공유로(360)들을 구비하는 본체부(310)와;
    상기 본체부(310)를 지지하며 내부에 상기 제1진공유로(360)와 연통되는 적어도 하나 이상의 제2진공유로(350)를 구비하는 지지샤프트부(320)를 포함하는 진공척(300)에 있어서,
    상기 본체부(310)는, 상기 기판지지면으로부터 오목하게 형성되며 상호 인접하는 상기 흡착홀(330)들 사이를 연결하는 복수의 진공홈부(340)들을 포함하며,
    상기 복수의 진공홈부(340)들의 최단거리 길이는 서로 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 진공홈부(340)들은, 각각의 진공홈부(340)를 경계로 다각형패턴이 형성되도록 상기 기판지지면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 진공홈부(340)들은, 상기 기판지지면 상에서 기판(10)이 지지되는 지지영역(A) 내측에 위치되는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 흡착홀들(330)은, 상기 기판지지면에 기판(10)이 지지된 상태에서 상기 진공홈부(340)에 의해 서로 연통되는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 흡착홀들(330)은, 인접하는 흡착홀(330)들 사이의 최단 거리가 서로 동일하게 배치되는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 복수의 흡착홀들(330)은,
    상기 지지영역(A)의 중앙부(C)에 형성되는 중앙흡착홀(332)과,
    상기 중앙흡착홀(332)을 중심으로 상기 지지영역(A)의 둘레방향을 따라 배치되는 복수의 외곽흡착홀들(334)을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 복수의 외곽흡착홀들(334)은, 인접하는 흡착홀(330)들 사이의 최단 거리가 서로 동일하도록 상기 중앙흡착홀(332)을 중심으로 하는 가상의 정육각형의 꼭지점에 배치되는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2진공유로(350)는, 상기 복수의 제1진공유로(360)들의 개수에 대응되는 수로 형성되는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 복수의 제1진공유로(360)들은, 상기 중앙흡착홀(332)과 연통되는 제1중앙진공유로와, 상기 외곽흡착홀(334)들과 연통되는 제1외곽진공유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제2진공유로(350)는, 상기 제1중앙진공유로와 연통되는 제2중앙진공유로(350a)와, 상기 제1외곽진공유로와 연통되는 제2외곽진공유로(350b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공척(300).
  11. 상면에 기판(10)이 안착되는 기판지지면이 구비되며, 상기 기판(10)을 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 흡착홀(330)들 및 상기 흡착홀(330)과 각각 연통되는 복수의 제1진공유로(360)들을 구비하는 본체부(310) 및 상기 본체부(310)를 지지하며 내부에 상기 제1진공유로(360)와 연통되는 적어도 하나 이상의 제2진공유로(350)를 구비하는 지지샤프트부(320)를 포함하는 진공척(300)과;
    상기 제2진공유로(350)와 결합되어 진공압을 형성하는 진공압발생장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치로서,
    상기 본체부(310)는, 상기 기판지지면으로부터 오목하게 형성되며 상호 인접하는 상기 흡착홀(330)들 사이를 연결하는 복수의 진공홈부(340)들을 포함하며,
    상기 복수의 진공홈부(340)들의 최단거리 길이는 서로 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수의 흡착홀(330)들은,
    상기 기판지지면 상에서 기판(10)이 지지되는 지지영역(A) 내측에 위치되며, 상기 지지영역(A)의 중앙부(C)에 형성되는 중앙흡착홀(332) 및 상기 중앙흡착홀(332)을 중심으로 상기 지지영역(A)의 둘레방향을 따라 배치되는 복수의 외곽흡착홀들(334)을 포함하며,
    상기 제2진공유로(350)는, 상기 중앙흡착홀(332)과 연통되는 제2중앙진공유로(350a)와, 상기 복수의 외곽흡착홀(334)들과 연통되는 하나 이상의 제2외곽진공유로(350b)를 포함하며,
    상기 제2중앙진공유로(350a) 및 상기 제2외곽진공유로(350b)는, 서로 다른 진공압발생장치와 연결되어 각각의 진공압이 서로 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제2외곽진공유로(350)는, 상기 복수의 외곽흡착홀(334)들의 개수에 대응되는 수로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020170160706A 2017-11-28 2017-11-28 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치 KR102244010B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170160706A KR102244010B1 (ko) 2017-11-28 2017-11-28 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170160706A KR102244010B1 (ko) 2017-11-28 2017-11-28 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190061880A true KR20190061880A (ko) 2019-06-05
KR102244010B1 KR102244010B1 (ko) 2021-04-23

Family

ID=66845403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170160706A KR102244010B1 (ko) 2017-11-28 2017-11-28 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102244010B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114180339A (zh) * 2021-03-31 2022-03-15 无锡市江松科技有限公司 一种硅片夹取装置
CN117904589A (zh) * 2024-01-26 2024-04-19 常州市好利莱光电科技有限公司 一种超薄晶圆镀膜承载组件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100056217A (ko) * 2008-11-19 2010-05-27 세메스 주식회사 기판 흡착 장치, 이를 갖는 스크라이빙 장치 및 기판 흡착 방법
KR20160146041A (ko) * 2015-06-11 2016-12-21 주식회사 코어피앤피 단위 가공물 절단 가공용 진공척

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100056217A (ko) * 2008-11-19 2010-05-27 세메스 주식회사 기판 흡착 장치, 이를 갖는 스크라이빙 장치 및 기판 흡착 방법
KR20160146041A (ko) * 2015-06-11 2016-12-21 주식회사 코어피앤피 단위 가공물 절단 가공용 진공척

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114180339A (zh) * 2021-03-31 2022-03-15 无锡市江松科技有限公司 一种硅片夹取装置
CN114180339B (zh) * 2021-03-31 2024-01-19 无锡江松科技股份有限公司 一种硅片夹取装置
CN117904589A (zh) * 2024-01-26 2024-04-19 常州市好利莱光电科技有限公司 一种超薄晶圆镀膜承载组件

Also Published As

Publication number Publication date
KR102244010B1 (ko) 2021-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10199241B2 (en) Gas supply device and substrate processing apparatus
CN107799379B (zh) 基板处理腔室和半导体处理系统
JP4430003B2 (ja) 高密度プラズマ化学気相蒸着装置
TWI648425B (zh) 具有內部擴散器和角度注入件的可調諧氣體輸送組件
KR20170074755A (ko) 샤워헤드 어셈블리
KR20150004771A (ko) 컨덕턴스 제어를 갖는 화학적 증착 장치
KR20190056112A (ko) 샤워 헤드 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20060059305A (ko) 반도체 공정 장비
KR20190061880A (ko) 진공척 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR20190074481A (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
KR100725613B1 (ko) 배플 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
CN105789015A (zh) 一种实现均匀排气的等离子体处理设备
KR101227571B1 (ko) 가스 분사 어셈블리 및 기판 처리 장치
KR20120074878A (ko) 배플, 기판 처리 장치 및 그 처리 방법
US11035040B2 (en) Showerhead and substrate processing apparatus
JP7267308B2 (ja) 上方電極アセンブリ、反応チャンバおよび原子層堆積装置
KR101059434B1 (ko) 진공 척
KR20240010213A (ko) 공압 피딩 블록체 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2001017852A (ja) 処理装置
CN112908821B (zh) 一种实现均匀排气的双工位处理器及其排气方法
KR20070021637A (ko) 샤워 헤드 및 샤워 헤드를 포함하는 기판 처리 장치
KR101326025B1 (ko) 웨이퍼 이송 장치
KR102191916B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드
KR100578136B1 (ko) 플라즈마로 강화된 반도체 증착 장비
KR20210054194A (ko) 샤워헤드조립체, 그를 가지는 기판처리장치 및 기판처리시스템

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant