KR101122964B1 - 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법과 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치이며,간격을 두고 적층된 복수의 피처리 기판을 수납하는 처리 영역과, 상기 처리 영역으로부터 벗어난 마진 공간을 갖는 처리 용기와,상기 처리 영역 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 처리 영역과 연통하는 공간 내에 배치된 플라즈마 발생 영역을 갖는 여기 기구와,상기 처리 영역에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,상기 처리 영역 내를 배기하는 배기계와,상기 마진 공간에 블럭 가스를 공급하는 블럭 가스 공급계와,상기 장치의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,상기 플라즈마 발생 영역은 상기 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐져 있고,상기 처리 가스는 상기 플라즈마 발생 영역을 통과할 때에 여기되고, 상기 처리 가스는 상기 처리 영역에 대해 수평인 가스류를 형성하도록 공급되고,상기 배기계는 상기 처리 영역을 사이에 두고 상기 플라즈마 발생 영역에 대향하는 배기구를 갖고,상기 블럭 가스 공급계는 상기 처리 영역에 직접적으로 상기 블럭 가스를 공급하지 않고 상기 마진 공간에 직접적으로 상기 블럭 가스를 공급하고,상기 제어부는 상기 피처리 기판을 처리할 때, 상기 처리 가스 공급계로부터의 상기 처리 영역에 대한 상기 처리 가스의 공급과, 상기 블럭 가스 공급계로부터의 상기 마진 공간에 대한 상기 블럭 가스의 공급을 동시에 행함으로써 상기 마진 공간으로의 상기 처리 가스의 유입을 억제하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 마진 공간은 상기 처리 영역의 하측 및 상측에 각각 위치하는 하측 공간 및 상측 공간의 한쪽을 구비하고, 상기 블럭 가스 공급계는 상기 마진 공간으로 개방되는 공급구를 구비하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 마진 공간은 상기 처리 영역의 하측 및 상측에 각각 위치하는 하측 공간 및 상측 공간을 구비하고, 상기 블럭 가스 공급계는 상기 하측 공간 및 상기 상측 공간으로 각각 개방되는 하측 공급구 및 상측 공급구를 구비하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 지지 부재는 바닥판과 천장판 사이에서 상기 피처리 기판을 지지하도록 구성되고, 상기 하측 공급구는 상기 바닥판의 하측에서 개방되고, 상기 상측 공급구는 상기 천장판의 상측에서 개방되는 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 배기구는 상기 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐서 배치되는 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제어부는 상기 피처리 기판을 처리할 때, 상기 처리 가스 공급계로부터의 상기 처리 영역에 대한 상기 처리 가스의 공급과, 상기 블럭 가스 공급계로부터의 상기 마진 공간에 대한 상기 블럭 가스의 공급과, 상기 배기구로부터의 상기 처리 용기 내의 배기를 동시에 행하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 하측 공급구 및 상기 상측 공급구는 상기 처리 용기를 상하 방향으로 연장되는 공통의 노즐에 형성되고, 상기 노즐은 상기 처리 영역에 대응하는 위치에 개구를 갖고 있지 않은 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리 영역과 상기 플라즈마 발생 영역 사이에 배치된 절연성의 표면을 갖는 구획판을 더 구비하고, 상기 구획판은 상기 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐서 배치된 가스 유로를 갖는 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 가스 유로는 상기 복수의 피처리 기판에 대해 평행한 가스류를 형성하도록 상기 처리 영역에 걸쳐서 상하 방향으로 배열된 복수의 가스 확산 구멍을 구비하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치.
- 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치에 있어서의 처리 방법이며,상기 장치는,간격을 두고 적층된 복수의 피처리 기판을 수납하는 처리 영역과, 상기 처리 영역으로부터 벗어난 마진 공간을 갖는 처리 용기와,상기 처리 영역 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 처리 영역과 연통하는 공간 내에 배치된 플라즈마 발생 영역을 갖는 여기 기구와,상기 처리 영역에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,상기 처리 영역 내를 배기하는 배기계와,상기 마진 공간에 블럭 가스를 공급하는 블럭 가스 공급계를 구비하고,상기 플라즈마 발생 영역은 상기 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐져 있고,상기 처리 가스는 상기 플라즈마 발생 영역을 통과할 때에 여기되고, 상기 처리 가스는 상기 처리 영역에 대해 수평인 가스류를 형성하도록 공급되고,상기 배기계는 상기 처리 영역을 사이에 두고 상기 플라즈마 발생 영역에 대향하는 배기구를 갖고,상기 블럭 가스 공급계는 상기 처리 영역에 직접적으로 상기 블럭 가스를 공급하지 않고 상기 마진 공간에 직접적으로 상기 블럭 가스를 공급하고,상기 방법은 상기 피처리 기판을 처리할 때, 상기 처리 가스 공급계로부터의 상기 처리 영역에 대한 상기 처리 가스의 공급과, 상기 블럭 가스 공급계로부터의 상기 마진 공간에 대한 상기 블럭 가스의 공급을 동시에 행함으로써, 상기 마진 공간으로의 상기 처리 가스의 유입을 억제하는 공정을 구비하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치에 있어서의 처리 방법.
- 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치이며,간격을 두고 적층된 복수의 피처리 기판을 수납하는 처리 영역과, 상기 처리 영역으로부터 벗어난 마진 공간을 갖는 처리 용기와,상기 처리 영역 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 처리 영역 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터와,상기 처리 영역과 연통하는 공간 내에 배치된 플라즈마 발생 영역을 갖는 여기 기구와,상기 피처리 기판 상에 박막을 퇴적하기 위해, 상기 박막의 주원료를 제공하는 제1 처리 가스와, 상기 제1 처리 가스와 반응하는 제2 처리 가스를 선택적으로 상기 처리 영역에 공급하는 처리 가스 공급계와,상기 처리 영역 내를 배기하는 배기계와,상기 마진 공간에 블럭 가스를 공급하는 블럭 가스 공급계와,상기 장치의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,상기 플라즈마 발생 영역은 상기 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐져 있고,상기 제1 및 제2 처리 가스 중 적어도 한쪽은 상기 플라즈마 발생 영역을 통과할 때에 여기되고, 상기 제1 및 제2 처리 가스는 상기 처리 영역에 대해 수평인 가스류를 형성하도록 공급되고,상기 배기계는 상기 처리 영역을 사이에 두고 상기 플라즈마 발생 영역에 대향하는 배기구를 갖고,상기 블럭 가스 공급계는 상기 처리 영역에 직접적으로 상기 블럭 가스를 공급하지 않고 상기 마진 공간에 직접적으로 상기 블럭 가스를 공급하고,상기 제어부는 상기 피처리 기판 상에 상기 박막을 형성하기 위해, 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 처리 가스의 공급과, 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 복수회 반복하여 실행하고, 이때 상기 처리 가스 공급계로부터의 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제2 처리 가스의 각각의 공급과, 상기 블럭 가스 공급계로부터의 상기 마진 공간에 대한 상기 블럭 가스의 공급을 동시에 행함으로써, 상기 마진 공간으로의 상기 제1 및 제2 처리 가스의 각각의 유입을 억제하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 마진 공간은 상기 처리 영역의 하측 및 상측에 각각 위치하는 하측 공간 및 상측 공간의 한쪽을 구비하고, 상기 블럭 가스 공급계는 상기 마진 공간으로 개방되는 공급구를 구비하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 마진 공간은 상기 처리 영역의 하측 및 상측에 각각 위치하는 하측 공간 및 상측 공간을 구비하고, 상기 블럭 가스 공급계는 상기 하측 공간 및 상기 상측 공간으로 각각 개방되는 하측 공급구 및 상측 공급구를 구비하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 지지 부재는 바닥판과 천장판 사이에서 상기 피처리 기판을 지지하도록 구성되고, 상기 하측 공급구는 상기 바닥판의 하측에서 개방되고, 상기 상측 공급구는 상기 천장판의 상측에서 개방되는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 처리 영역과 상기 플라즈마 발생 영역 사이에 배치된 절연성의 표면을 갖는 구획판을 더 구비하고, 상기 구획판은 상기 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐서 배치된 가스 유로를 갖는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 배기구는 상기 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐서 배치되는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 제어부는 상기 피처리 기판 상에 상기 박막을 형성하기 위해,상기 처리 영역에 대한 상기 제1 처리 가스의 공급을 행하는 제1 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1 및 제2 처리 가스의 공급을 정지하는 제2 공정과,상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급하는 제3 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1 및 제2 처리 가스의 공급을 정지하는 제4 공정을 교대로 실행하고, 또한 상기 제1 공정으로부터 제4 공정에 걸쳐서 상기 배기구로부터의 상기 처리 용기 내의 배기를 계속하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 제어부는 상기 제1 공정으로부터 제4 공정에 걸쳐서 상기 블럭 가스 공급계로부터의 상기 마진 공간에 대한 상기 블럭 가스의 공급을 계속하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 제어부는 상기 제2 및 제4 공정의 각각에 있어서, 상기 블럭 가스 공급계로부터의 상기 마진 공간에 대한 상기 블럭 가스의 공급을 정지하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 제어부는 상기 제2 및 제4 공정의 각각에 있어서, 상 기 블럭 가스 공급계로부터의 상기 마진 공간에 대한 상기 블럭 가스의 공급을 행하는 전반기와 공급을 정지하는 후반기를 마련하는 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치.
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