JPS62296521A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS62296521A JPS62296521A JP14109586A JP14109586A JPS62296521A JP S62296521 A JPS62296521 A JP S62296521A JP 14109586 A JP14109586 A JP 14109586A JP 14109586 A JP14109586 A JP 14109586A JP S62296521 A JPS62296521 A JP S62296521A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマ処理を均一に行う、プラズマ処理装
置に関するものである。
置に関するものである。
（従来技術を発明が解決しようとする問題点）半導体素
子の製造においてプラズマ処理装置は広く利用されてい
るが、中でもドライエツチング装置はパターンの微細化
に伴い最も重要な装置となっている。
子の製造においてプラズマ処理装置は広く利用されてい
るが、中でもドライエツチング装置はパターンの微細化
に伴い最も重要な装置となっている。
さて、従来のドライエツチング装置では、試料表面の汚
損を防ぐなどの理由から、試料設置電極の試料設置部以
外の電極表面を石英、高分子ポリマー等の誘電体物質で
被覆し、電極とプラズマが直接接触することのないよう
な構造を採用している。このためその電極表面上には第
３図のような電界強度分布が見られ、エツチング例えば
Ｓｉｏ。
損を防ぐなどの理由から、試料設置電極の試料設置部以
外の電極表面を石英、高分子ポリマー等の誘電体物質で
被覆し、電極とプラズマが直接接触することのないよう
な構造を採用している。このためその電極表面上には第
３図のような電界強度分布が見られ、エツチング例えば
Ｓｉｏ。
のエッチ・ングでは、電極の端部のエツチング速度が中
心部に比しかなり速くなることが観察されている。さら
にＡＱ−Ｃｕ合金のエツチングにおいては、Ｓｉｏ２の
エツチングで観察されたエツチング速度分布の不均一の
傾向が一層顕著となり、均一性の偏差は約±３０％に達
する高い値を示す。
心部に比しかなり速くなることが観察されている。さら
にＡＱ−Ｃｕ合金のエツチングにおいては、Ｓｉｏ２の
エツチングで観察されたエツチング速度分布の不均一の
傾向が一層顕著となり、均一性の偏差は約±３０％に達
する高い値を示す。
またＡｆｉ−Ｃｕ合金のエツチングにおいては、残渣を
除去するのにイオン衝撃が必要であるがイオン衝撃が不
均一であるため試料表面の残渣分布は第４図のように電
極の端部従って試料の端部で最小値をとり、電極の央部
よりで最大値をとるような不正規の分布となる。このた
め、従来はＡＱ−Ｃｕ合金のエツチングは、ドライエツ
チング装置では極めて困難であるとみなされ、ＡＱ−Ｃ
ｕ合金の半導体素子への適用は皆無に近いものとなって
いる。
除去するのにイオン衝撃が必要であるがイオン衝撃が不
均一であるため試料表面の残渣分布は第４図のように電
極の端部従って試料の端部で最小値をとり、電極の央部
よりで最大値をとるような不正規の分布となる。このた
め、従来はＡＱ−Ｃｕ合金のエツチングは、ドライエツ
チング装置では極めて困難であるとみなされ、ＡＱ−Ｃ
ｕ合金の半導体素子への適用は皆無に近いものとなって
いる。
（発明の目的）
本発明は、前記問題を解決し試料表面に均一なプラズマ
処理を施すことの可能なプラズマ処理装置の提供を目的
とする。
処理を施すことの可能なプラズマ処理装置の提供を目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は試料設置電極の、試料設置部以外の露出電極表
面を、誘電体物質と導電性物質とで構成される所定のパ
ターンに従って、区域をわけて被覆し、電極上の電界の
強度を均一にすることにより、前記目的を達成したもの
である。
面を、誘電体物質と導電性物質とで構成される所定のパ
ターンに従って、区域をわけて被覆し、電極上の電界の
強度を均一にすることにより、前記目的を達成したもの
である。
（実施例）
以下、本発明を図に基づき、実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例の正面断面図を示し、ガス導
入部１、排気孔９をそなえる、接地された処理槽６には
、導入されたガスを噴出する多数の細孔２１を設けた電
極２と、複数の被処理試料４を載置する水冷された試料
設置電極３が対向設置されている。
入部１、排気孔９をそなえる、接地された処理槽６には
、導入されたガスを噴出する多数の細孔２１を設けた電
極２と、複数の被処理試料４を載置する水冷された試料
設置電極３が対向設置されている。
試料設置電極３の前記対向面」二の、試料設置部以外の
露出電極表面は、導電性物質７と誘電体物質８とで、例
えば第２図にその平面図を示すようなパターンで、区域
をわけて被覆されている。
露出電極表面は、導電性物質７と誘電体物質８とで、例
えば第２図にその平面図を示すようなパターンで、区域
をわけて被覆されている。
以下、電極表面の被覆物質としては誘電体物質としてポ
リ・アリレート樹脂、導電性物質としてシリコンカーバ
イトを用い、反応性ガスとして５ｉＣＱ、を用いた場合
のＡ Ｑ 、−Ｃｕ合金のエツチング特性について説明
する。
リ・アリレート樹脂、導電性物質としてシリコンカーバ
イトを用い、反応性ガスとして５ｉＣＱ、を用いた場合
のＡ Ｑ 、−Ｃｕ合金のエツチング特性について説明
する。
直径６インチのシリコンウェーハ試料上にＳｉｏ２を１
μｍ形成し、ＡＱ−４％Ｃｕを加熱温度３５０℃におい
てスパッタリング法により、１μｍ形成、さらにフォト
レジストを１．５μｍの厚さで覆いパターン形成を施し
たものを用いた。
μｍ形成し、ＡＱ−４％Ｃｕを加熱温度３５０℃におい
てスパッタリング法により、１μｍ形成、さらにフォト
レジストを１．５μｍの厚さで覆いパターン形成を施し
たものを用いた。
反応性ガスである５ｉＣｆ１４の流量を１００ ｓｅｃ
ｍ、またエツチング圧力を１０Ｐａとした場合の、エツ
チング速度の電力密度（電力／電極面積）依存性を第５
図に示す。電力密度０．２Ｗ／ｃｄではエツチング速度
９００人／ｗｌｉｎ、フォトレジストに対する選択比５
、Ｓｉｏ、に対する選択性１２がえられた。エツチング
速度分布を第６図に示すが、均一性の偏差は、従来の±
３０％から±５％未満へと著しく改善された。またＡ
Ｑ’ −Ｃｕ合金のエツチングに際して最大の問題とな
るＣｕ残渣も、従来の第４図のような残渣分布は全く見
られなくなり、適度なオーバー・エツチングを施すこと
により、ウェーハ全面で均一なＣｕ残渣の除去が可能と
なった。
ｍ、またエツチング圧力を１０Ｐａとした場合の、エツ
チング速度の電力密度（電力／電極面積）依存性を第５
図に示す。電力密度０．２Ｗ／ｃｄではエツチング速度
９００人／ｗｌｉｎ、フォトレジストに対する選択比５
、Ｓｉｏ、に対する選択性１２がえられた。エツチング
速度分布を第６図に示すが、均一性の偏差は、従来の±
３０％から±５％未満へと著しく改善された。またＡ
Ｑ’ −Ｃｕ合金のエツチングに際して最大の問題とな
るＣｕ残渣も、従来の第４図のような残渣分布は全く見
られなくなり、適度なオーバー・エツチングを施すこと
により、ウェーハ全面で均一なＣｕ残渣の除去が可能と
なった。
（発明の効果）
本発明により、電極内の電界強度分布を均一にし、均一
なプラズマ処理が可能となる。特にエツチング装置に適
用した場合、ＡＱ−Ｃｕ合金のエツチング装置としてき
わめて効果的である。
なプラズマ処理が可能となる。特にエツチング装置に適
用した場合、ＡＱ−Ｃｕ合金のエツチング装置としてき
わめて効果的である。
第１図は、本発明の実施例の概略の正面断面図。
第２図はそのうちの試料設置電極の平面図。第３図は、
従来装置における試料設置電極表面の電界＝４− 分布図。第４図は従来装置のＡＱ−Ｃｕ合金のエツチン
グにおける試料表面の残渣分布を等直線で示す図。第５
図は、本発明によるＡＱ−４％Ｃｕ膜のエツチングにお
けるエツチング速度の電力密度依存性を示す図。第６図
は、本発明の装置による、ＡＱ−４％Ｃｕ膜のエツチン
グにおけるエツチング速度分布の図である。 ３−一一一試料設置電極、４−−−一試料、７−−−−
導電性物質、８−一一一誘電体物質。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村 上 健 次 （電 極） ＦＩＧ、３ 電力τ浪（ｗ／／Ｃｍ２） ′＠′ｖ、、計やｊし 用悄←竿」壬申Ｉｔ
、２ ＦＩＧ。６
従来装置における試料設置電極表面の電界＝４− 分布図。第４図は従来装置のＡＱ−Ｃｕ合金のエツチン
グにおける試料表面の残渣分布を等直線で示す図。第５
図は、本発明によるＡＱ−４％Ｃｕ膜のエツチングにお
けるエツチング速度の電力密度依存性を示す図。第６図
は、本発明の装置による、ＡＱ−４％Ｃｕ膜のエツチン
グにおけるエツチング速度分布の図である。 ３−一一一試料設置電極、４−−−一試料、７−−−−
導電性物質、８−一一一誘電体物質。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村 上 健 次 （電 極） ＦＩＧ、３ 電力τ浪（ｗ／／Ｃｍ２） ′＠′ｖ、、計やｊし 用悄←竿」壬申Ｉｔ
、２ ＦＩＧ。６
Claims (1)
- 真空に排気できる処理槽内に設置された、一対の高周波
電極の一方の電極に置かれた試料を、反応性ガスプラズ
マによりプラズマ処理するプラズマ処理装置において、
試料設置電極の試料設置部以外の露出電極表面を、誘電
体物質と導電性物質とで構成される、所定のパターンに
従って区域をわけて被覆し電極上の電界の強度を均一に
したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14109586A JPS62296521A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14109586A JPS62296521A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62296521A true JPS62296521A (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=15284076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14109586A Pending JPS62296521A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62296521A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200629A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| WO1997040265A1 (de) * | 1996-04-23 | 1997-10-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur behandlung von abgas |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP14109586A patent/JPS62296521A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200629A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| WO1997040265A1 (de) * | 1996-04-23 | 1997-10-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur behandlung von abgas |
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