JP2003007625A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2003007625A JP2003007625A JP2001192297A JP2001192297A JP2003007625A JP 2003007625 A JP2003007625 A JP 2003007625A JP 2001192297 A JP2001192297 A JP 2001192297A JP 2001192297 A JP2001192297 A JP 2001192297A JP 2003007625 A JP2003007625 A JP 2003007625A
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- processing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板処理を行う場合には、ソフトスタート機能
を使用して、パーティクルを発生させることなく徐々に
不活性ガスを気密容器内に導入できると共に、気密容器
への不活性ガスの導入と停止とを繰り返して、気密容器
内にパーティクルを飛散させて、そのパーティクルを排
気するサイクルパージ時には、サイクルパージの時間を
短くして生産性を向上することができる基板処理装置を
提供する。 【解決手段】基板を処理する気密容器１４に不活性ガス
を導入する際、不活性ガスの導入の初期には不活性ガス
の流量を徐々に増加させてガスを気密容器に導入するソ
フトスタート機能と、気密容器１４への不活性ガスの導
入と停止を繰り返して不活性ガスを気密容器に導入する
サイクルパージ機能とを備え、サイクルパージ機能が実
行されている間は、不活性ガスの流量を徐々に増加させ
ずに、パルス的に増加させて不活性ガスの導入を行う。
を使用して、パーティクルを発生させることなく徐々に
不活性ガスを気密容器内に導入できると共に、気密容器
への不活性ガスの導入と停止とを繰り返して、気密容器
内にパーティクルを飛散させて、そのパーティクルを排
気するサイクルパージ時には、サイクルパージの時間を
短くして生産性を向上することができる基板処理装置を
提供する。 【解決手段】基板を処理する気密容器１４に不活性ガス
を導入する際、不活性ガスの導入の初期には不活性ガス
の流量を徐々に増加させてガスを気密容器に導入するソ
フトスタート機能と、気密容器１４への不活性ガスの導
入と停止を繰り返して不活性ガスを気密容器に導入する
サイクルパージ機能とを備え、サイクルパージ機能が実
行されている間は、不活性ガスの流量を徐々に増加させ
ずに、パルス的に増加させて不活性ガスの導入を行う。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、特に、半導体製造装置などの真空気密容器を用いて
半導体ウェーハを処理する場合、真空気密容器のパーテ
ィクル低減に有効なサイクルパージ機能と、容器を真空
状態からガスを渡し始めるときに使用するソフトスター
ト機能とを備える基板処理装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】通常の半導体ウェーハ処理を行う場合に
は、真空気密容器に不活性ガスを流す場合、エアバルブ
とＭＦＣ（マスフローコントローラー）を使用したガス
供給ラインを用いて、ＭＦＣのソフトスタート機能を使
用して、パーティクルを発生させることなく徐々にガス
を流している。 【０００３】しかし、パーティクル低減のため、容器に
ガスを流したり、止めたりを繰り返して、容器内にパー
ティクルを飛散させて、その飛散したパーティクルをガ
スと共に排気するサイクルパージ時にも、このソフトス
タート機能が働くため、パーティクル飛散効果が少な
く、長時間のサイクルパージが必要であった。 【０００４】このように、従来においては、ソフトスタ
ート機能を有する真空容器の大気圧復帰またはパージを
行う不活性ガス供給ラインを使用して、パーティクル低
減を行うサイクルパージを行うと、サイクルパージ時に
もソフトスタート機能が働き、パーティクル低減効果が
低下して長時間サイクルパージしなければならないとい
う問題があった。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
処理を行う場合には、ソフトスタート機能を使用して、
パーティクルを発生させることなく徐々に不活性ガスを
気密容器内に導入できると共に、気密容器に不活性ガス
を流したり、止めたりを繰り返して、気密容器内にパー
ティクルを飛散させて、その飛散したパーティクルをガ
スと共に排気するサイクルパージ時には、サイクルパー
ジの時間を短くして生産性を向上することができる基板
処理装置を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板を
処理する気密容器に不活性ガスを導入する際、前記不活
性ガスの導入の初期には前記不活性ガスの流量を徐々に
増加させて前記ガスを前記気密容器に導入する第１のガ
ス導入機能を備えた基板処理装置であって、前記気密容
器への前記不活性ガスの導入と停止を繰り返して前記不
活性ガスを前記気密容器に導入する第２のガス供給機能
をさらに備え、前記第２のガス供給機能が実行されてい
る間は、前記不活性ガスの流量を徐々に増加させずに、
パルス的に増加させて前記不活性ガスの導入を行うこと
を特徴とする基板処理装置が提供される。 【０００７】 【発明の実施の形態】半導体製造装置などの真空容器に
おいて、ＭＦＣなどのガス流量制御器を有する真空気密
容器の大気圧復帰またはパージを行うガスラインを用い
て、通常のウェーハ処理を行う場合には、ガスのソフト
スタート機能を使用して、ガス流量制御器でガスのソフ
トスタートを行う。そして、サイクルパージモードを追
加して、パーティクル低減のためにこのサイクルパージ
モードを選択した場合は、ガスのソフトスタート機能が
働かないシステムとして、ソフトスタートを行わずにガ
スをパルス的に突出して流して自動的にサイクルパージ
できるようにする。 【０００８】次に、図面を参照して、本発明の一実施の
形態を説明する。 【０００９】図１は、本発明の一実施の形態の基板処理
装置を示す概略図である。本実施の形態の基板処理装置
１は、半導体ウェーハ等の基板を処理する真空気密容器
１４と、真空気密容器１４に不活性ガス（本実施の形態
では、Ｎ２ガス）を流す不活性ガス供給ライン１１と、
真空気密容器１４を真空引きする排気ライン１５とを備
えている。不活性ガス供給ライン１１はマスフローコン
トローラー（ＭＦＣ）１２と、その上流側のエアバルブ
１３とを備えている。排気ライン１５は、バルブ１６と
その下流側の真空ポンプ１７とを備えている。 【００１０】そして、この基板処理装置１は、通常のウ
ェーハ処理を行う場合に、真空気密容器１４の真空状態
からの大気圧復帰またはパージを行う時に、真空気密容
器に真空状態から不活性ガスを流し始めるときに除々に
不活性ガスの流量を増加させるソフトスタート機能と、
パーティクル低減のため、真空気密容器１４に不活性ガ
スを流したり、止めたりを繰り返して、真空気密容器１
４内にパーティクルを飛散させて、その飛散したパーテ
ィクルを不活性ガスと共に排気するサイクルパージ機能
とを備えている。 【００１１】図２は、本実施の形態の基板処理装置１に
おける、ソフトスタートガス供給方法を説明するための
図である。まず、真空気密容器１４を真空ポンプ１７で
真空引きする。その際には、エアバルブ１３を閉じ、Ｍ
ＦＣバルブショートをオフとし、ＭＦＣの流量設定を０
ＳＬＭとする。その後、ＭＦＣの流量設定を０ＳＬＭと
した状態で、時間ｔ１で、ＭＦＣバルブショートをオン
としてＭＦＣの流量制御バルブをフルクローズとする。
その後、時間ｔ２で、エアバルブ１３を開き、ＭＦＣバ
ルブショートをオフとし、ＭＦＣの流量設定を０ＳＬＭ
から除々に増加させる。その後、時間ｔ３で、エアバル
ブ１３を開きＭＦＣバルブショートをオフにした状態
で、ＭＦＣの流量設定を一定の値とする。このようにし
て、ソフトスタートをさせているので、真空気密容器１
４内にパーティクルが発生するのを抑制する。なお、こ
こで、ＭＦＣバルブショートとは、ＭＦＣの流量制御バ
ルブをフルクローズさせることをいう。 【００１２】図３は、本実施の形態の基板処理装置１に
おける、サイクルパージ時のガス供給方法と真空容器圧
力との関係を説明するための図である。このように、真
空気密容器１４に不活性ガスを流したり（時間ｔ１
１）、止めたり（時間ｔ２１）を繰り返すことによっ
て、真空気密容器１４内にパーティクルを飛散させて、
その飛散したパーティクルを不活性ガスと共に排気す
る。 【００１３】図４は、本実施の形態の基板処理装置１に
おける、サイクルパージ時の非ソフトスタートガス供給
方法を説明するための図である。本実施の形態において
は、このサイクルパージモードを追加して、このモード
を選択した場合には、除々に不活性ガスの流量を増加さ
せるソフトスタート機能が働かないシステムとして、自
動的にサイクルパージできるようにしている。 【００１４】サイクルパージモードは、ＭＦＣバルブシ
ョートをＯＦＦし、かつＭＦＣの流量設定をランピング
しないソフトウェアを追加して実現する。 【００１５】本実施の形態では、サイクルパージ時に
は、エアバルブ１３を閉じ、ＭＦＣバルブショートをオ
フとし、ＭＦＣの流量設定を０ＳＬＭとして、真空気密
容器１４を真空ポンプ１７で真空引きする。その後、時
間ｔ４で、ＭＦＣバルブショートをオフにしたまま、エ
アバルブ１３を開き、ＭＦＣの流量設定を０ＳＬＭから
パルス的に一定の流量まで増加させる。 【００１６】このように、サイクルパージ時には、ソフ
トスタート機能が働かないようにして、不活性ガスを流
し始めるときにパルス的に不活性ガスの流量を増加させ
ているので、真空気密容器１４内にパーティクルが飛散
しやすくなって、その分真空気密容器１４内のパーティ
クル低減が短時間で効果的に行えるようになる。 【００１７】 【発明の効果】本発明のサイクルパージ機能の追加によ
り、パーティクル低減が短時間で効果的に行えるので、
装置のダウンタイムを短くすることができ、生産性の向
上が図れる。
し、特に、半導体製造装置などの真空気密容器を用いて
半導体ウェーハを処理する場合、真空気密容器のパーテ
ィクル低減に有効なサイクルパージ機能と、容器を真空
状態からガスを渡し始めるときに使用するソフトスター
ト機能とを備える基板処理装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】通常の半導体ウェーハ処理を行う場合に
は、真空気密容器に不活性ガスを流す場合、エアバルブ
とＭＦＣ（マスフローコントローラー）を使用したガス
供給ラインを用いて、ＭＦＣのソフトスタート機能を使
用して、パーティクルを発生させることなく徐々にガス
を流している。 【０００３】しかし、パーティクル低減のため、容器に
ガスを流したり、止めたりを繰り返して、容器内にパー
ティクルを飛散させて、その飛散したパーティクルをガ
スと共に排気するサイクルパージ時にも、このソフトス
タート機能が働くため、パーティクル飛散効果が少な
く、長時間のサイクルパージが必要であった。 【０００４】このように、従来においては、ソフトスタ
ート機能を有する真空容器の大気圧復帰またはパージを
行う不活性ガス供給ラインを使用して、パーティクル低
減を行うサイクルパージを行うと、サイクルパージ時に
もソフトスタート機能が働き、パーティクル低減効果が
低下して長時間サイクルパージしなければならないとい
う問題があった。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
処理を行う場合には、ソフトスタート機能を使用して、
パーティクルを発生させることなく徐々に不活性ガスを
気密容器内に導入できると共に、気密容器に不活性ガス
を流したり、止めたりを繰り返して、気密容器内にパー
ティクルを飛散させて、その飛散したパーティクルをガ
スと共に排気するサイクルパージ時には、サイクルパー
ジの時間を短くして生産性を向上することができる基板
処理装置を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板を
処理する気密容器に不活性ガスを導入する際、前記不活
性ガスの導入の初期には前記不活性ガスの流量を徐々に
増加させて前記ガスを前記気密容器に導入する第１のガ
ス導入機能を備えた基板処理装置であって、前記気密容
器への前記不活性ガスの導入と停止を繰り返して前記不
活性ガスを前記気密容器に導入する第２のガス供給機能
をさらに備え、前記第２のガス供給機能が実行されてい
る間は、前記不活性ガスの流量を徐々に増加させずに、
パルス的に増加させて前記不活性ガスの導入を行うこと
を特徴とする基板処理装置が提供される。 【０００７】 【発明の実施の形態】半導体製造装置などの真空容器に
おいて、ＭＦＣなどのガス流量制御器を有する真空気密
容器の大気圧復帰またはパージを行うガスラインを用い
て、通常のウェーハ処理を行う場合には、ガスのソフト
スタート機能を使用して、ガス流量制御器でガスのソフ
トスタートを行う。そして、サイクルパージモードを追
加して、パーティクル低減のためにこのサイクルパージ
モードを選択した場合は、ガスのソフトスタート機能が
働かないシステムとして、ソフトスタートを行わずにガ
スをパルス的に突出して流して自動的にサイクルパージ
できるようにする。 【０００８】次に、図面を参照して、本発明の一実施の
形態を説明する。 【０００９】図１は、本発明の一実施の形態の基板処理
装置を示す概略図である。本実施の形態の基板処理装置
１は、半導体ウェーハ等の基板を処理する真空気密容器
１４と、真空気密容器１４に不活性ガス（本実施の形態
では、Ｎ２ガス）を流す不活性ガス供給ライン１１と、
真空気密容器１４を真空引きする排気ライン１５とを備
えている。不活性ガス供給ライン１１はマスフローコン
トローラー（ＭＦＣ）１２と、その上流側のエアバルブ
１３とを備えている。排気ライン１５は、バルブ１６と
その下流側の真空ポンプ１７とを備えている。 【００１０】そして、この基板処理装置１は、通常のウ
ェーハ処理を行う場合に、真空気密容器１４の真空状態
からの大気圧復帰またはパージを行う時に、真空気密容
器に真空状態から不活性ガスを流し始めるときに除々に
不活性ガスの流量を増加させるソフトスタート機能と、
パーティクル低減のため、真空気密容器１４に不活性ガ
スを流したり、止めたりを繰り返して、真空気密容器１
４内にパーティクルを飛散させて、その飛散したパーテ
ィクルを不活性ガスと共に排気するサイクルパージ機能
とを備えている。 【００１１】図２は、本実施の形態の基板処理装置１に
おける、ソフトスタートガス供給方法を説明するための
図である。まず、真空気密容器１４を真空ポンプ１７で
真空引きする。その際には、エアバルブ１３を閉じ、Ｍ
ＦＣバルブショートをオフとし、ＭＦＣの流量設定を０
ＳＬＭとする。その後、ＭＦＣの流量設定を０ＳＬＭと
した状態で、時間ｔ１で、ＭＦＣバルブショートをオン
としてＭＦＣの流量制御バルブをフルクローズとする。
その後、時間ｔ２で、エアバルブ１３を開き、ＭＦＣバ
ルブショートをオフとし、ＭＦＣの流量設定を０ＳＬＭ
から除々に増加させる。その後、時間ｔ３で、エアバル
ブ１３を開きＭＦＣバルブショートをオフにした状態
で、ＭＦＣの流量設定を一定の値とする。このようにし
て、ソフトスタートをさせているので、真空気密容器１
４内にパーティクルが発生するのを抑制する。なお、こ
こで、ＭＦＣバルブショートとは、ＭＦＣの流量制御バ
ルブをフルクローズさせることをいう。 【００１２】図３は、本実施の形態の基板処理装置１に
おける、サイクルパージ時のガス供給方法と真空容器圧
力との関係を説明するための図である。このように、真
空気密容器１４に不活性ガスを流したり（時間ｔ１
１）、止めたり（時間ｔ２１）を繰り返すことによっ
て、真空気密容器１４内にパーティクルを飛散させて、
その飛散したパーティクルを不活性ガスと共に排気す
る。 【００１３】図４は、本実施の形態の基板処理装置１に
おける、サイクルパージ時の非ソフトスタートガス供給
方法を説明するための図である。本実施の形態において
は、このサイクルパージモードを追加して、このモード
を選択した場合には、除々に不活性ガスの流量を増加さ
せるソフトスタート機能が働かないシステムとして、自
動的にサイクルパージできるようにしている。 【００１４】サイクルパージモードは、ＭＦＣバルブシ
ョートをＯＦＦし、かつＭＦＣの流量設定をランピング
しないソフトウェアを追加して実現する。 【００１５】本実施の形態では、サイクルパージ時に
は、エアバルブ１３を閉じ、ＭＦＣバルブショートをオ
フとし、ＭＦＣの流量設定を０ＳＬＭとして、真空気密
容器１４を真空ポンプ１７で真空引きする。その後、時
間ｔ４で、ＭＦＣバルブショートをオフにしたまま、エ
アバルブ１３を開き、ＭＦＣの流量設定を０ＳＬＭから
パルス的に一定の流量まで増加させる。 【００１６】このように、サイクルパージ時には、ソフ
トスタート機能が働かないようにして、不活性ガスを流
し始めるときにパルス的に不活性ガスの流量を増加させ
ているので、真空気密容器１４内にパーティクルが飛散
しやすくなって、その分真空気密容器１４内のパーティ
クル低減が短時間で効果的に行えるようになる。 【００１７】 【発明の効果】本発明のサイクルパージ機能の追加によ
り、パーティクル低減が短時間で効果的に行えるので、
装置のダウンタイムを短くすることができ、生産性の向
上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の基板処理装置を示す概
略図である。 【図２】本発明の一実施の形態の基板処理装置におけ
る、通常のソフトスタートガス供給方法を説明するため
の図である。 【図３】本発明の一実施の形態の基板処理装置におけ
る、サイクルパージ時のガス供給方法と真空容器圧力と
の関係を説明するための図である。 【図４】本発明の一実施の形態の基板処理装置におけ
る、サイクルパージ時の非ソフトスタートガス供給方法
を説明するための図である。 【符号の説明】 １…基板処理装置 １１…不活性ガス供給ライン １２…マスフローコントローラー（ＭＦＣ） １３…エアバルブ１３ １４…真空気密容器 １５…排気ライン １７…真空ポンプ
略図である。 【図２】本発明の一実施の形態の基板処理装置におけ
る、通常のソフトスタートガス供給方法を説明するため
の図である。 【図３】本発明の一実施の形態の基板処理装置におけ
る、サイクルパージ時のガス供給方法と真空容器圧力と
の関係を説明するための図である。 【図４】本発明の一実施の形態の基板処理装置におけ
る、サイクルパージ時の非ソフトスタートガス供給方法
を説明するための図である。 【符号の説明】 １…基板処理装置 １１…不活性ガス供給ライン １２…マスフローコントローラー（ＭＦＣ） １３…エアバルブ１３ １４…真空気密容器 １５…排気ライン １７…真空ポンプ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】基板を処理する気密容器に不活性ガスを導
入する際、前記不活性ガスの導入の初期には前記不活性
ガスの流量を徐々に増加させて前記ガスを前記気密容器
に導入する第１のガス導入機能を備えた基板処理装置で
あって、 前記気密容器への前記不活性ガスの導入と停止を繰り返
して前記不活性ガスを前記気密容器に導入する第２のガ
ス供給機能をさらに備え、 前記第２のガス供給機能が実行されている間は、前記不
活性ガスの流量を徐々に増加させずに、パルス的に増加
させて前記不活性ガスの導入を行うことを特徴とする基
板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001192297A JP2003007625A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001192297A JP2003007625A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007625A true JP2003007625A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19030770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001192297A Withdrawn JP2003007625A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003007625A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004288923A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015146369A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置の反応炉の開蓋方法及び気相成長装置 |
| JP2016174014A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 豊田合成株式会社 | 基板処理方法および半導体素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-06-26 JP JP2001192297A patent/JP2003007625A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004288923A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015146369A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置の反応炉の開蓋方法及び気相成長装置 |
| JP2016174014A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 豊田合成株式会社 | 基板処理方法および半導体素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080902 |