TWI389198B - 灰化裝置 - Google Patents

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TWI389198B
TWI389198B TW097142303A TW97142303A TWI389198B TW I389198 B TWI389198 B TW I389198B TW 097142303 A TW097142303 A TW 097142303A TW 97142303 A TW97142303 A TW 97142303A TW I389198 B TWI389198 B TW I389198B
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Takashi Kurimoto
Kyuzo Nakamura
Koukou Suu
Toshiya Yogo
Kazushige Komatsu
Nobusuke Tachibana
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Description

灰化裝置
本發明係有關一種藉由將基板上之有機材料進行灰化(ashing)而將其除去之灰化裝置。
習知，為了於半導體基板上形成積體電路，而於半導體基板之表面上設置形成有電路圖案之光阻膜，透過該光阻膜來對其下層之絕緣膜、半導體膜或金屬膜進行蝕刻。於蝕刻處理結束之後，自基板表面將該光阻膜除去。其除去方法之一有如下亁式處理方法，即利用以氧電漿為主之反應性氣體之電漿對光阻膜進行灰化(灰化)。
該亁式處理方法，使反應性氣體之電漿中生成之活性源(自由基)主要是氧自由基與塗布於基板上之光阻膜進行反應，並藉由將該光阻膜分解氣化為CO2 以及H2 O來除去。作為利用該亁式處理方法來除去光阻膜之處理裝置，有例如揭示於專利文獻1之電漿灰化裝置。依據圖9來對該灰化裝置進行說明。
如圖9所示，輸送管2與灰化裝置之室(處理室)1之上部連結，該輸送管2連接於藉由微波以及反應氣體(例如氧、氮、四氟化碳)而產生電漿之電漿室(未圖示)。於該輸送管2之下端，與基板載台4相對向地配置著具有多個貫通孔之簇射板3。於處理室1之上部內面，以包圍該簇射板3之方式安裝著呈圓筒狀之擴散防止壁5。高頻電源 6連接於基板載台4。又，於室1之底部形成有排氣口7。
接著，對以如此方式構成之灰化裝置之灰化處理進行說明。首先，將搬入至室1內之基板(晶圓)W載置於基板載台4之上面。接著，使室1內部減壓，並對基板載台4施加高頻偏壓(RF偏壓)。接著，自該電漿室(圖示省略)透過輸送管2將含氧自由基之氣體供應至室1內。該含氧自由基之氣體，通過簇射板3上所形成之貫通孔而到達基板W。又，藉由簇射板3而流向周邊之氣體，由擴散防止壁5導引至基板W上。如此，形成於基板W上面之未圖示之光阻膜，因氣體中所含之氧自由基而分解氣化後，自排氣口7排出。
半導體基板上之積體電路係利用鋁(Al)或銅(Cu)等金屬配線連接電晶體等電路元件而形成者。又，於半導體基板上，具有連接墊表面以金(Au)等覆蓋者，以及用於連接之端子以焊料(Solder)形成者。因此，半導體基板之製造步驟中，於對該光阻膜進行灰化時，會有金屬配線露出或表面上形成金或焊料之情形。在此情形，露出之金屬材料藉由化學反應或物理反應進行濺鍍，使得金屬原子飛散後附著於室1之內壁，亦即室1之上部內面1a、簇射板3之下面、或擴散防止壁5之內周面上。若於此狀態下繼續進行灰化處理，則會因附著於該室1內壁上之金屬、與本應被導引至基板W上之氧自由基鍵結而使該金屬表面被氧化，從而使得氧自由基之去活化增多。亦即，因附著於該室1內壁上之金屬而導致氧自由基之去活化量增大。 其結果，到達基板W上之氧自由基之量減少，每單位時間能夠進行處理之光阻膜之深度(灰化速率)降低。從而存在因如此之灰化速率之經時變化而使灰化速率變得不穩定之問題。
本發明人等確認出如下事實，即當實際上以1個灰化裝置於相同條件(條件B)下連續對露出有金屬(於此為銅)之複數片基板W進行處理時，如圖10所示，隨著基板W之處理數之增加，灰化速率會極度降低。具體而言，以清洗後之灰化裝置最初處理之第1片基板W之灰化速率為2100.5[/60sec]，相對於此，第20片基板W之灰化速率降低至1523.7[/60sec]。亦即，對第20片基板W進行之灰化處理，與對第1片基板W進行之灰化處理相比，灰化速率降低了接近30%。
〔專利文獻1〕日本特開平9－45495號公報
本發明，提供一種可抑制灰化速率之經時變化之灰化裝置。
本發明之一形態係一種灰化裝置，於處理室內對含露出有金屬之基板上之有機材料進行灰化，具備形成於該處理室內且使供應至該處理室之活性源通過的路徑。該路徑，形成為於用以劃定該路徑之面，亦即因該活性源而自該基板飛散之該金屬可附著之面上，露出與該金屬相同之金屬。
以下，依據圖1~圖3來對本發明之一實施形態之灰化裝置進行說明。
如圖1所示，灰化裝置之室(處理室)11之上部透過輸送管12而連接於電漿室13。該電漿室13透過微波波導管14而連接於磁控管15。再者，電漿室13與微波波導管14藉由以石英等所構成之微波透過窗13a區隔開。微波電源16連接於磁控管15。由磁控管15產生之微波(μ波)透過微波波導管14而導入電漿室13內。
電漿室13透過氣體導入管17而連接於複數個(圖中為3)質量流量控制器18a~18c，質量流量控制器18a~18c分別連接於氣體供應源19a~19c。本實施形態中，氣體供應源19a儲存氧(O2 )，氣體供應源19b儲存氮(N2 )，氣體供應源19c儲存四氟化碳(CF4 )。氣體供應源19a~19c中儲存之氣體之流量分別經質量流量控制器18a~18c調整後，混合有既定流量之氧、氮以及四氟化碳之反應氣體透過氣體導入管17導入電漿室13內。
藉由該微波以及反應氣體而於電漿室13內產生含氧之電漿，該電漿中作為活性源之氧自由基透過輸送管12而被導入室11內。該室11內配置有用以載置基板W之基板載台20。真空預備室22透過閘門21而連接於室11。為了不使室11內開放於大氣中之狀態下來進行基板W之搬入搬出而設置有真空預備室22。
室11之底部形成有排氣口23。該排氣口23透過排氣管24而連接於未圖示之排氣用泵，藉由該排氣用泵而對室11內進行減壓。於排氣管24配置有壓力控制器25，藉由該壓力控制器25來調整室11內之壓力。
該微波電源16、質量流量控制器18a~18c、壓力控制器25連接於控制裝置26。控制裝置26具有未圖示之儲存裝置，於該儲存裝置中儲存有用以對各種基板進行處理之條件資訊(參數)。若與搬入至室11內之基板W相應之參數經指定，則控制裝置26根據該參數之值來對微波電源16、各質量流量控制器18a~18c、及壓力控制器25進行控制。
接著，依據圖2來詳細說明室11之構成。
室11係由與該室11內進行處理之基板W上主要露出之金屬相同之金屬形成，進而該金屬露出於室11之內面。於對露出有例如銅(Cu)之基板W進行灰化處理之灰化裝置的情形，該室11係以銅形成。因此，該室11除銅之外，還可視於基板W上露出之金屬而以金(Au)、焊料(Solder)、鉑(Pt)、銥(Ir)形成。
如圖2所示，於與該室11上部連結之輸送管12之下端，與載置基板W之基板載台20的載置面相對向地配置有呈碟狀且具有複數個貫通孔(圖示省略)之簇射(shower)板(擴散板)31。簇射板31藉由安裝構件32而固定於室11之上部，並且配置成藉由該安裝構件32而與室11之上部內面11a隔開既定距離。室11之上部內面11a與簇射板31 之距離，設定為透過該輸送管12而導入室11內之氧自由基，通過形成於簇射板31之貫通孔，並通過簇射板31與室11上部之間然後被導向周邊。
如圖3(a)所示，該簇射板31係由複數個(圖3(a)中為3層)層31a、31b、31c構成。與基板W相對向之一側(圖2、圖3中為下側)之第1層31a與室11同樣地，由與基板W上所露出之金屬(例如銅)相同之金屬形成，進而該金屬於第1層31a之表面(下面)上露出。該第1層31a上層之第2層31b為金屬氧化物層，由例如氧化鋁、氧化釔(Y2 O3 )等構成。作為第2層31b之上層，亦即氧自由基之導入側(圖2、圖3中為上側)之第3層31c由氟化物層(氟化膜)構成。
該簇射板31以如下方式形成，即，於例如由基板W上露出之金屬所構成之金屬板(第1層31a)上，生成作為第2層31b之金屬氧化物層，進而藉由對該第2層31b之上面進行氟化處理而使第3層31c成膜。作為該氟化處理方法，可舉例如使對象構件(第1層31a以及第2層31b)達到高溫，並使含氟原子之氣體流動之方法。或者亦可使用如下方法：利用含氟原子之氣體來產生氟電漿，並且於該電漿環境氣氛中設置對象構件。作為此處所使用之氣體，可舉含有例如CF4 、C2 F6 、C3 F8 、NF3 、SF6 中之至少一種之氣體等。
如圖2所示，於室11之上部內面11a安裝有呈圓筒狀之擴散防止壁33之上端，並以該擴散防止壁33包圍著簇 射板31。擴散防止壁33之內徑設定為略微大於基板載台20上所載置之基板W的外徑。該擴散防止壁33，與室11或簇射板31同樣地，由與露出於基板W之金屬(例如銅)相同之金屬形成，進而該金屬露出於擴散防止壁33之表面。
基板載台20之周邊上部係以基板導件36覆蓋。基板載台20內配置有被支承可移動於上下方向之升降銷37之前端。藉由升降銷37上下移動而在升降銷37與未圖示之搬運裝置之間傳遞基板W，以及將基板W載置於基板載台20上。
基板載台20與室11下部之間介設有絕緣板38。又，基板載台20連接著配管39。透過該配管39，對形成於基板載台20內部之未圖示之水路供應冷卻水，以調節基板載台20之溫度。進而，高頻電源40透過電容器C而連接於基板載台20，自該高頻電源40對基板載台20供應高頻偏壓(RF偏壓)。
該室11接地。因此，室11(具體而言為其內面)對施加有來自高頻電源40之高頻偏壓之基板載台20具有發揮電氣對向電極之作用。又，該室11透過安裝構件32而與簇射板31之第1層31a(金屬板)形成電氣連接，並且與擴散防止壁33形成電氣連接。因此，該等由相同金屬構成之室11、簇射板31以及擴散防止壁33，對被施加該高頻偏壓之基板載台20發揮電氣對向電極之作用。
接著，對以如此方式構成之灰化裝置之灰化處理進行說明。
首先，將基板W以存在有待除去之光阻膜之面(處理面)朝上之方式載置於室11內的基板載台20上。接著，對室11內部進行減壓，且對基板載台20施加高頻偏壓(RF偏壓)。接著，將電漿室13內產生之電漿中所含之氧自由基導入室11內。如此，該氧自由基通過形成於簇射板31之貫通孔而到達基板W上，並且通過簇射板31與室11上部之空隙朝直徑方向流動。此時，簇射板31之氧自由基之供應側(圖2中為上面)形成有發揮鈍化膜作用之氟化物層(第3層31c)，因此該簇射板31之上面難以被氧化，進而難以與氧自由基鍵結。因此，因該簇射板31而被去活化之氧自由基之量減少。
另一方面，朝直徑方向流動之氧自由基以擴散防止壁33導引至基板W上。亦即，擴散防止壁33阻止氧自由基之直徑方向移動，亦即阻止氧自由基之不必要擴散。又，當氧自由基到達基板W上時，該氧自由基與基板W上之光阻膜產生反應，從而將該光阻膜除去。
如上所述，當對露出有金屬材料之基板W進行灰化處理時，自基板表面因化學反應或物理反應而使金屬原子自基板W飛散。如此，於與基板W相對向之室11之上部內面11a、簇射板31之下面、或擴散防止壁33之內周面33a、底面33b等之通過路徑，附著堆積有自基板W飛散之金屬原子。此時，習知之灰化裝置中，如此附著堆積之金屬原子會導致灰化速率降低或基板W面內之灰化速率之均一性惡化。亦即，因附著堆積於作為氧自由基通過路徑之該等 面上之金屬原子而使該面上被去活化的氧自由基之量產生變動，從而導致灰化速率產生變動。
相對於此，本實施形態之灰化裝置中，使位於氧自由基之通過路徑上之自基板W飛散之金屬原子可附著之面(室11之上部內面11a、簇射板31之下面、擴散防止壁33之內周面33a、底面33b)，由與露出於基板W之金屬相同之金屬形成，進而使該金屬露出於各面上。因此，就算自基板W飛散之金屬原子附著於該面上，該面上露出金屬之面積幾乎不會產生變化。因此，就室11內而言，就算於附著有金屬原子之情形，亦可使與未附著有金屬原子時大致等量之氧自由基被去活化。因此，氧自由基之去活化量與金屬原子之附著，亦即基板W之灰化處理無關，實質上幾乎不會產生變化。亦即，就算對複數片基板W進行灰化處理，因到達基板W上之氧自由基之量亦難以產生變化，故而可抑制灰化速率之經時變化。
又，就算自基板W飛散之金屬不均一地附著於室11之上部內面11a、簇射板31之下面、擴散防止壁33之內周面33a、底面33b上，該等面上原本便露出著該金屬。因此，於該等面上露出之金屬之面積於金屬原子附著前後幾乎未產生變化。亦即，就算對複數片基板W進行灰化處理，亦可將氧自由基之通過路徑中之金屬分布維持成大致固定不變。因此，到達基板W上之各點(測定點)之氧自由基之量難以產生經時變化，故而不僅可抑制基板W整體之灰化速率之經時變化，還可抑制基板W上之各點之灰化速率之 經時變化。進而，氧自由基之通過路徑中之金屬分布實質上未產生變動，因此亦可抑制基板W之灰化速率之面內均一性產生惡化。
圖5係於本實施形態之灰化裝置，以相同條件(條件A)連續對露出有銅之複數片基板W進行處理後的實驗結果。對於此時之基板W之條件A，使氧、氮、四氟化碳之流量分別為2240/160/400 sccm，使室11內之壓力為100 Pa，微波功率為2000 W，RF偏壓為300 W，處理時間為30秒。
於圖5中，黑點係表示自基板W中心向圓周方向以及直徑方向依序設定之49處測定點(參照圖6)所測定之灰化速率的平均值。根據該黑點所示之結果可知，本實施形態之灰化裝置，就算處理片數增加，灰化速率之變動亦較小，該灰化速率維持為大致固定不變。具體而言，利用清洗後之灰化裝置最初進行處理之第1片基板W之灰化速率為8244.3[/30 sec]，相對於此，第100片基板W之灰化速率為7791.3[/30 sec]。亦即，本實施形態之灰化裝置，就算對100片基板W進行灰化處理，與對第1片基板W進行灰化處理時之灰化速率相比，灰化速率僅降低約5%。相對於此，習知之灰化裝置，如上所述，就算僅對20片基板W進行灰化處理，灰化速率便降低了大約接近30%(參照圖10)。據此可知，本實施形態之灰化裝置，灰化速率之變動較小而趨於穩定化。
又，於圖5中，黑方塊以及黑菱形表示根據各測定點(參照圖6)所測定出之灰化速率中最大值與最小值之差而 計算出之基板W面內之灰化速率之均一性。黑三角表示基板W上所產生之微粒數量。根據該等結果可明白，本實施形態之灰化裝置，就算基板處理片數增加，亦可將灰化速率之面內均一性維持為大致固定不變，並且極少產生微粒。
根據以上實驗結果得知，藉由以使金屬原本便露出之方式來形成金屬可附著之面，便可與基板W之處理片數無關地使灰化速率穩定化。藉此，可提高該灰化裝置之可靠性及生產性。
又，圖7以及圖8係對露出有銅之基板W之各測定點(參照圖6)之灰化處理時之灰化深度進行測定的實驗結果。圖7係以下述條件B並利用習知之灰化裝置進行灰化處理之情形之測定結果，該條件B，係使氧、氮、四氟化碳之流量分別為1280/160/160 sccm，室11內之壓力為75 Pa，微波功率為1500 W，RF偏壓為300 W，處理時間為30秒。又，圖8係以上述條件A並利用本實施形態之灰化裝置進行灰化處理之情形之測定結果。
於圖7以及圖8中，黑點表示對清洗後之灰化裝置中最初進行灰化處理之第1片基板W進行測定的結果，黑方塊表示對第複數片(例如第10片)基板W進行測定之結果。根據圖7可明白，習知之灰化裝置，對第複數片基板W進行灰化處理時之灰化深度，整體上低於對第1片基板W進行灰化處理時之灰化深度。又，對第複數片基板W進行之灰化處理中，於各測定點上灰化深度之下降量出現不均一，基板W面內之灰化深度之均一性惡化。可認為其原因 在於室1內壁上不均一地附著有金屬原子。
相對於此，根據圖8可明白，本實施形態之灰化裝置，於對第1片基板測定之測定結果與對第複數片基板W進行測定之測定結果中，幾乎觀察不到各測定點上之灰化深度之變化。亦即，對第複數片基板W進行之灰化處理之各測定點上，維持著與第1片基板W時大致相同之灰化速率。根據該結果可得知，藉由以使金屬原本便露出之方式形成該金屬可附著之面，便可與基板W之處理片數以及各測定點無關地抑制灰化深度之經時變化，且能夠抑制灰化深度之面內均一性之惡化。
本實施形態具有以下優點。
(1)處理室11內形成有氧自由基之通過路徑。該通過路徑以如下方式形成，即，於劃定該路徑之面，亦即自基板W飛散之金屬原子可附著之面(較佳為室11之上部內面11a、簇射板31之下面、擴散防止壁33之內周面33a、底面33b)上，露出與基板W上所露出之金屬相同之金屬。因此，就算自基板W飛散之金屬原子附著於該面上，於氧自由基之通過路徑上金屬之露出面積亦幾乎不產生變化。因此，室11內，就算附著有金屬原子時，亦可使與金屬原子未附著時大致等量之氧自由基去活化。因此，氧自由基之去活化量，與基板W之灰化處理之次數無關，實質上幾乎未產生變化。亦即，就算對複數片基板W進行灰化處理，到達基板W之氧自由基之量亦難以產生變化，故而可較佳地抑制灰化速率之經時變化。藉此，就算對露出有金屬之 複數片基板W進行處理，亦可較佳地維持穩定之灰化速率。
(2)室11內具有擴散防止壁33，該擴散防止壁33形成為圓筒狀，且以包圍簇射板31之狀態阻止氧自由基對載置於載台20上之基板W之不必要擴散。因此，可藉由擴散防止壁33來阻止因簇射板31而向周邊擴散之氧自由基之不必要擴散，從而可效率佳地將氧自由基供應至基板W。
(3)於簇射板31中作為氧自由基之導入側之面上形成有氟化物層(第3層31c)。該氟化物層發揮鈍化膜之作用，故簇射板31之上面難以被氧化。藉此，於該簇射板31之上面氧自由基變得難以鍵結。因此，藉由形成有該氟化物層而可高效地降低簇射板31上被去活化之氧自由基之量。從而可整體提高灰化速率。
(4)室11、簇射板31以及擴散防止壁33，對施加有來自高頻電源40之高頻偏壓之基板載台20發揮電氣對向電極之作用。因此，自基板W飛散之金屬原子會朝向該對向電極。因此，可更可靠地使自基板W飛散之金屬原子於氧自由基之通過路徑內附著於原本便露出有金屬之面(室11之上部內面11a、簇射板31之下面、擴散防止壁33之內周面33a、底面33b)上。
再者，上述實施形態亦可變更為以下形態。
並未限定於上述實施形態中之簇射板31之層結構。例如圖3(b)所示，亦可藉由於由基板W上所露出之金屬構成之金屬板(第1層31a)的氧自由基導入側之面(上面)上，使氟化物層(第3層31c)成膜，來形成簇射板31。
又，亦可省略圖3(a)中之由氟化物層構成之第3層31c。該情形，由金屬氧化物層構成之第2層31b發揮鈍化膜之作用。就算該構成，與簇射板31僅由第1層31a構成之情形相比，亦可使該簇射板31上被去活化之氧自由基之量降低。
或者，亦可省略圖3(a)中之第2層31b、第3層31c。就算該構成，亦可藉由分別露出有金屬之室11、簇射板31以及擴散防止壁33而抑制灰化速率之經時變化。
上述實施形態中，並不限定於使用由與基板W上所露出之金屬相同之金屬構成之金屬板(第1層31a)來形成簇射板31之情形。例如亦可於簇射板31，利用濺鍍、電鍍、噴塗、或蒸鍍來使該金屬成膜於自基板W飛散之金屬原子可附著之面(與基板W相對向之面)上，藉此形成簇射板31。亦即，亦可例如圖4所示，利用噴塗等將該金屬形成於由既定金屬構成之金屬板41a(例如鋁板)之與基板W相對向的面(下面)上，藉此於該面上形成由該金屬構成之金屬膜41b。
上述實施形態中，利用與灰化裝置不同之其他裝置來形成(氟化處理)簇射板31之第3層31c。但並未限定於此，例如，亦可於灰化裝置安裝由第1層31a以及第2層31b構成之簇射板31之後，於該灰化裝置本身中對該簇射板31使用含氟電漿進行氟化處理。
上述實施形態中，使室11整體由基板W上所露出之金屬形成，但只要於自基板W飛散之金屬原子可附著之面(與 基板W大致相對向之面)上露出有該金屬即可。因此，例如，亦可使室11整體以既定金屬(例如鋁)形成，且於該室11中僅與基板W相對向之面(例如室11之上部內面11a)上利用噴塗等來使由該金屬構成之金屬膜成膜。
或者，亦於由與基板W上露出之金屬相同之金屬形成的室11中，對與基板W相對向之面以外之面，實施例如氧化表面處理等。
上述實施形態中，使擴散防止壁33整體由基板W上所露出之金屬形成，但只要於自基板W飛散之金屬原子可附著之面(內周面33a以及底面33b)上露出有該金屬即可。因此，例如，亦可使擴散防止壁33整體以既定金屬(例如鋁)形成，且僅於該擴散防止壁33之內周面33a以及底面33b上，利用噴塗等使由該金屬構成之金屬膜成膜。
亦可使上述實施形態中之安裝構件32由與基板W上所露出之金屬相同之金屬形成。
亦可省略上述實施形態中之擴散防止壁33。
亦可省略上述實施形態中之室11、簇射板31以及擴散防止壁33之接地。
上述實施形態中，具體為將半導體基板W上所形成之光阻膜除去之灰化裝置，但亦可具體為藉由電漿、自由基而將能夠除去之膜、有機材料除去之灰化裝置。
上述實施形態中，具體為使用氧電漿之灰化裝置，但並未限定於此，亦可具體為使用其他電漿(例如氫電漿)之灰化裝置。
上述實施形態中，具體為使用氧電漿之電漿灰化裝置，但並未限定於此，例如亦可具體為藉由對臭氧氣體照射紫外線而產生氧自由基之光激發灰化裝置等。
上述實施形態中，亦可適當地變更灰化裝置之構成。例如亦可構成為增加所供應之氣體種類。
11‧‧‧室(處理室)
11a‧‧‧上部內面
12‧‧‧輸送管
20‧‧‧基板載台
31‧‧‧簇射板
31a‧‧‧第一層(金屬板)
31b‧‧‧第二層(金屬氧化物層)
31c‧‧‧第三層(氟化物層)
33‧‧‧擴散防止壁
40‧‧‧高頻電源
W‧‧‧基板
圖1係一實施形態之灰化裝置之概略構成圖。
圖2係設置於圖1之灰化裝置之室之概略截面圖。
圖3(a)係簇射板之截面圖，圖3(b)係另一例中之簇射板之截面圖。
圖4係另一例之簇射板之截面圖。
圖5係表示圖1之灰化裝置之灰化速率之經時變化的說明圖。
圖6係表示測定點之晶圓之俯視圖。
圖7係表示習知之灰化裝置之各測定點之灰化深度之測定結果的說明圖。
圖8係表示本實施形態之灰化裝置之各測定點之灰化深度之測定結果的說明圖。
圖9係習知之灰化裝置之概略構成圖。
圖10係表示習知之灰化裝置之灰化速率之經時變化的說明圖。
12‧‧‧輸送管
31‧‧‧簇射板
20‧‧‧基板載台
33‧‧‧擴散防止壁
40‧‧‧高頻電源
23‧‧‧排氣口
11‧‧‧處理室
11a‧‧‧上部內面
32‧‧‧安裝構件
33a‧‧‧內周面
33b‧‧‧底面
36‧‧‧基板導件
37‧‧‧升降銷
38‧‧‧絕緣板
39‧‧‧配管
W‧‧‧基板
C‧‧‧電容器

Claims (8)

  1. 一種灰化裝置，係對含露出之金屬之基板上的有機材料進行灰化者，其特徵在於，具備：處理室；載台，用以在該處理室內載置該基板；以及擴散板，係與該載台相對向，且以與該處理室之上部內面之間形成有空隙之方式安裝於該處理室之上部內面，使供應至該處理室之活性源透過該空隙進行擴散，並包含使該活性源通過之貫通孔；因該活性源而自該基板飛散之金屬，係附著於與該基板相對向之該處理室之上部內面、及與該基板相對向之該擴散板之下面；該處理室之上部內面及該擴散板之下面，包含藉由自該基板飛散之金屬來抑制該活性源之去活化量的變動之自該基板飛散之金屬相同之金屬。
  2. 如申請專利範圍第1項之灰化裝置，其進一步具備擴散防止壁(33)，係形成為圓筒狀並包圍該擴散板，用以阻止該活性源對載置於該載台之基板之不必要擴散。
  3. 如申請專利範圍第2項之灰化裝置，其中，該擴散防止壁之至少內周面及底面係由與自該基板飛散之金屬相同之金屬形成。
  4. 如申請專利範圍第1項之灰化裝置，其中，該處理室由與自該基板飛散之金屬相同之金屬形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之灰化裝置，其中，該載台連 接於對該載台施加高頻偏壓之高頻電源；該處理室及該擴散板，具有對該載台發揮電氣對向電極之作用。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之灰化裝置，其中，該擴散板，具有承接該活性源之供應之面，於承接該活性源之供應之面上形成有鈍化膜。
  7. 如申請專利範圍第6項之灰化裝置，其中，該擴散板係由與自該基板飛散之金屬相同之金屬形成的金屬板；該金屬板，具有與該基板相對向之該下面、及承接該活性源之供應之上面，於該上面形成具有發揮該鈍化膜之作用之金屬氧化物層。
  8. 如申請專利範圍第6項之灰化裝置，其中，該擴散板係由與自該基板飛散之金屬相同之金屬形成的金屬板；該金屬板，具有與該基板相對向之該下面、及承接該活性源的供應之上面，於該上面形成具有發揮該鈍化膜之作用之氟化物層。
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