JP2005179743A

JP2005179743A - 触媒ｃｖｄ装置及び触媒ｃｖｄ法

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Publication number: JP2005179743A
Application number: JP2003423264A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Saito; 豪斎藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2003-12-19
Filing date: 2003-12-19
Publication date: 2005-07-07

Abstract

【課題】酸素を含む材料ガスを用いても触媒の寿命を改善し生産性の高い触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧雰囲気が維持可能な真空容器と、前記真空容器内を、貫通口により連通された第１の空間と第２の空間とに分ける逆流抑制手段と、前記第１の空間にガスを導入する第１のガス導入口と、前記第１の空間に設けられた第１の触媒と、前記第２の空間にガスを導入する第２のガス導入口と、前記第２の空間に設けられ、基板を載置可能な基板ステージと、前記第２の空間に接続された排気手段と、を備え、前記排気手段により前記真空容器を減圧状態に維持しつつ前記第１及び第２のガス導入口からそれぞれ原料ガスを導入し前記第１の触媒を加熱して前記第１のガス導入口から導入された前記原料ガスを分解することにより前記基板ステージの上に載置した前記基板の上に薄膜を堆積可能とした触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、触媒ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置及び触媒ＣＶＤ法に関し、より詳細には、真空プロセスチャンバー内で高温に保持された触媒に材料ガスを反応させ、基板上に各種の薄膜を形成するための触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法に関する。

近年、材料ガスを分解して基板上に薄膜を形成する新たな手段として、触媒ＣＶＤ法が開発された（例えば、特許文献１）。触媒ＣＶＤ法は、減圧雰囲気において、例えば１６００℃以上に加熱された金属フィラメントに原料ガスを接触させ、触媒反応により分解・活性化させて基板の上に薄膜を堆積する方法である
触媒ＣＶＤ法は、比較的低温で、且つプラズマ放電を用いずに材料ガスを分解できることから、基板への熱的あるいは電気的ダメージの軽減が図ることができ、高性能半導体や液晶表示装置などの製造装置としての応用研究が盛んに行われている。また、高価な放電用電源も必要としないため、安価にＣＶＤ装置を提供することも可能となる。

また、従来のプラズマＣＶＤ法の場合、原料ガスの利用効率は数パーセント程度に過ぎないのに対して、触媒ＣＶＤ法の場合、８０パーセント近い利用効率を得ることも可能である。またさらに、堆積速度が大きく、水素含有量が少ない高品質の薄膜を堆積することができる。

触媒ＣＶＤ法は、これらの長所のほかにも、活性堆積種の触媒体からの放射拡散によって薄膜の形成が進行することに起因して、大面積基板への適応性が高い。つまり、触媒体である線材を基板面に対して平行方向に延長して配置することで、簡便に大面積基板においても薄膜の成長速度の面内のばらつきを少なく保つことが可能である。
特開２００３−０７３８３３号公報

しかし、従来の触媒ＣＶＤ法によって酸素を含有する薄膜を形成しようとすると、触媒として用いる金属などの細線が酸化するという問題があった。例えば、酸化シリコンを形成する場合には、触媒としてタングステン（Ｗ）を用いて一般的な半導体材料ガスであるシランを分解させるときに、触媒のシリサイド化を防ぐために１６００℃以上の高温に触媒温度を保持しなければならない。しかし、この温度で、Ｏ_２やＮ_２Ｏなどの酸素を含む材料ガスが触媒に接触すると、その表面に容易に酸化皮膜が形成されて触媒作用が低下してしまう。また、さらに酸化が進むと触媒が断線に至ってしまうという問題があった。

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、酸素を含む材料ガスを用いても触媒の寿命を改善し生産性の高い触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法を提供することにある。

本発明によれば、触媒ＣＶＤ装置において触媒と材料ガスとを接触させるための触媒室と、基板を保持する反応室と、が複数の貫通口を有する隔壁板により隔離され、触媒室と反応室に各々独立した材料ガス導入手段を設け、酸素を含む材料ガスは反応室側に導入することによって課題が解決された。すなわち、触媒への酸素の接触を防ぐことによって触媒の酸化を防ぐことができ触媒の高寿命化が図られる。これにより生産性の高い触媒ＣＶＤ装置が得られる。

すなわち、本発明によれば、減圧雰囲気が維持可能な真空容器と、前記真空容器内を、貫通口により連通された第１の空間と第２の空間とに分ける逆流抑制手段と、前記第１の空間にガスを導入する第１のガス導入口と、前記第１の空間に設けられた第１の触媒と、前記第２の空間にガスを導入する第２のガス導入口と、前記第２の空間に設けられ、基板を載置可能な基板ステージと、前記第２の空間に接続された排気手段と、を備え、
前記排気手段により前記真空容器を減圧状態に維持しつつ前記第１及び第２のガス導入口からそれぞれ原料ガスを導入し前記第１の触媒を加熱して前記第１のガス導入口から導入された前記原料ガスを分解することにより前記基板ステージの上に載置した前記基板の上に薄膜を堆積可能とした触媒ＣＶＤ装置が提供される。

ここで、前記逆流抑制手段は、前記真空容器内に設けられ複数の前記貫通口を有する隔壁板であるものとすることができる。

また、複数の前記隔壁板が間隔をあけて設けられたものとすることができる。

また、前記逆流抑制手段は、前記真空容器に設けられた絞り部であるものとすることができる。

また、前記第２の空間において、前記貫通口と前記排気手段との間に設けられ複数の開口を有する隔壁板をさらに備えたものとすることができる。

また、前記第２の空間に設けられた第２の触媒をさらに備えたものとすることができる。

また、前記第１の触媒と前記第２の触媒とは、互いに異なる材料からなるものとすることができる。

一方、本発明によれば、貫通口により連通された第１の空間と第２の空間とを有する真空容器を用い、前記第２の空間に接続された排気手段を介して前記真空容器内を排気しつつ前記第１の空間に第１の原料ガスを導入し前記第２の空間に第２の原料ガスを導入し、前記第１の空間において前記第１の原料ガスを触媒に作用させ分解させて生成した堆積種を前記貫通口を介して前記第２の空間に導入させ前記第２の原料ガスと反応させることにより、前記第２の空間に載置された基板上に薄膜を堆積させることを特徴とする触媒ＣＶＤ法が提供される。

ここで、前記第１の原料ガスは、酸素を実質的に含有しないガスであり、前記第２の原料ガスは、酸素を含有するガスであるものとすることができる。

また、前記第１の原料ガスとともに、不活性ガスを前記第１の空間に導入するものとすることができる。

また、前記第２の空間から前記貫通口を介して前記第１の空間に気体の流入を実質的に生じさせないものとすることができる。

本発明によれば、酸素を含む材料ガスを用いることができる生産性の高い触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法を提供することが可能となる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる触媒ＣＶＤ装置の断面構造を例示する模式図である。

本実施形態の触媒ＣＶＤ装置は、減圧雰囲気を維持可能な真空容器１０１を有する。真空容器１０１は、貫通口を有する隔壁板１０９によって、触媒室１０１ａと反応室１０１ｂとに分離されている。触媒室１０１ａには、第１のガス導入口１０６と触媒１０２とが設けられている。反応室には、第２のガス導入口１１０が設けられている。後に詳述するように、第１のガス導入口１０６からは、酸素を実質的に含まない原料ガス、例えば、シラン（ＳｉＨ_４）が導入され、第２のガス導入口１１０からは、酸素を含有するガス、例えば、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）が導入される。

触媒室１０１ａに設けられた触媒１０２は、例えば、細線状あるいは板状などの金属などによって形成されている。その材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミナ（ＡｌＯ_ｘ）などを用いることができる。触媒１０２は、真空容器１０１の外部に設けられている直流電源１０８により通電され高温に加熱される。

一方、反応室１０１ｂの下方には、ヒーター１０５の上に基板ステージ１０４が設けられ、基板ステージ１０４の上に基板１０３が載置される。基板１０３は、静電チャック方式の基板ステージ１０４によって保持され、基板温度は、ヒーター１０５により所定の温度に制御される。また、図示しない回転機構により基板１０３を回転可能とすると、膜厚の均一性がさらに向上する。また、真空容器１０１の内部空間は、真空排気装置１０７により適宜排気され、所定の圧力に維持される。

以上説明したように、本実施形態の触媒ＣＶＤ装置においては、隔壁板１０９によって触媒１０２が反応室から隔離されている。
図２は、隔壁板１０９を表す平面図である。
隔壁板１０９は、例えば、直径が３００ｍｍで、約１０ｍｍの厚みを有し、複数の貫通口１０９ａが形成されている。図２に例示した隔壁板１０９は、直径１ｍｍの貫通口１０９ａが２ｃｍ間隔で合計１３６個形成されている。また、隔壁板１０９の材料としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、ステンレス（ｓｕｓ）などの耐腐食性を有する材料を用いることができる。また、後に詳述するように、第１のガス導入口１０６から導入され触媒１０２により分解して生成された水素ラジカルなどの失活を防止するためには、例えば、フッ素系樹脂などにより隔壁板１０９を形成してもよい。

次に、本実施形態の触媒ＣＶＤ装置によって薄膜を形成する具体例について説明する。ここでは、原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を用いて、シリコン基板上にシリコン酸化窒化膜（ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ）を形成する具体例について説明する。

まず、基板ステージ１０４上に基板１０３（シリコン基板）を載置した後、真空容器１０１内を真空ポンプ１０７により、２０Ｐａ（パスカル）程度の圧力になるように減圧する。続いて、ヒーター１０５に通電して基板１０３を加熱するとともに、触媒１０２に通電して加熱し、触媒１０２を１６００℃以上の高温、例えば１７００℃程度に保持する。

触媒１０２の加熱温度は、触媒のシリサイド化を防ぐ温度とすることが望ましい。すなわち、原料ガスにシラン（ＳｉＨ_４）を用いると、タングステンの触媒１０２がシランと反応してシリサイド化することによって触媒作用が劣化する。そこで、触媒１０２のシリサイド化が進行せずにシランを分解できる温度として１６００℃以上に加熱することが望ましい。

触媒１０２を加熱したら、第１のガス導入口１０６を介して原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ_４）を２０ｓｃｃｍ導入する。導入されたシランが高温の触媒１０２と接触する際にタングステンによる触媒作用を受けて高効率で分解され、ＳｉＨ_２やＳｉＨ_３及びＨ原子やＨラジカルなどに分解される。

もう一方の原料ガスである亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を、第２のガス導入口１１０から反応室１０１ｂに１００ｓｃｃｍ導入する。第２のガス導入口１１０は、真空容器１０１の中で、隔壁板１０９よりも基板側の位置に設けられている。このような構成からなる触媒ＣＶＤ装置において堆積種となるＳｉＨ_２やＳｉＨ_３は貫通口を介して反応室に供給される。

図３は、本実施形態における隔壁板１０９の作用を説明するための概念図である。すなわち、触媒室１０１ａの中に導入されたＳｉＨ_４は、触媒１０２と接触することによって分解し、反応性の高いＳｉＨ_２やＳｉＨ_３といった堆積種、および水素原子（Ｈ）や水素ラジカル（Ｈ^＊）が生成される。これらの種は、図３に矢印で表したように、隔壁板１０９に設けられた貫通口１０９ａを介して反応室１０１ｂに導入される。

一方、反応室１０１ｂは、真空排気装置１０７により排気されているので、触媒室１０１ａよりも圧力が低い状態とされている。つまり、反応室１０１ｂと触媒室１０１ａとをつなぐ貫通口１０９ａには、圧力勾配が生じている。従って、原料ガスの導入量と、真空排気装置１０７による排気速度、および貫通口１０９ａのコンダクタンスが所定の条件を満足すれば、反応室１０１ｂから触媒室１０１ａへのガスの逆流を効果的に阻止できる。

すなわち、触媒ＣＶＤは、通常は数Ｐａ（パスカル）乃至数１０Ｐａの圧力において実施される。この圧力範囲は、いわゆる「分子流領域」よりも高い圧力範囲であり、「中間流」あるいは「粘性流」が生ずる圧力範囲である。すなわち、この圧力範囲においては、真空容器内の気体分子の平均自由行程は、真空容器の内部空間のサイズよりも小さく、容器の内壁に衝突する前に、他の気体分子と衝突を繰り返す。そして、圧力が高いほど気体分子の平均自由行程は短くなり、他の気体分子との衝突の頻度が高くなる。その結果として、圧力勾配に応じたガス流が形成され、これに逆らう方向のガス流は阻止される。

従って、本発明において、隔壁板１０９の貫通口１０９ａによってコンダクタンスを低下させることにより、触媒室１０１ａと反応室１０１ｂとの間に圧力勾配を設ければ、ガスの逆流を確実に阻止できる。つまり、酸素含有ガスが触媒１０２に接触することを確実に阻止できる。

また、本発明においては、触媒室１０１ａと反応室１０１ｂとの圧力差をさらに大きくするために、第１のガス導入口１０６からシランとともに、アルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを導入してもよい。

本発明者の実験及び検討の結果によれば、例えば、図２に関して前述したように、約１０ｍｍの厚みを有し、直径１ｍｍの貫通口１０９ａを２ｃｍ間隔で合計１３６個形成した隔壁板１０９を用い、第１のガス導入口１０６からシランとともにアルゴンを５００ｓｃｃｍ導入した場合、触媒室１０１ａの圧力を反応室１０１ｂよりも約３０Ｐａ高くすることができた。このような圧力差を設けることにより、反応室１０１ｂから触媒室１０１ａへの酸素含有ガスの逆流を確実に阻止できる。

反応室１０１ｂに導入されたＮ_２Ｏは、隔壁板１０９によって触媒１０２との接触は妨げられ、ＳｉＨ_４の解離によって生じた水素ラジカルなどによって分解及び励起されることにより、基板１０３の表面でのＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜の形成に寄与する。本具体例においては、基板１０３の上に、毎分２５ｎｍの成膜速度で屈折率１．４５７程度の良質なＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜の形成を行うことができた。

また、隔壁板１０９を設けることなく、上述と同様の工程で酸化シリコン膜の形成を試みたところ、Ｎ_２Ｏガスの導入から数分で触媒１０２の酸化が進み断線に至った。これに対して、本実施形態の触媒ＣＶＤ装置では、触媒１０２の酸化は殆ど進行せず、安定して成膜を繰り返すことができた。

図４は、本発明の第２の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。
すなわち、本具体例においては、２枚の隔壁板１０９が所定の間隔をおいて設けられている。このように、複数の隔壁板１０９によって触媒室１０１ａと反応室１０１ｂとを仕切ることにより、両側の圧力差をさらに大きくできる。その結果として、反応室１０１ｂからの酸素含有ガスの逆流を確実に阻止して、触媒１０２の酸化を防ぐことができる。

また、このように複数の隔壁板１０９を設ける場合、それぞれの隔壁板１０９に設けられた貫通口１０９ａが重ならないように配置すると、圧力差を維持して、反応室１０１ｂから触媒室１０１ａへのガスの逆流をより確実に阻止できる。

図５は、本発明の第３の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。
すなわち、本具体例においては、触媒室１０１ａと隔壁板１０９との間に、ガス流のコンダクタンスを低下させる絞り部１０１ｃが設けられている。このような絞り部１０１ｃを設けると、触媒室１０１ａの圧力を上昇させることができ、反応室１０１ｂの圧力差をさらに大きくできる。その結果として、反応室１０１ｂから触媒室１０１ａへの酸素含有ガスの逆流を確実に阻止して、触媒１０２の酸化を防ぐことができる。

また、本具体例においては、複数の貫通口１０９ａが形成された隔壁板１０９は、絞り部１０１ｃを通って反応室１０１ｂに流入するガス種の分布を均一化する作用を有する。すなわち、絞り部１０１ｃから噴出するガス種を隔壁板１０９において拡げることにより、基板１０３に堆積される薄膜の膜厚分布を均一化させることができる。

図６は、本発明の第４の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。
すなわち、本具体例においても、触媒室１０１ａと隔壁板１０９との間に、ガス流のコンダクタンスを低下させる絞り部１０１ｃが設けられている。このような絞り部１０１ｃを設けると、触媒室１０１ａの圧力を上昇させることができる。そして、本具体例においては、絞り部１０１ｃと隔壁板１０９との間に、第２のガス導入口１１０が設けられている。

すなわち、絞り部１０１ｃにおいてガス流のコンダクタンスを低下させると、その両側の圧力差が大きくなり、矢印Ｚにより表した一方向のガス流が形成される。つまり、これとは逆方向のガス流を実質的に防ぐことができる。従って、第２のガス導入口１１０を隔壁板１０９の上流側に設けても、酸素含有ガスの触媒室１０１ａへの逆流が起こることはない。つまり、触媒１０２が酸化される問題は生じない。

また、このようにすると、第２のガス導入口１１０から導入される酸素含有ガスの分解や励起を促進させることができる。すなわち、第２のガス導入口１１０から導入される亜酸化窒素などの酸素含有ガスは、触媒１０２には接触せず、第１のガス導入口から導入され触媒１０２により分解されて生成した水素ラジカルや水素原子などと反応することによって分解・励起される。従って、水素ラジカルや水素原子とできるだけ衝突させる必要がある。しかし、水素ラジカルは、隔壁板１０９に衝突すると失活する場合がある。そこで、第２のガス導入口１１０を隔壁板１０９の上流に設けることにより、水素ラジカルが失活する前に水素含有ガスと反応させてこれらを高い効率で分解・励起させることができる。

図７は、本発明の第５の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。
すなわち、本具体例においては、真空容器１０１が隔壁板１０９によって触媒室１０１ａと反応室１０１ｂとに仕切られている。触媒室１０１ａには、第１の触媒１０２と、第１のガス導入口１０６が設けられている。一方、反応室１０１ｂには、第２のガス導入口１１０が設けられるとともに、第２の触媒１１２が設けられている。

本具体例においても、貫通口１０９ａが形成された隔壁板１０９で触媒室１０１ａと反応室１０１ｂとを分離することにより、第２のガス導入口１１０から導入された酸素含有ガスが第１の触媒１０２に接触することを阻止できる。

そしてさらに、本具体例においては、反応室１０１ｂに第２の触媒１１２を設けることにより、第２のガス導入口１１０から導入された酸素含有ガスの分解や励起を確実且つ容易に促進できる。
ここで、第２の触媒１１２は、酸化されにくい材料により形成することが望ましい。そのような材料としては、例えば、白金（Ｐｔ）を挙げることができる。また、本具体例においては、第１の触媒１０２と第２の触媒１１２の材料をそれぞれ選択して用いることができる。すなわち、第１の触媒１０２は、第１のガス導入口１０６から導入されるガスを分解するために有利な材料により形成し、また、分解や励起が効率的に生ずるような形状及び配置を与えることができる。

一方、第２の触媒１１２については、第２のガス導入口１１０から導入される酸素含有ガスを分解・励起し且つ酸化されにくい材料、形状、配置を適宜選択して与えることができる。

図８は、本発明の第６の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。
すなわち、本具体例においても第６具体例と同様に、触媒室１０１ａと隔壁板１０９との間に、ガス流のコンダクタンスを低下させる絞り部１０１ｃが設けられている。このような絞り部１０１ｃを設けると、触媒室１０１ａの圧力を上昇させ、ガスの逆流を防ぐことができる。そして、本具体例においては、絞り部１０１ｃと隔壁板１０９との間に、第２のガス導入口１１０と第２の触媒１１２が設けられている。

このように第２の触媒１１２を設けることにより、第５実施例と同様に、第２のガス導入口１１０から導入された亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）や酸素（Ｏ_２）などの酸素含有ガスを確実且つ容易に分解・励起することができ、薄膜の堆積効率をさらに上げることが可能となる。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

例えば、触媒ＣＶＤ法の実施に際して用いる装置の具体的な構造、触媒の材質、形状、サイズなどに関しては、具体例にとして前述したもの以外にも当業者が適宜設計したものも本発明の範囲に包含される。さらに、材料ガスの種類や、形成する薄膜の種類、厚み、基板の種類、サイズ、基板温度や圧力などの条件についても、当業者が適宜選択して用いたものは本発明の範囲に包含される。

例えば、第１のガス導入口１０６から、シラン（ＳｉＨ_４）などのシリコンを含有した原料ガスを導入し、また第２のガス導入口１１０から酸素（Ｏ_２）を導入すると、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）を成膜できる。また、第１のガス導入口１０６から、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）などのアルミニウムを含有した原料ガスを導入し、また第２のガス導入口１１０から酸素（Ｏ_２）を導入すると、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）を成膜できる。またさらに、第１のガス導入口１０６から、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）などのインジウムを含有した原料ガスと、スズ（Ｓｎ）含有した原料ガスとを導入し、また第２のガス導入口１１０から酸素（Ｏ_２）を導入すると、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を成膜できる。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法は、本発明の範囲に包含される。

本発明の実施の形態にかかる触媒ＣＶＤ装置の断面構造を例示する模式図である。隔壁板１０９を表す平面図である。本発明の実施形態における隔壁板１０９の作用を説明するための概念図である。本発明の第２の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。本発明の第３の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。本発明の第４の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。本発明の第５の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。本発明の第６の具体例としての触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。

符号の説明

１０１真空容器
１０１ａ触媒室
１０１ｂ反応室
１０１ｃ絞り部
１０２触媒（第１の触媒）
１０３基板
１０４基板ステージ
１０５ヒーター
１０６第１のガス導入口
１０７真空排気装置
１０８直流電源
１０９隔壁板
１０９ａ貫通口
１１０第２のガス導入口
１１２触媒

Claims

減圧雰囲気が維持可能な真空容器と、
前記真空容器内を、貫通口により連通された第１の空間と第２の空間とに分ける逆流抑制手段と、
前記第１の空間にガスを導入する第１のガス導入口と、
前記第１の空間に設けられた第１の触媒と、
前記第２の空間にガスを導入する第２のガス導入口と、
前記第２の空間に設けられ、基板を載置可能な基板ステージと、
前記第２の空間に接続された排気手段と、
を備え、
前記排気手段により前記真空容器を減圧状態に維持しつつ前記第１及び第２のガス導入口からそれぞれ原料ガスを導入し前記第１の触媒を加熱して前記第１のガス導入口から導入された前記原料ガスを分解することにより前記基板ステージの上に載置した前記基板の上に薄膜を堆積可能とした触媒ＣＶＤ装置。
前記逆流抑制手段は、前記真空容器内に設けられ複数の前記貫通口を有する隔壁板であることを特徴とする請求項１記載の触媒ＣＶＤ装置。
複数の前記隔壁板が間隔をあけて設けられたことを特徴とする請求項２記載の触媒ＣＶＤ装置。
前記逆流抑制手段は、前記真空容器に設けられた絞り部であることを特徴とする請求項１記載の触媒ＣＶＤ装置。
前記第２の空間において、前記貫通口と前記排気手段との間に設けられ複数の開口を有する隔壁板をさらに備えたことを特徴とする請求項４記載の触媒ＣＶＤ装置。
前記第２の空間に設けられた第２の触媒をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の触媒ＣＶＤ装置。
前記第１の触媒と前記第２の触媒とは、互いに異なる材料からなることを特徴とする請求項６記載の触媒ＣＶＤ装置。
貫通口により連通された第１の空間と第２の空間とを有する真空容器を用い、前記第２の空間に接続された排気手段を介して前記真空容器内を排気しつつ前記第１の空間に第１の原料ガスを導入し前記第２の空間に第２の原料ガスを導入し、前記第１の空間において前記第１の原料ガスを触媒に作用させ分解させて生成した堆積種を前記貫通口を介して前記第２の空間に導入させ前記第２の原料ガスと反応させることにより、前記第２の空間に載置された基板上に薄膜を堆積させることを特徴とする触媒ＣＶＤ法。
前記第１の原料ガスは、酸素を実質的に含有しないガスであり、
前記第２の原料ガスは、酸素を含有するガスであることを特徴とする請求項７記載の触媒ＣＶＤ法。
前記第１の原料ガスとともに、不活性ガスを前記第１の空間に導入することを特徴とする請求項７または８に記載の触媒ＣＶＤ法。
前記第２の空間から前記貫通口を介して前記第１の空間に気体の流入を実質的に生じさせないことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１つに記載の触媒ＣＶＤ法。