KR100935257B1 - 반도체 처리용 성막 방법 및 장치와, 컴퓨터 판독 가능 매체 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 탄화수소 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 절연막을 형성하는 반도체 처리용 성막 방법이며,상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 정지하는 제1 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제2 공정과,상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제3 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제4 공정을 교대로 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3 공정은 상기 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 상기 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제3 공정은 상기 여기 기간 전에 상기 제2 처리 가스 를 상기 여기 기구에 의해 여기하지 않은 상태에서 상기 처리 영역에 공급하는 기간도 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 처리 영역은 붕소 함유 가스를 포함하는 제4 처리 가스를 선택적으로 공급 가능하게 구성되고, 상기 반도체 처리용 성막 방법은 상기 처리 영역에 대한 상기 제4 처리 가스의 공급을 행하는 기간을 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 처리 영역에 대한 상기 제4 처리 가스 공급은 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급과 같은 타이밍에 실행 및 정지하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 공정은 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 및 제4 처리 가스의 공급을 정지하는 것이고,상기 제2 공정은 상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 제3, 및 제4 처리 가스의 공급을 정지하는 것이고,상기 제3 공정은 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제1, 제3, 및 제4 처리 가스의 공급을 정지하는 것이고,상기 제4 공정은 상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 제3, 및 제4 처리 가스의 공급을 정지하는 것이고,상기 반도체 처리용 성막 방법은 상기 제1 내지 제4 공정 후에,상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제4 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제5 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 제3, 및 제4 처리 가스의 공급을 정지하는 제6 공정과,상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제1, 제3, 및 제4 처리 가스의 공급을 정지하는 제7 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 제3, 및 제4 처리 가스의 공급을 정지하는 제8 공정을 교대로 더 구비하는 것을 포함하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제7 공정은 상기 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 상기 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제7 공정은 상기 여기 기간 전에 상기 제2 처리 가스를 상기 여기 기구에 의해 여기하지 않은 상태에서 상기 처리 영역에 공급하는 기간도 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 및 제4 공정의 각각은 상기 처리 영역에 대한 퍼 지 가스의 공급을 행하는 기간을 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 공정 내지 상기 제4 공정에 걸쳐서 상기 처리 영역 내의 배기를 계속하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 처리 가스는 디클로로실란, 헥사클로로디실란, 모노실란, 디실란, 헥사메틸디실라잔, 테트라클로로실란, 디실릴아민, 트리실릴아민, 비스터셜부틸아미노실란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 가스를 포함하고, 상기 제2 처리 가스는 암모니아, 질소, 일산화이질소, 일산화질소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 가스를 포함하고, 상기 제3 처리 가스는 아세틸렌, 에틸렌, 메탄, 에탄, 프로판, 부탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 가스를 포함하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제4 처리 가스는 BCl3, B2H6, BF3, B(CH3)3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 가스를 포함하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 탄화수소 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 붕소 함유 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 절연막을 형성하는 반 도체 처리용 성막 방법이며,상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 정지하는 제1 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제2 공정과,상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제3 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제4 공정을 교대로 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제3 공정은 상기 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 상기 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제3 공정은 상기 여기 기간 전에 상기 제2 처리 가스를 상기 여기 기구에 의해 여기하지 않은 상태에서 상기 처리 영역에 공급하는 기간도 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제2 및 제4 공정의 각각은 상기 처리 영역에 대한 퍼지 가스의 공급을 행하는 기간을 구비하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제1 공정 내지 상기 제4 공정에 걸쳐서 상기 처리 영역 내의 배기를 계속하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제1 처리 가스는 아세틸렌, 에틸렌, 메탄, 에탄, 프로판, 부탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 가스를 포함하고, 상기 제2 처리 가스는 암모니아, 질소, 일산화이질소, 일산화질소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 가스를 포함하고, 상기 제3 처리 가스는 BCl3, B2H6, BF3, B(CH3)3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 가스를 포함하는 반도체 처리용 성막 방법.
- 반도체 처리용 성막 장치이며,피처리 기판을 수납하는 처리 영역을 갖는 처리 용기와,상기 처리 영역 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 처리 영역 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터와,상기 처리 영역 내를 배기하는 배기계와,상기 처리 영역에 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스를 공급하는 제1 처리 가스 공급계와,상기 처리 영역에 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급계와,상기 처리 영역에 탄화수소 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 공급하는 제3 처리 가스 공급계와,상기 장치의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,상기 제어부는 상기 피처리 기판 상에 CVD에 의해 절연막을 형성하기 위해,상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 정지하는 제1 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제2 공정과,상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제3 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제4 공정을 교대로 실행하는 반도체 처리용 성막 장치.
- 반도체 처리용 성막 장치이며,피처리 기판을 수납하는 처리 영역을 갖는 처리 용기와,상기 처리 영역 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 처리 영역 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터와,상기 처리 영역 내를 배기하는 배기계와,상기 처리 영역에 탄화수소 가스를 포함하는 제1 처리 가스를 공급하는 제1 처리 가스 공급계와,상기 처리 영역에 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급계와,상기 처리 영역에 붕소 함유 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 공급하는 제3 처리 가스 공급계와,상기 장치의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,상기 제어부는 상기 피처리 기판 상에 CVD에 의해 절연막을 형성하기 위해,상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 정지하는 제1 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제2 공정과,상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제3 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제4 공정을 교대로 실행하는 반도체 처리용 성막 장치.
- 프로세서 상에서 실행하기 위한 프로그램 지령을 포함하는 컴퓨터 판독 가능 매체이며,상기 프로그램 지령은, 프로세서에 의해 실행될 때, 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 탄화수 소 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 절연막을 형성하는 반도체 처리용 성막 장치에,상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 정지하는 제1 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제2 공정과,상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제3 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제4 공정을 교대로 실행시키는 컴퓨터 판독 가능 매체.
- 프로세서 상에서 실행하기 위한 프로그램 지령을 포함하는 컴퓨터 판독 가능 매체이며,상기 프로그램 지령은, 프로세서에 의해 실행될 때, 탄화수소 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 붕소 함유 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 절연막을 형성하는 반도체 처리용 성막 장치에,상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 정지하는 제1 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제2 공정과,상기 처리 영역에 대한 상기 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 상기 처리 영역에 대한 상기 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제3 공정과,상기 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지하는 제4 공정을 교대로 실행시키는 컴퓨터 판독 가능 매체.
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