KR20150090844A - 전력공급부 커버 구조체 및 반도체 제조 장치 - Google Patents

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KR20150090844A
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 전력공급부의 결로를 방지하는 것이 가능한 전력공급부 커버 구조체 및 반도체 제조 장치를 제공한다. 소켓과 플러그가 끼워맞추어진 전력공급부와, 상기 전력공급부를 덮고, 상기 전력공급부를 밀폐하는 커버 구조체와, 상기 커버 구조체 내에 드라이 에어 또는 불활성 가스를 공급하는 공급 기구를 구비하고, 상기 드라이 에어 또는 불활성 가스는 상기 전력공급부와 상기 커버 구조체 사이의 간극을 통하여 상기 커버 구조체의 내부에 공급되는 전력공급부 커버 구조체가 제공된다.

Description

전력공급부 커버 구조체 및 반도체 제조 장치{POWER SUPPLY COVER STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}
본 발명은 전력공급부 커버 구조체 및 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 칭함)를 에칭 등에 의해 미세 가공하는 반도체 제조 장치에서는, 웨이퍼가 탑재된 정전 척(ESC : Electrostatic Chuck)의 온도를 제어함으로써 에칭 레이트 등이 제어된다. 최근, 정전 척 내에 히터를 조립하고, 히터를 이용하여 정전 척을 직접 가열함으로써 온도 제어의 응답성을 높인 히터 내장형의 정전 척이 제안되어 있다.
예를 들면, 정전 척을 복수의 존(영역)으로 분할하고, 각 존에 하나씩 히터를 내장하며, 각 히터에 의해 각 존을 독립하여 온도 제어하는 기구가 제안되어 있다. 복수의 히터에는 교류 전원이 접속되며, 교류 전원으로부터 각 히터에 전류가 공급되게 되어 있다. 정전 척 내에 조립된 히터 및 히터 필터 사이에는, 교류 전원으로부터의 전류를 히터에 공급하기 위한 전력공급부가 마련되어 있다. 이 전력공급부는 히터 필터측의 플러그를 정전 척측의 소켓에 삽입함으로써 히터에 접속되며, 히터에 전류를 공급한다.
그렇지만, 히터 필터측의 플러그를 정전 척측의 소켓에 삽입하여 접속할 때, 정전 척측의 소켓과 히터 필터측의 플러그의 위치 어긋남에 의해, 플러그가 소켓에 삽입되기 전에 굽혀져, 플러그를 소켓에 삽입하는 것이 곤란한 경우가 있다. 플러그의 휨이 큰 경우, 소켓에 대하여 플러그의 선단이 경사지기 때문에, 플러그를 소켓에 삽입하는 것이 곤란한 경우가 있다.
또한, 반도체 제조 장치의 하부 공간에는, 외부로부터의 주변 공기가 들어가기 쉽다. 장치의 하부측에 위치하는 전력공급부의 내부에 수분이 인입되면, 결로에 의해 전력공급부가 소손(燒損)될 염려가 있다. 이 때문에, 전력공급부 부근의 결로 방지 대책이 중요해진다. 결로 방지 대책의 일 예로서는, 반도체 제조 장치의 하부 공간을 밀폐하고, 하부 공간을 드라이 에어로 충진하는 방법이 있다. 그런데도 불충분한 경우는, 드라이 에어를 전력공급부의 내부에 직접 도입하여, 결로를 방지하는 방법이 채용되는 일이 있다.
그렇지만, 복수의 존을 독립하여 온도 제어하는 기구에서는, 복수의 전력공급부가 마련되어 있기 때문에, 복수의 전력공급부의 각각 드라이 에어를 별도로 도입하는 기구가 필요하게 되고, 부품 점수가 증가하여 조립시의 작업도 번잡하게 된다.
상기 과제에 대하여, 일 측면에서는, 전력공급부의 결로를 방지하는 것이 가능한 전력공급부 커버 구조체 및 반도체 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 일 태양에 의하면, 소켓과 플러그가 끼워맞추어진 전력공급부와, 상기 전력공급부를 덮고, 상기 전력공급부를 밀폐하는 커버 구조체와, 상기 커버 구조체 내에 드라이 에어 또는 불활성 가스를 공급하는 공급 기구를 구비하고, 상기 드라이 에어 또는 불활성 가스는 상기 전력공급부와 상기 커버 구조체 사이의 간극을 통하여 상기 커버 구조체의 내부에 공급되는 전력공급부 커버 구조체가 제공된다.
일 태양에 의하면, 전력공급부의 결로를 방지하는 것이 가능한 전력공급부 커버 구조체 및 반도체 제조 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 종단면을 도시하는 도면이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체의 플러그측의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 3은 일 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체의 소켓측의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 4는 일 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체의 종단면의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 5는 일 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체의 위치 어긋남에 대한 대책을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 일 실시형태에 따른 드라이 에어의 공급 기구의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 7은 일 실시형태에 따른 플러그의 장착시의 동작 예를 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 도면부호를 부여하는 것에 의해 중복된 설명을 생략한다.
[반도체 제조 장치의 전체 구성]
우선, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(1)의 전체 구성에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(1)의 전체 구성도이다. 본 실시형태에서는, 반도체 제조 장치(1)의 일 예로서 용량 결합형 플라즈마 에칭 장치를 예로 든다. 반도체 제조 장치(1)는, 예를 들면 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 원통형의 진공 챔버(처리 용기)(10)를 갖고 있다. 챔버(10)는 접지되어 있다.
챔버(10) 내에는 탑재대(12)가 마련되어 있다. 탑재대(12)는, 예를 들어 알루미늄(Al)이나 티탄(Ti), 탄화규소(SiC) 등의 재질로 이루어지며, 절연성의 보지부(14)를 거쳐서 챔버(10)의 바닥으로부터 수직 상방으로 연장되는 지지부(16)에 지지되어 있다.
챔버(10)의 측벽과 지지부(16) 사이에는 배기로(20)가 형성되어 있다. 배기로(20)에는 환상의 배플판(22)이 장착되어 있다. 배기로(20)의 저부에는 배기구(24)를 형성하는 배기관(26)이 마련되며, 배기관(26)은 배기 장치(28)에 접속되어 있다. 배기 장치(28)는 터보 분자 펌프나 드라이 펌프 등의 진공 펌프로 구성되며, 챔버(10) 내의 처리 공간을 소정의 진공도까지 감압한다. 챔버(10)의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입·반출구를 개폐하는 반송용의 게이트 밸브(30)가 장착되어 있다.
탑재대(12)에는, 플라즈마를 여기하기 위한 제 1 고주파 전원(31)이 정합기(33)를 거쳐서 접속되며, 이온을 웨이퍼(W)측에 인입하기 위한 제 2 고주파 전원(32)이 정합기(34)를 거쳐서 접속되어 있다. 예를 들면, 제 1 고주파 전원(31)은 챔버(10) 내에서 플라즈마를 생성하기 위해서 적합한 주파수, 예를 들면 60㎒의 고주파 전력을 탑재대(12)에 인가한다. 제 2 고주파 전원(32)은 탑재대(12) 상의 웨이퍼(W)에 플라즈마 중의 이온을 인입하는데 적합한 낮은 주파수, 예를 들면 0.8㎒의 고주파 전력을 탑재대(12)에 인가한다. 이와 같이 하여 탑재대(12)는 웨이퍼(W)를 탑재하는 동시에, 하부 전극으로서의 기능을 갖는다.
탑재대(12)의 상면에는 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 보지하기 위한 정전 척(40)이 마련되어 있다. 정전 척(40)은 도전막으로 이루어지는 전극(40a)을 한쌍의 절연층(40b)(또는 절연 시트) 사이에 끼워진 것이며, 전극(40a)에는 직류 전압원(42)이 스위치(43)를 거쳐서 접속되어 있다. 정전 척(40)은, 직류 전압원(42)으로부터의 전압에 의해, 쿨롱력으로 웨이퍼(W)를 정전 척 상에 흡착 보지된다. 정전 척(40)의 주연부에는, 에칭의 면내 균일성을 높이기 위해서, 예를 들면 실리콘이나 석영으로 구성된 포커스 링(18)이 배치되어 있다.
챔버(10)의 천정부에는, 샤워 헤드(38)가 접지 전위의 상부 전극으로서 마련되어 있다. 이것에 의해, 제 1 고주파 전원(31)으로부터의 고주파 전력이 탑재대(12)와 샤워 헤드(38) 사이에 용량적으로 인가된다.
천정부의 샤워 헤드(38)는 다수의 가스 통기 구멍(56a)을 갖는 전극판(56)과, 전극판(56)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(58)를 구비한다. 가스 공급원(62)은 가스 공급 배관(64)을 거쳐서 가스 도입구(60a)로부터 샤워 헤드(38) 내에 가스를 공급한다. 가스는 다수의 가스 통기 구멍(56a)으로부터 챔버(10) 내에 도입된다. 챔버(10)의 주위에는, 환상 또는 동심원 형상으로 연장되는 자석(66)이 배치되며, 자력에 의해 상부 전극 및 하부 전극 사이의 플라즈마 생성 공간에 생성되는 플라즈마를 제어한다.
정전 척(40)에는, 히터(75a, 75b, 75c, 75d, 75e)(이하, 총칭하여 "히터(75)"라고도 말함)가 매립되어 있다. 히터(75)는 정전 척(40) 내에 매립되는 대신에 정전 척(40)의 이면에 장착되도록 하여도 좋다.
히터(75a, 75b, 75c, 75d, 75e)는 전력공급부 커버 구조체(76a, 76b, 76c, 76d, 76e)(이하, 총칭하여 "전력공급부 커버 구조체(76)"라고도 말함)에 각각 연결되어 있다. 전력공급부 커버 구조체(76a, 76b, 76c, 76d, 76e)는 히터(75a, 75b, 75c, 75d, 75e)와 히터 필터(77a, 77b, 77c, 77d, 77e)(이하, 총칭하여 "히터 필터(77)"라고도 말함) 사이에 마련되어 있다.
후술되는 바와 같이, 전력공급부 커버 구조체(76)는 전력공급부 및 커버 구조체를 구비하며, 전력공급부의 위치 어긋남을 방지하는 동시에 결로를 방지하는 기구를 구비한다. 히터 필터(77)는, 예를 들면 코일에 의해 형성되며, 제 1 고주파 전원(31) 및 제 2 고주파 전원(32)으로부터 인가되는 고주파 전력을 제거함으로써, 교류 전원(44)을 보호한다.
또한, 전력공급부 커버 구조체(76) 및 히터 필터(77)는, 설명의 편의상, 도 1에 도시한 위치에 병렬로 배치했지만, 이것에 한정되지 않으며, 각 히터(75)에 각각 접속 가능한 어느 위치에 배치하여도 좋다. 이러한 구성에 의해, 히터(75)는 전력공급부 커버 구조체(76) 및 히터 필터(77)를 거쳐서 교류 전원(44)에 접속되며, 교류 전원(44)으로부터 전류가 공급된다.
도시하지 않는 칠러(chiller) 유닛에 의한 탑재대의 냉각 및 히터(75)에 의한 가열에 의해서, 정전 척(40)의 각 존은 독립하여 온도 제어되며, 이것에 의해, 웨이퍼(W)가 소망의 온도로 조정된다. 또한, 이들 온도 제어는 제어부(48)로부터의 지령에 근거하여 실행된다. 제어부(48)는 도시하지 않은 CPU, ROM, RAM을 갖고, RAM 등에 기억된 레시피에 설정된 순서에 따라, 에칭 처리나 온도 제어 처리를 제어한다.
히터(75)를 분할하는 수는 1개여도 2개 이상이어도 좋다. 분할한 히터(75)의 개수와 동일한 개수의 전력공급부 커버 구조체(76) 및 히터 필터(77)가 필요하게 된다.
이러한 구성의 반도체 제조 장치(1)에 있어서 에칭 등의 처리를 실행할 때에는, 우선 웨이퍼(W)가, 도시하지 않는 반송 아암 상에 보지된 상태에서, 개구된 게이트 밸브(30)로부터 챔버(10) 내에 반입된다. 웨이퍼(W)는 정전 척(40)의 상방에서 도시하지 않은 푸셔 핀에 의해 보지되며, 푸셔 핀이 강하함으로써, 정전 척(40) 상에 탑재된다. 게이트 밸브(30)는 웨이퍼(W)를 반입한 후에 폐쇄된다. 챔버(10) 내의 압력은 배기 장치(28)에 의해 설정값으로 감압된다. 가스가 샤워 헤드(38)로부터 샤워 형상으로 챔버(10) 내에 도입된다. 소정의 파워의 고주파 전력이 탑재대(12)에 인가된다. 또한, 정전 척(40)의 전극(40a)에 직류 전압원(42)으로부터의 전압을 인가함으로써, 웨이퍼(W)는 정전 척(40) 상에 정전 흡착된다.
도입된 가스를 고주파 전력에 의해 전리나 해리시키는 것에 의해 플라즈마가 생성되며, 플라즈마의 작용에 의해 웨이퍼(W)에 에칭 등의 처리가 실행된다.
플라즈마 에칭 종료 후, 웨이퍼(W)는 반송 아암 상에 보지되며, 챔버(10)의 외부로 반출된다. 이 처리를 반복함으로써 연속하여 웨이퍼(W)가 처리된다. 이상, 본 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(1)의 전체 구성에 대해 설명했다.
[전력공급부 커버 구조체 : 위치의 보정]
다음에, 본 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체(76)의 일 예에 대하여 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체(76)의 플러그측의 구성예를 도시한다. 도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체(76)의 소켓측의 구성예를 도시한다. 도 4는 일 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체(76)의 종단면의 일 예를 도시한다. 또한, 도 1에서 도시한 전력공급부 커버 구조체(76a, 76b, 76c, 76d, 87e)는 동일 구조를 갖는다. 따라서, 이하에서는, 하나의 전력공급부 커버 구조체(76)의 구성을 설명하는 것에 의해서, 전력공급부 커버 구조체(76a, 76b, 76c, 76d, 76e)의 전체 구성을 설명하는 것으로 한다.
도 2의 (a)는 히터 필터(77)측의 전력공급부 커버 구조체(76a)의 사시도이며, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 영역(A)에 도시한 전력공급부 커버 구조체(76a)를 더욱 상방으로부터 도시한 도면이다. 히터 필터(77)측의 전력공급부 커버 구조체(76a)는 2개의 플러그(80) 및 제 1 수지 커버(81)를 갖는다. 제 1 수지 커버(81)에는 2개의 홀이 형성되어 있다. 각 플러그(80)는 각 홀의 중앙에서 홀의 측벽과의 사이에 공간을 마련한 상태에서 히터 필터(77)로부터 수직으로 연장되어 있다. 이와 같이 하여 2개의 플러그(80)는 수지 커버(81)에 의해서 덮여 보호된다. 제 1 수지 커버(81)에 마련된 공간에는, 후술되는 소켓이 수납된다. 제 1 수지 커버(81)는 소켓(80)을 커버하는 제 1 커버 구조체의 일 예이다.
도 3의 (a)는 정전 척(40)측의 전력공급부 커버 구조체(76b)의 도면이며, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 영역(B)에 도시한 전력공급부 커버 구조체(76b)를 위 아래를 거꾸로 역상으로 하여 도시한 도면이다. 정전 척(40)측의 전력공급부 커버 구조체(76b)는 2개의 소켓(90), 및 소켓(90)을 덮는 제 2 수지 커버(91)를 구비한다. 2개의 소켓(90)은 제 2 수지 커버(91)에 의해서 덮이며, 보호된다. 이하에서는, 히터 필터(77)측의 전력공급부 커버 구조체(76a) 및 정전 척(40)측의 전력공급부 커버 구조체(76b)를 총칭하며, 전력공급부 커버 구조체(76)라고도 말한다. 제 2 수지 커버(91)는 플러그(80)를 커버하는 제 2 커버 구조체의 일 예이다.
도 4의 하부에 도시한 전력공급부 커버 구조체(76a)의 2개의 플러그(80)는 수 단자에 상당하며, 도 4의 상부에 도시한 전력공급부 커버 구조체(76b)의 2개의 소켓(90)은 암 단자에 상당한다. 2개의 플러그(80)를 2개의 소켓(90)에 삽입함으로써 플러그(80)와 소켓(90)은 끼워맞추어지며, 전류를 공급하는 전력공급부로서 기능한다. 이하에서는, 끼워맞추어진 플러그(80)와 소켓(90)을 "전력공급부" 또는 "단자"라 말한다. 플러그(80)와 소켓(90)이 끼워맞추어진 상태는 도 6의 (b)에 도시되어 있으며, 나중에 설명한다.
2개의 플러그(80) 및 2개의 소켓(90)은 금속으로 구성되어 있다. 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91)는 절연체이며, 예를 들면 PEEK(폴리에테르에테르케톤) 등의 기계적 강도가 있으며 저 마찰 계수의 합성 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91)에 수지를 이용하는 것은 2개의 플러그(80) 및 소켓(90)으로 이루어지는 단자의 절연과 그 단자의 보호를 위해서이다.
제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91)는, 그 한쪽 또는 양쪽에 대하여 금속이나 세라믹 등으로 하는 것이 가능하지만, 수지 커버의 재질은 플러그 사이나 소켓 사이의 절연 및 장착시의 커버끼리의 접촉, 커버와 단자 부분이 접촉한 경우를 고려한 후에 선택할 필요가 있다. 그 점으로부터 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91)의 모두 수지로 형성되는 것이 바람직하다.
제 1 수지 커버(81)의 선단부(81a)는 내측을 향하여 경사지는 테이퍼 형상을 갖는다. 마찬가지로, 제 2 수지 커버(91)의 선단부(91a)는 외측 및 내측을 향하여 경사지는 테이퍼 형상을 갖는다. 이것에 의해, 2개의 소켓(90) 및 제 2 수지 커버(91)를 제 1 수지 커버(81)의 내부 공간에 가이드하며, 2개의 플러그(80)를 2개의 소켓(90)에 가이드한다. 이것에 의해, 소켓(90) 및 제 2 수지 커버(91)를 제 1 수지 커버(81)의 공간 내에 삽입하여, 원활하게 플러그(80)와 소켓(90)을 끼워맞출 수 있다. 제 1 수지 커버(81) 또는 제 2 수지 커버(91)는 전력공급부를 덮고, 상기 전력공급부를 시일하는 커버 구조체의 일 예이다.
또한, 정전 척(40)측의 전력공급부 커버 구조체(76b)는 플로팅 구조로 되어 있다. 즉, 2개의 소켓(90) 및 제 2 수지 커버(91)는, 탑재대(12)의 하면에서, 수지로 형성된 제 3 수지 커버(92)에 의해 매달린 상태에서 지지되어 있다. 제 2 수지 커버(91)는 고정 부재(93)에 의해서 슬라이드 가능하게 지지되어 있다. 구체적인 구성을 설명하면, 제 2 수지 커버(91)의 상단부에는, 외주측으로 돌출된 매달림부(91b)가 형성되며, 고정 부재(93)에 매달린 상태로 지지된다. 제 2 수지 커버(91) 및 고정 부재(93) 사이에는 갭(G)이 링 형상으로 형성되어 있다. 이것에 의해, 제 2 수지 커버(91)는 소켓(90)을 보지한 상태에서 최대로 갭(G)의 2배만큼 횡방향으로 슬라이드 가능하다. 소켓(90)은 제 2 수지 커버(91)의 상부 개구로부터 돌출되며, 환상 부재(94) 내를 관통하고, 제 3 수지 커버(92)의 내부에 삽입된다. 제 3 수지 커버(92)는 탑재대(12)와 직접 또는 보지부(14)를 거쳐서 지지되어 있다.
이러한 구성의 전력공급부 커버 구조체(76)에 의하면, 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91)에 테이퍼 형상의 선단부(81a, 91a)가 형성된다. 이것에 의해, 플러그(80)의 장착시에, 제 2 수지 커버(91)가 제 1 수지 커버(81)의 선단부(81a)의 테이퍼 형상을 따라서 가이드되어, 정전 척(40)측의 전력공급부 커버 구조체(76b)가 적절히 슬라이드한다. 이 결과, 히터 필터(77)측의 전력공급부 커버 구조체(76a)와 정전 척(40)측의 전력공급부 커버 구조체(76b)와의 위치 어긋남이 자동적으로 보정된다.
이러한 구성에 의하면, 전력공급부 커버 구조체(76a)는, 플러그(80)를 제 1 수지 커버(81)로 덮는 것에 의해 제 1 수지 커버(81)의 두께로 가이드 기능을 갖는 구조로 되어 있다. 또한, 전력공급부 커버 구조체(76b)는, 소켓(90)을 제 2 수지 커버(91)로 덮는 것에 의해 소켓(90) 자체를 특수한 형상으로 하는 일이 없이, 제 2 수지 커버(91)의 두께로 가이드 기능을 갖는 구조로 되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 제 1 수지 커버(81)의 선단부(81a) 및 제 2 수지 커버(91)의 선단부(91a)를 함께 테이퍼 형상으로 형성했다. 그렇지만, 이것에 한정되지 않으며, 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91) 중 적어도 어느 하나의 선단부는 테이퍼 형상인 것이 바람직하다. 또한, 플러그(80)를 소켓(90)에 장착할 때에 상정되는 최대 어긋남량이 클수록, 선단부의 테이퍼 형상의 길이를 길게 할 필요가 있다.
또한, 도 5에 도시되는 바와 같이, 히터 필터(77)가 경사진 상태에서 고정 기구(78)에 장착되는 경우, 소켓(90)과 플러그(80)의 위치는 수평 방향 및 경사 방향으로 어긋나는 상태가 된다. 이 경우, 도 5에 도시한 영역(C)에 있어서, 경사진 히터 필터(77)는 제 1 수지 커버(81)와 제 2 수지 커버(91)에 형성된 테이퍼 형상을 따라서 가이드된다. 이와 같이 가이드된 상태에서 정전 척측의 전력공급부 커버 구조체(76a)가 적절히 슬라이드함으로써 전력공급부 커버 구조체(76a, 76b)의 위치 어긋남이 자동적으로 보정된다.
위치가 보정된 히터 필터(77)측의 플러그(80)는, 정전 척(40)측의 소켓(90)에 삽입되는 것에 의해, 플러그(80)와 소켓(90)은 전기적 접속되며, 이것에 의해 전력공급부 커버 구조체(76)의 조립이 완료된다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 끼워맞추어진 소켓(90) 및 플러그(80)로 이루어지는 단자는 제 3 수지 커버(92)의 내부에서 와이어(95)에 접속된다. 와이어(95)는 정전 척(40) 내의 히터(75)와 접속되는 전원 라인을 구성한다. 이와 같이 하여, 소켓(90)과 플러그(80)를 위치맞춤한 후에 끼워맞춤으로써 단자를 손상시키는 일이 없이, 히터(75)는 전력공급부 커버 구조체(76)를 거쳐서 교류 전원(44)과 전기적으로 접속된 상태가 된다.
이상, 정전 척(40)측의 전력공급부 커버 구조체(76b)를 슬라이드 가능한 플로팅 구조로 하고, 또한 가이드 기능을 갖는 전력공급부 커버 구조체(76)에 대해 설명했다. 이것에 의하면, 플러그(80)와 소켓(90)의 위치 어긋남을 자동 보정하여, 플러그(80)와 소켓(90)을 셀프 얼라인먼트(위치맞춤)할 수 있다.
[전력공급부 커버 구조체 : 결로 방지]
다음에, 전력공급부 커버 구조체(76)에 마련된 결로 방지를 위한 드라이 에어의 공급 기구에 대해 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 6은 일 실시형태에 따른 드라이 에어의 공급 기구의 일 예를 도시하는 도면이다. 도 6의 (a)는 탑재대(12)(도 1을 참조)의 하면에 마련된 제 3 수지 커버(92)와 히터 필터(77) 사이에 배치된 전력공급부 커버 구조체(76)의 사시도이다. 도 6의 (b)는 도 6의 (a)의 제 3 수지 커버(92) 및 전력공급부 커버 구조체(76)를 D-D 단면으로 절단했을 때의 종단면도이다.
상기에서 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체(76)에 의하면, 제 1 수지 커버(81)는, 소켓(90)과 제 2 수지 커버(91)를 내부에 수납한 상태에서, 전력공급부 커버 구조체(76) 전체를 덮어, 단자를 보호한다. 또한, 제 1 수지 커버(81)와 제 2 수지 커버(91)와의 간극을 최소한으로 함으로써, 전력공급부 커버 구조체(76)의 내부는 충분히 시일되어 있다. 시일되어 있는 이유에 대하여 이하에 설명한다.
상술한 바와 같이, 전력공급부 커버 구조체(76)는 플러그(80)와 소켓(90)을 셀프 얼라인먼트하는 기능을 갖는다. 이 셀프 얼라인먼트 기능에 의하면, 플러그(80)의 장착시의 위치 어긋남을 고려하여 소켓(90)의 구멍 직경을 필요 이상으로 크게 설계할 필요가 없다. 따라서, 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91) 사이의 간극을 최소한으로 억제할 수 있다. 이것에 의해, 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91) 사이에는 드라이 에어가 흐르기 어려워져, O링 등의 시일 부재를 사용하는 일이 없이, 커버 구조체에 의해 전력공급부 커버 구조체(76) 내를 간이적으로 시일할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체(76)에 의하면, 소수의 비교적 단순한 형상의 부품을 이용하여 제조할 수 있어서, 비용면에서도 유리하다.
도 6의 (a)는 전력공급부 커버 구조체(76) 내에 드라이 에어를 공급하는 공급 기구를 육안으로 확인 가능하게 하기 위해서, 전력공급부 커버 구조체(76)의 일부를 노출시켜서 도시하고 있다. 드라이 에어의 공급 기구에 의해, 드라이 에어의 순환 경로(E)가 형성되어 있다.
드라이 에어의 순환 경로(E)는 전력공급부 커버 구조체(76) 및 제 3 수지 커버(92)의 내부에서 드라이 에어를 순환시키는 경로이다. 전력공급부 커버 구조체(76)는 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91)에 의해 시일되어 있다. 또한, 제 3 수지 커버(92)의 상면은 탑재대(12)의 하면과 직접 또는 보지부(14)를 거쳐서 밀착되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 소켓(90) 및 제 2 수지 커버(91) 사이에는 간극(S)이 마련되어 있다. 이와 같이 소켓(90)과 제 2 수지 커버(91) 사이에 간극(S)을 마련함으로써 전력공급부 커버 구조체(76)의 단자의 주변에 드라이 에어의 순환 경로를 형성할 수 있다. 순환 경로(E)에 드라이 에어를 순환시킴으로써, 단자의 결로를 방지할 수 있다. 간극(S)은 결로 방지에 기여하는 정도로 드라이 에어를 순환할 수 있는 필요 최소한의 공간인 것이 바람직하다.
이와 같이, 전력공급부 커버 구조체(76)는 단자의 결로 방지를 위해서 드라이 에어를 단자의 주변에서 순환시키는 경로를 갖고 있으면 좋으며, 전력공급부 커버 구조체(76) 내를 완전하게 시일할 필요는 없기 때문에, 본 실시형태에 도시한 바와 같이 상기 커버 구조체에 의한 간이적인 시일로 충분하다.
전력공급부 커버 구조체(76)에는, 드라이 에어를 도입하는 가스 배관(100)이 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 가스 배관(100)은 히터 필터(77)측의 수지 커버(81)에 마련되어 있지만, 이것에 한정되지 않으며, 정전 척(40)측에 있는 수지 커버(92)에 마련되어도 좋다. 전력공급부 커버 구조체(76)는 시일되어 있기 때문에, 드라이 에어를 도입하는 입구는 1개소 마련하면 좋다.
드라이 에어는 결로 방지에 기여하는 가스의 일 예이다. 순환 경로(E)에 공급되는 가스는 결로 방지에 기여하는 가스이면 어떠한 가스라도 좋다. 가스 이외의 예로서는 질소(N2) 등의 불활성 가스라도 좋다.
가스 배관(100)의 내부는 소켓(90)과 제 2 및 수지 커버 구조체(91) 사이의 간극(S)과 연통한다. 전술과 같이, 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91) 사이의 간극(S)을 최소로 함으로써, 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91) 사이의 간극(S)으로부터 드라이 에어가 외부에 누출되기 어렵게 되어 있다. 이것에 의해, 도시하지 않는 드라이 에어 공급원으로부터 출력된 드라이 에어를 히터 필터(77)측에 마련된 하나의 가스 배관(100)으로부터 도입하면, 드라이 에어는 순환 경로(E)를 순환한다. 즉, 드라이 에어는 가스 배관(100) → 한쪽의 소켓(90)과 제 2 및 수지 커버 구조체(91) 사이의 간극(S) → 제 3 수지 커버(92)의 내부 공간 → 다른쪽의 소켓(90) 및 제 2 및 수지 커버 구조체(91) 사이의 간극(S)을 통과한다. 이것에 의해, 단자 및 그 주변의 결로를 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 끼워맞춘 플러그(80) 및 소켓(90)으로 이루어지는 단자의 상단부(소켓(90)의 상단부)는 제 3 수지 커버(92) 내의 와이어(95)에 접속된다. 와이어(95)에 연결되는 접속 단자(96)는 정전 척(40) 내의 히터(75)와 접속된다. 이것에 의해, 와이어(95)는 정전 척(40) 내의 히터(75)와 접속되는 전원 라인을 구성한다.
이상, 본 실시형태에 따른 드라이 에어의 공급 기구의 일 예 및 드라이 에어의 순환 경로(E)에 대해 설명했다.
[플러그의 장착]
마지막으로, 전력공급부 커버 구조체(76)의 플러그(80)의 장착시의 동작 예에 대해서 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 7은 일 실시형태에 따른 전력공급부 커버 구조체의 플러그(80)의 장착시의 동작의 일 예를 도시한다. 도 7에 도시하는 플러그(80)의 장착은, 예를 들면, 반도체 제조 장치(1)의 조립시나 반도체 제조 장치(1)의 유지 보수시에 실행될 수 있다.
플러그(80)의 장착시에는, 우선, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 히터 필터(77)측의 플러그(80) 및 제 1 수지 커버(81)를 하방으로부터 정전 척(40)측의 소켓(90) 및 제 2 수지 커버(91)에 접근시킨다. 도 7의 (a)에서는 위치 어긋남이 생기고 있으며, 제 2 수지 커버(91)의 선단부의 우측 하단의 테이퍼 형상과 제 1 수지 커버(81)의 선단부의 우측 상단의 테이퍼 형상이 접촉하고 있다(화살표(F)로 나타내고 있다).
이 때, 제 2 수지 커버(91)의 선단부는 제 1 수지 커버(81)의 선단부에 가이드된다. 이것에 의해, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 정전 척(40)측의 전력공급부 커버 구조체(76)가 지면의 우측에서 좌측으로 슬라이드 이동한다. 이 결과, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 플러그(80)와 소켓(90)의 위치 어긋남이 자동 보정되며, 플러그(80)가 소켓(90)의 바로 아래에 위치되게 된다.
다음에, 도 7의 (d)에 도시한 바와 같이, 히터 필터(77)측의 전력공급부 커버 구조체(76)를 상승시키고, 도 7의 (e)에 도시한 바와 같이, 히터 필터(77)측의 전력공급부 커버 구조체(76)를 더욱 상승시켜서 플러그(80)를 소켓(90)의 선단부의 개구에 삽입한다. 도 7의 (f)에 도시한 바와 같이, 플러그(80)의 삽입이 완료되었을 때, 플러그(80)와 소켓(90)으로 구성되는 단자는 제 1 수지 커버(81)에 의해 시일된 상태에서 보호된다. 또한, 소켓(90) 및 제 2 수지 커버(91) 사이의 간극(S)에 의해, 단자의 주변에 드라이 에어를 공급하기 위한 순환 경로가 형성된다.
상기의 설명에서는 히터 필터(77)측을 정전 척(40)측에 접근하는 움직임을 나타냈지만, 히터 필터(77)측이 고정된 상태에서 정전 척(40)(탑재대(12))측을 하방으로 움직여서, 히터 필터(77)의 소켓(90) 및 제 2 수지 커버(91)를 히터 필터(77)측의 플러그(80) 및 제 1 수지 커버(81)에 근접시킬 수도 있다.
이상, 전력공급부 커버 구조체(76)의 플러그(80)의 장착시의 동작 예에 대해 설명했다. 이러한 전력공급부 커버 구조체(76)에 의하면, 제 1 수지 커버(81) 및 제 2 수지 커버(91)의 가이드 기능과 정전 척(40)측의 전력공급부 커버 구조체(76)의 플로팅 구조를 이용한 슬라이드 기능에 의해, 플러그(80)와 소켓(90)의 자동 위치맞춤이 가능해져, 작업성의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 상기 커버 구조체에 의해 전력공급부 커버 구조체(76) 내를 간이적으로 시일하고, 드라이 에어를 단자의 주변으로 순환시키는 경로를 형성할 수 있다. 이것에 의해, 단자의 결로를 방지할 수 있다.
이상, 상기 실시형태에 의해 전력공급부 커버 구조체 및 반도체 제조 장치의 일 실시형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 개량이 가능하다. 또한, 상기 실시형태 및 변형예를 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
예를 들면, 본 발명에 따른 전력공급부 커버 구조체는, 용량 결합형 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma) 장치 뿐만 아니라, 그 이외의 반도체 제조 장치에 적용 가능하다. 그 이외의 반도체 제조 장치로서는, 유도 결합형 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma), 래디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치, 헬리콘파 여기형 플라즈마(HWP : Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR : Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치 등이어도 좋다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치에 의해 처리되는 기판은 웨이퍼에 한정되지 않으며, 예를 들면, 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display)용의 대형 기판, EL 소자 또는 태양 전지용의 기판이어도 좋다.
1 : 반도체 제조 장치
10 : 챔버
12 : 탑재대
31 : 제 1 고주파 전원
32 : 제 2 고주파 전원
40 : 정전 척
44 : 교류 전원
48 : 제어부
75 : 히터
76 : 전력공급부 커버 구조체
77 : 히터 필터
80 : 플러그
81 : 제 1 수지 커버
81a : 제 1 수지 커버의 선단부
90 : 소켓
91 : 제 2 수지 커버
91a : 제 2 수지 커버의 선단부
91b : 매달림부
92 : 제 3 수지 커버
S : 간극
E : 드라이 에어의 순환 경로

Claims (8)

  1. 소켓과 플러그가 끼워맞추어진 전력공급부와,
    상기 전력공급부를 덮고, 상기 전력공급부를 시일하는 커버 구조체와,
    상기 커버 구조체 내에 드라이 에어 또는 불활성 가스를 공급하는 공급 기구를 구비하고,
    상기 드라이 에어 또는 불활성 가스는 상기 전력공급부와 상기 커버 구조체 사이의 간극을 통하여 상기 커버 구조체의 내부에 공급되는
    전력공급부 커버 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,　
    상기 소켓은 정전 척에 장착되며,
    상기 플러그는 히터 필터에 장착되는
    전력공급부 커버 구조체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 소켓은 상기 정전 척에 대하여 슬라이드 가능하게 지지되어 있는
    전력공급부 커버 구조체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커버 구조체는 상기 소켓을 커버하는 제 1 커버 구조체 및 상기 플러그를 커버하는 제 2 커버 구조체를 구비하는
    전력공급부 커버 구조체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 커버 구조체 및 상기 제 2 커버 구조체 중 적어도 하나의 선단부는 테이퍼 형상으로 형성되는
    전력공급부 커버 구조체.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 커버 구조체 및 상기 제 2 커버 구조체 중 적어도 하나는 절연체로 구성되는
    전력공급부 커버 구조체.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 커버 구조체 및 상기 제 2 커버 구조체는 수지로 구성되는
    전력공급부 커버 구조체.
  8. 탑재대 상의 정전 척과,
    상기 정전 척에 마련된 히터와,
    상기 히터에 접속되는 전력공급부를 갖는 전력공급부 커버 구조체와,
    상기 히터에 전류를 공급하는 전원을 구비하며,
    상기 전력공급부 커버 구조체는,
    소켓과 플러그가 끼워맞추어진 상기 전력공급부와,
    상기 전력공급부를 덮고, 상기 전력공급부를 밀폐하는 커버 구조체와,
    상기 커버 구조체 내에 드라이 에어 또는 불활성 가스를 공급하는 공급 기구를 구비하고,
    상기 드라이 에어 또는 불활성 가스는 상기 전력공급부와 상기 커버 구조체 사이의 간극을 통하여 상기 커버 구조체의 내부에 공급되는
    반도체 제조 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200072687A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치의 파워 로드 커넥터 및 기판 처리 장치
KR20220007269A (ko) * 2020-07-10 2022-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5973731B2 (ja) * 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
CN107431040B (zh) * 2015-04-15 2020-10-16 株式会社爱发科 吸附装置、真空处理装置
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9484678B1 (en) * 2015-09-22 2016-11-01 Tyco Electronics Corporation Electrical cage member having standoff features
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
JP6843089B2 (ja) * 2018-04-09 2021-03-17 東京エレクトロン株式会社 結露防止方法および処理装置
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
JP7372224B2 (ja) * 2020-10-16 2023-10-31 日本碍子株式会社 ウエハ載置台
US20220359255A1 (en) * 2021-05-10 2022-11-10 Applied Materials, Inc. Cryogenic micro-zone electrostatic chuck connector assembly
KR20240023131A (ko) * 2021-06-21 2024-02-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세스 챔버들의 라디오 주파수 전극 임피던스들을 제어하기 위한 방법들 및 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047657A (ja) * 2006-08-12 2008-02-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック装置
JP2011222931A (ja) * 2009-12-28 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP2013143512A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100260587B1 (ko) * 1993-06-01 2000-08-01 히가시 데쓰로 정전척 및 그의 제조방법
JP3870824B2 (ja) * 2001-09-11 2007-01-24 住友電気工業株式会社 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置
JP2004014920A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 Sumitomo Wiring Syst Ltd ケーブル連結部構造
US8038796B2 (en) * 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
TWI309489B (en) * 2006-09-26 2009-05-01 Delta Electronics Inc Foldable electrical connector and power supply apparatus using the same
JP2009170509A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Hitachi High-Technologies Corp ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置
KR101785588B1 (ko) * 2009-05-20 2017-10-16 에이비비 슈바이쯔 아게 고전압 가스-절연 스위치기어 시스템의 두 모듈의 플러그-인 1차 전력 접속부
EP2325628B1 (de) * 2009-11-23 2013-06-26 Mettler-Toledo AG Thermoanalysevorrichtung
WO2012051510A2 (en) * 2010-10-14 2012-04-19 Gregory Thomas Mark Actively cooled electrical connection
US20130026711A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Jeremie Olsen Method, system, and apparatus for blackjack insurance

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047657A (ja) * 2006-08-12 2008-02-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック装置
JP2011222931A (ja) * 2009-12-28 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP2013143512A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200072687A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치의 파워 로드 커넥터 및 기판 처리 장치
KR20220007269A (ko) * 2020-07-10 2022-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛

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