JP2011040741A - 化学気相成長用組成物 - Google Patents

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Abstract

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を用いることを含む、炭窒化ケイ素膜を形成するための方法とする：
Figure 2011040741

【選択図】図１

Description

半導体デバイスの製作においては、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又は炭窒化ケイ素（ＳｉｘＣｙＮｚ）のような化学的に不活性な誘電材料の薄い不動態層が必須である。窒化ケイ素の薄層は、拡散マスク、酸化バリアー、トレンチアイソレーション、高絶縁破壊電圧を備えた金属間誘電材料及びパッシベーション層として機能する。半導体デバイスの製作における窒化ケイ素被膜について数多くの応用が他で報告されており、非特許文献１及び２が参照される。
最近の半導体デバイスの多くは、非常に低いエッチ速度若しくは非常に高い膜応力、又はその両方を有する誘電膜を必要とする。さらには、良好な電気特性を維持しながら、６００℃未満の温度で膜が形成されることが好ましく必要な場合がある。膜の硬さは電気部品の設計の際に考慮すべき別の因子であり、窒化ケイ素膜は実に極めて硬い膜を提供する。
窒化ケイ素被膜を形成するための商業的な方法の１つは、前駆体反応体としてジクロロシランとアンモニアを用いる。ジクロロシラン及びアンモニアのような前駆体を使用する低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）は、最良の膜特性を獲得するために高い堆積温度を必要とする。例えば、７５０℃よりも高い温度が、適度な成長速度と均一性を得るために必要とされる場合がある。他の処理の問題は、塩素及び塩素副生成物の危険な側面を包含している。
以下の論文及び特許は、エレクトロニクス産業において用いられるオルガノシランの合成及び堆積プロセスに関して当技術分野の代表的なものとして引用される。
非特許文献３は、ＬＰＣＶＤによるジエチルシランとアンモニア及び一酸化窒素と用いた窒化ケイ素及びオキシ窒化ケイ素の形成を開示している。堆積は、６５０℃〜７００℃の温度範囲において実施される。より低い温度では堆積速度が４Å／分未満に低下するので、堆積は一般に６５０℃の温度に制限される。
非特許文献４は、ＬＰＣＶＤ法によるジクロロシランとアンモニアを用いた窒化ケイ素の堆積を記載している。塩化アンモニウムの形成は、チューブの後端、並びに配管ライン及びポンピングシステムにおける塩化アンモニウムの粒子形成及び堆積を招く。
非特許文献５は、ヨードシランと各ジアルキルアミンの反応によるジメチルアミノ及びジエチルアミノシランの調製を開示している。
非特許文献６は、式ＮＲ（ＳｉＨ３）２のジシリルアミン、例えばイソプロピルジシリルアミン及びジシリル−ｔ−ブチルアミンの合成を開示しており、対応するメチルジシリルアミンとの分光学的な比較を与えている。
特許文献１は、アンモニア又は窒素の存在下でのプラズマ化学気相成長又は熱化学気相成長による、一般式（Ｒ１Ｒ２Ｎ）ｎＳｉＨ４−ｎ（式中、Ｒ１及びＲ２はＨ−、ＣＨ３−、Ｃ２Ｈ５−、Ｃ３Ｈ７−、Ｃ４Ｈ９−のいずれか）のオルガノシランを用いた窒化ケイ素膜の形成を記載している。
特許文献２は、反応体ガスとしてＳｉ（Ｎ（ＣＨ３）２）４とアンモニアを用いたＣＶＤによる窒化ケイ素膜の形成を開示している。７００℃のチャンバー温度と０．５Ｔｏｒｒの圧力を、堆積のために用いている。アンモニア又は窒素と組み合わせたＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３、ＳｉＨ２（Ｎ（ＣＨ３）２）２及びＳｉＨ３（Ｎ（ＣＨ３）２）からなる群より選択された他の反応体も反応体として提案されている。ガスに紫外線ビームを照射することで生成するプラズマにより、温度を３００℃に低下させることも開示されている。
特許文献３は、前駆体としてビス（三級ブチルアミノ）シランを使用して、５００℃〜８００℃の温度範囲で低圧化学気相成長により窒化ケイ素を堆積させることを教示している。
特許文献３及び４は、ケイ素反応体ガスとしてビス（三級ブチルアミノ）シランを用いた窒化ケイ素膜の形成を開示している。ここでは、膜を生成するのにＬＰＣＶＤを用いている。
特許文献５は、第１反応体として式Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ３）２）４、ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３、ＳｉＨ２（Ｎ（ＣＨ３）２）２、ＳｉＨ３（Ｎ（ＣＨ３）２）のシラン、好ましくはトリスジメチルアミノシランを用いた原子層堆積によるケイ素含有薄膜の形成を開示している。第１反応体の第１の部分は基材上に化学吸着され、第２の部分が基材上に物理吸着される。反応体はパージされ、第２反応体、即ちＮＨ３が導入される。
特開平６−１３２２８４号公報 米国特許第５，２３４，８６９号明細書 米国特許第５，８７４，３６８号明細書 米国特許第６，１５３，２６１号明細書 米国特許第６，３９１，８０３号明細書
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｈａｎｄｂｏｏｋ，Ｇａｒｙ Ｅ．ＭｃＧｕｉｒｅ編，Ｎｏｙｅｓ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ，Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ（１９８８），ｐｐ２８９〜３０１ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ ＶＬＳＩ ＥＲＡ，Ｗｏｌｆ，Ｓｔａｎｌｅｙ及びＴａｌｂｅｒｔ，Ｒｉｃｈａｒｄ Ｎ．，Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒｅｓｓ，Ｓｕｎｓｅｔ Ｂｅａｃｈ，Ｃａｌｉｆ．（１９９０），ｐｐ２０〜２２，３２７〜３３０ Ａ．Ｋ．Ｈｏｃｈｂｅｒｇ及びＤ．Ｌ．Ｏ’ＭｅａｒａによるＤｉｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ ａｓ ａ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｓｏｕｒｃｅ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ａｎｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ Ｆｉｌｍｓ Ｂｙ ＬＰＣＶＤ，Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．，２０４巻（１９９１），ｐｐ５０９〜５１４ ＳｏｒｉｔａらによるＭａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｉｃ ａｎｄ Ｋｉｎｅｔｉｃ Ｓｔｕｄｙ ｏｆ Ｌｏｗ−Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉ３Ｎ４ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ Ｆｒｏｍ ＳｉＨ２Ｃｌ２ ａｎｄ ＮＨ３，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４１巻，Ｎｏ．１２（１９９４），ｐｐ３５０５〜３５１１ Ａｙｌｅｔｔ及びＥｍｓｌｅｙによるＴｈｅ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ａｎｄ Ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ Ｓｉｌａｎｅ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（Ａ），ｐ６５２〜６５５，１９６７ Ａｎｄｅｒｓｏｎ及びＲａｎｋｉｎによるＩｓｏｐｒｏｐｙｌｄｉｓｉｌｙｌａｍｉｎｏ ａｎｄ Ｄｉｓｉｌｙｌ−ｔ−ｂｕｔｙｌａｍｉｎｅ：Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ，Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，ａｎｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｎ ｔｈｅ Ｇａｓ Ｐｈａｓｅ，Ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ ｂｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓ．，ｐ７７９〜７８３，１９８９
ＣＶＤ法による一般式ＳｉｘＣｙＮｚの炭窒化ケイ素膜の生成を可能にする液体アミノシランのクラスが見出された。これらのアミノシランは、これまで用いられている幾つかの前駆体とは対照的に、室温及び室圧において液体であり、好都合な取扱いを可能にする。加えて、本発明は、このような膜を生成させるための堆積方法に関する。
これらのクラスの化合物は、一般に以下の式及びそれらの混合物によって表される：
Figure 2011040741
 （式中、
Ｒは、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、又は式Ｃにおいてシリルから選択され、
Ｒ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ２〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、
式ＡにおいてＲとＲ１を結合して環状基（ＣＨ２）ｎ（式中、ｎは１〜６、好ましくは４及び５である）にすることも可能であり、かつ
Ｒ２は、単結合、（ＣＨ２）ｎ鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２を表す）。
好ましい化合物は、ＲとＲ１の両方が少なくとも２個の炭素原子を有するようなものである。
ＣＶＤ法において用いられる前駆体は、数多くの利点を達成することができ、これらの利点としては、下記の点が挙げられる：
プラズマ堆積の問題を招くことなく、低い熱条件において誘電膜の形成を促進できること；
Ｓｉ−Ｃ結合のＳｉ−Ｎ結合に対する比を制御すること、及びそれにより得られる膜の特性を制御することを可能にするために、種々の化学量論量において、アミノシランを、他の前駆体、例えばアンモニアと混合できること；
高い屈折率及び膜応力を有する膜を生成できること；
低い酸エッチ速度を有する膜を生成できること；
高密度の膜を生成できること；
塩素汚染を避けながら、膜を生成できること；
製造可能なバッチ炉（１００個以上のウェハ）において、低い圧力（２０ｍＴｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒ）で操作できること；並びに
低温、例えば５５０℃以下の低い温度で、ＳｉｘＣｙＮｚ膜を生成できること。
堆積プロセスにおけるＮＨ３対前駆体のモル比の関数として、ジエチルアミノシラン及びビス（三級ブチルアミノ）シランの堆積によって形成された膜に関する応力値のプロットである。 堆積プロセスにおける温度の関数として、ジエチルアミノシラン及びビス（三級ブチルアミノ）シランの堆積によって形成された膜の硬さの、標準のＳｉＯ２に対するプロットである。 ジエチルアミノシラン（無希釈）、ＮＨ３を伴うジエチルアミノシラン、及びビス（三級ブチルアミノ）シランの堆積によって生成された膜の赤外スペクトルイオンのプロットである。
分子構造における重要な特徴としてＮ−ＳｉＨ３基を有する液体オルガノアミノシランのクラスが、エレクトロニクス産業においてＣＶＤにより炭窒化ケイ素膜を生成するための前駆体として好適であることが見出された。これらの化合物は、種々の条件下におけるＳｉｘＣｙＮｚ膜の生成に役立つ。
本発明の化合物は、大気圧、及び室温、即ち２５℃において液体であり、したがってトリメチル置換のアミノシランについて報告されている使用よりも有意な利点を提供する。これらの化合物は、アミノ基の鎖中に少なくとも２個の炭素原子を有する有機基で置換されており、従来の取扱い及び処理条件下において安定性を提供する。
アミノシランの１つのクラスは、以下のように式Ａによって表される。
Figure 2011040741
このクラスの化合物において、Ｒは、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環から選択される。Ｒ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和Ｃ２〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、ＲとＲ１を結合して環状基にすることも可能である。代表的な置換基は、アルキル基、特にはＣ２〜Ｃ４アルキル基、例えばエチル、プロピル及びブチル（それらの異性体を含む）、並びに環状基、例えばシクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルである。
このクラスに含まれる幾つかの好ましい化合物の例示的なものは、以下の式によって表される（ｎは１〜６、好ましくは４又は５である）：
Figure 2011040741
アミノシランの第２のクラスは、式Ｂによって表されるように、１つの窒素原子からぶら下がった２個のシリル基を有する：
Figure 2011040741
クラスＡの化合物のＲ基の場合と同様に、Ｒは、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和Ｃ２〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環から選択される。特定のＲ基は、メチル、エチル、プロピル、アリル及びブチル、並びに環状基、例えばシクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルを含む。
例示的な化合物は、以下の式によって表される：
Figure 2011040741
アミノシラン化合物の第３のクラスは、式Ｃによって表される。これらの化合物は、一般にジアミノジシリル化合物であり、ここでは、Ｒが、式ＡにおけるＲ及びＲ１と同じであり、Ｒ２基が、窒素原子を架橋している。Ｒ２基は、窒素原子間の単結合にすぎない場合があり、又は架橋基、例えばＳｉＲ２、ＳｉＨ２、鎖又は環であることができる。式は以下のとおりである。
Figure 2011040741
特定の例は、以下の式によって表されるものを含む：
Figure 2011040741
これらの化合物は、一般に以下の反応によって合成され、これらの反応はまた、例１、２、３及び４によって示される。
Figure 2011040741
上記の一連の反応は、記載されるアミノシランへの経路を示すものであるが、シラン前駆体の他の供給源を使用することもできる。この経路は、反応化学量論及び種々のアミンの使用によってモノ及びジシリル化合物が生成されるか否かについて、むしろ簡単な制御を可能にする。
これらの化合物の幾つかは、Ｔｈｅ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ａｎｄ Ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ Ｓｉｌａｎｅ［Ａｙｌｅｔｔ及びＥｍｓｌｅｙ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（Ａ），ｐ６５２〜６５５，１９６７］において記載されているように、モノハロシランと対応するアミンの反応によって合成することもできる。
Figure 2011040741
この反応に十分適した代表的なアミンは、アルキル、環状及び複素環のものである。好ましいアミンは、低級アルキルアミン、例えばエチル、イソプロピル、ｔ−ブチル及びシクロヘキシルである。さらには、アミンは、所望の生成物に応じて、第１級又は第２級であることができる。
炭窒化ケイ素膜の形成においては、モノ又はジアミノシランは、任意選択でアンモニア又は窒素源とともに、堆積チャンバーにおいて通常の堆積温度で反応させることができる。このような膜は、化学気相成長（ＣＶＤ）、低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）などのために設計された堆積チャンバーにおいて形成することができる。本明細書で用いられるＣＶＤという用語は、半導体の堆積において用いられるこれらプロセスのそれぞれを包含するものである。
利点において記載したように、本明細書に記載される液体アミノシランにより、多くの場合において、製造業者が比較的低温でＣＶＤによって炭窒化ケイ素膜を形成できるようになる。ただし、一般的な温度範囲は５００〜７００℃である。意外にも、ＳｉｘＣｙＮｚ膜の堆積は、おそらくは１つ又は複数のＳｉＨ３基の高い活性によって、に達成することができる。ケイ素中心におけるアンモニアアミノ基転移反応に関する低い立体障害により、比較的低温でこれらの化合物がアンモニアと反応し、かつ窒素濃度が増加した膜を堆積させることが可能になると考えられる。
アミノシラン前駆体の堆積は、活性窒素源、例えばヒドラジン、ジメチルヒドラジン又はアンモニアの存在下又は不存在下において実施することができる。窒素源：アミノシランのモル比は、一般に広く、０：１〜１０超：１の範囲内にある。上限は、前駆体に対する希釈効果によって制限され、この希釈効果は、堆積速度を相当に減少させる。好ましい範囲は０．１：１〜４：１である。堆積による膜の形成はまた、不活性ガス、例えば窒素及びヘリウムを含む他のガスの有無に関係なく、実施することができる。前駆体の対応する希釈を達成するための製造業者によるガスの使用は、堆積の一致性を改善すること、又は化学気相浸透に関する浸透を改善することができる。
低圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）は、種々の基材、例えばシリコン上で２０ｍＴｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒの圧力範囲内で起こる化学反応を伴う。高圧のＣＶＤでは、所望の基材に達する前に、気相核形成又は予備堆積が生じる場合がある。アミノシラン前駆体の希釈が、このような高圧反応のために必要とされる場合がある。幾つかのアミノシラン前駆体に関する低圧堆積は、商業的には利用できないレベルの堆積速度を示す場合がある。しかしながら、このようなアミノシランは、原子層堆積に適している場合がある。
堆積プロセスの実施においては、本明細書に記載されるアミノシランは、他のシリル前駆体と混合して、膜の特性を変更することができる。他の前駆体の例は、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン、トリス−イソ−プロピルアミノシラン、ビス−ジエチルアミノシラン、トリス−ジメチルアミノシラン、及びビス−イソ−プロピルアミノシランを含む。
以下の例は、種々のシランの合成及び炭窒化ケイ素膜形成用前駆体のＬＰＣＶＤを含む本発明の種々の実施態様を説明するものである。
［例１］
［ジエチルアミノシランの合成］
トリフルオロメタンスルホン酸５０ｇ（０．３３ｍｏｌ）とトルエン１００ｍｌを、２５０ｍｌのフラスコに添加した。窒素の保護下でフラスコを−４０℃に冷却した。トリルシラン４０．６ｇ（０．３３ｍｏｌ）をゆっくりと添加した。次いで、フラスコを−６０℃に冷却した。トリエチルアミン３３．５ｇをゆっくりと添加し、次いでジエチルアミン２４ｇを添加した。添加後、フラスコの温度を室温まで徐々に温めた。２つの液層が形成された。分液漏斗を用いて上層を分離した。減圧蒸留により、ジエチルアミノシラン２５ｇを得た。ジエチルアミノシランの沸点は、２１０ｍｍＨｇにおいて４０〜４２℃であった。
［例２］
［ジ−イソ−プロピルアミノシランの合成］
トリフルオロメタンスルホン酸５０ｇ（０．３３ｍｏｌ）とペンタン８０ｍｌを、２５０ｍｌのフラスコに添加した。窒素の保護下でフラスコを−４０℃に冷却した。フェニルシラン３５．６ｇ（０．３３ｍｏｌ）をゆっくりと添加した。次いで、フラスコを−６０℃に冷却した。トリエチルアミン３３．３ｇ（０．３３ｍｏｌ）をゆっくりと添加し、次いでペンタン１５ｍｌ中ジ−イソ−プロピルアミン３３．３ｇ（０．３３ｍｏｌ）の溶液を添加した。添加後、フラスコの温度を室温まで徐々に温めた。２つの液層が形成された。分液漏斗を用いて上層を分離した。蒸留により、溶媒と副生成物のベンゼンを除去した。減圧蒸留によりジ−イソ−プロピルアミノシラン３０ｇを得た。ジ−イソ−プロピルアミノシランの沸点は、１０６ｍｍＨｇにおいて５５℃であった。
［例３］
［シクロヘキシルジシリルアミン及び２，４−ジシクロヘキシル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタンの合成］
トリフルオロメタンスルホン酸６２．５ｇとペンタン１００ｍｌを、５００ｍｌのフラスコに添加した。窒素の保護下でフラスコを−４０℃に冷却した。フェニルシラン４５ｇをゆっくりと添加した。次いで、フラスコを−６０℃に冷却した。トリエチルアミン４２ｇをゆっくりと添加し、次いでペンタン１５ｍｌ中のシクロヘキシルアミン２０．６ｇの溶液を添加した。添加後、フラスコの温度を室温まで徐々に温めた。２つの液層が形成された。分液漏斗を用いて上層を分離した。蒸留により溶媒と副生成物のベンゼンを除去した。減圧蒸留により、シクロヘキシルジシリルアミン１５ｇを得た。シクロヘキシルジシリルアミンの沸点は、１７ｍｍＨｇにおいて５４〜５５℃であった。残りの高沸点部分は、９６．６％の２，４−ジシクロヘキシル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタンを含有している。
［例４］
［シクロヘキシルジシリルアミン及び２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタンの合成］
トリフルオロメタンスルホン酸５０．０ｇ（０．３３ｍｏｌ）とペンタン１００ｍｌを、５００ｍｌのフラスコに添加した。窒素の保護下でフラスコを−４０℃に冷却した。フェニルシラン３５．６ｇ（０．３３ｍｏｌ）をゆっくりと添加した。次いで、フラスコを−６０℃に冷却した。トリエチルアミン３３．３ｇをゆっくりと添加し、次いでペンタン１５ｍｌ中ビス−ｔ−ブチルアミノシラン２８．７ｇ（０．１６５ｍｏｌ）の溶液を添加した。添加後、フラスコの温度を室温まで徐々に温めた。２つの液層が形成された。分液漏斗を用いて上層を分離した。蒸留により、溶媒と副生成物のベンゼンを除去した。減圧蒸留により、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタン２１ｇを得た。
［例５］
［ジエチルアミノシラン前駆体を用いた炭窒化ケイ素膜の形成］
［一般的手順］
炭窒化ケイ素堆積物のための実験用前駆体を資格認定するのに用いられるＬＰＣＶＤ反応器においてアミノシラン前駆体を試験する。前駆体を脱ガスし、必要に応じて低圧マスフローコントローラ（ＭＦＣ）を通じて反応器に計量供給する。化学物質の質量損失対流れ時間に対してＭＦＣ流量を較正する。明記されている場合には、アンモニアなどの追加の反応体、並びに窒素及びヘリウムなどの希釈剤も同様に、必要に応じて、較正されたＭＦＣを通じて反応器に計量供給する。反応器を１０−４Ｔｏｒｒ（０．０１３Ｐａ）未満に排気することができるルーツブロワー／ドライポンプの組み合わせに連結する。堆積中においては、シリコンウェハの装填物を横切る温度は設定点の１℃以内にする。
シリコンウェハを石英ボート上に装填して反応器に挿入する。反応器をポンプにより基準圧にして漏れをチェックする。系をガス流によってプロセス温度まで上げる。このガス流は、反応器が温まった時にシリコンウェハが酸化するのを防ぐために残留する酸素又は水分を希釈する。次いで、反応器を所定の時間安定化させ、すべてのウェハ表面を（付属の熱電対を用いてウェハに関する先の測定により決定されたのと）等しい温度にする。
ガス及び蒸気を制御された圧力で所定の堆積時間にわたって反応器に注入する。次に、ガスを遮断し、反応器をポンプで基準圧にする。次いで、反応器が冷却された時に反応性のガス又は蒸気を除去するため、反応器をポンプでパージし、ポンプを弱めそしてポンプでパージする。反応器を大気圧に戻し、ウェハを取り出して室温に冷却する。次いで、堆積膜を、膜厚、膜の屈折率、膜応力（図１）、赤外線吸光度（図３に示される）、誘電率及び酸エッチ速度（表１）について測定する。
堆積膜を形成する際、ジエチルアミノシラン（ＤＥＡＳ）１０ｓｃｃｍを、ＮＨ３２０ｓｃｃｍ及びＮ２２０ｓｃｃｍとともに、１．３Ｔｏｒｒ（１７３．３Ｐａ）で以って６０分の堆積時間にわたり５７０℃で反応器に流した。
平均の膜厚は６９ｎｍであり、屈折率は２．０４５であった。膜応力は、１．０７×１０１０ダイン／ｃｍ２（１．０７ＧＰａ）であることが測定された。
赤外スペクトルはＳｉ−Ｃ及びＳｉ−Ｎの吸収が顕著であった。Ｃ−Ｈ又はＣ−Ｎの吸収はノイズ中にあり、図３に示されるように、膜の組成は主として所望のＳｉｘＣｙＮｚの形態であることを示した。
［例６］
［ＮＨ３なしでＮ２を用いたジエチルアミノシラン前駆体による炭窒化ケイ素膜の形成］
プロセス条件を除いて例４の手順に従った。ＮＨ３の代わりに窒素を用いた。本例においては、ジエチルアミノシラン（ＤＥＡＳ）１０ｓｃｃｍを、Ｎ２４０ｓｃｃｍとともに、１．０Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）で以って、４０分の堆積時間にわたり６００℃で、反応器に流した。
平均の膜厚は４２ｎｍであり、屈折率は２．２８８であった。膜応力は、１．３４×１０１０ダイン／ｃｍ２であることが測定された。これらの膜は、アンモニアを用いて得られたものと比較して、非常に高い応力及び低いエッチ速度を有する（エッチ速度については表１を参照）。このような膜の一致性は、分離構造体に関して１００％であるとわかった。
［例７］
［ＮＨ３なしでＮ２を用いたジイソプロピルアミノシラン前駆体による炭窒化ケイ素膜の形成］
前駆体を除いて例５の手順に従った。ジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）１０ｓｃｃｍを、Ｈｅ２０ｓｃｃｍ及びＮ２２０ｓｃｃｍとともに、１．０Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）で以って、７０分の堆積時間にわたり５７０℃で反応器に流した。
平均の膜厚は４６ｎｍであり、屈折率は２．０５６であった。膜応力は、１．０７×１０１０ダイン／ｃｍ２であることが測定された。驚くべきことに、ジイソプロピルアミノシランに関する屈折率及び応力は、例６の前駆体と同様であった。これらの結果は、このクラスの物質内で優れた応力値が達成され得ることを示している。
［例８］
［ＮＨ３なしでＮ２を用いた対照標準としてのビス（三級ブチルアミノ）シラン前駆体による炭窒化ケイ素膜の形成］
前駆体を除いて例５の手順に従い、それを対照標準として用いた。ＢＴＢＡＳは生成プロセスにおいて世界中で用いられている前駆体であり、性能特性が十分に一般に認められているので、代表的な比較用アミノシランとして選択した。
ビス（三級ブチルアミノシラン）（ＢＴＢＡＳ）１０ｓｃｃｍを、Ｈｅ２０ｓｃｃｍ及びＮ２２０ｓｃｃｍとともに、１．０Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）で以って７０分の堆積時間にわたり、５７０℃で反応器に流した。これらの膜は、モノ−アミノシランと比較して、わずか２０％の応力と１０％未満のエッチ抵抗性とを有する（表１を参照）。
ビス（三級ブチルアミノシラン）とジエチルアミノシランに関する応力データを用いて図１を作成した。それはＦＳＭシステムを用いた応力測定の結果を示している。ジエチルアミノシランに関する結果は予想外であった。即ち、適度なＮＨ３：ＤＥＡＳ比で高い応力を維持していることを含め、低ＮＨ３：ＤＥＡＳ比での高い応力を達成した。
ビス（三級ブチルアミノ）シラン及びジクロロシランなどの前駆体では、アンモニアのこの前駆体に対する比が減少するにつれ、生成される膜の応力が低下する。低ＮＨ３：ＢＴＢＡＳ比では、応力の結果は十分でない。これらの前駆体についてアンモニアを低減すると、ケイ素リッチな膜が生成し、これはシリコン基材に関してこれらの膜の熱膨張係数を低下させる。理論によって縛られることを意図するものではないが、堆積プロセスにおいてＤＥＡＳに対するアンモニアの比を低減させると、Ｎに対するＳｉの原子比が増加し、それによってＳｉに対するＣの原子比が増加する。明らかに、その場合には、Ｓｉ−Ｃ結合によるＳｉ−Ｎ結合の置換が幾つかあり、これらの結合により、同様の応力を有する膜が生成することになる。
この例の第２の構成要素は膜硬さの測定であった。Ｈｙｓｉｔｒｏｎシステムを用いた押込みによってそれを測定した。図２は堆積膜の硬さを示すプロットである。ジエチルアミノシランが前駆体として用いられた場合、ＢＴＢＡＳ堆積及び熱成長二酸化ケイ素と比較して、より硬い膜が得られた。より硬い膜は、化学機械研磨（ＣＭＰ）操作において下地の層及びそれ自体を一層保護する。この性質もまた驚くべきことであった。
［例９］
［窒化ケイ素及び炭窒化ケイ素膜のエッチ抵抗性］
本例においては、種々の窒化ケイ素及び炭窒化ケイ素膜のエッチング結果が、表１に示される。表１は、１％の（４９％）ＨＦにおける幾つかの前駆体からの膜のエッチング結果を示している。エッチ速度は、同時にエッチングされた熱成長二酸化ケイ素のエッチ速度に対して与えられている。膜のエッチ速度が低いほど、望ましくない二酸化ケイ素を除去するときに、幾何学的形状を維持し及び下地の層を保護するのに良好である。
Figure 2011040741
上記の表１から、ＤＥＡＳは、０：１〜２：１のＮＨ３：前駆体比において、優れた低エッチ速度を有することが示される。一方で、０：１のＮＨ３：ＢＴＢＡＳ比でさえ、２：１のＮＨ３：ＤＥＡＳよりも高いエッチ速度を得た。優れた低エッチ速度が低ＮＨ３：ＢＴＢＡＳ比において示されるが、ＢＴＢＡＳの応力レベルが、低ＮＨ３：ＢＴＢＡＳレベルでは十分でないことが思い起こされる。
要約すると、式ＳｉｘＣｙＮｚの炭窒化ケイ素誘電膜は、ＣＶＤ及び他の堆積プロセスにより、記載されるクラスのアミノシランから生成することができる。ＳｉＨ３基の高い活性は、５５０℃程度の低い温度においてＳｉｘＣｙＮｚ膜堆積物の生成を可能にするのに対し、ＳｉｘＣｙＮｚ膜を形成するための前駆体の多くが十分には機能しないと考えられる。
また、ケイ素中心におけるアンモニアアミノ基転移反応に関する低い立体障害により、比較的低温で、これらの化合物がアンモニアと反応し、かつ窒素濃度が増加した膜を形成することが可能になると考えられる。エチル、イソプロピル、ブチルなどの配位子は、それらがβ−水素化物の脱離により揮発性副生成物になるので、優れた脱離基として作用する。後に残された炭素は、ケイ素と結合する。対照的に、これまでに報告されたメチル基を有するアミノシラン前駆体は、この解離経路を有していない。それらは窒素と結合したままであり、成長する膜中に組み込まれ、捕捉され得る。このような捕捉されたメチル基の存在は、赤外スペクトルにおいて容易に見分けられる（図３を参照）。しかしながら、ここで、図３においてＣ−Ｈピークが存在しないことは、膜中に捕捉された炭化水素が非常に低いレベルにすぎないかもしれないということを示している。
Figure 2011040741
 （式中、
Ｒは、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、又は式Ｃにおいてシリルから選択され、
Ｒ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ２〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、
式ＡにおいてＲとＲ１を結合して環状基（ＣＨ２）ｎ（式中、ｎは２〜６、好ましくは４及び５である）にすることも可能であり、かつ
Ｒ２は、単結合、（ＣＨ２） ｍ 鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２を表す）。
このクラスに含まれる幾つかの好ましい化合物の例示的なものは、以下の式によって表される（ｎは２〜６、好ましくは４又は５である）：
Figure 2011040741
半導体デバイスの製作においては、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又は炭窒化ケイ素（ＳｉｘＣｙＮｚ）のような化学的に不活性な誘電材料の薄い不動態層が必須である。窒化ケイ素の薄層は、拡散マスク、酸化バリアー、トレンチアイソレーション、高絶縁破壊電圧を備えた金属間誘電材料及びパッシベーション層として機能する。半導体デバイスの製作における窒化ケイ素被膜について数多くの応用が他で報告されており、非特許文献１及び２が参照される。
最近の半導体デバイスの多くは、非常に低いエッチ速度若しくは非常に高い膜応力、又はその両方を有する誘電膜を必要とする。さらには、良好な電気特性を維持しながら、６００℃未満の温度で膜が形成されることが好ましく必要な場合がある。膜の硬さは電気部品の設計の際に考慮すべき別の因子であり、窒化ケイ素膜は実に極めて硬い膜を提供する。
窒化ケイ素被膜を形成するための商業的な方法の１つは、前駆体反応体としてジクロロシランとアンモニアを用いる。ジクロロシラン及びアンモニアのような前駆体を使用する低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）は、最良の膜特性を獲得するために高い堆積温度を必要とする。例えば、７５０℃よりも高い温度が、適度な成長速度と均一性を得るために必要とされる場合がある。他の処理の問題は、塩素及び塩素副生成物の危険な側面を包含している。
以下の論文及び特許は、エレクトロニクス産業において用いられるオルガノシランの合成及び堆積プロセスに関して当技術分野の代表的なものとして引用される。
非特許文献３は、ＬＰＣＶＤによるジエチルシランとアンモニア及び一酸化窒素と用いた窒化ケイ素及びオキシ窒化ケイ素の形成を開示している。堆積は、６５０℃〜７００℃の温度範囲において実施される。より低い温度では堆積速度が４Å／分未満に低下するので、堆積は一般に６５０℃の温度に制限される。
非特許文献４は、ＬＰＣＶＤ法によるジクロロシランとアンモニアを用いた窒化ケイ素の堆積を記載している。塩化アンモニウムの形成は、チューブの後端、並びに配管ライン及びポンピングシステムにおける塩化アンモニウムの粒子形成及び堆積を招く。
非特許文献５は、ヨードシランと各ジアルキルアミンの反応によるジメチルアミノ及びジエチルアミノシランの調製を開示している。
非特許文献６は、式ＮＲ（ＳｉＨ３）２のジシリルアミン、例えばイソプロピルジシリルアミン及びジシリル−ｔ−ブチルアミンの合成を開示しており、対応するメチルジシリルアミンとの分光学的な比較を与えている。
特許文献１は、アンモニア又は窒素の存在下でのプラズマ化学気相成長又は熱化学気相成長による、一般式（Ｒ１Ｒ２Ｎ）ｎＳｉＨ４−ｎ（式中、Ｒ１及びＲ２はＨ−、ＣＨ３−、Ｃ２Ｈ５−、Ｃ３Ｈ７−、Ｃ４Ｈ９−のいずれか）のオルガノシランを用いた窒化ケイ素膜の形成を記載している。
特許文献２は、反応体ガスとしてＳｉ（Ｎ（ＣＨ３）２）４とアンモニアを用いたＣＶＤによる窒化ケイ素膜の形成を開示している。７００℃のチャンバー温度と０．５Ｔｏｒｒの圧力を、堆積のために用いている。アンモニア又は窒素と組み合わせたＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３、ＳｉＨ２（Ｎ（ＣＨ３）２）２及びＳｉＨ３（Ｎ（ＣＨ３）２）からなる群より選択された他の反応体も反応体として提案されている。ガスに紫外線ビームを照射することで生成するプラズマにより、温度を３００℃に低下させることも開示されている。
特許文献３は、前駆体としてビス（三級ブチルアミノ）シランを使用して、５００℃〜８００℃の温度範囲で低圧化学気相成長により窒化ケイ素を堆積させることを教示している。
特許文献３及び４は、ケイ素反応体ガスとしてビス（三級ブチルアミノ）シランを用いた窒化ケイ素膜の形成を開示している。ここでは、膜を生成するのにＬＰＣＶＤを用いている。
特許文献５は、第１反応体として式Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ３）２）４、ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３、ＳｉＨ２（Ｎ（ＣＨ３）２）２、ＳｉＨ３（Ｎ（ＣＨ３）２）のシラン、好ましくはトリスジメチルアミノシランを用いた原子層堆積によるケイ素含有薄膜の形成を開示している。第１反応体の第１の部分は基材上に化学吸着され、第２の部分が基材上に物理吸着される。反応体はパージされ、第２反応体、即ちＮＨ３が導入される。
特開平６−１３２２８４号公報 米国特許第５，２３４，８６９号明細書 米国特許第５，８７４，３６８号明細書 米国特許第６，１５３，２６１号明細書 米国特許第６，３９１，８０３号明細書
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｈａｎｄｂｏｏｋ，Ｇａｒｙ Ｅ．ＭｃＧｕｉｒｅ編，Ｎｏｙｅｓ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ，Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ（１９８８），ｐｐ２８９〜３０１ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ ＶＬＳＩ ＥＲＡ，Ｗｏｌｆ，Ｓｔａｎｌｅｙ及びＴａｌｂｅｒｔ，Ｒｉｃｈａｒｄ Ｎ．，Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒｅｓｓ，Ｓｕｎｓｅｔ Ｂｅａｃｈ，Ｃａｌｉｆ．（１９９０），ｐｐ２０〜２２，３２７〜３３０ Ａ．Ｋ．Ｈｏｃｈｂｅｒｇ及びＤ．Ｌ．Ｏ’ＭｅａｒａによるＤｉｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ ａｓ ａ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｓｏｕｒｃｅ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ａｎｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ Ｆｉｌｍｓ Ｂｙ ＬＰＣＶＤ，Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．，２０４巻（１９９１），ｐｐ５０９〜５１４ ＳｏｒｉｔａらによるＭａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｉｃ ａｎｄ Ｋｉｎｅｔｉｃ Ｓｔｕｄｙ ｏｆ Ｌｏｗ−Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉ３Ｎ４ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ Ｆｒｏｍ ＳｉＨ２Ｃｌ２ ａｎｄ ＮＨ３，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４１巻，Ｎｏ．１２（１９９４），ｐｐ３５０５〜３５１１ Ａｙｌｅｔｔ及びＥｍｓｌｅｙによるＴｈｅ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ａｎｄ Ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ Ｓｉｌａｎｅ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（Ａ），ｐ６５２〜６５５，１９６７ Ａｎｄｅｒｓｏｎ及びＲａｎｋｉｎによるＩｓｏｐｒｏｐｙｌｄｉｓｉｌｙｌａｍｉｎｏ ａｎｄ Ｄｉｓｉｌｙｌ−ｔ−ｂｕｔｙｌａｍｉｎｅ：Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ，Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，ａｎｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｎ ｔｈｅ Ｇａｓ Ｐｈａｓｅ，Ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ ｂｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓ．，ｐ７７９〜７８３，１９８９
ＣＶＤ法による一般式ＳｉｘＣｙＮｚの炭窒化ケイ素膜の生成を可能にする液体アミノシランのクラスが見出された。これらのアミノシランは、これまで用いられている幾つかの前駆体とは対照的に、室温及び室圧において液体であり、好都合な取扱いを可能にする。加えて、本発明は、このような膜を生成させるための堆積方法に関する。
これらのクラスの化合物は、一般に以下の式及びそれらの混合物によって表される：
Figure 2011040741
 （式中、
Ｒは、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、又は式Ｃにおいてシリルから選択され、
Ｒ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ２〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、
式ＡにおいてＲとＲ１を結合して環状基（ＣＨ２）ｎ（式中、ｎは２〜６、好ましくは４及び５である）にすることも可能であり、かつ
Ｒ２は、単結合、（ＣＨ２） ｍ 鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２を表す）。
好ましい化合物は、ＲとＲ１の両方が少なくとも２個の炭素原子を有するようなものである。
ＣＶＤ法において用いられる前駆体は、数多くの利点を達成することができ、これらの利点としては、下記の点が挙げられる：
プラズマ堆積の問題を招くことなく、低い熱条件において誘電膜の形成を促進できること；
Ｓｉ−Ｃ結合のＳｉ−Ｎ結合に対する比を制御すること、及びそれにより得られる膜の特性を制御することを可能にするために、種々の化学量論量において、アミノシランを、他の前駆体、例えばアンモニアと混合できること；
高い屈折率及び膜応力を有する膜を生成できること；
低い酸エッチ速度を有する膜を生成できること；
高密度の膜を生成できること；
塩素汚染を避けながら、膜を生成できること；
製造可能なバッチ炉（１００個以上のウェハ）において、低い圧力（２０ｍＴｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒ）で操作できること；並びに
低温、例えば５５０℃以下の低い温度で、ＳｉｘＣｙＮｚ膜を生成できること。
堆積プロセスにおけるＮＨ３対前駆体のモル比の関数として、ジエチルアミノシラン及びビス（三級ブチルアミノ）シランの堆積によって形成された膜に関する応力値のプロットである。 堆積プロセスにおける温度の関数として、ジエチルアミノシラン及びビス（三級ブチルアミノ）シランの堆積によって形成された膜の硬さの、標準のＳｉＯ２に対するプロットである。 ジエチルアミノシラン（無希釈）、ＮＨ３を伴うジエチルアミノシラン、及びビス（三級ブチルアミノ）シランの堆積によって生成された膜の赤外スペクトルイオンのプロットである。
分子構造における重要な特徴としてＮ−ＳｉＨ３基を有する液体オルガノアミノシランのクラスが、エレクトロニクス産業においてＣＶＤにより炭窒化ケイ素膜を生成するための前駆体として好適であることが見出された。これらの化合物は、種々の条件下におけるＳｉｘＣｙＮｚ膜の生成に役立つ。
本発明の化合物は、大気圧、及び室温、即ち２５℃において液体であり、したがってトリメチル置換のアミノシランについて報告されている使用よりも有意な利点を提供する。これらの化合物は、アミノ基の鎖中に少なくとも２個の炭素原子を有する有機基で置換されており、従来の取扱い及び処理条件下において安定性を提供する。
アミノシランの１つのクラスは、以下のように式Ａによって表される。
Figure 2011040741
このクラスの化合物において、Ｒは、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環から選択される。Ｒ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和Ｃ２〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、ＲとＲ１を結合して環状基にすることも可能である。代表的な置換基は、アルキル基、特にはＣ２〜Ｃ４アルキル基、例えばエチル、プロピル及びブチル（それらの異性体を含む）、並びに環状基、例えばシクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルである。
このクラスに含まれる幾つかの好ましい化合物の例示的なものは、以下の式によって表される（ｎは２〜６、好ましくは４又は５である）：
Figure 2011040741
アミノシランの第２のクラスは、式Ｂによって表されるように、１つの窒素原子からぶら下がった２個のシリル基を有する：
Figure 2011040741
クラスＡの化合物のＲ基の場合と同様に、Ｒは、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和Ｃ２〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環から選択される。特定のＲ基は、メチル、エチル、プロピル、アリル及びブチル、並びに環状基、例えばシクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルを含む。
例示的な化合物は、以下の式によって表される：
Figure 2011040741
アミノシラン化合物の第３のクラスは、式Ｃによって表される。これらの化合物は、一般にジアミノジシリル化合物であり、ここでは、Ｒが、式ＡにおけるＲ及びＲ１と同じであり、Ｒ２基が、窒素原子を架橋している。Ｒ２基は、窒素原子間の単結合にすぎない場合があり、又は架橋基、例えばＳｉＲ２、ＳｉＨ２、鎖又は環であることができる。式は以下のとおりである。
Figure 2011040741
特定の例は、以下の式によって表されるものを含む：
Figure 2011040741
これらの化合物は、一般に以下の反応によって合成され、これらの反応はまた、例１、２、３及び４によって示される。
Figure 2011040741
上記の一連の反応は、記載されるアミノシランへの経路を示すものであるが、シラン前駆体の他の供給源を使用することもできる。この経路は、反応化学量論及び種々のアミンの使用によってモノ及びジシリル化合物が生成されるか否かについて、むしろ簡単な制御を可能にする。
これらの化合物の幾つかは、Ｔｈｅ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ａｎｄ Ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ Ｓｉｌａｎｅ［Ａｙｌｅｔｔ及びＥｍｓｌｅｙ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（Ａ），ｐ６５２〜６５５，１９６７］において記載されているように、モノハロシランと対応するアミンの反応によって合成することもできる。
Figure 2011040741
この反応に十分適した代表的なアミンは、アルキル、環状及び複素環のものである。好ましいアミンは、低級アルキルアミン、例えばエチル、イソプロピル、ｔ−ブチル及びシクロヘキシルである。さらには、アミンは、所望の生成物に応じて、第１級又は第２級であることができる。
炭窒化ケイ素膜の形成においては、モノ又はジアミノシランは、任意選択でアンモニア又は窒素源とともに、堆積チャンバーにおいて通常の堆積温度で反応させることができる。このような膜は、化学気相成長（ＣＶＤ）、例えば低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）などのために設計された堆積チャンバーにおいて形成することができる。本明細書で用いられる化学気相成長（ＣＶＤ）という用語は、半導体の堆積において用いられるこれらプロセスのそれぞれを包含するものである。
利点において記載したように、本明細書に記載される液体アミノシランにより、多くの場合において、製造業者が比較的低温でＣＶＤによって炭窒化ケイ素膜を形成できるようになる。ただし、一般的な温度範囲は５００〜７００℃である。意外にも、ＳｉｘＣｙＮｚ膜の堆積は、おそらくは１つ又は複数のＳｉＨ３基の高い活性によって、に達成することができる。ケイ素中心におけるアンモニアアミノ基転移反応に関する低い立体障害により、比較的低温でこれらの化合物がアンモニアと反応し、かつ窒素濃度が増加した膜を堆積させることが可能になると考えられる。
アミノシラン前駆体の堆積は、活性窒素源、例えばヒドラジン、ジメチルヒドラジン又はアンモニアの存在下又は不存在下において実施することができる。窒素源：アミノシランのモル比は、一般に広く、０：１〜１０超：１の範囲内にある。上限は、前駆体に対する希釈効果によって制限され、この希釈効果は、堆積速度を相当に減少させる。好ましい範囲は０．１：１〜４：１である。堆積による膜の形成はまた、不活性ガス、例えば窒素及びヘリウムを含む他のガスの有無に関係なく、実施することができる。前駆体の対応する希釈を達成するための製造業者によるガスの使用は、堆積の一致性を改善すること、又は化学気相浸透に関する浸透を改善することができる。
低圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）は、種々の基材、例えばシリコン上で２０ｍＴｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒの圧力範囲内で起こる化学反応を伴う。高圧のＣＶＤでは、所望の基材に達する前に、気相核形成又は予備堆積が生じる場合がある。アミノシラン前駆体の希釈が、このような高圧反応のために必要とされる場合がある。幾つかのアミノシラン前駆体に関する低圧堆積は、商業的には利用できないレベルの堆積速度を示す場合がある。しかしながら、このようなアミノシランは、原子層堆積に適している場合がある。
堆積プロセスの実施においては、本明細書に記載されるアミノシランは、他のシリル前駆体と混合して、膜の特性を変更することができる。他の前駆体の例は、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン、トリス−イソ−プロピルアミノシラン、ビス−ジエチルアミノシラン、トリス−ジメチルアミノシラン、及びビス−イソ−プロピルアミノシランを含む。
以下の例は、種々のシランの合成及び炭窒化ケイ素膜形成用前駆体のＬＰＣＶＤを含む本発明の種々の実施態様を説明するものである。
［例１］
［ジエチルアミノシランの合成］
トリフルオロメタンスルホン酸５０ｇ（０．３３ｍｏｌ）とトルエン１００ｍｌを、２５０ｍｌのフラスコに添加した。窒素の保護下でフラスコを−４０℃に冷却した。トリルシラン４０．６ｇ（０．３３ｍｏｌ）をゆっくりと添加した。次いで、フラスコを−６０℃に冷却した。トリエチルアミン３３．５ｇをゆっくりと添加し、次いでジエチルアミン２４ｇを添加した。添加後、フラスコの温度を室温まで徐々に温めた。２つの液層が形成された。分液漏斗を用いて上層を分離した。減圧蒸留により、ジエチルアミノシラン２５ｇを得た。ジエチルアミノシランの沸点は、２１０ｍｍＨｇにおいて４０〜４２℃であった。
［例２］
［ジ−イソ−プロピルアミノシランの合成］
トリフルオロメタンスルホン酸５０ｇ（０．３３ｍｏｌ）とペンタン８０ｍｌを、２５０ｍｌのフラスコに添加した。窒素の保護下でフラスコを−４０℃に冷却した。フェニルシラン３５．６ｇ（０．３３ｍｏｌ）をゆっくりと添加した。次いで、フラスコを−６０℃に冷却した。トリエチルアミン３３．３ｇ（０．３３ｍｏｌ）をゆっくりと添加し、次いでペンタン１５ｍｌ中ジ−イソ−プロピルアミン３３．３ｇ（０．３３ｍｏｌ）の溶液を添加した。添加後、フラスコの温度を室温まで徐々に温めた。２つの液層が形成された。分液漏斗を用いて上層を分離した。蒸留により、溶媒と副生成物のベンゼンを除去した。減圧蒸留によりジ−イソ−プロピルアミノシラン３０ｇを得た。ジ−イソ−プロピルアミノシランの沸点は、１０６ｍｍＨｇにおいて５５℃であった。
［例３］
［シクロヘキシルジシリルアミン及び２，４−ジシクロヘキシル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタンの合成］
トリフルオロメタンスルホン酸６２．５ｇとペンタン１００ｍｌを、５００ｍｌのフラスコに添加した。窒素の保護下でフラスコを−４０℃に冷却した。フェニルシラン４５ｇをゆっくりと添加した。次いで、フラスコを−６０℃に冷却した。トリエチルアミン４２ｇをゆっくりと添加し、次いでペンタン１５ｍｌ中のシクロヘキシルアミン２０．６ｇの溶液を添加した。添加後、フラスコの温度を室温まで徐々に温めた。２つの液層が形成された。分液漏斗を用いて上層を分離した。蒸留により溶媒と副生成物のベンゼンを除去した。減圧蒸留により、シクロヘキシルジシリルアミン１５ｇを得た。シクロヘキシルジシリルアミンの沸点は、１７ｍｍＨｇにおいて５４〜５５℃であった。残りの高沸点部分は、９６．６％の２，４−ジシクロヘキシル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタンを含有している。
［例４］
［シクロヘキシルジシリルアミン及び２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタンの合成］
トリフルオロメタンスルホン酸５０．０ｇ（０．３３ｍｏｌ）とペンタン１００ｍｌを、５００ｍｌのフラスコに添加した。窒素の保護下でフラスコを−４０℃に冷却した。フェニルシラン３５．６ｇ（０．３３ｍｏｌ）をゆっくりと添加した。次いで、フラスコを−６０℃に冷却した。トリエチルアミン３３．３ｇをゆっくりと添加し、次いでペンタン１５ｍｌ中ビス−ｔ−ブチルアミノシラン２８．７ｇ（０．１６５ｍｏｌ）の溶液を添加した。添加後、フラスコの温度を室温まで徐々に温めた。２つの液層が形成された。分液漏斗を用いて上層を分離した。蒸留により、溶媒と副生成物のベンゼンを除去した。減圧蒸留により、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタン２１ｇを得た。
［例５］
［ジエチルアミノシラン前駆体を用いた炭窒化ケイ素膜の形成］
［一般的手順］
炭窒化ケイ素堆積物のための実験用前駆体を資格認定するのに用いられるＬＰＣＶＤ反応器においてアミノシラン前駆体を試験する。前駆体を脱ガスし、必要に応じて低圧マスフローコントローラ（ＭＦＣ）を通じて反応器に計量供給する。化学物質の質量損失対流れ時間に対してＭＦＣ流量を較正する。明記されている場合には、アンモニアなどの追加の反応体、並びに窒素及びヘリウムなどの希釈剤も同様に、必要に応じて、較正されたＭＦＣを通じて反応器に計量供給する。反応器を１０−４Ｔｏｒｒ（０．０１３Ｐａ）未満に排気することができるルーツブロワー／ドライポンプの組み合わせに連結する。堆積中においては、シリコンウェハの装填物を横切る温度は設定点の１℃以内にする。
シリコンウェハを石英ボート上に装填して反応器に挿入する。反応器をポンプにより基準圧にして漏れをチェックする。系をガス流によってプロセス温度まで上げる。このガス流は、反応器が温まった時にシリコンウェハが酸化するのを防ぐために残留する酸素又は水分を希釈する。次いで、反応器を所定の時間安定化させ、すべてのウェハ表面を（付属の熱電対を用いてウェハに関する先の測定により決定されたのと）等しい温度にする。
ガス及び蒸気を制御された圧力で所定の堆積時間にわたって反応器に注入する。次に、ガスを遮断し、反応器をポンプで基準圧にする。次いで、反応器が冷却された時に反応性のガス又は蒸気を除去するため、反応器をポンプでパージし、ポンプを弱めそしてポンプでパージする。反応器を大気圧に戻し、ウェハを取り出して室温に冷却する。次いで、堆積膜を、膜厚、膜の屈折率、膜応力（図１）、赤外線吸光度（図３に示される）、誘電率及び酸エッチ速度（表１）について測定する。
堆積膜を形成する際、ジエチルアミノシラン（ＤＥＡＳ）１０ｓｃｃｍを、ＮＨ３２０ｓｃｃｍ及びＮ２２０ｓｃｃｍとともに、１．３Ｔｏｒｒ（１７３．３Ｐａ）で以って６０分の堆積時間にわたり５７０℃で反応器に流した。
平均の膜厚は６９ｎｍであり、屈折率は２．０４５であった。膜応力は、１．０７×１０１０ダイン／ｃｍ２（１．０７ＧＰａ）であることが測定された。
赤外スペクトルはＳｉ−Ｃ及びＳｉ−Ｎの吸収が顕著であった。Ｃ−Ｈ又はＣ−Ｎの吸収はノイズ中にあり、図３に示されるように、膜の組成は主として所望のＳｉｘＣｙＮｚの形態であることを示した。
［例６］
［ＮＨ３なしでＮ２を用いたジエチルアミノシラン前駆体による炭窒化ケイ素膜の形成］
プロセス条件を除いて例４の手順に従った。ＮＨ３の代わりに窒素を用いた。本例においては、ジエチルアミノシラン（ＤＥＡＳ）１０ｓｃｃｍを、Ｎ２４０ｓｃｃｍとともに、１．０Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）で以って、４０分の堆積時間にわたり６００℃で、反応器に流した。
平均の膜厚は４２ｎｍであり、屈折率は２．２８８であった。膜応力は、１．３４×１０１０ダイン／ｃｍ２であることが測定された。これらの膜は、アンモニアを用いて得られたものと比較して、非常に高い応力及び低いエッチ速度を有する（エッチ速度については表１を参照）。このような膜の一致性は、分離構造体に関して１００％であるとわかった。
［例７］
［ＮＨ３なしでＮ２を用いたジイソプロピルアミノシラン前駆体による炭窒化ケイ素膜の形成］
前駆体を除いて例５の手順に従った。ジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）１０ｓｃｃｍを、Ｈｅ２０ｓｃｃｍ及びＮ２２０ｓｃｃｍとともに、１．０Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）で以って、７０分の堆積時間にわたり５７０℃で反応器に流した。
平均の膜厚は４６ｎｍであり、屈折率は２．０５６であった。膜応力は、１．０７×１０１０ダイン／ｃｍ２であることが測定された。驚くべきことに、ジイソプロピルアミノシランに関する屈折率及び応力は、例６の前駆体と同様であった。これらの結果は、このクラスの物質内で優れた応力値が達成され得ることを示している。
［例８］
［ＮＨ３なしでＮ２を用いた対照標準としてのビス（三級ブチルアミノ）シラン前駆体による炭窒化ケイ素膜の形成］
前駆体を除いて例５の手順に従い、それを対照標準として用いた。ＢＴＢＡＳは生成プロセスにおいて世界中で用いられている前駆体であり、性能特性が十分に一般に認められているので、代表的な比較用アミノシランとして選択した。
ビス（三級ブチルアミノシラン）（ＢＴＢＡＳ）１０ｓｃｃｍを、Ｈｅ２０ｓｃｃｍ及びＮ２２０ｓｃｃｍとともに、１．０Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）で以って７０分の堆積時間にわたり、５７０℃で反応器に流した。これらの膜は、モノ−アミノシランと比較して、わずか２０％の応力と１０％未満のエッチ抵抗性とを有する（表１を参照）。
ビス（三級ブチルアミノシラン）とジエチルアミノシランに関する応力データを用いて図１を作成した。それはＦＳＭシステムを用いた応力測定の結果を示している。ジエチルアミノシランに関する結果は予想外であった。即ち、適度なＮＨ３：ＤＥＡＳ比で高い応力を維持していることを含め、低ＮＨ３：ＤＥＡＳ比での高い応力を達成した。
ビス（三級ブチルアミノ）シラン及びジクロロシランなどの前駆体では、アンモニアのこの前駆体に対する比が減少するにつれ、生成される膜の応力が低下する。低ＮＨ３：ＢＴＢＡＳ比では、応力の結果は十分でない。これらの前駆体についてアンモニアを低減すると、ケイ素リッチな膜が生成し、これはシリコン基材に関してこれらの膜の熱膨張係数を低下させる。理論によって縛られることを意図するものではないが、堆積プロセスにおいてＤＥＡＳに対するアンモニアの比を低減させると、Ｎに対するＳｉの原子比が増加し、それによってＳｉに対するＣの原子比が増加する。明らかに、その場合には、Ｓｉ−Ｃ結合によるＳｉ−Ｎ結合の置換が幾つかあり、これらの結合により、同様の応力を有する膜が生成することになる。
この例の第２の構成要素は膜硬さの測定であった。Ｈｙｓｉｔｒｏｎシステムを用いた押込みによってそれを測定した。図２は堆積膜の硬さを示すプロットである。ジエチルアミノシランが前駆体として用いられた場合、ＢＴＢＡＳ堆積及び熱成長二酸化ケイ素と比較して、より硬い膜が得られた。より硬い膜は、化学機械研磨（ＣＭＰ）操作において下地の層及びそれ自体を一層保護する。この性質もまた驚くべきことであった。
［例９］
［窒化ケイ素及び炭窒化ケイ素膜のエッチ抵抗性］
本例においては、種々の窒化ケイ素及び炭窒化ケイ素膜のエッチング結果が、表１に示される。表１は、１％の（４９％）ＨＦにおける幾つかの前駆体からの膜のエッチング結果を示している。エッチ速度は、同時にエッチングされた熱成長二酸化ケイ素のエッチ速度に対して与えられている。膜のエッチ速度が低いほど、望ましくない二酸化ケイ素を除去するときに、幾何学的形状を維持し及び下地の層を保護するのに良好である。
Figure 2011040741
上記の表１から、ＤＥＡＳは、０：１〜２：１のＮＨ３：前駆体比において、優れた低エッチ速度を有することが示される。一方で、０：１のＮＨ３：ＢＴＢＡＳ比でさえ、２：１のＮＨ３：ＤＥＡＳよりも高いエッチ速度を得た。優れた低エッチ速度が低ＮＨ３：ＢＴＢＡＳ比において示されるが、ＢＴＢＡＳの応力レベルが、低ＮＨ３：ＢＴＢＡＳレベルでは十分でないことが思い起こされる。
要約すると、式ＳｉｘＣｙＮｚの炭窒化ケイ素誘電膜は、ＣＶＤ及び他の堆積プロセスにより、記載されるクラスのアミノシランから生成することができる。ＳｉＨ３基の高い活性は、５５０℃程度の低い温度においてＳｉｘＣｙＮｚ膜堆積物の生成を可能にするのに対し、ＳｉｘＣｙＮｚ膜を形成するための前駆体の多くが十分には機能しないと考えられる。
また、ケイ素中心におけるアンモニアアミノ基転移反応に関する低い立体障害により、比較的低温で、これらの化合物がアンモニアと反応し、かつ窒素濃度が増加した膜を形成することが可能になると考えられる。エチル、イソプロピル、ブチルなどの配位子は、それらがβ−水素化物の脱離により揮発性副生成物になるので、優れた脱離基として作用する。後に残された炭素は、ケイ素と結合する。対照的に、これまでに報告されたメチル基を有するアミノシラン前駆体は、この解離経路を有していない。それらは窒素と結合したままであり、成長する膜中に組み込まれ、捕捉され得る。このような捕捉されたメチル基の存在は、赤外スペクトルにおいて容易に見分けられる（図３を参照）。しかしながら、ここで、図３においてＣ−Ｈピークが存在しないことは、膜中に捕捉された炭化水素が非常に低いレベルにすぎないかもしれないということを示している。

Claims (18)

  1. 以下の式によって表されるアミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を用いることを含む、炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法：
    Figure 2011040741
     （式中、Ｒが、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、又は式Ｃのシリルから選択され、Ｒ１が、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和Ｃ２〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、式Ａ中のＲとＲ１を結合して環状基（ＣＨ２）ｎ（式中、ｎは１〜６）にすることも可能であり、Ｒ２が、単結合、（ＣＨ２）ｎ鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２）。
  2. 前記前駆体が式Ａによって表され、Ｒ及びＲ１のそれぞれが少なくとも２個の炭素原子を有する、請求項１に記載の方法。
  3. Ｒ及びＲ１が２〜４個の炭素を有するアルキル基である、請求項２に記載の方法。
  4. Ｒ及びＲ１が環状である、請求項２に記載の方法。
  5. ＲとＲ１が（ＣＨ２）ｎ（式中、ｎは４又は５）の形態の環に結合される、請求項４に記載の方法。
  6. Ｒ及びＲ１がエチル又はイソプロピルである、請求項２に記載の方法。
  7. アンモニア、窒素及びヒドラジンからなる群より選択された窒素源が用いられる、請求項１に記載の方法。
  8. 化学気相成長の際の前記基材の温度が約５００〜７００℃の範囲にある、請求項７に記載の方法。
  9. 化学気相成長の際の圧力が約２０ｍＴｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒの範囲にある、請求項８に記載の方法。
  10. 前記窒素源がアンモニア又は窒素であり、前記窒素源が０．１〜４：１の窒素源：前駆体の範囲において存在する、請求項７に記載の方法。
  11. 前記前駆体のアミノシランが、以下の式を有し、式中、ｎが４又は５であるアミノシランから選択される、請求項２に記載の方法：
    Figure 2011040741
  12. 前記前駆体が式Ｂによって表され、このクラス内で前記前駆体が、以下の式を有する群から選択される、請求項１に記載の方法：
    Figure 2011040741
  13. アンモニア又は窒素からなる群より選択される窒素源が前駆体として含まれ、前記窒素源が０．１〜４：１の窒素源：前駆体の範囲において存在する、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記前駆体が式Ｃによって表され、このクラス内で前記前駆体が、以下の式を有する群から選択される、請求項１に記載の方法：
    Figure 2011040741
  15. シラン前駆体の化学気相成長により形成される炭窒化ケイ素膜を形成するための方法であって、以下の式によって表されるアミノシランをシラン前駆体として用いることを含む、一般組成構造ＳｉｘＣｙＮｚを有する膜を形成するための改良された方法：
    Figure 2011040741
     （式中、Ｒが、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、芳香族、複素環から選択され、Ｒ１が、直鎖、分枝又は環状のＣ２〜Ｃ１０アルキル基、複素環、水素、シリル基から選択され、ＲとＲ１を結合して環状基（ＣＨ２）ｎ（式中、ｎは１〜６）にすることも可能である）。
  16. Ｒ及びＲ１がエチル又はイソプロピルである、請求項１５に記載の方法。
  17. アンモニア又は窒素からなる群より選択される窒素源が、０．１〜４：１の窒素源：シラン前駆体比において用いられる、請求項１６に記載の方法。
  18. 基材の温度が５００〜７００℃の範囲で維持され、圧力が２０ｍＴｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒである、請求項１７に記載の方法。
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US (5) US7875556B2 (ja)
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DE (1) DE602006007906D1 (ja)
TW (1) TWI305236B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014027285A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Air Products And Chemicals Inc 酸素不含ケイ素系膜及びその形成方法
JP2014523638A (ja) * 2011-06-03 2014-09-11 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法
JP2020014007A (ja) * 2014-10-24 2020-01-23 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ケイ素含有膜の堆積のための組成物及びそれを使用した方法

Families Citing this family (446)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7875556B2 (en) * 2005-05-16 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films
US8530361B2 (en) 2006-05-23 2013-09-10 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors
US7875312B2 (en) * 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US7678422B2 (en) * 2006-12-13 2010-03-16 Air Products And Chemicals, Inc. Cyclic chemical vapor deposition of metal-silicon containing films
US20080207007A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films
US8987039B2 (en) * 2007-10-12 2015-03-24 Air Products And Chemicals, Inc. Antireflective coatings for photovoltaic applications
KR100938898B1 (ko) * 2008-04-17 2010-01-27 삼성모바일디스플레이주식회사 풀칼라 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US8129555B2 (en) * 2008-08-12 2012-03-06 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same
US8580993B2 (en) 2008-11-12 2013-11-12 Air Products And Chemicals, Inc. Amino vinylsilane precursors for stressed SiN films
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8889235B2 (en) * 2009-05-13 2014-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Dielectric barrier deposition using nitrogen containing precursor
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20120193726A1 (en) * 2009-10-06 2012-08-02 Tomohiro Yamashita Semiconductor device and method of manufacturing the same
EP2730676A1 (en) * 2010-04-01 2014-05-14 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method for deposition of silicon nitride layers
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9076646B2 (en) 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US8956983B2 (en) 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US20110256734A1 (en) 2010-04-15 2011-10-20 Hausmann Dennis M Silicon nitride films and methods
US8912353B2 (en) 2010-06-02 2014-12-16 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
US9079923B2 (en) 2010-08-05 2015-07-14 Air Products And Chemicals, Inc. Multidentate ketoimine ligands for metal complexes
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US8617305B2 (en) 2011-01-25 2013-12-31 Air Products And Chemicals, Inc. Metal complexes for metal-containing film deposition
US8465902B2 (en) 2011-02-08 2013-06-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer coating composition and processes thereof
US8647993B2 (en) * 2011-04-11 2014-02-11 Novellus Systems, Inc. Methods for UV-assisted conformal film deposition
US8771807B2 (en) 2011-05-24 2014-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for making and using same
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8993072B2 (en) 2011-09-27 2015-03-31 Air Products And Chemicals, Inc. Halogenated organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US9677178B2 (en) 2012-01-27 2017-06-13 Versum Materials Us, Llc Alkoxyaminosilane compounds and applications thereof
US9200167B2 (en) * 2012-01-27 2015-12-01 Air Products And Chemicals, Inc. Alkoxyaminosilane compounds and applications thereof
US8728955B2 (en) * 2012-02-14 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface
CN103243310B (zh) * 2012-02-14 2017-04-12 诺发系统公司 在衬底表面上的等离子体激活的保形膜沉积的方法
US20130224964A1 (en) * 2012-02-28 2013-08-29 Asm Ip Holding B.V. Method for Forming Dielectric Film Containing Si-C bonds by Atomic Layer Deposition Using Precursor Containing Si-C-Si bond
US8871656B2 (en) * 2012-03-05 2014-10-28 Applied Materials, Inc. Flowable films using alternative silicon precursors
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
JP6041527B2 (ja) * 2012-05-16 2016-12-07 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド
WO2014015241A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
KR101380317B1 (ko) * 2012-08-31 2014-04-04 주식회사 유진테크 머티리얼즈 실리콘 원자 및 금속 원자에 대한 친화성이 우수한 고리형 아미노실란 화합물, 이의 제조방법 및 이의 응용
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
TWI595112B (zh) 2012-10-23 2017-08-11 蘭姆研究公司 次飽和之原子層沉積及保形膜沉積
SG2013083241A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Conformal film deposition for gapfill
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
KR20140067786A (ko) * 2012-11-27 2014-06-05 주식회사 유피케미칼 실리콘 전구체 화합물, 및 상기 전구체 화합물을 이용한 실리콘-함유 박막의 증착 방법
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9796739B2 (en) * 2013-06-26 2017-10-24 Versum Materials Us, Llc AZA-polysilane precursors and methods for depositing films comprising same
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
TW201509799A (zh) 2013-07-19 2015-03-16 Air Liquide 用於ａｌｄ／ｃｖｄ含矽薄膜應用之六配位含矽前驅物
US9382268B1 (en) 2013-07-19 2016-07-05 American Air Liquide, Inc. Sulfur containing organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US10453675B2 (en) 2013-09-20 2019-10-22 Versum Materials Us, Llc Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
EP3049499B1 (en) 2013-09-27 2020-07-22 L'air Liquide, Société Anonyme Pour L'Étude Et L'exploitation Des Procédés Georges Claude Amine substituted trisilylamine and tridisilylamine compounds
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
JP6318433B2 (ja) * 2013-11-28 2018-05-09 大陽日酸株式会社 シリコン窒化膜の形成方法及びシリコン窒化膜
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9233990B2 (en) 2014-02-28 2016-01-12 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilanes and methods for making same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
WO2015184201A1 (en) 2014-05-30 2015-12-03 Dow Corning Corporation Monoaminosilane compounds
EP3149009A4 (en) 2014-05-30 2017-11-08 Dow Corning Corporation Diaminosilane compounds
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9875888B2 (en) * 2014-10-03 2018-01-23 Applied Materials, Inc. High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
JP6201957B2 (ja) * 2014-10-28 2017-09-27 信越化学工業株式会社 Ｎ−シリルピペラジンの製造方法
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10570513B2 (en) 2014-12-13 2020-02-25 American Air Liquide, Inc. Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9777025B2 (en) 2015-03-30 2017-10-03 L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US10876206B2 (en) 2015-09-01 2020-12-29 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition coating
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US10087521B2 (en) * 2015-12-15 2018-10-02 Silcotek Corp. Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US20180033614A1 (en) * 2016-07-27 2018-02-01 Versum Materials Us, Llc Compositions and Methods Using Same for Carbon Doped Silicon Containing Films
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US9865455B1 (en) 2016-09-07 2018-01-09 Lam Research Corporation Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US11735413B2 (en) * 2016-11-01 2023-08-22 Versum Materials Us, Llc Precursors and flowable CVD methods for making low-k films to fill surface features
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102105977B1 (ko) * 2017-03-29 2020-05-04 (주)디엔에프 실릴아민 화합물, 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US11161324B2 (en) 2017-09-13 2021-11-02 Silcotek Corp. Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
JP6787875B2 (ja) * 2017-12-20 2020-11-18 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
US10640523B2 (en) * 2018-01-12 2020-05-05 Entegris, Inc. Aminoiodosilanes and methods of synthesizing these aminoiodosilanes
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
JP2019145589A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR20200118504A (ko) 2018-03-02 2020-10-15 램 리써치 코포레이션 가수분해를 사용한 선택적인 증착
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
WO2020101437A1 (ko) * 2018-11-15 2020-05-22 주식회사 유피케미칼 실리콘 전구체 화합물, 제조 방법, 및 이를 이용하는 실리콘-함유 막 형성 방법
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI755711B (zh) * 2019-04-25 2022-02-21 美商慧盛材料美國責任有限公司 用於矽氧化物薄膜的高溫原子層沉積之有機胺基二矽氮烷
CN114127890A (zh) 2019-05-01 2022-03-01 朗姆研究公司 调整的原子层沉积
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
WO2020252306A1 (en) 2019-06-14 2020-12-17 Silcotek Corp. Nano-wire growth
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
EP4126886A4 (en) * 2020-03-31 2024-05-01 Entegris, Inc. PRECURSORS AND METHODS FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING FILMS
US11492364B2 (en) 2020-03-31 2022-11-08 Entegris, Inc. Silicon hydrazido precursor compounds
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
US11965239B2 (en) 2020-06-17 2024-04-23 Entegris, Inc. Method for nucleation of conductive nitride films
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11551926B2 (en) 2021-01-22 2023-01-10 Micron Technology, Inc. Methods of forming a microelectronic device, and related systems and additional methods
US20210261790A1 (en) * 2021-05-03 2021-08-26 Silcotek Corp. Coated systems for hydrogen
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
JP2024531436A (ja) * 2021-08-25 2024-08-29 インテグリス・インコーポレーテッド ケイ素前駆体
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115260223B (zh) * 2022-09-26 2022-12-23 江苏南大光电材料股份有限公司 无氯催化剂于制备二异丙胺硅烷中的用途
WO2024112598A1 (en) * 2022-11-22 2024-05-30 Entegris, Inc. Disilylamine precursors and related methods

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132276A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体膜形成方法
JPH06132284A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の保護膜形成方法
JP2000195801A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2004319842A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 気相成長法によるシリコン窒化物膜の製造方法
WO2005093126A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-06 L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method for forming dielectric or metallic films
WO2006036538A2 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Praxair Technology, Inc. Organometallic precursor compounds

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1008403A (en) 1961-01-19 1965-10-27 Secr Aviation Polymeric compounds containing silicon-nitrogen bonds
US4200666A (en) 1978-08-02 1980-04-29 Texas Instruments Incorporated Single component monomer for silicon nitride deposition
US5008422A (en) 1985-04-26 1991-04-16 Sri International Polysilazanes and related compositions, processes and uses
FR2598520B1 (fr) 1986-01-21 1994-01-28 Seiko Epson Corp Pellicule protectrice minerale
JP2637265B2 (ja) 1990-06-28 1997-08-06 株式会社東芝 窒化珪素膜の形成方法
NL9001770A (nl) 1990-08-06 1992-03-02 Philips Nv Werkwijze voor het aanbrengen van een siliciumdioxide-laag op een substraat door middel van chemische reactie uit de dampfase bij verlaagde druk (lpcvd).
JPH04151839A (ja) 1990-10-16 1992-05-25 Kawasaki Steel Corp シリコンオキシナイトライド膜の製造方法
JP3156326B2 (ja) 1992-01-07 2001-04-16 富士通株式会社 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法
US5382550A (en) 1993-08-05 1995-01-17 Micron Semiconductor, Inc. Method of depositing SiO2 on a semiconductor substrate
JP3336770B2 (ja) 1993-12-27 2002-10-21 ソニー株式会社 絶縁膜の形成方法
JP3230029B2 (ja) 1994-05-30 2001-11-19 富士通株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶成長方法
US5534609A (en) * 1995-02-03 1996-07-09 Osi Specialties, Inc. Polysiloxane compositions
US20010012700A1 (en) 1998-12-15 2001-08-09 Klaus F. Schuegraf Semiconductor processing methods of chemical vapor depositing sio2 on a substrate
US5874368A (en) 1997-10-02 1999-02-23 Air Products And Chemicals, Inc. Silicon nitride from bis(tertiarybutylamino)silane
US5976991A (en) * 1998-06-11 1999-11-02 Air Products And Chemicals, Inc. Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride using bis(tertiarybutylamino) silane
US6153261A (en) 1999-05-28 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Dielectric film deposition employing a bistertiarybutylaminesilane precursor
JP2001156063A (ja) 1999-11-24 2001-06-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US6486015B1 (en) 2000-04-25 2002-11-26 Infineon Technologies Ag Low temperature carbon rich oxy-nitride for improved RIE selectivity
US6630413B2 (en) * 2000-04-28 2003-10-07 Asm Japan K.K. CVD syntheses of silicon nitride materials
US6500772B2 (en) * 2001-01-08 2002-12-31 International Business Machines Corporation Methods and materials for depositing films on semiconductor substrates
AU2002306436A1 (en) 2001-02-12 2002-10-15 Asm America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
US7084080B2 (en) * 2001-03-30 2006-08-01 Advanced Technology Materials, Inc. Silicon source reagent compositions, and method of making and using same for microelectronic device structure
US7005392B2 (en) * 2001-03-30 2006-02-28 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same
US6391803B1 (en) 2001-06-20 2002-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
US20040018750A1 (en) 2002-07-02 2004-01-29 Sophie Auguste J.L. Method for deposition of nitrogen doped silicon carbide films
KR20050018641A (ko) 2002-07-19 2005-02-23 에비자 테크놀로지, 인크. 아미노실란 및 오존을 이용한 저온 유전체 증착
JP2005534179A (ja) 2002-07-19 2005-11-10 アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド アミノシランとオゾンを用いる低温誘電体蒸着法
WO2004017383A2 (en) 2002-08-18 2004-02-26 Aviza Technology, Inc. Low termperature deposition of silicon oxides and oxynitrides
JP4358492B2 (ja) 2002-09-25 2009-11-04 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
US7972663B2 (en) 2002-12-20 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer
US6963006B2 (en) 2003-01-15 2005-11-08 Air Products And Chemicals, Inc. Process for the production and purification of bis(tertiary-butylamino)silane
US7122222B2 (en) * 2003-01-23 2006-10-17 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof
US7311946B2 (en) 2003-05-02 2007-12-25 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for depositing metal films on diffusion barrier layers by CVD or ALD processes
JP4717335B2 (ja) 2003-06-30 2011-07-06 弘 中山 膜形成方法、膜、及び素子
US7125582B2 (en) * 2003-07-30 2006-10-24 Intel Corporation Low-temperature silicon nitride deposition
JP4015976B2 (ja) 2003-08-28 2007-11-28 株式会社東芝 電子装置の製造方法
US7470450B2 (en) 2004-01-23 2008-12-30 Intel Corporation Forming a silicon nitride film
KR100563785B1 (ko) * 2004-01-28 2006-03-27 삼성전자주식회사 반도체 장치의 구리 배선 형성 방법
JP2005213633A (ja) 2004-02-02 2005-08-11 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
US20060019032A1 (en) 2004-07-23 2006-01-26 Yaxin Wang Low thermal budget silicon nitride formation for advance transistor fabrication
KR100638471B1 (ko) 2004-08-25 2006-10-25 동국제약 주식회사 실라스타틴 나트륨염의 신규한 제조 방법
US20060051975A1 (en) 2004-09-07 2006-03-09 Ashutosh Misra Novel deposition of SiON dielectric films
JP2006261434A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法
US7875556B2 (en) * 2005-05-16 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films
US20060286774A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-21 Applied Materials. Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US7875312B2 (en) 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US8530361B2 (en) * 2006-05-23 2013-09-10 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors
WO2009039251A1 (en) 2007-09-18 2009-03-26 L'air Liquide - Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method of forming silicon-containing films
US7999355B2 (en) * 2008-07-11 2011-08-16 Air Products And Chemicals, Inc. Aminosilanes for shallow trench isolation films
US8129555B2 (en) * 2008-08-12 2012-03-06 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same
US7825040B1 (en) * 2009-06-22 2010-11-02 Asm Japan K.K. Method for depositing flowable material using alkoxysilane or aminosilane precursor
EP2730676A1 (en) * 2010-04-01 2014-05-14 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method for deposition of silicon nitride layers

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132276A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体膜形成方法
JPH06132284A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の保護膜形成方法
JP2000195801A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2004319842A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 気相成長法によるシリコン窒化物膜の製造方法
WO2005093126A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-06 L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method for forming dielectric or metallic films
WO2006036538A2 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Praxair Technology, Inc. Organometallic precursor compounds

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014523638A (ja) * 2011-06-03 2014-09-11 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法
JP2014027285A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Air Products And Chemicals Inc 酸素不含ケイ素系膜及びその形成方法
US9243324B2 (en) 2012-07-30 2016-01-26 Air Products And Chemicals, Inc. Methods of forming non-oxygen containing silicon-based films
JP2020014007A (ja) * 2014-10-24 2020-01-23 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ケイ素含有膜の堆積のための組成物及びそれを使用した方法
JP2022000913A (ja) * 2014-10-24 2022-01-04 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ケイ素含有膜の堆積のための組成物及びそれを使用した方法
JP7152576B2 (ja) 2014-10-24 2022-10-12 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ケイ素含有膜の堆積のための組成物及びそれを使用した方法

Also Published As

Publication number Publication date
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