JP2014007378A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents

成膜方法及び成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014007378A
JP2014007378A JP2013035472A JP2013035472A JP2014007378A JP 2014007378 A JP2014007378 A JP 2014007378A JP 2013035472 A JP2013035472 A JP 2013035472A JP 2013035472 A JP2013035472 A JP 2013035472A JP 2014007378 A JP2014007378 A JP 2014007378A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
film forming
forming method
film
mixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013035472A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5920242B2 (ja
Inventor
Keisuke Suzuki
鈴木　　啓介
Kentaro Kadonaga
健太郎 門永
Hemel Volker
ヴォルカー・ヘメル
Zobel Bernhard
ベルンハルド・ゾベル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2013035472A priority Critical patent/JP5920242B2/ja
Priority to TW102118446A priority patent/TWI612582B/zh
Priority to KR1020130061007A priority patent/KR101645775B1/ko
Priority to US13/905,734 priority patent/US9076649B2/en
Publication of JP2014007378A publication Critical patent/JP2014007378A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5920242B2 publication Critical patent/JP5920242B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

【課題】成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】原料ガスと反応ガスとを用いて真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部３３で混合して混合ガスを形成すると共に混合ガスと反応ガスとを処理容器内へ供給して薄膜を形成するようにする。これにより、成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に薄膜を形成する成膜方法及び成膜装置に関する。
一般に、半導体集積回路を製造するためにはシリコン基板等よりなる半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、酸化処理、拡散処理、改質処理、自然酸化膜の除去処理等の各種の処理が行なわれる。これらの処理は、ウエハを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置や複数枚のウエハを一度に処理するバッチ式の処理装置で行われる。例えばこれらの処理を縦型の、いわゆるバッチ式の処理装置にて行う場合には、まず、半導体ウエハを複数枚、例えば２５枚程度収容できるカセットから、半導体ウエハを縦型のウエハボートへ移載してこれに多段に支持させる。
このウエハボートは、例えばウエハサイズにもよるが３０〜１５０枚程度のウエハを載置できる。このウエハボートは、排気可能な処理容器内にその下方より搬入（ロード）された後、処理容器内が気密に維持される。そして、処理ガスの流量、プロセス圧力、プロセス温度等の各種のプロセス条件を制御しつつ所定の熱処理が施される。
ここで上記半導体集積回路の特性を向上させる要因の１つとして、集積回路中の絶縁膜の特性を向上させることは重要である。上記集積回路中の絶縁膜としては、一般的にはＳｉＯ２ 、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、Ｐ（プラズマ）−ＳｉＯ、Ｐ（プラズマ）−ＳｉＮ、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、Ｓｉ３ Ｎ４ （シリコン窒化膜）等が用いられる。そして、特にシリコン窒化膜は、絶縁特性がシリコン酸化膜より比較的良好なこと、及びエッチングストッパ膜や層間絶縁膜としても十分に機能することから多用される傾向にある。
そして、最近にあっては回路素子の特性の向上を目的として更なる低誘電率化（Ｌｏｗ−ｋ化）及びエッチングに対する更なる耐性の向上の要求が強く望まれている。このような状況下において、縦型の、いわゆるバッチ式の縦型の処理装置においても、ウエハをそれ程の高温に晒さなくても目的とする処理が可能なことから、原料ガス等を間欠的に供給しながら原子レベルで１層〜数層ずつ、或いは分子レベルで１層〜数層ずつ繰り返し成膜する方法が提案さている（特許文献１〜３）。このような成膜方法は一般的にはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と称されている。
ここで従来の成膜方法としては、原料ガスとして用いるシリコン含有ガスであるジクロロシラン（以下、「ＤＣＳ」とも称す）と窒化ガスであるＮＨ３ ガスとを用いてシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を形成している。具体的には、処理容器内に、ＤＣＳとＮＨ３ ガスとを交互に間欠的に供給し、ＮＨ３ ガスを供給する時にＲＦ（高周波）を印加してプラズマを立て、窒化反応を促進するようにしている。
尚、プラズマを立てないで熱によりＮＨ３ ガスを活性化させる方法もある。上述のように、ＤＣＳを処理容器内へ供給することにより、ウエハ表面上にＤＣＳが分子レベルで一層、或いは複数層吸着し、そして余分なＤＣＳを不活性ガスパージ、或いは真空引きで排除した後、ＮＨ３ を供給して低温での窒化を促進して窒化膜を形成し、この一連の工程を繰り返し行っている。
そして、最近にあっては、成膜レートや膜中のシリコン元素の濃度を上げる必要から、原料ガスの供給通路に一定容量のバッファタンクを設け、ここに多量の原料ガスを一時的に貯留して、ガス供給時にこのバッファタンク内の原料ガスを放出して処理容器に間欠的に多量の原料ガスを供給するようにした方法も知られている（特許文献４、５等）。また特許文献６のように原料ガス通路の下流側に原料ガスを充填する第１タンクを設け、上流側に加圧されたＮ２ ガスを充填する第２タンクを設けて加圧Ｎ２ ガスにより原料ガスの移動速度を高めて処理室内の原料ガスのガス分圧を高めるようにした方法も知られている。
特開平０６−０４５２５６号公報 特開平１１−０８７３４１号公報 特開２００６−２８７１９４号公報 特開２００４−００６８０１号公報 特開２０１０−０９０４１３号公報 特開２０１２−０６７３２８号公報
上述のように、原料ガスの供給通路にバッファタンクを設けることによって短時間で多量の原料ガスをパルス状に供給することができ、この結果、成膜レート等を向上させることが可能となった。しかしながら、上述のように多量の原料ガスを供給することができる結果、今度は逆に、ウエハ表面におけるシリコン窒化膜の面内均一性が低下する、といった新たな問題が発生した。また特許文献６の場合には、処理室中の原料ガスの分圧が高まるだけであり、上記問題点を解決するものではない。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善することが可能な成膜方法及び成膜装置である。
請求項１に係る発明は、原料ガスと反応ガスとを用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、前記原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部で混合して混合ガスを形成すると共に前記混合ガスと前記反応ガスとを前記処理容器内へ供給して前記薄膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法である。
このように、原料ガスと反応ガスとを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する方法において、原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部で混合して混合ガスを形成すると共に混合ガスと反応ガスとを処理容器内へ供給して薄膜を形成することにより、成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善することができる。
請求項１７に係る発明は、原料ガスと反応ガスとを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器と、前記被処理体を前記処理容器内で保持する保持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記原料ガスを流すガス通路の途中に介設されると共に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系に接続されて前記原料ガスと前記不活性ガスとの混合ガスを形成するガス溜め部を有して前記処理容器内へ前記混合ガスを供給する混合ガス供給手段と、前記処理容器内へ前記反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の成膜方法を実施するように装置全体を制御する装置制御部と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。
本発明に係る成膜方法及び成膜装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
原料ガスと反応ガスとを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する方法において、原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部で混合して混合ガスを形成すると共に混合ガスと反応ガスとを処理容器内へ供給して薄膜を形成することにより、成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善することができる。
本発明の係る成膜装置の一例を示す縦断面構成図である。 成膜装置（加熱手段は省略）を示す横断面構成図である。 本発明の成膜方法の第１実施例における各ガスの供給態様とガス溜め部へのチャージの態様を示すタイミングチャートである。 本発明の成膜方法を実施した時の評価結果を示すグラフである。 本発明の成膜方法の第２実施例及び第３実施例における各ガスの処理容器への供給態様を示すタイミングチャートである。 本発明の成膜方法の第４実施例における各ガスの処理容器への供給態様を示すタイミングチャートである。 不純物ガス供給手段の一例を示す図である。 活性化手段を用いた成膜装置の一例を示す部分構成図である。
以下に、本発明に係る成膜方法及び成膜装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明の係る成膜装置の一例を示す縦断面構成図、図２は成膜装置（加熱手段は省略）を示す横断面構成図である。尚、ここでは原料ガスとしてシリコン含有ガスであるジクロロシラン（ＤＣＳ）を用い、反応ガスとして窒化ガスであるアンモニアガス（ＮＨ３ ）を用い、不活性ガスとしてＮ２ ガスを用い、パージガスとしてＮ２ ガスを用いて薄膜としてシリコン窒化膜を成膜する場合を例にとって説明する。
図示するように、この成膜装置２は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器４を有している。この処理容器４の全体は、例えば石英により形成されており、この処理容器４内の天井には、石英製の天井板６が設けられて封止されている。また、この処理容器４の下端開口部には、例えばステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド８がＯリング等のシール部材１０を介して連結されている。尚、ステンレス製のマニホールド８を設けないで、全体を円筒体状の石英製の処理容器で構成した装置もある。
上記処理容器４の下端は、上記マニホールド８によって支持されており、このマニホールド８の下方より複数枚の被処理体としての半導体ウエハＷを多段に載置した保持手段としての石英製のウエハボート１２が昇降可能に挿脱自在になされている。本実施例の場合において、このウエハボート１２の支柱１２Ａには、例えば５０〜１５０枚程度の直径が３００ｍｍのウエハＷを略等ピッチで多段に支持できるようになっている。
このウエハボート１２は、石英製の保温筒１４を介してテーブル１６上に載置されており、このテーブル１６は、マニホールド８の下端開口部を開閉する例えばステンレススチール製の蓋部１８を貫通する回転軸２０の上端に支持される。そして、この回転軸２０の貫通部には、例えば磁性流体シール２２が介設され、この回転軸２０を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部１８の周辺部とマニホールド８の下端部には、例えばＯリング等よりなるシール部材２４が介設されており、処理容器４内のシール性を保持している。
上記した回転軸２０は、例えばボートエレベータ等の昇降機構（図示せず）に支持されたアーム２６の先端に取り付けられており、ウエハボート１２及び蓋部１８等を一体的に昇降して処理容器４内へ挿脱できるようになされている。
このマニホールド８には、処理容器４内に反応ガスとして例えば窒化ガスであるアンモニア（ＮＨ３ ）ガスを供給する反応ガス供給手段２８と、原料ガスとして例えばシリコン含有ガスであるＤＣＳ（ジクロロシラン）ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給する混合ガス供給手段３０と、パージガスとして不活性ガスの一種である、例えばＮ２ ガスを供給するパージガス供給手段３４とが設けられる。そして、上記混合ガス供給手段３０は、上記混合ガスを形成するために不活性ガス供給系３２に接続されたガス溜め部３３を有している。この不活性ガスとして上述のようにＮ２ ガスを用いる。
具体的には、上記反応ガス供給手段２８は、上記マニホールド８の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて延びる石英管よりなるガスノズル３８を有している。このガスノズル３８には、その長さ方向に沿って複数（多数）のガス噴射孔３８Ａが所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス噴射孔３８Ａから水平方向に向けて略均一にアンモニアガスを噴射できるようになっている。このようなタイプのガスノズルを分散形のガスノズルと称す。
また同様に上記混合ガス供給手段３０も、上記マニホールド８の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて延びる石英管よりなるガスノズル４０を有している。このガスノズル４０には、その長さ方向に沿って複数（多数）のガス噴射孔４０Ａ（図２参照）が所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス噴射孔４０Ａから水平方向に向けて略均一に原料ガスであるＤＣＳガスと不活性ガスであるＮ２ ガスとの混合ガスを噴射できるようになっている。
また同様にパージガス供給手段３４も、上記マニホールド８の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて延びる石英管よりなるガスノズル４４を有している。このガスノズル４４には、上記原料ガスのガスノズル４０と同様にその長さ方向に沿って複数（多数）のガス噴射孔４４Ａ（図２参照）が所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス噴射孔４４Ａから水平方向に向けて略均一にＮ２ ガスを噴射できるようになっている。
上記各ガスノズル３８、４０、４４には、それぞれのガス通路４８、５０、５４が接続されている。そして、各ガス通路４８、５０、５４には、マスフローコントローラのような流量制御器４８Ａ、５０Ａ、５４Ａ及びこれらの流量制御器４８Ａ、５０Ａ、５４Ａの直ぐ下流側に位置された開閉弁４８Ｂ、５０Ｂ、５４Ｂがそれぞれ介設されており、ＮＨ３ ガス、ＤＣＳガス及びＮ２ ガスをそれぞれ流量制御しつつ流すことができるようになっている。
ここで、上記混合ガス供給手段３０は、上記ガス溜め部３３を有している。具体的には、このガス溜め部３３は、一定の容量（体積）を有して、上記原料ガスのガス通路５０の途中であって上記開閉弁５０Ｂの下流側に介設されている。また上記不活性ガス供給系３２は、上記パージガス供給手段３４のガス通路５４の途中に介設した流量制御器５４Ａの上流側から分岐させるようにして設けたガス通路５８を有している。すなわち、このガス通路５８は、上記ガス通路５４と上記ガス溜め部３３とを接続して連通するようになっている。
そして、この分岐されたガス通路５８の途中には、その上流側から下流側に向けてマスフローコントローラのような流量制御器５８Ａ及び開閉弁５８Ｂが順次介設されており、必要に応じて不活性ガスであるＮ２ ガス（パージガスでもある）を流量制御しつつ上記ガス溜め部３３へ導入して一時貯留し、原料ガスと不活性ガスとの混合ガスを形成できるようになっている。尚、上記分岐されたガス通路５８の下流側を上記ガス溜め部３３ではなく、このガス溜め部３３とこの上流側の開閉弁５０Ｂとの間の原料ガス用のガス通路５０の途中に接続するようにしてもよい。
そして、このガス溜め部３３の下流側のガス通路５０の途中には、混合ガス用の開閉弁６０が介設されており、この開閉弁６０を開閉制御することにより、上記処理容器４内への混合ガスの供給を制御できるようになっている。上記ガス溜め部３３の容量（体積）は処理容器４の大きさにもよるが、例えば１〜２リットル程度である。
一方、上記処理容器４の側壁の一部には、この処理容器４の側壁を上下方向に沿って所定の幅で削りとることによって上下に細長い開口７０が形成されており、この開口７０をその外側より覆うようにして断面凹部状になされた上下に細長い例えば石英製の区画壁７２を容器外壁に気密に溶接接合することによりノズル収容凹部７４が形成されている。そして、このノズル収容凹部７４内に上記３本のガスノズル３８、４０、４４が収容されている。
上記開口７０は、ウエハボート１２に保持されている全てのウエハＷを高さ方向においてカバーできるように上下方向に十分に長く形成されている。このノズル収容凹部７４に対向する処理容器４の反対側には、この内部雰囲気を真空排気するために処理容器４の側壁を、例えば上下方向へ削りとることによって形成した細長い排気口７６が設けられている。
そして、この排気口７６には、これを覆うようにして石英よりなる断面コ字状に成形された排気口カバー部材８２が溶接により取り付けられている。この排気口カバー部材８２は、上記処理容器４の側壁に沿って上方に延びており、処理容器４の上方のガス出口８４に連通されている。そして、このガス出口８４には、排気系８６が接続されている。この排気系８６は、上記ガス出口８４に接続される排気通路８８を有しており、この排気通路８８には、処理容器４内の圧力を調整する圧力調整弁９０、真空ポンプ９２及び排気ガス中の有害成分を除去する除去装置９３が順次介設されて、処理容器４内を所定の圧力に維持しつつ真空引きできるようになっている。そして、この処理容器４の外周を囲むようにしてこの処理容器４及びこの内部のウエハＷを加熱する筒体状の加熱手段９４が設けられている。
そして、このように構成された成膜装置２の全体の動作、例えばプロセス圧力、プロセス温度、各開閉弁の開閉によるガスの供給、供給停止、ガス溜め部３３への原料ガスや不活性ガスの導入、ガス流量の制御等は例えばコンピュータ等よりなる装置制御部９６により行われる。そして、この装置制御部９６は、上記制御を行うためのプログラムが記憶されている記憶媒体９８を有している。この記憶媒体９８としては、例えばフレキシブルディスク、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはＤＶＤ等を用いることができる。
次に、以上のように構成された成膜装置２を用いて行なわれる本発明の成膜方法（いわゆるＡＬＤ成膜）について図３も参照して説明する。図３は本発明の成膜方法の第１実施例における各ガスの供給態様とガス溜め部へのチャージの態様を示すタイミングチャートである。
本発明方法は、原料ガス（ＤＣＳガス）と不活性ガス（ＮＨ３ ）とをガス溜め部３３で混合して混合ガスを形成すると共に混合ガスと反応ガスとを処理容器４内へ供給して薄膜（シリコン窒化膜）を形成するようにしたものである。
まず、常温の多数枚、例えば５０〜１５０枚の３００ｍｍサイズのウエハＷが載置された状態のウエハボート１２を予め所定の温度になされた処理容器４内にその下方より上昇させてロードし、蓋部１８でマニホールド８の下端開口部を閉じることにより処理容器４内を密閉する。
そして処理容器４内を真空引きして所定のプロセス圧力に維持すると共に、加熱手段９４への供給電力を増大させることにより、ウエハ温度を上昇させてプロセス温度を維持する。そして、上記ＤＣＳガスと不活性ガスであるＮ２ ガスとをガス溜め部３３にて混合させることにより混合ガスを形成してこの混合ガスを混合ガス供給手段３０から処理容器４内に対して供給し、ＮＨ３ ガスは反応ガス供給手段２８から処理容器４内に対して供給し、パージガスであるＮ２ ガスはパージガス供給手段３４から処理容器４内に対して供給する。
具体的には、上記ＮＨ３ ガスに関しては、反応ガス供給手段２８のガス通路４８に介設した開閉弁４８Ｂを開閉することにより処理容器４に対する供給開始と供給停止が行われる。またパージガスに関しては、パージガス供給手段３４のガス通路５４に介設した開閉弁５４Ｂを開閉することにより処理容器４に対する供給開始と供給停止が行われる。
また原料ガスに関しては、混合ガス供給手段３０のガス通路５０の上流側に設けた原料ガス用の開閉弁５０Ｂを開閉することによりガス溜め部３３に対する導入開始と導入停止が行われる。また、このガス溜め部３３に対する不活性ガスの導入開始と導入停止は、不活性ガス供給系３２のガス通路５８に設けた開閉弁５８Ｂを開閉制御することにより行われる。また、ガス溜め部３３内にて形成された混合ガスの処理容器４内への供給開始と供給停止は、混合ガス供給手段３０のガス通路５０の下流側に設けた混合ガス用の開閉弁６０を開閉制御することにより行われる。
上記各ガスは、対応する各ガスノズル３８、４０、４４の各ガス噴射孔３８Ａ、４０Ａ、４４Ａから水平方向へ向けて処理容器４内へ放出され、ウエハボート１２により回転支持されている各ウエハＷ間を通過しつつウエハ表面に薄膜であるシリコン窒化膜を形成し、各ガスノズルの対向側に位置する排気口７６を介して流出する。
上述のように、成膜処理が開始すると、排気系８６が駆動して真空ポンプ９２は連続的に回転駆動されて処理容器４内の雰囲気を真空引きしている。そして、上記処理容器４内で反応によって発生した反応副生成物や未反応のガス成分は排気ガスと共に排気系８６内を流れて排出される。この際、上記排気ガス中に含まれる有害成分は、除害装置９３にて除去されるようになっている。
＜成膜方法の第１実施例＞
ここで、図３に示す第１実施例について説明する。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は処理容器４内へのガスの供給態様を示し、図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）はガス溜め部３３内へのガスの供給態様を示す。ここでは上記混合ガスと反応ガスとは共に間欠的に処理容器４内へ供給され、具体的には、両ガスは交互に繰り返し供給される。
すなわち、処理容器４内へ混合ガス（ＤＣＳガス＋Ｎ２ ガス）を供給して混合ガスを半導体ウエハＷの表面に吸着させる吸着工程（図３（Ａ）参照）と、この処理容器４内へ反応ガス（ＮＨ３ ）を供給して上記ウエハＷの上面に吸着している混合ガスと反応（窒化）させて薄膜であるシリコン窒化膜を形成する反応工程（図３（Ｂ）参照）とを交互に複数回繰り返し行うようにしている。ここで上記反応ガスは加熱手段９４からの熱により活性化されて反応が促進されている。尚、上記混合ガスの供給時には、処理容器４内での混合ガスのウエハへの吸着を促進させるために圧力調整弁９０の弁開度を小さくするように変化させている。
上記混合ガスと反応ガスとはパルス状に供給されており、ある吸着工程の先頭と次の吸着工程の先頭との間が１サイクルとなり、１回の成膜処理で、例えば必要とする膜厚にもよるが数１０サイクル〜数１００サイクルの処理が行われる。尚、全体としての膜厚は、例えば５〜５０ｎｍ程度である。
また、ここでは処理の開始からパージガスであるＮ２ ガスは連続的に供給されており、各ガスの流れを促進させ、間欠期間では処理容器４内に残留している残留ガスの排出を促進させるようにしている。このパージガスは上述のように流してもよいし、或いは流さないようにしてもよい。
さて、このような成膜処理が行われている間に、本発明方法の特徴として上記ガス溜め部３３においては原料ガスと不活性ガス（Ｎ２ ガス）との混合ガスが形成されている。具体的には、混合ガスの処理容器４内への供給を休止している間、すなわち、ガス通路５０に介設した混合ガス用の開閉弁６０を閉じている時に、各サイクルにおいて上記ガス溜め部３３にＤＣＳガスとＮ２ ガスとをそれぞれパルス状に導入して一時的に貯留すると共にこの時に上記混合ガスを形成している（図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）参照）。
尚、成膜処理の最初の第１サイクルを実行する時には、その直前にガス溜め部３３内にＤＣＳガスとＮ２ ガスとを導入して予め第１サイクル用の混合ガスを形成しておく。また、ＤＣＳガスの供給期間とＮ２ ガスの供給期間とは、両者間のガスの逆流を防止するために僅かな時間ΔＴだけずらしている。この場合、上記ＤＣＳガスの供給圧力とＮ２ ガスの供給圧力とが同じ場合には、上記ガスの逆流が生じないので、上記両ガスを同時にガス溜め部３３内へ導入するようにしてもよい。また、上記混合ガスのＤＣＳガスの濃度（体積比率）を調整するには、ＤＣＳガスの供給期間（パルス幅）やＮ２ ガスの供給期間（パルス幅）を適宜コントロールすればよい。
ここで、上記成膜処理におけるプロセス条件について説明すると、プロセス温度は４５０〜７００℃程度、プロセス圧力は０．１３３〜１３３０Ｐａの範囲内で変化させ、吸着工程の時には上記圧力範囲内で前述したようにプロセス圧力が高くなるように設定されている。また、１サイクルの長さは１０数秒〜数１０秒程度、吸着工程におけるＤＣＳガスの１回の供給期間Ｔ１は１秒から数秒程度、反応工程におけるＮＨ３ ガスの供給期間Ｔ２は１秒から数秒程度である。
また、ガス溜め部３３に対するＤＣＳガスの供給期間Ｔ３及びＮ２ ガスの供給期間Ｔ４はそれぞれ１秒から数秒程度である。このＤＣＳガスの流量は、例えば２ｓｌｍ程度、Ｎ２ ガスの流量は、例えば０．２ｓｌｍ程度である。ここで説明した上記各期間の長さＴ１〜Ｔ４は単に一例を示したに過ぎず、上記した数値例に限定されないのは勿論である。またガス溜め部３３内の圧力は、３５０〜４５０Ｔｏｒｒ程度である。
上述のように原料ガス（ＤＣＳ）ガスを不活性ガス（Ｎ２ ）と混合させて原料ガスを希釈するように形成した混合ガスと反応ガスとを用いて薄膜を形成するようにしたので、成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善することができる。この場合、上記ガス溜め部３３内の混合ガス中の原料ガスの体積比率は、１／２（５０％）〜１／８（１２．５％）の範囲内である。
上記原料ガスの体積比率が１／２よりも大きい場合には、原料ガスの濃度が高くなり過ぎ、この結果、回転しているウエハＷの中央部における原料ガスの吸着量が周辺部よりも多くなり、膜厚の断面はウエハ中心部にて盛り上がる断面凸部状の成膜状態となって膜厚の面内均一性が低下してしまう。これに対して、原料ガスの体積比率が１／８よりも小さい場合には、原料ガスの濃度が低くなり過ぎ、この結果、回転しているウエハＷの周辺部における吸着量が中央部と比較して多くなり、膜厚の断面はウエハ中心部が下に窪んだ断面凹部状の成膜状態となって膜厚の面内均一性が低下してしまう。
このように、本発明によれば、原料ガスと反応ガスとを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する方法において、原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部で混合して混合ガスを形成すると共に混合ガスと反応ガスとを処理容器内へ供給して薄膜を形成することにより、成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善することができる。
＜本発明の成膜方法の評価＞
次に、本発明の成膜方法の評価実験を行ったので、その評価結果について図４も参照して説明する。ここでは、図１及び図２に示す成膜装置を用いて図３に示すような本発明方法により薄膜を形成した。原料ガスとしてＤＣＳガスを用い、反応ガスとして窒化ガスであるＮＨ３ ガスを用い、不活性ガスとしてＮ２ ガスを用いて薄膜としてシリコン窒化膜を形成した。
この時の膜厚及び膜厚の面内均一性を図４に示す。図４は本発明の成膜方法を実施した時の評価結果を示すグラフである。ここでは、混合ガス中のＤＣＳガスの比率を５０％（体積比率：１／２）、２５％（体積比率：１／４）、１２．５％（体積比率：１／８）にそれぞれ変化させて成膜した時の膜厚を測定し、膜厚の面内均一性を求めた。また、従来用いられていた成膜方法を比較例として行い、ＤＣＳガスを何ら希釈しないで１００％濃度のＤＣＳガスを用いて成膜した時の値も併記した。
成膜時のサイクル数は、全て１００〜１４０サイクルで行った。グラフの左側の縦軸に膜厚をとり、右側の縦軸に膜厚の面内均一性をとっている。また、処理容器内へはウエハボートに支持された１２５枚の半導体ウエハＷを収容しており、これを高さ方向へ５つの領域に５段に区分して、その上方から下方に向けてトップ”Ｔ”、トップセンタ”ＴＣ”、センタ”Ｃ”、センタボトム”ＣＢ”及びボトム”Ｂ”としてそれぞれの領域における膜厚の値を測定した。
図４から明らかなように、比較例の場合には膜厚は７０〜７３Å程度であって比較的成膜レートは高いが、膜厚の面内均一性は”Ｔ”、”ＴＣ”、”Ｃ”、”ＣＢ”及び”Ｂ”の全ての領域において±１．５％前後であり、あまり良好ではなかった。これに対して、本発明の成膜方法の５０％ＤＣＳ（体積比率：１／２）の場合には、膜厚は８０Å程度であって比較例も少し良く、また、膜厚の面内均一性は”Ｔ”、”ＴＣ”、”Ｃ”、”ＣＢ”及び”Ｂ”の全ての領域において±１．０％前後であり、良好な値を示している。
更に、本発明方法の２５％ＤＣＳ（体積比率：１／４）の場合には、膜厚は６０Å程度であって比較例よりも少し低下しているが、膜厚の面内均一性は”Ｔ”、”ＴＣ”、”Ｃ”、”ＣＢ”及び”Ｂ”の全ての領域において±０．５％前後であって更に良好な値を示している。更に、本発明方法の１２．５％ＤＣＳ（体積比率：１／８）の場合には、膜厚は６８Å程度であって比較例よりも僅かに低下しているが、膜厚の面内均一性は”Ｔ”、”ＴＣ”、”Ｃ”、”ＣＢ”及び”Ｂ”の全ての領域において±０．８％前後であって良好な値を示している。この結果、混合ガス中の原料ガスの体積比率は、１／２（５０％）〜１／８（１２．５％）の範囲内が良好であることが判った。尚、混合ガス中の原料ガスの体積比率が、１／８（１２．５％）を越えて小さくなった場合には、膜となる原料ガスの濃度が低す過ぎるためにウエハ全体に原料ガスを供給することができず、好ましくなかった。
＜第１及び第２実施例＞
先の第１実施例では、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、混合ガスと反応ガスとは交互に処理容器４内へパルス状に供給するようにしたが、これに限定されず、図５に示すように供給するようにしてもよい。図５は本発明の成膜方法の第２実施例及び第３実施例における各ガスの処理容器への供給態様を示すタイミングチャートである。
図５（Ａ）は第２実施例を示し、この第２実施例では、混合ガスと反応ガスとは間欠的にパルス状に供給され、しかも両ガスを同時に処理容器４内へ供給するようにしている。この場合も、両ガスを供給しない休止時間は、パージ期間となっている。図５（Ｂ）は第３実施例を示し、混合ガスは間欠的にパルス状に供給される一方、反応ガスは連続的に供給するようにしている。これらの第２及び第３実施例の場合にも、先の第１実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
＜第４実施例＞
先の第１実施例にあっては、成膜処理中にパージガス供給手段３４を用いてパージガスを処理容器４内へ主に連続的に供給している場合を例にとって説明したが、これに限定されず、以下の第４実施例に示すようにこのパージガスを間欠的に供給するようにしてもよい。
図６は本発明の成膜方法の第４実施例における各ガスの処理容器への供給態様を示すタイミングチャートである。尚、図６ではガス溜め部へのガスのチャージを示すタイミングチャートは図３に示す場合と同じなので、その記載は省略している。図６中の（Ａ）及び（Ｂ）は、図３中の（Ａ）及び（Ｂ）とそれぞれ同じである。
この第４実施例では、上記混合ガスを供給する直前と上記反応ガスを供給する直前の内の少なくともいずれか一方において上記処理容器内の残留ガスを排除するパージ工程を行うようにしている。この場合、混合ガスを供給する工程、すなわち吸着工程の直前と反応ガスを供給する工程、すなわち反応工程の直前の内の双方においてパージ工程を行うようにしてもよいし、吸着工程の直前又は反応工程の直前のみにパージ工程を行うようにしてもよい。
図６に示す場合には、各吸着工程の直前と各反応工程の直前の双方においてパージ工程を行うようになっている。換言すれば、ここでは混合ガスを供給する吸着工程と反応ガスを供給する反応工程との間の各間欠期間において、パージガス供給手段３４（図１参照）を用いて処理容器４内に不活性ガスである例えばＮ２ ガスを供給してパージ工程を行っている（図６（Ｃ）参照）。尚、図６の場合には、最初の吸着工程の直前にも処理容器４内の残留ガスの排除を確実にするためにパージ工程を行っている。
上記パージ工程では、パージ期間の全期間に亘って不活性ガスを流すようにしてもよいし、パージ期間内でパージガスをパルス状に流すようにしてもよい。この場合、パルス数は１パルス、或いは複数パルスでもよく、特にパージ効果を発揮するためにはパージガスを複数パルスだけ流すことにより処理容器４内にガス流の供給の開始と停止の衝撃を複数回与えるようにし、これにより、残留ガスの排出を促進させるようにしてもよい。
図６（Ｃ）においては、１回のパージ期間中に２パルスのパージガスを供給するようにしているが、このパルス数に制限はなく、更に多くのパルス数でパージガスを供給するようにしてもよい。ここでパージ期間のＴ５、Ｔ６は、それぞれ１秒〜３０秒程度であり、１パルスの供給期間Ｔ７は１秒〜５秒程度である。
このように、パージ工程を行うことにより、処理容器４内に残る残留ガスを効率的に処理容器４外へ排除することができる。この結果、例えばデバイスパターン上でのパージ効果が改善されて、パターン底に発生する継ぎ目状の欠陥の発生を抑制することができる。特に、１回のパージ工程においてパルス状に複数回パージガスを供給するようにした場合には、上記したパージ効果を一層向上させることができる。尚、上記パージ工程については、図５（Ａ）に示す第２実施例にも適用することができる。
＜膜種の変形例＞
上記各実施例においては、不純物を含まないシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を成膜する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、処理容器内へ不純物元素を含む不純物ガスを導入して不純物元素を含むシリコン窒化膜を形成するようにしてもよい。この不純物元素としては、例えばボロン（Ｂ）や炭素（Ｃ）等が挙げられ、不純物含有のシリコン窒化膜としてＳｉＢＮ膜やＳｉＣＮ膜等も形成することができる。この場合、不純物ガスとしては、ＢＣｌ３ ガスや炭化水素ガス、例えばエチレン等を用いることができる。
この不純物ガスを供給する時の装置例は、図７に示す。図７は不純物ガス供給手段の一例を示す図である。尚、他の部分の構成は、図１及び図２に示す場合と同じである。図７（Ａ）に示す不純物ガス供給手段１００は、処理容器４内に設けられるガスノズル１０２を有し、このガスノズル１０２に不純物ガスを流すガス通路１０６を接続している。そして、このガス通路１０６に、マスフローコントローラのような流量制御器１０６Ａ及び開閉弁１０６Ｂを介設し、多数のガス噴射孔１０２Ａから不純物ガスを処理容器４内へ不純物ガスを直接的に供給できるようになっている。
また図７（Ｂ）に示す不純物ガス供給手段１００は、不純物ガスを流すガス通路１０６の先端をガス溜め部３３に直接的に接続しており、このガス通路１０６に流量制御器１０６Ａ及び開閉弁１０６Ｂを介設している。これにより、ガス溜め部３３内にて混合ガスを形成する時に、このガス溜め部３３内へ不純物ガスを導入するようにしている。これにより、ＤＣＳガスとＮ２ ガスと不純物ガスとが混合された混合ガスを形成し、この不純物ガスの含有された混合ガスを処理容器４内へ供給できるようになっている。以上の構成により、不純物元素を含むシリコン窒化膜を形成することができる。
＜活性化手段を用いた装置例＞
上記各実施例では、反応ガスを熱によって活性する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、図８に示すようにプラズマを形成する活性化手段を用いた成膜装置にも本発明を適用することができる。図８は活性化手段を用いた成膜装置の一例を示す部分構成図である。図８において、他の構成部分は図１及び図２に示した場合を同じである。この成膜装置では活性化手段によりプラズマを形成し、このプラズマにより反応ガスを活性化して成膜反応を促進させるようにしている。
この成膜装置では、図８に示す処理容器４の側壁に設けたノズル収容凹部７４を区画する区画壁７２の外壁面に沿って活性化手段であるプラズマ電極１１０を設け、このプラズマ電極１１０に高周波電源１１２からの高周波電力が印加されている。これによってノズル収容凹部７４内にプラズマを形成する。この場合には、ノズル収容凹部７４内がプラズマ室としても機能することになる。
また、反応ガス以外の他のガスを活性化させないためには、このノズル収容凹部７４内には反応ガス用のガスノズル３８のみ収容し、他のガスノズル４０、４４は円筒状の処理容器４の内壁とウエハＷ（ウエハボート１２）との間の隙間に位置させるようにする。この場合には、プラズマにより成膜レートを大幅に向上させることができ、また成膜処理の低温下も達成することができる。
尚、上記各実施例では、ノズル収容凹部７４を設けた処理容器を例にとって説明したが、これを設けない処理容器についても本発明を適用することができる。この場合には、各ガスノズル３８、４０、４４を円筒状の処理容器４の内壁とウエハボート１２との間の隙間に位置させるようにする。
また、上記各実施例では、一度に複数枚の半導体ウエハに成膜処理することができる、いわゆるバッチ式の成膜装置を例にとって説明したが、これに限定されず、本発明は、半導体ウエハを１枚ずつ成膜処理する、いわゆる枚葉式の成膜装置にも適用することができる。
また、ここでは不活性ガスとしてＮ２ ガスを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガスを用いることができる。また、ここでは原料ガスとしてシリコン含有ガスであるＤＣＳガスを用いたが、このシリコン含有ガスとしてはＤＣＳガスに限定されず、上記シリコン含有ガスとしては、ジクロロシラン（ＤＣＳ）、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）、モノシラン［ＳｉＨ４ ］、ジシラン［Ｓｉ２ Ｈ６ ］、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラクロロシラン（ＴＣＳ）、ジシリルアミン（ＤＳＡ）、トリシリルアミン（ＴＳＡ）、ビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）、ビスジエチルアミノシラン（ＢＤＥＡＳ）、ジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）、トリスジメチルアミノシラン（３ＤＭＡＳ）よりなる群より選択される１以上のガスを用いることができる。
また、上記反応ガスとして窒化ガスを用い、この窒化ガスとしてＮＨ３ ガスを用いたが、これに限定されず、一酸化二窒素（Ｎ２ Ｏ）や一酸化窒素（ＮＯ）等を用いてもよい。また、ここでは原料ガスとしてシリコン（Ｓｉ）を含む原料ガスを用いてシリコン窒化膜を形成する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、原料ガスとして金属を含む金属化合物ガスを用いて薄膜として金属窒化膜や金属酸化膜等を形成するようにしてもよい。
この金属化合物ガスとしては、有機金属化合物ガスを用いることができるが、この有機金属化合物ガスとしては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、テトラキスジメチルアミノハフニウム（ＴＤＭＡＨ）、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム（ＴＥＭＡＨ）、テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム（ＴＥＭＡＺ）、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）よりなる群より選択される１以上のガスを用いることができる。この場合には、上記反応ガスとしては、窒化ガスと酸化ガスと還元ガスとよりなる群から選択される１のガスを用いることができる。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。
２ 成膜装置
４ 処理容器
１２ ウエハボート（保持手段）
１８ 蓋部
２８ 反応ガス供給手段
３０ 混合ガス供給手段
３３ ガス溜め部
３４ パージガス供給手段
８６ 排気系
９４ 加熱手段
９６ 装置制御部
９８ 記憶媒体
１００ 不純物ガス供給手段
１１０ プラズマ電極（活性化手段）
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

Claims (19)

  1. 原料ガスと反応ガスとを用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、
    前記原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部で混合して混合ガスを形成すると共に前記混合ガスと前記反応ガスとを前記処理容器内へ供給して前記薄膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法。
  2. 前記混合ガスと前記反応ガスとは共に間欠的に供給されることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
  3. 前記混合ガスと前記反応ガスとは交互に繰り返し供給されることを特徴とする請求項２記載の成膜方法。
  4. 前記混合ガスと前記反応ガスは同時に供給されることを特徴とする請求項２記載の成膜方法。
  5. 前記処理容器内へは、パージガスが連続的に供給されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の成膜方法。
  6. 前記混合ガスを供給する直前と前記反応ガスを供給する直前の内の少なくともいずれか一方において前記処理容器内の残留ガスを排除するパージ工程を行うことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の成膜方法。
  7. 前記パージ工程では、不活性ガスをパルス状に複数回供給することを特徴とする請求項６記載の成膜方法。
  8. 前記混合ガスは間欠的に供給され、前記反応ガスは連続的に供給されることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
  9. 前記ガス溜め部内における前記混合ガス中の前記原料ガスの体積比率は、１／２〜１／８の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の成膜方法。
  10. 前記ガス溜め部へは、前記原料ガスと前記反応ガスは互いに時間的にずらして導入されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の成膜方法。
  11. 前記ガス溜め部へは、前記原料ガスと前記反応ガスは同時に導入されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の成膜方法。
  12. 前記反応ガスは、窒化ガスと酸化ガスと還元ガスとよりなる群から選択される１のガスであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の成膜方法。
  13. 前記反応ガスは、熱により活性化されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の成膜方法。
  14. 前記反応ガスは、プラズマにより活性化されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の成膜方法。
  15. 前記処理容器内へは、不純物元素を含む不純物ガスが供給されることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の成膜方法。
  16. 前記ガス溜め部には、前記不純物ガスが導入されることを特徴とする請求項１５記載の成膜方法。
  17. 原料ガスと反応ガスとを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置において、
    真空引き可能になされた処理容器と、
    前記被処理体を前記処理容器内で保持する保持手段と、
    前記被処理体を加熱する加熱手段と、
    前記原料ガスを流すガス通路の途中に介設されると共に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系に接続されて前記原料ガスと前記不活性ガスとの混合ガスを形成するガス溜め部を有して前記処理容器内へ前記混合ガスを供給する混合ガス供給手段と、
    前記処理容器内へ前記反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、
    請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の成膜方法を実施するように装置全体を制御する装置制御部と、
    を備えたことを特徴とする成膜装置。
  18. 前記反応ガスを活性化させるための活性化手段を有することを特徴とする請求項１７記載の成膜装置。
  19. 不純物元素を含む不純物ガスを供給する不純物ガス供給手段を有することを特徴とする請求項１７又は１８記載の成膜装置。
JP2013035472A 2012-06-02 2013-02-26 成膜方法及び成膜装置 Active JP5920242B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013035472A JP5920242B2 (ja) 2012-06-02 2013-02-26 成膜方法及び成膜装置
TW102118446A TWI612582B (zh) 2012-06-02 2013-05-24 膜形成方法與設備
KR1020130061007A KR101645775B1 (ko) 2012-06-02 2013-05-29 성막 방법 및 성막 장치
US13/905,734 US9076649B2 (en) 2012-06-02 2013-05-30 Film forming method and apparatus

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012126632 2012-06-02
JP2012126632 2012-06-02
JP2013035472A JP5920242B2 (ja) 2012-06-02 2013-02-26 成膜方法及び成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014007378A true JP2014007378A (ja) 2014-01-16
JP5920242B2 JP5920242B2 (ja) 2016-05-18

Family

ID=49670745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013035472A Active JP5920242B2 (ja) 2012-06-02 2013-02-26 成膜方法及び成膜装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9076649B2 (ja)
JP (1) JP5920242B2 (ja)
KR (1) KR101645775B1 (ja)
TW (1) TWI612582B (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016063007A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
WO2016157401A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
WO2017056242A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
US20170250072A1 (en) * 2016-02-25 2017-08-31 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming system
JP2017152672A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜システム
JP2018093029A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 東京エレクトロン株式会社 成膜処理方法
WO2018150946A1 (ja) * 2017-02-20 2018-08-23 株式会社エンプラス 微小流路のコーティング装置および微小流路のコーティング方法
JP2019075435A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
WO2019131614A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 株式会社エー・シー・イー 気相成長装置及び気相成長システム
WO2019131615A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 株式会社エー・シー・イー 気体供給装置
JP2019186531A (ja) * 2018-04-12 2019-10-24 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
CN111952147A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
CN113818006A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 拓荆科技股份有限公司 一种薄膜制备方法
WO2023127031A1 (ja) * 2021-12-27 2023-07-06 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、処理容器、半導体装置の製造方法及びプログラム

Families Citing this family (237)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5824372B2 (ja) * 2012-01-25 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びプロセス状態の確認方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6336719B2 (ja) * 2013-07-16 2018-06-06 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) * 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6602332B2 (ja) * 2017-03-28 2019-11-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
JP6830878B2 (ja) * 2017-09-28 2021-02-17 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041481A (ja) * 2004-06-21 2006-02-09 Tokyo Electron Ltd 被処理体の熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP2006287195A (ja) * 2005-03-11 2006-10-19 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2009004608A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2009260151A (ja) * 2008-04-18 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2010147139A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2010539730A (ja) * 2007-09-18 2010-12-16 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード シリコン含有膜を形成する方法
JP2012033874A (ja) * 2010-06-28 2012-02-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP2012067328A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2012104720A (ja) * 2010-11-11 2012-05-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645256A (ja) 1992-07-21 1994-02-18 Rikagaku Kenkyusho ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
JP3529989B2 (ja) 1997-09-12 2004-05-24 株式会社東芝 成膜方法及び半導体装置の製造方法
JP4695343B2 (ja) 2002-04-11 2011-06-08 株式会社日立国際電気 縦型半導体製造装置
JP3947126B2 (ja) 2002-04-11 2007-07-18 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP4204840B2 (ja) 2002-10-08 2009-01-07 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
JP4258518B2 (ja) 2005-03-09 2009-04-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP5233562B2 (ja) 2008-10-04 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP5107285B2 (ja) * 2009-03-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体
US8895962B2 (en) * 2010-06-29 2014-11-25 Nanogram Corporation Silicon/germanium nanoparticle inks, laser pyrolysis reactors for the synthesis of nanoparticles and associated methods

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041481A (ja) * 2004-06-21 2006-02-09 Tokyo Electron Ltd 被処理体の熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP2006287195A (ja) * 2005-03-11 2006-10-19 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2009004608A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2010539730A (ja) * 2007-09-18 2010-12-16 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード シリコン含有膜を形成する方法
JP2009260151A (ja) * 2008-04-18 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2010147139A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2012033874A (ja) * 2010-06-28 2012-02-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP2012067328A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2012104720A (ja) * 2010-11-11 2012-05-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016063007A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
WO2016157401A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
JPWO2017056242A1 (ja) * 2015-09-30 2018-04-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
WO2017056242A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
US10410870B2 (en) 2015-09-30 2019-09-10 Kokusa Electric Corporation Method of manufacturing semiconductor device
US20170250072A1 (en) * 2016-02-25 2017-08-31 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming system
KR20170100441A (ko) 2016-02-25 2017-09-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법 및 성막 시스템
US10297439B2 (en) 2016-02-25 2019-05-21 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming system
JP2017152672A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜システム
JP2018093029A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 東京エレクトロン株式会社 成膜処理方法
WO2018150946A1 (ja) * 2017-02-20 2018-08-23 株式会社エンプラス 微小流路のコーティング装置および微小流路のコーティング方法
JP2018135545A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 株式会社エンプラス 微小流路のコーティング装置および微小流路のコーティング方法
JP2019075435A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
WO2019131614A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 株式会社エー・シー・イー 気相成長装置及び気相成長システム
JP2019119897A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 株式会社エー・シー・イー 気体供給装置
JP2019121629A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 株式会社エー・シー・イー 気相成長装置及び気相成長システム
WO2019131615A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 株式会社エー・シー・イー 気体供給装置
JP2019186531A (ja) * 2018-04-12 2019-10-24 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
CN111952147A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
JP2020188237A (ja) * 2019-05-17 2020-11-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7016833B2 (ja) 2019-05-17 2022-02-07 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム
US11527401B2 (en) 2019-05-17 2022-12-13 Kokusai Electric Corporation Method of processing substate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
US11705325B2 (en) 2019-05-17 2023-07-18 Kokusai Electric Corporation Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
CN113818006A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 拓荆科技股份有限公司 一种薄膜制备方法
CN113818006B (zh) * 2020-06-19 2023-11-17 拓荆科技股份有限公司 一种薄膜制备方法
WO2023127031A1 (ja) * 2021-12-27 2023-07-06 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、処理容器、半導体装置の製造方法及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP5920242B2 (ja) 2016-05-18
TWI612582B (zh) 2018-01-21
KR101645775B1 (ko) 2016-08-04
TW201405663A (zh) 2014-02-01
KR20130135762A (ko) 2013-12-11
US20130323935A1 (en) 2013-12-05
US9076649B2 (en) 2015-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5920242B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP5233562B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP4935687B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP4506677B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP5190307B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP5151260B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
KR101503725B1 (ko) 성막 방법 및 성막 장치
JP4396547B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4258518B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP5887962B2 (ja) 成膜装置
JP4179311B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4935684B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP4893729B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP6024484B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP4929932B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2009260151A (ja) 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2006066884A (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US10297439B2 (en) Film forming method and film forming system
JP6675962B2 (ja) 成膜方法及び成膜システム
JP5082595B2 (ja) 成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150715

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160315

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160328

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5920242

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250