JP2010539730A - シリコン含有膜を形成する方法 - Google Patents

シリコン含有膜を形成する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010539730A
JP2010539730A JP2010525945A JP2010525945A JP2010539730A JP 2010539730 A JP2010539730 A JP 2010539730A JP 2010525945 A JP2010525945 A JP 2010525945A JP 2010525945 A JP2010525945 A JP 2010525945A JP 2010539730 A JP2010539730 A JP 2010539730A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
reaction chamber
sih
reactant
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010525945A
Other languages
English (en)
Inventor
デュサラ、クリスティアン
Original Assignee
レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード filed Critical レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Publication of JP2010539730A publication Critical patent/JP2010539730A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/3141—Deposition using atomic layer deposition techniques [ALD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31608—Deposition of SiO2
    • H01L21/31612—Deposition of SiO2 on a silicon body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides
    • H01L21/3185—Inorganic layers composed of nitrides of siliconnitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2007年9月18日に出願された米国仮特許出願第60/973,210号の利益を主張し、その開示は参照によってここに組入れられる。
発明の分野
本発明は、一般に半導体製造の分野、より具体的にはシリコン含有膜を形成する方法に関する。とりわけ、本発明はシリコン前駆体およびガス状共反応物質を用いてシリコン含有膜を形成する方法に関する。
発明の背景
相補的金属酸化物半導体(CMOS)デバイスの製造の初期段階において、窒化シリコン(SiN)のような保護膜が各金属酸化物半導体(MOS)トランジスタのゲート電極上に形成される。このSiN膜は、各トランジスタの絶縁破壊電圧を増大させるために、(多結晶シリコンまたは金属層のような)ゲート電極の上面および側面上に蒸着される。このようなSiN膜の蒸着温度を400℃を超えない温度に至るまで下げるための試みがなされている。しかしながら、400℃未満の温度で蒸着されたSiN膜は、通常、粗悪な膜品質を呈する。この問題を解決するために、二酸化ケイ素(SiO2)膜を使用してSiN膜の特性を強化し(すなわち、「デュアルスペーサー」)、それによりデバイス性能を著しく向上させ得る有用な電気バリア層を作ることができた。
SiO2膜は、シャロートレンチ絶縁(STI)層、層間誘電(ILD)層、保護層および腐食停止層のような種々の機能に用いられる。したがって、これらのSiO2層の低温での、例えば400℃未満での蒸着のための改良されたプロセスを開発することが望ましいであろう。デュアルスペーサー用途の場合、低い蒸着温度(例えば300℃)で実施される超薄膜(例えば20〜50オングストローム(Å)厚)の蒸着は、金属電極の酸化を生じさせず、かつ全てのゲートに沿って均一になり得る。したがって、原子層蒸着プロセスは、典型的にこのような要求に適合する。STI用途に関する限り、共形の膜が高い蒸着速度(毎分数百Å)、500℃未満で蒸着され得る。
高い蒸着速度を達成するために、所望の蒸着条件下での反応性、すなわち、化学気相蒸着(CVD)および/または原子層蒸着(ALD)プロセスにおいて、シリコン源、共反応物質および基板の間の反応性を向上させるために、新規な分子が検討され得る。ALDについて、検討される1つのパラメータは、分子が反応し得るサイトの数を最少化するための、最小の立体障害である。
本発明の好ましい態様の詳細な記述のために、ここで添付図について参照がなされる。
図１は、イナートガスパージ工程の初期の、膜形成方法において使用される膜形成装置の模式図である。 図２は、シリコン含有化合物ガスのパルス工程の初期の、図１の膜形成装置の模式図である。 図３は、共反応物質を混合ガスのパルスの初期の、図１の膜形成装置の模式図である。 図４は、シリコン含有膜を含む金属酸化物トランジスタ(MOS)の側面図である。
概要
ここで開示されるものは、シリコン含有膜を形成する方法であって、
a) 反応チャンバーに基板を供給すること、
b) 前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、
c) 前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および
d) 前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ること
を含む方法である。
いくつかの態様において、本方法はシリコン含有化合物をさら含み、前記シリコン含有化合物は、アミノシラン、ジシリルアミン、シラン、またはその組合せを含む。前記アミノシランは式(R1 R2 N)x SiH4-xを持つ化合物を含み得、ここで、R1およびR2は独立にH、C1-C6の直鎖、分岐鎖もしくは環状炭素鎖、またはトリメチルシリルのようなシリル基であり、xは1または2のいずれかである。あるいは、前記アミノシランは式Lx SiH4-xを持つ化合物を含み、ここでLはC3-C12の環状アミノ配位子であり、xは1または2のいずれかである。前記ジシリルアミンは、式(SiH3)2NRを持つジシリルアミン化合物を含み得、ここでRは独立にH、C1-C6の直鎖、分岐鎖もしくは環状炭素鎖である。前記シランは、式(SiH3)nRを持つ化合物を含み得、ここで、nは1〜4に含まれ、RはH、N、NH、O、SO3CF3、CH2、C2H4、SiH2、SiHおよびSiからなる群より選択される。前記共反応物質は、酸素含有ガス、窒素含有ガス、酸素と窒素の両方を含むガス、または酸素と窒素の両方を含むガスの混合物を含み得る。前記酸素含有ガスは、オゾン、酸素、水蒸気、過酸化水素、またはその組合せを含み得る。前記窒素含有ガスは、アンモニア、窒素、ヒドラジン、またはその組合せを含み得る。前記ガスの混合物はアンモニアおよび酸素を含み得る。前記共反応物質は一酸化窒素を含み得る。
本方法は、酸素ラジカルまたは窒素ラジカルを含む共反応物質を発生させることをさらに含み得、ここで前記共反応物質の発生は、酸素含有化合物または窒素含有化合物を、酸素ラジカルまたは窒素ラジカルの発生に適切な条件下でプラズマに暴露することを含む。一つの態様において、プラズマは反応チャンバー中で発生される。代替の態様において、ラジカルが反応チャンバーに供給されるか、反応チャンバー中で発生されるか、またはその両方である。
本方法は、工程a、b、c、d、またはその組合せの後に、イナートガスで反応チャンバーをパージすることをさらに含み得、ここで前記イナートガスは窒素、アルゴン、ヘリウム、またはその組合せを含む。
本方法は、所望のシリコン含有膜の厚さが得られるまで、工程b)〜d)を繰り返すことをさらに含み得る。本方法は、工程b)、c)、および/またはd)の実行に先立っての反応チャンバーへの導入の後に基板を反応チャンバー中で加熱することをさらに含み得、ここで前記基板は前記反応チャンバーの温度以下の温度まで加熱される。
基板は、半導体デバイスの製造に使用されるシリコンウェーハ(またはSOI)、その上に堆積される層、液晶ディスプレイデバイスの製造に使用されるガラス基板、またはその上に堆積される層を含み得る。
本方法は、前記少なくとも1つの化合物および/またはガスの非連続的な注入によって、工程b)、c)または両方を実行することをさらに含み得る。前記パルス化学気相蒸着または原子層蒸着は、前記反応チャンバー中で実行され得る。
一つの態様において、前記シリコン含有化合物と前記ガス状共反応物質の同時の注入が、前記反応チャンバー中で実行され得る。他の態様において、前記シリコン含有化合物と前記ガス状共反応物質の交互の注入が、前記反応チャンバー中で実行され得る。さらに他の態様において、前記シリコン含有化合物または前記ガス状共反応物質は、他の化合物および/または少なくとも1つのガス状共反応物質の注入に先立って、前記基板の表面上に吸着される。
前記シリコン含有膜は、1 Å/サイクル以上の蒸着速度で実行され得、反応チャンバーの圧力は0.1〜1000 torr (13〜1330 kPa)にあり得る。
一つの態様において、前記ガス状共反応物質は、酸素に対するオゾンの比率が20体積%未満である酸素とオゾンを含むガス混合物である。代替の態様において、前記ガス状共反応物質は、アンモニアに対するヒドラジンの比率が15体積%未満であるアンモニアおよびヒドラジンを含むガス混合物である。
一つの態様において、前記シリコン含有化合物は、トリシリルアミン(TSA) (SiH3)3N、ジシロキサン(DSO) (SiH3)2、ジシリルメチルアミン(DSMA) (SiH3)2NMe、ジシリルエチルアミン(DSEA) (SiH3)2NEt、ジシリルイソプロピルアミン(DSIPA) (SiH3)2N(iPr)、ジシリル第三ブチルアミン(DSTBA) (SiH3)2N(tBu)、ジエチルアミノシランSiH3NEt2、ジイソプロピルアミノシランSiH3N(iPr)2、ジ-第三ブチルアミノシランSiH3N(tBu)2、シリルピペリジンまたはピペリジノシランSiH3(pip)、シリルピロリジンまたはピロリジノシランSiH3(pyr)、ビス(ジエチルアミノ)シラン (BDEAS) SiH2(NEt2)2、ビス(ジメチルアミノ)シラン (BDMAS) SiH2(NMe2)2、ビス(tert-ブチルアミノ)シラン (BTBAS) SiH2(NHtBu)2、ビス(トリメチルシリルアミノ)シラン (BITS) SiH2(NHSiMe3)2、ビスピペリジノシランSiH2(pip)2、ビスピロリジノシランSiH2(pyr)2、シリルトリフラートSiH3(OTf)、ジトリフラートシランSiH2(OTf)2、およびその組合せからなる群より選択される。
また、ここで開示されるものは、窒化シリコン膜を調製する方法であって、
シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、
シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、
前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および
窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入すること
を含む方法である。
また、ここで開示されるものは、酸化シリコン膜を調製するための方法であって、
シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、
シリコン含有化合物を前記反応チャンバーに導入すること、
前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および
酸素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に酸化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入すること
を含む方法である。
好ましい態様の詳細な記述
特定のシステムの要素に言及するために、いくつかの用語が以下の明細書および請求項を通して使用される。この文書は、名称は異なるが機能は異ならない要素の間の区別を意図していない。
以下の議論および請求項において、「含有する」および「含む」という用語は、非制限的は方法で使用され、したがって、「含むが、それに限定されない」という意味に解釈されるべきである。
ここで使用されるように、省略形「Me」はメチル基を指し、省略形「Et」はエチル基を指し、省略形「Pr」はプロピル基を指し、省略形「iPr」はイソプロピル基を指す。
ここで開示されるものは、基板上にシリコン含有膜を形成するための方法である。一つの態様において、本方法は基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および550℃未満の温度で、前記シリコン含有化合物と前記ガス状共反応物質を反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む。一つの態様において、前記シリコン含有膜は、酸化シリコン、あるいは窒化シリコン、あるいは酸化シリコンおよび窒化シリコンの両方を含む。ここで開示される方法は、前記シリコン含有化合物、前記共反応物および基板の反応性を最大化するために、550℃以下の温度で実行され得る。
前記シリコン含有化合物は、アミノシラン、ジシリルアミン、シラン、またはその組合せを含み得る。
一つの態様において、前記シリコン含有化合物は式(R1 R2 N)xSiH4-xを持つアミノシランを含み、ここでR1およびR2は独立に水素、C1-C6の直鎖、分岐鎖もしくは環状炭素鎖、またはトリメチルシリルのようなシリル基であり、xは1または2のいずれかである。あるいは、前記シリコン含有化合物は、式LxSiH4-xを持つアミノシランを含み、ここでLはC3-C12の環状アミノ配位子であり、xは1または2のいずれかである。あるいは、前記シリコン含有化合物は、式(SiH3)2NRを持つジシリルアミンを含み、ここでRは独立にH、C1-C6の直鎖、分岐鎖もしくは環状炭素鎖である。あるいは、前記シリコン含有化合物は式(SiH3)nRを持つシランを含み、ここでnは1〜4に含まれ、RはH、N、NH、O、SO3CF3、CH2、C2H4、SiH2、SiHおよびSiからなる群より選択される。この開示における使用のために適切なシリコン含有化合物の例は、限定されないが、トリシリルアミン(TSA) (SiH3)3N、ジシロキサン(DSO) (SiH3)2、ジシリルメチルアミン(DSMA) (SiH3)2NMe、ジシリルエチルアミン(DSEA) (SiH3)2NEt、ジシリルイソプロピルアミン(DSIPA) (SiH3)2N(iPr)、ジシリル第三ブチルアミン(DSTBA) (SiH3)2N(tBu)、ジエチルアミノシランSiH3NEt2、ジイソプロピルアミノシランSiH3N(iPr)2、ジ-第三ブチルアミノシランSiH3N(tBu)2、シリルピペリジンまたはピペリジノシランSiH3(pip)、シリルピロリジンまたはピロリジノシランSiH3(pyr)、ビス(ジエチルアミノ)シラン(BDEAS) SiH2(NEt2)2、ビス(ジメチルアミノ)シラン(BDMAS) SiH2(NMe2)2、ビス(tert-ブチルアミノ)シラン(BTBAS) SiH2(NHtBu)2、ビス(トリメチルシリルアミノ)シラン(BITS) SiH2(NHSiMe3)2、ビスピペリジノシランSiH2(pip)2、ビスピロリジノシランSiH2(pyr)2、シリルトリフラートSiH3(OTf)、ジトリフラートシランSiH2(OTf)2、またはその組合せを含む。
前記共反応物は、酸素含有ガス、窒素含有ガス、酸素と窒素の両方を含有するガス、または酸素含有化合物および窒素含有化合物の両方を有するガスの混合物のようなガス状の材料を含み得る。
一つの態様において、前記共反応物質は酸素含有ガスを含み得る。この開示における使用に適切な酸素含有ガスは、限定されないが、オゾン、分子状酸素、水蒸気、過酸化水素、またはその組合せを含む。一つの態様において、前記共反応物質は窒素含有ガスを含む。この開示における使用に適切な窒素含有ガスは、限定されないが、アンモニア、窒素、ヒドラジン、またはその組合せを含む。一つの態様において、前記共反応物質はガスまたはガスの混合物を含み、ここで前記ガスおよび/またはガスの混合物は窒素と酸素の両方を含む。この開示における使用に適切なこのような化合物の例は、限定されないが、一酸化窒素、およびアンモニアと酸素の混合物を含む。
一つの態様において、前記共反応物質はオゾンと酸素の混合物を含む。このような態様において、酸素に対するオゾンの比率は30体積(vol.)%未満、あるいは5〜20体積%である。いくつかの態様において、前記共反物質は、例えば窒素のようなイナートガス中で希釈されたオゾンと酸素の混合物を含む。一つの態様において、前記ガス状共反応物質は、アンモニアに対するヒドラジンの比率が15体積%未満、あるいは2〜15体積%にあるアンモニアとヒドラジンのガス混合物である。
いくつかの態様において、前記共反応物質は、イオン化ガス(すなわち、プラズマ)に暴露されたときに反応してラジカルを生成する、ガス状の酸素含有化合物および/または窒素含有化合物を含む。
前記ガス状共反応物質は前記シリコン含有化合物と反応して前記基板上に蒸着する材料を生成し得、このようにしてシリコン含有膜を形成する。例えば、前記共反応物質はオゾンと酸素の混合物、プラズマ中での酸素の励起から生じた酸素ラジカルを含むガス、オゾン、酸素、および窒素、アルゴンもしくはヘリウムのようなイナートガスの混合物、またはその組合せを含み得る。このガス混合物中のオゾン濃度は0.1〜20体積%であり得る。前記反応チャンバーの条件下で、前記酸素含有ガスは、前記シリコン含有化合物を酸化させ、それを前記基板上に膜として堆積する酸化シリコンに変換する。
あるいは、前記共反応物質は窒素含有ガスを含み、前記窒素含有ガスは前記シリコン含有化合物を窒素化し、それを窒化シリコンに変換する。この窒素含有ガスはアンモニア、アンモニアの励起から生成した窒素含有ラジカル、ガス状アンモニアと、窒素、アルゴン、またはヘリウムのようなイナートガスとの混合物、またはその組合せであり得る。
一つの態様において、シリコン含有膜を形成する方法は、反応チャンバーに基板を供給することを含む。反応チャンバーは、限定されないが、低温壁型反応器、高温壁型反応器、単葉ウェーハ反応器、多葉ウェーハ反応器、または、材料を反応させて膜を形成させるために適切な条件下での、他のタイプの蒸着システムのような、蒸着が実行されるデバイス内の任意の容器またはチャンバーであり得る。当業者に既知の任意の適切な基板が利用され得る。例えば、基板は半導体デバイスの製造に使用されるシリコンウェーハ(またはシリコン-オン-インシュレータ(SOI)ウェーハ)、またはその上に堆積される層、または液晶ディスプレイデバイスの製造に使用されるガラス基板、またはその上に堆積される層であり得る。一つの態様において、ゲート電極がその上に形成されている半導体基板は、特に酸化シリコン膜がゲート絶縁破壊電圧を向上させる目的で使用される場合の基板として使用される。一つの態様において、基板は、任意の追加材料の導入に先立って、反応チャンバー中で加熱され得る。基板は、反応チャンバーの温度以下まで加熱され得る。例えば、基板は最低で50℃、最高で550℃、あるいは200〜400℃、あるいは250〜350℃の温度まで加熱され得る。
本方法は、少なくとも1つのシリコン含有化合物を反応チャンバーに導入することをさらに含む。シリコン含有化合物は任意の適切な技術(例えば、注入)によって反応チャンバーに導入され得、かつ、ここで先述したタイプのものであり得る。
一つの態様において、本方法は、反応チャンバーへの、少なくとも1つの共反応物質の導入を含み、ここで前記共反応物質はガス状であり得、かつ、ここで先述したタイプのものであり得る。共反応物質は、例えば注入のような任意の適切な手順を利用して反応チャンバーに導入され得る。シリコン含有化合物および/またはガス状共反応物質は、反応器にパルスで導入され得る。シリコン含有化合物は、例えば、シリコン化合物が室温でガス状である場合に、シリンダから反応チャンバーにパルス導入され得る。シリコン含有化合物がSiH2(NEt2)2の場合のように室温で液体であるとき、シリコン含有化合物はバブラー法を用いて反応チャンバーにパルス導入され得る。特に、シリコン含有化合物の溶液は容器内に置かれ、必要ならば加熱され、容器内に置かれたイナートガスバブラーチューブを用いてイナートガス(例えば窒素、アルゴン、ヘリウム)を通してバブリングすることによって、イナートガス中に取り込まれ、チャンバー中に導入される。液体マスフローコントローラおよび気化器の組合せも使用され得る。ガス状シリコン含有化合物のパルスが、例えば、毎分1.0〜100標準立方センチメートル(sccm)の流量で0.1〜10秒間、反応チャンバー中に供給され得る。酸素含有ガスのパルスが、例えば、毎分10〜1000 sccmの流量で0.1〜10秒間、反応チャンバー中に供給され得る。
基板、シリコン含有化合物および共反応物質が、その後、反応チャンバー中で反応し得、基板上に蒸着されたシリコン含有膜を形成する。一つの態様において、基板、シリコン含有化合物および共反応物質の反応は、基板上にシリコン含有膜を形成するために十分な時間で、550℃以下の温度で生じる。基板上へのシリコン含有膜の蒸着は、蒸着法に適切な条件下で実行される。適切な蒸着法は、限定されないが、通常のCVD、低圧化学気相蒸着(LPCVD)、原子層蒸着(ALD)、パルス化学気相蒸着(P-CVD)、プラズマ強化原子層蒸着(PE-ALD)、またはその組合せを含む。一つの態様において、シリコン含有化合物および/または共反応物質は、例えば非連続的な注入によって、反応チャンバーに非連続的に導入される。代替の態様において、シリコン含有化合物および共反応物質は、反応チャンバーに同時に導入される。さらに他の態様において、他のシリコン含有化合物および/または共反応物質の反応チャンバーへの導入に先立って、シリコン含有化合物および/または共反応物質が基板の表面に存在する。
一つの態様において、本方法は、反応チャンバー中へのシリコン含有化合物、ガス状共反応物質、または両方の導入に続くイナートガスの導入をさらに含む。イナートガスは、当業者に既知のものであり、例えば窒素、ヘリウム、アルゴン、およびその組合せを含む。イナートガスは、十分な量かつ反応チャンバーをパージするために十分な時間で反応チャンバーに導入され得る。
反応チャンバーの条件は、プロセスの求めに見合うこの開示の助けによって、当業者により調節され得る。一つの態様において、反応チャンバー内部の圧力は0.1〜1000 torr (13〜1330 kPa)、あるいは0.1〜10 torr (133〜1330 kPa)であり得る。あるいは、反応チャンバー内部の圧力は500 torr未満、あるいは100 torr未満、あるいは2 torr未満であり得る。
一つの態様において、ここで記載された方法は、基板上へのシリコン含有膜の形成をもたらす。膜の厚さは、使用者が所望する膜厚が得られるまで、基板を先述した手順に繰り返し供することによって増大され得る。一つの態様において、シリコン含有膜の蒸着速度は1 Å/サイクル以上である。
一つの態様において、基板上にシリコン含有膜を作る方法は、基板を反応チャンバーに導入することを含む。基板が反応チャンバーに導入された後、チャンバー内のガスは、50〜550℃の基板温度、減圧下で、反応チャンバー中にイナートガス(例えば、窒素)を供給することによって最初にパージされる。その後、同じ温度かつ減圧下で、ガス状シリコン含有化合物のパルスが反応チャンバー中に供給される間、このシリコン含有化合物の超薄膜が、吸着によって基板上に形成される。この後に、未反応シリコン含有化合物をパージするために反応チャンバー中へのイナートガスの供給が続き、その後、ガス状の1つの共反応物質のパルスが反応チャンバー中に供給される。ガス状共反応物質が反応し、酸化シリコン、窒化シリコン、またはその両方を含むシリコン含有膜を形成する。イナートガスは、その後、未反応生成物をパージするために反応チャンバー中に注入され得る。この態様において、シリコン含有膜は、この一連のイナートガスパージ、ガス状シリコン含有化合物のパルス、イナートガスパージ、および共反応物質のパルスを繰り返すことによって、所望の膜厚で基板上に形成される。
あるいは、基板が反応チャンバー中に導入された後に、チャンバー内のガスが、50〜550℃の基板温度、減圧下で反応チャンバー中にイナートガスを供給することによって最初にパージされる。アンモニアで構成され得る共反応物質が、その後、連続的に導入され得る。シリコン含有化合物(例えば、シラン)が順次導入され、基板の表面上に化学吸着される。過剰なシランを排除するために十分な時間でのイナートガスによる反応チャンバーのパージの後、ラジカルのような励起種の発生をもたらすプラズマが発動される。シリコン含有化合物、ガス状共反応物質、および基板は、ここで先述したタイプのシリコン含有膜を形成するために十分な時間でプラズマに接触され得る。プラズマの発動の間に生成する励起種は非常に短い寿命を持ち、結果として、プラズマの停止の後に迅速に消失するであろう。したがって、プラズマの停止の後に、イナートガスによる反応チャンバーのパージが不要となり得る。この態様において、サイクルは、ことのき、シリコン含有化合物の1つのパルス、パージガスの1つのパルス、およびプラズマが発動される1つの工程で構成される。
シリコン含有膜を形成するための本開示による方法は、以下で詳細に記述される。
一つの態様において、本方法は少なくとも1つのガス状共反応物質および一般式(R1R2N)xSiH4-xのアミノシランの使用を含み、ここでxは1または2のいずれかであり、R1およびR2は独立にHまたはC1-C6の直鎖、分岐鎖もしくは環状炭素鎖であり、かつ、ALDプロセスを通じて例えば注入によって、連続またはパルスで独立に反応器に導入される。アミノシランは、ビス(ジエチルアミノ)シラン (BDEAS)、ビス(ジメチルアミノ)シラン (BDMAS)またはビス(トリメチルシリルアミノ)シラン (BITS)のようなアルキルアミノシランであり得る。アミノシランは基板の表面上に吸着される。イナートガスを用いて反応器からアミノシランを排除するために十分な時間のパージの後、酸素/オゾンガス混合物(典型的に、酸素中のオゾンが5〜20体積%)、酸素、水蒸気および/または過酸化水素(H2O2)、アンモニアまたはその組合せからなり得るガス状共反応物質がパルスで導入される。サイクルは、このとき、アミノシランの1つのパルス、パージガスの1つのパルス、ガス状共反応物質の1つのパルスおよびパージガスの1つのパルスで構成される。サイクルは、目的の厚さを得るために必要なだけ繰り返され得る。必要なサイクルの数は、与えられた実験条件で得られるサイクルあたりの蒸着速度を考慮に入れた目的とする厚さに依存し得、この開示の利益を有する当業者によって決定され得る。この態様において、蒸着温度は0.1〜100 Torr (13〜13300 Pa)の操作圧力で室温から500℃までであり得る。非常に低い炭素および水素含有量を有する高品質膜は、0.1〜10 Torr (13〜1330 Pa)の圧力下、200〜550℃で蒸着され得る。
他の態様において、ガス状共反応物質(例えば、アンモニア)は連続的に導入される。アミノシラン(例えばBDEAS)が順次導入され得、基板の表面上に化学吸着される。イナートガスを用いて、反応器から過剰なアミノシランを排除するために十分なパージ時間の後、プラズマが発動され、ラジカルのような励起種を発生させる。シリコン含有膜の形成に十分な時間の後、プラズマが停止される。プラズマの発動の間に生じた励起種は非常に短い寿命を持ち、結果としてプラズマの停止の後に迅速に消失するであろう。したがって、プラズマ停止の後に、イナートガスによる反応チャンバーのパージが不要となり得る。サイクルは、このとき、アミノシランの1つのパルス、パージガスの1つのパルス、およびプラズマが発動される1つの工程で構成される。
1つの態様において、基板上にシリコン含有膜を形成する方法は、少なくとも1つのガス状共反応物質および式LxSiH4-xを持つ少なくとも1つのアミノシランの使用を含み、ここでLはC3-C12の環状アミノ配位子であり、xは1または2のいずれかである。ガス状共反応物質およびアミノシランは、例えばALDプロセスを通じて注入されるように連続またはパルスで独立に反応器に導入される。一つの態様において、アミノシランはピペリジノシラン SiH3(pip)、ジピロリジノシラン SiH2(pyr)2、ジピペリジノシラン SiH2(pip)2またはピロシジノシラン SiH3(pyr)である。アミノシランは基板の表面上に吸着される。その後、イナートガスを使用して反応チャンバーからアミノシランを排除するために十分な時間で、イナートガスが反応チャンバーに導入され得る。ガス状共反応物質が、その後、反応チャンバーにパルスで導入され得る。ガス状共反応物質は、酸素/オゾンガス混合物(典型的に、酸素中のオゾンが5〜20体積%)、酸素、水蒸気および/または過酸化水素(H2O2)、アンモニアまたはその組合せからなり得る。サイクルは、このとき、アミノシランの1つのパルス、パージガスの1つのパルス、ガス状共反応物質の1つのパルス、パージガスの1つのパルスで構成される。サイクルは、目的とする厚さを得るために必要なだけ繰り返され得る。サイクルの数は、与えられた実験条件で得られるサイクルあたりの蒸着速度を考慮に入れた、目的とする厚さにより決定され得、この開示の利益を有する当業者によって決定され得る。蒸着温度は、0.1〜100 Torr (13〜13300 Pa)の操作圧力で室温から500℃までの低さにあり得る。非常に低い炭素および水素含有量を有する高品質膜は、0.1〜10 Torr (13〜1330 Pa)の圧力下、200〜550℃で蒸着され得る。
他の態様において、アンモニアで構成され得るガス状共反応物質が連続的に導入される。アミノシラン(例えば、SiH3(pip))が順次導入され、基板の表面上に化学吸着され、その後、反応チャンバーをパージするためにイナートガスが使用され得る。イナートガスは、反応器から過剰なアミノシランを排除するために十分な時間で存在する。イナートガスによるパージの後、プラズマが発動され、このようにしてラジカルのような励起種が生じる。層を形成するために十分な時間の後、プラズマが停止される。プラズマ発動の間に生じた励起種は非常に短い寿命を持ち、結果として、プラズマの停止の後に迅速に消失するであろう。したがって、プラズマの停止の後にイナートガスによる反応チャンバーのパージは不要となり得る。サイクルは、このとき、アミノシランの1つのパルス、パージガスの1つのパルス、プラズマ発動の1つの工程で構成される。
一つの態様において、基板上にシリコン含有膜を形成する方法は、少なくとも1つのガス状共反応物質および式(SiH3)2NRを持つ少なくとも1つのジシリルアミンの使用を含み、ここでRは独立にH、C1-C6の直鎖、分岐鎖もしくは環状炭素鎖であり、例えばALDプロセスを通じて、連続またはパルスで独立に反応チャンバーに導入される。一つの態様において、ジシリルアミンはジシリルエチルアミン (SiH3)2NEt、ジシリルイソプロピルアミン (SiH3)2N(iPr)またはジシリル第三ブチルアミン (SiH3)2NtBuである。ジシリルアミンは、基板の表面上に吸着される。ガス状共反応物質は、このようにして反応チャンバーにパルスで導入され得る。ガス状共反応物質は、酸素/オゾンガス混合物(典型的に、酸素中のオゾンが5〜20体積%)、酸素、水蒸気および/または過酸化水素(H2O2)、アンモニアまたはその組合せからなり得る。サイクルは、このとき、ジシリルアミンの1つのパルス、パージガスの1つのパルス、ガス状共反応物質の1つのパルスおよびパージガスの1つのパルスで構成される。サイクルは、目的とする厚さを得るために必要なだけ繰り返され得る。サイクルの数は、与えられた実験条件で得られたサイクルあたりの蒸着速度を考慮に入れた目的とする厚さにより決定され得、この開示の利益を有する当業者によって決定され得る。蒸着温度は、0.1〜100 Torr (13〜13300 Pa)の操作圧力で室温から500℃までの低さにあり得る。非常に低い炭素および水素含有量を有する高品質膜は、0.1〜10 Torr (13〜1330 Pa)の圧力下、200〜550℃で蒸着され得る。
他の態様において、ガス状共反応物質(例えば、アンモニア)が連続的に導入される。ジシリルアミン(例えば、(SiH3)2NEt)が順次導入され、基板の表面上に化学吸着され、その後、反応チャンバーをパージするためにイナートガスが使用され得る。イナートガスは、反応器から過剰なジシリルアミンを排除するために十分な時間で存在し得る。イナートガスによるパージの後、プラズマが発動され得、このようにしてラジカルのような活性種を生成し得る。シリコン含有膜の形成のために十分な時間の後、プラズマが停止される。プラズマの発動の間に生成した励起種は非常に短い寿命を持つので、結果として、プラズマの停止の後に迅速に消失するであろう。したがって、プラズマの停止の後にイナートガスによる反応チャンバーのパージが不要となり得る。サイクルは、このとき、ジシリルアミンの1つのパルス、パージガスの1つのパルス、およびプラズマ発動の1つの工程で構成される。
一つの態様において、基板上にシリコン含有膜を形成する方法はALD法において触媒の使用を伴い得、ガス状で供給される少なくとも1つの共反応物質および一般式(SiH3)xRのシラン(シラン、ジシラン、トリシラン、トリシリルアミン)の使用を含み、ここでxは1〜4で変わり得、RはH、N、O、SO3CF3、CH2、CH2-CH2、SiH2、SiHおよびSiからなる群より選択され、アミノシランは基板の表面上に吸着される。ガス状共反応物質は、このようにして反応チャンバーにパルスで導入され得る。ガス状共反応物質は、酸素/オゾンガス混合物(典型的に、酸素中のオゾンが5〜20体積%)、酸素、水蒸気および/または過酸化水素(H2O2)、アンモニアまたはその組合せからなり得る。サイクルは、このとき、シランの1つのパルス、パージガスの1つのパルス、ガス状共反応物質の1つのパルスおよびパージガスの1つのパルスで構成される。サイクルは、目的とする厚さを得るために必要なだけ繰り返され得る。サイクルの数は、与えられた実験条件で得られたサイクルあたりの蒸着速度を考慮に入れた目的とする厚さにより決定され得、この開示の利益を有する当業者によって決定され得る。蒸着温度は、0.1〜100 Torr (13〜13300 Pa)の操作圧力で室温から500℃までの低さにあり得る。非常に低い炭素および水素含有量を有する高品質膜は、0.1〜10 Torr (13〜1330 Pa)の圧力下、200〜550℃で蒸着され得る。
他の態様において、ガス状共反応物質は連続的に反応チャンバーに導入される。シランは順次導入され、基板の表面上に化学吸着され、その後、反応チャンバーをパージするためにイナートガスが使用され得る。イナートガスは、反応器から過剰なシランを排除するために十分な時間で存在し得る。イナートガスによるパージの後、プラズマが発動され得、このようにしてラジカルのような励起種を生成する。シリコン含有膜を形成するために十分な時間の後、プラズマが停止される。プラズマ発動の間に生成した励起種は非常に短い寿命を持ち、結果として、プラズマの停止の後に迅速に消失するであろう。したがって、プラズマの停止の後、イナートガスによる反応チャンバーのパージが不要となり得る。サイクルは、このとき、シランの1つのパルス、パージガスの1つのパルス、プラズマが発動される1つの工程で構成される。
図１を参照すると、ここで先述された膜形成方法において使用される膜形成装置10の模式図が示される。膜形成装置10は、反応チャンバー11、イナートガス供給源(例えば、窒素ガス)であるイナートガスシリンダ12、ガス状シリコン含有化合物の供給源であるシリコン含有ガス化合物ガスシリンダ13、および共反応物質シリンダ14を含む。一つの態様において、膜形成装置10は単葉ウェーハ装置として使用され得る。このような態様において、サセプタが反応チャンバー11内に配置され得、1つの半導体基板、例えばシリコン基板がその上にマウントされ得る。特定の反応温度まで半導体基板を加熱するために、ヒーターがサセプタ内に提供され得る。代替の態様において、膜形成装置10が、バッチ型装置として使用され得る。このような態様において、反応チャンバー11内に5〜200の半導体基板が保持され得る。バッチ型装置中のヒーターは、単葉ウェーハ装置におけるヒーターとは異なる構造を持ち得る。
窒素ガスシリンダ12は、反応チャンバー11とラインL1を介して流体連通している。閉鎖バルブV1および流量コントローラ、例えばマスフローコントローラMFC1がL1中に配置される。閉鎖バルブV2もラインL1中に配置され、かつ反応チャンバー11と流体連通している。
反応チャンバーは、排気ラインL2を介して真空ポンプPMPとも流体連通している。圧力計PG1、背圧制御のためのバタフライバルブBV、および閉鎖バルブV3がラインL2中に配置される。真空ポンプPMPは、ラインL3を介して解毒装置15と流体連通している。解毒装置15は、例えば、ガス種およびその水準に関係した燃焼型の解毒装置であるか、または乾燥型の解毒装置であり得る。
シリコン含有化合物ガスシリンダ13はラインL4を介してラインL1と流体連通しており、ラインL4は、閉鎖バルブV2とマスフローコントローラMFC1の間でラインL1と接続する。閉鎖バルブV4、マスフローコントローラMFC2、圧力計PG2、および閉鎖バルブV5がラインL4中に配置される。シリコン含有化合物ガスシリンダ13は、ラインL4および分岐ラインL4’を介してラインL2とも流体連通している。分岐ラインL4’は、真空ポンプPMPと閉鎖バルブV3との間でラインL2と接続する。閉鎖バルブL5’は分岐ラインL4’中に配置される。閉鎖バルブV5およびV5’の状態は、一方が開かれる場合に他方が閉じられるように同調される。
共反応物質シリンダ14は、ラインL5を介して高反応性分子の発生装置16と流体連通される。閉鎖バルブV6およびマスフローコントローラMFC3がラインL5中に配置される。発生装置16はラインL6を介してラインL1と流体連通しており、ラインL6は閉鎖バルブV2とマスフローコントローラMFC1との間でラインL1と接続する。高反応性分子の濃度センサーOCS、圧力計PG3、および閉鎖バルブV7がラインL6中に配置される。発生装置16は、ラインL6および分岐ラインL6’を介してラインL2とも流体連通している。分岐ラインL6’は、真空ポンプPMPと閉鎖バルブV3との間でラインL2と接続する。閉鎖バルブV7’は、分岐ラインL6’中に配置される。閉鎖バルブV7とV7’の状態は、一方が開かれた場合に他方が閉じられるように同調される。
発生装置16は、ラインL6中に流れる共反応物質と高反応性分子との混合ガスを発生させる。一定の共反応物質ガスの供給流量での混合ガス中の高反応性分子濃度の制御は、発生装置16に適用される圧力および出力に依存する。したがって、高反応性分子濃度は、高反応性分子濃度センサーOCSによって高反応性分子濃度を測定し、この測定値に基づいて、発生装置16に適用される出力および容器圧力を制御することによって制御される。
一つの態様において、膜形成装置10を使用したシリコン含有膜を形成する方法が記述される。一般に、本方法は以下の、窒素ガスパージ工程、シリコン含有化合物ガスのパルス工程、他の窒素ガスパージ工程、および共反応物質混合ガスのパルス工程を含む。
一つの態様において、窒素ガスパージ工程は、処理基板、例えば半導体ウェーハを反応チャンバー11内のサセプタ上にマウントし、半導体ウェーハをサセプタ中に組込まれた温度調節装置を用いて50〜400℃の温度まで加熱することによって開始する。図１は、窒素ガスパージ工程の間の、膜形成装置10の構造を示す。図１に示すように、閉鎖バルブV5およびV7は閉じられ、他の閉鎖バルブV1〜V4、V6、V5’、およびV7’は全て開かれる。閉じられた調節バルブは図１において縞模様で示される一方で、開いた調節バルブは白で示される。今後、閉鎖バルブの状態は以下の記述において同じ方法で示される。
真空ポンプPMPを稼動させることによって排気ラインL2を通して反応チャンバー11内のガスを排気する一方で、ラインL1を通して窒素ガスシリンダ12から反応チャンバー11中に窒素ガスが導入される。窒素ガスの供給流量は、マスフローコントローラMFC1によって制御される。したがって、窒素ガスパージは、反応チャンバー11の内部が窒素で置換されるように、所望の真空度(例えば、0.1〜1000 torr)で反応チャンバー11内のガスを排出し、反応チャンバー11中に窒素ガスを供給することによって実行される。
窒素ガスパージ工程の間、シリコン含有化合物ガスは、マスフローコントローラMFC2によって制御された供給流量で、シリコン含有化合物ガスシリンダ13からラインL4中に連続的に供給される。Si含有化合物ガスが反応チャンバー11中には供給されるのではなく、ラインL4およびL4’を通して排気ラインL2中に供給されることによって排気されるように、閉鎖バルブV5が閉じられ、閉鎖バルブV5’は開かれる。
さらに、窒素ガスパージ工程の間、ガス状で供給される少なくとも1つの共反応物質が、ラインL5を通してシリンダ14から発生装置16へと連続的に供給され、マスフローコントローラMFC3によって制御された供給流量で、不安定な分子(例えば、オゾン、ヒドラジン)を発生させる。所望される出力レベルが発生装置16に適用され、所望の濃度で不安定な分子を含有したガス状で供給される少なくとも1つの共反応物質(混合ガス)が、発生装置16からラインL6中に供給される。不安定な分子の水準は、不安定な分子とガス状で供給される少なくとも1つの共反応物質との混合ガスが流れるラインL6中に与えられた濃度センサーOCSによって測定される。一つの態様において、反応チャンバーは、反応チャンバー中で不安定な分子(例えば、ラジカル)を生成するためのデバイスを含む。例えば、反応チャンバーは、活性化されたときに反応チャンバー内でプラズマを発生する1つ以上のプラズマ源を含み得る。さらには、プラズマ源は、プラズマ出力が、使用者および/またはプロセスが所望する値に調節され得るように、調節可能な出力供給を持ち得る。このようなプラズマ源および出力供給は、当業者に既知のものである。発生装置16の適用される出力および容器圧力のフィードバック制御は、得られた測定値に基づいて実行される。混合ガスが反応チャンバー11に供給されずに、ラインL6およびL6’を通して排気ラインL2に供給されることによって排気されるように、閉鎖バルブV7が閉じられ、かつ閉鎖バルブV7’が開かれる。
図２は、Si含有化合物ガスパルスの工程の開始時の、膜形成装置10の構造を示す。閉鎖バルブV5’が閉じられ、この操作に同調して、閉鎖バルブV5が開かれる。所望の時間の後、これらの閉鎖バルブV5およびV5’それぞれの状態が逆になる。閉鎖バルブV5が開かれる間、シリコン含有化合物ガスシリンダ13からのシリコン含有化合物ガスが、流量を制御された元でラインL4からラインL1に供給され、窒素ガスと共に反応チャンバー11中にパルス送出される。このパルスは、反応チャンバー11中のサセプタ上にマウントされた半導体ウェーハの加熱された表面上に、シリコン含有化合物のほぼ単分子の層の吸着をもたらす。
シリコン含有化合物ガスのパルスが供給された後、窒素ガスのパージが、図１に示されるように閉鎖バルブＶ5を閉じ、かつ閉鎖バルブV5’を開くことによって実行される。窒素ガスパージの後、反応チャンバー11中に残った未反応シリコン含有化合物が窒素ガスによって排出され、反応チャンバー11の内部は再び窒素ガスで置換される。
図３は、共反応物質混合ガスパルスの開始時の、膜形成装置10の構造を示す。閉鎖バルブV7’が閉じられ、この操作に同調して閉鎖バルブV7’が開かれる。所望の時間の後、これらの閉鎖バルブV7およびV7’の各々の状態が逆になる。閉鎖バルブV7が開かれている間、不安定な分子および少なくとも1つのガス状共反応物質の混合ガスが、ラインL6からラインL1中に供給され、窒素ガスと共に反応チャンバー11中にパルス送出される。このパルスの結果、反応チャンバー11中のサセプタ上にマウントされた半導体ウェーハの加熱された表面上に吸着されたシリコン含有化合物が、不安定な分子および少なくとも1つのガス状共反応物質の混合ガスと反応する。シリコン含有化合物と、不安定な分子および少なくとも1つの共反応物質の混合ガスとの反応は、半導体ウェーハの表面上に、ほぼ単分子層の形態にあるシリコン含有膜の形成をもたらす。
1) 窒素ガスパージ、2) シリコン含有化合物ガスのパルス、3) 窒素ガスパージ、および4) 共反応物質混合ガスのパルスの工程を含むサイクルを繰り返すことによって、所望の厚さのシリコン含有膜が、半導体ウェーハの表面上に形成される。共反応物質混合パルスの供給の後、図１に示すように、閉鎖バルブV7を閉じ、かつ閉鎖バルブV7’を開くことによって、窒素ガスパージが実行される。窒素ガスパージの後、反応チャンバー11中に残った反応副生成物、ならびに不安定な分子およびガス状で供給される少なくとも1つの共反応物質が、窒素ガスパージによって排出され、反応チャンバー11の内部が再び窒素ガスで置換される。
上記したように、室温でガス状であるシリコン含有化合物は、例えば、図１〜３に示される膜形成装置を使用した形成のために使用される。代替の態様において、BDEASのような、室温で液体であるシリコン含有化合物が使用され得る。このような態様において、ガス状シリコン含有化合物は、バブラー法を用いて反応チャンバー11中にさらに導入され得る。例えばバブラーは、図１〜３に示されるシリコン含有化合物ガスシリンダ13の代わりに提供され得る。バブラーは、窒素ガス運搬ラインL1中のバルブV1の上流から分岐する分岐ラインに接続され得、ここで、ここで先述された方法が実行され得るように、ガスシリンダ12からの窒素が液体シリコン含有化合物を通してバブリングされ、反応チャンバー11に供給される。
一つの態様において、1つの反応物質が連続的に導入され得る一方で、他方はパルスで導入され得る(パルスCVD法)。このような態様において、ほぼ単分子層の形態にあるシリコン含有膜(例えば酸化シリコン膜)の形成が、最初にシリコン含有化合物の吸着を誘起することによって生じる。これは、ここで先述したように加熱されている処理基板の表面上に、シリコン含有化合物ガスのパルスを供給することによって達成される。イナートガス(例えば、窒素ガス)は、その後、共反応物質混合ガス(例えば、オゾン+酸素混合ガス)のパルスの供給に先立って、反応チャンバーをパージするために使用される。混合ガス中のオゾンの強力な酸化作用による処理基板の表面上に吸着されたシリコン含有化合物の完全な酸化は、ほぼ単分子層の形態にあるシリコン含有膜(例えば、酸化シリコン膜)の形成を可能にする。さらに、酸化反応の後のイナートガスパージ(例えば、窒素ガスパージ)は、形成された酸化シリコン膜によって反応チャンバー内に水蒸気が吸着されることを防止し得る。
図４は、ここで開示されたタイプの(SiO2層のような)シリコン含有層を含む金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ100の側面図を示す。MOSトランジスタ100は、ウェーハ107、ドレーン105、ソース106、ゲート101、金属電極102およびシリコン含有膜103を含む。ウェーハ107上で、ゲート101がドレーン105およびソース106の間、かつその上に配置される。金属電極102はゲート101の上に堆積される。SiO2膜のようなシリコン含有膜103は、ゲート101および金属ゲート電極102の外側端に接して配置される。シリコン含有膜103は、ソース106およびドレーン105の上面にも配置される。
一つの態様において、ここで開示された方法は、特に注入毎の間に窒素パージを伴うALDプロセスを用いて蒸着される場合に、非常に高度な共形性 (すなわち、トレンチの頂部および底部に均一な膜を蒸着させる能力)を持つシリコン含有膜の生成をもたらす。このような膜は、ギャップ充填用途、またはダイナミックランダムアクセスメモリDRAMについてのキャパシタ電極に有用であろう。すなわち、このような膜は表面の空隙を充填し、均一なSi含有膜を提供する。
本発明の種々の具体例をさらに説明するために、以下の例が提供される。
例
図１〜３に示す膜形成装置10が以下の例１A-Fにおいて使用された。
例１A
シリコンウェーハが反応チャンバー11中のサセプタ上に配置され、500℃まで加熱された。以下の条件を用いて、1) 窒素ガスパージ、2) シリコン含有化合物ガスのパルス、3) 窒素ガスパージ、および4) ここで先述されたオゾン+酸素混合ガスのパルスの工程を含むサイクルを繰り返すことによって、酸化シリコン膜が形成された。
1) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・窒素ガス供給の流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6 秒
2) シリコン含有化合物ガスのパルス
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・Si化合物ガス：ビス(ジエチルアミノ)シラン (BDEAS)のガス
・BDEASガス供給流量：2 sccm
・BDEASのパルス時間：1秒
3) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・窒素ガス供給流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6秒
4) オゾン+酸素混合ガスのパルス
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・オゾン+酸素混合ガス(5 %オゾン濃度)の供給流量：20 sccm
・混合ガスのパルス時間：2秒。
例１B
シリコンウェーハが反応チャンバー11中のサセプタ上に配置され、550℃まで加熱された。以下の条件を用いて、1) 窒素ガスパージ、2) シリコン含有化合物ガスのパルス、3) 窒素ガスパージ、および4) ここで先述されたヒドラジン+アンモニア混合ガスのパルスの工程を含むサイクルを繰り返すことによって、窒化シリコン膜が形成された。
1) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・窒素ガス供給流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6秒
2) シリコン含有化合物ガスのパルス
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・シリコン含有ガス化合物ガス：ビス(ジエチルアミノ)シラン (BDEAS)のガス
・BDEASガス供給流量：2 sccm
・BDEASのパルス時間：1秒
3) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・窒素ガス供給流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6秒
4) ヒドラジン+アンモニア混合ガスのパルス
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・ヒドラジン+アンモニア混合ガス(3 %オゾン濃度)の供給流量：20 sccm
・混合ガスパルス時間：2秒。
例１C
シリコンウェーハが反応チャンバー11中のサセプタ上に配置され、500℃まで加熱された。以下の条件を用いて、1) 窒素ガスパージ、2) シリコン含有化合物ガスのパルス、3) 窒素ガスパージ、および4) ここで先述された、プラズマをオンにしている間の酸素パルスの工程を含むサイクルを繰り返すことによって、酸化シリコン膜が形成された。
1) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・窒素ガス供給流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6秒
2) シリコン含有化合物ガスのパルス
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・Si化合物ガス：ビス(ジエチルアミノ)シラン (BDEAS)のガス
・BDEASガス供給流量：2 sccm
・BDEASのパルス時間：1秒
3) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・窒素ガス供給流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6秒
4) 酸素パルス
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・酸素混合ガスの供給流量：20 sccm
・酸素パルス時間：2秒
・プラズマ出力：100 W。
例１D
シリコンウェーハが反応チャンバー11中のサセプタ上に配置され、550℃まで加熱された。以下の条件を用いて、1) 窒素ガスパージ、2) シリコン含有化合物ガスのパルス、3) 窒素ガスパージ、および4) ここで先述された、プラズマをオンにしている間のアンモニアパルスの工程を含むサイクルを繰り返すことによって、窒化シリコン膜が形成された。
1) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・窒素ガス供給流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6秒
2) シリコン含有化合物ガスのパルス
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・シリコン含有化合物ガス：ビス(ジエチルアミノ)シラン (BDEAS)のガス
・BDEASガス供給流量：2 sccm
・BDEASのパルス時間：1秒
3) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・窒素ガス供給流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6秒
4) アンモニアパルス
・反応チャンバー内の圧力：3 torr
・アンモニアの供給流量：20 sccm
・混合ガスのパルス時間：2秒
・プラズマ出力：350 W。
例１E
シリコンウェーハが反応チャンバー11中のサセプタ上に配置され、150℃まで加熱された。以下の条件を用いて、1) シリコン含有化合物ガスのパルス、2) 窒素ガスパージ、および3) ここで先述された、プラズマをオンにする工程を含むサイクルを繰り返すことによって、酸化シリコン膜が形成された。
1) シリコン含有化合物ガスのパルス
・反応チャンバー内の圧力：1 torr
・シリコン含有化合物ガス：ビス(ジエチルアミノ)シラン (BDEAS)のガス
・BDEASガスの供給流量：2 sccm
・BDEASパルス時間：1秒
2) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：1 torr
・窒素ガスの供給流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6秒
3) プラズマオン
・反応チャンバー内の圧力：1 torr
プラズマオンの時間：2秒
・プラズマ出力：100 W。
例１F
シリコンウェーハが反応チャンバー11中のサセプタ上に配置され、500℃まで加熱された。以下の条件を用いて、1) シリコン含有化合物ガスのパルス、2) 窒素ガスパージ、および3) ここで先述されたプラズマをオンにする工程を含むサイクルを繰り返すことによって、窒化シリコン膜が形成された。
1) シリコン含有化合物ガスのパルス
・反応チャンバー内の圧力：1 torr
・シリコン含有化合物ガス：ビス(ジエチルアミノ)シラン (BDEAS)のガス
・BDEASガスの供給流量：2 sccm
・BDEASのパルス時間：1秒
2) 窒素ガスパージ
・反応チャンバー内の圧力：1 torr
・窒素ガス供給の流量：130 sccm
・窒素ガスパージ時間：6秒
3) プラズマオン
・反応チャンバー内の圧力：1 torr
・プラズマオンの時間：2秒
・プラズマ出力：350 W。
例２A-F
例１A-Fに記載したものと類似の方法を用いてシリコン含有膜が形成されたが、400℃まで加熱された反応チャンバー11内のサセプタ上にシリコンウェーハを配置することによって、シリコンウェーハが加熱された。
例３A-F
例１A-Fに記載したものと類似の方法を用いてシリコン含有膜が形成されたが、300℃まで加熱された反応チャンバー11内のサセプタ上にシリコンウェーハを配置することによって、シリコンウェーハが加熱された。
シリコン含有膜の厚さは、例１〜３のサイクルごとに測定された(例１は50サイクル実行された)。シリコン含有膜は、例１〜３において、インキュベーション時間無しで良好な厚さ制御をもって、およそ0.8〜1.5 Å/サイクルの速度で形成することができた。
さらに、200サイクル(基板温度：300℃)の後の例３で作られたシリコン含有膜についてFT-IR分析が実施された。
例４
BDEASおよびオゾンを用いたSiO2膜のALD蒸着が検討された。図１〜３に示したような膜形成装置を用いて、BDEASおよびオゾン/酸素の混合物を用いたALDによって、シリコンおよびイリジウム上に、膜が首尾良く蒸着された。
チャンバーは、通常のヒーターによって加熱された高温壁反応器であった。オゾン発生器がオゾンを発生させ、その濃度0.01 MPaGでおよそ150 g/m3であった。BDEAS (ビス(ジメチルアミノ)シラン、SiH2(NEt2)2)が、イナートガス(窒素)を液体アミノシラン中にバブリングすることによって、反応チャンバー11に導入された。実験条件は以下のとおりであった。
・7.0 sccm O3
・93 sccm O2
・BDEAS：1 sccm (1〜7 sccmの範囲)
・N2：50 sccm
・温度範囲200〜400℃
・操作圧力：1 Torr (0.1〜5 Torrの範囲)
・パージおよびパルス時間は各々、典型的に5 秒に設定された
・サイクルの数は、典型的には600サイクルに設定された。
蒸着速度、蒸着温度、膜品質、および膜組成のような膜の特徴を決定するための実験が実施された。
SiO2膜が、200℃、250℃、300℃、350℃、および400℃でSiウェーハ上に蒸着された。蒸着された膜は、詳細なオージェ分析によれば、炭素または窒素を含んでいなかった。
SiO2膜の蒸着のためのサイクルの数は変わり得(例えば、350、600、および900サイクルの蒸着試験)、蒸着されたSiO2膜を検査したところ、インキュベーション時間が無視できるほどであった。金属電極の起こり得る酸化を観察するために、イリジウム上への蒸着が実施された。オージェプロファイルは、ALD SiO2とイリジウム基板の間のはっきりとした界面を示し、このことは、金属の酸化が無いことを示唆した。
例５
シリルピロリジンおよびオゾンを使用したSiO2膜のALD蒸着が、例４に記載したものと類似の条件を使用して検討された。高品質膜が、1 Torr、300〜350℃で、1.6 Å/サイクルの蒸着速度で得られた。
例６
ジエチルアミノシランおよびオゾンを使用したSiO2膜のALD蒸着が、例４に記載したものと類似の条件を使用して検討された。高品質膜が、1 Torr、250〜300℃で、1.4 Å/サイクルの蒸着速度で得られた。
例７
シリルピロリジンおよびヒドラジンを使用したSiN膜のALD蒸着が検討された。シリルピロリジン、N2、およびヒドラジン/アンモニア混合物を交互に導入することによるALDを使用して、シリコンウェーハ上に膜が首尾良く蒸着された。
チャンバーは、通常のヒーターによって加熱された高温壁管状反応器であった。シリルピロリジンが、イナートガス(窒素)を液体アミノシラン中にバブリングすることによって、炉に導入された。実験条件は以下のとおりであった。
・3.2 sccmヒドラジン
・96.8 sccmアンモニア
・シリルピロリジン：1 sccm
・N2：50 sccm
・300〜550℃の温度範囲
・操作圧力：1 Torr (0.1〜5 Torrの範囲)
・パージおよびパルス時間は各々、典型的に5秒に設定された
・サイクルの数は典型的に600サイクルに設定された。
SiN膜はシリコンウェーハ上で得られ、詳細なオージェ分析によれば、酸素または窒素を含んでいなかった。
例８
BDEASおよびアンモニアを用いたSiN膜のプラズマ強化ALD (PEALD)が検討された。連続的にアンモニアを流し、かつ、BDEASの導入、N2によるパージ、およびプラズマ出力のオンを交互にするALDを使用して、膜がシリコン上に首尾良く蒸着された。アンモニア由来種は、プラズマの消失の後に非常に短い寿命を有するので、プラズマがオフにされた後にパージが不要であり、それによりサイクル時間が短縮され、スループットが向上する。
チャンバーは、市販の6”PEALD反応器であった。BDEASは、イナートガス(窒素)を液体アミノシラン中にバブリングすることによって炉に導入された。実験条件は以下のとおりであった。
・100 sccmアンモニア
・BDEAS：1 sccm
・N2：50 sccm
・300〜550℃の温度範囲
・操作圧力：1 Torr
・プラズマ出力：350 W
・パージおよびパルス時間は各々、典型的に5秒に設定された
・サイクルの数は典型的に400サイクルに設定された。
SiN膜がシリコンウェーハ上に得られ、詳細なオージェ分析によれば、炭素または窒素含んでいなかった。
例９
BDEASおよび酸素を用いたSiO2膜のPEALD蒸着が検討された。酸素を連続的に流し、かつ、BDEASの導入、N2によるパージ、およびプラズマをオンにすることを交互にするALDを用いて、シリコン上に膜が首尾良く蒸着された。酸素由来種はプラズマの消失後に非常に短い寿命を有するので、プラズマがオフにされた後にパージが不要であり、サイクル時間を短縮し、それ故にスループットが向上する。
チャンバーは市販の6”PEALD反応器であった。BDEASは、イナートガス(窒素)を液体アミノシラン中にバブリングすることによって炉に導入された。実験条件は以下のとおりであった。
・O2：100 sccm
・BDEAS：1 sccm
・N2：50 sccm
・100〜400℃の温度範囲
・操作圧力：1 Torr
・プラズマ出力：100 W
・パージおよびパルス時間は各々、典型的に5秒に設定された
・サイクルの数は典型的に400サイクルに設定された。
SiO2膜がシリコンウェーハ上に得られ、詳細なオージェ分析によれば炭素および窒素を含んでいなかった。
例１０
BDEASおよび窒素を使用したSiN膜のPEALD蒸着が検討された。窒素を連続的に流し、かつ、BDEASの導入、N2によるパージ、プラズマ出力をオンにすることを交互にするALDを用いて、シリコン上に膜が首尾良く蒸着された。窒素由来種はプラズマの消失後に非常に短い寿命を有するので、プラズマがオフにされた後にパージが不要であり、サイクル時間を短縮し、それ故にスループットが向上する。
チャンバーは市販の6”PEALD反応器であった。BDEASは、イナートガス(窒素)を液体アミノシラン中にバブリングすることによって炉に導入された。実験条件は以下のとおりであった。
・BDEAS：1 sccm
・N2：150 sccm
・300〜550℃の温度範囲
・操作圧力：1 Torr
・プラズマ出力：450 W
・パージおよびパルス時間は典型的に各々5秒に設定された
・サイクルの数は典型的に500サイクルに設定された。
SiN膜がシリコンウェーハ上に得られ、詳細なオージェ分析によれば、炭素または窒素を含んでいなかった。
例１１
シリルピロリジンおよびH2O2を用いたSiO2膜のCVD蒸着が検討された。以下の条件を用いて、シリルピロリジンおよびH2O2を連続的に流すことによるCVDを用いて膜をシリコン上に首尾良く蒸着した。
・シリルピロリジン：1 sccm
・H2O2：10 sccm
・N2：20 sccm
・100〜500℃の温度範囲
・操作圧力：300 Torr。
SiO2膜がシリコンウェーハ上に得られ、詳細なオージェ分析によれば、炭素または窒素を含んでいなかった。
本発明の態様が示され、記載されているが、その変更は、発明の精神および教示から離れることなく当業者によってなされ得る。記載された態様およびここで与えられた例は例示に過ぎず、限定を意図したものではない。ここで開示された本発明の多くの変形および変更が可能であり、それは本発明の範囲内にある。したがって、保護範囲は先述した記載によって限定されるのではなく、請求項の対象の全ての均等物を含む範囲を伴う請求項によって限定されるだけである。

Claims (33)

  1. シリコン含有膜を形成する方法であって、
    a) 反応チャンバーに基板を供給すること、
    b) 前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、
    c) 前記反応チャンバー中に、少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、
    d) 前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ること
    を含む方法。
  2. 前記シリコン含有化合物は、アミノシラン、ジシリルアミン、シラン、またはその組合せを含む請求項１の方法。
  3. 前記アミノシランは、式(R1 R2 N)x SiH4-xを持つ化合物を含み、ここでR1およびR2は独立にH、C1-C6の直鎖、分岐鎖もしくは環状炭素鎖であるか、またはトリメチルシリルのようなシリル基であり、xは1または2のいずれかである請求項２の方法。
  4. 前記アミノシランは、式SiH4-xを持つ化合物を含み、ここでLはC3-C12の環状アミノ配位子であり、xは1または2のいずれかである請求項２の方法。
  5. 前記ジシリルアミンは、式(SiH3)2NRを持つジシリルアミン化合物を含み、ここでRは独立にH、C C1-C6の直鎖、分岐鎖または環状炭素鎖である請求項２の方法。
  6. 前記シランは、式(SiH3)nRを持つ化合物を含み、ここでnは1〜4に含まれ、RはH、N、NH、O、SO3CF3、CH2、C2H4、SiH2、SiHおよびSiからなる群より選択される請求項２の方法。
  7. 前記共反応物質が、酸素含有ガス、窒素含有ガス、酸素と窒素の両方を含むガス、または酸素と窒素の両方を含むガスの混合物を含む請求項１の方法。
  8. 前記酸素含有ガスが、オゾン、酸素、水蒸気、過酸化水素、またはその組合せを含む請求項７の方法。
  9. 前記窒素含有ガスが、アンモニア、窒素、ヒドラジンまたはその組合せを含む請求項７の方法。
  10. 前記ガスの混合物が、アンモニアおよび酸素を含む請求項７の方法。
  11. 前記共反応物質が一酸化窒素を含む請求項１の方法。
  12. 酸素ラジカルまたは窒素ラジカルを含む共反応物質を発生させることをさらに含む請求項１の方法。
  13. 前記共反応物質の発生が、酸素ラジカルまたは窒素ラジカルの発生に適切な条件下で、酸素含有化合物または窒素含有化合物をプラズマに暴露することを含む請求項１２の方法。
  14. 工程a、b、c、dまたはその組合せの後に、イナートガスで前記反応チャンバーをパージすることをさらに含む請求項１の方法。
  15. 前記イナートガスが、窒素、アルゴン、ヘリウム、またはその組合せを含む請求項１４の方法。
  16. 所望のシリコン含有膜の厚さが得られるまで工程b)〜d)を繰り返すことをさらに含む請求項１の方法。
  17. 工程b)、c)、および/またはd)の実行に先立って、前記反応チャンバー中に導入した後に前記基板を加熱することをさらに含む請求項１の方法。
  18. 前記基板が、前記反応チャンバーの温度以下の温度まで加熱される請求項１７の方法。
  19. 前記基板が、半導体デバイスの製造のために使用されるシリコンウェーハ(またはSOI)、その上に堆積される層、液晶ディスプレイデバイスの製造に使用されるガラス基板、またはその上に堆積される層を含む請求項１の方法。
  20. 工程b)、c)または両方が、前記少なくとも1つの化合物および/またはガスの不連続的な注入によって実行される請求項１の方法。
  21. パルス化学気相蒸着または原子層蒸着が前記反応チャンバー中で実行される請求項１の方法。
  22. 前記シリコン含有化合物および前記ガス状共反応物質の同時の注入が前記反応チャンバー中で実行される請求項１の方法。
  23. 前記シリコン含有化合物および前記ガス状共反応物質の交互の注入が前記反応チャンバー中で実行される請求項１の方法。
  24. 前記シリコン含有化合物または前記ガス状共反応物質が、他の化合物および/または少なくとも1つのガス状共反応物質の注入に先立って前記基板の表面上に吸着される請求項１の方法。
  25. 前記シリコン含有膜が、1 Å/サイクル以上の蒸着速度で形成される請求項１の方法。
  26. 前記反応チャンバーの圧力が0.1〜1000 torr (13〜1330 kPa)である請求項１の方法。
  27. 前記ガス状共反応物質が、酸素に対するオゾンの比率が20体積%未満である酸素およびオゾンを含むガス混合物である請求項１の方法。
  28. 前記ガス状共反応物質が、アンモニアに対するヒドラジンの比率が15体積%未満であるアンモニアおよびヒドラジンを含むガス混合物である請求項１の方法。
  29. 前記シリコン含有化合物が、トリシリルアミン(TSA) (SiH3)3N、ジシロキサン(DSO) (SiH3)2、ジシリルメチルアミン(DSMA) (SiH3)2NMe、ジシリルエチルアミン(DSEA) (SiH3)2NEt、ジシリルイソプロピルアミン(DSIPA) (SiH3)2N(iPr)、ジシリル第三ブチルアミン(DSTBA) (SiH3)2N(tBu)、ジエチルアミノシランSiH3NEt2、ジイソプロピルアミノシランSiH3N(iPr)2、ジ-第三ブチルアミノシランSiH3N(tBu)2、シリルピペリジンまたはピペリジノシランSiH3(pip)、シリルピロリジンまたはピロリジノシランSiH3(pyr)、ビス(ジエチルアミノ)シラン(BDEAS) SiH2(NEt2)2、ビス(ジメチルアミノ)シラン(BDMAS) SiH2(NMe2)2、ビス(tert-ブチルアミノ)シラン(BTBAS) SiH2(NHtBu)2、ビス(トリメチルシリルアミノ)シラン(BITS) SiH2(NHSiMe3)2、ビスピペリジノシランSiH2(pip)2、ビスピロリジノシランSiH2(pyr)2、シリルトリフラートSiH3(OTf)、ジトリフラートシランSiH2(OTf)2、またはその組合せからなる群より選択される化合物を含む請求項１の方法。
  30. 前記反応チャンバー中でプラズマを発生させることをさらに含む請求項１の方法。
  31. 前記反応チャンバーにラジカルを供給すること、前記反応チャンバー中でラジカルを発生させること、またはその両方をさらに含む請求項１の方法。
  32. 窒化シリコン膜を調製する方法であって、
    シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、
    シリコン含有化合物を前記反応チャンバーに導入すること、
    前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および
    窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコン膜の単分子層を形成するために適切な条件下で前記反応チャンバーに導入すること
    を含む方法。
  33. 酸化シリコン膜を調製する方法であって、
    シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、
    シリコン含有化合物を前記反応チャンバーに導入すること、
    前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および
    酸素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に酸化シリコン膜の単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入すること
    を含む方法。
JP2010525945A 2007-09-18 2008-09-18 シリコン含有膜を形成する方法 Pending JP2010539730A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US97321007P 2007-09-18 2007-09-18
PCT/US2008/076810 WO2009039251A1 (en) 2007-09-18 2008-09-18 Method of forming silicon-containing films

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010539730A true JP2010539730A (ja) 2010-12-16

Family

ID=40010952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010525945A Pending JP2010539730A (ja) 2007-09-18 2008-09-18 シリコン含有膜を形成する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090075490A1 (ja)
EP (1) EP2193541A1 (ja)
JP (1) JP2010539730A (ja)
KR (2) KR20150036815A (ja)
CN (1) CN101889331A (ja)
TW (1) TWI489547B (ja)
WO (1) WO2009039251A1 (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012248844A (ja) * 2011-05-24 2012-12-13 Air Products & Chemicals Inc 有機アミノシラン前駆体、並びにその製造方法及び使用方法
US8357619B2 (en) 2008-02-01 2013-01-22 Tokyo Electron Limited Film formation method for forming silicon-containing insulating film
KR20130053273A (ko) * 2011-11-15 2013-05-23 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 그 동작 방법
JP2013236073A (ja) * 2012-04-12 2013-11-21 Air Products & Chemicals Inc 酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積
JP2014007378A (ja) * 2012-06-02 2014-01-16 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置
JP2014523638A (ja) * 2011-06-03 2014-09-11 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法
KR20150079470A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 램 리써치 코포레이션 펄싱된 플라즈마 노출을 사용하여 플라즈마 강화된 원자층 증착
KR101842901B1 (ko) * 2011-10-18 2018-03-29 삼성전자주식회사 반도체 장치의 형성방법
JP2018518598A (ja) * 2015-03-30 2018-07-12 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ケイ素と窒素とを含有する薄膜を形成するための蒸着プロセス
KR20190049906A (ko) * 2011-09-23 2019-05-09 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 플라즈마 활성화된 컨포멀 유전체 막 증착
US10361076B2 (en) 2010-04-15 2019-07-23 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US10559468B2 (en) 2010-04-15 2020-02-11 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US10679848B2 (en) 2016-07-01 2020-06-09 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10741458B2 (en) 2012-11-08 2020-08-11 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing films on sensitive substrates
US10804099B2 (en) 2014-11-24 2020-10-13 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10957514B2 (en) 2016-06-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
WO2021241152A1 (ja) * 2020-05-29 2021-12-02 大陽日酸株式会社 混合ガス供給装置、金属窒化膜の製造装置、及び金属窒化膜の製造方法
JP2022516238A (ja) * 2018-12-21 2022-02-25 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ５５０℃以上の温度でＡＬＤを使用してＳｉ含有膜を堆積させるための前駆体及びプロセス
US11646198B2 (en) 2015-03-20 2023-05-09 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US12040181B2 (en) 2019-05-01 2024-07-16 Lam Research Corporation Modulated atomic layer deposition

Families Citing this family (403)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261434A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法
US7875556B2 (en) * 2005-05-16 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films
US7875312B2 (en) * 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US8530361B2 (en) 2006-05-23 2013-09-10 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors
US8232176B2 (en) 2006-06-22 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill
US7867923B2 (en) * 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US8357435B2 (en) * 2008-05-09 2013-01-22 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
JP5616591B2 (ja) * 2008-06-20 2014-10-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US20100081293A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8765233B2 (en) * 2008-12-09 2014-07-01 Asm Japan K.K. Method for forming low-carbon CVD film for filling trenches
EP2406267B1 (en) * 2009-03-10 2019-02-20 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Cyclic amino compounds for low-k silylation
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8980382B2 (en) * 2009-12-02 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films
US8741788B2 (en) * 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101732187B1 (ko) * 2009-09-03 2017-05-02 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 플라즈마 강화된 화학기상 증착법에 의해 규소-질소 결합을 갖는 등각성 유전체 막을 형성하는 방법
US8449942B2 (en) * 2009-11-12 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Methods of curing non-carbon flowable CVD films
US20110159213A1 (en) * 2009-12-30 2011-06-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition improvements through radical-component modification
US8629067B2 (en) * 2009-12-30 2014-01-14 Applied Materials, Inc. Dielectric film growth with radicals produced using flexible nitrogen/hydrogen ratio
US8329262B2 (en) 2010-01-05 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Dielectric film formation using inert gas excitation
SG182336A1 (en) * 2010-01-06 2012-08-30 Applied Materials Inc Flowable dielectric using oxide liner
SG182333A1 (en) 2010-01-07 2012-08-30 Applied Materials Inc In-situ ozone cure for radical-component cvd
US8703625B2 (en) * 2010-02-04 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Methods to prepare silicon-containing films
US8563445B2 (en) 2010-03-05 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Conformal layers by radical-component CVD
US8236708B2 (en) * 2010-03-09 2012-08-07 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor
US8741394B2 (en) 2010-03-25 2014-06-03 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US8709551B2 (en) * 2010-03-25 2014-04-29 Novellus Systems, Inc. Smooth silicon-containing films
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9076646B2 (en) * 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US8956983B2 (en) 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
US8728956B2 (en) * 2010-04-15 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal film deposition
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US20110294075A1 (en) * 2010-05-25 2011-12-01 United Microelectronics Corp. Patterning method
US8912353B2 (en) 2010-06-02 2014-12-16 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
US8343881B2 (en) 2010-06-04 2013-01-01 Applied Materials, Inc. Silicon dioxide layer deposited with BDEAS
JP5687547B2 (ja) * 2010-06-28 2015-03-18 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US9285168B2 (en) 2010-10-05 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Module for ozone cure and post-cure moisture treatment
US8664127B2 (en) 2010-10-15 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
WO2012067455A1 (ko) * 2010-11-17 2012-05-24 주식회사 유피케미칼 실리콘 전구체 화합물을 이용한 박막 증착 방법
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8450191B2 (en) 2011-01-24 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Polysilicon films by HDP-CVD
US20130330936A1 (en) * 2011-02-07 2013-12-12 Technische Universiteit Eindhoven METHOD OF DEPOSITION OF Al2O3/SiO2 STACKS, FROM ALUMINIUM AND SILICON PRECURSORS
US9163310B2 (en) 2011-02-18 2015-10-20 Veeco Ald Inc. Enhanced deposition of layer on substrate using radicals
US8716154B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers
US8647993B2 (en) * 2011-04-11 2014-02-11 Novellus Systems, Inc. Methods for UV-assisted conformal film deposition
US8445078B2 (en) 2011-04-20 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon oxide conversion
US8466073B2 (en) 2011-06-03 2013-06-18 Applied Materials, Inc. Capping layer for reduced outgassing
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US9404178B2 (en) 2011-07-15 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Surface treatment and deposition for reduced outgassing
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8617989B2 (en) 2011-09-26 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Liner property improvement
US8551891B2 (en) 2011-10-04 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Remote plasma burn-in
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8586487B2 (en) 2012-01-18 2013-11-19 Applied Materials, Inc. Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of conformal silicon carbon nitride and silicon nitride films
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US8889566B2 (en) 2012-09-11 2014-11-18 Applied Materials, Inc. Low cost flowable dielectric films
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9355839B2 (en) 2012-10-23 2016-05-31 Lam Research Corporation Sub-saturated atomic layer deposition and conformal film deposition
SG2013083241A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Conformal film deposition for gapfill
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TW201443274A (zh) * 2013-03-14 2014-11-16 Applied Materials Inc 使用二矽氧烷先質之膜的沉積
CN103450801A (zh) * 2013-09-09 2013-12-18 南京工业大学 一种制备微纳米硅基超疏水涂层的方法及其用途
WO2015047914A1 (en) 2013-09-27 2015-04-02 Antonio Sanchez Amine substituted trisilylamine and tridisilylamine compounds
TWI649803B (zh) * 2013-09-30 2019-02-01 蘭姆研究公司 具有電漿輔助式原子層沉積及電漿輔助式化學氣相沉積合成法之深寬比可變的特徵物之間隙填充
US9905415B2 (en) 2013-10-03 2018-02-27 Versum Materials Us, Llc Methods for depositing silicon nitride films
JP5852147B2 (ja) * 2014-01-23 2016-02-03 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
KR102339803B1 (ko) * 2014-01-24 2021-12-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 산화제 없이 규소 및 산-함유 막들을 증착시키는 방법
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9583337B2 (en) * 2014-03-26 2017-02-28 Ultratech, Inc. Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma
US9412581B2 (en) 2014-07-16 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Low-K dielectric gapfill by flowable deposition
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9214333B1 (en) 2014-09-24 2015-12-15 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ALD
US9875888B2 (en) 2014-10-03 2018-01-23 Applied Materials, Inc. High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) * 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US9589790B2 (en) 2014-11-24 2017-03-07 Lam Research Corporation Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN107430991A (zh) 2015-02-23 2017-12-01 应用材料公司 用于形成高质量薄膜的循环连续工艺
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9748093B2 (en) 2015-03-18 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Pulsed nitride encapsulation
US9646818B2 (en) 2015-03-23 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Method of forming planar carbon layer by applying plasma power to a combination of hydrocarbon precursor and hydrogen-containing precursor
US11124876B2 (en) 2015-03-30 2021-09-21 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
WO2017023693A1 (en) 2015-07-31 2017-02-09 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and methods for depositing silicon nitride films
CN105185693A (zh) * 2015-08-20 2015-12-23 上海华力微电子有限公司 半导体衬底上二氧化硅介质层的形成方法
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US20170178899A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Lam Research Corporation Directional deposition on patterned structures
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10312432B2 (en) * 2016-04-06 2019-06-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Magnetic memory device and techniques for forming
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US9865455B1 (en) 2016-09-07 2018-01-09 Lam Research Corporation Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process
US11332824B2 (en) * 2016-09-13 2022-05-17 Lam Research Corporation Systems and methods for reducing effluent build-up in a pumping exhaust system
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
US10192734B2 (en) 2016-12-11 2019-01-29 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploration des Procédés Georges Claude Short inorganic trisilylamine-based polysilazanes for thin film deposition
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR20180110612A (ko) * 2017-03-29 2018-10-10 (주)디엔에프 비스(아미노실릴)알킬아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US9984869B1 (en) * 2017-04-17 2018-05-29 Asm Ip Holding B.V. Method of plasma-assisted cyclic deposition using ramp-down flow of reactant gas
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10361112B2 (en) * 2017-06-29 2019-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High aspect ratio gap fill
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
WO2019169335A1 (en) 2018-03-02 2019-09-06 Lam Research Corporation Selective deposition using hydrolysis
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR102126466B1 (ko) * 2018-09-27 2020-06-24 크린팩토메이션 주식회사 이에프이엠
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
JP7436054B2 (ja) * 2018-11-15 2024-02-21 ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド シリコン前駆体化合物、製造方法、及びこれを利用するシリコン含有膜の形成方法
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11211243B2 (en) * 2018-11-21 2021-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of filling gaps with carbon and nitrogen doped film
CN111211088B (zh) * 2018-11-21 2023-04-25 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI776109B (zh) * 2018-12-21 2022-09-01 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 在550°C或更高的溫度下使用ALD沈積含Si膜之先質及製程
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) * 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US20220333241A1 (en) * 2019-09-10 2022-10-20 Versum Materials Us, Llc Compositions and methods using same for non-conformal deposition of silicon containing films
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11482414B2 (en) 2019-12-18 2022-10-25 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Ultra-low temperature ALD to form high-quality Si-containing film
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
JP7436253B2 (ja) * 2020-03-23 2024-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114622183A (zh) * 2020-12-11 2022-06-14 湖南红太阳光电科技有限公司 一种制备氧化硅薄膜的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11862468B2 (en) * 2021-01-29 2024-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and method
US20220359192A1 (en) * 2021-04-21 2022-11-10 Entegris, Inc. Silicon precursor compounds and method for forming silicon-containing films
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54163792A (en) * 1978-05-24 1979-12-26 Hughes Aircraft Co Manufacture of silicon nitride membrane
JPH01143221A (ja) * 1987-11-27 1989-06-05 Nec Corp 絶縁薄膜の製造方法
JPH06132284A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の保護膜形成方法
WO2006036538A2 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Praxair Technology, Inc. Organometallic precursor compounds
WO2006097525A2 (en) * 2005-03-17 2006-09-21 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method of forming silicon oxide containing films
WO2007002040A2 (en) * 2005-06-21 2007-01-04 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
JP2007189173A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2007318142A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Air Products & Chemicals Inc 有機アミノシラン前駆体から酸化ケイ素膜を製造するための方法
JP2008258591A (ja) * 2007-02-27 2008-10-23 Air Products & Chemicals Inc ケイ素含有膜の周期的プラズマ化学気相堆積

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5728602A (en) * 1996-06-03 1998-03-17 Vlsi Technology, Inc. Semiconductor wafer manufacturing process with high-flow-rate low-pressure purge cycles
US6153261A (en) * 1999-05-28 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Dielectric film deposition employing a bistertiarybutylaminesilane precursor
US6348420B1 (en) * 1999-12-23 2002-02-19 Asm America, Inc. Situ dielectric stacks
JP4371543B2 (ja) * 2000-06-29 2009-11-25 日本電気株式会社 リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
US6843858B2 (en) * 2002-04-02 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a semiconductor processing chamber
KR20050069986A (ko) * 2002-08-18 2005-07-05 에비자 테크놀로지, 인크. 실리콘 산화물 및 산질화물의 저온 증착
US20060153995A1 (en) * 2004-05-21 2006-07-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a dielectric stack
US20060045986A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Hochberg Arthur K Silicon nitride from aminosilane using PECVD
US20060051975A1 (en) * 2004-09-07 2006-03-09 Ashutosh Misra Novel deposition of SiON dielectric films
US7498273B2 (en) * 2006-05-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes
US20080173917A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Matthias Patz Selective deposition method

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54163792A (en) * 1978-05-24 1979-12-26 Hughes Aircraft Co Manufacture of silicon nitride membrane
JPH01143221A (ja) * 1987-11-27 1989-06-05 Nec Corp 絶縁薄膜の製造方法
JPH06132284A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の保護膜形成方法
WO2006036538A2 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Praxair Technology, Inc. Organometallic precursor compounds
WO2006097525A2 (en) * 2005-03-17 2006-09-21 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method of forming silicon oxide containing films
WO2007002040A2 (en) * 2005-06-21 2007-01-04 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
JP2007189173A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2007318142A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Air Products & Chemicals Inc 有機アミノシラン前駆体から酸化ケイ素膜を製造するための方法
JP2008258591A (ja) * 2007-02-27 2008-10-23 Air Products & Chemicals Inc ケイ素含有膜の周期的プラズマ化学気相堆積

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8357619B2 (en) 2008-02-01 2013-01-22 Tokyo Electron Limited Film formation method for forming silicon-containing insulating film
US11133180B2 (en) 2010-04-15 2021-09-28 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US11011379B2 (en) 2010-04-15 2021-05-18 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US10559468B2 (en) 2010-04-15 2020-02-11 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US10361076B2 (en) 2010-04-15 2019-07-23 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
JP2012248844A (ja) * 2011-05-24 2012-12-13 Air Products & Chemicals Inc 有機アミノシラン前駆体、並びにその製造方法及び使用方法
JP2015233153A (ja) * 2011-06-03 2015-12-24 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ケイ素含有膜を堆積するための方法
JP2014523638A (ja) * 2011-06-03 2014-09-11 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法
US10319584B2 (en) 2011-06-03 2019-06-11 Versum Materials Us, Llc Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films
KR20190049906A (ko) * 2011-09-23 2019-05-09 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 플라즈마 활성화된 컨포멀 유전체 막 증착
KR102084901B1 (ko) 2011-09-23 2020-03-05 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 플라즈마 활성화된 컨포멀 유전체 막 증착
KR101842901B1 (ko) * 2011-10-18 2018-03-29 삼성전자주식회사 반도체 장치의 형성방법
KR101925580B1 (ko) * 2011-11-15 2019-02-28 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 그 동작 방법
KR20130053273A (ko) * 2011-11-15 2013-05-23 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 그 동작 방법
US10242864B2 (en) 2012-04-12 2019-03-26 Versum Materials Us, Llc High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films
JP2017028313A (ja) * 2012-04-12 2017-02-02 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積
US9460912B2 (en) 2012-04-12 2016-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films
JP2013236073A (ja) * 2012-04-12 2013-11-21 Air Products & Chemicals Inc 酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積
JP2014007378A (ja) * 2012-06-02 2014-01-16 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置
US10741458B2 (en) 2012-11-08 2020-08-11 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing films on sensitive substrates
KR102384484B1 (ko) * 2013-12-30 2022-04-07 램 리써치 코포레이션 펄싱된 플라즈마 노출을 사용하여 플라즈마 강화된 원자층 증착
KR20150079470A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 램 리써치 코포레이션 펄싱된 플라즈마 노출을 사용하여 플라즈마 강화된 원자층 증착
JP2015144268A (ja) * 2013-12-30 2015-08-06 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ パルスプラズマ暴露を伴うプラズマ原子層堆積
KR102648013B1 (ko) * 2014-02-28 2024-03-14 램 리써치 코포레이션 3차원 ic 트랜지스터들의 핀-형상 채널 영역들을 도핑하기 위한 캡핑된 ald 막들
KR20220079806A (ko) * 2014-02-28 2022-06-14 램 리써치 코포레이션 3차원 ic 트랜지스터들의 핀-형상 채널 영역들을 도핑하기 위한 캡핑된 ald 막들
US10804099B2 (en) 2014-11-24 2020-10-13 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US11646198B2 (en) 2015-03-20 2023-05-09 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
JP2018518598A (ja) * 2015-03-30 2018-07-12 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ケイ素と窒素とを含有する薄膜を形成するための蒸着プロセス
US10957514B2 (en) 2016-06-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10679848B2 (en) 2016-07-01 2020-06-09 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
JP2022516238A (ja) * 2018-12-21 2022-02-25 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ５５０℃以上の温度でＡＬＤを使用してＳｉ含有膜を堆積させるための前駆体及びプロセス
JP7164789B2 (ja) 2018-12-21 2022-11-02 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ５５０℃以上の温度でＡＬＤを使用してＳｉ含有膜を堆積させるための前駆体及びプロセス
US12040181B2 (en) 2019-05-01 2024-07-16 Lam Research Corporation Modulated atomic layer deposition
WO2021241152A1 (ja) * 2020-05-29 2021-12-02 大陽日酸株式会社 混合ガス供給装置、金属窒化膜の製造装置、及び金属窒化膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090075490A1 (en) 2009-03-19
KR20100061733A (ko) 2010-06-08
EP2193541A1 (en) 2010-06-09
TW200931520A (en) 2009-07-16
WO2009039251A1 (en) 2009-03-26
KR20150036815A (ko) 2015-04-07
CN101889331A (zh) 2010-11-17
KR101542267B1 (ko) 2015-08-06
TWI489547B (zh) 2015-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101542267B1 (ko) 규소 함유 막의 형성 방법
KR100961805B1 (ko) 산화규소 함유 필름의 형성 방법
KR101454603B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101749413B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR101060911B1 (ko) Ａｌｄ 또는 ｃｖｄ 공정을 통한 금속 함유 막의 제조
KR101827620B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR20150095215A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110623

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120508

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120808

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120815

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121108

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130305