JPS5961930A - ウエハ処理装置 - Google Patents

ウエハ処理装置

Info

Publication number
JPS5961930A
JPS5961930A JP17089082A JP17089082A JPS5961930A JP S5961930 A JPS5961930 A JP S5961930A JP 17089082 A JP17089082 A JP 17089082A JP 17089082 A JP17089082 A JP 17089082A JP S5961930 A JPS5961930 A JP S5961930A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
wafer
reaction chamber
extending tube
high frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17089082A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Okabe
勉 岡部
Keizo Nomura
敬三 野村
Atsuyoshi Koike
淳義 小池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP17089082A priority Critical patent/JPS5961930A/ja
Publication of JPS5961930A publication Critical patent/JPS5961930A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はウエノ・処理装置に関し、特に、均一な品質の
ウエノ・処理を行なうことのできるウエノ・処理装置に
関する。
一般に、半導体１ｌｊｊＪ品の製造過程におい”Ｃ半＞
７ｙ休ウエハに対してプラズマによる処理、たとえばレ
ジスト除去、あるいはエノチンダな紬こす場合。
たとえば第１図に示すような平行平板１電極型の装置が
使用される。
第１図における従来構造では１反応容器１のウェハステ
ージ２上に置かれたウェハ３の上方には平板電極４が設
けられ、この平板Ｆ［’Ｅ％４とウェハステージ２との
間に高周波発生源５かも高周波ｍ力な印加することによ
って反応容器１内の反応室６にプラズマを発生させる。
ところが、この従来技術の場合、ウニ・・の処理後の表
面が直接プラズマにさらされるので、その表面が平板電
極からの金属イオ／の付着等により汚染され、拡散時の
クエ・・結晶軸方向のずれ等の不具合をひき起こし、ま
た浮遊１１位の発生による悪影響な受けるという問題が
ある。また、クエ・・の特定部分のみが他の部分より大
きく処理され。
不均一になるという問題もある。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、プラ
ズマによる汚染やダメージケ受けろことなく、均一な品
質のウェハ処理を行なうことのできるウェハ処理装置を
提供することにある。
以ド、本発明な図面に示す一実涌ｉ例にしたが−てＪ′
Ｃ細に説明ずろ。
第２図は本発明によるウェハ処理装置１年の一実施例を
示す概略的断面図である。この実帥例にヤ６いて第１図
の従来例と対応する部分には同一符号をイ（１しである
。
第２図の実施例の場合、たとえば石英で作られた反応容
器Ｉの内部の反応室６においては、個別処理方式の１枚
のウェハ３が石英製のウニ・・ステージ２上に置かれて
いるだけであり、プラズマ発生ＦｆＲ７は反応部とは分
ｎＩＣされている。
すなわち、反応容器１の上端は図示の９ＩＩ　＜　１ｌ
ｌｉ’ｉ　ＴＪ字状の延長管′部８として一体的に延設
され、その水平部の周囲には、高周波発生源５に接続さ
れたコイル９が巻かれ、前記プラズマ発生部７を形成し
ている。
また、延長管部８の中には５例えば酸素（０２）が供給
され、ウェハステー）２に設けた排気口１０から反応容
器１内を排気するよう構成されている。
したがって、この実施例においては、１枚のウェハ３を
反１心容器１内のウェハステージ２の上に載せた状胛で
、高周波発生源５に、しりコイル９に高周波電力な印加
すると、延長管部８内のプラズマ発生部７に（主プラズ
マが発生されろ。そして、延長管１’？Ｉｉ　８の人口
から０２を供給すると、プラズマ発生部７内のプラズマ
は０２と共に反応容器１内の反応室６に導入されろ。反
応室６内にオ６けるプラズマは０２の流れにより攪拌（
昆合されて全体的にほぼ均一な分布となるので１反応室
６内のウェハ３は全面にわたって均一／、ｆｌプラズマ
アッシャ除去等の処理を受ける。
その結果、本実施例では、ウニ・・３は個別的に均一な
品質のプラズマ処理な胤こすことができる。
また、Ｌｖ４別的ウニ・・処理方式により、ホトリソダ
ラフィ工程全体の自動一貫処理化が容易に０１能となり
、しかもウエノ・間の品質の再現性が良＜ｌＬす。
品質の均一化にさらに寄与することができる。
特に、本実施例にヤｄゆるウニＩ・３はプラズマに直接
さらされることがｌｘいので、プラズマからの汚染やダ
メージを受けろことがなく、金属イオンがウエノ・３０
表面に６１着したり、拡散時にウエノ・３の結晶軸方向
のずれを起こしたりずろことを防止し、プラズマ中の浮
遊１位によるウェハ３への悪影響を排除することが口■
能である。
なお１本発明は前記実施例に限定されろものではなく、
たとえばプラズマ発生部７は反応室器１とは別体として
両者を連通させる構造ｌｌ！８にニすることも任意であ
り、ウェハ３が直接プラズマにさらされないようにすれ
ばよい。
以上説明したように１本発明によれ目：、ウニ・・が直
接プラズマにさらされることがないので、ウェハがプラ
ズマによる汚染やダメージを受けることがなく、全体的
に均一なウニ・・処理を行ｌヨうことができろ。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のウェハ処理装置の一例を示す概略的断面
図。 第２図は本発明によるウェハ処理装置の一実施例を示す
０；を都市断面図である。 １・・・反１ｉｉｙ容器、２・・ウェハステージ、３・
・・ウニ・・、５・・・高周波発生源、６・・反応室、
７・・・プラズマ発生部、＞３・・・延Ｊ・を管部、９
・・コイル、１０・・排気ＩＪ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　反応部内に収容したウエノ・に対してプラズマによ
    る処理な施こすウニ／・処理装置においで、プラズマ発
    生部な反応部から分離し、プラズマ発生部で発生したプ
    ラズマを反応部に導びいてウエノ・に所要の処理な行な
    うことを特徴とするウエノ・処理装置。 ２　プラズマ発生部を、反応８器の一部の延長部分とし
    て一体的に形成したことな特徴とする特許請求の範囲第
    １項記載のウエノ・処理装置。
JP17089082A 1982-10-01 1982-10-01 ウエハ処理装置 Pending JPS5961930A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17089082A JPS5961930A (ja) 1982-10-01 1982-10-01 ウエハ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17089082A JPS5961930A (ja) 1982-10-01 1982-10-01 ウエハ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5961930A true JPS5961930A (ja) 1984-04-09

Family

ID=15913211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17089082A Pending JPS5961930A (ja) 1982-10-01 1982-10-01 ウエハ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5961930A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63260031A (ja) * 1986-09-19 1988-10-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ反応処理装置
JPH08172078A (ja) * 1995-07-25 1996-07-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ反応処理装置
US6706334B1 (en) 1997-06-04 2004-03-16 Tokyo Electron Limited Processing method and apparatus for removing oxide film
KR100566472B1 (ko) * 1997-06-04 2006-08-30 동경 엘렉트론 주식회사 표면 처리 방법 및 장치와, 처리 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63260031A (ja) * 1986-09-19 1988-10-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ反応処理装置
JPH08172078A (ja) * 1995-07-25 1996-07-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ反応処理装置
US6706334B1 (en) 1997-06-04 2004-03-16 Tokyo Electron Limited Processing method and apparatus for removing oxide film
US6776874B2 (en) 1997-06-04 2004-08-17 Tokyo Electron Limited Processing method and apparatus for removing oxide film
KR100566472B1 (ko) * 1997-06-04 2006-08-30 동경 엘렉트론 주식회사 표면 처리 방법 및 장치와, 처리 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3115015B2 (ja) 縦型バッチ処理装置
KR100363340B1 (ko) 플라즈마처리방법
TW201631656A (zh) 蝕刻方法
JPS6016424A (ja) マイクロ波プラズマ処理方法及びその装置
JPS5961930A (ja) ウエハ処理装置
JPS5587438A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH09171999A (ja) プラズマクリーニング処理方法
JP7221032B2 (ja) 載置台および被処理体の除電方法
JPS62272539A (ja) レジスト除去方法
JP2967681B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH01140723A (ja) マイクロ波によるプラズマ処理装置
JPH08124899A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPS63124415A (ja) プラズマ処理装置
JP2671435B2 (ja) 灰化方法
JPH02125619A (ja) 半導体製造装置
KR950006977B1 (ko) 감광막 제거 장치
JPS59172237A (ja) プラズマ処理装置
JPH06124926A (ja) プラズマ装置およびこれを用いたフォトマスクの製造方法
JPH11176812A (ja) レジスト除去方法及びレジスト除去装置
JPH01130526A (ja) レジスト剥離装置
JPH0298130A (ja) 真空処理装置
JPH0590153A (ja) 有機化合物膜の除去方法及びそのための装置
JPS6292324A (ja) ドライエツチング方法
JPS60260131A (ja) 異方性ドライエツチング方法
JPH09162173A (ja) アッシング方法及びアッシング装置