TWI644392B - Power supply unit cover structure and semiconductor manufacturing device - Google Patents

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TWI644392B
TWI644392B TW104102039A TW104102039A TWI644392B TW I644392 B TWI644392 B TW I644392B TW 104102039 A TW104102039 A TW 104102039A TW 104102039 A TW104102039 A TW 104102039A TW I644392 B TWI644392 B TW I644392B
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阪根亮太
喜多川大
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

提供一種可防止供電部之結露的供電部覆蓋構造及半導體製造裝置。
提供一種供電部覆蓋構造，係具有：供電部，係插座與插頭會嵌合；覆蓋構造，係包覆該供電部，並密閉該供電部；以及供給機構，係將乾空氣或非活性氣體供給至該覆蓋構造內；該乾空氣或非活性氣體係通過該供電部與該覆蓋構造之間的間隙而被供給至該覆蓋構造內部。

Description

供電部覆蓋構造及半導體製造裝置
本發明係關於一種供電部覆蓋構造及半導體製造裝置。
在藉由蝕刻等來微細加工半導體晶圓(以下，稱為晶圓)之半導體製造裝置中，係以控制載置有晶圓之靜電夾具(ESC：Electrostatic Chuck)的溫度來控制蝕刻速率等。近年來，提議有一種以將加熱器組裝至靜電夾具內，並使用加熱器來直接加熱靜電夾具以提高溫度控制的加熱器內藏型之靜電夾具。
例如，提議有一種將靜電夾具分割為複數區域(ZONE)，並於各區域一個個內藏加熱器，而藉由各加熱器來獨立溫度控制各區域之機構。複數加熱器係連接有交流電源，並從交流電源來供給電流至各加熱器。組裝至靜電夾具內之加熱器及隔熱器之間係設置有用以將來自交流電源之電流供給至加熱器的供電部。該供電部係以將隔熱器側之插頭插入至靜電夾具側之插座來連接於加熱器，並將電流供給至加熱器。
然而，在將隔熱器側之插頭插入連接至靜電夾具側之插座時，會因靜電夾具側之插座與隔熱器側之插頭的位移，便有插頭在插入插座前彎曲，而難以將插頭插入至插座之情況。在插頭彎曲較大的情況，由於相對於插座，插頭前端會歪斜，故有難以將插頭插入至插座的情況。
又，半導體製造裝置之下部空間會容易讓來自外部之周邊空氣進入。當水分進入至位於裝置下部側之供電部內部時，便有因結露而使得供電部燒毀之問題。因此，供電部附近之結露防止對策便變得重要。作為結露防止對策之一範例，係有密閉半導體裝置之下部空間，而以乾空氣來填充下 部空間的方法。在即便如此仍不夠的情況，則採用將乾空氣直接導入至供電部內部，以防止結露的方法。
然而，由於在獨立溫度控制複數區域之機構中係設置有複數供電部，故需要有將乾空氣分別導入至各複數供電部之機構，而使得構件數量增加，亦會使得組裝時的作業變得繁雜。
針對上述課題，一面相中，其目的在於提供一種可防止供電部之結露的供電部覆蓋構造及半導體製造裝置。
為了解決上述課題，根據一態樣乃提供一種供電部覆蓋構造，係具有：供電部，係插座與插頭會嵌合；覆蓋構造，係包覆該供電部，並密閉該供電部；以及供給機構，係將乾空氣或非活性氣體供給至該覆蓋構造內；該乾空氣或非活性氣體會通過該供電部與該覆蓋構造之間的間隙而被供給至該覆蓋構造內部。
根據一態樣，便可提供一種可防止供電部之結露的供電部覆蓋構造及半導體製造裝置。
1‧‧‧半導體製造裝置
10‧‧‧腔室
12‧‧‧載置台
31‧‧‧第1高頻電源
32‧‧‧第2高頻電源
40‧‧‧靜電夾具
44‧‧‧交流電源
48‧‧‧控制部
75‧‧‧加熱器
76‧‧‧供電部覆蓋構造
77‧‧‧隔熱器
80‧‧‧插頭
81‧‧‧第1樹脂覆蓋體
81a‧‧‧第1樹脂覆蓋體之前端部
90‧‧‧插座
91‧‧‧第2樹脂覆蓋體
91a‧‧‧第2樹脂覆蓋體之前端部
91b‧‧‧垂掛部
92‧‧‧第3樹脂覆蓋體
S‧‧‧間隙
E‧‧‧乾空氣循環路徑
圖1係顯示一實施形態相關之半導體製造裝置的縱剖面之圖式。
圖2係顯示一實施形態相關之供電部覆蓋構造的插頭側結構例的圖式。
圖3係顯示一實施形態相關之供電部覆蓋構造的插座側結構例的圖式。
圖4係顯示一實施形態相關之供電部覆蓋構造的縱剖面一範例之圖式。
圖5係用以說明針對一實施形態相關之供電部覆蓋構造的位移之對策的圖式。
圖6係顯示一實施形態相關之乾空氣的供給機構一範例之圖式。
圖7係顯示一實施形態相關之插頭安裝時的動作例之圖式。
以下，便參照圖式，就用以實施本發明之形態來加以說明。另外，本說明書及圖式中，關於實質上相同之構成係藉由附加相同符號來省略重複 的說明。
[半導體製造裝置之整體構成]
首先，關於本發明一實施形態相關之半導體製造裝置1的整體構成，係參照圖1來加以說明。圖1係本發明一實施形態相關之半導體製造裝置1的整體構成圖。本實施形態中，作為半導體製造裝置1之一範例係舉例有電容耦合型電漿蝕刻裝置。半導體製造裝置1係具有例如由表面經氧化鋁膜處理(陽極氧化處理)之鋁所構成的圓筒形真空腔室(處理容器)10。腔室10係接地。
腔室10內係設置有載置台12。載置台12係例如由鋁Al或鈦Ti、碳化矽SiC等材質所構成，並透過絕緣性保持部14來被從腔室10之底部延伸於垂直上方的支撐部16所支撐。
腔室10側壁與支撐部16之間係形成有排氣路徑20。排氣路徑20係安裝有環狀隔板22。排氣路徑20底部係設置有形成排氣口24之排氣管26，排氣管26係連接於排氣裝置28。排氣裝置28係由渦輪分子泵或乾式泵等真空泵所構成，並將腔室10內之處理空間減壓至既定真空度。腔室10側壁係安裝有開閉晶圓W之搬出入口的搬送用閘閥30。
載置台12係透過匹配器33來連接有用以激發電漿之第1高頻電源31，並透過匹配器34來連接有用以將離子吸引至晶圓W側的第2高頻電源32。例如，第1高頻電源31係將適於在腔室10內生成電漿用之頻率，例如60MHz的高頻電力施加至載置台12。第2高頻電源32係將適於吸引電漿中之離子至載置台12上的晶圓W的低頻率，例如0.8MHz之高頻電力施加至載置台12。如此一來，載置台12便具有載置晶圓W，且作為下部電極之機能。
載置台12上面係設置有以靜電吸附力來保持晶圓W用之靜電夾具40。靜電夾具40係將由導電膜所構成之電極40a夾置於一對絕緣層40b(或絕緣薄膜)之間，電極40a係透過開關43來連接有直流電壓源42。靜電夾具40係藉由來自直流電壓源42之電壓，以庫倫力將晶圓W吸附保持於靜電夾具上。靜電夾具40周緣部係為了提高蝕刻的面內均勻性，而配置有由例如矽或石英等所構成的聚焦環18。
腔室10之頂部係設置有作為接地電位之上部電極的噴淋頭38。藉此，來自第1高頻電源31之高頻電力便會被電容性地施加至載置台12與噴淋頭38之間。
頂部之噴淋頭38係具備有多數氣體通氣孔56a之電極板56，以及可裝卸自如地支撐電極板56之電極支撐體58。氣體供給源62係透過氣體供給配管64來將氣體從氣體導入口60a供給至噴淋頭38內。氣體係從多數氣體通氣孔56a被導入至腔室10內。腔室10周圍係配置有環狀或同心圓狀地延伸之磁鐵66，並藉由磁力來控制生成於上部電極及下部電極間的電漿生成空間之電漿。
靜電夾具40係埋設有加熱器75a、75b、75c、75d、75e(以下，亦統稱為「加熱器75」)。加熱器75亦可貼附於靜電夾具40內面來取代埋設於靜電夾具40內。
加熱器75a、75b、75c、75d、75e係分別連接於供電部覆蓋構造76a、76b、76c、76d、76e(以下，亦統稱為「供電部覆蓋構造76」)。供電部覆蓋構造76a、76b、76c、76d、76e係設置於加熱器75a、75b、75c、75d、75e與隔熱器77a、77b、77c、77d、77e(以下，亦統稱為「隔熱器77」)之間。
如後述般，供電部覆蓋構造76係具有供電部及覆蓋構造，且具有防止供電部之位移及防止結露的機能。隔熱器77係由例如線圈所形成，並以去除從第1高頻電源31及第2高頻電源32所施加的高頻電力，來保護交流電源44。
另外，供電部覆蓋構造76及隔熱器77雖在說明便捷上，並列地配置於圖1所示之位置，但不限於此，亦可配置於可分別連接至各加熱器75的任何位置。藉由相關構成，加熱器75便會透過供電覆蓋構造76及隔熱器77來連接於交流電源44，並從交流電源44供給電流。
藉由利用未圖示的冷卻單元之載置台的冷卻及利用加熱器75之加熱，來獨立溫度控制靜電夾具40之各區域，藉此，便能調整晶圓W為所欲溫度。又，該等溫度控制係基於來自控制部48之指令而加以進行。控制部48係具有未圖示之CPU、ROM、RAM，並依照記憶於RAM等的配方所設定之順序，來控制蝕刻處理或溫度控制處理。
分割加熱器75之個數可為一個或兩個以上。需要與所分割之加熱器75之個數相同個數的供電部覆蓋構造76及隔熱器77。
相關構成之半導體製造裝置1中，在進行蝕刻等處理時，首先，晶圓W會在保持於未圖示之搬送臂上的狀態下，從開口之閘閥30搬入至腔室10內。晶圓W係在靜電夾具40上方藉由未圖示之推動銷來加以保持，並藉由推動銷下降來載置於靜電夾具40上。閘閥30係在將晶圓W搬入後關閉。腔室10內之壓力係藉由排氣裝置28來減壓至設定值。氣體會從噴淋頭38噴淋狀地導入至腔室10內。既定功率之高頻電力會施加至載置台12。又，藉由將來自直流電壓源42之電壓施加至靜電夾具40之電極40a，晶圓W便會被靜電吸附於靜電夾具40上。
藉由高頻電力來讓被導入之氣體電離或解離，便會生成電漿，並藉由電漿之作用來對晶圓W進行蝕刻等處理。
在結束電漿蝕刻後，晶圓W係被保持於搬送臂上，而被搬出腔室10外部。藉由重複此處理來連續處理晶圓W。以上，便已就本實施形態相關之半導體製造裝置1之整體構成來加以說明。
[供電部覆蓋構造：位置之修正]
接著，關於本實施形態相關之供電部覆蓋構造76的一範例，係參照圖2~圖4來加以說明。圖2係顯示本發明一實施形態相關之供電部覆蓋構造76的插頭側之構成例。圖3係顯示本發明一實施形態相關之供電部覆蓋構造76的插座側之構成例。圖4係顯示本發明一實施形態相關之供電部覆蓋構造76的縱剖面一範例。另外，圖1中所示之供電部覆蓋構造76a、76b、76c、76d、76e係具有相同構造。因此，下述中，便藉由說明一個供電部覆蓋構造76之構成來作為說明所有的供電部覆蓋構造76a、76b、76c、76d、76e之構成。
圖2(a)係隔熱器77側之供電部覆蓋構造76a的立體圖，圖2(b)係進一步地從上方顯示圖2(a)之區域A所表示的供電部覆蓋構造76a。隔熱器77側之供電部覆蓋構造76a係具有2根插頭80及第1樹脂覆蓋體81。第1樹脂覆蓋體81係形成有2個孔。各插頭80係在各孔中央與孔側壁之間設有空間的狀態下從隔熱器77垂直地加以延伸。如此一來，2根插頭80係藉由樹脂覆蓋體81來加以包覆保護。設置於第1樹脂覆蓋體81之空間係收納 有後述之插座。第1樹脂覆蓋體81係覆蓋插座80之第1覆蓋構造的一範例。
圖3(a)係靜電夾具40側之供電部覆蓋構造76b的圖式，圖3(b)係將圖3(a)之區域B所表示的供電部覆蓋構造76b上下顛倒來顯示的圖式。靜電夾具40側的供電部覆蓋構造76b係具有2根插座90及包覆插座90之第2樹脂覆蓋體91。2根插座90係藉由第2樹脂覆蓋體91來加以包覆保護。以下，亦統稱隔熱器77側之供電部覆蓋構造76a及靜電夾具40側之供電部覆蓋構造76b為供電部覆蓋構造76。第2樹脂覆蓋體91係覆蓋插頭80之第2覆蓋構造的一範例。
圖4下部所示之供電部覆蓋構造76a的2根插頭80係相當於公端子，圖4上部所示之供電部覆蓋構造76b的2根插座90係相當於母端子。藉由將2根插頭80插入至2根插座90來嵌合插頭80與插座90，而具有成為供給電流之供電部的機能。以下，便將已嵌合之插頭80與插座90稱為「供電部」或「端子」。在插頭80與插座90已嵌合的狀態係如圖6所示，在之後加以說明。
2根插頭80及2根插座90係由金屬所構成。第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體91係絕緣體，較佳地係使用例如PEEK(聚醚醚酮)等具有機械強度之低摩擦係數合成樹脂。於第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體91使用樹脂是為了絕緣2根插頭80及插座90所構成之端子，及保護其端子。
關於第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋91其一者或兩者雖可為金屬或陶瓷等，但樹脂覆蓋體之材質係需要考量到插頭間或插座間之絕緣及安裝時覆蓋體彼此之接觸，及覆蓋體與端子部分接觸的情況來加以選擇。由此觀點看來，第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體91較佳地都係以樹脂來加以形成。
第1樹脂覆蓋體81之前端部81a係具有朝向內側傾斜的錐狀。同樣地，第2樹脂覆蓋體91之前端部91a係具有朝向外側及內側傾斜的錐狀。藉此，便會將2根插座90及第2樹脂覆蓋體91導引至第1樹脂覆蓋體81的內部空間，將2根插頭80導引至2根插座90。藉此，便可將插頭90及第2樹脂覆蓋體91插入至第1樹脂覆蓋體81之空間內，而滑順地嵌合插頭80與 插座90。第1樹脂覆蓋體81或第2樹脂覆蓋體91係包覆供電部，並密封該供電部之覆蓋構造的一範例。
進一步地，靜電夾具40側的供電部覆蓋構造76b係成為浮動構造。亦即，2根插座90及第2樹脂覆蓋體91係在載置台12下面，藉由以樹脂來加以形成的第3樹脂覆蓋體92而在垂掛的狀態下被加以支撐。第2樹脂覆蓋體91係藉由固定構件93而可滑動地被加以支撐。在說明具體的構成時，第2樹脂覆蓋體91上端部係形成有突出於外周側的垂掛部91b，並在垂掛於固定構件93的狀態下被加以支撐。第2樹脂覆蓋體91及固定構件93之間係環狀地形成有缺口G。藉此，第2樹脂覆蓋體91係在保持插座90的狀態下最大可橫向滑動2倍缺口G之距離。插座90係從第2樹脂覆蓋體91上部開口突出，並貫穿環狀構件94內，而插入至第3樹脂覆蓋體92內部。第3樹脂覆蓋體92係與載置台12直接或透過保持部14來被加以支撐。
根據相關構成之供電部覆蓋構造76，係於第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體91形成有錐狀前端部81a、91a。藉此，在安裝插頭80時，會沿著第1樹脂覆蓋體81之前端部81a的錐狀來引導第2樹脂覆蓋體91，而靜電夾具40側的供電部覆蓋構造76b會適當地滑動。其結果，便會自動地修正隔熱器77側的供電部覆蓋構造76a與靜電夾具40側的供電部覆蓋構造76b的位移。
根據相關構成，供電部覆蓋構造76a係藉由第1樹脂覆蓋體81來覆蓋插頭80，而成為具有以第1樹脂覆蓋體81之厚度來引導之機能的構造。又，供電部覆蓋構造76b並非藉由第2樹脂覆蓋體91包覆插座90而將插座90自身成為特殊形狀，而是成為藉由第2樹脂覆蓋體91之厚度來引導之機能的構造。
另外，本實施形態中，第1樹脂覆蓋體81之前端部81a及第2樹脂覆蓋體91之前端部91a都形成為錐狀。然而，並不限於此，較佳地，第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體91之至少一者的前端部為錐狀。另外，在將插頭80安裝至插座90時所假定之最大偏差量越大，則前端部錐形的長度需越長。
進一步地，如圖5所示，在隔熱器77會在傾斜的狀態下被安裝於固定器具78的情況，插座90與插頭80之位置會成為偏移於水平方向及傾斜方 向的狀態。該情況，在圖5所示之區域C中，傾斜的隔熱器77係藉由形成於第1樹脂覆蓋體81與第2樹脂覆蓋體91的錐狀來加以引導。在此般引導的狀態下，靜電夾具側之供電部覆蓋構造76a會以適當地滑動來自動地修正供電部覆蓋構造76a、76b之位移。
位置經修正的隔熱器77側之插頭80係因被插入靜電夾具40側之插座90，而使得插頭80與插座90電連接，藉此，便結束供電部覆蓋構造76之安裝。
如圖4所示，由嵌合後的插座90及插頭80所構成之端子係在第3樹脂覆蓋體92內部連接於電線95。電線95係構成與靜電夾具40內之加熱器75連接的電源線路。如此一來，藉由在插座90與插頭80對位後來嵌合，便不會讓端子損傷，而加熱器75會成為透過供電部覆蓋構造76來與交流電源44電連接的狀態。
以上，已就將靜電夾具40側之供電部覆蓋構造76b為可滑動之浮動構造，並具有引導機能的供電部覆蓋構造76來加以說明。據此，便可自動修正插頭80與插座90之位移，並將插頭80與插座90自對準(對位)。
[供電部覆蓋構造：結露防止]
接著，關於設置於供電部覆蓋構造76用以防止結露的乾空氣供給機構，係參照圖6來加以說明。圖6係顯示一實施形態相關之乾空氣供給機構一範例之圖式。圖6(a)係配置於載置台12(參照圖1)下面所設置之第3樹脂覆蓋體92與隔熱器77之間的供電部覆蓋體構造76之立體圖。圖6(b)係以D-D剖面來切斷圖6(a)之第3樹脂覆蓋體92及供電部覆蓋構造76時的縱剖面圖。
如上述說明，根據本實施形態相關之供電部覆蓋構造76，第1樹脂覆蓋體81係在內部收納插座90與第2樹脂覆蓋體91的狀態下，包覆供電部覆蓋構造76整體，以保護端子。又，藉由將第1樹脂覆蓋體81與第2樹脂覆蓋體91之間隙為最小限度，便能充分密封供電部覆蓋構造76內部。關於密封之理由係如下說明。
如上述，供電部覆蓋構造76係具有將插頭80與插座90自對準之機能。根據該自對準之機能，便無需考量到插頭80安裝時之位移，而大於需求地設計插座90之孔徑。因此，便可將第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體 91之間的間隙最小限度地抑制。藉此，在第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體91之間便會難以流通乾空氣，而無需使用O型環等密封構件，並可藉由覆蓋構造來將供電部覆蓋構造76內簡易地密封。因此，根據本實施形態相關之供電部覆蓋構造76，便可使用少量形狀較單純之構件來製造，且在成本面上亦為有利。
圖6(a)係為了可目視於供電部覆蓋構造76內供給乾空氣的供給機構，而讓供電部覆蓋構造76的一部分露出表示。藉由乾空氣供給機構，便形成有乾空氣循環路徑E。
乾空氣循環路徑E係在供電部覆蓋構造76及第3樹脂覆蓋體92內部讓乾空氣循環的路徑。供電部覆蓋構造76係藉由第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體91來加以密封。又，第3樹脂覆蓋體92上面係與載置台12下面直接或透過保持部14來加以密合。
如圖4所示，插座90及第2樹脂覆蓋體91之間係設置有間隙S。藉由此般於插座90及第2樹脂覆蓋體91之間設置有間隙S，便可於供電部覆蓋構造76之端子周邊形成乾空氣循環路徑。藉由讓乾空氣循環於循環路徑E，便可防止端子結露。較佳地，間隙S係可讓有助於防止結露程度的乾空氣循環之最小限度空間。
如此般，供電部覆蓋構造76為了端子之防止結露，係只要具有讓乾空氣在端子周邊循環的路徑即可，由於無需將供電部覆蓋構造76內完全密封，故如本實施形態所示般，利用該覆蓋構造的簡易密封便十分足夠。
供電部覆蓋構造76係設置有導入乾空氣之氣體配管100。本實施形態中，氣體配管100雖設置於隔熱器77側之樹脂覆蓋體81，但不限於此，亦可設置於靜電夾具40側之樹脂覆蓋體92。由於供電部覆蓋體構造76被密封，故只要設置有一處導入乾空氣之入口即可。
乾空氣係有助於防止結露之氣體一範例。供給至循環路徑E之氣體只要為有助於防止結露之氣體的話，則可為任何氣體。作為其他氣體的範例，亦可為氮氣(N2)等非活性氣體。
氣體配管100內部係與插座90及第2樹脂覆蓋體91之間的間隙S連通。如上述，由於將第1樹脂覆蓋體81第2樹脂覆蓋體91之間的間隙S為最小，而乾空氣難以從將第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體91之間 的間隙S溢漏至外部。藉此，若是從設置於隔熱器77側之一個氣體配管100來導入從未圖示之乾空氣供給源所輸出的乾空氣的話，乾空氣便會循環於循環路徑E。亦即，乾空氣便會通過氣體配管100→一端之插座90與第2樹脂覆蓋體91之間的間隙S→第3樹脂覆蓋體92內部空間→另端插座90及第2樹脂覆蓋體91之間的間隙S。藉此，便可防止端子及其周邊的周邊結露。
另外，由嵌合後之插頭80及插座所構成之端子上端部(插座90上端部)係連接於第3樹脂覆蓋體92內之電線95。連接電線95之連接端子96係與靜電夾具40內之加熱器75連接。藉此，電線95係構成與靜電夾具40內之加熱器連接的電源線路。
以上，已就本實施形態相關之乾空氣供給機構一範例及乾空氣循環路徑E來加以說明。
[插頭之安裝]
最後，關於供電部覆蓋構造76的插頭80安裝時之動作例，係參照圖7來加以說明。圖7係顯示一實施形態相關之供電部覆蓋構造的插頭80之安裝時的動作一範例。圖7所示之插頭80的安裝係可在半導體製造裝置1之安裝或半導體製造裝置1之維護時來加以實行。
插頭80安裝時，首先圖7(a)所示，係將隔熱器77側之插頭80及第1樹脂覆蓋體81從下方靠近靜電夾具40側之插座90及第2樹脂覆蓋體91。圖7(a)中係產生有位移，而使得第2樹脂覆蓋體91之前端部右下錐形與第1樹脂覆蓋體81之前端部右上錐形接觸(以箭頭F來加以表示)。
此時，第2樹脂覆蓋體91之前端部會被引導於第1樹脂覆蓋體81之前端部。藉此，圖7(b)所示，靜電夾具側40之供電部覆蓋構造76會從紙面右側朝左側滑動。其結果如圖7(c)所示，會自動修正插頭80與插座90之位移，而插頭80會定位在插座90之正下方。
接著，如圖7(d)所示，讓隔熱器77側之供電部覆蓋構造76上升，如圖7(e)所示，進一步地讓隔熱器77側之供電部覆蓋構造76上升，以將插頭80插入至插座90之前端部開口。如圖7(f)所示，在結束插頭80之插入時，由插頭80與插座90所構成之端子係藉由第1樹脂覆蓋體81在密封的狀態 下被加以保護。又，藉由插座90及第2樹脂覆蓋體91之間的間隙S，便會形成用以將乾空氣供給至端子周邊的循環路徑。
上述說明中，雖已表示將隔熱器77靠近靜電夾具40側之動作，但亦可在固定隔熱器77側的狀態下，將靜電夾具40(載置台12)側移動至下方，而將隔熱器77側之插座90及第2樹脂覆蓋體91朝隔熱器77側之插頭80及第1樹脂覆蓋體81靠近。
以上，已就供電部覆蓋構造76之插頭80的安裝時之動作來加以說明。根據相關之供電部覆蓋構造76，便可藉由使用第1樹脂覆蓋體81及第2樹脂覆蓋體91之引導機能與靜電夾具40側之供電部覆蓋構造76的浮動構造的滑動機能，來自動對位插頭80與插座90，而可謀求作業性之提升。
又，可藉由該覆蓋構造來將供電部覆蓋構造76內簡易地密封，而形成讓乾空氣在端子周邊循環之路徑。藉此，便可防止端子結露。
以上，雖已藉由上述實施形態來說明關於供電部覆蓋構造及半導體製造裝置之一實施形態，但本發明並不被限定於上述實施形態，而可在本發明範圍內有各種變形及改良。又，亦可在不矛盾之範圍內來將上述實施形態及變形例加以組合。
例如，本發明相關之供電部覆蓋構造不僅適用於電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)裝置，亦可適用於其他半導體製造裝置。其他半導體製造裝置亦可為感應耦合型電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)、使用徑向線縫天線之CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置、螺旋波激發型電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)裝置、電子迴旋共振電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)裝置。
又，藉由本發明相關之半導體裝置所處理的基板並不限於晶圓，亦可為例如平面顯示器(Flat Panel Display)用之大型基板、EL元件或太陽能電池用基板。

Claims (12)

  1. 一種供電部覆蓋構造，係具有：供電部，係插座與插頭會嵌合；覆蓋構造，係包覆該供電部，並密閉該供電部；以及供給機構，係將乾空氣或非活性氣體供給至該覆蓋構造內；該覆蓋構造係具有覆蓋該插頭之第1覆蓋構造與覆蓋該插座之第2覆蓋構造；該插座與該第2覆蓋構造之間係形成有間隙，且該第1覆蓋構造係將該插座與該第2覆蓋構造收納在內部；藉由該供給機構而被供給至該覆蓋構造的內部之該乾空氣或非活性氣體會通過該間隙。
  2. 如申請專利範圍第1項之供電部覆蓋構造，其中該插座係被安裝於靜電夾具；該插頭係被安裝於隔熱器。
  3. 一種供電部覆蓋構造，係具有：供電部，係插座與插頭會嵌合；覆蓋構造，係包覆該供電部，並密閉該供電部；以及供給機構，係將乾空氣或非活性氣體供給至該覆蓋構造內該乾空氣或非活性氣體係通過該供電部與該覆蓋構造之間的間隙而被供給至該覆蓋構造的內部；該覆蓋構造係具有覆蓋該插頭之第1覆蓋構造與覆蓋該插座之第2覆蓋構造，且該第1覆蓋構造係將該插座與該第2覆蓋構造收納在內部；該插座係被安裝於靜電夾具，該插頭係被安裝於隔熱器，該插座係相對於該靜電夾具而可滑動地被加以支撐。
  4. 如申請專利範圍第3項之供電部覆蓋構造，其中該第1覆蓋構造及該第2覆蓋構造之至少一者的前端部係形成為錐狀。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之供電部覆蓋構造，其中該第1覆蓋構造及該第2覆蓋構造之至少一者係以絕緣體來加以構成。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之供電部覆蓋構造，其中該第1覆蓋構造及該第2覆蓋構造係以樹脂來加以構成。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之供電部覆蓋構造，其中該第1覆 蓋構造係將該第1覆蓋構造與該第2覆蓋構造密封。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之供電部覆蓋構造，其中該覆蓋構造係具有以垂掛的狀態來支撐該插座與該第2覆蓋構造之第3覆蓋構造。
  9. 如申請專利範圍第8項之供電部覆蓋構造，其中該第3覆蓋構造係將自該第2覆蓋構造的上部開口突出之該插座收納在內部。
  10. 如申請專利範圍第8項之供電部覆蓋構造，其中該覆蓋構造係具有覆蓋二個該插座之二個該第2覆蓋構造；該供給機構會使該乾空氣或非活性氣體從二個該插座與二個該第2覆蓋構造之間其中一該間隙通過該第3覆蓋構造的內部再到另一該間隙。
  11. 一種半導體製造裝置，係具備有：載置台上之靜電夾具；加熱器，係被設置於該靜電夾具；供電部覆蓋構造，係具有連接於該加熱器之供電部；以及電源，係將電流供給至該加熱器；該供電部覆蓋構造係具有：該供電部，係插座與插頭會嵌合；覆蓋構造，係包覆該供電部，並密閉該供電部；以及供給機構，係將乾空氣或非活性氣體供給至該覆蓋構造內；該覆蓋構造內係具有供給乾空氣或非活性氣體之供給機構；該覆蓋構造係具有覆蓋該插頭之第1覆蓋構造與覆蓋該插座之第2覆蓋構造；該插座與該第2覆蓋構造之間係形成有間隙，且該第1覆蓋構造係將該插座與該第2覆蓋構造收納在內部；藉由該供給機構而被供給至該覆蓋構造的內部之該乾空氣或非活性氣體會通過該間隙。
  12. 一種半導体製造装置，係具備有：載置台上之靜電夾具；加熱器，係被設置於該靜電夾具；供電部覆蓋構造，係具有連接於該加熱器之供電部；以及電源，係將電流供給至該加熱器；該供電部覆蓋構造具有：該供電部，係插座與插頭會嵌合；覆蓋構造， 係包覆該供電部，並密閉該供電部；以及供給機構，係將乾空氣或非活性氣體供給至該覆蓋構造內；該乾空氣或非活性氣體係通過該供電部與該覆蓋構造之間的間隙而被供給至該覆蓋構造的內部；該插座係安裝在靜電夾具，該插頭係安裝在隔熱器，該插座係相對於該靜電夾具而可滑動地被加以支撐。
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