JPH06132284A - 半導体装置の保護膜形成方法 - Google Patents

半導体装置の保護膜形成方法

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JPH06132284A
JPH06132284A JP4284351A JP28435192A JPH06132284A JP H06132284 A JPH06132284 A JP H06132284A JP 4284351 A JP4284351 A JP 4284351A JP 28435192 A JP28435192 A JP 28435192A JP H06132284 A JPH06132284 A JP H06132284A
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友 亨 三
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Abstract

(57)【要約】 【目的】硬度、応力、水素含有量など全てにおいて満足
できる信頼性の大きな半導体装置の保護膜形成方法を提
供する。 【構成】一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （ただし、上記において、Ｒ1 、Ｒ2 基がＨ−、ＣＨ3
−、Ｃ2 Ｈ5 −、Ｃ3 Ｈ 7 −、Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかで
あり、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜
４の整数である）で表される有機シラン化合物を原料ガ
スとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成するこ
とを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の薄膜作成方
法に関するものであり、特に高信頼性を有する半導体を
保護するパッシベーション膜の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の保護膜はデバイスの活性領
域への外部から来る水分やナトリウムなどのアルカリ金
属等の異物の侵入を遮断するとともに、その硬い膜によ
りデバイスを損傷から保護することなどの働きにより、
デバイスの信頼性を向上させる手法として用いられてき
ている。半導体装置にとって信頼性は最も重要なファク
ターであり、その製造ラインの評価を決定するものと言
える。
【０００３】この保護膜の形成技術はその目的（保護対
象、形成温度等）に応じて、種々の膜が開発、実用化さ
れてきたが、その中でも、不純物侵入阻止効果（アルカ
リイオン、水分）、機械的強度、ステップカバレッジの
点から窒化珪素膜（ＳｉＮ膜）が最も有効であると考え
られ、現在広範囲に使用されている。
【０００４】このＳｉＮ膜の合成法として、シランガス
とアンモニア（もしくは窒素）を原料ガスとし、比較的
低温で合成できるプラズマＣＶＤ（ＲＥＣＶＤ）法が一
般的に用いられる。プラズマＣＶＤ法の他には、熱ＣＶ
Ｄ法による合成法もある。この方法によるとプラズマＣ
ＶＤ法で合成した膜と比較して密度、水素含有量は向上
するが、膜応力は増大してしまう。さらに、この方法は
成膜時に７００〜１０００℃という高温加熱を必要とす
るため、保護膜として成膜する場合プロセス的に不可能
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとく、プラ
ズマ合成ＳｉＮ膜（正確にはＳｉＮx Ｈy 膜）は優れた
物性を持つが、いくつかの問題点が指摘されている。例
えば、膜応力が大きい点であり、膜応力がＡｌ配線にか
かりボイドの発生等の配線の劣化が起こり、ついには断
線に至ってしまう可能性がある。また、水素含有量が多
い点も挙げられ、膜中の含有水素がデバイスのＳｉＯ2
／Ｓｉ面に侵入し、ＭＯＳ特性劣化の原因となると考え
られている。さらに、プラズマからの電子やイオンの照
射によるデバイスの損傷も考慮する必要がある。今後、
デバイスがより微細化、高密度化するとこれらの問題が
顕著になり、Ａｌ配線やデバイスの信頼性が劣化する可
能性がある。
【０００６】このような要請、特に応力緩和と水素含有
量の減少を目的として、現在までに種々の膜構造、成膜
方法が提案されている。例えば、特開平２−９６３３６
号に開示されている膜構造としてフッ素を導入した膜、
特開平２−１５６３０号に開示されている印加放電周波
数を２種類用いる方法などである。しかし、このような
方法で合成された膜も硬度、応力、水素含有量をすべて
において満足する結果は得られていない。
【０００７】したがって、本発明は、硬度、応力、水素
含有量など全てにおいて満足できる信頼性の大きな半導
体装置の保護膜形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らが鋭意努力検
討した結果、上記プラズマＳｉＮ膜の問題点は、プラズ
マ内で生成する活性種に選択性がないことから生じるこ
とが原因であることを見いだした。すなわち、プラズマ
放電空間内で原料ガスは電子衝突で分解し反応が進む
が、この時の電子エネルギーはある分布を持つため、反
応が複雑になり、成膜に関与する反応活性種が種々存在
するようになる。そのため成膜パラメータをどのように
変えても、膜の物性は最適化されずに、例えば、水素含
有量と応力との間でトレードオフ現象が生じる。従っ
て、成膜に関与する活性種をある程度決定、制御するこ
とにより、本問題を解決できることが判った。反応を制
御する方法としてプラズマのかわりに熱分解反応を用い
る方法が考えられる。従来の熱ＣＶＤ法の原料ガスはシ
ランと窒素やアンモニアを用いているため、前述したご
とく成膜には８００℃程度にまで上げなければならなか
った。このため、本研究者らは低温化できるガスについ
て、研究を深めた結果、今回新しい有機系の反応ガスを
発見するに至った。なお、窒化膜に有機系ガス用いると
いう特許は例えば特開昭６１−２３４５３３号や特開昭
６２−２５３７７１号に開示されているもののようにい
くつか提案されているが、これらのものは有効なガス種
を特定しておらず、甚だ不完全なものであり、低温で成
膜可能であり、しかも膜質を制御できる原料ガスは本発
明にて表示されたガスだけである。
【０００９】すなわち、本発明は、 一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （ただし、上式において、Ｒ1 、Ｒ2 がＨ−、ＣＨ3
−、Ｃ2 Ｈ5 −、Ｃ3 Ｈ 7 −、Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかで
あり、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜
４の整数である）で表される有機シラン化合物を原料ガ
スとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成するこ
とを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法を提供す
る。
【００１０】有機シラン化合物は２種類以上組み合わせ
て用いるのが好ましい。
【００１１】有機シラン化合物としては、トリスジメチ
ルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジメ
チルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジメ
チルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 、トリス
ジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ、
ビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）2 Ｓｉ
Ｈ2 、ジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）Ｓｉ
Ｈ3 、トリスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2
Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ
7 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジプロピルアミノシラン（（Ｃ
3 Ｈ7 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 、トリスジイソブチルアミノシ
ラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジイソブチル
アミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジイソ
ブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3を用
いるのが好ましい。
【００１２】
【発明の作用】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の方法により半導体装置に保護膜を形成するに際
しては、有機シラン化合物を原料ガスとして化学気相成
長法により半導体装置上に窒化珪素膜を形成する。
【００１３】本発明においては、有機シラン化合物とし
ては、一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （ただし、上式において、Ｒ1 、Ｒ2 がＨ−、ＣＨ3
−、Ｃ2 Ｈ5 −、Ｃ3 Ｈ 7 −、Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかで
あり、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜
４の整数である）で表される有機化合物を少なくとも１
種用いる。
【００１４】上記有機シラン化合物としては、有機シラ
ン化合物が、トリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）
2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジメチルアミノシラン（（ＣＨ
3 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジメチルアミノシラン（（ＣＨ
3 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 、トリスジエチルアミノシラン
（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジエチルアミノシ
ラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジエチルアミノ
シラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 、トリスジプロピ
ルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジ
プロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ
2 、ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）Ｓｉ
Ｈ3 、トリスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）
2 Ｎ）3 ＳｉＨ、ビスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ
4 Ｈ9 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ2 、ジイソブチルアミノシラン
（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3を用いるのが好ましい。
【００１５】本発明の方法を実施する際にしては、図１
に模式的に示す装置を用いるのが好適である。同図にお
いて、１は原料ガス、２は基板、３はヒータ、４はオイ
ルバス、５は成膜室、６はノズル、７は排気ポンプ、８
はストップバルブ、９はガスラインである。
【００１６】本発明の保護膜形成法によれば、本原料ガ
スを用い、反応を制御（温度、添加ガス等）すること
で、適当な反応活性種を選択でき、それにより膜中のＳ
ｉ−Ｈ，Ｎ−Ｈ結合密度を自在に変化させられることが
でき、膜中水素含有量を制御できる。また応力に関して
も膜中のＳｉ／Ｎ比等を調整することにより、適当な真
性応力値に設定できる。またこの２つの効果を同時に達
成できる。またプラズマを用いていないため電子やイオ
ン等による照射損傷はない。さらに、ステップカバレッ
ジの点でも有機材料の流動性から従来のプラズマＳｉＮ
膜よりは改善される。デバイスへ与える効果としては、
応力が配線に与えるストレスマイグレーション等の影響
を低減でき、寿命が向上する。また、プラズマＣＶＤ膜
の特徴である膜中の未反応結合手（ダングリングボンド
−水素移動の原因と考えられる）が少ない膜が得られる
ためＭＯＳデバイスへの影響が低減できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。 （実施例１）本実施例においては、図１に示す装置を用
いて成膜を行った。原料ガスとしてはトリスジメチルア
ミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨを用いた。実験
条件は基板としてステップカバレッジ測定用のＡｌの配
線パターン付きのＳｉウエハと赤外吸収スペクトルを測
定するためのベアＳｉウエハを用い、ヒータにより基板
温度４００℃とした。動作圧力は図示されていない圧力
コントロール装置により１００ｔｏｒｒに制御し、原料
ガスはオイルバスにて７０℃に加熱され、窒素ガス１０
ｓｃｃｍでバブリングされ成膜室に導入した。また、バ
ッファガスとして窒素を１００ｓｃｃｍ流した。この条
件で成膜した膜の赤外吸収スペクトルを図２に示す。こ
の図より、この膜がＳｉＮ結合を持つ窒化膜であること
が判った。またＳｉ／Ｎ比は０．９程度とプラズマ合成
のものとはやや小さな値を示した。水素含有量は１．５
×１０22ｃｍ-3、応力は２００ＭＰａであった。ステッ
プカバレッジも良好であった。
【００１８】（実施例２）本実施例においても、実施例
１と同様に図１に示す装置を用いて成膜を行った。原料
ガスとしてはビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）
2 Ｎ）2 ＳｉＨ2を用いた。この原料ガスを用いた時の
成膜条件は基板としてステップカバレッジ測定用のＡｌ
の配線パターン付きのＳｉウエハと赤外吸収スペクトル
を測定するためのベアＳｉウエハ、基板温度は３５０
℃、動作圧力は８０ｔｏｒｒ、オイルバスの温度は５０
℃、窒素ガス１０ｓｃｃｍによりバブリングされ成膜室
に導入した。また、バッファガスとして窒素を５０ｓｃ
ｃｍ流した。この条件で成膜した膜も赤外吸収スペクト
ルより、ＳｉＮ結合を持つ窒化膜であることが判った。
またＳｉ／Ｎ比は０．８程度であった。水素含有量は
１．７×１０22ｃｍ-3、応力は２４０ＭＰａであった。
このガスを用いてもステップカバレッジは良好であっ
た。
【００１９】（実施例３）本実施例においても、実施例
１と同様に図１に示す装置を用いて成膜を行った。原料
ガスとしてはジメチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2
Ｎ）ＳｉＨ3 とトリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ
3 ）2 Ｎ）3 ＳｉＨを種々の比率で混合したものを用い
た。この時の比率はバブリングの窒素流量で規定した。
この原料ガスを用いた時の成膜条件は基板としてステッ
プカバレッジ測定用のＡｌの配線パターン付きのＳｉウ
エハと赤外吸収スペクトルを測定するためのベアＳｉウ
エハ、基板温度は３５０℃、動作圧力は８０ｔｏｒｒ、
２つのオイルバスの温度は５０℃、バブリングの窒素ガ
スは計１０ｓｃｃｍとした。バッファガスとして窒素を
５０ｓｃｃｍ流した。この条件で成膜した膜も赤外吸収
スペクトルより、ＳｉＮ結合を持つ窒化膜であることが
判った。また、Ｓｉ／Ｎ比は２つのガスの混合比により
０．７〜１．０程度かわることが判った。水素含有量は
ほぼ１．７×１０22ｃｍ-3、応力は２００ＭＰａ程度で
あった。この混合ガスを用いた場合でもステップカバレ
ッジは良好であった。
【００２０】（比較例）比較のため従来のプラズマＣＶ
Ｄによる窒化珪素膜の成膜を行った。原料ガスとしては
シラン、アンモニア、窒素をそれぞれ１０，５０，４０
ｓｃｃｍ流し、１３．５６ＭＨｚの高周波で放電した。
圧力は０．８ｔｏｒｒ、基板温度３５０℃、ＲＦパワー
密度は０．１３Ｗ／ｃｍ2 とした。この条件で成膜した
膜は、赤外吸収スペクトルより、ＳｉＮ結合を持つ窒化
膜であることを確認した。またこの膜のＳｉ／Ｎ比は
１．０、水素含有量は２．６×１０22ｃｍ-3と実施例に
比べて多く、応力は３２０ＭＰａと大きな値であり、保
護膜としてやや劣っていることが判る。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、成膜温度は低温（４０
０℃以下）のままで水素含有量の低減、応力の最適化、
プラズマ損傷の回避が可能になる。さらに、ステップカ
バレッジが改善される。またそれによりストレスマイグ
レーション等の影響を低減でき、寿命が向上したり、デ
バイスへの影響が低減できる等非常に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１、２、３に用いた成膜装置
の概略図である。
【図２】 本発明により形成した膜の赤外吸収スペクト
ル図である。
【符号の説明】
１ 原料ガス ２ 基板 ３ ヒータ ４ オイルバス ５ 成膜室 ６ ノズル ７ 排気ポンプ ８ ストップバル
ブ ９ ガスライン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式 （Ｒ1 Ｒ2 Ｎ）n ＳｉＨ4-n （ただし、上式において、Ｒ1 、Ｒ2 がＨ−、ＣＨ3
    −、Ｃ2 Ｈ5 −、Ｃ3 Ｈ 7 −、Ｃ4 Ｈ9 −のいずれかで
    あり、そのうち少なくとも一つがＨ−でない。ｎは１〜
    ４の整数である）で表される有機シラン化合物を原料ガ
    スとして化学気相成長法により窒化珪素膜を形成するこ
    とを特徴とする半導体装置の保護膜形成方法。
  2. 【請求項２】有機シラン化合物を２種類以上組み合わせ
    て用いる請求項１に記載の半導体装置の保護膜形成方
    法。
  3. 【請求項３】有機シラン化合物が、 トリスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）3 Ｓｉ
    Ｈ、 ビスジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）2 ＳｉＨ
    2 、 ジメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 、 トリスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）3 Ｓ
    ｉＨ、 ビスジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）2 Ｓｉ
    Ｈ2 、 ジエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ）ＳｉＨ3 、 トリスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）3
    ＳｉＨ、 ビスジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）2 Ｓ
    ｉＨ2 、 ジプロピルアミノシラン（（Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｎ）ＳｉＨ
    3 、 トリスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）
    3 ＳｉＨ、 ビスジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）2
    ＳｉＨ2 、 ジイソブチルアミノシラン（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｎ）ＳｉＨ
    3である請求項１または２に記載の半導体装置の保護膜
    形成方法。
JP4284351A 1992-10-22 1992-10-22 半導体装置の保護膜形成方法 Withdrawn JPH06132284A (ja)

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