JP2008533731A - シリコン酸化物含有膜の形成方法 - Google Patents

シリコン酸化物含有膜の形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008533731A
JP2008533731A JP2008501327A JP2008501327A JP2008533731A JP 2008533731 A JP2008533731 A JP 2008533731A JP 2008501327 A JP2008501327 A JP 2008501327A JP 2008501327 A JP2008501327 A JP 2008501327A JP 2008533731 A JP2008533731 A JP 2008533731A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction chamber
oxygen
gas
compound
ozone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008501327A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008533731A5 (ja
JP5329218B2 (ja
Inventor
デュサラ、クリスティアン
ガティノー、ジュリアン
和孝 柳田
恵理 塚田
郁生 鈴木
Original Assignee
レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード filed Critical レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Priority to JP2008501327A priority Critical patent/JP5329218B2/ja
Publication of JP2008533731A publication Critical patent/JP2008533731A/ja
Publication of JP2008533731A5 publication Critical patent/JP2008533731A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5329218B2 publication Critical patent/JP5329218B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31608—Deposition of SiO2
    • H01L21/31612—Deposition of SiO2 on a silicon body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

【解決手段】−反応チャンバ内に処理基板を収納すること；−減圧下、５０〜４０００℃の基板温度にて不活性ガスを反応チャンバに供給して反応チャンバ内のガスをパージすること；−同温度および減圧の下で反応チャンバ内に気相シリコン化合物をパルスで導入して前記処理基板上にシリコン化合物を吸着させること；−同温度および減圧の下で反応チャンバ内の未吸着のシリコン化合物を不活性ガスでパージすること；−同温度および減圧の下で反応チャンバ内にオゾン含有混合ガスをパルスし、前記処理基板上に吸着されたシリコン化合物と酸化反応させてシリコン酸化物を生成すること；および必要に応じて前記１）〜４）の工程を繰り返して前記処理基板上に所望厚さのシリコン酸化膜を得る、工程を含むことを特徴とするシリコン酸化物膜の形成方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、シリコン酸化物含有膜の形成方法に関する。
ＣＭＯＳ半導体デバイスの最前部において、ＳｉＮのようなパッシベーション膜は各ＭＯＳトランジスタのゲート電極上に形成される。このＳｉＮ膜は、各トランジスタの耐圧を向上するためにゲート電極（多結晶シリコンまたは金属層のような）の上面および側面に堆積される。
挑戦は４００℃より高くない温度に達成するために、そのようなＳｉＮの音素堆積を低減するこのＳｉＮ膜は、半導体デバイスの製造工程での低温化に伴って、４００℃以下での成膜が望まれている。
しかしながら、４００℃以下でのＳｉＮの堆積膜は通常、膜質が乏しい。この問題を克服するため、ＳｉＯ2膜を用いてＳｉＮ膜性状を強化すること（二重スペーサ）が提案され、かつそれによって効果的な電気的バリヤ層とし、デバイス性能を十分に改善する。また、ＳｉＯ2膜はＳＴＩ（浅溝分離）、中間層絶縁（ＩＬＤ）層、パッシベーション膜、エッチストップ層として用いられ、かつ挑戦は低温、すなわち４００℃以下でそれらのＳｉＯ2層の堆積方法を見出した。二重スペーサ適用の特定な場合において、低堆積温度（最大で３００℃）でなされる非常に薄い（２０〜５０Å厚さ）の堆積は、金属電極の酸化を導かず、かつゲートに沿う全てで完全に均一で、原紙層堆積方法はそのような要求に最も適している。ＳＴＩ適用に関する限り、共形膜は５００℃以下にて高堆積速度（分当たり数百Å）で堆積されるであろう。
低温度で、ＰＥＣＶＤ反応器を用いるシランおよび酸素から作られるシリコン酸化物膜の堆積は、それによって得られるＳｉＯx膜に前駆体として導入されるシランガス中の水素存在で発生するかもしれないＳｉ−Ｈ結合が導入されるために現在、これらの適用に対して失敗に終わった。このＳｉ−Ｈ結合は、それから環境中の酸素源と多分ゆっくり反応し、Ｓｉ−ＯＨ結合を生成する。
そのようなＳｉ−ＯＨの存在は、増大するリーク電流を持つトランジスタを有する危険を増加し、かつそれゆえ関連するトランジスタの耐圧を低減する。
本発明者らは、Ｓｉ前駆体中のシリコン原子と結合される多数の水素およびＳｉＯ2膜を発生するための酸素または酸素含有ガスの存在が多分水分（Ｈ2Ｏ）形成、それからＳｉと反応してＳｉＯＨを作る、を発生することと信じる。
発明者らは、シリコン含有化合物がＨ2Ｏ発生を制限するために水素含有残分に関して好ましくは高純度で、好ましくは１００ｐｐｍ以下のＨ2またはＨ含有化合物を含むべきであるとやはり信じる。
ＳｉＯ2膜形成の間にＯＨ結合の形成を妨げるか制限する４００℃またはそれ以下の温度で基板上にシリコン酸化物膜を形成する方法を提供することを本発明の主要な目的とする。
本発明によると、
ａ）反応チャンバ内に基板を収納すること；
ｂ）−式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）xＳｉＨ4-x、ここでＲ1およびＲ2は、Ｈ，Ｃ1〜Ｃ4直線、分岐または環状の炭素鎖で、かつｘは１と４の間を含む、を有するアミノシラン、
−式；
Ｓｉ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）（ＯＲ4），または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＲＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
Ｓｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ1）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ2）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ3）（Ｏ−
Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ4）、好ましくはテトラ（アセトキシ）シランＳｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）
−Ｍｅ）4
ここで、Ｒ，Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は単独でＨ，Ｏ，Ｃ1〜Ｃ6直線、分岐
または環状の炭素鎖である、
を有するアルコキシシランまたはアセトキシシラン、
−式（ＳｉＨ3）nＲ、ｎは１と４の間を含み、ＲはＨ，Ｎ，Ｏ，ＣＨ2，ＣＨ2−
ＣＨ2．ＳｉＨ2，ＳｉＨ，Ｓｉである、を有するシラン、
−式Ｓｉ（ＮＣＯ）4を有するテトラ（イソシアネート）シラン
からなる群から選ばれる少なくとも１つのシリコン含有化合物を前記反応チャンバに注入すること、
ｃ）少なくとも１つの酸素含有ガス、好ましくはオゾン、酸素および／または湿気（水分）からなる群から選ばれる、を前記反応チャンバに注入すること、
ｄ）前記基板上に堆積されたシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも１つのシリコン含有化合物と少なくとも１つのオゾン含有ガスを４００℃以下の温度で反応させること、
ｅ）所期の膜厚が得られるまで工程ｂ）〜ｄ）を繰返すこと、
の工程を含むシリコン酸化物含有膜の形成方法を提供する。
好ましくは、前記基板はその導入、好ましくは反応チャンバ温度に達する後、工程ｂ）、ｃ）、ｄ）およびまたはｅ）をなす前に反応チャンバ内で加熱される。
本発明の好ましい実施形態によれば、少なくとも１つの工程ｂ）および／またはｃ）は少なくとも１つの前記化合物および／またはガスの中断された注入によってなされる。例えば、パルスＣＶＤまたはＡＬＤは前記反応チャンバ内でなされる。
さらに、少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの酸素含有ガスの同時の注入は、前記反応チャンバ内でなされ、少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの酸素含有ガスの前記反応チャンバ内への択一的な注入を供することが好ましい。
別の実施形態によれば、少なくとも１つの化合物または少なくとも１つの酸素含有ガスは、別の化合物および／または少なくとも１つの酸素含有ガスの注入前に前記基板表面に吸着される。
好ましくは、各化合物および／または酸素含有ガス注入は、前記反応チャンバ内に不活性ガスのようなパージガス注入の後に続き、さらにより好ましくは化合物および／またはガス注入は所期のＳｉＯ2含有膜厚さが得られるまで繰返される。前記反応チャンバ内の圧力は、好ましくは１００Ｔｏｒｒ以下，より好ましくは２Ｔｏｒｒ以下である。好ましくは、前記ＳｉＯ2含有膜中のＨ結合量は、８．１０21原子／ｃｃ以下である
別の実施形態によれば、オゾン含有ガスは、Ｏ3／Ｏ2比３０体積％以下、好ましくは５〜２０体積％を持つ酸素とオゾンを含むガス混合物である。
好ましくは、前記酸素／オゾン混合物は不活性ガス、好ましくは窒素で希釈される。
前記シリコン含有化合物は、１００ｐｐｍ以下の水素を含むべきであり、
（ＴＳＡ）トリシリルアミン （ＳｉＨ3）3Ｎ
ＤＳＯ ジシロキサン （ＳｉＨ3）2Ｏ
ＢＤＥＡＳ ビス（ジエチルアミノ）シラン ＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2
ＢＤＭＡＳ ビス（ジメチルアミノ）シラン ＳｉＨ2（ＮＭｅ2）2
ＴｒｉＤＭＡＳ トリス（ジエチルアミノ）シラン ＳｉＨ（ＮＭｅ2）3
ビス（トリメチルシリルアミノ）シラン ＳｉＨ2（ＮＨＳｉＭｅ3）2
ＴＩＣＳ テトラ（イソシアネート）シラン Ｓｉ（ＮＣＯ）4
ＴＥＡＳ テトラキス（エチルアミノ）シラン Ｓｉ（ＮＨＥｔ）4
ＴＥＯＳ テトラキス（エトキシ）シラン Ｓｉ（ＯＥｔ）4
ＢＴＥＳＥ ビス（トリエトキシシリル）エタン （ＥｔＯ）3Ｓｉ−ＣＨ2−ＣＨ2
−Ｓｉ（ＯＥｔ）3
ＴＡＳ テトラ（アセトキシ）シラン Ｓｉ（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｍｅ）4
からなる群から好ましくは選ばれるべきである。
本発明は、また５００℃より高くない低温度での膜形成の間、ＯＨ結合の導入を阻害または妨げるシリコン酸化物膜の形成方法を提供し、シリコン酸化物膜の厚さは容易に制御され、かつシリコン酸化物膜は高い信頼性、例えばゲート電極側面に適用するときリーク電流を低減する。
本発明の方法は、また、特に各注入の間に窒素パージを同伴するＡＬＤ法を用いて堆積される、ギャップ充填適用またはＤＲＡＭのキャパシタ電極に有用な非常に高い正角性（すなわち溝の頂部および底において均一膜を堆積する能力）を有するＳｉＯ2膜、すなわち表面上の空洞全てを補充し、かつ均一なＳｉＯ2層を供する膜を提供する。
シリコン酸化物膜を形成する本発明の方法は、以下に詳細に説明する。この方法は：
−酸素源と式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）xＳｉＨ4-x、ここでＲ1およびＲ2は、別個にＨ，Ｃ1〜Ｃ4直線、分岐または環状の炭素鎖で、かつｘは１と４の間を含む、を有するアミノシランとの使用は、独立して反応器に連続的またはパルスによって導入される。好ましくは、ＡＬＤ方法を通して注入される。
好ましくは、前記アルキルアミノシランは、ビス（ジエチルアミノ）シラン（ＢＤＥＡＳ）、ビス（ジメチルアミノ）シラン（ＢＤＭＡＳ）またはトリス（ジエチルアミノ）シラン（ＴｒｉＤＭＡＳ）である。アルキルアミノシランは、基板表面に吸着される（初期段階で、この工程が酸素源の導入の間に、下地金属電極の起こりえる酸化を妨げる）。不活性ガスを用いて反応器からアミノシランを排気するためのパージ時間の後に、酸素／オゾンガス混合物（典型的に：酸素中の５〜２０体積％のオゾン）、酸素、水分および／または過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）またはこれらの組合せからなる酸素源はパルスで導入される。サイクルは、それからアミノシランの１パルス、パージガスの１パルス、酸素含有ガスの１パルス、パージガスの１パルスからなる。サイクル数は、所望の経験条件で得られるサイクル当たりの堆積速度を考慮に入れて目標厚さによって決定される。堆積温度は、０．１〜１００Ｔｏｒｒ（１３〜１３３００Ｐａ）の操作圧力で室温と同じ位低くかつ５００℃までできる。非常に低酸素かつ低水素量の高品質膜は、０．１〜１００Ｔｏｒｒ（１３〜１３３００Ｐａ）間の圧力で２００〜４００℃の間で堆積されることが好ましい。
−酸素源と式Ｓｉ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）（ＯＲ4），または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＲＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
Ｓｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ1）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ2）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ3）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ4）、好ましくはテトラ（アセトキシ）シランＳｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｍｅ）4
ここで、Ｒ，Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は別個にＨ，Ｏ，Ｃ1〜Ｃ6直線、分岐または環状の炭素鎖である、を有するアルコキシシランまたはアセトキシシランとは独立して反応器に連続的またはパルスによって導入される。好ましくは、ＡＬＤ方法を通して注入される。好ましいアルコキシシランは、（ＥｔＯ）3Ｓｉ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｓｉ（ＯＥｔ）3（ＢＴＥＳＥ）である。アルキルアミノシランは、基板表面に吸着される（初期段階で、この工程が酸素源の導入の間に、下地金属電極の起こりえる酸化を妨げる）。不活性ガスを用いて反応器からアミノシランを排気するためのパージ時間の後に、酸素／オゾンガス混合物（典型的に：酸素中の５〜２０体積％のオゾン）、酸素、水分および／または過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）またはこれらの組合せからなる酸素源はパルスで導入される。サイクルは、それからアルコキシシランの１パルス、パージガスの１パルス、酸素含有ガスの１パルス、パージガスの１パルスからなる。サイクル数は、所望の経験条件で得られるサイクル当たりの堆積速度を考慮に入れて目標厚さによって決定される。堆積温度は、０．１〜１００Ｔｏｒｒ（１３〜１３３００Ｐａ）の操作圧力で室温と同じ位低くかつ５００℃までできる。非常に低酸素かつ低水素量の高品質膜は、０．１〜１００Ｔｏｒｒ（１３〜１３３００Ｐａ）間の圧力で２００〜４００℃の間で堆積されることが好ましい。
−酸素源と式Ｓｉ（ＮＣＯ）4を有するテトラ（イソシアネート）シランは、独立して反応器に連続的またはパルスによって導入される。好ましくは、ＡＬＤ方法を通して注入される。イシシアネートシランは、基板表面に吸着される（初期段階で、この工程が酸素源の導入の間に、下地金属電極の起こりえる酸化を妨げる）。不活性ガスを用いて反応器からシラン化合物を排気するためのパージ時間の後に、酸素／オゾンガス混合物（典型的に：酸素中の５〜２０体積％のオゾン）、酸素、水分および／または過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）またはこれらの組合せからなる酸素源はパルスで導入される。サイクルは、それからイソシアネートシランの１パルス、パージガスの１パルス、酸素含有ガスの１パルス、パージガスの１パルスからなる。サイクル数は、所望の経験条件で得られるサイクル当たりの堆積速度を考慮に入れて目標厚さによって決定される。堆積温度は、０．１〜１００Ｔｏｒｒ（１３〜１３３００Ｐａ）の操作圧力で室温と同じ位低くかつ５００℃までできる。非常に低酸素かつ低水素量の高品質膜は、０．１〜１０Ｔｏｒｒ（１３〜１３３０Ｐａ）間の圧力で２００〜４００℃の間で堆積されることが好ましい。
−酸素源とＡＬＤ体制で触媒の可能な使用を伴う一般式（ＳｉＨ3）nＲ、ｎは１と４の間を含み、ＲはＨ，Ｎ，Ｏ，ＣＨ2，ＣＨ2−ＣＨ2．ＳｉＨ2，ＳｉＨ，Ｓｉである、のシラン（シラン、ジシラン、トリシラン、トリシリルアミン）との使用。好ましいシランは、Ｃ−フリーシランである。最も好ましくは、シランはトリシリルアミンである。非常に少量（＜１％）の触媒は、反応器に導入される。前述のシランは、シリコンウェハ上のそれらの吸着は良好ではないのでＡＬＤ条件での使用が困難になる。触媒の使用は、基板または下地層上へのシランの吸着を助長する。不活性ガスを用いて反応器からシランを排気するためのパージ時間の後に、酸素／オゾンガス混合物（典型的に：酸素中の５〜２０体積％のオゾン）、酸素、水分および／または過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）またはこれらの組合せからなる酸素源はパルスで導入される。サイクルは、それから触媒の１パルス、パージガスの１パルス、シランの１パルス、パージガスの１パルス、酸素含有ガスの１パルス、１以上のパージ時間からなる。可能な限り、サイクル間の工程数を低減するために触媒の導入はシランと同じに行われ、それからその持続が行われる。触媒は、アミンまたは金属含有分子、好ましくは前期遷移金属、最も好ましくはＨｆ（ＮＥｔ）4のようなハフニウム含有分子である。いくつかの適用にとって、前記触媒はＣ−フリーであるべきである。塩化物または硝酸塩、すなわちＨｆＣｌ4またはＨｆ（ＮＯ3）4は推奨される。サイクル数は、所望の経験条件で得られるサイクル当たりの堆積速度を考慮に入れて目標厚さによって決定される。堆積温度は、０．１〜１００Ｔｏｒｒ（１３〜１３３００Ｐａ）の操作圧力で室温と同じ位低くかつ５００℃までできる。非常に低酸素かつ低水素量の高品質膜は、２００／５００℃の間の温度、０．１〜１０Ｔｏｒｒ間の圧力で堆積されることが好ましい。
好ましくは、本発明に係る方法は次のように遂行される。
基板が反応チャンバ内に収納した後、チャンバ内のガスはまず減圧下、５０〜４００℃の基板温度にて反応チャンバ内に不活性ガスを供給してパージされる。つづいて、同温度および減圧下で気相シリコン化合物のパルスが反応チャンバ内に導入され、シリコン化合物の極薄い層が吸着により前記基板上に形成される。次いで、未反応（未吸着）のシリコン化合物をそこからパージするために不活性ガスを反応チャンバ内に供給し、この後オゾン含有ガスが反応チャンバ内に導入される。オゾン含有ガスは、基板上に形成されたシリコン化合物の極薄い層を酸化し、それによってシリコン酸化物の極薄い層を形成し、そして不活性ガスが未反応生成物をパージするために反応チャンバ内に注入される。シリコン酸化物膜は、不活性ガスのパージ、気相シリコン化合物のパルス、不活性ガスのパージおよび酸素含有ガスのパルスを繰り返すことによって所望厚さで前記基板上に形成される。
好ましくは、前記基板は半導体装置の製造に用いられるシリコンウェハ（またはＳＯＩ）、ウェハ上に堆積された層、または液晶表示装置の製造に用いられるガラス基板、ガラス基板上に堆積された層である。ゲート電極が形成された半導体基板は、特に、シリコン酸化物膜がゲート耐圧の向上を目的として使用される場合、基板として用いられる。
前記チャンバ内の減圧は、好ましくは０．１と１０００Ｔｏｒｒ（１３〜１３３０Ｐａ）の間、より好ましくは１〜１０Ｔｏｒｒ（１３３〜１３３０Ｐａ）である。
前記基板温度は、少なくとも５０℃、最高で５００℃、より好ましくは２００と４００℃の間を含むことが好ましく、さらに２５０〜３５０℃がより好ましい。
本発明に用いられる不活性ガスは、窒素、アルゴンおよび／またはヘリウムが好ましい。
前記シリコン化合物は、シラン［ＳｉＨ4］、ジシラン［（ＳｉＨ3）2］、トリシラン［（ＳｉＨ3）2ＳｉＨ2］、アルキルシラン［（ＳｉＨ3）nＲ、ただしＲはＣ1〜Ｃ6の直鎖、分岐または環状のアルカンを示す］、トリシリルアミン［（ＳｉＨ3）3Ｎ］、ジシロキサン［（ＳｉＨ3）2Ｏ］のようなシリコン水素化物；ＴＥＯＳ［Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4］、ＴＭＯＳ［Ｓｉ（ＯＣＨ3）4］、ビストリエトキシシリルエタン、トリアルキルシリルアルカン［（ＲＯ）3Ｓｉ−Alk−Ｓｉ（ＯＲ）3、ただしＲはＣ1〜Ｃ6のアルカン］のようなシリコンアルコキシド、イソシアネートシランＳｉ（ＮＣＯ）4、アセトキシシラン（Ｓｉ（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ3）4および；ＢＤＥＡＳ（ＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2）を例示できる。
前記シリコン化合物は、常温で気相である場合、例えばシリンダから反応チャンバにパルスされる。また、前記シリコン化合物はＴＥＯＳの場合ように常温で液体である場合、それはバブラー技術を用いてチャンバ内にパルスすることができる。特に、前記シリコン化合物溶液は容器内に置かれ、必要に応じて加温し、その容器内に置かれる不活性ガスバブラー管を用い、不活性ガスをそれを通して泡立たせることによって不活性ガス（例えば窒素、アルゴン、ヘリウム）と一緒に同伴され、そしてチャンバに導入される。液体マスフローコントローラと蒸発器の組み合わせも使用できる。
酸素含有混合ガスは、前記シリコン化合物を酸化してシリコン酸化物に変換させる。この混合ガスとしては、オゾンと酸素の混合ガス、オゾン＋酸素＋窒素、アルゴン、ヘリウムのような不活性ガスの混合ガスを例示できる。この混合ガスのオゾン濃度は、０．１〜２０体積％であることが好ましい。０．１体積％未満のオゾン濃度は、低温でシリコン化合物の単原子層の酸化を成し遂げることに伴う問題の見込みを創る。一方、２０体積％を超えるオゾン濃度はオゾンの毒性、不安定性および危険性に関連するための取扱いに伴う問題の見込みを創る。
前記気相シリコン化合物のパルスは、前記反応チャンバに例えば１．０〜１００ｓｃｃｍの流量で０．１〜１０秒間導入することができる。前記酸素含有ガスのパルスは、前記反応チャンバに例えば１０〜１０００ｓｃｃｍの流量で０．１〜１０秒間導入することができる。
本発明は、次の図面を参照して詳細に説明する。
図１において、膜形成装置は反応チャンバ１１；不活性ガス供給（例えば窒素ガス）の源である窒素ガスシリンダ１２；気相のＳｉ化合物の供給源であるＳｉ化合物ガスシリンダ１３；および酸素ガスの供給源である酸素シリンダ１４を備える。枚葉式装置の場合、サセプタ（図示せず）が反応チャンバ１１内に配置され、１つの半導体基板（図示せず）、例えばシリコン基板がその上に載置される。ヒータは、半導体基板を特定の反応温度に加熱するためにサセプタ内に配置されている。バッチ式装置の場合、５〜２００の半導体基板は反応チャンバ１１内に収容される。バッチ式装置においては、ヒータは枚葉式装置のヒータと異なる構成のものであってもよい。
前記窒素ガスシリンダ１２は、ラインＬ１を通して前記反応チャンバ１１に接続されている。開閉弁Ｖ１、流量調節器、例えばマスフローコントローラＭＦＣ１はラインＬ１に上流側から所望に考慮すべき順序で設けられている。開閉弁Ｖ２は、前記反応チャンバ１１近傍のラインＬ１に設けられている。
真空ポンプＰＭＰに延びる排気ラインＬ２は、前記反応チャンバ１１の底部に設けられている。圧力計ＰＧ１、背圧調整のためのバタフライ弁ＢＶおよび開閉弁Ｖ３は、ラインＬ２に上流側から所望に考慮すべき順序で設けられている。真空ポンプＰＭＰは、ラインＬ３を通して除害装置１５に接続されている。この除害装置１５は、ガス種またはその規模に応じて例えば燃焼式除害装置、乾式除害装置を用いることができる。
前記Ｓｉ化合物ガスシリンダ１３は、ラインＬ４を通して開閉弁Ｖ２から上流（開閉弁Ｖ２とマスフローコントローラＭＦＣ１の間）のラインＬ１と接続されている。開閉弁Ｖ４、マスフローコントローラＭＦＣ２、圧力計ＰＧ２および開閉弁Ｖ５は、ラインＬ４に上流側から所望に考慮すべき順序で設けられている。ラインＬ４は、圧力計ＰＧ２の上流で分岐され、もたらされる分岐ラインＬ４’は真空ポンプＰＭＰから上流（真空ポンプＰＭＰと開閉弁Ｖ３の間）の排気ラインＬ２に接続されている。開閉弁Ｖ５’は、分岐ラインＬ４’に設けられている。開閉弁Ｖ５、Ｖ５’の状態は、一方が開のときに他方が閉になるように同期される。
前記酸素シリンダ１４は、オゾン発生器１６に延びるラインＬ５が設けられ、このラインＬ５は開閉弁Ｖ６およびマスフローコントローラＭＦＣ３が上流側から所望に考慮すべき順序で設けられている。オゾン発生器１６は、ラインＬ６を通して開閉弁Ｖ２から上流（開閉弁Ｖ２とマスフローコントローラＭＦＣ１の間）のラインＬ１と接続されている。オゾン濃度計ＯＣＳ、圧力計ＰＧ３および開閉弁Ｖ７は、ラインＬ６に上流側から所望に考慮すべき順序で設けられている。ラインＬ６は圧力計ＰＧ３から上流で分岐され、もたらされる分岐ラインＬ６’は真空ポンプＰＭＰから上流（真空ポンプＰＭＰと開閉弁Ｖ３の間）の排気ラインＬ２に接続されている。開閉弁Ｖ７’は、分岐ラインＬ６’に設けられている。開閉弁Ｖ７、Ｖ７’の状態は、一方が開のときに他方が閉になるように同期される。
酸素とオゾン発生器１６で発生されたオゾンの混合ガスがラインＬ６に流れる。酸素ガスの供給流量を一定にした場合、混合ガス中のオゾン濃度の制御は主にオゾン発生器１６への圧力と投入電力により依存する。結果として、オゾン濃度はラインＬ６に設けられたＯＣＳで測定し、その測定値に基づいて前記投入電力およびオゾン発生器１６の容器圧力をフィードバック制御する。
シリコン酸化物膜形成の実施形態の方法は、前述した図１〜図３に述べた膜形成装置を用いて以下に説明される。
１）窒素ガスパージ
処理基板、例えば半導体ウェハ（図示せず）は反応チャンバ１１内のサセプタ上に載置され、ウェハはそのサセプタに内蔵された温度調節器によりを５０〜４００℃の温度に加熱される。図１に示すように開閉弁Ｖ５、Ｖ７を閉じ、これ以外の開閉弁Ｖ１〜Ｖ４、Ｖ６、Ｖ５’、Ｖ７’を全て開く。図１において、閉じた制御弁は黒で塗りつぶし、開放された制御弁を白抜きとして表示する。また、以下の説明における開閉弁の開閉状態も同様に表示する。
次いで、真空ポンプＰＭＰを駆動することによって排気ラインＬ２を通して反応チャンバ１１内のガスを排気しながら、窒素ガスが窒素シリンダ１２からラインＬ１を通して反応チャンバ１１内にマスフローコントローラＭＦＣ１でその供給流量の制御の下で導入される。窒素ガスパージはそれによって反応チャンバ１１内のガスの排気、窒素ガスの反応チャンバ１１内への供給により所望の真空度（例えば０．１〜１０００Ｔｏｒｒ）でなされ、反応チャンバ１１の内部が窒素ガスで置換される。
また、初期および窒素ガスパージの工程以降において、酸素ガスが酸素ガスボンベ１４からラインＬ５を通してオゾン発生器１６にマスフローコントローラＭＦＣ３でその供給流量の制御の下で連続的に供給される。所望の電力はオゾン発生器１６に投入され、所望濃度のオゾンを含む酸素（混合ガス）はオゾンと酸素の混合ガスが流通するラインＬ６に設けられたオゾン濃度計ＯＣＳでオゾン量を測定し、その測定値に基づいて前記投入電力およびオゾン発生器１６の容器圧力をフィードバック制御しながら、オゾン発生器１６からラインＬ６に供給する。ただし、前述した窒素ガスパージ工程の間に、反応チャンバ１１に延びるラインＬ１と接続されるライン６に存在する開閉弁Ｖ７が閉じられ、排気ラインＬ２と接続される分岐ラインＬ６’に存在される開閉弁Ｖ７’が開かれ、その結果オゾン＋酸素の混合ガスは窒素パージ工程の間、反応チャンバ１１に供給されず、むしろラインＬ６、Ｌ６’を通して排気ラインＬ２に供給されることによって排気される。
２）Ｓｉ化合物ガスのパルス
図１に示す状態からの進行において、図２に示すように分岐ラインＬ４’の開閉弁Ｖ５’が閉じられ、この動作に同期して、ラインＬ４の開閉弁Ｖ５が開く。所望時間後にこれらの各開閉弁Ｖ５、Ｖ５’の状態が反転される。開閉弁Ｖ５の開の期間に、Ｓｉ化合物ガスシリンダ１３からＳｉ化合物ガスが流量制御の下でラインＬ４からラインＬ１に供給され、窒素ガスと一緒に反応チャンバ１１内にパルスされる。このパルスは、反応チャンバ１１内のサセプタに載置された半導体ウェハの加熱された表面にＳｉ化合物の近似した単分子層の吸着をもたらす。
３）窒素ガスパージ
前記Ｓｉ化合物ガスパルスが導入された後に、窒素ガスパージはラインＬ４および分岐ラインＬ４’の開閉弁Ｖ５、Ｖ５’の状態を図２に示す状態から反転させることによって、図１として遂行される。このとき、反応チャンバ１１内に残留した未反応のＳｉ化合物が窒素ガスにより排出され、反応チャンバ１１の内部が窒素ガスで再び置換される。
４）オゾン＋酸素の混合ガスのパルス
図１に示す状態からからの進行において、図３に示すように分岐ラインＬ６’の開閉弁Ｖ７’が閉じられ、この動作に同期して、ラインＬ６の開閉弁Ｖ７を開かれる。所望時間後に開閉弁Ｖ７、Ｖ７’の状態が反転される。開閉弁Ｖ７が開かれる期間に、オゾンと酸素の混合ガスはラインＬ６からラインＬ１に供給され、窒素ガスと一緒に反応チャンバ１１内にパルスされる。このパルスの結果、反応チャンバ１１内のサセプタに載置された半導体ウェハの加熱された表面に吸着されたＳｉ化合物はオゾン＋酸素の混合ガスで酸化され、近似した単分子層の形態で半導体ウェハ表面のシリコン酸化物膜の形成をもたらす。
所望厚さのシリコン酸化物膜は、１）窒素ガスパージ、２）Ｓｉ化合物ガスのパルス、３）窒素ガスパージおよび４）オゾン＋酸素の混合ガスのパルス、のこれら工程を繰り返すことによって半導体ウェハ表面に形成される。４）オゾンと酸素の混合ガスパルスの導入後に、窒素ガスパージはラインＬ６，分岐ラインＬ６’の開閉弁Ｖ７、Ｖ７’の状態を図３に示す状態から反転させることによって、図１として遂行される。このとき、反応チャンバ１１内に残留した反応副生物および未反応のオゾン＋酸素の混合ガスが窒素ガスにより排出され、反応チャンバ１１の内部が窒素ガスで再び置換される。
常温で気相であるＳｉ化合物は前述した図１〜図３に示す膜形成装置を用いるシリコン酸化物膜の形成で気相のＳｉ化合物を例として用いる。しかしながら、Ｓｉ化合物がＴＥＯＳのような常温で液体であるＳｉ化合物を用いる場合、気相のＳｉ化合物はバブラー方式によりを反応チャンバ１１内に導入することもできる。特有の点で、バブラーは図１〜図３に示されるＳｉ化合物ガスシリンダ１３の位置に設けられ、このバブラーは窒素ガス流通ラインＬ１のバルブＶ１から上流で分岐した分岐ラインを連結され、前述した１）窒素ガスパージ、２）Ｓｉ化合物ガスのパルス、３）窒素ガスパージおよび４）オゾン＋酸素の混合ガスのパルスの工程を繰り返すことが可能になる。
ある反応物は、連続的に導入でき、同じに別の反応物はパルス（パルスＣＶＤ体制）によって導入できる。
実施形態の進行によれば、Ｓｉ化合物ガスのパルス導入を通して近似的に単分子層のＳｉ化合物を４００℃以下の比較的低温に加熱された処理基板表面への吸着を引き起こし、それから不活性ガス（例えば窒素ガス）パージの後にオゾン含有混合ガス（例えばオゾン＋酸素の混合ガス）のパルスを導入することによって、混合ガス中のオゾンの強力な酸化作用で処理基板表面に吸着されたＳｉ化合物を酸化して近似的に単分子層の形態でシリコン酸化物膜の形成が可能になる。また、酸化反応後の不活性ガス（例えば窒素ガス）パージの履行は、既に形成されたシリコン酸化物膜に反応チャンバ内の水分が吸着されるのを防ぐことが可能になる。これは、ＯＨ結合の導入が抑制または防止された良好なシリコン酸化物膜を形成することができる。このようなシリコン酸化物膜は、例えば低リーク電流特性に関する優れた特性を有する。
さらに、処理基板表面に吸着されたＳｉ化合物は適量のオゾン（例えば０．１〜２０％濃度）を含む混合ガスのパルスにより酸化されるので、ＣＶＤ法でオゾン含有混合ガスを用いて確認されたる処理基板表面への酸化を防止できる。オゾン含有混合ガスの必要量は低温でパルスによって導入するため、処理基板に対する少ない影響になる。実施形態に係るシリコン酸化物膜の形成において高温に弱い膜、または酸化し易い性質の金属膜、金属シリサイド膜を有する被処理基板を使用することが可能になる。
図４は、本発明に係るＳｉＯ2層を含むＭＯＳトランジスタの側面を示す。ウェハ１００上のそれぞれのドレイン１０５およびソース１０６はゲート絶縁材料のゲート１０１に位置し、１０１上に堆積された金属電極１０２を持つ。保護シリコン酸化物膜１０３は、ゲート１０１および金属電極１０２の側端に横から位置される。
本発明の実施例は前述した図１〜図４を参照して以下に説明する。
（例１）
前述した図１〜図３に示す膜形成装置を用いた。シリコンウェハは、反応チャンバ１１内のサセプタに設置し、ウェハは１００℃に加熱した。シリコン酸化物膜は、以下に述べる条件を用いる前述した実施形態に従って１）窒素ガスパージ、２）Ｓｉ化合物ガスパルス、３）窒素ガスパージおよび４）オゾン＋酸素の混合ガスのパルスの工程を繰り返して形成した。
１）窒素ガスパージ
・反応チャンバ内圧力：３Ｔｏｒｒ、
・窒素ガス供給流量：１３０ｓｃｃｍ、
・窒素ガスパージ時間：６秒間。
２）Ｓｉ化合物ガスのパルス
・反応チャンバ内圧力：３Ｔｏｒｒ、
・Ｓｉ化合物ガス：トリシリルアミン（ＴＳＡ）ガス、
・ＴＳＡガス供給流量：２ｓｃｃｍ、
・ＴＳＡパルス時間：１秒間。
３）窒素ガスパージ
・反応チャンバ内圧力：３Ｔｏｒｒ、
・窒素ガス供給流量：１３０ｓｃｃｍ、
・窒素ガスパージ時間：６秒間。
４）オゾン＋酸素の混合ガスのパルス
・反応チャンバ内圧力：３Ｔｏｒｒ、
・オゾン＋酸素混合ガス（５％オゾン濃度）の供給流量：２０ｓｃｃｍ、
・混合ガスパルス時間：２秒間。
（例２）
シリコン酸化物膜は例１と同様な方法によりを形成したが、この場合、反応チャンバ１１内のサセプタに設置したシリコンウェハを２００℃に加熱した。
（例３）
シリコン酸化物膜は例１と同様な方法によりを形成したが、この場合、反応チャンバ１１内のサセプタに設置したシリコンウェハを３００℃に加熱した。
シリコン酸化物膜の厚さは、例１〜３（例１は５０サイクル行った）の本成膜法の各サイクルで測定した。シリコン酸化物膜は例１〜３において約１．２〜１．７Å／サイクルの速度でインキュベーション期間なしで良好な厚さ制御で形成できた。
また、ＦＴ−ＩＲ分析は２００サイクル（ウェハ加熱温度：３００℃）後の例３で生成されたシリコン酸化物膜に実行した。その結果は図５に報告する。この図５の結果から明らかなように、ピークはシリコン酸化物を同定するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が見られたが、Ｈ−ＳｉＯ3に起因するＳｉ−Ｈのピークが見られない。すなわち、３００℃の低温での膜生成がＯＨ結合導入が防止された良好なシリコン酸化物膜を提供することを確認した。
表面にモリブデン薄膜を有するシリコンウェハをサンプルとして用い、シリコン酸化物膜は例１〜３と同様な方法（１００サイクル）を用いてモリブデン薄膜表面に形成した。シリコン酸化物膜の下地に形成する、モリブデン薄膜の状態の試験が後に続いた。モリブデン薄膜の酸化は、オゾン＋酸素の混合ガス（オゾン濃度＝５％）が酸化性ガスとして用いても認められなかった。
（例４）
ＢＤＥＡＳおよびオゾンを用いるＳｉＯ2膜のＡＬＤ堆積
膜は、図１〜図３の構成を用い、ＢＤＥＡＳとオゾン／酸素の混合物を用いるＡＬＤによってシリコンおよびイリジウム上に順調に堆積した。
チャンバは、従来のヒータによって加熱される加熱壁反応器であった。オゾン発生器はオゾンを発生し、その濃度は−０．０１ＭＰａＧで約１５０ｇ／ｍ3であった。ＢＤＥＡＳ（ビス（ジエチルアミノ）シラン、ＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2）は、液体アミノシランに不活性ガス（窒素）のバブリングによって反応チャンバ１１に導入した。実験条件は：
− ７．０ｓｃｃｍ Ｏ3
− ９３ｓｃｃｍ Ｏ2
− ＢＤＥＡＳ：１ｓｃｃｍ［１〜７ｓｃｃｍの範囲内］
− Ｎ2：５０ｓｃｃｍ
− ２００と４００℃の間の温度範囲
− 操作圧力：１Ｔｏｒｒ［０．１〜５Ｔｏｒｒの範囲内］
− パージおよびパルス時間は典型的にそれぞれ５秒間に設定した、
− サイクル数は典型的に６００サイクルに設定した、
であった。
実験は、堆積速度、堆積温度、膜質および膜組成のような膜特性を決定するためになされた。
ＳｉＯ2膜は、Ｓｉウェハ上に得た。堆積は、２００，２５０，３００，３５０および４００℃で遂行した。堆積膜はオージェによる内部深さ分析によって窒素のみならず炭素を含んでいた。
堆積されるＳｉＯ2膜のサイクル数は変化（３５０，６００および９００サイクル）させ、かつ堆積されたＳｉＯ2膜は図６に示すようにインキュベーション時間なしまたは無視できるほどであることを確認した。
イリジウム上への堆積は、金属電極の起こりうる酸化を観測するためになされた。オージェプロフィルは、ＡＬＤＳｉＯ2とイリジウム基板間の急峻な界面を示し、それゆえ金属酸化は全く観測されなかった。
（例５）
ＢＤＭＡＳおよびオゾンを用いるＳｉＯ2膜のＡＬＤ堆積
同様な実験は、例４と同様な条件で遂行した。高品質膜は、１Ｔｏｒｒ，２５０〜３００℃の間で０．３Å／サイクルの堆積速度で得た。
（例６）
ＴｒｉＤＭＡＳおよびオゾンを用いるＳｉＯ2膜のＡＬＤ堆積
同様な実験は、例４と同様な条件で遂行した。高品質膜は、１Ｔｏｒｒ，２５０〜３００℃の間で０．２Å／サイクルの堆積速度で得た。
（例７）
ＴＳＡ，オゾンおよび触媒［Ｈｆ（ＮＥｔ2）4］を用いるＳｉＯ2膜のＡＬＤ堆積
膜は、窒素で希釈されるＨｆ（ＮＥｔ2）4、Ｎ，ＴＳＡ，Ｎとオゾン／酸素Ｏ3／Ｏ2混合物（Ｈｆ（ＮＥｔ2）4にマスフローコントローラを通してバブリングする窒素は反応器１１に同様な方法で択一的に供給されるこの触媒とＮ2の混合物に供する）を択一的に導入するＡＬＤによってシリコン上に順調に堆積した。
チャンバは、従来のヒータによって加熱される加熱壁反応器であった。ＢＤＥＡＳは、液体アミノシランに不活性ガス（窒素）のバブリングによって炉に導入した。典型的な実験条件は：
− ４ｓｃｃｍ Ｏ3
− ９６ｓｃｃｍ Ｏ2
− ＴＳＡ：１ｓｃｃｍ［１〜７ｓｃｃｍの範囲内］
− Ｎ2：１００ｓｃｃｍ
− 温度：４００℃
− 操作圧力：５Ｔｏｒｒ
− パルス期間は典型的にそれぞれ５秒間に設定したかつパルス期間１０秒間、
− サイクル数は４４サイクルであった、
であった。
検出可能レベルのハフニウムを全く持たないシリコン酸化物の薄膜はオージェ分光法で観測された。
本発明の実施形態に係る膜形成方法（不活性ガスのパージ注入期間）に用いられる膜形成装置を示す概略図。 Ｓｉ化合物ガス注入期間の、図１の膜形成装置を示す概略図。 オゾン／酸素ガスパルスの注入期間の、図１の膜形成装置を示す概略図。 本発明によって堆積されたＳｉＯ膜を持つＭＯＳトランジスタの金属ゲートを示す図。 （記載なし）。 （記載なし）。

Claims (16)

  1. ａ）反応チャンバ内に基板を収納すること；
    ｂ）−式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）xＳｉＨ4-x、ここでＲ1およびＲ2は、Ｈ，Ｃ1〜Ｃ4直線、分岐または環状の炭素鎖で、かつｘは１と４の間を含む、を有するアミノシラン、
    −式；
    Ｓｉ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）（ＯＲ4），または
    （ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
    （ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＲＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
    Ｓｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ1）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ2）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ3）（Ｏ−
    Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ4）、好ましくはテトラ（アセトキシ）シランＳｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）
    −Ｍｅ）4
    ここで、Ｒ，Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は単独でＨ，Ｏ，Ｃ1〜Ｃ6直線、分岐
    または環状の炭素鎖である、
    を有するアルコキシシランまたはアセトキシシラン、
    −式（ＳｉＨ3）nＲ、ｎは１と４の間を含み、ＲはＨ，Ｎ，Ｏ，ＣＨ2，ＣＨ2−
    ＣＨ2．ＳｉＨ2，ＳｉＨ，Ｓｉである、を有するシラン、
    −式Ｓｉ（ＮＣＯ）4を有するテトラ（イソシアネート）シラン
    からなる群から選ばれる少なくとも１つのシリコン含有化合物を前記反応チャンバに注入すること、
    ｃ）少なくとも１つの酸素含有ガス、好ましくはオゾン、酸素および／または湿気（水分）からなる群から選ばれる、を前記反応チャンバに注入すること、
    ｄ）前記基板上に堆積されたシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも１つのシリコン含有化合物と少なくとも１つのオゾン含有ガスを４００℃以下の温度で反応させること、
    ｅ）所期の膜厚が得られるまで工程ｂ）〜ｄ）を繰返すこと、
    の工程を含むシリコン酸化物含有膜の形成方法。
  2. 前記基板は、その導入、好ましくは反応チャンバ温度に達する後、工程ｂ）、ｃ）、ｄ）およびまたはｅ）をなす前に反応チャンバ内で加熱される請求項１記載の方法。
  3. 少なくとも１つの工程ｂ）および／またはｃ）は、少なくとも１つの前記化合物および／またはガスの中断された注入によってなされる請求項１または２記載の方法。
  4. パルス化学気相堆積（ＣＶＤ）または原子層堆積（ＡＬＤ）は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１〜３いずれか記載の方法。
  5. 少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの酸素含有ガスの同時注入は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１〜４いずれか記載の方法。
  6. 少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの酸素含有ガスの択一的な注入は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１〜４いずれか記載の方法。
  7. 少なくとも１つの化合物または少なくとも１つの酸素含有ガスは、別の化合物および／または少なくとも１つの酸素含有ガスの注入前に前記基板表面に吸着される請求項１〜６いずれか記載の方法。
  8. 各化合物および／または酸素含有ガス注入は、前記反応チャンバ内に不活性ガスのようなパージガス注入の後に続く請求項１〜７いずれか記載の方法。
  9. 化合物および／またはガス注入は、所期のＳｉＯ2含有膜厚が得られるまで繰返される請求項１〜８いずれか記載の方法。
  10. 前記反応チャンバ圧力は、最大１００Ｔｏｒｒ，好ましくは最大５Ｔｏｒｒである請求項１〜９いずれか記載の方法。
  11. 前記ＳｉＯ2含有膜中のＨ結合量は、８．１０21原子／ｃｃ以下である請求項１〜１０いずれか記載の方法。
  12. オゾン含有ガスは、酸素に対するオゾン比２０体積％以下、好ましくは５〜２０体積％を持つ酸素とオゾンを含むガス混合物である請求項１〜１１いずれか記載の方法。
  13. 前記酸素／オゾン混合物は、不活性ガス、好ましくは窒素で希釈される請求項１２記載の方法。
  14. 前記シリコン含有化合物は、
    （ＴＳＡ）トリシリルアミン （ＳｉＨ3）3Ｎ
    ＤＳＯ ジシロキサン （ＳｉＨ3）2Ｏ
    ＢＤＥＡＳ ビス（ジエチルアミノ）シラン ＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2
    ＢＤＭＡＳ ビス（ジメチルアミノ）シラン ＳｉＨ2（ＮＭｅ2）2
    ＴｒｉＤＭＡＳ トリス（ジエチルアミノ）シラン ＳｉＨ（ＮＭｅ2）3
    ビス（トリメチルシリルアミノ）シラン ＳｉＨ2（ＮＨＳｉＭｅ3）2
    ＴＩＣＳ テトラ（イソシアネート）シラン Ｓｉ（ＮＣＯ）4
    ＴＥＡＳ テトラキス（エチルアミノ）シラン Ｓｉ（ＮＨＥｔ）4
    ＴＥＯＳ テトラキス（エトキシ）シラン Ｓｉ（ＯＥｔ）4
    ＢＴＥＳＥ ビス（トリエトキシシリル）エタン （ＥｔＯ）3Ｓｉ−ＣＨ2−ＣＨ2
    −Ｓｉ（ＯＥｔ）3
    ＴＡＳ テトラ（アセトキシ）シラン Ｓｉ（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｍｅ）4
    を含む群から選ばれる請求項１〜１３いずれか記載の方法。
  15. 不活性ガスもまた前記反応チャンバ内に導入される請求項１〜１４いずれか記載の方法。
  16. １％以下のＨｆ（ＮＥｔ2）4またはＮＨＥｔ2のような少量の触媒は、前記反応チャンバ内に導入される請求項１〜１５いずれか記載の方法。
JP2008501327A 2005-03-17 2006-03-17 シリコン酸化物含有膜の形成方法 Active JP5329218B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008501327A JP5329218B2 (ja) 2005-03-17 2006-03-17 シリコン酸化物含有膜の形成方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005077608A JP2006261434A (ja) 2005-03-17 2005-03-17 シリコン酸化膜の形成方法
JP2005077608 2005-03-17
PCT/EP2006/060829 WO2006097525A2 (en) 2005-03-17 2006-03-17 Method of forming silicon oxide containing films
JP2008501327A JP5329218B2 (ja) 2005-03-17 2006-03-17 シリコン酸化物含有膜の形成方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012254063A Division JP5631958B2 (ja) 2005-03-17 2012-11-20 シリコン酸化物含有膜の形成方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008533731A true JP2008533731A (ja) 2008-08-21
JP2008533731A5 JP2008533731A5 (ja) 2012-01-26
JP5329218B2 JP5329218B2 (ja) 2013-10-30

Family

ID=36764030

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005077608A Pending JP2006261434A (ja) 2005-03-17 2005-03-17 シリコン酸化膜の形成方法
JP2008501327A Active JP5329218B2 (ja) 2005-03-17 2006-03-17 シリコン酸化物含有膜の形成方法
JP2012254063A Active JP5631958B2 (ja) 2005-03-17 2012-11-20 シリコン酸化物含有膜の形成方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005077608A Pending JP2006261434A (ja) 2005-03-17 2005-03-17 シリコン酸化膜の形成方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012254063A Active JP5631958B2 (ja) 2005-03-17 2012-11-20 シリコン酸化物含有膜の形成方法

Country Status (9)

Country Link
US (2) US8227032B2 (ja)
EP (1) EP1861519B1 (ja)
JP (3) JP2006261434A (ja)
KR (6) KR20140069192A (ja)
CN (1) CN101171366A (ja)
AT (1) ATE482301T1 (ja)
DE (1) DE602006017042D1 (ja)
TW (2) TWI435387B (ja)
WO (1) WO2006097525A2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008109093A (ja) * 2006-09-28 2008-05-08 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
JP2010219500A (ja) * 2009-02-17 2010-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置、半導体デバイス
JP2012124492A (ja) * 2010-12-09 2012-06-28 Air Products & Chemicals Inc ＣＶＤ及びＡＬＤのＳｉＯ２膜のためのアミノビニルシラン
JP2012138500A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Tokyo Electron Ltd タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
JP2013008828A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Taiyo Nippon Sanso Corp シリコン絶縁膜の形成方法
JP2014064039A (ja) * 2013-12-25 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
JP2014229834A (ja) * 2013-05-24 2014-12-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
WO2015182503A1 (ja) * 2014-05-29 2015-12-03 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法並びに太陽電池モジュール
US9460913B2 (en) 2010-12-27 2016-10-04 Tokyo Electron Limited Film-forming method for forming silicon oxide film on tungsten film or tungsten oxide film
US9466476B2 (en) 2010-12-27 2016-10-11 Tokyo Electron Limited Film-forming method for forming silicon oxide film on tungsten film or tungsten oxide film
JP2018078326A (ja) * 2012-03-09 2018-05-17 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ディスプレイ・デバイスのためのバリア材料
KR20210010650A (ko) * 2016-06-28 2021-01-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d nand 메모리 디바이스들을 위한 cvd 기반 산화물-금속 다중 구조물
KR20220115086A (ko) 2021-02-08 2022-08-17 주식회사 히타치하이테크 가스 공급 장치, 진공 처리 장치 및 가스 공급 방법
JP2023507308A (ja) * 2019-12-18 2023-02-22 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高品質Ｓｉ含有膜を形成するための超低温ＡＬＤ

Families Citing this family (383)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261434A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法
US7875556B2 (en) 2005-05-16 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films
US8187678B2 (en) * 2006-02-13 2012-05-29 Stc.Unm Ultra-thin microporous/hybrid materials
US8530361B2 (en) 2006-05-23 2013-09-10 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors
US7875312B2 (en) 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US8232176B2 (en) 2006-06-22 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill
JP5193527B2 (ja) * 2006-09-28 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム
JP2008266711A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Fuji Electric Systems Co Ltd 真空成膜設備
US20090041952A1 (en) 2007-08-10 2009-02-12 Asm Genitech Korea Ltd. Method of depositing silicon oxide films
KR100888186B1 (ko) * 2007-08-31 2009-03-10 주식회사 테스 절연막 형성 방법
JP5015705B2 (ja) * 2007-09-18 2012-08-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 層間絶縁膜形成方法、層間絶縁膜、半導体デバイス、および半導体製造装置
CN101889331A (zh) * 2007-09-18 2010-11-17 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 形成含硅膜的方法
US7867923B2 (en) * 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US8501637B2 (en) 2007-12-21 2013-08-06 Asm International N.V. Silicon dioxide thin films by ALD
JP5306691B2 (ja) * 2008-04-01 2013-10-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
US8357435B2 (en) 2008-05-09 2013-01-22 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
JP2009295621A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2010103495A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Adeka Corp 半導体デバイス、その製造装置及び製造方法
US8703624B2 (en) * 2009-03-13 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Dielectric films comprising silicon and methods for making same
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8980382B2 (en) 2009-12-02 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films
US8741788B2 (en) 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8449942B2 (en) 2009-11-12 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Methods of curing non-carbon flowable CVD films
JP5616737B2 (ja) * 2009-11-20 2014-10-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP2013516763A (ja) 2009-12-30 2013-05-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フレキシブルな窒素／水素比を使用して生成されるラジカルを用いる誘電体膜成長
US8329262B2 (en) 2010-01-05 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Dielectric film formation using inert gas excitation
CN102754193A (zh) 2010-01-06 2012-10-24 应用材料公司 使用氧化物衬垫的可流动电介质
SG182333A1 (en) 2010-01-07 2012-08-30 Applied Materials Inc In-situ ozone cure for radical-component cvd
JP2013521650A (ja) 2010-03-05 2013-06-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ラジカル成分ｃｖｄによる共形層
US8236708B2 (en) * 2010-03-09 2012-08-07 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9076646B2 (en) 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US8956983B2 (en) 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US8728956B2 (en) 2010-04-15 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal film deposition
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
JP2011243620A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
US8912353B2 (en) 2010-06-02 2014-12-16 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
US8343881B2 (en) 2010-06-04 2013-01-01 Applied Materials, Inc. Silicon dioxide layer deposited with BDEAS
US8580699B2 (en) * 2010-09-10 2013-11-12 Applied Materials, Inc. Embedded catalyst for atomic layer deposition of silicon oxide
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US9285168B2 (en) 2010-10-05 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Module for ozone cure and post-cure moisture treatment
US8664127B2 (en) 2010-10-15 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
JP5544343B2 (ja) * 2010-10-29 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8450191B2 (en) 2011-01-24 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Polysilicon films by HDP-CVD
WO2012107138A1 (en) * 2011-02-07 2012-08-16 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude METHOD OF DEPOSITION OF Al2O3/SiO2 STACKS, FROM ALUMINIUM AND SILICON PRECURSORS
EP2484801B1 (en) * 2011-02-07 2017-08-23 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method of deposition of Al2O3/SiO2 stacks, from TMA or TEA and silicon precursors
EP2484803B1 (en) * 2011-02-07 2017-03-29 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method of deposition of Al2O3/SiO2 stacks, from aluminium and silicon precursors
EP2484802B1 (en) * 2011-02-07 2017-03-29 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Method of deposition of Al2O3/SiO2 stacks from DMAI and silicon precursors
US8716154B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers
US8647993B2 (en) 2011-04-11 2014-02-11 Novellus Systems, Inc. Methods for UV-assisted conformal film deposition
DE102011016935A1 (de) * 2011-04-13 2012-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement
US8445078B2 (en) 2011-04-20 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon oxide conversion
US8771807B2 (en) 2011-05-24 2014-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for making and using same
US8466073B2 (en) 2011-06-03 2013-06-18 Applied Materials, Inc. Capping layer for reduced outgassing
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9404178B2 (en) 2011-07-15 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Surface treatment and deposition for reduced outgassing
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8617989B2 (en) 2011-09-26 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Liner property improvement
US8551891B2 (en) 2011-10-04 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Remote plasma burn-in
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9128218B2 (en) 2011-12-29 2015-09-08 Visera Technologies Company Limited Microlens structure and fabrication method thereof
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US9938303B2 (en) 2012-07-20 2018-04-10 American Air Liquide, Inc. Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
KR20140026724A (ko) * 2012-08-23 2014-03-06 주식회사 원익아이피에스 박막 제조 방법 및 기판 처리 장치
US8889566B2 (en) 2012-09-11 2014-11-18 Applied Materials, Inc. Low cost flowable dielectric films
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9355839B2 (en) 2012-10-23 2016-05-31 Lam Research Corporation Sub-saturated atomic layer deposition and conformal film deposition
SG2013083241A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Conformal film deposition for gapfill
SG2013083654A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Methods for depositing films on sensitive substrates
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
EP2770526B1 (en) 2013-02-22 2018-10-03 IMEC vzw Oxygen monolayer on a semiconductor
JP2014209558A (ja) * 2013-03-27 2014-11-06 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、及び、シリコン酸化膜の形成装置
JP6154215B2 (ja) 2013-06-28 2017-06-28 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US9382268B1 (en) 2013-07-19 2016-07-05 American Air Liquide, Inc. Sulfur containing organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
TW201509799A (zh) 2013-07-19 2015-03-16 Air Liquide 用於ａｌｄ／ｃｖｄ含矽薄膜應用之六配位含矽前驅物
CN103450801A (zh) * 2013-09-09 2013-12-18 南京工业大学 一种制备微纳米硅基超疏水涂层的方法及其用途
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
RU2586265C2 (ru) * 2014-07-04 2016-06-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов
US9869017B2 (en) * 2014-07-10 2018-01-16 Applied Materials, Inc. H2/O2 side inject to improve process uniformity for low temperature oxidation process
US9412581B2 (en) 2014-07-16 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Low-K dielectric gapfill by flowable deposition
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9214333B1 (en) 2014-09-24 2015-12-15 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ALD
WO2016054566A1 (en) 2014-10-02 2016-04-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Organodisilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
CN113025992B (zh) * 2014-10-24 2024-02-02 弗萨姆材料美国有限责任公司 组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法
US9589790B2 (en) 2014-11-24 2017-03-07 Lam Research Corporation Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
EP3029175A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-08 Basf Se Process for the production of porous thin films
WO2016094711A2 (en) 2014-12-13 2016-06-16 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications and methods of using the same
US9472392B2 (en) 2015-01-30 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Step coverage dielectric
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
US11365481B2 (en) * 2015-10-06 2022-06-21 City University Of Hong Kong Homogeneous and transparent protective coatings for precious metals and copper alloys
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
CN108140578B (zh) * 2015-10-23 2022-07-08 应用材料公司 通过表面毒化处理的由下而上的间隙填充
US9786491B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9786492B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
GB201523156D0 (en) * 2015-12-31 2016-02-17 Pilkington Group Ltd High strength glass containers
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102378021B1 (ko) 2016-05-06 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 박막의 형성
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US9865455B1 (en) 2016-09-07 2018-01-09 Lam Research Corporation Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10186420B2 (en) 2016-11-29 2019-01-22 Asm Ip Holding B.V. Formation of silicon-containing thin films
FR3059339B1 (fr) * 2016-11-29 2020-02-28 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de formation de films de dioxyde de silicium
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10847529B2 (en) 2017-04-13 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10504901B2 (en) 2017-04-26 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured using the same
CN110546302B (zh) 2017-05-05 2022-05-27 Asm Ip 控股有限公司 用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
TWI782021B (zh) * 2017-05-28 2022-11-01 美商應用材料股份有限公司 有機及混合有機無機層的選擇性分子層沉積
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102229705B1 (ko) * 2017-09-05 2021-03-18 가부시키가이샤 알박 반도체 장치를 제조하기 위한 방법 및 반도체 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
EP3476973A1 (en) * 2017-10-25 2019-05-01 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Process chamber and method for purging the same
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR20190065962A (ko) 2017-12-04 2019-06-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 유전체와 금속 표면 상에 SiOC의 균일한 증착
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
WO2019169335A1 (en) 2018-03-02 2019-09-06 Lam Research Corporation Selective deposition using hydrolysis
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
EP3942596A4 (en) * 2019-03-20 2022-12-07 Applied Materials, Inc. PROCESS FOR GROWING LOW TEMPERATURE THICK OXIDE LAYERS OF THERMAL OXIDE QUALITY
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20210158414A (ko) * 2019-05-21 2021-12-30 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 실리콘 함유 필름의 열적 증착을 위한 조성물 및 이의 사용 방법
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
JP7386732B2 (ja) * 2020-03-06 2023-11-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
CN111755320A (zh) * 2020-05-20 2020-10-09 嘉兴市轩禾园艺技术有限公司 多晶硅功能膜、制备方法及其用途
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
CN111816556B (zh) * 2020-06-03 2024-01-23 中国科学院微电子研究所 晶体管及制备方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114318292B (zh) * 2021-12-31 2024-03-29 中储粮成都储藏研究院有限公司 一种利用化学气相沉积法包覆阻燃性膜层的方法
US20230279545A1 (en) * 2022-03-04 2023-09-07 Entegris, Inc. Process for preparing silicon-rich silicon nitride films

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132276A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体膜形成方法
JPH06168930A (ja) * 1992-11-30 1994-06-14 Nec Corp 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
JPH09289209A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Toshiba Corp 半導体装置に使用する絶縁膜
JP2003007700A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Samsung Electronics Co Ltd トリスジメチルアミノシランを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法
JP2003515674A (ja) * 1999-12-03 2003-05-07 エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ 二酸化ケイ素を含む膜の原子層化学蒸着
JP2003166060A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜の製造方法
JP2003318174A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Sony Corp 原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
JP2005197561A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2005536055A (ja) * 2002-08-18 2005-11-24 アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド 酸化シリコン及び酸窒化シリコンの低温堆積
JP2006054432A (ja) * 2004-07-15 2006-02-23 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2006261434A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法
JP2007526399A (ja) * 2004-03-05 2007-09-13 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 絶縁膜または金属膜を形成する方法

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3596370A (en) * 1969-12-11 1971-08-03 Gen Electric Thin film capacitor
US4181751A (en) 1978-05-24 1980-01-01 Hughes Aircraft Company Process for the preparation of low temperature silicon nitride films by photochemical vapor deposition
US4597003A (en) * 1983-12-01 1986-06-24 Harry E. Aine Chemical etching of a semiconductive wafer by undercutting an etch stopped layer
US4592132A (en) * 1984-12-07 1986-06-03 Hughes Aircraft Company Process for fabricating multi-level-metal integrated circuits at high yields
JPH01143221A (ja) 1987-11-27 1989-06-05 Nec Corp 絶縁薄膜の製造方法
JP2637265B2 (ja) * 1990-06-28 1997-08-06 株式会社東芝 窒化珪素膜の形成方法
US5204141A (en) * 1991-09-18 1993-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Deposition of silicon dioxide films at temperatures as low as 100 degree c. by lpcvd using organodisilane sources
JP3149223B2 (ja) * 1991-10-07 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JPH05175132A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Kojundo Chem Lab Co Ltd 半導体装置のケイ素酸化膜の製造法
JPH06132284A (ja) 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の保護膜形成方法
US5304398A (en) 1993-06-03 1994-04-19 Watkins Johnson Company Chemical vapor deposition of silicon dioxide using hexamethyldisilazane
US5413813A (en) 1993-11-23 1995-05-09 Enichem S.P.A. CVD of silicon-based ceramic materials on internal surface of a reactor
US5424095A (en) 1994-03-07 1995-06-13 Eniricerche S.P.A. Ceramic vapor deposited coating using a steam-containing carrier gas and non-alkoxy silane precursors
US5632868A (en) * 1994-08-24 1997-05-27 Ebara Corporation Method and apparatus for generating ozone and methods of its use
US5728602A (en) 1996-06-03 1998-03-17 Vlsi Technology, Inc. Semiconductor wafer manufacturing process with high-flow-rate low-pressure purge cycles
US5874368A (en) 1997-10-02 1999-02-23 Air Products And Chemicals, Inc. Silicon nitride from bis(tertiarybutylamino)silane
GB9723222D0 (en) * 1997-11-04 1998-01-07 Pilkington Plc Coating glass
US6660656B2 (en) * 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
WO1999057330A1 (en) * 1998-05-01 1999-11-11 Desu Seshu B Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition
US6087262A (en) * 1998-11-09 2000-07-11 United Microelectronics Corp. Method for manufacturing shallow trench isolation structure
US6153261A (en) 1999-05-28 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Dielectric film deposition employing a bistertiarybutylaminesilane precursor
US6348420B1 (en) 1999-12-23 2002-02-19 Asm America, Inc. Situ dielectric stacks
KR100803770B1 (ko) * 2000-03-07 2008-02-15 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. 구배（ｇｒａｄｅｄ）박막
JP4371543B2 (ja) 2000-06-29 2009-11-25 日本電気株式会社 リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
US6818250B2 (en) * 2000-06-29 2004-11-16 The Regents Of The University Of Colorado Method for forming SIO2 by chemical vapor deposition at room temperature
JP4693970B2 (ja) 2000-09-14 2011-06-01 株式会社トリケミカル研究所 ゲート酸化膜形成方法
JP3409290B2 (ja) 2000-09-18 2003-05-26 株式会社トリケミカル研究所 ゲート酸化膜形成材料
US6969539B2 (en) * 2000-09-28 2005-11-29 President And Fellows Of Harvard College Vapor deposition of metal oxides, silicates and phosphates, and silicon dioxide
US6531412B2 (en) * 2001-08-10 2003-03-11 International Business Machines Corporation Method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications
JP3941099B2 (ja) 2001-12-19 2007-07-04 ソニー株式会社 薄膜形成方法
US6843858B2 (en) 2002-04-02 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a semiconductor processing chamber
KR100425478B1 (ko) * 2002-04-04 2004-03-30 삼성전자주식회사 금속 도전층을 포함한 반도체소자의 제조방법
KR100505668B1 (ko) 2002-07-08 2005-08-03 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법에 의한 실리콘 산화막 형성 방법
TW200408015A (en) 2002-08-18 2004-05-16 Asml Us Inc Atomic layer deposition of high K metal silicates
US6797643B2 (en) 2002-10-23 2004-09-28 Applied Materials Inc. Plasma enhanced CVD low k carbon-doped silicon oxide film deposition using VHF-RF power
KR100463633B1 (ko) 2002-11-12 2004-12-29 주식회사 아이피에스 하프늄 화합물을 이용한 박막증착방법
JP4290421B2 (ja) 2002-12-27 2009-07-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3909320B2 (ja) * 2003-01-27 2007-04-25 三菱マテリアル株式会社 有機金属化学気相成長法用原料の合成方法
US7229703B2 (en) * 2003-03-31 2007-06-12 Dai Nippon Printing Co. Ltd. Gas barrier substrate
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
JP4354732B2 (ja) 2003-04-17 2009-10-28 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 気相成長法によるシリコン窒化物膜の製造方法
JP4717335B2 (ja) 2003-06-30 2011-07-06 弘 中山 膜形成方法、膜、及び素子
JP4290508B2 (ja) 2003-08-08 2009-07-08 有限会社幸文堂 連結式印具及び印具
JP4059183B2 (ja) 2003-10-07 2008-03-12 ソニー株式会社 絶縁体薄膜の製造方法
TW200526804A (en) 2003-10-30 2005-08-16 Tokyo Electron Ltd Method of manufacturing semiconductor device, film-forming apparatus, and storage medium
JP2005159316A (ja) 2003-10-30 2005-06-16 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法及び成膜装置並びに記憶媒体
JP2005191482A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 半導体装置及びその製造方法
JP2006016641A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 金属シリコンオキサイドの製造方法、金属シリコンオキシナイトライドの製造方法、およびシリコンドープされた金属ナイトライドの製造方法
US7473655B2 (en) * 2005-06-17 2009-01-06 Applied Materials, Inc. Method for silicon based dielectric chemical vapor deposition
US7601652B2 (en) 2005-06-21 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for treating substrates and films with photoexcitation
JP4554446B2 (ja) 2005-06-21 2010-09-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20070010072A1 (en) * 2005-07-09 2007-01-11 Aviza Technology, Inc. Uniform batch film deposition process and films so produced
US7875312B2 (en) 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US7498273B2 (en) 2006-05-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes
TWI462179B (zh) 2006-09-28 2014-11-21 Tokyo Electron Ltd 用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置
US20080207007A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films
CN101889331A (zh) 2007-09-18 2010-11-17 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 形成含硅膜的方法
US8197915B2 (en) 2009-04-01 2012-06-12 Asm Japan K.K. Method of depositing silicon oxide film by plasma enhanced atomic layer deposition at low temperature
US8236708B2 (en) * 2010-03-09 2012-08-07 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132276A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体膜形成方法
JPH06168930A (ja) * 1992-11-30 1994-06-14 Nec Corp 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
JPH09289209A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Toshiba Corp 半導体装置に使用する絶縁膜
JP2003515674A (ja) * 1999-12-03 2003-05-07 エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ 二酸化ケイ素を含む膜の原子層化学蒸着
JP2003007700A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Samsung Electronics Co Ltd トリスジメチルアミノシランを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法
JP2003166060A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜の製造方法
JP2003318174A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Sony Corp 原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
JP2005536055A (ja) * 2002-08-18 2005-11-24 アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド 酸化シリコン及び酸窒化シリコンの低温堆積
JP2005197561A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2007526399A (ja) * 2004-03-05 2007-09-13 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 絶縁膜または金属膜を形成する方法
JP2006054432A (ja) * 2004-07-15 2006-02-23 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2006261434A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008109093A (ja) * 2006-09-28 2008-05-08 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
JP2010219500A (ja) * 2009-02-17 2010-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置、半導体デバイス
JP2012124492A (ja) * 2010-12-09 2012-06-28 Air Products & Chemicals Inc ＣＶＤ及びＡＬＤのＳｉＯ２膜のためのアミノビニルシラン
KR101759157B1 (ko) * 2010-12-27 2017-07-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 산화 실리콘막의 성막 방법
JP2012138500A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Tokyo Electron Ltd タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
US9460913B2 (en) 2010-12-27 2016-10-04 Tokyo Electron Limited Film-forming method for forming silicon oxide film on tungsten film or tungsten oxide film
US9466476B2 (en) 2010-12-27 2016-10-11 Tokyo Electron Limited Film-forming method for forming silicon oxide film on tungsten film or tungsten oxide film
JP2013008828A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Taiyo Nippon Sanso Corp シリコン絶縁膜の形成方法
JP2018078326A (ja) * 2012-03-09 2018-05-17 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ディスプレイ・デバイスのためのバリア材料
JP2014229834A (ja) * 2013-05-24 2014-12-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP2014064039A (ja) * 2013-12-25 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
CN106463548A (zh) * 2014-05-29 2017-02-22 京瓷株式会社 太阳能电池元件及其制造方法以及太阳能电池模块
JPWO2015182503A1 (ja) * 2014-05-29 2017-04-20 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法並びに太陽電池モジュール
WO2015182503A1 (ja) * 2014-05-29 2015-12-03 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法並びに太陽電池モジュール
KR20210010650A (ko) * 2016-06-28 2021-01-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d nand 메모리 디바이스들을 위한 cvd 기반 산화물-금속 다중 구조물
KR102337153B1 (ko) * 2016-06-28 2021-12-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d nand 메모리 디바이스들을 위한 cvd 기반 산화물-금속 다중 구조물
US11817320B2 (en) 2016-06-28 2023-11-14 Applied Materials, Inc. CVD based oxide-metal multi structure for 3D NAND memory devices
JP2023507308A (ja) * 2019-12-18 2023-02-22 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高品質Ｓｉ含有膜を形成するための超低温ＡＬＤ
JP7357794B2 (ja) 2019-12-18 2023-10-06 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高品質Ｓｉ含有膜を形成するための超低温ＡＬＤ
KR20220115086A (ko) 2021-02-08 2022-08-17 주식회사 히타치하이테크 가스 공급 장치, 진공 처리 장치 및 가스 공급 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8613976B2 (en) 2013-12-24
JP2006261434A (ja) 2006-09-28
JP2013070077A (ja) 2013-04-18
US8227032B2 (en) 2012-07-24
US20090232985A1 (en) 2009-09-17
TW201403715A (zh) 2014-01-16
KR20130027573A (ko) 2013-03-15
KR20150047631A (ko) 2015-05-04
ATE482301T1 (de) 2010-10-15
TW200707582A (en) 2007-02-16
WO2006097525A2 (en) 2006-09-21
EP1861519B1 (en) 2010-09-22
KR20120044992A (ko) 2012-05-08
TWI515794B (zh) 2016-01-01
KR20140069192A (ko) 2014-06-09
KR100961805B1 (ko) 2010-06-08
WO2006097525A3 (en) 2006-11-23
DE602006017042D1 (de) 2010-11-04
JP5329218B2 (ja) 2013-10-30
CN101171366A (zh) 2008-04-30
KR20090107090A (ko) 2009-10-12
KR101248358B1 (ko) 2013-04-03
JP5631958B2 (ja) 2014-11-26
TWI435387B (zh) 2014-04-21
US20120276292A1 (en) 2012-11-01
KR101547093B1 (ko) 2015-08-24
KR20070114393A (ko) 2007-12-03
EP1861519A2 (en) 2007-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5329218B2 (ja) シリコン酸化物含有膜の形成方法
US20090075490A1 (en) Method of forming silicon-containing films
KR101920702B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
JP5947417B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
KR101400690B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101304365B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
JP2008533731A5 (ja)
KR20130057491A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101858345B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR101786301B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090317

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090317

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110722

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110726

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111025

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111101

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20111125

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120529

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120821

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130531

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130625

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130724

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5329218

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250