JPWO2016046947A1 - 基板保持具、基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 227
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 184
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 162
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 78
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 17
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具
が提供される。
基板を処理する処理室を形成する処理容器と、
基板保持具であって、
前記基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具と、
前記処理室内に前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記基板保持領域を加熱するヒータと
を有する基板処理装置
が提供される。
基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具を、前記基板保持具に基板が保持された状態で、処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記処理後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法
が提供される。
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図7を用いて説明する。
まず、図1〜図3を用いて、基板処理装置の全体的な構成について説明する。図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図7を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
ウエハ200に対し原料ガスとしてTiCl4ガスを供給するステップ1と、
ウエハ200に対し反応ガスとしてNH3ガスを供給するステップ2と、
を交互に所定回数(1回以上)行うことで、ウエハ200上に、窒化チタン膜(TiN膜)を形成する。
断熱板218を所定配置で保持させ、カバー350を設置した基板保持具300を準備する。再び図4を用いて、断熱板218の配置態様の一例について説明する。カバー350内の空間351を含めた断熱板保持領域370には、好ましくは、上方が相対的に疎に、下方が相対的に密になるように、断熱板218を配置しておく。つまり、カバー350内の空間351を含めた断熱板保持領域370の熱容量が、好ましくは、上方で相対的に小さく、下方で相対的に大きくなるように、断熱板218を配置しておく。断熱板218の具体的な配置の仕方は、特に制限されないが、例えば、カバー350内の空間351の所定高さから上方には断熱板218を配置せず、所定高さから下方には(例えば一定ピッチで)断熱板218を配置することで、このような断熱板218の分布(熱容量の分布)とすることができる。なお、断熱板218の配置は、成膜条件等に応じて、良好な結果が得られるように、適宜調整することができる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。また、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次の2つのステップ、すなわち、ステップ1,2を順次実行する。
(TiCl4ガス供給)
ステップ1では、処理室201内のウエハ200に対し、TiCl4ガスを供給する。
Ti含有層が形成された後、バルブ243aを閉じ、TiCl4ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTi含有層の形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブ243c,243dは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留するガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
ウエハ温度:250℃〜550℃(好ましくは350℃〜550℃)
処理室内圧力:50Pa〜5000Pa
<TiCl4ガス供給時>
TiCl4ガス(原料ガス)の供給流量:100sccm〜500sccm
N2ガス(キャリアガス)の供給流量:500sccm〜5000sccm
TiCl4ガスおよびN2ガスの供給時間:2秒〜20秒
<残留ガス除去時>
N2ガス(パージガス)の供給流量:1000sccm〜10000sccm
N2ガスの供給時間:2秒〜10秒
が例示される。
(NH3ガス供給)
ステップ1が終了した後、ステップ2では、処理室201内のウエハ200に対し、NH3ガスを供給する。
TiN層が形成された後、バルブ243bを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。そして、ステップ1と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層の形成に寄与した後のNH3ガス、反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、ステップ1と同様である。
ウエハ温度:250℃〜550℃(好ましくは350℃〜550℃)
処理室内圧力:50Pa〜5000Pa
<NH3ガス供給時>
NH3ガス(反応ガス)の供給流量:1000sccm〜10000sccm
N2ガス(キャリアガス)の供給流量:500sccm〜5000sccm
NH3ガスおよびN2ガスの供給時間:2秒〜20秒
<残留ガス除去時>
N2ガス(パージガス)の供給流量:1000sccm〜10000sccm
N2ガスの供給時間:2秒〜10秒
が例示される。
上述したステップ1,2を交互に行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、ウエハ200上に、所定膜厚のTiN膜を形成することができる。
バルブ243c,243dを開き、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、カバー部材が着脱可能に取り付けられていることにより、カバー内の断熱板保持領域に保持される断熱板の出し入れを容易に行うことができる。これにより、カバー内に配置される断熱板の配置態様を変更することが容易になり、断熱板保持領域の断熱性を制御することが容易になる。断熱板保持領域の断熱性を制御することにより、基板保持領域の温度制御性等を向上させることができる。具体的には、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具が提供される。
付記1に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記複数のカバー部材の個数は、少なくとも4つ以下の部材で構成されており、好ましくは、2つである。
付記1に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記複数のカバー部材の各々は、着脱可能に取り付けられている。
付記3に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記複数のカバー部材として、径の異なる複数のセットが用意されている。
付記1に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記カバー部材は、前記断熱板保持領域に保持された係止板に係止されている。
付記5に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記断熱板保持領域に保持された断熱板が、前記係止板として用いられる。
付記5に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記基板保持領域と前記断熱板保持領域とを区分する仕切り板が、前記係止板として用いられる。
付記5に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記カバー部材は、前記係止板に嵌合されている。
付記5に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記カバー部材は、嵌合凸部を有し、前記係止板は、嵌合凹部を有する。
付記1に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記カバーは、前記複数のカバー部材にさらに天面部材と底面部材とが組み合わされて構成されている。
付記10に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記カバー部材の下端が、前記断熱板保持領域の下端よりも上方に配置されている。
付記10に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記カバー部材の下端と、前記断熱板保持領域の下端との間に、断熱板が配置されている。
付記10に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記基板保持領域と前記断熱板保持領域とを区分する仕切り板が、前記天面部材として用いられる。
付記10に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記断熱板保持領域に保持された断熱板が、前記底面部材として用いられる。
付記10に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記複数のカバー部材と前記天面部材と前記底面部材とに囲繞される空間の熱容量が、上方で相対的に小さく、下方で相対的に大きくなるように、断熱板が配置されている。
付記10に記載の基板保持具であって、好ましくは、
前記複数のカバー部材と前記天面部材と前記底面部材とに囲繞される空間の内部に、上方が相対的に疎に、下方が相対的に密になるように、断熱板が配置されている。
本発明の他の態様によれば、
基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具
によって、基板を保持する基板保持方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を処理する処理室を形成する処理容器と、
基板保持具であって、
前記基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具と、
前記処理室内に前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記基板保持領域を加熱するヒータと
を有する基板処理装置が提供される。この場合、好ましくは、さらに、前記処理室内の雰囲気を排気し、排気口が前記基板保持領域よりも下方に配置された排気管を有する。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具を、前記基板保持具に基板が保持された状態で、処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記処理後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記19に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板保持具は、前記複数のカバー部材と前記天面部材と前記底面部材とに囲繞される空間の熱容量が、上方で相対的に小さく、下方で相対的に大きくなるように、断熱板が配置されている。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具を、前記基板保持具に基板が保持された状態で、処理室内に搬入する手順と、
前記処理室内で前記基板を処理する手順と、
前記処理後の前記基板を前記処理室内から搬出する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
217 ボート
218 断熱板
231 排気管
232a〜232d ガス供給管
300 基板保持具
320 (カバーの)側面部材
330 (カバーの)天面部材
340 (カバーの)底面部材
350 カバー
360 基板保持領域
370 断熱板保持領域
325 係止板
Claims (10)
- 基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具。 - 前記複数のカバー部材の各々は、着脱可能に取り付けられている請求項1に記載の基板保持具。
- 前記カバー部材は、前記断熱板保持領域に保持された係止板に係止されている請求項1に記載の基板保持具。
- 前記断熱板保持領域に保持された断熱板が、前記係止板として用いられる請求項3に記載の基板保持具。
- 前記基板保持領域と前記断熱板保持領域とを区分する仕切り板が、前記係止板として用いられる請求項3に記載の基板保持具。
- 前記カバーは、前記複数のカバー部材にさらに天面部材と底面部材とが組み合わされて構成されている請求項1に記載の基板保持具。
- 前記カバー部材の下端が、前記断熱板保持領域の下端よりも上方に配置されている請求項6に記載の基板保持具。
- 前記複数のカバー部材と前記天面部材と前記底面部材とに囲繞される空間の熱容量が、上方で相対的に小さく、下方で相対的に大きくなるように、断熱板が配置されている請求項6に記載の基板保持具。
- 基板を処理する処理室を形成する処理容器と、
基板保持具であって、
前記基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具と、
前記処理室内に前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記基板保持領域を加熱するヒータと
を有する基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持領域と、
前記基板保持領域よりも下方に設けられ、断熱板を保持する断熱板保持領域と、
前記断熱板保持領域を囲繞するカバーと
を有し、
前記カバーは、前記断熱板保持領域の周方向に沿って並んだ複数のカバー部材が組み合わされて構成され、前記複数のカバー部材のうち少なくとも1つのカバー部材は、着脱可能に取り付けられている基板保持具を、前記基板保持具に基板が保持された状態で、処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
処理後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/075503 WO2016046947A1 (ja) | 2014-09-25 | 2014-09-25 | 基板保持具、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016046947A1 true JPWO2016046947A1 (ja) | 2017-08-31 |
JP6553065B2 JP6553065B2 (ja) | 2019-07-31 |
Family
ID=55580506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016549849A Active JP6553065B2 (ja) | 2014-09-25 | 2014-09-25 | 基板保持具、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6553065B2 (ja) |
WO (1) | WO2016046947A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114762092A (zh) * | 2020-01-28 | 2022-07-15 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 |
JP7271485B2 (ja) | 2020-09-23 | 2023-05-11 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
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-
2014
- 2014-09-25 JP JP2016549849A patent/JP6553065B2/ja active Active
- 2014-09-25 WO PCT/JP2014/075503 patent/WO2016046947A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6553065B2 (ja) | 2019-07-31 |
WO2016046947A1 (ja) | 2016-03-31 |
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