JP2003166060A - Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜の製造方法 - Google Patents
Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜の製造方法Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
Abstract
(57)【要約】
【課題】塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、しか
も水素および炭素含有量の少ないシリコン窒化物膜、シ
リコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜を低温
においてさえＣＶＤ法により製造することができる方法
を提供する。 【解決手段】シリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物
膜、またはシリコン酸化物膜の前駆体として、式Ｓｉ
（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキス（ヒドロカルビル
アミノ）シランおよび式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示され
るトリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式におい
て、各ＲｉはＣ１〜Ｃ４炭化水素基である）からなる群
の中から選ばれる少なくとも１種の化合物を使用する。
も水素および炭素含有量の少ないシリコン窒化物膜、シ
リコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜を低温
においてさえＣＶＤ法により製造することができる方法
を提供する。 【解決手段】シリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物
膜、またはシリコン酸化物膜の前駆体として、式Ｓｉ
（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキス（ヒドロカルビル
アミノ）シランおよび式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示され
るトリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式におい
て、各ＲｉはＣ１〜Ｃ４炭化水素基である）からなる群
の中から選ばれる少なくとも１種の化合物を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ法によるシ
リコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリ
コン酸化物膜の製造方法に関する。
リコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリ
コン酸化物膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン窒化物は、優れたバリヤー特
性、耐酸化特性等を有するので、マイクロ電子デバイス
を製造するに際し、たとえばハードマスク層、エッチス
トップ層、バリヤー層、ゲート絶縁層、およびＯＮＯス
タックのような多くの用途に使用されている。
性、耐酸化特性等を有するので、マイクロ電子デバイス
を製造するに際し、たとえばハードマスク層、エッチス
トップ層、バリヤー層、ゲート絶縁層、およびＯＮＯス
タックのような多くの用途に使用されている。
【０００３】シリコン窒化物膜を形成するために現在主
として採用されている方法は、プラズマエンハーンスト
ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法と低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法
である。
として採用されている方法は、プラズマエンハーンスト
ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法と低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法
である。
【０００４】ＰＥＣＶＤ法は、ケイ素源（通常シラン）
と窒素源（通常、アンモニア、最近では、窒素）とを一
対の平行平板電極間に導入し、低温（ほぼ３００℃）、
中圧（０.１〜５Ｔｏｒｒ）の下で、両電極間に高周波
エネルギーを印加してケイ素源と窒素源からプラズマを
発生させるものである。発生したプラズマ中の活性ケイ
素種と活性窒素種が相互に反応してシリコン窒化物膜を
生成させる。ＰＥＣＶＤ法により得られるシリコン窒化
物膜は、通常、化学量論的組成を持たず、しかも水素リ
ッチなものである。したがって、このシリコン窒化物膜
は、膜密度が低く、エッチ速度が速く、品質に劣ったも
のとなる。
と窒素源（通常、アンモニア、最近では、窒素）とを一
対の平行平板電極間に導入し、低温（ほぼ３００℃）、
中圧（０.１〜５Ｔｏｒｒ）の下で、両電極間に高周波
エネルギーを印加してケイ素源と窒素源からプラズマを
発生させるものである。発生したプラズマ中の活性ケイ
素種と活性窒素種が相互に反応してシリコン窒化物膜を
生成させる。ＰＥＣＶＤ法により得られるシリコン窒化
物膜は、通常、化学量論的組成を持たず、しかも水素リ
ッチなものである。したがって、このシリコン窒化物膜
は、膜密度が低く、エッチ速度が速く、品質に劣ったも
のとなる。
【０００５】熱ＬＰＣＶＤ法は、低圧（０．１〜２Ｔｏ
ｒｒ）と高温（７５０〜９００℃）を使用するものであ
り、ＰＥＣＶＤ法により生成するシリコン窒化物膜に比
べて品質の優れたシリコン窒化物膜が得られる。一般
に、このＬＰＣＶＤ法では、現在、ジクロロシラン（Ｄ
ＣＳ，ＳｉＨ２Ｃｌ２）とアンモニアガスを反応させて
いる。しかしながら、従来のＬＰＣＶＤ法では、上記反
応により白色堆積物の塩化アンモニウムが副生し、この
塩化アンモニウムが反応装置の排気ライン内に蓄積し、
これを閉塞するという問題がある。さらに、この方法で
はシリコン窒化物の堆積速度が遅く、十分な堆積速度
（＞１０Ａ／ｍｉｎ）を得るためには高温で反応させる
必要があるため、これはインターコネクト用途には適さ
ない。高温プロセスはまたシリコン膜中のドーパント分
布プロフィールの精密な制御のためにも不都合である。
ｒｒ）と高温（７５０〜９００℃）を使用するものであ
り、ＰＥＣＶＤ法により生成するシリコン窒化物膜に比
べて品質の優れたシリコン窒化物膜が得られる。一般
に、このＬＰＣＶＤ法では、現在、ジクロロシラン（Ｄ
ＣＳ，ＳｉＨ２Ｃｌ２）とアンモニアガスを反応させて
いる。しかしながら、従来のＬＰＣＶＤ法では、上記反
応により白色堆積物の塩化アンモニウムが副生し、この
塩化アンモニウムが反応装置の排気ライン内に蓄積し、
これを閉塞するという問題がある。さらに、この方法で
はシリコン窒化物の堆積速度が遅く、十分な堆積速度
（＞１０Ａ／ｍｉｎ）を得るためには高温で反応させる
必要があるため、これはインターコネクト用途には適さ
ない。高温プロセスはまたシリコン膜中のドーパント分
布プロフィールの精密な制御のためにも不都合である。
【０００６】今日、これらの問題を解決するために、以
下のようないくつかの前駆体が提案されているが、これ
らはいずれも上記問題を完全に解決できるものではな
く、種々の問題を含んでいる。
下のようないくつかの前駆体が提案されているが、これ
らはいずれも上記問題を完全に解決できるものではな
く、種々の問題を含んでいる。
【０００７】反応を低温で行うための一つの方法として
は、通常のジクロロシランの代わりにヘキサクロロジシ
ラン（ＨＣＤＳ，Ｓｉ２Ｃｌ６）を使用する方法が知ら
れている。Ｓｉ２Ｃｌ６は、反応Ｓｉ２Ｃｌ６→ＳｉＣ
ｌ２＋ＳｉＣｌ４により、比較的低温で、アンモニアと
反応するのに好適な気相の前駆体ジクロロシリレンＳｉ
Ｃｌ２を生成する。しかしながら、この方法では、通常
のジクロロシランを使用する方法と少なくとも等量の塩
化アンモニウムが生成されるため、これを取り除くため
に定期的に反応装置や排気ラインを清掃することが必要
となり、また基板が塩化アンモニウム粒子で汚染される
という大きな危険性をも含む。
は、通常のジクロロシランの代わりにヘキサクロロジシ
ラン（ＨＣＤＳ，Ｓｉ２Ｃｌ６）を使用する方法が知ら
れている。Ｓｉ２Ｃｌ６は、反応Ｓｉ２Ｃｌ６→ＳｉＣ
ｌ２＋ＳｉＣｌ４により、比較的低温で、アンモニアと
反応するのに好適な気相の前駆体ジクロロシリレンＳｉ
Ｃｌ２を生成する。しかしながら、この方法では、通常
のジクロロシランを使用する方法と少なくとも等量の塩
化アンモニウムが生成されるため、これを取り除くため
に定期的に反応装置や排気ラインを清掃することが必要
となり、また基板が塩化アンモニウム粒子で汚染される
という大きな危険性をも含む。
【０００８】米国特許第５８７４３６８号には、式Ｓｉ
Ｈ２（ＮＨｔＢｕ）２（ここで、ｔＢｕはｔｅｒｔ−ブ
チル基）で示されるビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シ
ラン（ＢＴＢＡＳ）とアンモニアを使用する方法が開示
されている。この方法も通常のジクロロシランとアンモ
ニアを使用する方法に比べて、より低温でシリコン窒化
物膜を生成することができ、さらに、ＢＴＢＡＳは塩素
を含有しないため、塩化アンモニウムの生成を伴わな
い。しかしながら、ＢＴＢＡＳは、ケイ素−水素間の結
合（ＳｉＨ結合エネルギー＝３１８ｋＪ／ｍｏｌ）の切
断が困難なために、生成される膜が水素リッチになると
いう問題がある。
Ｈ２（ＮＨｔＢｕ）２（ここで、ｔＢｕはｔｅｒｔ−ブ
チル基）で示されるビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シ
ラン（ＢＴＢＡＳ）とアンモニアを使用する方法が開示
されている。この方法も通常のジクロロシランとアンモ
ニアを使用する方法に比べて、より低温でシリコン窒化
物膜を生成することができ、さらに、ＢＴＢＡＳは塩素
を含有しないため、塩化アンモニウムの生成を伴わな
い。しかしながら、ＢＴＢＡＳは、ケイ素−水素間の結
合（ＳｉＨ結合エネルギー＝３１８ｋＪ／ｍｏｌ）の切
断が困難なために、生成される膜が水素リッチになると
いう問題がある。
【０００９】また、米国特許第５２３４８６９号には、
塩素を含有しない（すなわち、塩化アンモニウムを生成
しない）シリコン窒化物前駆体として、式ＳｉＨｘ（Ｎ
Ｍｅ ２）４−ｘ（ここで、Ｍｅはメチル基）で示される
化合物を用いてこれをアンモニアと共にＰＥＣＶＤに供
してシリコン窒化物を製造する方法が開示されている。
また、Ｌｅｖｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ Ｍａｔｅｒ Ｒｅ
ｓ，１１，１４８３，１９９６，Ｂｏｕｄｒｅａｕ ｅ
ｔ ａｌ．，Ｍａｔｅｒ Ｒｅｓ Ｓｏｃ Ｓｙｍｐ
Ｐｒｏｃ ３００，１８３，１９９３，Ｇｒｏｗ ｅｔ
ａｌ．，Ｍａｔｅｒ Ｌｅｔｔ．，２３，１８７，１
９９５には、式ＳｉＨ（ＮＭｅ２）３および式ＳｉＨ２
ｔＢｕ２（ここで、Ｍｅはメチル基、ｔＢｕはｔｅｒｔ
−ブチル基をそれぞれ表す）で示される化合物を用いる
ＰＥＣＶＤ法が開示されている。しかしながら、これら
の方法はＬＰＣＶＤ法ではなく、また、これらに用いら
れる−ＮＭｅ２基のような、Ｒ１およびＲ２のいずれも
がアルキル基である−ＮＲ １Ｒ２型の置換基を有する前
駆体を使用すると、生成される膜中に炭素が高い含有率
で含まれることが知られている。さらに、米国特許第４
９９２２９９号、米国特許第４９９２３０６号、および
米国特許第５０１３６９０号において、前駆体としてア
ジドシランを用いる方法が開示されている。しかしなが
ら、これらに用いられる式ＳｉＥｔ３Ｎ３（ここで、Ｅ
ｔはエチル基）で示されるようなアジドシランは、炭素
原子がケイ素原子に直接結合しているため、形成される
シリコン窒化物膜中に炭化シリコンが高い含有率で混入
する。このように、形成される膜中に高い含有率で炭素
が含まれると、膜の絶縁性が低下する。
塩素を含有しない（すなわち、塩化アンモニウムを生成
しない）シリコン窒化物前駆体として、式ＳｉＨｘ（Ｎ
Ｍｅ ２）４−ｘ（ここで、Ｍｅはメチル基）で示される
化合物を用いてこれをアンモニアと共にＰＥＣＶＤに供
してシリコン窒化物を製造する方法が開示されている。
また、Ｌｅｖｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ Ｍａｔｅｒ Ｒｅ
ｓ，１１，１４８３，１９９６，Ｂｏｕｄｒｅａｕ ｅ
ｔ ａｌ．，Ｍａｔｅｒ Ｒｅｓ Ｓｏｃ Ｓｙｍｐ
Ｐｒｏｃ ３００，１８３，１９９３，Ｇｒｏｗ ｅｔ
ａｌ．，Ｍａｔｅｒ Ｌｅｔｔ．，２３，１８７，１
９９５には、式ＳｉＨ（ＮＭｅ２）３および式ＳｉＨ２
ｔＢｕ２（ここで、Ｍｅはメチル基、ｔＢｕはｔｅｒｔ
−ブチル基をそれぞれ表す）で示される化合物を用いる
ＰＥＣＶＤ法が開示されている。しかしながら、これら
の方法はＬＰＣＶＤ法ではなく、また、これらに用いら
れる−ＮＭｅ２基のような、Ｒ１およびＲ２のいずれも
がアルキル基である−ＮＲ １Ｒ２型の置換基を有する前
駆体を使用すると、生成される膜中に炭素が高い含有率
で含まれることが知られている。さらに、米国特許第４
９９２２９９号、米国特許第４９９２３０６号、および
米国特許第５０１３６９０号において、前駆体としてア
ジドシランを用いる方法が開示されている。しかしなが
ら、これらに用いられる式ＳｉＥｔ３Ｎ３（ここで、Ｅ
ｔはエチル基）で示されるようなアジドシランは、炭素
原子がケイ素原子に直接結合しているため、形成される
シリコン窒化物膜中に炭化シリコンが高い含有率で混入
する。このように、形成される膜中に高い含有率で炭素
が含まれると、膜の絶縁性が低下する。
【００１０】また、米国特許第４２００６６６号、米国
特許第４５６９８５５号においても、塩素を含まない前
駆体を用いてシリコン窒化物を堆積させる方法が開示さ
れているが、これらはＬＰＣＶＤ法ではない。
特許第４５６９８５５号においても、塩素を含まない前
駆体を用いてシリコン窒化物を堆積させる方法が開示さ
れているが、これらはＬＰＣＶＤ法ではない。
【００１１】上記のような問題は、シリコン窒化物膜と
同等の物性および用途を有するシリコンオキシ窒化物膜
やシリコン酸化物膜を上記従来の前駆体を用いて製造す
る場合についてもいえることである。
同等の物性および用途を有するシリコンオキシ窒化物膜
やシリコン酸化物膜を上記従来の前駆体を用いて製造す
る場合についてもいえることである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、塩
化アンモニウムの生成を伴うことなく、しかも水素およ
び炭素含有量の少ないシリコン窒化物膜、シリコンオキ
シ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜を低温においてさ
え、ＣＶＤ法により製造することができる方法を提供す
ることを課題とする。
化アンモニウムの生成を伴うことなく、しかも水素およ
び炭素含有量の少ないシリコン窒化物膜、シリコンオキ
シ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜を低温においてさ
え、ＣＶＤ法により製造することができる方法を提供す
ることを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意研究した結果、式Ｓｉ（ＮＨＲｉ） ４
で示されるテトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン
および／または式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示されるトリ
ス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式において、各
Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素基であ
る）、および特定のガスとを反応チャンバ内に導入する
ことにより、塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、
しかも水素および炭素含有量の少ないシリコン窒化物
膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜
を低温においてさえ、ＣＶＤ法により製造することがで
きることを見いだした。本発明は、これらの知見に基づ
く。
を解決すべく鋭意研究した結果、式Ｓｉ（ＮＨＲｉ） ４
で示されるテトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン
および／または式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示されるトリ
ス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式において、各
Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素基であ
る）、および特定のガスとを反応チャンバ内に導入する
ことにより、塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、
しかも水素および炭素含有量の少ないシリコン窒化物
膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜
を低温においてさえ、ＣＶＤ法により製造することがで
きることを見いだした。本発明は、これらの知見に基づ
く。
【００１４】すなわち、本発明の第１の側面によれば、
少なくとも１つの基板を収容した反応チャンバ内に、式
Ｓｉ（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキス（ヒドロカル
ビルアミノ）シランおよび式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示
されるトリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式に
おいて、各Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素
基である）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種
のシリコン窒化物前駆体、およびアンモニア、ヒドラジ
ン、アルキルヒドラジン化合物、アジ化水素からなる群
の中から選ばれる第２反応ガスを導入し、該チャンバを
０．０５Ｔｏｒｒから大気圧までの圧力下に維持しなが
ら、３００℃から９００℃までの温度に加熱することに
よりシリコン窒化物膜を該基板上に形成させることを特
徴とするＣＶＤ法によるシリコン窒化物膜の製造方法が
提供される。
少なくとも１つの基板を収容した反応チャンバ内に、式
Ｓｉ（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキス（ヒドロカル
ビルアミノ）シランおよび式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示
されるトリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式に
おいて、各Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素
基である）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種
のシリコン窒化物前駆体、およびアンモニア、ヒドラジ
ン、アルキルヒドラジン化合物、アジ化水素からなる群
の中から選ばれる第２反応ガスを導入し、該チャンバを
０．０５Ｔｏｒｒから大気圧までの圧力下に維持しなが
ら、３００℃から９００℃までの温度に加熱することに
よりシリコン窒化物膜を該基板上に形成させることを特
徴とするＣＶＤ法によるシリコン窒化物膜の製造方法が
提供される。
【００１５】また、本発明の第２の側面によれば、少な
くとも１つの基板を収容した反応チャンバ内に、式Ｓｉ
（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキス（ヒドロカルビル
アミノ）シランおよび式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示され
るトリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式におい
て、各Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素基で
ある）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種のシ
リコンオキシ窒化物前駆体と、少なくとも１種の窒素含
有ガス、および少なくとも１種の酸素含有ガスとを導入
し、該チャンバを０．０５Ｔｏｒｒから大気圧までの圧
力下に維持しながら、３００℃から９００℃までの温度
に加熱することにより、シリコンオキシ窒化物膜を該基
板上に形成させることを特徴とするＣＶＤ法によるシリ
コンオキシ窒化物膜の製造方法が提供される。この方法
において、該窒素含有ガスは、アンモニア、ヒドラジ
ン、アルキルヒドラジン化合物、アジ化水素、一酸化窒
素、二酸化窒素、酸化二窒素からなる群の中から選ばれ
ることが好ましい。また、酸素含有ガスは、一酸化窒
素、二酸化窒素、酸化二窒素、酸素、オゾン、過酸化水
素、およびＨ２Ｏからなる群の中から選ばれることが好
ましい。
くとも１つの基板を収容した反応チャンバ内に、式Ｓｉ
（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキス（ヒドロカルビル
アミノ）シランおよび式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示され
るトリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式におい
て、各Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素基で
ある）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種のシ
リコンオキシ窒化物前駆体と、少なくとも１種の窒素含
有ガス、および少なくとも１種の酸素含有ガスとを導入
し、該チャンバを０．０５Ｔｏｒｒから大気圧までの圧
力下に維持しながら、３００℃から９００℃までの温度
に加熱することにより、シリコンオキシ窒化物膜を該基
板上に形成させることを特徴とするＣＶＤ法によるシリ
コンオキシ窒化物膜の製造方法が提供される。この方法
において、該窒素含有ガスは、アンモニア、ヒドラジ
ン、アルキルヒドラジン化合物、アジ化水素、一酸化窒
素、二酸化窒素、酸化二窒素からなる群の中から選ばれ
ることが好ましい。また、酸素含有ガスは、一酸化窒
素、二酸化窒素、酸化二窒素、酸素、オゾン、過酸化水
素、およびＨ２Ｏからなる群の中から選ばれることが好
ましい。
【００１６】さらに、本発明の第３の側面によれば、少
なくとも１つの基板を収容した反応チャンバ内に、式Ｓ
ｉ（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキス（ヒドロカルビ
ルアミノ）シランおよび式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示さ
れるトリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式にお
いて、各Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素基
である）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の
シリコン酸化物前駆体と、少なくとも１種の酸素含有ガ
スとを導入し、該チャンバを０．０５Ｔｏｒｒから大気
圧までの圧力下に維持しながら、３００℃から９００℃
までの温度に加熱することにより、シリコン酸化物膜を
該基板上に形成させることを特徴とするＣＶＤ法による
シリコン酸化物膜の製造方法が提供される。この方法に
おいて、酸素含有ガスは、一酸化窒素、二酸化窒素、酸
化二窒素、酸素、オゾン、過酸化水素、およびＨ２Ｏか
らなる群の中から選ばれることが好ましく、酸素、オゾ
ン、または過酸化水素からなる群の中から選ばれること
がより好ましい。
なくとも１つの基板を収容した反応チャンバ内に、式Ｓ
ｉ（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキス（ヒドロカルビ
ルアミノ）シランおよび式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３で示さ
れるトリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン（各式にお
いて、各Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素基
である）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の
シリコン酸化物前駆体と、少なくとも１種の酸素含有ガ
スとを導入し、該チャンバを０．０５Ｔｏｒｒから大気
圧までの圧力下に維持しながら、３００℃から９００℃
までの温度に加熱することにより、シリコン酸化物膜を
該基板上に形成させることを特徴とするＣＶＤ法による
シリコン酸化物膜の製造方法が提供される。この方法に
おいて、酸素含有ガスは、一酸化窒素、二酸化窒素、酸
化二窒素、酸素、オゾン、過酸化水素、およびＨ２Ｏか
らなる群の中から選ばれることが好ましく、酸素、オゾ
ン、または過酸化水素からなる群の中から選ばれること
がより好ましい。
【００１７】本発明において使用される前駆体は、テト
ラエチルアミノシランであることが好ましい。
ラエチルアミノシランであることが好ましい。
【００１８】また、本発明において、反応チャンバ内
に、不活性ガスをも導入することができる。
に、不活性ガスをも導入することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明をより詳しく説明す
る。
る。
【００２０】本発明は、ＣＶＤ法によりシリコン窒化物
膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜
を基板上に形成する方法に関し、それらの前駆体として
特定の化合物を用いるものである。
膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜
を基板上に形成する方法に関し、それらの前駆体として
特定の化合物を用いるものである。
【００２１】本発明により使用される前駆体は、式Ｓｉ
（ＮＨＲｉ）４および／または式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３
で示される化合物からなる。各式において、各Ｒｉは、
それぞれ独立にＣ１〜Ｃ４炭化水素基の中から選ばれ
る。Ｃ１〜Ｃ４炭化水素基にはアルキルまたはビニルが
含まれる。Ｃ１〜Ｃ４アルキルにはメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチルが含まれ
る。本発明の前駆体は、塩素を含有しないので塩化アン
モニウムを副生することがなく、しかも水素と炭素の含
有量の低いＣＶＤ膜を低温（５５０〜７００℃）におい
てさえ形成することが可能である。すなわち、本発明の
前駆体は、ケイ素原子に直接結合した炭素原子を持た
ず、さらにヒドロカルビルアミノ基は第一アミン（−Ｎ
ＨＲ）であり炭素量が少ないため、従来よりも生成する
ＣＶＤ膜中の炭素含有量を低くすることができる。ま
た、本発明の前駆体はＳｉに直接結合した水素が少ない
ので、ＣＶＤ膜中の水素含有量を低くすることができ
る。
（ＮＨＲｉ）４および／または式ＳｉＨ（ＮＨＲｉ）３
で示される化合物からなる。各式において、各Ｒｉは、
それぞれ独立にＣ１〜Ｃ４炭化水素基の中から選ばれ
る。Ｃ１〜Ｃ４炭化水素基にはアルキルまたはビニルが
含まれる。Ｃ１〜Ｃ４アルキルにはメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチルが含まれ
る。本発明の前駆体は、塩素を含有しないので塩化アン
モニウムを副生することがなく、しかも水素と炭素の含
有量の低いＣＶＤ膜を低温（５５０〜７００℃）におい
てさえ形成することが可能である。すなわち、本発明の
前駆体は、ケイ素原子に直接結合した炭素原子を持た
ず、さらにヒドロカルビルアミノ基は第一アミン（−Ｎ
ＨＲ）であり炭素量が少ないため、従来よりも生成する
ＣＶＤ膜中の炭素含有量を低くすることができる。ま
た、本発明の前駆体はＳｉに直接結合した水素が少ない
ので、ＣＶＤ膜中の水素含有量を低くすることができ
る。
【００２２】本発明においては、式Ｓｉ（ＮＨＲｉ）４
で示される化合物を用いることが好ましい。Ｓｉ（ＮＨ
Ｒｉ）４はＳｉに直接結合した水素を持たないので、生
成するＣＶＤ膜中の水素含有率がより一層少なくなる。
また、式Ｓｉ（ＮＨＲｉ）４で示される化合物の中で最
も好適な前駆体はテトラエチルアミノシラン（ＴＥＡ
Ｓ，Ｓｉ（ＮＨＥｔ）４）である。この化合物は容易に
合成でき（Ｎａｒｓａｖａｇｅ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅ
ｍ Ｍａｔｅｒ，７２１，３，１９９１）、揮発性（１
２０℃で蒸気圧３０Ｔｏｒｒ、２５℃で蒸気圧１．３Ｔ
ｏｒｒ）であって、また、立体効果が少なく、エチルア
ミノ基が離脱し易く、したがってアンモニア等の窒素含
有ガスとの反応が容易に行われるので、低温（５５０〜
７００℃）においてＣＶＤ法によりシリコン窒化物膜、
シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜を形
成することが可能である。
で示される化合物を用いることが好ましい。Ｓｉ（ＮＨ
Ｒｉ）４はＳｉに直接結合した水素を持たないので、生
成するＣＶＤ膜中の水素含有率がより一層少なくなる。
また、式Ｓｉ（ＮＨＲｉ）４で示される化合物の中で最
も好適な前駆体はテトラエチルアミノシラン（ＴＥＡ
Ｓ，Ｓｉ（ＮＨＥｔ）４）である。この化合物は容易に
合成でき（Ｎａｒｓａｖａｇｅ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅ
ｍ Ｍａｔｅｒ，７２１，３，１９９１）、揮発性（１
２０℃で蒸気圧３０Ｔｏｒｒ、２５℃で蒸気圧１．３Ｔ
ｏｒｒ）であって、また、立体効果が少なく、エチルア
ミノ基が離脱し易く、したがってアンモニア等の窒素含
有ガスとの反応が容易に行われるので、低温（５５０〜
７００℃）においてＣＶＤ法によりシリコン窒化物膜、
シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜を形
成することが可能である。
【００２３】さて、本発明に従いシリコン窒化物膜を基
板（特に、シリコン基板等の半導体基板）上に形成する
ためには、少なくとも１つの基板を収容した反応チャン
バ内に、１種もしくはそれ以上の本発明の前駆体を導入
するが、その際、前駆体とともに、アンモニア、ヒドラ
ジン、アルキルヒドラジン化合物、およびアジ化水素か
らなる群の中から選ばれる第２反応ガスをも供給する。
板（特に、シリコン基板等の半導体基板）上に形成する
ためには、少なくとも１つの基板を収容した反応チャン
バ内に、１種もしくはそれ以上の本発明の前駆体を導入
するが、その際、前駆体とともに、アンモニア、ヒドラ
ジン、アルキルヒドラジン化合物、およびアジ化水素か
らなる群の中から選ばれる第２反応ガスをも供給する。
【００２４】所期の反応に際しては、反応チャンバを
０.０５Ｔｏｒｒから大気圧までの圧力に維持しなが
ら、基板を３００℃から９００℃までの温度に加熱す
る。反応チャンバ内の圧力は、０.１〜５Ｔｏｒｒであ
ることが好ましく、ＣＶＤ反応温度は５５０℃〜７００
℃であることが好ましい。シリコン窒化物前駆体と第２
反応ガスとのモル比は、通常、１：１〜１：２０であ
り、好ましくは１：３〜１：１０である。この条件によ
り、発明のシリコン窒化物膜前駆体と窒素を含有する第
２反応ガスとが反応し、シリコン窒化物膜が基板上に生
成する。
０.０５Ｔｏｒｒから大気圧までの圧力に維持しなが
ら、基板を３００℃から９００℃までの温度に加熱す
る。反応チャンバ内の圧力は、０.１〜５Ｔｏｒｒであ
ることが好ましく、ＣＶＤ反応温度は５５０℃〜７００
℃であることが好ましい。シリコン窒化物前駆体と第２
反応ガスとのモル比は、通常、１：１〜１：２０であ
り、好ましくは１：３〜１：１０である。この条件によ
り、発明のシリコン窒化物膜前駆体と窒素を含有する第
２反応ガスとが反応し、シリコン窒化物膜が基板上に生
成する。
【００２５】なお、反応チャンバ内には、不活性ガス
（アルゴンのような希ガス類、あるいは窒素等）をも導
入することができる。不活性ガスを導入することによ
り、ＣＶＤ膜の均一性等の膜質を向上させることができ
る。また、不活性ガスは本発明の前駆体を気化させる際
にも使用することができる。例えば、液状の本発明の前
駆体中に不活性ガスを吹き込んでその不活性ガスに本発
明の前駆体を同伴させ、その状態で気相の本発明の前駆
体を反応チャンバ内に供給することができる。あるい
は、気化器により液状の本発明の前駆体を気化させるに
際し、気化器内に不活性ガスをも導入し、気化した本発
明の前駆体を不活性ガスと共に反応チャンバ内に供給す
ることができる。
（アルゴンのような希ガス類、あるいは窒素等）をも導
入することができる。不活性ガスを導入することによ
り、ＣＶＤ膜の均一性等の膜質を向上させることができ
る。また、不活性ガスは本発明の前駆体を気化させる際
にも使用することができる。例えば、液状の本発明の前
駆体中に不活性ガスを吹き込んでその不活性ガスに本発
明の前駆体を同伴させ、その状態で気相の本発明の前駆
体を反応チャンバ内に供給することができる。あるい
は、気化器により液状の本発明の前駆体を気化させるに
際し、気化器内に不活性ガスをも導入し、気化した本発
明の前駆体を不活性ガスと共に反応チャンバ内に供給す
ることができる。
【００２６】次に、本発明に従いシリコン酸化物膜を基
板上に堆積するためには、シリコン窒化物膜の堆積に関
して上に説明した本発明の前駆体と必要により導入する
希釈ガスに加えて、第２反応ガスの代わりに少なくとも
１種の酸素含有ガスを反応チャンバ内に導入する。この
酸素含有ガスも塩素フリーのものであり、好ましくは一
酸化窒素、二酸化窒素、酸化二窒素、酸素、オゾン、過
酸化水素、およびＨ２Ｏからなる群の中から選ばれる。
本発明の前駆体と酸素含有ガスのモル比は１０：１〜
１：１０であることが好ましい。本発明の前駆体は酸素
含有ガスに対する反応性が、通常用いられるジアルキル
アミノシランよりも高いために、より低い温度でシリコ
ン酸化物を堆積させることができる。この場合、前駆体
と酸素含有ガスのモル比は１：１００〜１：２であるこ
とが好ましい。窒素を含まない純粋なシリコン酸化物膜
は、反応チャンバ内に導入する本発明のシリコン窒化物
前駆体に対する酸素含有ガスの割合を大きくすることに
よって得ることができる。また、窒素を含まないシリコ
ン酸化物膜を得るのに好適な酸素含有ガスは、Ｈ２Ｏ、
過酸化水素、オゾンなどのような窒素不含有ガスであ
る。この場合、前駆体と酸素含有ガスのモル比は、好ま
しくは１：１００〜１：１０の割合で使用される。シリ
コン窒化物膜に関して説明した圧力および温度条件の下
で、本発明の前駆体が酸素含有ガスと反応して、シリコ
ン酸化物膜を基板上に形成する。
板上に堆積するためには、シリコン窒化物膜の堆積に関
して上に説明した本発明の前駆体と必要により導入する
希釈ガスに加えて、第２反応ガスの代わりに少なくとも
１種の酸素含有ガスを反応チャンバ内に導入する。この
酸素含有ガスも塩素フリーのものであり、好ましくは一
酸化窒素、二酸化窒素、酸化二窒素、酸素、オゾン、過
酸化水素、およびＨ２Ｏからなる群の中から選ばれる。
本発明の前駆体と酸素含有ガスのモル比は１０：１〜
１：１０であることが好ましい。本発明の前駆体は酸素
含有ガスに対する反応性が、通常用いられるジアルキル
アミノシランよりも高いために、より低い温度でシリコ
ン酸化物を堆積させることができる。この場合、前駆体
と酸素含有ガスのモル比は１：１００〜１：２であるこ
とが好ましい。窒素を含まない純粋なシリコン酸化物膜
は、反応チャンバ内に導入する本発明のシリコン窒化物
前駆体に対する酸素含有ガスの割合を大きくすることに
よって得ることができる。また、窒素を含まないシリコ
ン酸化物膜を得るのに好適な酸素含有ガスは、Ｈ２Ｏ、
過酸化水素、オゾンなどのような窒素不含有ガスであ
る。この場合、前駆体と酸素含有ガスのモル比は、好ま
しくは１：１００〜１：１０の割合で使用される。シリ
コン窒化物膜に関して説明した圧力および温度条件の下
で、本発明の前駆体が酸素含有ガスと反応して、シリコ
ン酸化物膜を基板上に形成する。
【００２７】また、シリコンオキシ窒化物膜の堆積にお
いては、本発明の前駆体と、窒素含有ガス、少なくとも
１種の酸素含有ガスおよび必要により希釈ガスを導入す
る。窒素含有ガスとしては、上記第２反応ガスと同種の
ガスを使用することができる。また、酸素含有ガスとし
ては、シリコン酸化物膜の製造に関して上に述べた酸素
含有ガスを使用することができる。酸素含有ガスが窒素
を含まない、たとえば酸素、オゾン、過酸化水素、Ｈ２
Ｏなどの場合、本発明の前駆体と窒素含有ガスのモル比
は好ましくは１０：１〜１：５０の割合で使用され、前
駆体と酸素含有ガスのモル比は好ましくは５０：１〜
１：１０の割合で使用される。酸素含有ガスが窒素をも
含有する場合には、窒素源としての窒素含有ガスをさら
に使用しないでもよい。たとえば、酸素含有ガスが一酸
化窒素、二酸化窒素、酸化二窒素などの場合、本発明の
前駆体と窒素含有ガスのモル比は好ましくは１：０〜
１：５０の割合で使用され、前駆体と酸素含有ガスのモ
ル比は好ましくは５０：１〜１：１０、より好ましくは
１：１〜１：５の割合で使用される。シリコン窒化物膜
に関して説明した圧力および温度条件の下で、本発明の
前駆体が窒素含有ガスおよび酸素含有ガスと反応して、
シリコンオキシ窒化物膜を基板上に形成する。
いては、本発明の前駆体と、窒素含有ガス、少なくとも
１種の酸素含有ガスおよび必要により希釈ガスを導入す
る。窒素含有ガスとしては、上記第２反応ガスと同種の
ガスを使用することができる。また、酸素含有ガスとし
ては、シリコン酸化物膜の製造に関して上に述べた酸素
含有ガスを使用することができる。酸素含有ガスが窒素
を含まない、たとえば酸素、オゾン、過酸化水素、Ｈ２
Ｏなどの場合、本発明の前駆体と窒素含有ガスのモル比
は好ましくは１０：１〜１：５０の割合で使用され、前
駆体と酸素含有ガスのモル比は好ましくは５０：１〜
１：１０の割合で使用される。酸素含有ガスが窒素をも
含有する場合には、窒素源としての窒素含有ガスをさら
に使用しないでもよい。たとえば、酸素含有ガスが一酸
化窒素、二酸化窒素、酸化二窒素などの場合、本発明の
前駆体と窒素含有ガスのモル比は好ましくは１：０〜
１：５０の割合で使用され、前駆体と酸素含有ガスのモ
ル比は好ましくは５０：１〜１：１０、より好ましくは
１：１〜１：５の割合で使用される。シリコン窒化物膜
に関して説明した圧力および温度条件の下で、本発明の
前駆体が窒素含有ガスおよび酸素含有ガスと反応して、
シリコンオキシ窒化物膜を基板上に形成する。
【００２８】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はそれらに限定されるものではない。
明はそれらに限定されるものではない。
【００２９】実施例１：シリコン窒化物膜の形成
シリコン窒化物前駆体としてＴＥＡＳを、窒素含有ガス
としてアンモニアを用いて低圧ＣＶＤ法によりシリコン
窒化物膜を形成した。
としてアンモニアを用いて低圧ＣＶＤ法によりシリコン
窒化物膜を形成した。
【００３０】図１は横軸にＴＥＡＳとアンモニアの流量
比（モル比）をとり、縦軸にシリコン窒化物膜の成長速
度をとって、ＴＥＡＳ／ＮＨ３モル比と成長速度の関係
を示したグラフである。このグラフのデータは、チャン
バ内の圧力を０．２Ｔｏｒｒに維持し、反応温度６００
℃、６２５℃、６５０℃においてＴＥＡＳ／ＮＨ３モル
比を０.１から０.３３まで変化させ、成長速度をそれぞ
れ測定したものである。いずれも、通常の熱ＬＰＣＶＤ
法における温度（７５０〜９００℃）よりも低い温度
（６００℃〜６５０℃）において、十分な成長速度（＞
１０Ａ／ｍｉｎ）が得られている。
比（モル比）をとり、縦軸にシリコン窒化物膜の成長速
度をとって、ＴＥＡＳ／ＮＨ３モル比と成長速度の関係
を示したグラフである。このグラフのデータは、チャン
バ内の圧力を０．２Ｔｏｒｒに維持し、反応温度６００
℃、６２５℃、６５０℃においてＴＥＡＳ／ＮＨ３モル
比を０.１から０.３３まで変化させ、成長速度をそれぞ
れ測定したものである。いずれも、通常の熱ＬＰＣＶＤ
法における温度（７５０〜９００℃）よりも低い温度
（６００℃〜６５０℃）において、十分な成長速度（＞
１０Ａ／ｍｉｎ）が得られている。
【００３１】下記表１は、前駆体としてＴＥＡＳを用い
た場合に堆積するシリコン窒化物膜中の炭素および水素
不純物の量を二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）により
分析した値を示す。各反応における温度および圧力の条
件は、表１に示した通りである。
た場合に堆積するシリコン窒化物膜中の炭素および水素
不純物の量を二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）により
分析した値を示す。各反応における温度および圧力の条
件は、表１に示した通りである。
【００３２】
【表１】
実施例２：シリコン酸化物膜の形成
酸素含有ガスとして酸素を用い、前駆体としてＴＥＡＳ
を用いてシリコン酸化物膜を形成した。
を用いてシリコン酸化物膜を形成した。
【００３３】図２は、横軸に反応温度の逆数をとり、縦
軸にシリコン酸化物膜の成長速度の対数をとった、成長
速度の温度依存性を示すグラフである。このグラフのデ
ータは、ＴＥＡＳ分圧が６０ｍＴｏｒｒ、ＴＥＡＳと酸
素の流量比（モル比）が１：５において、基板温度を６
００から６７５℃まで変化させて測定したものである。
反応温度６００℃で成長速度が１０Ａ／ｍｉｎに達し、
通常の熱ＬＰＣＶＤ法における温度よりも低い温度にお
いて十分な成長速度が得られている。
軸にシリコン酸化物膜の成長速度の対数をとった、成長
速度の温度依存性を示すグラフである。このグラフのデ
ータは、ＴＥＡＳ分圧が６０ｍＴｏｒｒ、ＴＥＡＳと酸
素の流量比（モル比）が１：５において、基板温度を６
００から６７５℃まで変化させて測定したものである。
反応温度６００℃で成長速度が１０Ａ／ｍｉｎに達し、
通常の熱ＬＰＣＶＤ法における温度よりも低い温度にお
いて十分な成長速度が得られている。
【００３４】ここで得られたシリコン酸化物膜の屈折率
は１．６であり（熱シリコン酸化物は１．４８）、この
膜は窒素（オキシ窒化物）を幾分か含有することが示さ
れた。
は１．６であり（熱シリコン酸化物は１．４８）、この
膜は窒素（オキシ窒化物）を幾分か含有することが示さ
れた。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の方法によれ
ば、塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、しかも水
素および炭素含有量の少ないシリコン窒化物膜、シリコ
ンオキシ窒化物膜もしくはシリコン酸化物膜を低温にお
いてさえ、ＣＶＤ法により製造することができる。
ば、塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、しかも水
素および炭素含有量の少ないシリコン窒化物膜、シリコ
ンオキシ窒化物膜もしくはシリコン酸化物膜を低温にお
いてさえ、ＣＶＤ法により製造することができる。
【図１】ＴＥＡＳとアンモニアのモル比とシリコン窒化
物膜の成長速度の関係を示すグラフ。
物膜の成長速度の関係を示すグラフ。
【図２】シリコン酸化物膜の成長速度の温度依存性を示
すグラフ。
すグラフ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 クリスチャン・デュサラ
茨城県つくば市東光台１−９−25
Ｆターム(参考） 4K030 AA01 AA06 AA09 AA14 BA29
BA35 BA40 FA10 JA09 JA10
5F058 BA20 BC02 BC08 BC11 BF03
BF04
Claims (13)
- 【請求項１】 少なくとも１つの基板を収容した反応チ
ャンバ内に、式Ｓｉ（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキ
ス（ヒドロカルビルアミノ）シランおよび式ＳｉＨ（Ｎ
ＨＲｉ）３で示されるトリス（ヒドロカルビルアミノ）
シラン（各式において、各Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１
〜Ｃ４炭化水素基である）からなる群の中から選ばれる
少なくとも１種のシリコン窒化物前駆体、およびアンモ
ニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン化合物、アジ化
水素からなる群の中から選ばれる第２反応ガスを導入
し、該チャンバを０．０５Ｔｏｒｒから大気圧までの圧
力下に維持しながら、３００℃から９００℃までの温度
に加熱することによりシリコン窒化物膜を該基板上に形
成させることを特徴とするＣＶＤ法によるシリコン窒化
物膜の製造方法。 - 【請求項２】 該シリコン窒化物前駆体が、テトラエチ
ルアミノシランであることを特徴とする請求項１に記載
の製造方法。 - 【請求項３】 該反応チャンバ内に、不活性ガスをも導
入することを特徴とする請求項１または２に記載の製造
方法。 - 【請求項４】 少なくとも１つの基板を収容した反応チ
ャンバ内に、式Ｓｉ（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキ
ス（ヒドロカルビルアミノ）シランおよび式ＳｉＨ（Ｎ
ＨＲｉ）３で示されるトリス（ヒドロカルビルアミノ）
シラン（各式において、各Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１
〜Ｃ４炭化水素基である）からなる群の中から選ばれる
少なくとも１種のシリコンオキシ窒化物前駆体と、少な
くとも１種の窒素含有ガス、および少なくとも１種の酸
素含有ガスとを導入し、該チャンバを０．０５Ｔｏｒｒ
から大気圧までの圧力下に維持しながら、３００℃から
９００℃までの温度に加熱することにより、シリコンオ
キシ窒化物膜を該基板上に形成させることを特徴とする
ＣＶＤ法によるシリコンオキシ窒化物膜の製造方法。 - 【請求項５】 該シリコンオキシ窒化物前駆体が、テト
ラエチルアミノシランであることを特徴とする請求項４
に記載の製造方法。 - 【請求項６】 該窒素含有ガスが、アンモニア、ヒドラ
ジン、アルキルヒドラジン化合物、アジ化水素、一酸化
窒素、二酸化窒素、および酸化二窒素からなる群の中か
ら選ばれることを特徴とする請求項４または５に記載の
製造方法。 - 【請求項７】 該酸素含有ガスが、一酸化窒素、二酸化
窒素、酸化二窒素、酸素、オゾン、過酸化水素、および
Ｈ２Ｏからなる群の中から選ばれることを特徴とする請
求項４ないし６のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項８】 該反応チャンバ内に、不活性ガスをも導
入することを特徴とする請求項４ないし７のいずれか１
項に記載の製造方法。 - 【請求項９】 少なくとも１つの基板を収容した反応チ
ャンバ内に、式Ｓｉ（ＮＨＲｉ）４で示されるテトラキ
ス（ヒドロカルビルアミノ）シランおよび式ＳｉＨ（Ｎ
ＨＲｉ）３で示されるトリス（ヒドロカルビルアミノ）
シラン（各式において、各Ｒｉはそれぞれ独立に、Ｃ１
〜Ｃ４炭化水素基である）からなる群の中から選ばれる
少なくとも１種のシリコン酸化物前駆体と、少なくとも
１種の酸素含有ガスとを導入し、該チャンバを０．０５
Ｔｏｒｒから大気圧までの圧力下に維持しながら、３０
０℃から９００℃までの温度に加熱することにより、シ
リコン酸化物膜を該基板上に形成させることを特徴とす
るＣＶＤ法によるシリコン酸化物膜の製造方法。 - 【請求項１０】 該シリコン酸化物前駆体が、テトラエ
チルアミノシランであることを特徴とする請求項９に記
載の製造方法。 - 【請求項１１】 該酸素含有ガスが、一酸化窒素、二酸
化窒素、酸化二窒素、酸素、オゾン、過酸化水素、およ
びＨ２Ｏからなる群の中から選ばれることを特徴とする
請求項９または１０に記載の製造方法。 - 【請求項１２】 該酸素含有ガスが、酸素、オゾン、ま
たは過酸化水素からなる群の中から選ばれることを特徴
とする請求項９または１０に記載の製造方法。 - 【請求項１３】 該反応チャンバ内に、不活性ガスをも
導入することを特徴とする請求項９ないし１２のいずれ
か１項に記載の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001367130A JP2003166060A (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜の製造方法 |
| US10/497,191 US20050048204A1 (en) | 2001-11-30 | 2002-07-26 | Method for the fabrication of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide films by chemical vapor deposition |
| AU2002365488A AU2002365488A1 (en) | 2001-11-30 | 2002-07-26 | Method for the fabrication of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide films by chemical vapor deposition |
| PCT/IB2002/002910 WO2003046254A1 (en) | 2001-11-30 | 2002-07-26 | Method for the fabrication of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide films by chemical vapor deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001367130A JP2003166060A (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003166060A true JP2003166060A (ja) | 2003-06-13 |
Family
ID=19176922
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001367130A Pending JP2003166060A (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜の製造方法 |
Country Status (4)
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|---|---|
| US (1) | US20050048204A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003166060A (ja) |
| AU (1) | AU2002365488A1 (ja) |
| WO (1) | WO2003046254A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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