JP2013521650A - ラジカル成分cvdによる共形層 - Google Patents
ラジカル成分cvdによる共形層 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013521650A JP2013521650A JP2012556083A JP2012556083A JP2013521650A JP 2013521650 A JP2013521650 A JP 2013521650A JP 2012556083 A JP2012556083 A JP 2012556083A JP 2012556083 A JP2012556083 A JP 2012556083A JP 2013521650 A JP2013521650 A JP 2013521650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- nitrogen
- precursor
- conformal
- containing layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
- H01L21/02323—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen
- H01L21/02326—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen into a nitride layer, e.g. changing SiN to SiON
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76837—Filling up the space between adjacent conductive structures; Gap-filling properties of dielectrics
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
炭素非含有シリコン−窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層(例えばシリコン−窒素−水素(Si−N−H)膜)を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン−窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される。シリコン−窒素膜が、炭素を含まずに形成されるため、膜を硬化された酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン−窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン−窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために、低温で実施され得る。低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にする。
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は、2011年2月10日に出願され「CONFORMAL LAYERS BY RADICAL−COMPONENT CVD」と題された米国特許出願第13/024,487号、2010年7月21日に出願され「FORMATION OF SILICON OXIDE USING NON−CARBON FLOWABLE CVD PROCESSES」と題された米国特許出願第12/840,768号、および2010年3月5日に出願され「CONFORMAL LAYERS BY RADICAL−COMPONENT CVD」と題された米国仮特許出願第61/311,061号に基づく利益を主張するものである。これらの出願の全内容が、参照により事実上において本明細書に組み込まれる。
本出願は、2011年2月10日に出願され「CONFORMAL LAYERS BY RADICAL−COMPONENT CVD」と題された米国特許出願第13/024,487号、2010年7月21日に出願され「FORMATION OF SILICON OXIDE USING NON−CARBON FLOWABLE CVD PROCESSES」と題された米国特許出願第12/840,768号、および2010年3月5日に出願され「CONFORMAL LAYERS BY RADICAL−COMPONENT CVD」と題された米国仮特許出願第61/311,061号に基づく利益を主張するものである。これらの出願の全内容が、参照により事実上において本明細書に組み込まれる。
半導体デバイスの形状寸法は、数十年前に導入されて以来、サイズが劇的に縮小されてきた。近年の半導体製造装置は、45nm、32nm、および28nmの特徴サイズを有するデバイスを定常通りに作製するが、新しい装置は、さらに小さな形状寸法を有するデバイスを作製するように開発および実装されつつある。特徴サイズが縮小されると、デバイス上の構造的特徴の空間寸法が縮小される。デバイス上の間隙およびトレンチの幅は、間隙の幅に対する間隙の深さのアスペクト比が、誘電体材料でこの間隙を充填することが困難になる程の高さとなるまで幅狭となる。誘電体材料の堆積は、間隙を完全に充填する前に上部において目詰まりを生じさせ、それにより間隙の中間部にボイドまたはシームを生じさせる傾向がある。
これまでの数年にわたり、間隙の上部における誘電体材料の目詰まりを回避するために、または形成されたボイドもしくはシームを「解消」するために、多数の技術が開発されてきた。1つのアプローチは、パターニングされた基板表面の上に形成することのできる高流動性の前駆体材料を使用する所に端を発している(例えばSOG堆積技術)。これらの流動性前駆体は、ボイドまたは脆弱なシームを形成することなく、非常に小さな基板間隙内に流入し、これを充填することが可能である。
いくつかの用途においては、基板間隙内部の表面は、流動性誘電体材料に対する濡れ性を有さない場合がある。これは、例えば下層の材料が高温で堆積される場合に生ずる傾向がある。したがって、流動性材料が基板表面中の間隙内により容易に貫入し得るように、新しい堆積プロセスおよび材料によって、構造的形状を有する基板上に誘電体材料を形成することが必要である。本出願においては、この必要性および他の必要性に対処する。
炭素非含有シリコン−窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層(例えばシリコン−窒素−水素(Si−N−H)膜)を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン−窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される。シリコン−窒素膜が、炭素を含まずに形成されるため、膜を硬化された酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン−窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン−窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために、低温で実施され得る。低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にすることが判明している。
本発明の実施形態は、基板処理チャンバ内の基板処理領域において、パターニングされた基板上に共形シリコン−窒素含有層を形成する方法を含む。これらの方法は、炭素非含有シリコン−窒素含有前駆体をラジカル窒素前駆体と混合するステップを含む。炭素非含有シリコン−窒素含有前駆体は、ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される。これらの方法は、パターニングされた基板の上に、共形層厚さを有する共形シリコン−窒素含有層を堆積するステップをさらに含む。
本発明の実施形態は、体積収縮が低減されたシリコン含有層を形成する方法をさらに含む。これらの方法は、間隙を含む基板を搬送するステップと、基板上に共形シリコン−窒素含有層を堆積するステップとを含む。共形シリコン−窒素含有層は、共形性を有する。これらの方法は、共形シリコン−窒素含有層を覆うように流動性シリコン−窒素含有層を堆積するステップをさらに含む。シリコン含有層は、共形シリコン−窒素含有層および流動性シリコン−窒素含有層を共に備える。
さらなる実施形態および特徴は、その一部は以下の説明において示すが、一部は本明細書を精査することにより当業者には明らかになろう、または本発明を実施することにより理解されよう。本発明の特徴および利点は、本明細書に記載の手段、組合せ、および方法によって実現および達成され得る。
本明細書の以降の部分および図面を参照することにより、本発明の性質および利点のさらなる理解が得られよう。なお、これらの図面においては、同様の参照数字が、同様の構成要素を指すために複数の図面にわたって使用される。いくつかの例においては、サブラベルが、参照数字に付随し、ハイフンに続いて複数の同様の構成要素の中の1つであることを示す。既出のサブラベルの指定を伴わずに参照数字に対して言及がなされる場合には、全てのかかる複数の同様の構成要素を指すことが意図される。
炭素非含有シリコン−窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層(例えばシリコン−窒素−水素(Si−N−F)膜)を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン−窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体と接触することにより優先的に励起される。シリコン−窒素膜は、炭素を含まずに形成されるため、この膜を硬化酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン−窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン−窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために低温で実施される。いくつかの実施形態においては、低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にすることが判明している。共形誘電体層を形成するための方法およびシステムに関するさらに詳細な紹介を行う過程において、1つの実施形態を論じる中で、いくつかの実施形態の態様を提示するが、これらの態様は、真逆の説明がない限り、他の残りの実施形態においてもやはり使用し得るものとの理解の下において提示する。
図1は、本発明の実施形態による共形誘電体層を作製する方法100における選択されたステップを示す流れ図である。方法100は、反応チャンバ102に炭素非含有シリコン前駆体を供給することを含む。炭素非含有シリコン前駆体は、例えば、いくつかの種類のシリコン前駆体の中でもとりわけシリコン−窒素前駆体、シリコン−水素前駆体、またはシリコン−窒素−水素含有前駆体などであってもよい。これらの前駆体の種の例には、いくつかのシリルアミンの中でもとりわけH2N(SiH3)、HN(SiH3)2、およびN(SiH3)3などのシリルアミンが含まれてもよい。これらのシリルアミンは、キャリアガス、反応ガス、またはそれらの両方として作用し得る追加のガスと混合されてもよい。追加のガスの例には、いくつかのガスの中でもとりわけH2、N2、NH3、He、およびArが含まれてもよい。また、炭素非含有シリコン前駆体の例には、単独のシラン(SiH4)が、またはシリコン含有ガス(例えばN(SiH3)3)、水素含有ガス(例えばH2)、および/または窒素含有ガス(例えばN2、NH3)と混合されたシランが含まれてもよい。また、炭素非含有シリコン前駆体には、ジシラン、トリシラン、より高次のシラン、および塩素化シランが、単独で、または相互に組み合わされて、もしくは先述の炭素非含有シリコン前駆体と組み合わされて、含まれてもよい。
シリコン前駆体は、炭素非含有であることに加えて酸素非含有であってもよい。酸素を欠くことにより、これらの前駆体から形成されるシリコン−窒素層中のシラノール(Si−OH)基の濃度がより低くなる。堆積された膜中に過剰なシラノール部分が存在する場合には、堆積された層から水酸(−OH)部分を除去する堆積後ステップの最中に多孔性および収縮度が上昇する恐れがある。他の実施形態においては、シリコン前駆体は、共形シリコン−窒素含有膜内に組み込まれる酸素を含む。酸素を含有することは、堆積された膜の堆積特性および/または光学特性を変更するために望ましい場合がある。酸素含有前駆体は、別個の前駆体として導入されてもよく、炭素非含有シリコン前駆体および酸素含有前駆体は、基板処理領域内に同時に流入されてもよい。
また、ラジカル窒素前駆体が、反応チャンバ104に供給される。ラジカル窒素前駆体は、より安定的な窒素前駆体から反応チャンバの外部で生成された窒素ラジカル含有種である。例えば、NH3などの安定的な窒素前駆体は、反応チャンバの外部のプラズマユニット内で活性化されて、ラジカル窒素前駆体を形成してもよく、次いで反応チャンバ内に搬送されてもよい。また、この安定的な窒素前駆体は、個々の実施形態において、NH3およびN2、NH3およびH2、NH3およびN2およびH2、ならびにN2およびH2を含む混合物であってもよい。また、ヒドラジンが、N2およびH2との混合物中のNH3の代替として、またはNH3と組み合わせて使用されてもよい。安定的な窒素前駆体(およびラジカル窒素前駆体)は、アルゴン(Ar)、水素(H2)、ヘリウム、等々のキャリアガスに伴われてもよい。生成されたラジカル窒素前駆体は、N、NH、NH2等々の中の1つまたは複数であってもよく、プラズマ内で形成されたイオン種により伴われてもよい。
一般的には、窒素を含まないラジカル前駆体もまた、シリコン−窒素含有層の形成を可能にする。ラジカル前駆体は、前述の前駆体と共に遠隔プラズマ領域へと供給される窒素を含む場合には、ラジカル窒素前駆体であってもよい。ラジカル前駆体は、前駆体同士が混合され反応して、堆積基板(例えば半導体ウエハ)の上にシリコン−窒素層を堆積させる堆積領域から区切られた反応チャンバの1セクション内で生成される。ラジカル前駆体がラジカル窒素前駆体である一実施形態においては、安定的な窒素前駆体は、遠隔プラズマ領域内に流入され、プラズマにより励起される。また、安定的な窒素前駆体(およびラジカル−窒素前駆体)は、水素(H2)、窒素(N2)、アルゴン、ヘリウム、等々のキャリアガスにより伴われてもよい。また、(追加の不活性キャリアガスを含むまたは含まない)主に窒素(N2)からなる入力ガスから形成されたラジカル窒素前駆体は、開示する実施形態において有利な膜を生じさせることが判明している。また、ラジカル窒素前駆体は、シリコン含有前駆体が窒素を含む実施形態においては、主に水素(H2)(および任意には不活性キャリアガス)からなる入力ガスから形成されたラジカル前駆体と置換されてもよい。
いくつかの実施形態においては、ラジカル窒素前駆体は、スクリーンまたはシャワーヘッドにより基板処理領域から区切られた反応チャンバの1セクション内で生成される。基板処理領域においては、炭素非含有シリコン前駆体およびラジカル窒素前駆体は、混合され、反応して106、堆積基板108の上に共形シリコン−窒素含有膜を堆積させる。ラジカル窒素前駆体は、炭素非含有シリコン前駆体に対して優先的な励起をもたらす。いくつかの実施形態においては、ラジカル窒素前駆体は、炭素非含有シリコン前駆体に対してのみ励起をもたらす。堆積の際には、プラズマ出力は、基板処理領域に全く印加されないか、または実質的に印加されない。
基板処理領域内の圧力は、個々の実施形態において、200ミリトール未満、150ミリトール未満、100ミリトール未満、75ミリトール未満、または50ミリトール未満の中の1つである。共形シリコン−窒素含有膜の厚さは、個々の実施形態において、30nm未満、20nm未満、15nm未満、10nm未満、および5nm未満の中の1つであってもよい。共形シリコン−窒素含有膜の成長速度は、個々の実施形態において、30nm/分未満、20nm/分未満、15nm/分未満、10nm/分未満、および5nm/分未満の中の1つであってもよい。先述のように、図1を参照として説明した限度は、本明細書の他の箇所で説明される他の実施形態にも該当する。前駆体の流量は、基板処理領域内において比較的低い圧力が確立されるのに十分な低さであってもよい。あるいは、ポンプ速度を上昇させることが可能である。共形シリコン−窒素含有膜を堆積する際の基板の温度は、個々の実施形態において、200℃未満、150℃未満、100℃未満、75℃未満、および50℃未満の中の1つであってもよい。堆積後に、膜は、図2を参照として本明細書においてさらに詳細に論じるように、膜の酸素含有量を上昇させるために硬化および/またはアニールされてもよい。
次に図2を参照すると、本発明の実施形態による、パターニングされた基板の上に共形誘電体膜を形成するための方法200における選択されたステップを図示する別の流れ図が示される。方法200は、パターニングされた基板202を搬送することを含んでもよい。この基板は、基板上に電気構成要素(例えばトランジスタ)および配線部を作製する過程において出現するトレンチ、間隙、および他の垂直方向特徴を有してもよい。共形シリコン−窒素含有層が、図1を説明する過程で既に示した方法により、基板204の上に堆積される。
パターニングされた基板は、シリコン−窒素含有膜が堆積された後に、酸素含有雰囲気206の中で加熱されるか、または単に酸素含有雰囲気206にさらされてもよい。基板は、酸素含有雰囲気が導入される際に、反応チャンバ内に留まってもよく、または基板は、酸素含有雰囲気が導入される別のチャンバに搬送されてもよい。酸素含有雰囲気は、いくつかの酸素含有ガスの中でもとりわけ分子酸素(O2)、オゾン(O3)、水蒸気(H2O)、および窒素酸化物(NO、NO2、等々)などの1つまたは複数の酸素含有ガスを含んでもよい。また、酸素含有雰囲気は、遠隔的に生成され、基板チャンバ内に搬送され得る、原子酸素(O)、水酸化物(OH)、等々のラジカル酸素および水酸基種を含んでもよい。また、酸素含有種のイオンが存在してもよい。
酸素含有雰囲気は、シリコン−窒素含有膜を部分的にまたは完全に酸化ケイ素(SiO2)膜へと転化させるための酸素を供給する。シリコン−窒素含有膜中に炭素を欠くことにより、最終的な酸化ケイ素膜中に形成される孔は大幅に減少する。また、これにより、酸化ケイ素への転化の際の膜の体積縮小(すなわち収縮)がより低くなる。例えば、炭素含有シリコン前駆体から形成されたシリコン−窒素−炭素層が、酸化ケイ素に転化された場合に40体積%以上収縮し得る場合には、実質的に炭素非含有であるシリコン−窒素膜は、約15体積%以下だけ収縮し得る。
酸素含有雰囲気にさらしている間に、パターニングされた基板は、各実施形態において、50℃超、100℃超、150℃超、200℃超、250℃超、300℃超、400℃超、500℃超、600℃超、800℃超、および1000℃超の中の1つに加熱されてもよい。基板の温度は、酸素含有雰囲気にさらしている間に、各実施形態において、100℃未満、200℃未満、300℃未満、400℃未満、500℃未満、600℃未満、800℃未満、1000℃未満、または1100℃未満の中の1つであってもよい。これらの上限のいずれかが、これらの下限のいずれかと組み合わされることにより、個々の実施形態において基板温度に対する追加的な範囲を設けてもよい。
いくつかの実施形態が、異なる温度および異なる雰囲気を用いた複数の加熱段階を含んでもよい。例えば、第1の加熱段階が、蒸気(H2O)を含む雰囲気内においてより低温の第1の温度で実施されてもよく、第2の加熱段階が、水蒸気を実質的に欠く乾燥した酸素含有雰囲気内においてより高温の第2の温度で実施されてもよい。また、第3の加熱段階が、酸素非含有雰囲気(例えば乾燥したN2、He、Ar、等々)内で実行されてもよい。他の実施形態においては、低温(例えば200℃〜400℃の間)で実行されるオゾン硬化が、高温酸素(O2)アニール(例えば800℃超)の前に実施される。酸素含有雰囲気での硬化および/またはアニールは、個々の実施形態において、1.8未満、1.75未満、1.7未満、または1.65未満の中の1つの屈折率(193nmにて測定)の実数部を減じる。この硬化および/またはアニールは、個々の実施形態において、0.15未満、0.10未満、0.075未満、0.050未満、または0.025未満の中の1つの消光率(やはり193nmにて測定された屈折率の虚数部の大きさ)を減じる。酸化ケイ素への転化は、部分的なものであり、転化後の消光率は、個々の実施形態において、0.010超、0.025超、0.050超、0.075超、および0.10超の中の1つとなる。これらの上限のいずれかが、これらの下限のいずれかと組み合わされることにより、さらなる実施形態において消光率に対する追加的な範囲を設けてもよい。
図3は、本発明の実施形態による、基板上の間隙内に誘電体層を形成するための方法300における選択されたステップを図示する流れ図である。方法300は、基板処理領域内にパターニングされた基板302を搬送することを含んでもよい。この基板は、基板上に形成されたデバイス構成要素(例えばトランジスタ)の間隔および構造のために複数の間隙を有してもよい。これらの間隙は、1:1を大幅に上回る(例えば5:1以上、6:1以上、7:1以上、8:1以上、9:1以上、10:1以上、11:1以上、12:1以上、等々)幅に対する高さ(すなわちH/W)のアスペクト比(AR)を定める高さおよび幅を有してもよい。多くの例において、高ARは、間隙幅が、約90nm〜約22nmまたはそれ未満の範囲(例えば約90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、等々)と狭いことに起因する。
共形シリコン−窒素含有層が、図2〜図3を参照として説明するように、基板304の上に堆積されてもよい。本明細書においては、共形層は、表面と同一形状である表面上のほぼ均一な材料層を指し、すなわち層の表面と、覆われる表面とが、ほぼ平行であることを指す。堆積される材料は、100%共形であることは恐らく不可能であり、したがって「ほぼ」という用語により、許容し得る公差の余地が認められる点が、当業者には理解されよう。共形性は、本明細書においては、2つの異なる位置にて測定された共形層の2つの厚さの、すなわち間隙の側壁部上における厚さと、間隙の底部における厚さとの比として定量化される。ウエハ中にまたはダイ中において大きな厚さの変動が存在する場合には、サンプリング点から平均化した測定値として理解される。壁部厚さまたは底部厚さのいずれかが、間隙充填膜の堆積中に生じる様々な効果に対してより薄くなり得る点に留意されたい。これら2つの厚さのより薄い方が、より厚い方によって除算され、この比が、パーセンテージに変換される。このように測定された、シリコン−窒素含有層の共形性は、個々の実施形態において、70%超、80%超、90%超、および95%超であってもよい。
流動性のシリコン−窒素含有層が、基板処理領域内の圧力を上昇させることにより、この共形層の上に堆積される306。これは、前駆体(ラジカル窒素前駆体および/または炭素非含有シリコン含有前駆体)の一方または両方の流量を上昇させることにより達成される。代替的に、またはこれと組み合わせて、ポンプ速度が、弁を部分的に閉じるか、または真空ポンプの実ポンプ速度を低減させることにより、低減されてもよい。基板処理領域内の圧力は、流動性層が形成される際には、個々の実施形態において、500ミリトール超、750ミリトール超、1トール超、または2トール超である。共形層の濡れ特性は、間隙内に流動性層が貫入するのを支援する。層が、流動性であることにより、この層は、充填材料の中央の周囲にボイドまたは脆弱なシームを作製することなく、高アスペクト比を有する間隙を充填することが可能となる。例えば、堆積しつつある流動性材料は、間隙が完全に充填される前に間隙の上部を早々に目詰まりさせることによって間隙の中間部にボイドを残す可能性がより低い。
流動性は、ラジカル窒素前駆体を炭素非含有シリコン前駆体と混合することにより得られる様々な特性に起因するものであってもよい。これらの特性には、堆積される膜中の水素成分が多いこと、および/または、短鎖ポリシラザンポリマーが存在することが含まれてもよい。これらの短鎖は、成長し、網状組織を形成して、膜形成の最中および後により高濃度の誘電体材料を形成する。例えば、堆積される膜が、シラザンタイプのSi−NH−Si主鎖を有してもよい(すなわちSi−N−H膜)。シリコン前駆体およびラジカル窒素前駆体が共に、炭素非含有である場合には、堆積されるシリコン−窒素含有膜もまた、実質的に炭素非含有となる。当然ながら、「炭素非含有」は、膜が、微量の炭素さえも欠くことを必ずしも意味しない。炭素汚染物は、堆積されるシリコン−窒素前駆体中に最終的に紛れ込む前駆体材料中に存在してもよい。しかし、これらの炭素不純物の量は、炭素部分を有するシリコン前駆体(例えばTEOS、TMDSO、等々)中において見出される量よりもはるかに低い。
図1〜図2の先述の実施形態と同様に、共形および流動性のシリコン−窒素含有膜の堆積の後に、硬化および/またはアニール308が続いてもよい。酸化ケイ素への転化は、部分的または完全なものであってもよく、流動性膜および共形堆積される膜の両方に影響を及ぼし得る。酸素含有雰囲気は、いくつかのガスの中でもとりわけ分子酸素、オゾン、および水蒸気を含んでもよい。いくつかの例においては、プラズマが、酸素含有ガスを含む混合気から発せされ得るが、他の例においては、プラズマは、これらのガスから形成されない。
CVDチャンバ内に進入する酸素含有ガスは、チャンバへの進入前に活性化(例えばラジカル化、イオン化、等々)された1つまたは複数の成分を含んでもよい。例えば、酸素含有ガスには、遠隔プラズマ源を介してより安定的な前駆体化合物を曝露させることによって活性化された、ラジカル酸素種、ラジカル水酸基種、等々が含まれてもよい。より安定的な前駆体には、水酸基(OH)ラジカルおよびイオンを生成する水蒸気および過酸化水素(H2O2)、ならびに原子酸素(O)ラジカルおよびイオンを生成する分子酸素および/またはオゾンが含まれてもよい。
(例示的な酸化ケイ素堆積システム)
本発明の実施形態を実装し得る堆積チャンバには、いくつかのタイプのチャンバの中でもとりわけ高密度プラズマ化学気相堆積(HDP−CVD)チャンバ、プラズマ化学気相堆積(PECVD)チャンバ、減圧化学気相堆積(SACVD)チャンバ、および熱化学気相堆積チャンバが含まれてもよい。本発明の実施形態を実装し得るCVDシステムの具体的な例には、米国カリフォルニア州Santa Clara在のApplied Materials,Inc社より市販されているCENTURA ULTIMA(登録商標)HDP−CVDチャンバ/システム、およびPRODUCER(登録商標)PECVDチャンバ/システムが含まれる。
本発明の実施形態を実装し得る堆積チャンバには、いくつかのタイプのチャンバの中でもとりわけ高密度プラズマ化学気相堆積(HDP−CVD)チャンバ、プラズマ化学気相堆積(PECVD)チャンバ、減圧化学気相堆積(SACVD)チャンバ、および熱化学気相堆積チャンバが含まれてもよい。本発明の実施形態を実装し得るCVDシステムの具体的な例には、米国カリフォルニア州Santa Clara在のApplied Materials,Inc社より市販されているCENTURA ULTIMA(登録商標)HDP−CVDチャンバ/システム、およびPRODUCER(登録商標)PECVDチャンバ/システムが含まれる。
本発明の例示的な方法と共に使用し得る基板処理チャンバの例には、2006年5月30日に出願され、「PROCESS CHAMBER FOR DIELECTRIC GAPFILL」と題された、Lubomirsky等の、本願と同一譲受人の米国仮特許出願第60/803,499号に示され記載されるものが含まれてもよい。該出願の全内容が、参照により事実上において本明細書に組み込まれる。さらなる例示的なシステムには、米国特許第6,387,207号および米国特許第6,830,624号に示され記載されるものが含まれてもよい。これらの特許もやはり、参照により事実上において本明細書に組み込まれる。
これらの堆積システムの実施形態は、集積回路チップを作製するためのさらに大型の製造システムに組み込まれてもよい。図4は、開示する実施形態による堆積チャンバ、ベーキングチャンバ、および硬化チャンバのそのような1つのシステム400を示す。この図においては、一対のFOUP(正面開口統合ポッド:front opening unified pod)402が、基板(例えば300mm径ウエハ)を供給する。この基板は、ロボットアーム404により受けられ、低圧保持エリア406内に配置され、その後、ウエハ処理チャンバ408a〜408fの中の1つの中に配置される。第2のロボットアーム410が、保持エリア406から処理チャンバ408a〜408fに基板ウエハを搬送し、逆に搬送して戻すために、使用されてもよい。
処理チャンバ408a〜408fは、基板ウエハ上に流動性誘電体膜を堆積し、アニールし、硬化し、および/またはエッチングするための1つまたは複数のシステム構成要素を備えてもよい。一構成においては、2対の処理チャンバ(例えば408c〜408dおよび408e〜408f)が、基板上に流動性誘電体材料を堆積するために使用されてもよく、第3の対の処理チャンバ(例えば408a〜408b)が、堆積された誘電体をアニールするために使用されてもよい。別の構成においては、同じ2対の処理チャンバ(例えば408c〜408dおよび408e〜408f)が、基板上の流動性誘電体膜の堆積およびアニールの両方を行うように構成されてもよく、第3の対の処理チャンバ(例えば408a〜408b)が、堆積された膜をUV硬化または電子ビーム硬化するために使用されてもよい。さらに別の構成においては、全ての3つの対のチャンバ(例えば408a〜408f)が、基板上に流動性誘電体膜を堆積し硬化するように構成されてもよい。さらに別の構成においては、2対の処理チャンバ(例えば408c〜408dおよび408e〜408f)が、流動性誘電体の堆積およびUV硬化または電子ビーム硬化の両方を行うために使用されてもよく、第3の対の処理チャンバ(例えば408a〜408b)が、誘電体膜をアニールするために使用されてもよい。記載したプロセスの任意の1つまたは複数が、個々の実施形態において示した製造システムとは別個のチャンバにおいて実施されてもよい。
さらに、プロセスチャンバ408a〜408fの中の1つまたは複数が、湿式処理チャンバとして構成されてもよい。これらのプロセスチャンバは、水分を含む雰囲気内において流動性誘電体膜を加熱することを含む。したがって、システム400の実施形態は、堆積された誘電体膜に対して湿式アニールおよび乾式アニールの両方を実施するために、湿式処理チャンバ408a〜408bと、アニール処理チャンバ408c〜408dとを備えてもよい。
図5Aは、開示する実施形態による基板処理チャンバ500である。遠隔プラズマシステム(RPS)510が、ガスを処理し、次いでこのガスは、ガス入口アセンブリ511を通り移動してもよい。2つの異なるガス供給チャネルが、ガス入口アセンブリ511内に見える。第1のチャネル512は、遠隔プラズマシステムRPS510を通過するガスを運び、第2のチャネル513は、RPS500を迂回する。開示する実施形態においては、第1のチャネル502は、プロセスガスのために使用されてもよく、第2のチャネル513は、処理ガスのために使用されてもよい。蓋(または導電性上部部分)521および有孔パーテーション553が、絶縁リング524を間に挟んで示され、この絶縁リング524は、AC電圧が有孔パーテーション553よりも蓋521に対して印加され得るようにする。プロセスガスは、第1のチャネル512を通過してチャンバプラズマ領域520内に移動し、単独でまたはRPS510との組合せにおいて、チャンバプラズマ領域520内でプラズマにより励起されてもよい。本明細書においては、チャンバプラズマ領域520および/またはRPS510の組合せは、遠隔プラズマシステムと呼ぶ場合がある。有孔パーテーション(シャワーヘッドとも呼ぶ)553は、シャワーヘッド553の下方の基板処理領域570からチャンバプラズマ領域520を隔離する。シャワーヘッド553により、励起された種は、チャンバプラズマ領域520から基板処理領域570内に依然として移動し得るが、チャンバプラズマ領域520内に存在するプラズマが、基板処理領域570内のガスを直接的に励起することが回避される。
基板処理領域に装着された排出システムのポンプ速度は、共形シリコン−窒素含有膜の堆積を促進するために、200ミリトール未満、150−ミリトール未満、100ミリトール未満、75ミリトール未満、または50ミリトール未満の中の1つに基板処理領域内の圧力を維持するように、選択および設定される。
シャワーヘッド553は、チャンバプラズマ領域520と基板処理領域570との間に位置決めされ、チャンバプラズマ領域520内において生成されたプラズマ放出物(前駆体または他のガスの励起された誘導体)が、プレートの厚さにわたって貫通する複数の貫通穴556を通過し得るようにする。また、シャワーヘッド553は、1つまたは複数の中空体積551を有する。この中空体積551は、蒸気またはガス(シリコン含有前駆体など)の形態の前駆体で充填され得るものであり、小穴555を通り基板処理領域570内へと貫通し得るが、チャンバプラズマ領域520内へ直接的には貫通し得ない。シャワーヘッド553は、この開示する実施形態においては、貫通穴556の最小直径550の長さよりも厚い。チャンバプラズマ領域520から基板処理領域570に貫入する励起された種のかなりの濃度を維持するために、貫通穴の最小径部分550の長さ526は、シャワーヘッド553の途中まで貫通する貫通穴556のより大きな直径の部分を形成することによって、制限されてもよい。開示する実施形態においては、貫通穴556の最小径部分550の長さは、貫通穴556の最小径部分と同一桁以下であってもよい。
図示する実施形態においては、シャワーヘッド553は、酸素、水素、および/または窒素、および/または、チャンバプラズマ領域520内においてプラズマにより励起された場合のかかるプロセスガスのプラズマ放出物を含む、プロセスガスを(貫通穴556を経由して)分散することができる。いくつかの実施形態においては、第1のチャネル512を経由してRPS510および/またはチャンバプラズマ領域520内に導入されるプロセスガスは、酸素(O2)、オゾン(O3)、N2O、NO、NO2、NH3、N2H4を含むNxHy、シラン、ジシラン、TSA、およびDSAの中の1つまたは複数を含んでもよい。また、プロセスガスは、ヘリウム、アルゴン、窒素(N2)、等々のキャリアガスを含んでもよい。また、第2のチャネル513は、プロセスガスおよび/またはキャリアガス、および/または成長中の膜もしくは成膜直後の膜から不要な成分を除去するために使用される膜硬化ガスを供給してもよい。プラズマ放出物は、プロセスガスのイオン化誘導体または中性誘導体を含んでもよく、本明細書においては、導入されるプロセスガスの原子成分を指すラジカル酸素前駆体および/またはラジカル窒素前駆体とも呼ばれる場合がある。
いくつかの実施形態においては、貫通穴556の個数は、約60〜約200個であってもよい。貫通穴556は、様々な形状を有してもよいが、最も容易には円形状になされる。開示する実施形態においては、貫通穴556の最小径部分550は、約0.5mm〜約20mmであってもよく、または約1mm〜約6mmであってもよい。また、貫通穴の断面形状の選択においては、ある許容範囲があり、円錐状、円筒状、またはこれら2つの形状の組合せであってもよい。基板処理領域570内にガスを導入するために使用される小穴555の個数は、個々の実施形態において、約100〜約5000個であってもよく、または約500〜約2000個であってもよい。小穴555の直径は、約0.1mm〜約2mmであってもよい。
図5Bは、開示する実施形態による、処理チャンバと共に使用するためにシャワーヘッド553の底面図である。シャワーヘッド553は、図5Aに示すシャワーヘッドに対応する。貫通穴556は、シャワーヘッド553の底部においてはより大きな内径(ID)を有し、上部においてはより小さなIDを有するように図示される。貫通穴556の中でもとりわけ、小穴555は、シャワーヘッドの表面にわたって実質的に均一に分散され、これが、本明細書に記載の他の実施形態よりもより均一な混合の実現を助ける。
例示的な膜は、シャワーヘッド553中の貫通穴556を通り到達したプラズマ放出物が、中空体積551から始まる小穴555を通り到達したシリコン含有前駆体と結合すると、基板処理領域570内においてペデスタル(図示せず)によって支持された基板上に作製される。基板処理領域570は、硬化などの他のプロセスのためにプラズマを支援するために設けられてもよいが、この例示的な膜の成長の際には、プラズマは存在しない。
プラズマは、シャワーヘッド553の上方のチャンバプラズマ領域520内においてか、またはシャワーヘッド553の下方の基板処理領域570内において点火されてもよい。プラズマは、流入した窒素−水素含有ガスからラジカル窒素前駆体を生成するために、チャンバプラズマ領域520内に存在する。典型的には高周波(RF)帯域のAC電圧が、処理チャンバの導電性上部部分521とシャワーヘッド553との間に印加されることにより、堆積の最中にチャンバプラズマ領域520内においてプラズマを点火させる。RF電源が、13.56MHzの高いRF周波を生じさせるが、単独でまたはこの13.56MHzとの組合せで、他の周波数を生じさせてもよい。
上部プラズマは、基板処理領域570内の下部プラズマが、膜を硬化するかまたは基板処理領域570を境界設定している内部表面を洗浄するために放電される際には、低出力または出力ゼロのままであってもよい。基板処理領域570内のプラズマは、シャワーヘッド553とチャンバのペデスタルまたは底部との間にAC電圧を印加することにより点火される。洗浄ガスは、プラズマが存在している間に、基板処理領域570内に導入されてもよい。
ペデスタルは、基板の温度を制御するために、熱交換流体が中を流通する熱交換チャネルを有してもよい。この構成により、基板温度を冷却または加熱して、比較的低温(0℃〜約120℃)に維持することが可能となる。熱交換流体は、エチレングリコールまたは水を含んでもよい。また、ペデスタルのウエハ支持プラッタ(好ましくはアルミニウム、セラミック、またはそれらの組合せ)が、平行な同心円の形態の2つの完全ターンを形成するように構成された埋設式の単ループヒータ素子を使用して抵抗加熱されることにより、比較的高い温度(約120℃〜約1100℃)を実現してもよい。ヒータ素子の外方部分が、支持プラッタの外周部に隣接して延在してもよく、内方部分は、より小径の同心円の経路上に延在する。ヒータ素子への配線は、ペデスタルの軸部を貫通する。
基板処理システムは、システムコントローラによって制御される。例示的な一実施形態においては、システムコントローラは、ハードディスクドライブ、フロッピーディスク(登録商標)ドライブ、およびプロセッサを備える。プロセッサは、シングルボードコンピュータ(SBC)、アナログ入出力ボードおよびデジタル入出力ボード、インターフェースボード、およびステッピングモータコントローラボードを含む。CVDシステムの様々な部分が、ボード、カードケージ、およびコネクタの寸法およびタイプを規定するバーサモジュラーヨーロピアン(VEM)規格に準拠する。また、VEM規格は、バス構造を、16ビットデータバスおよび24ビットアドレスバスを有するものとして規定する。
システムコントローラは、CVDマシンの全作業を制御する。システムコントローラは、コンピュータ可読媒体内に記憶されたコンピュータプログラムであるシステム制御ソフトウェアを実行する。好ましくは、この媒体は、ハードディスクドライブであるが、他の種類のメモリであってもよい。コンピュータプログラムは、特定のプロセスのタイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、RF出力レベル、サセプタ位置、および他のパラメータを指示する命令セットを含む。また、例えばフロッピーディスク(登録商標)または他のもう1つの適切なドライブなどを含む他のメモリデバイス上に記憶された他のコンピュータプログラムが、システムコントローラに指示を与えるために使用されてもよい。
基板上に膜スタックを堆積するためのプロセス、またはチャンバを洗浄するためのプロセスは、システムコントローラにより実行されるコンピュータプログラム製品を使用して実施することが可能である。このコンピュータプログラムコードは、任意の従来のコンピュータ可読プログラミング言語、例えば68000アセンブリ言語、C、C++、パスカル、フォートラン、またはその他などで記述することが可能である。適切なプログラムコードが、従来的なテキストエディタを使用して単一のファイルまたは複数のファイル内に入力され、コンピュータのメモリシステムなどのコンピュータ可用媒体に記憶されるかまたは取り込まれる。入力されるコードテキストが、ハイレベル言語で入力される場合には、コードはコンパイルされ、次いで、結果的に得られたコンパイラコードは、事前コンパイルされたMicrosoft Windows(登録商標)ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。このリンクされコンパイルされたオブジェクトコードを実行するためには、システムユーザは、このオブジェクトコードを呼び出して、コンピュータシステムにメモリ内のこのコードをロードさせる。次いで、CPUが、このコードを読み取り実行して、プログラム内に指定されたタスクを実施する。
ユーザとコントローラとの間のインターフェースは、フラットパネルタッチセンサモニタによるものである。好ましい実施形態においては、2つのモニタが使用され、1つは、オペレータ用にクリーンルーム内に取り付けられ、他方は、サービス技師用に壁の裏側に位置する。これらの2つのモニタは、同一の情報を同時に表示するが、この場合には、一度に一方のモニタのみが入力を受け付ける。特定の画面または機能を選択するためには、オペレータは、タッチセンサモニタの指定エリアに触れる。触れられたエリアはその強調色を変色させるか、または新規のメニューもしくは画面が表示され、オペレータとタッチセンサモニタとの間における通信の確認を与える。キーボード、マウス、または他のポインティングデバイスもしくは通信デバイスなどの他のデバイスが、ユーザとシステムコントローラとの間の通信を可能にするために、このタッチセンサモニタの代替としてまたは追加として使用されてもよい。
チャンバプラズマ領域またはRPS内のある領域を、遠隔プラズマ領域と呼ぶことができる。いくつかの実施形態においては、ラジカル窒素前駆体が、遠隔プラズマ領域内で生成され、基板処理領域内に移動し、そこで炭素非含有シリコン含有前駆体が、ラジカル窒素前駆体により励起される。いくつかの実施形態においては、炭素非含有シリコン含有前駆体は、ラジカル窒素前駆体によってのみ励起される。いくつかの実施形態においては、プラズマ出力は、ラジカル窒素前駆体が、炭素非含有シリコン含有前駆体に対して優先的な励起をもたらすようにするために、基本的に遠隔プラズマ領域のみに印加されてもよい。
本明細書においては、基板処理領域は、シリコン−窒素含有層の成長および他の処理ステップの中のいくつかの際には、「プラズマ不在」であると説明することができる。「プラズマ不在」は、その領域にプラズマがないことを必ずしも意味しない。プラズマ領域内において生成されたイオン化種は、基板処理領域内に移動し得るが、炭素非含有シリコン含有前駆体は、プラズマ領域に印加されるプラズマ出力によっては実質的に励起されない。チャンバプラズマ領域内のプラズマの境界は、画定が困難であり、シャワーヘッド中の開孔を通り基板処理領域に侵入する場合がある。誘導結合プラズマの場合には、少量のイオン化が、基板処理領域内において直に発生する場合がある。さらに、低強度プラズマが、成形膜の流動性の性質を消失させることなく、基板処理領域内において生成される場合がある。ラジカル窒素前駆体の生成の際のチャンバプラズマ領域内のプラズマよりもはるかに低い強度を有するプラズマを発生させるあらゆる原因は、本明細書における「プラズマ不在」の範囲から逸脱しない。
本明細書においては、「基板」は、その上に形成された層を伴うまたは伴わない支持基板であってもよい。この支持基板は、様々なドーピング濃度およびドーピングプロファイルの絶縁体または半導体であってもよく、例えば集積回路の製造において使用されるタイプの半導体基板であってもよい。「酸化ケイ素」の層は、シリコン−酸素含有材料の省略表現として、およびシリコン−酸素含有材料と同義的に使用される。そのため、酸化ケイ素には、種々の濃度の窒素、水素、および炭素等の他の元素成分が含まれてもよい。いくつかの実施形態においては、酸化ケイ素は、シリコンおよび酸素から主に構成される。「前駆体」という用語は、表面から材料を除去するかまたは表面上に材料を堆積させるための反応において役割を果たす任意のプロセスガスを指すために使用される。「励起状態」のガスとは、ガス分子の少なくとも一部が振動励起された、解離された、および/またはイオン化された状態にあるガスを指す。ガスは、2つ以上のガスの組合せであってもよい。「トレンチ」または「間隙」という用語は、エッチングされた形状寸法が高い水平方向アスペクト比を有することの示唆を含まずに、全体を通じて使用される。表面の上方から見た場合に、トレンチおよび間隙は、円形、楕円形、多角形、矩形、または様々な他の形状に見えるものであってもよい。
いくつかの実施形態を説明したが、本発明の趣旨から逸脱することなく様々な修正、代替構造、および均等物を使用し得ることが、当業者には理解されよう。さらに、多数の周知のプロセスおよび要素については、本発明を不要に曖昧にすることを回避するために説明していない。したがって、上述の説明は、本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。
数値範囲が提示される場合には、そのコンテクストにおいて別様に明示しない限りは下限単位の10分の1までの、その範囲の上限と下限との間の各介在値もまた、具体的に開示されたものと理解される。明示した範囲内の任意の明示した値または介在値と、その明示した範囲内の任意の他の明示した値または介在値との間のさらに小さな範囲は、それぞれ包含される。これらのさらに小さな範囲の上限および下限は、この範囲内に個別に含まれてもよく、または除外されてもよく、また、このさらに小さな範囲内にいずれかの限界値が含まれるか、いずれの限界値も含まれないか、または両限界値が含まれるような各範囲は、明示した範囲内の任意の限界値が具体的に除外される場合にはその条件の下において、本発明の範囲に包含される。また、明示した範囲が、これらの限界値の一方または両方を含む場合には、それらの包含された限界値のいずれかまたは両方を除いた範囲が、含まれる。
本明細書においては、および添付の特許請求の範囲においては、「1つの(a、an)」、および「その(the)」という単数形は、別様に明示しない限り複数への言及を含む。したがって、例えば、「1つのプロセス」への言及は、複数のかかるプロセスを含み、「その前駆体」への言及は、当業者には公知である1つまたは複数の前駆体および均等物への言及を含む、等々となる。
また、「備える」、「備えている」、「含む」、および「含んでいる」という語は、本明細書において使用される場合には、および以下の特許請求の範囲においては、明示した特徴、完全体、構成要素、またはステップの存在を具体的に述べることを意図されたものであるが、1つまたは複数の他の特徴、完全体、構成要素、ステップ、作用、もしくは群の存在または追加を除外しない。
Claims (22)
- 基板処理チャンバ内の基板処理領域において、パターニングされた基板上に共形シリコン−窒素含有層を形成する方法であって、
炭素非含有シリコン−窒素含有前駆体をラジカル窒素前駆体と混合するステップであって、前記炭素非含有シリコン−窒素含有前駆体は、前記ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される、ステップと、
前記パターニングされた基板の上に、共形層厚さを有する共形シリコン−窒素含有層を堆積するステップと
を含む、方法。 - 前記共形シリコン−窒素含有膜を堆積する前記ステップの際の前記基板処理領域における共形堆積圧力が、200ミリトール未満であるかまたは約200ミリトールである、請求項1に記載の方法。
- 前記共形シリコン−窒素含有膜を堆積する前記ステップの際の前記基板の共形堆積温度が、200℃未満であるかまたは約200℃である、請求項1に記載の方法。
- 前記共形層厚さは、20nm未満であるか、または約20nmである、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン−窒素含有層をオゾンにさらすことにより、前記シリコン−窒素含有層をシリコン−酸素含有層に転化させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記炭素非含有シリコン−窒素含有前駆体は、シリルアミンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記シリルアミンは、N(SiH3)3を含む、請求項6に記載の方法。
- 前記ラジカル窒素前駆体は、前記炭素非含有シリコン−窒素含有前駆体と混合される前に、プラズマを用いて窒素−水素含有ガスから生成される、請求項1に記載の方法。
- 前記窒素−水素含有ガスは、アンモニア、N2、およびH2から構成される群より選択されるガスを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記共形シリコン−窒素含有層は、炭素非含有Si−N−H層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記共形シリコン−窒素含有層は、前記シリコン−窒素含有層を酸素含有雰囲気にさらすことにより前記酸化ケイ素層に転化される、請求項1に記載の方法。
- 前記酸素含有雰囲気は、酸素、オゾン、および蒸気から構成される群より選択される1つまたは複数のガスを含む、請求項11に記載の方法。
- 体積収縮が低減されたシリコン含有層を形成する方法であって、
間隙を含む基板を搬送するステップと、
前記基板上に共形シリコン−窒素含有層を堆積するステップであって、前記共形シリコン−窒素含有層は共形性を有する、ステップと、
前記共形シリコン−窒素含有層を覆うように流動性シリコン−窒素含有層を堆積するステップであって、前記シリコン含有層は、前記共形シリコン−窒素含有層および前記流動性シリコン−窒素含有層を共に備える、ステップと
を含む、方法。 - 酸素含有量を増加させるために酸素含有雰囲気内において前記シリコン含有層を加熱するステップをさらに含み、前記シリコン含有層は、前記間隙内に堆積される前記炭素非含有シリコン−窒素含有層の約85%以上の体積を保持する、請求項13に記載の方法。
- 前記共形シリコン−窒素含有層の共形性は、80%超または約80%である、請求項13に記載の方法。
- 前記共形シリコン−窒素含有層は、シリコン−窒素含有前駆体をラジカル窒素前駆体と反応させることにより前記基板上に堆積され、前記ラジカル窒素前駆体は、前記シリコン−窒素前駆体に対して優先的な励起をもたらす、請求項13に記載の方法。
- 前記シリコン−窒素含有前駆体は、N(SiH3)3を含み、前記ラジカル窒素前駆体は、プラズマにより活性化されたNH3から形成される、請求項16に記載の方法。
- 前記酸素含有雰囲気は、O2、O3、またはH2Oの中の少なくとも1つを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記間隙内の前記シリコン含有層は、実質的にボイドを有さない、請求項13に記載の方法。
- 前記シリコン−窒素含有層は、Si−N−H層を含む、請求項16に記載の方法。
- 前記共形シリコン−窒素含有層は、Si−N−H層を含む、請求項13に記載の方法。
- 前記基板間隙は、約50nm以下の幅を有する、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US31106110P | 2010-03-05 | 2010-03-05 | |
US61/311,061 | 2010-03-05 | ||
US12/840,768 | 2010-07-21 | ||
US12/840,768 US8741788B2 (en) | 2009-08-06 | 2010-07-21 | Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes |
PCT/US2011/024378 WO2011109148A2 (en) | 2010-03-05 | 2011-02-10 | Conformal layers by radical-component cvd |
US13/024,487 US8563445B2 (en) | 2010-03-05 | 2011-02-10 | Conformal layers by radical-component CVD |
US13/024,487 | 2011-02-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013521650A true JP2013521650A (ja) | 2013-06-10 |
Family
ID=44531714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012556083A Withdrawn JP2013521650A (ja) | 2010-03-05 | 2011-02-10 | ラジカル成分cvdによる共形層 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8563445B2 (ja) |
JP (1) | JP2013521650A (ja) |
KR (1) | KR101853802B1 (ja) |
CN (1) | CN102844848A (ja) |
SG (1) | SG183873A1 (ja) |
TW (1) | TWI534290B (ja) |
WO (1) | WO2011109148A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101528832B1 (ko) * | 2010-01-06 | 2015-06-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 유동성 유전체 층의 형성 방법 |
WO2017011088A1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Applied Materials, Inc. | Uv-assisted material injection into porous films |
Families Citing this family (199)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8232176B2 (en) | 2006-06-22 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill |
US7867923B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors |
US8357435B2 (en) | 2008-05-09 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
US8980382B2 (en) | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
US8741788B2 (en) | 2009-08-06 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes |
US8449942B2 (en) | 2009-11-12 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Methods of curing non-carbon flowable CVD films |
JP2013516763A (ja) | 2009-12-30 | 2013-05-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フレキシブルな窒素/水素比を使用して生成されるラジカルを用いる誘電体膜成長 |
US8329262B2 (en) | 2010-01-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dielectric film formation using inert gas excitation |
SG182333A1 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-30 | Applied Materials Inc | In-situ ozone cure for radical-component cvd |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
US8664127B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8450191B2 (en) | 2011-01-24 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Polysilicon films by HDP-CVD |
US8716154B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US8445078B2 (en) | 2011-04-20 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Low temperature silicon oxide conversion |
US8466073B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-06-18 | Applied Materials, Inc. | Capping layer for reduced outgassing |
US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US8617989B2 (en) | 2011-09-26 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Liner property improvement |
US8551891B2 (en) | 2011-10-04 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma burn-in |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
US9234276B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-01-12 | Novellus Systems, Inc. | Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties |
US10325773B2 (en) | 2012-06-12 | 2019-06-18 | Novellus Systems, Inc. | Conformal deposition of silicon carbide films |
US10832904B2 (en) | 2012-06-12 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) * | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US8921235B2 (en) * | 2013-03-04 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Controlled air gap formation |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
TW201522696A (zh) * | 2013-11-01 | 2015-06-16 | Applied Materials Inc | 使用遠端電漿cvd技術的低溫氮化矽膜 |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9219006B2 (en) * | 2014-01-13 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable carbon film by FCVD hardware using remote plasma PECVD |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
JP6315809B2 (ja) * | 2014-08-28 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US9646876B2 (en) * | 2015-02-27 | 2017-05-09 | Applied Materials, Inc. | Aluminum nitride barrier layer |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US20160314964A1 (en) | 2015-04-21 | 2016-10-27 | Lam Research Corporation | Gap fill using carbon-based films |
US9871100B2 (en) * | 2015-07-29 | 2018-01-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Trench structure of semiconductor device having uneven nitrogen distribution liner |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
WO2017040623A1 (en) | 2015-09-01 | 2017-03-09 | Silcotek Corp. | Thermal chemical vapor deposition coating |
US10087521B2 (en) * | 2015-12-15 | 2018-10-02 | Silcotek Corp. | Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating |
KR102458309B1 (ko) | 2015-12-28 | 2022-10-24 | 삼성전자주식회사 | SiOCN 물질막의 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10224224B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-03-05 | Micromaterials, LLC | High pressure wafer processing systems and related methods |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US10017856B1 (en) | 2017-04-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Flowable gapfill using solvents |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
KR102574914B1 (ko) | 2017-06-02 | 2023-09-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 보론 카바이드 하드마스크의 건식 스트리핑 |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US20180363133A1 (en) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | Applied Materials, Inc. | Method and Apparatus for Void Free SiN Gapfill |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
KR102405723B1 (ko) | 2017-08-18 | 2022-06-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고압 및 고온 어닐링 챔버 |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
JP7274461B2 (ja) | 2017-09-12 | 2023-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 保護バリア層を使用して半導体構造を製造する装置および方法 |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10643867B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-05-05 | Applied Materials, Inc. | Annealing system and method |
CN111357090B (zh) | 2017-11-11 | 2024-01-05 | 微材料有限责任公司 | 用于高压处理腔室的气体输送系统 |
JP7330181B2 (ja) | 2017-11-16 | 2023-08-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高圧蒸気アニール処理装置 |
KR20200075892A (ko) | 2017-11-17 | 2020-06-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고압 처리 시스템을 위한 컨덴서 시스템 |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
CN111699549A (zh) | 2018-01-24 | 2020-09-22 | 应用材料公司 | 使用高压退火的接缝弥合 |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
KR20230079236A (ko) | 2018-03-09 | 2023-06-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 금속 함유 재료들을 위한 고압 어닐링 프로세스 |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10714331B2 (en) | 2018-04-04 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
US10566188B2 (en) | 2018-05-17 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Method to improve film stability |
US10704141B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10840087B2 (en) | 2018-07-20 | 2020-11-17 | Lam Research Corporation | Remote plasma based deposition of boron nitride, boron carbide, and boron carbonitride films |
KR20230088843A (ko) * | 2018-07-24 | 2023-06-20 | 램 리써치 코포레이션 | 이종 전구체 상호 작용을 사용한 탄화 실리콘 막의 컨포멀한 증착 |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
US10675581B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Gas abatement apparatus |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
KR20230085954A (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-14 | 램 리써치 코포레이션 | 갭 충진 (gapfill) 을 위한 도핑되거나 도핑되지 않은 실리콘 카바이드 증착 및 원격 수소 플라즈마 노출 |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
WO2020092002A1 (en) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching a structure for semiconductor applications |
KR20210077779A (ko) | 2018-11-16 | 2021-06-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 강화된 확산 프로세스를 사용한 막 증착 |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
WO2020252306A1 (en) | 2019-06-14 | 2020-12-17 | Silcotek Corp. | Nano-wire growth |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
Family Cites Families (359)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4147571A (en) * | 1977-07-11 | 1979-04-03 | Hewlett-Packard Company | Method for vapor epitaxial deposition of III/V materials utilizing organometallic compounds and a halogen or halide in a hot wall system |
US4200666A (en) | 1978-08-02 | 1980-04-29 | Texas Instruments Incorporated | Single component monomer for silicon nitride deposition |
FR2598520B1 (fr) * | 1986-01-21 | 1994-01-28 | Seiko Epson Corp | Pellicule protectrice minerale |
US4946593A (en) | 1987-03-31 | 1990-08-07 | Acushnet Company | Rubber composition for use with potable water |
US4818326A (en) * | 1987-07-16 | 1989-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus |
US4910043A (en) * | 1987-07-16 | 1990-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
US4816098A (en) * | 1987-07-16 | 1989-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for transferring workpieces |
US4931354A (en) | 1987-11-02 | 1990-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer printed circuit board |
JPH03257182A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-15 | Hitachi Ltd | 表面加工装置 |
US5016332A (en) * | 1990-04-13 | 1991-05-21 | Branson International Plasma Corporation | Plasma reactor and process with wafer temperature control |
US5843233A (en) | 1990-07-16 | 1998-12-01 | Novellus Systems, Inc. | Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus |
US5578532A (en) | 1990-07-16 | 1996-11-26 | Novellus Systems, Inc. | Wafer surface protection in a gas deposition process |
US5620525A (en) | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
KR930009549B1 (ko) | 1990-11-28 | 1993-10-06 | 현대전자산업 주식회사 | 고저항용 다결정 실리콘의 저항치 유지방법 |
US5436172A (en) | 1991-05-20 | 1995-07-25 | Texas Instruments Incorporated | Real-time multi-zone semiconductor wafer temperature and process uniformity control system |
US5426076A (en) | 1991-07-16 | 1995-06-20 | Intel Corporation | Dielectric deposition and cleaning process for improved gap filling and device planarization |
US5279784A (en) | 1992-05-05 | 1994-01-18 | Bandag Licensing Corporation | Method of fabrication of composite tire thread |
US5271972A (en) | 1992-08-17 | 1993-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity |
US5393708A (en) * | 1992-10-08 | 1995-02-28 | Industrial Technology Research Institute | Inter-metal-dielectric planarization process |
JP2684942B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1997-12-03 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法 |
US5377139A (en) | 1992-12-11 | 1994-12-27 | Motorola, Inc. | Process forming an integrated circuit |
US5434109A (en) | 1993-04-27 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Oxidation of silicon nitride in semiconductor devices |
US5587014A (en) | 1993-12-22 | 1996-12-24 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for manufacturing group III-V compound semiconductor crystals |
US5679152A (en) | 1994-01-27 | 1997-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of making a single crystals Ga*N article |
US5547703A (en) | 1994-04-11 | 1996-08-20 | Dow Corning Corporation | Method of forming si-o containing coatings |
US5468687A (en) | 1994-07-27 | 1995-11-21 | International Business Machines Corporation | Method of making TA2 O5 thin film by low temperature ozone plasma annealing (oxidation) |
US5576071A (en) | 1994-11-08 | 1996-11-19 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds |
JPH08148559A (ja) | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 絶縁膜を有する半導体装置の製造方法 |
US5530293A (en) | 1994-11-28 | 1996-06-25 | International Business Machines Corporation | Carbon-free hydrogen silsesquioxane with dielectric constant less than 3.2 annealed in hydrogen for integrated circuits |
US5558717A (en) | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
US5786263A (en) | 1995-04-04 | 1998-07-28 | Motorola, Inc. | Method for forming a trench isolation structure in an integrated circuit |
US5966595A (en) | 1995-10-05 | 1999-10-12 | Micron Technology, Inc. | Method to form a DRAM capacitor using low temperature reoxidation |
JPH09237785A (ja) | 1995-12-28 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2871580B2 (ja) | 1996-03-29 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6070551A (en) | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
US5827783A (en) | 1996-08-23 | 1998-10-27 | Mosel Vitelic, Inc. | Stacked capacitor having improved charge storage capacity |
US5935340A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces |
US5873781A (en) | 1996-11-14 | 1999-02-23 | Bally Gaming International, Inc. | Gaming machine having truly random results |
US5811325A (en) | 1996-12-31 | 1998-09-22 | Industrial Technology Research Institute | Method of making a polysilicon carbon source/drain heterojunction thin-film transistor |
FR2759362B1 (fr) * | 1997-02-10 | 1999-03-12 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent muni d'au moins une couche mince a base de nitrure ou d'oxynitrure de silicium et son procede d'obtention |
US6090723A (en) | 1997-02-10 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Conditioning of dielectric materials |
TW388100B (en) | 1997-02-18 | 2000-04-21 | Hitachi Ulsi Eng Corp | Semiconductor deivce and process for producing the same |
US5937308A (en) | 1997-03-26 | 1999-08-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor trench isolation structure formed substantially within a single chamber |
US6090442A (en) | 1997-04-14 | 2000-07-18 | University Technology Corporation | Method of growing films on substrates at room temperatures using catalyzed binary reaction sequence chemistry |
US6551665B1 (en) | 1997-04-17 | 2003-04-22 | Micron Technology, Inc. | Method for improving thickness uniformity of deposited ozone-TEOS silicate glass layers |
US5937323A (en) | 1997-06-03 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Sequencing of the recipe steps for the optimal low-k HDP-CVD processing |
US6207587B1 (en) * | 1997-06-24 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a dielectric |
TW416100B (en) | 1997-07-02 | 2000-12-21 | Applied Materials Inc | Control of oxygen to silane ratio in a seasoning process to improve particle performance in an HDP-CVD system |
US6114219A (en) | 1997-09-15 | 2000-09-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of manufacturing an isolation region in a semiconductor device using a flowable oxide-generating material |
US6024044A (en) * | 1997-10-09 | 2000-02-15 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dual frequency excitation of plasma for film deposition |
US6624064B1 (en) | 1997-10-10 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Chamber seasoning method to improve adhesion of F-containing dielectric film to metal for VLSI application |
US6566281B1 (en) | 1997-10-15 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Nitrogen-rich barrier layer and structures formed |
US6087243A (en) | 1997-10-21 | 2000-07-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming trench isolation with high integrity, ultra thin gate oxide |
US6017791A (en) | 1997-11-10 | 2000-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Multi-layer silicon nitride deposition method for forming low oxidation temperature thermally oxidized silicon nitride/silicon oxide (no) layer |
JP3141827B2 (ja) | 1997-11-20 | 2001-03-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6009830A (en) * | 1997-11-21 | 2000-01-04 | Applied Materials Inc. | Independent gas feeds in a plasma reactor |
KR100253079B1 (ko) | 1997-12-01 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 트렌치 격리 형성 방법 |
US6413583B1 (en) | 1998-02-11 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Formation of a liquid-like silica layer by reaction of an organosilicon compound and a hydroxyl forming compound |
US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6156394A (en) | 1998-04-17 | 2000-12-05 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Polymeric optical substrate method of treatment |
US6068884A (en) | 1998-04-28 | 2000-05-30 | Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc | Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films |
US6165834A (en) | 1998-05-07 | 2000-12-26 | Micron Technology, Inc. | Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell |
US6509283B1 (en) * | 1998-05-13 | 2003-01-21 | National Semiconductor Corporation | Thermal oxidation method utilizing atomic oxygen to reduce dangling bonds in silicon dioxide grown on silicon |
US6187682B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-02-13 | Motorola Inc. | Inert plasma gas surface cleaning process performed insitu with physical vapor deposition (PVD) of a layer of material |
US6146970A (en) | 1998-05-26 | 2000-11-14 | Motorola Inc. | Capped shallow trench isolation and method of formation |
US6667553B2 (en) | 1998-05-29 | 2003-12-23 | Dow Corning Corporation | H:SiOC coated substrates |
US6461970B1 (en) | 1998-06-10 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby |
US6302964B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US6014979A (en) | 1998-06-22 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Localizing cleaning plasma for semiconductor processing |
US6406677B1 (en) | 1998-07-22 | 2002-06-18 | Eltron Research, Inc. | Methods for low and ambient temperature preparation of precursors of compounds of group III metals and group V elements |
US6410149B1 (en) | 1998-08-27 | 2002-06-25 | Alliedsignal Inc. | Silane-based nanoporous silica thin films and precursors for making same |
US6800571B2 (en) | 1998-09-29 | 2004-10-05 | Applied Materials Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US6197658B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-03-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Sub-atmospheric pressure thermal chemical vapor deposition (SACVD) trench isolation method with attenuated surface sensitivity |
US6245690B1 (en) | 1998-11-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films |
US6121130A (en) | 1998-11-16 | 2000-09-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Laser curing of spin-on dielectric thin films |
US6583063B1 (en) | 1998-12-03 | 2003-06-24 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures |
TW445570B (en) * | 1998-12-11 | 2001-07-11 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method for shallow trench isolation |
US6469283B1 (en) | 1999-03-04 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing thermal gradients within a substrate support |
US6290774B1 (en) * | 1999-05-07 | 2001-09-18 | Cbl Technology, Inc. | Sequential hydride vapor phase epitaxy |
US7091605B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-08-15 | Eastman Kodak Company | Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication |
US6180490B1 (en) * | 1999-05-25 | 2001-01-30 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of filling shallow trenches |
US6204201B1 (en) * | 1999-06-11 | 2001-03-20 | Electron Vision Corporation | Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing |
US6524931B1 (en) * | 1999-07-20 | 2003-02-25 | Motorola, Inc. | Method for forming a trench isolation structure in an integrated circuit |
US6383954B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-05-07 | Applied Materials, Inc. | Process gas distribution for forming stable fluorine-doped silicate glass and other films |
US6602806B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film |
US6875687B1 (en) * | 1999-10-18 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Capping layer for extreme low dielectric constant films |
EP1095958B1 (en) | 1999-10-25 | 2006-02-08 | Dow Corning Corporation | Soluble silicone resin compositions |
US6682659B1 (en) | 1999-11-08 | 2004-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for forming corrosion inhibited conductor layer |
JP2001144325A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
FI118804B (fi) * | 1999-12-03 | 2008-03-31 | Asm Int | Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi |
US6348420B1 (en) * | 1999-12-23 | 2002-02-19 | Asm America, Inc. | Situ dielectric stacks |
US6150286A (en) | 2000-01-03 | 2000-11-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making an ultra thin silicon nitride film |
US6541367B1 (en) | 2000-01-18 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films |
US6440860B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride |
US6461980B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for controlling the temperature of a substrate in a plasma reactor chamber |
EP1124252A2 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for processing substrates |
EP1130633A1 (en) | 2000-02-29 | 2001-09-05 | STMicroelectronics S.r.l. | A method of depositing silicon oxynitride polimer layers |
US7419903B2 (en) | 2000-03-07 | 2008-09-02 | Asm International N.V. | Thin films |
US6558755B2 (en) | 2000-03-20 | 2003-05-06 | Dow Corning Corporation | Plasma curing process for porous silica thin film |
US6787191B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-09-07 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Coating composition for the production of insulating thin films |
US6630413B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-10-07 | Asm Japan K.K. | CVD syntheses of silicon nitride materials |
US6387207B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber |
US6495479B1 (en) | 2000-05-05 | 2002-12-17 | Honeywell International, Inc. | Simplified method to produce nanoporous silicon-based films |
US6553932B2 (en) | 2000-05-12 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes |
US6559026B1 (en) | 2000-05-25 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc | Trench fill with HDP-CVD process including coupled high power density plasma deposition |
JP4371543B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2009-11-25 | 日本電気株式会社 | リモートプラズマcvd装置及び膜形成方法 |
TW533489B (en) | 2000-06-30 | 2003-05-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and production method thereof |
US6835278B2 (en) | 2000-07-07 | 2004-12-28 | Mattson Technology Inc. | Systems and methods for remote plasma clean |
US7183177B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement |
US6614181B1 (en) | 2000-08-23 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | UV radiation source for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films |
US6566278B1 (en) | 2000-08-24 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Method for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films through UV irradiation |
US6682969B1 (en) | 2000-08-31 | 2004-01-27 | Micron Technology, Inc. | Top electrode in a strongly oxidizing environment |
US6706634B1 (en) | 2000-09-19 | 2004-03-16 | Infineon Technologies Ag | Control of separation between transfer gate and storage node in vertical DRAM |
JP4232330B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2009-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 励起ガス形成装置、処理装置及び処理方法 |
JP3712356B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2005-11-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 成膜方法および半導体装置の製造方法 |
US20020060322A1 (en) | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Hiroshi Tanabe | Thin film transistor having high mobility and high on-current and method for manufacturing the same |
US6287962B1 (en) | 2000-11-30 | 2001-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for making a novel graded silicon nitride/silicon oxide (SNO) hard mask for improved deep sub-micrometer semiconductor processing |
US6531413B2 (en) | 2000-12-05 | 2003-03-11 | United Microelectronics Corp. | Method for depositing an undoped silicate glass layer |
KR100385947B1 (ko) | 2000-12-06 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법 |
US6930041B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Photo-assisted method for semiconductor fabrication |
US6576564B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Photo-assisted remote plasma apparatus and method |
US6538274B2 (en) | 2000-12-20 | 2003-03-25 | Micron Technology, Inc. | Reduction of damage in semiconductor container capacitors |
US20020081817A1 (en) | 2000-12-22 | 2002-06-27 | Jayendra Bhakta | Void reduction and increased throughput in trench fill processes |
US6660662B2 (en) * | 2001-01-26 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing plasma charge damage for plasma processes |
US6599839B1 (en) | 2001-02-02 | 2003-07-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Plasma etch process for nonhomogenous film |
US6589868B2 (en) | 2001-02-08 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Si seasoning to reduce particles, extend clean frequency, block mobile ions and increase chamber throughput |
KR100364026B1 (ko) | 2001-02-22 | 2002-12-11 | 삼성전자 주식회사 | 층간 절연막 형성방법 |
US6632478B2 (en) | 2001-02-22 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Process for forming a low dielectric constant carbon-containing film |
US6447651B1 (en) | 2001-03-07 | 2002-09-10 | Applied Materials, Inc. | High-permeability magnetic shield for improved process uniformity in nonmagnetized plasma process chambers |
JP3990920B2 (ja) | 2001-03-13 | 2007-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
KR100897771B1 (ko) | 2001-03-13 | 2009-05-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 막형성방법 및 막형성장치 |
JP3924483B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-06-06 | アイピーエス リミテッド | 化学気相蒸着装置 |
JP2004526318A (ja) | 2001-03-23 | 2004-08-26 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 水素化シリコンオキシカーバイド膜を生産するための方法 |
US6596576B2 (en) | 2001-04-10 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Limiting hydrogen ion diffusion using multiple layers of SiO2 and Si3N4 |
FR2824062B1 (fr) | 2001-04-27 | 2004-10-15 | Atofina | Procede de fabrication de solutions aqueuses de sels insatures d'ammonium quaternaire |
US6528332B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-03-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for reducing polymer build up during plasma etch of an intermetal dielectric |
US6780499B2 (en) | 2001-05-03 | 2004-08-24 | International Business Machines Corporation | Ordered two-phase dielectric film, and semiconductor device containing the same |
US6596653B2 (en) | 2001-05-11 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD |
US6716770B2 (en) * | 2001-05-23 | 2004-04-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low dielectric constant material and method of processing by CVD |
US20020182893A1 (en) | 2001-06-05 | 2002-12-05 | International Business Machines Corporation | Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices |
JP2003017556A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100421046B1 (ko) * | 2001-07-13 | 2004-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US6548416B2 (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-15 | Axcelis Technolgoies, Inc. | Plasma ashing process |
CA2454570C (en) | 2001-07-25 | 2016-12-20 | The Trustees Of Princeton University | Nanochannel arrays and their preparation and use for high throughput macromolecular analysis |
US6596654B1 (en) | 2001-08-24 | 2003-07-22 | Novellus Systems, Inc. | Gap fill for high aspect ratio structures |
US20030064154A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-04-03 | Laxman Ravi K. | Low-K dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same |
US6531412B2 (en) | 2001-08-10 | 2003-03-11 | International Business Machines Corporation | Method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications |
KR100428768B1 (ko) | 2001-08-29 | 2004-04-30 | 삼성전자주식회사 | 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 및 그 형성 방법 |
US6756085B2 (en) | 2001-09-14 | 2004-06-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Ultraviolet curing processes for advanced low-k materials |
US6872323B1 (en) * | 2001-11-01 | 2005-03-29 | Novellus Systems, Inc. | In situ plasma process to remove fluorine residues from the interior surfaces of a CVD reactor |
US6770521B2 (en) * | 2001-11-30 | 2004-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives |
US6794290B1 (en) | 2001-12-03 | 2004-09-21 | Novellus Systems, Inc. | Method of chemical modification of structure topography |
JP3891267B2 (ja) | 2001-12-25 | 2007-03-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | シリコン酸化膜作製方法 |
US20030124873A1 (en) | 2001-12-28 | 2003-07-03 | Guangcai Xing | Method of annealing an oxide film |
JP2003204063A (ja) | 2002-01-10 | 2003-07-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
AU2003238853A1 (en) | 2002-01-25 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
US6998014B2 (en) * | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
JP3868324B2 (ja) | 2002-04-15 | 2007-01-17 | 三菱電機株式会社 | シリコン窒化膜の成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法 |
TW536775B (en) | 2002-04-18 | 2003-06-11 | Nanya Technology Corp | Manufacturing method of shallow trench isolation structure |
AU2003235305A1 (en) | 2002-04-19 | 2003-11-03 | Tokyo Electron Limited | Method of treating substrate and process for producing semiconductor device |
KR100468729B1 (ko) | 2002-04-25 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | Hcd 소스를 이용하여 실리콘 산화막을 원자층 증착하는방법 |
US6936551B2 (en) | 2002-05-08 | 2005-08-30 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices |
US7307273B2 (en) * | 2002-06-07 | 2007-12-11 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by selective relaxation |
TWI283899B (en) * | 2002-07-09 | 2007-07-11 | Applied Materials Inc | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
US6900881B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
US7294582B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-11-13 | Asm International, N.V. | Low temperature silicon compound deposition |
US6734082B2 (en) * | 2002-08-06 | 2004-05-11 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of forming a shallow trench isolation structure featuring a group of insulator liner layers located on the surfaces of a shallow trench shape |
US6825097B2 (en) * | 2002-08-07 | 2004-11-30 | International Business Machines Corporation | Triple oxide fill for trench isolation |
JP2004095889A (ja) | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Fasl Japan Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
KR100459724B1 (ko) | 2002-09-11 | 2004-12-03 | 삼성전자주식회사 | 저온 원자층증착에 의한 질화막을 식각저지층으로이용하는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US7335609B2 (en) * | 2004-08-27 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials |
US7456116B2 (en) | 2002-09-19 | 2008-11-25 | Applied Materials, Inc. | Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials |
JP4358492B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2009-11-04 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 |
US6828211B2 (en) | 2002-10-01 | 2004-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Shallow trench filled with two or more dielectrics for isolation and coupling or for stress control |
US6833322B2 (en) | 2002-10-17 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for depositing an oxide film |
US7080528B2 (en) * | 2002-10-23 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a phosphorus doped optical core using a PECVD process |
US6819886B2 (en) | 2002-10-23 | 2004-11-16 | Nex Press Solutions Llc | Gloss/density measurement device with feedback to control gloss and density of images produced by an electrographic reproduction apparatus |
JP4142941B2 (ja) | 2002-12-06 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US6858532B2 (en) | 2002-12-10 | 2005-02-22 | International Business Machines Corporation | Low defect pre-emitter and pre-base oxide etch for bipolar transistors and related tooling |
US6900067B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-05-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers |
US7092287B2 (en) | 2002-12-18 | 2006-08-15 | Asm International N.V. | Method of fabricating silicon nitride nanodots |
US7972663B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer |
US6923189B2 (en) | 2003-01-16 | 2005-08-02 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of CVD chambers using remote source with cxfyoz based chemistry |
US6808748B2 (en) | 2003-01-23 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology |
US7122222B2 (en) | 2003-01-23 | 2006-10-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof |
US7723242B2 (en) | 2004-03-15 | 2010-05-25 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Enhanced thin-film oxidation process |
US7205248B2 (en) * | 2003-02-04 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of eliminating residual carbon from flowable oxide fill |
US6884685B2 (en) | 2003-02-14 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductors, Inc. | Radical oxidation and/or nitridation during metal oxide layer deposition process |
US7084076B2 (en) | 2003-02-27 | 2006-08-01 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Method for forming silicon dioxide film using siloxane |
US7098149B2 (en) | 2003-03-04 | 2006-08-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure |
US7429540B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps |
US6867086B1 (en) * | 2003-03-13 | 2005-03-15 | Novellus Systems, Inc. | Multi-step deposition and etch back gap fill process |
JP2004283065A (ja) | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Ushio Inc | 化学走性機能制御膜の製造方法および人工材料並びに人工材料の製造方法 |
US7176144B1 (en) * | 2003-03-31 | 2007-02-13 | Novellus Systems, Inc. | Plasma detemplating and silanol capping of porous dielectric films |
JP4140768B2 (ja) | 2003-04-24 | 2008-08-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体原料 |
JP3976703B2 (ja) | 2003-04-30 | 2007-09-19 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6830624B2 (en) | 2003-05-02 | 2004-12-14 | Applied Materials, Inc. | Blocker plate by-pass for remote plasma clean |
US20040231590A1 (en) | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Ovshinsky Stanford R. | Deposition apparatus for the formation of polycrystalline materials on mobile substrates |
US6958112B2 (en) | 2003-05-27 | 2005-10-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for high-aspect-ratio gapfill using atomic-oxygen generation |
JP2005033173A (ja) | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US7399388B2 (en) * | 2003-07-25 | 2008-07-15 | Applied Materials, Inc. | Sequential gas flow oxide deposition technique |
US7192891B2 (en) * | 2003-08-01 | 2007-03-20 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Method for forming a silicon oxide layer using spin-on glass |
US6818517B1 (en) | 2003-08-29 | 2004-11-16 | Asm International N.V. | Methods of depositing two or more layers on a substrate in situ |
US7361991B2 (en) * | 2003-09-19 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Closed air gap interconnect structure |
US20050121145A1 (en) | 2003-09-25 | 2005-06-09 | Du Bois Dale R. | Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors |
JP4285184B2 (ja) | 2003-10-14 | 2009-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
DE10350752A1 (de) | 2003-10-30 | 2005-06-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Ausbilden eines Dielektrikums auf einer kupferhaltigen Metallisierung und Kondensatoranordnung |
US20050227017A1 (en) | 2003-10-31 | 2005-10-13 | Yoshihide Senzaki | Low temperature deposition of silicon nitride |
JP4273932B2 (ja) | 2003-11-07 | 2009-06-03 | 株式会社島津製作所 | 表面波励起プラズマcvd装置 |
US7030468B2 (en) * | 2004-01-16 | 2006-04-18 | International Business Machines Corporation | Low k and ultra low k SiCOH dielectric films and methods to form the same |
US7488693B2 (en) | 2004-02-17 | 2009-02-10 | Toagosei Co., Ltd. | Method for producing silicon oxide film |
US7067438B2 (en) | 2004-02-19 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate |
US20050230350A1 (en) | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
JP4279176B2 (ja) | 2004-03-02 | 2009-06-17 | 株式会社アルバック | シリコン窒化膜の形成方法 |
US7087497B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-08-08 | Applied Materials | Low-thermal-budget gapfill process |
JP4451684B2 (ja) | 2004-03-17 | 2010-04-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
US7524735B1 (en) * | 2004-03-25 | 2009-04-28 | Novellus Systems, Inc | Flowable film dielectric gap fill process |
US20050221020A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film |
US7115508B2 (en) | 2004-04-02 | 2006-10-03 | Applied-Materials, Inc. | Oxide-like seasoning for dielectric low k films |
JP2005302848A (ja) | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
US7125758B2 (en) | 2004-04-20 | 2006-10-24 | Applied Materials, Inc. | Controlling the properties and uniformity of a silicon nitride film by controlling the film forming precursors |
US7109114B2 (en) | 2004-05-07 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD seasoning process for high power HDP-CVD gapfil to improve particle performance |
US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
KR100580584B1 (ko) | 2004-05-21 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 리모트 플라즈마 발생 튜브의 표면 세정 방법과 이를이용하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR100762573B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2007-10-01 | 어플라이드 마이크로스트럭쳐스, 인코포레이티드 | 산화물층에 의해 부착된 다층 코팅의 제어되는 기상 증착 |
US7297608B1 (en) | 2004-06-22 | 2007-11-20 | Novellus Systems, Inc. | Method for controlling properties of conformal silica nanolaminates formed by rapid vapor deposition |
JP4396547B2 (ja) | 2004-06-28 | 2010-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
US7521378B2 (en) * | 2004-07-01 | 2009-04-21 | Micron Technology, Inc. | Low temperature process for polysilazane oxidation/densification |
US7129187B2 (en) * | 2004-07-14 | 2006-10-31 | Tokyo Electron Limited | Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitrogen-containing films |
US7642171B2 (en) * | 2004-08-04 | 2010-01-05 | Applied Materials, Inc. | Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill |
US7294574B2 (en) | 2004-08-09 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Sputter deposition and etching of metallization seed layer for overhang and sidewall improvement |
JP4470023B2 (ja) | 2004-08-20 | 2010-06-02 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | シリコン窒化物膜の製造方法 |
US7629270B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-12-08 | Asm America, Inc. | Remote plasma activated nitridation |
US20060046506A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Limited | Soft de-chucking sequence |
KR100550351B1 (ko) * | 2004-09-07 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 막 형성방법 및 이를 수행하기 위한 반도체장치의 막 형성 장치 |
TW200619416A (en) | 2004-09-30 | 2006-06-16 | Aviza Tech Inc | Method and apparatus for low temperature dielectric deposition using monomolecular precursors |
US7148155B1 (en) | 2004-10-26 | 2006-12-12 | Novellus Systems, Inc. | Sequential deposition/anneal film densification method |
US7226869B2 (en) | 2004-10-29 | 2007-06-05 | Lam Research Corporation | Methods for protecting silicon or silicon carbide electrode surfaces from morphological modification during plasma etch processing |
KR100782369B1 (ko) | 2004-11-11 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치 |
US8193096B2 (en) * | 2004-12-13 | 2012-06-05 | Novellus Systems, Inc. | High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry |
US20060162661A1 (en) | 2005-01-22 | 2006-07-27 | Applied Materials, Inc. | Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition |
JP2006261434A (ja) | 2005-03-17 | 2006-09-28 | L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude | シリコン酸化膜の形成方法 |
US20060228903A1 (en) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mcswiney Michael L | Precursors for the deposition of carbon-doped silicon nitride or silicon oxynitride films |
US7972441B2 (en) | 2005-04-05 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal oxidation of silicon using ozone |
US7282681B2 (en) | 2005-05-05 | 2007-10-16 | General Electric Company | Microwave fabrication of airfoil tips |
KR100731164B1 (ko) | 2005-05-19 | 2007-06-20 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
JP5091428B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US20060286774A1 (en) | 2005-06-21 | 2006-12-21 | Applied Materials. Inc. | Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process |
US7651955B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process |
US20070031598A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-02-08 | Yoshikazu Okuyama | Method for depositing silicon-containing films |
JP4860953B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2012-01-25 | 富士通株式会社 | シリカ系被膜形成用材料、シリカ系被膜及びその製造方法、多層配線及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
US20070010072A1 (en) * | 2005-07-09 | 2007-01-11 | Aviza Technology, Inc. | Uniform batch film deposition process and films so produced |
US20070031609A1 (en) | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Ajay Kumar | Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same |
US7323401B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask |
US7427570B2 (en) * | 2005-09-01 | 2008-09-23 | Micron Technology, Inc. | Porous organosilicate layers, and vapor deposition systems and methods for preparing same |
US20070065578A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Applied Materials, Inc. | Treatment processes for a batch ALD reactor |
US7544603B2 (en) * | 2005-09-22 | 2009-06-09 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating silicon nitride layer and method of fabricating semiconductor device |
US7901743B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-03-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma-assisted vapor phase treatment of low dielectric constant films using a batch processing system |
US7498270B2 (en) * | 2005-09-30 | 2009-03-03 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a silicon oxynitride film with tensile stress |
JP5154009B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2013-02-27 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 有機シロキサン系絶縁膜の製造方法、及び、この製造方法で製造した有機シロキサン系絶縁膜を層間絶縁として用いた液晶表示装置の製造方法 |
US20070099806A1 (en) | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Stewart Michael P | Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces |
US7884032B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-02-08 | Applied Materials, Inc. | Thin film deposition |
TWI329135B (en) | 2005-11-04 | 2010-08-21 | Applied Materials Inc | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
US7416995B2 (en) | 2005-11-12 | 2008-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating controlled stress silicon nitride films |
US7521377B2 (en) | 2006-01-11 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | SiCOH film preparation using precursors with built-in porogen functionality |
JP5070702B2 (ja) | 2006-01-19 | 2012-11-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
US7972954B2 (en) | 2006-01-24 | 2011-07-05 | Infineon Technologies Ag | Porous silicon dielectric |
US7435661B2 (en) | 2006-01-27 | 2008-10-14 | Atmel Corporation | Polish stop and sealing layer for manufacture of semiconductor devices with deep trench isolation |
JP4984558B2 (ja) | 2006-02-08 | 2012-07-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4618178B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2011-01-26 | オムロン株式会社 | 端子およびその製造方法 |
US7780865B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films |
US7601651B2 (en) | 2006-03-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films |
US8377511B2 (en) | 2006-04-03 | 2013-02-19 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method for depositing silicon nitride films and/or silicon oxynitride films by chemical vapor deposition |
US7524750B2 (en) * | 2006-04-17 | 2009-04-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD |
US7825038B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen |
US7790634B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc | Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications |
US20070289534A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-20 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
US20070281106A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
US7902080B2 (en) * | 2006-05-30 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide |
US7498273B2 (en) * | 2006-05-30 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes |
US8232176B2 (en) | 2006-06-22 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill |
US20080014759A1 (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating a gate dielectric layer utilized in a gate structure |
US20080038486A1 (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-14 | Helmuth Treichel | Radical Assisted Batch Film Deposition |
US7514375B1 (en) * | 2006-08-08 | 2009-04-07 | Novellus Systems, Inc. | Pulsed bias having high pulse frequency for filling gaps with dielectric material |
US8956457B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-02-17 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system for curing dielectric films |
US7629273B2 (en) * | 2006-09-19 | 2009-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for modulating stresses of a contact etch stop layer |
TWI462179B (zh) | 2006-09-28 | 2014-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置 |
US7737050B2 (en) | 2006-10-30 | 2010-06-15 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a nitrided silicon oxide gate dielectric layer |
US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US20080102223A1 (en) | 2006-11-01 | 2008-05-01 | Sigurd Wagner | Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles |
US7749574B2 (en) | 2006-11-14 | 2010-07-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature ALD SiO2 |
US7939422B2 (en) | 2006-12-07 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of thin film process |
JP5177617B2 (ja) | 2006-12-25 | 2013-04-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 酸化シリコン薄膜形成装置 |
US8017522B2 (en) | 2007-01-24 | 2011-09-13 | International Business Machines Corporation | Mechanically robust metal/low-κ interconnects |
US7572647B2 (en) | 2007-02-02 | 2009-08-11 | Applied Materials, Inc. | Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber |
KR100800495B1 (ko) | 2007-02-27 | 2008-02-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 |
JP2008218684A (ja) | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7964441B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-06-21 | Tokyo Electron Limited | Catalyst-assisted atomic layer deposition of silicon-containing films with integrated in-situ reactive treatment |
US7781352B2 (en) * | 2007-06-06 | 2010-08-24 | Asm Japan K.K. | Method for forming inorganic silazane-based dielectric film |
JP2009027134A (ja) | 2007-06-21 | 2009-02-05 | Tokyo Electron Ltd | Mos型半導体メモリ装置 |
KR100866143B1 (ko) * | 2007-08-03 | 2008-10-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
US7745352B2 (en) | 2007-08-27 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | Curing methods for silicon dioxide thin films deposited from alkoxysilane precursor with harp II process |
US20090075490A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-19 | L'air Liquite Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming silicon-containing films |
US20090095714A1 (en) | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Tokyo Electron Limited | Method and system for low pressure plasma processing |
US7867923B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors |
US7541297B2 (en) | 2007-10-22 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill |
US7803722B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-09-28 | Applied Materials, Inc | Methods for forming a dielectric layer within trenches |
US7943531B2 (en) | 2007-10-22 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate |
US7651959B2 (en) | 2007-12-03 | 2010-01-26 | Asm Japan K.K. | Method for forming silazane-based dielectric film |
KR20090068179A (ko) | 2007-12-21 | 2009-06-25 | 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. | 실리콘 이산화물을 포함하는 박막의 제조 방법 |
JP4935684B2 (ja) * | 2008-01-12 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
US7659184B2 (en) | 2008-02-25 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process with chamber seasoning and seasoning layer plasma discharging for wafer dechucking |
US7737052B2 (en) | 2008-03-05 | 2010-06-15 | International Business Machines Corporation | Advanced multilayer dielectric cap with improved mechanical and electrical properties |
US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
JP2009267366A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-11-12 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
US20090277587A1 (en) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
US8357435B2 (en) | 2008-05-09 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
US20090289284A1 (en) | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | High shrinkage stress silicon nitride (SiN) layer for NFET improvement |
US7622369B1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-11-24 | Asm Japan K.K. | Device isolation technology on semiconductor substrate |
US20090325391A1 (en) | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Asm International Nv | Ozone and teos process for silicon oxide deposition |
JP4638550B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2011-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | マスクパターンの形成方法、微細パターンの形成方法及び成膜装置 |
US20100081293A1 (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film |
US20100136313A1 (en) | 2008-12-01 | 2010-06-03 | Asm Japan K.K. | Process for forming high resistivity thin metallic film |
US8765233B2 (en) | 2008-12-09 | 2014-07-01 | Asm Japan K.K. | Method for forming low-carbon CVD film for filling trenches |
JP2010183069A (ja) | 2009-01-07 | 2010-08-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
US7972980B2 (en) | 2009-01-21 | 2011-07-05 | Asm Japan K.K. | Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD |
US7919416B2 (en) | 2009-01-21 | 2011-04-05 | Asm Japan K.K. | Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD |
US8980382B2 (en) | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
US7935643B2 (en) * | 2009-08-06 | 2011-05-03 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
US8741788B2 (en) * | 2009-08-06 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes |
US7989365B2 (en) * | 2009-08-18 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source seasoning |
US20110136347A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-06-09 | Applied Materials, Inc. | Point-of-use silylamine generation |
US8449942B2 (en) | 2009-11-12 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Methods of curing non-carbon flowable CVD films |
US20110159213A1 (en) | 2009-12-30 | 2011-06-30 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition improvements through radical-component modification |
JP2013516763A (ja) | 2009-12-30 | 2013-05-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フレキシブルな窒素/水素比を使用して生成されるラジカルを用いる誘電体膜成長 |
US8329262B2 (en) | 2010-01-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dielectric film formation using inert gas excitation |
JP2013517616A (ja) | 2010-01-06 | 2013-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体 |
SG182333A1 (en) * | 2010-01-07 | 2012-08-30 | Applied Materials Inc | In-situ ozone cure for radical-component cvd |
US8236708B2 (en) | 2010-03-09 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor |
US7994019B1 (en) | 2010-04-01 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon-ozone CVD with reduced pattern loading using incubation period deposition |
JP2011220127A (ja) | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Denso Corp | 排気ガス循環装置 |
US9611544B2 (en) | 2010-04-15 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
US8524004B2 (en) | 2010-06-16 | 2013-09-03 | Applied Materials, Inc. | Loadlock batch ozone cure |
US8318584B2 (en) | 2010-07-30 | 2012-11-27 | Applied Materials, Inc. | Oxide-rich liner layer for flowable CVD gapfill |
US20120213940A1 (en) | 2010-10-04 | 2012-08-23 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of silicon nitride using dual-source precursor and interleaved plasma |
US20120083133A1 (en) * | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Applied Materials, Inc. | Amine curing silicon-nitride-hydride films |
US9285168B2 (en) * | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
JP5566845B2 (ja) * | 2010-10-14 | 2014-08-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US8664127B2 (en) * | 2010-10-15 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner |
US8470187B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-06-25 | Asm Japan K.K. | Method of depositing film with tailored comformality |
US9719169B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
US20120177846A1 (en) | 2011-01-07 | 2012-07-12 | Applied Materials, Inc. | Radical steam cvd |
US8450191B2 (en) | 2011-01-24 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Polysilicon films by HDP-CVD |
US8716154B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers |
US20120238108A1 (en) | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Applied Materials, Inc. | Two-stage ozone cure for dielectric films |
US8445078B2 (en) | 2011-04-20 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Low temperature silicon oxide conversion |
US8466073B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-06-18 | Applied Materials, Inc. | Capping layer for reduced outgassing |
US20130045605A1 (en) | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-nitrogen-containing films |
-
2011
- 2011-02-10 JP JP2012556083A patent/JP2013521650A/ja not_active Withdrawn
- 2011-02-10 US US13/024,487 patent/US8563445B2/en active Active
- 2011-02-10 SG SG2012065074A patent/SG183873A1/en unknown
- 2011-02-10 WO PCT/US2011/024378 patent/WO2011109148A2/en active Application Filing
- 2011-02-10 KR KR1020127026126A patent/KR101853802B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-10 CN CN2011800187794A patent/CN102844848A/zh active Pending
- 2011-02-11 TW TW100104616A patent/TWI534290B/zh active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101528832B1 (ko) * | 2010-01-06 | 2015-06-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 유동성 유전체 층의 형성 방법 |
WO2017011088A1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Applied Materials, Inc. | Uv-assisted material injection into porous films |
US9947576B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | UV-assisted material injection into porous films |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8563445B2 (en) | 2013-10-22 |
TW201142073A (en) | 2011-12-01 |
TWI534290B (zh) | 2016-05-21 |
WO2011109148A3 (en) | 2012-02-23 |
SG183873A1 (en) | 2012-10-30 |
KR101853802B1 (ko) | 2018-05-02 |
US20110217851A1 (en) | 2011-09-08 |
WO2011109148A2 (en) | 2011-09-09 |
CN102844848A (zh) | 2012-12-26 |
KR20130014543A (ko) | 2013-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013521650A (ja) | ラジカル成分cvdによる共形層 | |
US8647992B2 (en) | Flowable dielectric using oxide liner | |
US8304351B2 (en) | In-situ ozone cure for radical-component CVD | |
US8741788B2 (en) | Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes | |
KR101445344B1 (ko) | 저온 실리콘 산화물 변환 | |
US8629067B2 (en) | Dielectric film growth with radicals produced using flexible nitrogen/hydrogen ratio | |
US8980382B2 (en) | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films | |
KR102011079B1 (ko) | 감소된 아웃개싱을 위한 표면 처리 및 증착 | |
US20120238108A1 (en) | Two-stage ozone cure for dielectric films | |
US20120083133A1 (en) | Amine curing silicon-nitride-hydride films | |
KR20120094490A (ko) | 비탄소 유동성 cvd 필름의 경화 | |
KR20130135301A (ko) | 라디칼 증기 화학 기상 증착 | |
JP2013533639A (ja) | 流動性cvdによる間隙充填用の酸化物を多く含むライナ層 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140513 |