CN105543955A - 多晶硅制备之立式炉管及其制备方法 - Google Patents

多晶硅制备之立式炉管及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105543955A
CN105543955A CN201610107390.1A CN201610107390A CN105543955A CN 105543955 A CN105543955 A CN 105543955A CN 201610107390 A CN201610107390 A CN 201610107390A CN 105543955 A CN105543955 A CN 105543955A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polysilicon
admission passage
vertical furnace
furnace tube
prepared
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610107390.1A
Other languages
English (en)
Inventor
江润峰
孙天拓
陆叶涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201610107390.1A priority Critical patent/CN105543955A/zh
Publication of CN105543955A publication Critical patent/CN105543955A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/12—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state
    • C30B28/14—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state by chemical reaction of reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Abstract

一种多晶硅制备之立式炉管，包括：壳体，内设立式炉管的各功能部件；外石英管和内石英管，外石英管和内石英管之间形成气体通路；具有硅片的晶舟，晶舟上设置硅片，晶舟并承载在位于壳体内之底部的基座上；间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，第一进气管路、第二进气管路，第三进气管路之出气口分别位于晶舟的不同高度处；排气管路，设置在壳体一侧之底部。本发明通过设置独立且位于不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。

Description

多晶硅制备之立式炉管及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种多晶硅制备之立式炉管及其制备方法。
背景技术
多晶硅(Poly-Si)在集成电路中广泛应用，被用作晶体管栅电极(TransistorGateElectrode)、电路互联(InterconnectionCircuits)、电阻器(Resistor)等。随着集成电路向高集成度和低线宽发展，对多晶硅的要求越来严格。即要求多晶硅有高的表面平整度、好的填充吸附能力、硅片与硅片间均匀的晶粒大小。
多晶硅的制备受温度和压力的影响，不同的温度和压力会得到不同大小晶粒分布和表面的平整度。一般500～570℃为不定形硅(Amorphous)，570～600℃为不定形硅和微晶(Microcrystal)，600～650℃为多晶硅(PolyCrystal)。当反应温度小于500℃时，生长速率过低而不能用于生产；而当温度大于650℃时，则表面平整度过于粗糙。
通常地，多晶硅用炉管的低压化学气相沉积工艺(LPCVD)来制备。炉管制备多晶硅具有成本低、产量大，工艺安全等优点。炉管为批量的生产，通常一个批次100片硅片，并在晶舟上设置监控片、当控片、产品片三种，且需要保证100片硅片的多晶硅厚度和晶粒大小均匀度一致。
但是，传统的炉管中同批次的硅片虽然压力一致，但是晶舟不同位置上温度具有差异，则硅片在不同的反应温度下获得的多晶硅之晶粒大小不一。另一方面，在本领域通常通过所述监控片的数据来监控和推测产品片的数据。在各点温度相同时，由于特气的消耗，导致特气气体在晶舟的上、中、下不同位置附件的浓度不一样，进而导致位于晶舟上、中、下的3片监控片厚度存在差异。为了消除晶舟三个位置的厚度差异，现有的方式是通过改变所述三个位置附件的温度设定。即，增加厚度低的位置处的温度，降低厚度高的位置处的温度。同时，温度的差异势必使得多晶硅晶粒均匀度受到影响。
寻求一种结构简单、工艺方便，且能制备表面平整度高、填充吸附能力好、晶粒大小均一的立式炉管已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。
故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种多晶硅制备之立式炉管及其制备方法。
发明内容
本发明是针对现有技术中，传统的炉管中同批次的硅片虽然压力一致，但是晶舟不同位置上温度具有差异，进而导致多晶硅之晶粒大小不一；或是在各点温度相同时，由于特气的消耗，导致浓度不一样，进而使得多晶硅晶粒均匀度受到影响等缺陷提供一种多晶硅制备之立式炉管。
本发明之又一目的是针对现有技术中，传统的炉管中同批次的硅片虽然压力一致，但是晶舟不同位置上温度具有差异，进而导致多晶硅之晶粒大小不一；或是在各点温度相同时，由于特气的消耗，导致浓度不一样，进而使得多晶硅晶粒均匀度受到影响等缺陷提供一种利用所述立式炉管制备多晶硅的方法。
为实现本发明之第一目的，本发明提供一种多晶硅制备之立式炉管，所述多晶硅制备之立式炉管，包括：壳体，内设多晶硅制备之立式炉管的各功能部件；外石英管和内石英管，所述外石英管和所述内石英管之间形成气体通路；具有硅片的晶舟，所述晶舟上设置硅片，所述晶舟并承载在位于所述壳体内之底部的基座上；间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，所述第一进气管路、所述第二进气管路，以及所述第三进气管路之出气口分别位于所述晶舟的不同高度处；排气管路，设置在所述壳体之异于所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路的一侧之底部。
可选地，所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路均为多晶硅制备之反应特气管路。
可选地，所述反应特气管路内流通之反应特气为硅烷气体。
可选地，所述多晶硅制备之立式炉管内的温度为550～630℃。
可选地，所述多晶硅制备之立式炉管内的工艺气压为0.2～1Torr。
可选地，所述第一进气管路之出气口位于所述晶舟之底部基座高度处，所述第二进气管路之出气口位于所述晶舟之三分一的高度处，所述第三进气管路之出气口位于所述晶舟之三分二的高度处。
为实现本发明之又一目的，本发明提供一种多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，包括：
执行步骤S1：将硅片设置在位于所述立式炉管内的晶舟上；
执行步骤S2：在保持所述第一进气管路之反应特气流量不变时，通过调整所述第二进气管路和所述第三进气管路之反应特气流量，进而改变所述晶舟之不同位置处的反应特气浓度。
可选地，所述晶舟之不同位置处的反应特气浓度均匀。
综上所述，本发明多晶硅制备之立式炉管通过设置独立且位于所述晶舟之不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
附图说明
图1所示为本发明多晶硅制备之立式炉管的结构示意图；
图2所示为通过本发明多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法流程图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
多晶硅(Poly-Si)在集成电路中广泛应用，被用作晶体管栅电极(TransistorGateElectrode)、电路互联(InterconnectionCircuits)、电阻器(Resistor)等。随着集成电路向高集成度和低线宽发展，对多晶硅的要求越来严格。即要求多晶硅有高的表面平整度、好的填充吸附能力、硅片与硅片间均匀的晶粒大小。
多晶硅的制备受温度和压力的影响，不同的温度和压力会得到不同大小晶粒分布和表面的平整度。一般500～570℃为不定形硅(Amorphous)，570～600℃为不定形硅和微晶(Microcrystal)，600～650℃为多晶硅(PolyCrystal)。当反应温度小于500℃时，生长速率过低而不能用于生产；而当温度大于650℃时，则表面平整度过于粗糙。
通常地，多晶硅用炉管的低压化学气相沉积工艺(LPCVD)来制备。炉管制备多晶硅具有成本低、产量大，工艺安全等优点。炉管为批量的生产，通常一个批次100片硅片，并在晶舟上设置监控片、当控片、产品片三种，且需要保证100片硅片的多晶硅厚度和晶粒大小均匀度一致。
但是，传统的炉管中同批次的硅片虽然压力一致，但是晶舟不同位置上温度具有差异，则硅片在不同的反应温度下获得的多晶硅之晶粒大小不一。另一方面，在本领域通常通过所述监控片的数据来监控和推测产品片的数据。在各点温度相同时，由于特气的消耗，导致特气气体在晶舟的上、中、下不同位置附件的浓度不一样，进而导致位于晶舟上、中、下的3片监控片厚度存在差异。为了消除晶舟三个位置的厚度差异，现有的方式是通过改变所述三个位置附件的温度设定。即，增加厚度低的位置处的温度，降低厚度高的位置处的温度。同时，温度的差异势必使得多晶硅晶粒均匀度受到影响。
请参阅图1，图1所示为本发明多晶硅制备之立式炉管的结构示意图。所述多晶硅制备之立式炉管1，包括：壳体11，所述壳体11内设多晶硅制备之立式炉管1的各功能部件；外石英管12a和内石英管12b，所述外石英管12a和所述内石英管12b之间形成气体通路12c；具有硅片131的晶舟13，所述晶舟13上设置硅片131，所述晶舟13并承载在位于所述壳体11内之底部的基座14上；间隔独立设置的第一进气管路15a、第二进气管路15b、第三进气管路15c，所述第一进气管路15a、所述第二进气管路15b，以及所述第三进气管路15c之出气口分别位于所述晶舟13的不同高度处；排气管路16，所述排气管路16设置在所述壳体11之异于所述第一进气管路15a、第二进气管路15b、第三进气管路15c的一侧之底部。
为了更直观的揭露本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现结合具体实施方式为例进行阐述。在具体实施方式中，所述多晶硅制备之立式炉管的各功能部件之具体尺寸、位置设置等仅为列举，不应视为对本发明技术方案的限制。
作为具体实施方式，所述第一进气管路15a、第二进气管路15b、第三进气管路15c均为多晶硅制备之反应特气管路。所述反应特气管路内流通之反应特气为硅烷气体。所述多晶硅制备之立式炉管1内的温度为550～630℃。所述多晶硅制备之立式炉管1内的工艺气压为0.2～1Torr。
为了消除反应特气之消耗引起的浓度差异，而最终导致的不同位置之多晶硅的粒径分布不均匀等缺陷，优选地，所述第一进气管路15a之出气口位于所述晶舟13之底部基座14高度处，所述第二进气管路15b之出气口位于所述晶舟13之三分一的高度处，所述第三进气管路15c之出气口位于所述晶舟13之三分二的高度处。作为本领域技术人员，容易理解地，在保持所述第一进气管路15a之反应特气流量不变时，通过调整所述第二进气管路15b和所述第三进气管路15c之反应特气流量，进而改变所述晶舟13之不同位置处的反应特气浓度，使得所述反应特气之浓度适于获得晶粒均一的多晶硅。
请参阅图2，并结合参阅图1，图2所示为通过本发明所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法流程图。通过本发明所述多晶硅制备之立式炉管1制备多晶硅的方法，包括：
执行步骤S1：将硅片131设置在位于所述立式炉管1内的晶舟13上；
执行步骤S2：在保持所述第一进气管路15a之反应特气流量不变时，通过调整所述第二进气管路15b和所述第三进气管路15c之反应特气流量，进而改变所述晶舟13之不同位置处的反应特气浓度，使得所述反应特气之浓度适于获得晶粒均一的多晶硅。
显然地，本发明多晶硅制备之立式炉管1通过设置独立且位于所述晶舟13之不同高度处的第一进气管路15a、第二进气管路15b、第三进气管路15c，通过调整反应特气之流量，使得不同位置处的反应特气浓度均匀，进而不再需要为了达到相同的薄膜厚度去改变晶舟13上不同点的温度设定。同时，所述多晶硅制备之立式炉管1采用外石英管12a和内石英管12b的特定结构设置，可以有效的改善工艺制程自身的颗粒问题。本发明不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
综上所述，本发明多晶硅制备之立式炉管通过设置独立且位于所述晶舟之不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。

Claims (8)

1.一种多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管，包括：
壳体，内设多晶硅制备之立式炉管的各功能部件；
外石英管和内石英管，所述外石英管和所述内石英管之间形成气体通路；
具有硅片的晶舟，所述晶舟上设置硅片，所述晶舟并承载在位于所述壳体内之底部的基座上；
间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，所述第一进气管路、所述第二进气管路，以及所述第三进气管路之出气口分别位于所述晶舟的不同高度处；
排气管路，设置在所述壳体之异于所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路的一侧之底部。
2.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路均为多晶硅制备之反应特气管路。
3.如权利要求2所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述反应特气管路内流通之反应特气为硅烷气体。
4.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管内的温度为550～630℃。
5.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管内的工艺气压为0.2～1Torr。
6.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述第一进气管路之出气口位于所述晶舟之底部基座高度处，所述第二进气管路之出气口位于所述晶舟之三分一的高度处，所述第三进气管路之出气口位于所述晶舟之三分二的高度处。
7.一种如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，包括：
执行步骤S1：将硅片设置在位于所述立式炉管内的晶舟上；
执行步骤S2：在保持所述第一进气管路之反应特气流量不变时，通过调整所述第二进气管路和所述第三进气管路之反应特气流量，进而改变所述晶舟之不同位置处的反应特气浓度。
8.如权利要求7所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，其特征在于，所述晶舟之不同位置处的反应特气浓度均匀。
CN201610107390.1A 2016-02-26 2016-02-26 多晶硅制备之立式炉管及其制备方法 Pending CN105543955A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610107390.1A CN105543955A (zh) 2016-02-26 2016-02-26 多晶硅制备之立式炉管及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610107390.1A CN105543955A (zh) 2016-02-26 2016-02-26 多晶硅制备之立式炉管及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105543955A true CN105543955A (zh) 2016-05-04

Family

ID=55823503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610107390.1A Pending CN105543955A (zh) 2016-02-26 2016-02-26 多晶硅制备之立式炉管及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105543955A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109244010A (zh) * 2018-09-03 2019-01-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种高温热氧化机台结构
CN109300777A (zh) * 2018-09-25 2019-02-01 上海申和热磁电子有限公司 一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法
CN110010530A (zh) * 2019-04-25 2019-07-12 通威太阳能（成都）有限公司 一种扩散均匀的扩散烧结炉
CN110184652A (zh) * 2019-05-23 2019-08-30 上海申和热磁电子有限公司 一种改善硅片翘曲度的化学气相沉积装置及方法
CN110257908A (zh) * 2019-05-28 2019-09-20 天津中环领先材料技术有限公司 一种多晶硅薄膜制备工艺
CN111270220A (zh) * 2020-03-27 2020-06-12 上海华力微电子有限公司 化学气相淀积装置及其调节方法
CN113088935A (zh) * 2021-03-30 2021-07-09 上海华力微电子有限公司 一种固定底座、lpcvd炉管及lpcvd设备
CN113327875A (zh) * 2021-06-22 2021-08-31 北京北方华创微电子装备有限公司 立式热处理设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070234961A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Toshiki Takahashi Vertical plasma processing apparatus and method for semiconductor process
CN202380075U (zh) * 2011-11-04 2012-08-15 无锡华润华晶微电子有限公司 一种低压化学气相淀积装置
CN103165497A (zh) * 2013-02-20 2013-06-19 上海华力微电子有限公司 一种氧化反应炉及利用该反应炉进行氧化反应的方法
CN103160809A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 有研半导体材料股份有限公司 一种用于晶圆多晶硅膜生长过程中气体弥散装置及生长工艺
CN103422068A (zh) * 2012-05-24 2013-12-04 北大方正集团有限公司 一种多晶硅薄膜制造设备及方法
CN103451624A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 北大方正集团有限公司 一种沉积炉管及沉积薄膜的方法
CN103663457A (zh) * 2013-11-29 2014-03-26 上海华力微电子有限公司 多晶硅反应炉

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070234961A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Toshiki Takahashi Vertical plasma processing apparatus and method for semiconductor process
CN202380075U (zh) * 2011-11-04 2012-08-15 无锡华润华晶微电子有限公司 一种低压化学气相淀积装置
CN103160809A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 有研半导体材料股份有限公司 一种用于晶圆多晶硅膜生长过程中气体弥散装置及生长工艺
CN103422068A (zh) * 2012-05-24 2013-12-04 北大方正集团有限公司 一种多晶硅薄膜制造设备及方法
CN103451624A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 北大方正集团有限公司 一种沉积炉管及沉积薄膜的方法
CN103165497A (zh) * 2013-02-20 2013-06-19 上海华力微电子有限公司 一种氧化反应炉及利用该反应炉进行氧化反应的方法
CN103663457A (zh) * 2013-11-29 2014-03-26 上海华力微电子有限公司 多晶硅反应炉

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109244010A (zh) * 2018-09-03 2019-01-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种高温热氧化机台结构
CN109300777A (zh) * 2018-09-25 2019-02-01 上海申和热磁电子有限公司 一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法
CN110010530A (zh) * 2019-04-25 2019-07-12 通威太阳能（成都）有限公司 一种扩散均匀的扩散烧结炉
CN110184652A (zh) * 2019-05-23 2019-08-30 上海申和热磁电子有限公司 一种改善硅片翘曲度的化学气相沉积装置及方法
CN110257908A (zh) * 2019-05-28 2019-09-20 天津中环领先材料技术有限公司 一种多晶硅薄膜制备工艺
CN111270220A (zh) * 2020-03-27 2020-06-12 上海华力微电子有限公司 化学气相淀积装置及其调节方法
CN113088935A (zh) * 2021-03-30 2021-07-09 上海华力微电子有限公司 一种固定底座、lpcvd炉管及lpcvd设备
CN113327875A (zh) * 2021-06-22 2021-08-31 北京北方华创微电子装备有限公司 立式热处理设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105543955A (zh) 多晶硅制备之立式炉管及其制备方法
CN105845562B (zh) 蚀刻方法
US9982340B2 (en) Shower head apparatus and method for controlling plasma or gas distribution
US9920424B2 (en) Method of cleaning thin film forming apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus and non-transitory recording medium
CN105742154B (zh) 外延硅晶片的制造方法
CN105964192A (zh) 气相反应器和气相反应器系统
US20140349468A1 (en) Trench filling method and processing apparatus
JP2013207109A (ja) 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
CN107574424B (zh) 用于epi腔室的注射插件
US10096499B2 (en) Substrate processing method, program, control apparatus, film forming apparatus, and substrate processing system
CN103337506B (zh) 一种ccd器件用硅外延片制备工艺
JP2011108765A (ja) エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法
CN103745920B (zh) 一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法
CN105529249A (zh) 一种多晶硅制备方法
CN105378894A (zh) 外延晶片的制造方法
US20120247511A1 (en) Method for cleaning thin film forming apparatus, thin film forming method, and thin film forming apparatus
US10236223B2 (en) Substrate processing method, program, apparatus and system to determine substrate processing result
KR102401389B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
JP6596316B2 (ja) 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
CN101956183A (zh) 化学气相沉积炉
CN201194219Y (zh) 半导体器件制作设备以及系统
CN108179468A (zh) 一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置和方法
JP2010040574A (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
CN206637655U (zh) 适用于扩散炉的一体式外点火装置
CN106663607A (zh) 外延腔室上的双辅助掺杂剂入口

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160504