JP2005213551A - 成膜装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板の大型化に伴ってこれを支持する基板支持部や成膜室が大型化しても、効率的なクリーニングを行える成膜装置及びそのクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】 成膜装置３０は、成膜室１０と、成膜室１０内に配設された略四角形状の基板支持部３ａと、基板支持部３ａに対向して配設され成膜ガスを成膜室１０内に導入するための多数の小孔を有するシャワープレート５と、シャワープレート５を介さずに直接成膜室１０内に連通されたガス導入口２０ａ〜２０ｄを有し、各ガス導入口２０ａ〜２０ｄが基板支持部３ａの四隅Ａ〜Ｄにそれぞれ向けられた少なくとも４本のクリーニングガス導入管２３ａ〜２３ｄと、成膜室１０の外部に設けられ各クリーニングガス導入管２３ａ〜２３ｄに接続されたラジカル生成源２１ａ〜２１ｄとを備える。
【選択図】 図２

Description

本発明は、成膜室の外部でクリーニングガスを励起してラジカルを生成させ、そのラジカルを含んだクリーニングガスを、シャワープレートを介さずに直接成膜室内に導入する構成を備えた成膜装置及びそのクリーニング方法に関する。

例えば、プラズマＣＶＤ装置などの成膜装置において、成膜工程を繰り返していくと、成膜対象である基板以外の部分（基板を載置支持する支持部や成膜室の内壁など）にも膜が付着堆積していく。そこで、この膜を取り除くクリーニングが成膜工程とは別に行われる。

例えば特許文献１では、ラジカルを含むクリーニングガスを、成膜時に使うシャワープレートを介さずに直接成膜室内に導入することで、シャワープレートの小孔をラジカルが通過する際のラジカルの消滅を防いでクリーニング効率の向上を図るようにしている。
特開２００２−６０９４９号公報

例えば、特許文献１には、一実施形態として、図５に示すように、ラジカル生成源２１と接続された１本のクリーニングガス導入管５１を真空槽２の側壁部２ｃの中央部に接続させ、ラジカルを含むクリーニングガスを、基板９を支持するために成膜室１０内に配設されている基板支持部３ａの１辺部１３ｃ側から導入するようにした構成が示されている。

また、他の実施形態として、図６に示すように、ラジカル生成源２１ａと接続されたクリーニングガス導入管５２ａを側壁部２ａにおける側壁部２ｂ寄りの位置に接続させ、ラジカル生成源２１ｂと接続されたクリーニングガス導入管５２ｂを側壁部２ｃにおける側壁部２ｄ寄りの位置に接続させ、ラジカルを含むクリーニングガスを、基板支持部３ａの対向する２辺部１３ａ、１３ｃ側からそれぞれ導入するようにした構成が示されている。

図５に示すように、クリーニングガス導入管５１から成膜室１０内に導入されたラジカルを含むクリーニングガスは、ガス導入口に近い部分からクリーニングを進行させ、時間経過とともにａ→ｂ→ｃ→ｄで示すようにクリーニング領域を広げていく。この場合、基板支持部３ａの四隅にあたる部分Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、ラジカルを含むクリーニングガスが到達しにくく、基板支持部３ａにおいて最後にクリーニングされる箇所になる。この傾向は成膜室１０が大型化するほど大きくなり、クリーニング時間を増大させる原因になっている。

なお、基板９の大型化に伴って成膜室１０の平面寸法も大型化されるが、高さ方向の寸法は平面寸法と同じ割合で大きくならない。したがって、真空槽２の側壁部に形成するガス導入口は、成膜室１０の高さの制約からそれほど大口径にできずガス導入量もそれほど大きくできない。また、１箇所から入れるガス量を増やしても大型化された成膜室１０では全体に行き渡るまでに時間がかかる。このため、ラジカルが消滅してしまう場合がある。

また、図６の構成では、四隅Ａ〜Ｄのうちでクリーニングガス導入管５２ａ、５２ｂのガス導入口近くの部分Ａ、Ｃにおけるクリーニング速度の低下は防げるが、ガス導入口から離れた部分Ｂ、Ｄにおいてはやはりクリーニング速度は低下してしまう。

すなわち、従来のクリーニングガス導入口の配置では、特に１ｍ²を超えるような大型化した基板に対応する成膜室を効率的にクリーニングするには不十分である。特に、基板支持部３ａの四隅Ａ〜Ｄは、成膜時に基板９で覆われる中央部に比べて汚れが激しく、この四隅Ａ〜Ｄのクリーニング速度を向上させることが成膜室全体のクリーニング時間の短縮につながる。

本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、基板の大型化に伴ってこれを支持する基板支持部や成膜室が大型化しても、効率的なクリーニングを行える成膜装置及びそのクリーニング方法を提供することにある。

以上の課題を解決するにあたり、本発明の成膜装置は、成膜室と、この成膜室内に配設された略四角形状の基板支持部と、この基板支持部に対向して配設され、成膜ガスを成膜室内に導入するための多数の小孔を有するシャワープレートと、このシャワープレートを介さずに直接成膜室内に連通されたガス導入口を有し、ガス導入口が基板支持部の四隅にそれぞれ向けられた少なくとも４本のクリーニングガス導入管と、成膜室の外部に設けられクリーニングガス導入管に接続されたラジカル生成源とを備えることを特徴としている。

また、以上の課題を解決するにあたり、本発明の成膜装置のクリーニング方法は、成膜室の外部でクリーニングガスを励起してラジカルを生成する工程と、ラジカルを含むクリーニングガスを、成膜室内に配設された略四角形状の基板支持部の四隅に向けて、成膜ガス導入用のシャワープレートを介さずに直接成膜室内に導入する工程とを有することを特徴としている。

本発明では、成膜時に基板によって覆われる中央部よりも汚れやすい部分であり、また基板の大型化に伴って基板支持部が大型化した場合にはクリーニングガスが行き届きにくい部分である四隅からクリーニングを開始させるようにしているので、その四隅におけるクリーニング速度の低下を防止できる。

なお、成膜室が大型化するにつれ、基板支持部における四隅間の部分である辺部（特に辺部の中央部）にクリーニングガスが行き届きにくくなる傾向にある。したがって、四隅に加えて、辺部に向けてもクリーニングガスを導入するようにしてもよい。

また、成膜室に導入される前のラジカルの搬送中における消滅を抑制する観点からは、ラジカルをなるべくガス導入口の近くで生成させたいので、ラジカル生成源を各クリーニングガス導入管ごとに用意し、各クリーニングガス導入管のガス導入口の近くにそれぞれのラジカル生成源を設けることが好ましい。

本発明の成膜装置または成膜装置のクリーニング方法によれば、ラジカルを含むクリーニングガスを基板支持部の四隅に向けて導入することで、従来は低下しがちだった四隅のクリーニング速度を向上させて、結果として、成膜室全体のクリーニング時間を短縮できる。特に大型基板対応の成膜室を効果的にクリーニングできる。

［第１の実施形態］
（成膜装置の構成）
図１及び図２に、本発明の第１の実施形態に係る成膜装置の一例としてプラズマＣＶＤ装置を示す。図１は真空槽２の縦断面図を、図２は成膜室１０を上から見た図を示す。

本実施形態に係る成膜装置３０は、内部空間が成膜室１０として機能する真空槽２を備えている。真空槽２の上壁部にはカソード電極４が設けられ、このカソード電極４と対向して、成膜室１０内にアノード電極３が配設されている。カソード電極４は高周波電源８と接続され、アノード電極３は接地されている。

アノード電極３の上面は、図２に示すように略四角形状（正方形でもよいし長方形でもよい）を呈し、基板支持部３ａとして機能する。また、略四角形状とは、図示のように角が直角に限らない。また、角が多少丸くなった（曲線状になった）ものも含む。

カソード電極４の上部を貫くように成膜ガス導入管１５が接続されている。カソード電極４の下部には、多数の小孔が形成されたシャワープレート５が取り付けられている。シャワープレート５は基板支持部３ａ及びこれに載置される基板９と対向される。シャワープレート５の平面形状は、例えば四角形状の基板９に合わせて四角形状を呈している。また、シャワープレート５の平面寸法は基板９の平面寸法より大きい。

図１に示すように、真空槽２の底部には排気口７が形成されている。排気口７は、図示しない真空ポンプや配管などからなる真空排気系に接続されている。

真空槽２の外部には、４個のラジカル生成源２１ａ〜２１ｄが設けられている（図２参照）。ラジカル生成源２１ａは、真空槽２の側壁部２ａと側壁部２ｂとで形成される角部の近傍に配設されている。ラジカル生成源２１ｂは、側壁部２ｂと側壁部２ｃとで形成される角部の近傍に配設されている。ラジカル生成源２１ｃは、側壁部２ｃと側壁部２ｄとで形成される角部の近傍に配設されている。ラジカル生成源２１ｄは、側壁部２ｄと側壁部２ａとで形成される角部の近傍に配設されている。

各ラジカル生成源２１ａ〜２１ｄは、それぞれ、クリーニングガス導入管２３ａ〜２３ｄに接続されている。各ラジカル生成源２１ａ〜２１ｄには、図示しないクリーニングガス供給源からクリーニングガスが供給される。

各ラジカル生成源２１ａ〜２１ｄは、具体的には、クリーニングガス供給源から流れてくるクリーニングガスを一時的に収容するチャンバであり、このチャンバ内でクリーニングガスは、例えば４００ｋＨｚの高周波により活性化される。

クリーニングガス導入管２３ａは真空槽２の側壁部２ａと側壁部２ｂとで形成される角部を貫通し、そのガス導入口２０ａは、基板支持部３ａの四隅Ａ〜Ｄのうちの（図２において）左上隅Ａに向けられている。また、ガス導入口２０ａと、ラジカル生成源２１ａの出口との間にはバルブ２４が設けられている。ガス導入口２０ａは、上述した成膜用のシャワープレート５を介さずに、直接成膜室１０内に連通している。

クリーニングガス導入管２３ｂは真空槽２の側壁部２ｂと側壁部２ｃとで形成される角部を貫通し、そのガス導入口２０ｂは、基板支持部３ａの四隅Ａ〜Ｄのうちの（図２において）右上隅Ｂに向けられている。また、ガス導入口２０ｂと、ラジカル生成源２１ｂの出口との間にはバルブ２４が設けられている。ガス導入口２０ｂは、上述した成膜用のシャワープレート５を介さずに、直接成膜室１０内に連通している。

クリーニングガス導入管２３ｃは真空槽２の側壁部２ｃと側壁部２ｄとで形成される角部を貫通し、そのガス導入口２０ｃは、基板支持部３ａの四隅Ａ〜Ｄのうちの（図２において）右下隅Ｃに向けられている。また、ガス導入口２０ｃと、ラジカル生成源２１ｃの出口との間にはバルブ２４が設けられている。ガス導入口２０ｃは、上述した成膜用のシャワープレート５を介さずに、直接成膜室１０内に連通している。

クリーニングガス導入管２３ｄは真空槽２の側壁部２ｄと側壁部２ａとで形成される角部を貫通し、そのガス導入口２０ｄは、基板支持部３ａの四隅Ａ〜Ｄのうちの（図２において）左下隅Ｄに向けられている。また、ガス導入口２０ｄと、ラジカル生成源２１ｄの出口との間にはバルブ２４が設けられている。ガス導入口２０ｄは、上述した成膜用のシャワープレート５を介さずに、直接成膜室１０内に連通している。

なお、図１では、クリーニングガス導入管２３ａ、２３ｂの延在方向が、基板支持部３ａの面方向に対して平行に図示されているが、１点鎖線で示すようにクリーニングガスの吹き出し方向がシャワープレート５に向くように傾いていてもよい。成膜時、シャワープレート５には全面にわたって膜が付くが、基板支持部３ａに関しては基板９が載っているため中央部分には膜が付かないので、クリーニングガス導入管を傾ける場合にはシャワープレート５に向くように傾けるのが好ましい。

また、真空槽２の側壁部２ａ〜２ｄの周囲にラジカル生成源の設置スペースが確保できない場合には、図４に示すように、ラジカル生成源２１ｂを真空槽２の下方に配置して、クリーニングガス導入管２３ｂを折り曲げることで側壁部側にガス導入口を導くようにしてもよい。

（成膜工程）
以上のように構成される成膜装置３０を用いた成膜時には、成膜室１０内を排気口７を介して排気して減圧した後、成膜ガス（ＳｉＨ₄ ガス、ＮＨ₃ ガスなど）を成膜ガス導入管１５を介してシャワープレート５に供給し、このガスはシャワープレート５の多数の小孔を通って、基板９に対して均一に噴出される。そして、高周波電源８によってカソード電極４に高周波電力を印加して、導入された成膜ガスを分解・反応させて、基板９上に薄膜（例えばＳｉＮ_X 膜）を堆積させる。このとき、クリーニングガス導入管２３ａ〜２３ｄのバルブ２４は閉じられている。なお、基板９に形成する膜はＳｉＮ_X 膜に限らず、他の材質の膜、例えばＳｉＯ₂ 膜などであってもよい。

（クリーニング工程）
成膜室１０内のクリーニング時には、排気口７を介して成膜室１０内を減圧した後、クリーニングガスとして例えばＮＦ₃ ガスとキャリアガスとしてＡｒガスを各ラジカル生成源２１ａ〜２１ｄに供給し、例えば４００ｋＨｚの高周波を利用してここでＮＦ₃ ガスに高周波を印加して、フッ素ラジカルを生成させる。このフッ素ラジカルを含んだガスは、開とされたバルブ２４、及び各クリーニングガス導入管２３ａ〜２３ｄを通って成膜室１０内に直接導入され、フッ素ラジカルが被クリーニング物質（例えばＳｉＮ_X 膜）と化学反応することにより、成膜室１０内をクリーニングする。取り除かれた被クリーニング物質はクリーニングガスと共に排気口７から排気される。

ラジカルは、コンダクタンスが小さいシャワープレート５を通らずに、直接被クリーニング空間である成膜室１０内に導入されるので、生成されたラジカルが成膜室１０に至る前に消滅するのを防いで、効率よくクリーニングを行うことができる。

さらに、本実施形態では、ラジカルを含むクリーニングガスは、図２において矢印で示されるように、真空槽２の四隅方向から導入される。

すなわち、クリーニングガス導入管２３ａのガス導入口２０ａからは、基板支持部３ａの（図２において）左上隅Ａに向けてラジカルを含むクリーニングガスが導入され、このガス導入口２０ａからのクリーニングガスによるクリーニング領域は時間経過につれて左上隅Ａから、図２においてａ→ｂ→ｃで示されるように徐々に広がっていく。

同様に、クリーニングガス導入管２３ｂのガス導入口２０ｂからは、基板支持部３ａの（図２において）右上隅Ｂに向けてラジカルを含むクリーニングガスが導入され、このガス導入口２０ｂからのクリーニングガスによるクリーニング領域は時間経過につれて右上隅Ｂから、図２においてａ→ｂ→ｃで示されるように徐々に広がっていく。

同様に、クリーニングガス導入管２３ｃのガス導入口２０ｃからは、基板支持部３ａの（図２において）右下隅Ｃに向けてラジカルを含むクリーニングガスが導入され、このガス導入口２０ｃからのクリーニングガスによるクリーニング領域は時間経過につれて右下隅Ｃから、図２においてａ→ｂ→ｃで示されるように徐々に広がっていく。

同様に、クリーニングガス導入管２３ｄのガス導入口２０ｄからは、基板支持部３ａの（図２において）左下隅Ｄに向けてラジカルを含むクリーニングガスが導入され、このガス導入口２０ｄからのクリーニングガスによるクリーニング領域は時間経過につれて左下隅Ｄから、図２においてａ→ｂ→ｃで示されるように徐々に広がっていく。

このように、本実施形態では、成膜時に基板９によって覆われる中央部よりも厚く成膜される部分であり、また基板９の大型化に伴って基板支持部３ａが大型化した場合にはクリーニングガスが届きにくい部分である四隅Ａ〜Ｄからクリーニングを開始させるようにしているので、四隅Ａ〜Ｄにおけるクリーニング速度の低下を防止でき、結果として、成膜室１０全体のクリーニング時間を短縮できる。

また、本実施形態では、ラジカル生成源を４本のクリーニングガス導入管２３ａ〜２３ｄで共用させることなく、各クリーニングガス導入管２３ａ〜２３ｄごとに個別のラジカル生成源２１ａ〜２１ｄをそれぞれ接続させ、かつその接続位置を各ガス導入口２０ａ〜２０ｄの近くにしている。これにより、成膜室１０に導入前のラジカルの搬送距離を無駄に長くしてしまうことを回避でき、成膜室１０に導入前のラジカルの消滅を抑制できる。このことも、クリーニング効率の向上に貢献する。

また、ラジカル生成源２１ａ〜２１ｄ及びクリーニングガス導入管２３ａ〜２３ｄは、真空槽２外部の四隅に配置されているので、真空槽２の何れかの側壁部を介しての基板９の搬出入の妨げにはならない。

次に、上述した第１の実施形態に対応する実施例と、比較例１〜３とで、クリーニング条件を同じにしてクリーニング速度の比較を行った結果について説明する。

比較例１は、図７に示すように、真空槽２の側壁部２ｃに２本のクリーニングガス導入管５３ａ、５３ｂを接続させ、基板支持部３ａの１辺部１３ｃに向けて、ラジカルを含むクリーニングガスを導入するようにした構成である。

比較例２は、上記従来例で説明した構成であり、図６に示すように、真空槽２の対向する２側壁部２ａ、２ｃのそれぞれにクリーニングガス導入管５２ａ、５２ｂを接続させ、基板支持部３ａの対向する２辺部１３ａ、１３ｃのそれぞれに向けて、ラジカルを含むクリーニングガスを導入するようにした構成である。クリーニングガス導入管５２ａのガス導入口は側壁部２ｂ側に寄った位置に形成され、クリーニングガス導入管５２ｂのガス導入口は側壁部２ｄ側に寄った位置に形成されている。

比較例３は、図８に示すように、真空槽２のすべての側壁部２ａ〜２ｄのそれぞれにクリーニングガス導入管５４ａ〜５４ｄを接続させ、基板支持部３ａの４辺部１３ａ〜１３ｄのそれぞれに向けて、ラジカルを含むクリーニングガスを導入するようにした構成である。各クリーニングガス導入管５４ａ〜５４ｄのガス導入口は、それぞれ、側壁部２ａ〜２ｄの中央部に形成されている。

実施例及び比較例１〜３の何れの場合も、成膜室１０は同サイズ、具体的には（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）の基板９の成膜に対応できるサイズとし、成膜室１０内にＳｉＮ膜を１μｍ成膜してクリーニングを行った。クリーニングガスはＮＦ₃を使用し、またキャリアガスとしてＡｒを使用した。成膜室１０内に導入される合計のガス流量はＮＦ₃、Ａｒとも４ｓｌｍとし、また各ガス導入口から均等に導入されるようにした。

クリーニング速度の比較結果を下記表１に示す。表１で示したクリーニング速度は最もクリーニング速度が遅かった部分の値である。

この結果から明らかなように、実施例が最も大きいクリーニング速度が得られている。なお、実施例で得られた７８０ｎｍ／分というクリーニング速度は、基板サイズが４００ｍｍ×５００ｍｍという小型基板に対応した成膜装置のクリーニング（基板支持部の辺部に向けて１箇所からのクリーニングガスの導入）で現在得られている値とほぼ同等である。すなわち、１ｍ²を越えるような大型基板に対応した成膜室であっても、本実施形態では、現在の小型基板に対応した成膜装置で得られている実用上問題のないクリーニング速度と変わりない値を得ることができる。

なお、クリーニングガスとしてＮＦ₃を使用したが、ラジカル生成源にて活性種となるフッ素ラジカルを生成することができる例えばＦ₂ガスを用いても同等の効果が得られる。

［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

本実施形態では、図３に示すように、さらに大型化した基板、あるいは複数枚の基板を基板支持部１０３ａに載置して成膜を行うことを想定して、四隅からのクリーニングガスの導入に加えて、長方形状の基板支持部１０３ａの長辺側の対向する２辺部１１３ｂ、１１３ｄのそれぞれの中央部に向けてもラジカルを含むクリーニングガスを導入するようにしている。

すなわち、真空槽１０２の側壁部１０２ｂの中央部にクリーニングガス導入管２３ｅが接続され、側壁部１０２ｂに対向する側壁部１０２ｄの中央部にクリーニングガス導入管２３ｆが接続されている。クリーニングガス導入管２３ｅ、２３ｆは、それぞれ、ラジカル生成源２１ｅ、２１ｆと接続されている。

長辺側の辺部１１３ｂ、１１３ｄがさらに長くなる場合には、さらにこれら辺部１１３ｂ、１１３ｄに向けてクリーニングガスを導入するためのクリーニングガス導入管を追加して設けてもよい。

なお、本実施形態では、クリーニングガス導入管が接続されていない短辺側の側壁部１０２ａ、１０２ｃの何れか側から、基板の搬出入が行われる。

以上、本発明の各実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

クリーニングガスとしては、ＮＦ₃ に限らず、Ｆ₂、ＣＦ₄ 、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₃、ＣＨＦ₃ 、ＳＦ₆ などのガスを用いてもよい。また、キャリアガスもＡｒガスに限ることなく他の不活性ガスを用いてもよい。

成膜を受ける基板としては、液晶基板や半導体基板、その他電子デバイス用基板を一例として挙げられる。

本発明の第１の実施形態に係る成膜装置の縦断面図である。 同第１の実施形態に係る成膜装置の横断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る成膜装置の横断面図である。 ラジカル生成源の配置位置の変形例を示す図である。 従来例の成膜装置の横断面図である。 他従来例の成膜装置の横断面図である。 比較例１の成膜装置の横断面図である。 比較例２の成膜装置の横断面図である。

符号の説明

２…真空槽、３…アノード電極、３ａ…基板支持部、４…カソード電極、５…シャワープレート、９…基板、１０…成膜室、１５…成膜ガス導入管、２０ａ〜２０ｄ…ガス導入口、２１ａ〜２１ｆ…ラジカル生成源、２３ａ〜２３ｆ…クリーニングガス導入管、３０…成膜装置、１０２…真空槽、１０３…アノード電極、１０３ａ…基板支持部、Ａ〜Ｄ…基板支持部の四隅。

Claims (8)

1. 成膜室と、
   前記成膜室内に配設された略四角形状の基板支持部と、
   前記基板支持部に対向して配設され、成膜ガスを前記成膜室内に導入するための多数の小孔を有するシャワープレートと、
   前記シャワープレートを介さずに直接前記成膜室内に連通されたガス導入口を有し、前記ガス導入口が前記基板支持部の四隅にそれぞれ向けられた少なくとも４本のクリーニングガス導入管と、
   前記成膜室の外部に設けられ、前記クリーニングガス導入管に接続されたラジカル生成源と
   を備えることを特徴とする成膜装置。
2. 前記四隅に加えて、さらに前記基板支持部の対向する２辺部のそれぞれにガス導入口が向けられたクリーニングガス導入管が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記基板支持部は長方形状を呈し、前記２辺部は長尺側の２辺部であることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
4. 前記２辺部それぞれの略中央部に前記ガス導入口は向けられていることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
5. 前記ラジカル生成源は、複数本の前記クリーニングガス導入管それぞれに対応させて複数個設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の成膜装置。
6. 成膜室の外部でクリーニングガスを励起してラジカルを生成する工程と、
   前記ラジカルを含むクリーニングガスを、成膜ガス導入用のシャワープレートを介さずに直接前記成膜室内に導入する工程とを有する成膜装置のクリーニング方法であって、
   前記ラジカルを含むクリーニングガスを、前記成膜室内に配設された略四角形状の基板支持部の四隅に向けて導入するようにしたことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。
7. 前記四隅に加えて、さらに前記基板支持部の対向する２辺部に向けても前記ラジカルを含むクリーニングガスを導入することを特徴とする請求項６に記載の成膜装置のクリーニング方法。
8. 前記２辺部それぞれの略中央部に向けて前記ラジカルを含むクリーニングガスを導入することを特徴とする請求項７に記載の成膜装置のクリーニング方法。

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