JP7330060B2 - 成膜装置、制御装置及び圧力計の調整方法 - Google Patents

成膜装置、制御装置及び圧力計の調整方法 Download PDF

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Description

本開示は、成膜装置、制御装置及び圧力計の調整方法に関する。
減圧可能な処理容器内の圧力を検出するダイヤフラム式の圧力測定器において、ダイヤフラムに固体が付着した場合でも、付着した固体によって作用する応力がダイヤフラムの変形に与える影響を軽減できる圧力測定器が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１４－１３７２７５号公報
本開示は、圧力計のゼロ点調整を自動で実行できる技術を提供する。
本開示の一態様による成膜装置は、減圧可能な処理容器と、前記処理容器内の圧力を検出する圧力計と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記処理容器内を最高到達真空度まで排気し、前記圧力計により検出される到達圧力が目標圧力となるように前記圧力計のゼロ点を調整するステップと、前記処理容器内で成膜処理を実行するステップと、前記処理容器内を最高到達真空度まで排気し、前記圧力計により検出される到達圧力が目標範囲内に到達したか否かを判定するステップと、をこの順に行うサイクルを実行するよう構成され、前記制御部は、前記判定するステップにおいて前記到達圧力が目標範囲内に到達していない場合に前記サイクルを再び行うよう構成される。
本開示によれば、圧力計のゼロ点調整を自動で実行できる。
一実施形態の成膜装置の構成例を示す概略図 圧力計の一例を示す図 一実施形態の圧力計の調整方法を示すフローチャート 一実施形態の圧力計の調整方法の具体例を示す図 成膜装置を含むシステムの一例を示す図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔成膜装置〕
図１は、一実施形態の成膜装置の構成例を示す概略図である。図１に示されるように、成膜装置１は、処理容器１０、ガス供給部３０、排気部４０、加熱部５０、圧力計６０、制御部８０等を有する。
処理容器１０は、内部を減圧可能であり、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を収容する。処理容器１０は、下端が開放された有天井の円筒形状の内管１１と、下端が開放されて内管１１の外側を覆う有天井の円筒形状の外管１２とを有する。内管１１及び外管１２は、石英等の耐熱性材料により形成されており、同軸状に配置されて２重管構造となっている。
内管１１の天井は、例えば平坦になっている。内管１１の一側には、その長手方向（上下方向）に沿ってガスノズルを収容する収容部１３が形成されている。一実施形態では、内管１１の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部１４を形成し、凸部１４内を収容部１３として形成している。
収容部１３に対向させて内管１１の反対側の側壁には、その長手方向（上下方向）に沿って矩形状の開口１５が形成されている。
開口１５は、内管１１内のガスを排気できるように形成されたガス排気口である。開口１５の長さは、ウエハボート１６の長さと同じであるか、又は、ウエハボート１６の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。
処理容器１０の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円筒形状のマニホールド１７によって支持されている。マニホールド１７の上端にはフランジ１８が形成されており、フランジ１８上に外管１２の下端を設置して支持するようになっている。フランジ１８と外管１２との下端との間にはＯリング等のシール部材１９を介在させて外管１２内を気密状態にしている。
マニホールド１７の上部の内壁には、円環状の支持部２０が設けられており、支持部２０上に内管１１の下端を設置して支持するようになっている。マニホールド１７の下端の開口には、蓋体２１がＯリング等のシール部材２２を介して気密に取り付けられており、処理容器１０の下端の開口、即ち、マニホールド１７の開口を気密に塞ぐようになっている。蓋体２１は、例えばステンレス鋼により形成される。
蓋体２１の中央部には、磁性流体シール２３を介してウエハボート１６を回転可能に支持する回転軸２４が貫通させて設けられている。回転軸２４の下部は、ボートエレベータよりなる昇降機構２５のアーム２５Ａに回転自在に支持されている。
回転軸２４の上端には回転プレート２６が設けられており、回転プレート２６上に石英製の保温台２７を介してウエハＷを保持するウエハボート１６が載置されるようになっている。従って、昇降機構２５を昇降させることによって蓋体２１とウエハボート１６とは一体として上下動し、ウエハボート１６を処理容器１０内に対して挿脱できるようになっている。ウエハボート１６は、処理容器１０内に収容可能であり、複数のウエハＷを上下方向に間隔を有して略水平に保持する基板保持具である。
ガス供給部３０は、マニホールド１７に設けられている。ガス供給部３０は、内管１１内へ成膜ガス、クリーニングガス、パージガス等のガスを導入する。ガス供給部３０は、ガスノズル３１を有する。
ガスノズル３１は、例えば石英製であり、内管１１内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端がＬ字状に屈曲されてマニホールド１７を貫通するようにして支持されている。ガスノズル３１には、その長手方向に沿って複数のガス孔３２が形成されており、ガス孔３２より水平方向に向けてガスを放出する。複数のガス孔３２は、例えばウエハボート１６に支持されるウエハＷの間隔と同じ間隔で配置される。ガスノズル３１は、成膜ガス、クリーニングガス、パージガス等のガスを供給するノズルであり、流量を制御しながら必要に応じて処理容器１０内に該ガスを供給する。
成膜ガスは、ウエハＷに膜を形成するためのガスであり、成膜する膜種に応じて選択される。例えば、シリコン酸化膜を形成する場合、成膜ガスとしては、シリコン原料ガス及び酸化ガスを利用できる。
シリコン原料ガスとしては、例えばジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）、トリスジメチルアミノシラン（３ＤＭＡＳ）、テトラキスジメチルアミノシラン（４ＤＭＡＳ）、ビスターシャリブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）等のアミノシランガスが挙げられる。
酸化ガスとしては、例えばＯ２ガス、Ｏ３ガス、ＣＯ２ガス、ＮＯガス、Ｎ２Ｏガス、Ｈ２Ｏガスが挙げられ、これらのガスを必要に応じて高周波電界によりプラズマ化して酸化種として用いる。酸化種としては、Ｏ２プラズマが好ましい。なお、Ｏ３ガスを用いる場合にはプラズマは不要である。
クリーニングガスは、処理容器１０内に堆積した膜を除去するためのガスである。クリーニングガスとしては、例えばＨＦガス、Ｆ２ガス、ＣｌＦ３ガス等のフッ素含有ガスが挙げられる。
パージガスは、処理容器１０内に残存する成膜ガス及びクリーニングガスを除去してパージするためのガスである。パージガスとしては、例えば窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスが挙げられる。
なお、図１の例では、ガス供給部３０が１つのガスノズル３１を有する場合を説明したが、ガス供給部３０の形態はこれに限定されず、例えばガス供給部３０は複数のガスノズルを有していてもよい。
排気部４０は、内管１１内から開口１５を介して排出され、内管１１と外管１２との間の空間Ｐ１を介してガス出口４１から排出されるガスを排気する。ガス出口４１は、マニホールド１７の上部の側壁であって、支持部２０の上方に形成されている。ガス出口４１には、排気通路４２が接続されている。排気通路４２には、圧力調整弁４３及び真空ポンプ４４が順次介設されて、処理容器１０内を排気できるようになっている。
加熱部５０は、外管１２の周囲に設けられている。加熱部５０は、例えばベースプレート２８上に設けられている。加熱部５０は、外管１２を覆うように円筒形状を有する。加熱部５０は、例えば発熱体を含み、処理容器１０内のウエハＷを加熱する。
圧力計６０は、排気通路４２における圧力調整弁４３の上流側に設けられており、処理容器１０内の圧力を検出する。圧力計６０は、例えば隔膜真空計であってよい。圧力計６０は、検出した圧力を制御部８０に送信する。また、圧力計６０は、制御部８０により自動的にゼロ点調整が行われる。
制御部８０は、制御装置の一例であり、成膜装置１の動作を制御する。制御部８０は、例えばコンピュータであってよい。成膜装置１の全体の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体９０に記憶されている。記憶媒体９０は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。
〔成膜装置の動作〕
まず、成膜装置１の動作の一例として、ウエハＷ上にシリコン酸化膜を形成する成膜処理について説明する。
常温において、例えば５０～１５０枚のウエハＷが搭載された状態のウエハボート１６を設定温度に制御された処理容器１０内にその下方から上昇させることにより搬入する。また、蓋体２１でマニホールド１７の下端の開口を閉じることにより処理容器１０内を密閉空間とする。ウエハＷとしては、直径３００ｍｍのものが例示される。
続いて、処理容器１０内を真空引きしてプロセス圧力に維持すると共に、加熱部５０への供給電力を制御して、ウエハ温度を上昇させてプロセス温度、例えば４５０℃以下の温度に維持する。そして、ウエハボート１６を回転させた状態で成膜処理を開始する。
成膜処理は、例えばシリコン原料ガスを供給する工程と酸化ガスを供給する工程とを交互に繰り返す、いわゆる原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）によりウエハＷにシリコン酸化膜を形成する処理である。また、成膜処理は、シリコン原料ガスを供給する工程と酸化ガスを供給する工程との間で、処理容器１０内から処理容器１０内に残留するガス（以下「残留ガス」という。）を除去する工程を有していてもよい。
シリコン原料ガスを供給する工程では、ガスノズル３１のガス孔３２から処理容器１０内にシリコン原料ガスを供給することにより、ウエハＷ上にシリコン原料ガスを吸着させる。シリコン原料ガスを供給する工程におけるシリコン原料ガスを供給する時間は例えば１～１８０ｓｅｃであり、シリコン原料ガスの流量は例えば１～１０００ｓｃｃｍであり、処理容器１０内の圧力は例えば１３．３～１３３３Ｐａ（０．１～１０Ｔｏｒｒ）である。
酸化ガスを供給する工程では、ガスノズル３１のガス孔３２から処理容器１０内に酸化ガスを供給することにより、ウエハＷ上に吸着したシリコン原料ガスを酸化させる。このとき、必要に応じて、高周波電力を印加して酸化ガスをプラズマ化することにより酸素ラジカルを生成してウエハＷ上に吸着されたシリコン原料ガスを酸化させてもよい。酸化ガスを供給する工程における酸化ガスを供給する時間は例えば１～３００ｓｅｃであり、酸化ガスの流量は例えば１００～２００００ｓｃｃｍであり、処理容器１０内の圧力は例えば１３．３～１３３３Ｐａ（０．１～１０Ｔｏｒｒ）である。また、高周波電力を印加する場合の高周波電力の周波数は例えば１３．５６ＭＨｚであり、パワーは例えば５～１０００Ｗである。
残留ガスを除去する工程では、処理容器１０内を真空排気しながらガスノズル３１のガス孔３２から処理容器１０内にパージガスを供給する。残留ガスを除去する工程は、例えばシリコン原料ガスを供給する工程の後、酸化ガスを供給する工程の後に行われる。残留ガスを除去する工程におけるパージガスを供給する時間は例えば１～６０ｓｅｃであり、パージガスの流量は例えば５０～２００００ｓｃｃｍであり、処理容器１０内の圧力は１３．３～１３３３Ｐａ（０．１～１０Ｔｏｒｒ）である。なお、残留ガスを除去する工程では、例えばパージガスを供給せずに全てのガスの供給を停止した状態で真空引きを継続して行うようにしてもよい。ただし、パージガスを供給することにより、短時間で処理容器１０内の残留ガスを除去できる。
このようにして、処理容器１０内から残留ガスを除去する工程を挟んで交互に間欠的にシリコン原料を供給する工程と酸化ガスを供給する工程とを繰り返すことにより、所望の膜厚のシリコン酸化膜を形成できる。なお、成膜処理が終了した後、処理容器１０内にウエハＷを搬入した手順と逆の順で処理容器１０内からウエハＷを搬出する。
次に、成膜装置１の動作の別の例として、処理容器１０内に堆積した膜を除去するクリーニング処理について説明する。
クリーニング処理では、処理容器１０内に製品用のウエハＷが搭載されていないウエハボート１６を保温台２７に載せた状態で、設定温度に加熱された処理容器１０内にその下方から上昇させることにより搬入する。続いて、蓋体２１でマニホールド１７の下端の開口を閉じることにより処理容器１０内を密閉空間とする。続いて、処理容器１０内を排気しながら、ガスノズル３１のガス孔３２から処理容器１０内にクリーニングガスを供給する。これにより、処理容器１０の内壁、ウエハボート１６、保温台２７、ガスノズル３１等に付着した反応生成物を除去する。クリーニング処理の際の処理容器１０内の温度は、例えば０～６００℃、好ましく２５～４７５℃である。
〔圧力計〕
図２は、圧力計６０の一例を示す図である。図２に示されるように、圧力計６０は、基準圧力室６２と、処理容器１０内と連通する測定圧力室６３と、の境界に配置されたダイヤフラム６１の変形を検出することにより測定圧力室６３の圧力を測定する隔膜真空計である。
ダイヤフラム６１は、一方の側面と他方の側面との圧力差によって撓む。すなわち、ダイヤフラム６１は、その中心を軸対称に変形する。ダイヤフラム６１は、例えば基準圧力室６２の内圧より測定圧力室６３の圧力が高い場合に、その中心部が上方（図中の－ｙ方向）に移動（変形）する。
また、ダイヤフラム６１では、測定圧力室６３に流入した気体に固体（パーティクル等）が含まれる場合で、その固体がダイヤフラム６１の表面に付着したときに、その付着した固体によってダイヤフラム６１の表面に応力が発生する。ダイヤフラム６１では、例えば付着した固体が膜を形成し、その膜が収縮すると、ダイヤフラム６１の表面に収縮応力が発生する。このとき、発生した応力は、ダイヤフラム６１の変形に基づいて圧力を測定する際、圧力を過大に測定させるプラスシフト応力（図中のｆ１）、又は、圧力を過小に測定させるマイナスシフト応力（図中のｆ２）となる。このように、圧力計６０は、ダイヤフラム６１の表面に固体が付着すると、圧力差に基づくダイヤフラム６１の変形に誤差が含まれ、圧力を測定する精度が低下する。
〔圧力計の調整方法〕
図３は、一実施形態の圧力計６０の調整方法を示すフローチャートである。一実施形態の圧力計６０の調整方法は、例えばクリーニング処理の後に実行される。クリーニング処理は、例えば複数回の成膜処理が行われるごとに実行される。
図３に示されるように、一実施形態の圧力計６０の調整方法は、ステップＳ３１～Ｓ３４を含む。
ステップＳ３１では、制御部８０は、処理容器１０内で成膜処理を実行する。一実施形態では、制御部８０は、処理容器１０内にウエハＷがない状態又は処理容器１０内にダミーウエハを収容した状態で成膜処理を実行する。ステップＳ３１では、成膜処理の際に処理容器１０内に供給される成膜ガスの一部が圧力計６０の測定圧力室６３に流入しダイヤフラム６１の表面に膜が堆積する。ステップＳ３１における成膜処理は、例えば処理容器１０内に製品用ウエハを収容して実行される成膜処理の際に用いられる成膜ガスと同じガスを用いて実行される。また、ステップＳ３１における成膜処理は、例えば処理容器１０内に製品用ウエハを収容して実行される成膜処理と同じ条件で実行されることが好ましい。成膜処理は、例えば処理容器１０内にアミノシランガスと酸化ガスとを交互に供給することによりシリコン酸化膜を成膜する処理であってよい。
ステップＳ３２では、制御部８０は、圧力計６０のゼロ点を調整する。一実施形態では、制御部８０は、排気部４０を制御して、処理容器１０内を最高到達真空度まで排気する。続いて、制御部８０は、圧力計６０により、最高到達真空度まで排気された処理容器１０内の圧力（以下「到達圧力」という。）を検出する。続いて、制御部８０は、圧力計６０が検出した到達圧力が目標圧力となるように圧力計６０のゼロ点を調整する。目標圧力は、例えば成膜処理の前後における圧力計６０により検出される到達圧力の差が予め定めた範囲内であるときの圧力計６０により検出される到達圧力であってよい。また、目標圧力は、例えば圧力計６０のダイヤフラム６１の表面に予め定めた膜厚以上の膜が堆積した状態で圧力計６０により検出される到達圧力であってもよい。また、目標圧力は、例えば処理容器１０内に堆積した膜を除去するクリーニング処理の直前に圧力計６０により検出される到達圧力であってもよい。
ステップＳ３３では、制御部８０は、処理容器１０内で成膜処理を実行する。ステップＳ３３における成膜処理は、ステップＳ３１における成膜処理と同じであってよい。
ステップＳ３４では、制御部８０は、圧力計６０にゼロ点シフトがあるか否かを判定する。一実施形態では、制御部８０は、排気部４０を制御して、処理容器１０内を最高到達真空度まで排気する。続いて、制御部８０は、圧力計６０により、最高到達真空度まで排気された処理容器１０内の圧力を検出する。続いて、制御部８０は、圧力計６０が検出した到達圧力が目標範囲内に到達したか否かを判定する。圧力計６０が検出した到達圧力が目標範囲内に到達したと判定した場合、制御部８０は圧力計６０にゼロ点シフトがないと判断して処理を終了する。一方、圧力計６０が検出した到達圧力が目標範囲内に到達していないと判定した場合、制御部８０は圧力計６０にゼロ点シフトがあると判断して処理をステップＳ３２へ戻す。
次に、一実施形態の圧力計６０の調整方法の具体例を説明する。図４は、一実施形態の圧力計６０の調整方法の具体例を示す図である。図４中、目標圧力ＰＴを実線で示し、目標範囲の上限値ＰＨ及び下限値ＰＬを破線で示す。図４の例では、目標圧力ＰＴは、クリーニング処理の直前に実行された成膜処理の後の到達圧力である。また、成膜処理の際の成膜ガスとしてＤＩＰＡＳを使用し、酸化ガスとしてＯ２プラズマを使用し、クリーニング処理の際のクリーニングガスとしてＨＦガスを使用した。
図４に示されるように、クリーニング処理の後に実行される成膜処理１（ステップＳ３１）後の到達圧力は目標範囲の上限値ＰＨよりも高い値である。また、成膜処理１（ステップＳ３１）後に実行されるゼロ点調整（ステップＳ３２）後の到達圧力は目標圧力ＰＴであり、ゼロ点調整（ステップＳ３２）後に実行される成膜処理２（ステップＳ３３）後の到達圧力は目標範囲の下限値ＰＬよりも低い値である。そのため、ステップＳ３４においてゼロ点シフトがあると判断され、再度ゼロ点調整（ステップＳ３２）が行われる。
２回目のゼロ点調整（ステップＳ３２）後の到達圧力は目標圧力ＰＴであり、ゼロ点調整（ステップＳ３２）後に実行される成膜処理３（ステップＳ３３）後の到達圧力は目標範囲の上限値ＰＨよりも高い値である。そのため、ステップＳ３４においてゼロ点シフトがあると判断され、再度ゼロ点調整（ステップＳ３２）が行われる。
３回目のゼロ点調整（ステップＳ３２）後の到達圧力は目標圧力ＰＴであり、ゼロ点調整（ステップＳ３２）後に実行される成膜処理４（ステップＳ３３）後の到達圧力は目標範囲内である。そのため、ステップＳ３４においてゼロ点シフトがないと判断され、処理が終了する。
以上に説明したように、一実施形態では、制御部８０が、圧力計６０のゼロ点を調整するステップと処理容器１０内で成膜処理を実行するステップとを含むサイクルを、成膜処理を実行するステップの後の到達圧力が目標範囲内に到達するまで繰り返す。このように圧力計６０のゼロ点調整を自動化することで、圧力計６０の調整に伴うダウンタイムを低減できる。これにより、生産性が向上する。また、圧力計６０のゼロ点調整を作業者が手動で行う場合に生じ得る装置機差を低減できる。
〔成膜装置を含むシステム〕
図５は、成膜装置１を含むシステムの一例を示す図である。図５に示されるように、システムは、３つの成膜装置１、群管理コントローラ２、端末３を有する。
各成膜装置１は、圧力計６０、制御部８０を有する。各成膜装置１は、半導体工場の通信回線を介して、群管理コントローラ２と通信可能に接続される。なお、図５では、３つの成膜装置１を示しているが、成膜装置１の数は特に限定されない。
群管理コントローラ２は、制御装置の一例であり、例えばコンピュータであってよい。群管理コントローラ２は、半導体工場の通信回線を介して、端末３と通信可能に接続される。群管理コントローラ２は、成膜装置１が処理を実行したときのログデータを取得し、取得したログデータを記憶する。ログデータは、圧力計６０の検出値を含む。また、群管理コントローラ２は、前述の制御部８０と共に、又は制御部８０に代えて、一実施形態の圧力計６０の調整方法を実行するように構成されていてもよい。
通信回線は、例えば外部ネットワークと切り離されている。ただし、通信回線は、外部ネットワークと通信可能に接続されていてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、処理容器が２重管構造の容器である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、処理容器は１重管構造の容器であってもよい。
上記の実施形態では、処理装置が処理容器の長手方向に沿って配置したガスノズルからガスを供給し、該ガスノズルと対向して配置したスリットからガスを排気する装置である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、処理装置はウエハボートの長手方向に沿って配置したガスノズルからガスを供給し、該ウエハボートの上方に配置した排気口からガスを排気する装置であってもよい。また、例えば処理装置は処理容器の下方に配置したガスノズルから処理ガスを供給し、処理容器の上方に配置した排気口からガスを排気する装置であってもよい。
上記の実施形態では、処理容器の周囲に加熱部が設けられている場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、加熱部は設けられていなくてもよい。
上記の実施形態では、処理装置がプラズマを用いない装置である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、処理装置は容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma)等のプラズマを用いた装置であってもよい。
上記の実施形態では、処理装置が複数のウエハに対して一度に処理を行うバッチ式の装置である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、処理装置はウエハを１枚ずつ処理する枚葉式の装置であってもよい。また、例えば処理装置は処理容器内の回転テーブルの上に配置した複数のウエハを回転テーブルにより公転させ、第１のガスが供給される領域と第２のガスが供給される領域とを順番に通過させてウエハに対して処理を行うセミバッチ式の装置であってもよい。
上記の実施形態では、基板が半導体ウエハである場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、基板はフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel Display)用の大型基板、有機ＥＬパネル用の基板、太陽電池用の基板であってもよい。
１ 成膜装置
１０ 処理容器
６０ 圧力計
８０ 制御部

Claims (9)

  1. 減圧可能な処理容器と、
    前記処理容器内の圧力を検出する圧力計と、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    前記処理容器内を最高到達真空度まで排気し、前記圧力計により検出される到達圧力が目標圧力となるように前記圧力計のゼロ点を調整するステップと、
    前記処理容器内で成膜処理を実行するステップと、
    前記処理容器内を最高到達真空度まで排気し、前記圧力計により検出される到達圧力が目標範囲内に到達したか否かを判定するステップと、
    をこの順に行うサイクルを実行するよう構成され、
    前記制御部は、前記判定するステップにおいて前記到達圧力が目標範囲内に到達していない場合に前記サイクルを再び行うよう構成される、
    成膜装置。
  2. 前記目標圧力は、前記圧力計に予め定めた膜厚以上の膜が堆積した状態において前記処理容器内を最高到達真空度まで排気したときに前記圧力計により検出される圧力である、
    請求項１に記載の成膜装置。
  3. 前記制御部は、前記処理容器内に堆積した膜を除去するクリーニング処理の後に前記サイクルを実行するように構成され、
    前記目標圧力は、前記クリーニング処理の直前に前記圧力計により検出される圧力である、
    請求項１又は２に記載の成膜装置。
  4. 前記成膜処理を実行するステップは、前記処理容器内に基板がない状態又は前記処理容器内にダミー基板を収容した状態で行われる、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の成膜装置。
  5. 前記圧力計は、基準圧力室と、前記処理容器内と連通する測定圧力室と、の境界に配置されたダイヤフラムの変形を検出することにより前記測定圧力室の圧力を測定する隔膜真空計である、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の成膜装置。
  6. 前記成膜処理は、前記処理容器内にアミノシランガスと酸化ガスとを交互に供給することによりシリコン酸化膜を成膜する処理を含む、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載の成膜装置。
  7. 前記処理容器は、複数の基板を上下方向に間隔を有して略水平に保持する基板保持具を収容する容器である、
    請求項１乃至６のいずれか一項に記載の成膜装置。
  8. 成膜装置の処理容器内の圧力を検出する圧力計の調整を行う制御装置であって、
    前記処理容器内を最高到達真空度まで排気し、前記圧力計により検出される到達圧力が目標圧力となるように前記圧力計のゼロ点を調整するステップと、
    前記処理容器内で成膜処理を実行するステップと、
    前記処理容器内を最高到達真空度まで排気し、前記圧力計により検出される到達圧力が目標範囲内に到達したか否かを判定するステップと、
    をこの順に行うサイクルを実行するよう構成され、
    前記判定するステップにおいて前記到達圧力が目標範囲内に到達していない場合に前記サイクルを再び行うよう構成される、
    制御装置。
  9. 成膜装置の処理容器内の圧力を検出する圧力計の調整方法であって、
    前記処理容器内を最高到達真空度まで排気し、前記圧力計により検出される到達圧力が目標圧力となるように前記圧力計のゼロ点を調整するステップと、
    前記処理容器内で成膜処理を実行するステップと、
    前記処理容器内を最高到達真空度まで排気し、前記圧力計により検出される到達圧力が目標範囲内に到達したか否かを判定するステップと、
    をこの順に行うサイクルを実行するよう構成され、
    前記判定するステップにおいて前記到達圧力が目標範囲内に到達していない場合に前記サイクルを再び行うよう構成される、
    圧力計の調整方法。
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