JP2008218684A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】窒化膜の低温成膜において、成膜中に水素の除去工程を導入して、水素含有量を低減した窒化膜の提供を可能とする。
【解決手段】原子層蒸着法により被成膜面11に窒化シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記窒化シリコン膜の形成工程は、前記被成膜面11にシリコン原子Siを吸着させる工程と、前記被成膜面11に活性化した水素H*を供給し、前記シリコン原子Siとともに吸着した水素原子Hに結合させて、前記被成膜面より前記水素を解離させる工程と、前記被成膜面11に窒素原子Nを供給して前記シリコン原子Siと結合させて窒化シリコン膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】原子層蒸着法により被成膜面11に窒化シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記窒化シリコン膜の形成工程は、前記被成膜面11にシリコン原子Siを吸着させる工程と、前記被成膜面11に活性化した水素H*を供給し、前記シリコン原子Siとともに吸着した水素原子Hに結合させて、前記被成膜面より前記水素を解離させる工程と、前記被成膜面11に窒素原子Nを供給して前記シリコン原子Siと結合させて窒化シリコン膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、原子層蒸着(ALD:Atomic Layer Deposition)法を利用した半導体装置の製造方法に関する。
トランジスタの電気特性向上のため、トランジスタ形成時のサーマルバジェットの低減が必要となっており、トランジスタのサイドウォール形成プロセスにおいても同様のことが必要となっている。すなわち、トランジスタ形成工程において高温下で処理を行うことにより、先にドーピングした不純物の拡散が特性の低下を生じさせてしまうためである。
従来、サイドウォールには、減圧CVD法により680℃〜760℃の成膜温度下で窒化膜を成膜して適用してきた。しかし、微細化が進む中で高速駆動、低消費電力化を成し遂げるためには、低温条件で成膜することが必要となってきている。
低温条件下で窒化膜を成膜する技術としては、原子層蒸着(ALD:Atomic Layer Deposition)法による窒化膜の成膜プロセス(例えば、特許文献1参照。)、ヘキサクロライドジシラン(HCD)をプリカーサ(Precursor)とした窒化膜の成膜プロセス等がある。両技術は500℃以下の低温条件で成膜することが可能であり、サイドウォールの低温化形成を満足できる技術であり、基板中の不純物拡散による性能の低下を改善することが可能である。
例えば、従来のALD法による窒化シリコン膜の成膜では、図4(1)に示すように、被成膜面11にシリコン原子Siを吸着させる工程を行う。次に、図4(2)に示すように、被成膜面11に窒素原子Nを供給して上記シリコン原子と窒素原子とを結合させて、原子層レベルのSi-N結合を形成し、窒化シリコン膜を形成する。このとき、Si-N結合と同時にSi-H、N-H結合が表層に形成することで最終的に膜中に水素を含有する。
しかも、図5に示すように、窒化膜の成膜温度を低温化した場合、窒化膜中の水素含有量が増加することが分かっている。この水素は、Si-H、N-Hの結合によるものであり、この現象はALD法による窒化膜成膜時においても同様である。膜中の水素含有量が増えた場合、膜の耐熱性の低下、トランジスタ特性の低下(NBTI低下等)の問題を誘発することが懸念されおり、低温での窒化膜成膜による問題点となっている。
解決しようとする問題点は、窒化膜の成膜温度を低温(例えば500℃以下)化した場合、窒化膜中の水素含有量が増加する点である。
本発明は、窒化膜の低温成膜において、成膜中に水素の除去工程を導入して、水素含有量を低減した窒化膜の提供を可能にすることを課題とする。
請求項1に係る本発明は、原子層蒸着法により被成膜面に窒化シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記窒化シリコン膜の形成工程は、前記被成膜面にシリコン原子を吸着させる工程と、前記被成膜面に水活性化した水素を供給し、前記シリコン原子とともに吸着した水素原子に結合させて、前記被成膜面より前記水素を解離させる工程と、前記被成膜面に窒素原子を供給して前記シリコン原子と結合させて窒化シリコン膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
請求項1に係る本発明では、低温成膜が可能な原子層蒸着法により、被成膜面に水活性化した水素を供給し、シリコン原子とともに吸着した水素原子に結合させて、被成膜面より水素を解離させる工程を行った後、被成膜面に窒素原子を供給してシリコン原子と結合させて窒化シリコン膜を形成する工程を行うことから、水素原子の濃度を低減させた窒化シリコン膜の成膜が可能になる。
請求項3に係る本発明は、原子層蒸着法により被成膜面に窒化シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記窒化シリコン膜の形成工程は、前記被成膜面にシリコン原子を吸着させる工程と、前記被成膜面に窒素原子を供給して前記シリコン原子と結合させて窒化シリコン膜を形成する工程と、前記被成膜面に活性化した水素を供給し、前記被成膜面に吸着した水素原子に結合させて、前記被成膜面より前記水素を解離させる工程と、を備えたことを特徴とする。
請求項3に係る本発明では、低温成膜が可能な原子層蒸着法により、被成膜面に窒素原子を供給してシリコン原子と結合させて窒化シリコン膜を形成する工程を行った後、被成膜面に活性化した水素を供給し、被成膜面に吸着した水素原子に結合させて、被成膜面より水素を解離させる工程を行うことから、窒化シリコン膜中の水素原子の濃度を低減させることが可能になる。
請求項1、3に係る本発明によれば、低温成膜による窒化膜中の水素の含有量を低減することができるので、窒化膜の耐熱性が高められる。例えばこの窒化膜をトランジスタのサイドウォールに適用した場合、成膜の低温化によるトランジスタ性能の改善、水素含有による電気特性劣化を防止が可能となる。
請求項1に係る本発明の一実施の形態(第1実施例)を、図1の製造工程図によって説明する。
第1実施例は、原子層蒸着法により被成膜面に窒化シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法である。すなわち、上記窒化シリコン膜の形成工程は、シリコン(Si)原子を被成膜面に吸着させた後に活性化した水素(H)を導入し、を被成膜面に吸着していた水素と結合させ、除去する。その後、ラジカル化させた窒素により被成膜面に吸着させたシリコン(Si)を窒化させ、窒化膜を形成する。以下、具体的に説明する。
図1(1)に示すように、被成膜面11にシリコン原子Siを吸着させる工程を行う。この工程では、被成膜面11にシリコン系ガスを供給することにより、シリコン原子Siを吸着させる。同時に水素原子Hや、上記シリコン系ガスに混入した原子、例えば塩素原子Clが吸着する。このときの成膜条件は、シリコン系ガスに例えばジクロロシラン(DCS:SiH2Cl2)を用い、成膜温度を500℃とした。ジクロロシランを用いたことにより、被成膜面11には、シリコン原子Si、水素原子H、塩素原子Clの各原子が吸着される。上記成膜温度は500℃としたが、例えば350℃〜600℃の範囲で、適宜決定することができる。
また、上記シリコン系ガスには、例えば、ジクロロシラン(DCS:SiH2Cl2)の他に、例えばトリクロロシラン(SiHCl3)を用いることができる。また、モノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)等のシラン系ガスを用いることも可能である。このシラン系ガスの場合、被成膜面11には、シリコン原子Siと水素原子Hが吸着することになる。
次に、図1(2)に示すように、被成膜面11に活性化した水素H*を供給する。例えば活性化した水素H*は、例えばラジカル化した水素を用いる。このとき、活性化した水素の供給量は、膜中の水素を増やすことがないように調節される必要がある。
次いで、図1(3)に示すように、上記シリコン原子Siとともに吸着した水素原子Hに、上記活性化した水素H*を結合させて、被成膜面11より上記水素Hを解離させる。
次に、図1(4)に示すように、被成膜面11に窒素原子Nを供給して上記シリコン原子と窒素とを結合させて、原子層レベルのSi-N結合を形成し、窒化シリコン膜を形成する。上記窒素原子Nには、例えばアンモニア(NH3)からラジカル化させた窒素ラジカルを用いる。この窒素ラジカルは活性化しているため、上記被成膜面11に吸着していたシリコン原子Siと結合して窒化シリコン膜を形成する。
そして、窒化シリコン膜が所望の膜厚になるまで、前記図1(1)〜(4)によって説明した上記被成膜面11にシリコン原子Siを吸着させる工程から上記被成膜面11に窒素原子Nを供給してシリコン原子Siと窒素原子Nとを結合させて窒化シリコン膜を形成する工程までを繰り返し行う。
上記説明したように、原子層レベルで水素原子Hを除去するために、窒化前にラジカル(Radical)化した活性化な水素を流すことで、原子層表層の水素Hと反応させて、除去することができる。
上記第1実施例では、低温成膜が可能な原子層蒸着法により、被成膜面11に水活性化した水素H*を供給し、シリコン原子Siとともに吸着した水素原子Hに結合させて、被成膜面11より水素Hを解離させる工程を行った後、被成膜面11に窒素原子Nを供給してシリコン原子Siと結合させて窒化シリコン膜を形成する工程を行うことから、水素原子の濃度を低減させた窒化シリコン膜の成膜が可能になる。このように、低温成膜による窒化膜中の水素の含有量を低減することができるので、窒化膜の耐熱性が高められる。例えばこの窒化膜をトランジスタのサイドウォール、サイドウォールスペーサ、ストレスライナー膜等に適用した場合、成膜の低温化によるトランジスタ性能の改善、水素含有による電気特性劣化を防止が可能となる。
また、水素原子Hの解離時に、結合エネルギーにより表層が局所加熱されることも同時に期待できる。これによって、引っ張り(Tensile)側にストレスを上げることが可能となる。
さらに、上記第1実施例の製造方法では、水素ラジカルにより塩素原子Clも除去することができる。塩素原子Clを除去することができるので、例えば、上記窒化膜をトランジスタのサイドウォール、サイドウォールスペーサ、ストレスライナー膜等に用いた場合、塩素原子によるトランジスタ特性の劣化を低減することができる。
次に、請求項2に係る本発明の一実施の形態(第2実施例)を、図2の製造工程図によって説明する。
図2(1)に示すように、被成膜面11にシリコン原子Siを吸着させる工程を行う。この工程では、被成膜面11にシリコン系ガスを供給することにより、シリコン原子Siを吸着させる。同時に水素原子Hや、上記シリコン系ガスに混入した原子、例えば塩素原子Clが吸着する。このときの成膜条件は、シリコン系ガスに例えばジクロロシラン(DCS:SiH2Cl2)を用い、成膜温度を500℃とした。ジクロロシランを用いたことにより、被成膜面11には、シリコン原子Si、水素原子H、塩素原子Clの各原子が吸着される。上記成膜温度は500℃としたが、例えば350℃〜600℃の範囲で、適宜決定することができる。
また、上記シリコン系ガスには、例えば、ジクロロシラン(DCS:SiH2Cl2)の他に、例えばトリクロロシラン(SiHCl3)を用いることができる。また、モノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)等のシラン系ガスを用いることも可能である。このシラン系ガスの場合、被成膜面11には、シリコン原子Siと水素原子Hが吸着することになる。
次に、図2(2)に示すように、被成膜面11に窒素原子Nを供給して上記シリコン原子と窒素とを結合させて、原子層レベルのSi-N結合を形成し、窒化シリコン膜を形成する。上記窒素原子Nには、例えばアンモニア(NH3)からラジカル化させた窒素ラジカルを用いる。この窒素ラジカルは活性化しているため、上記被成膜面11に吸着していたシリコン原子Siと結合して窒化シリコン膜を形成する。
次に、図2(3)に示すように、被成膜面11に活性化した水素H*を供給する。例えば活性化した水素H*は、例えばラジカル化した水素を用いる。このとき、活性化した水素の供給量は、膜中の水素を増やすことがないように調節される必要がある。
次いで、図2(4)に示すように、上記シリコン原子Siとともに吸着した水素原子Hに、上記活性化した水素H*を結合させて、被成膜面11より上記水素Hを解離させる。
そして、窒化シリコン膜が所望の膜厚になるまで、前記図2(1)〜(4)によって説明した上記被成膜面11にシリコン原子Siを吸着させる工程から上記活性化した水素H*を結合させて、被成膜面11より上記水素Hを解離させる工程までを繰り返し行う。
上記説明したように、原子層レベルで水素原子Hを除去するために、窒化後にラジカル(Radical)化した活性化な水素を流すことで、原子層表層の水素Hと反応させて、除去することができる。
上記第2実施例では、低温成膜が可能な原子層蒸着法により、被成膜面11に水活性化した水素H*を供給し、シリコン原子Siとともに吸着した水素原子Hに結合させて、被成膜面11より水素Hを解離させる工程を行った後、被成膜面11に窒素原子Nを供給してシリコン原子Siと結合させて窒化シリコン膜を形成する工程を行うことから、水素原子の濃度を低減させた窒化シリコン膜の成膜が可能になる。このように、低温成膜による窒化膜中の水素の含有量を低減することができるので、窒化膜の耐熱性が高められる。例えばこの窒化膜をトランジスタのサイドウォール、サイドウォールスペーサ、ストレスライナー膜等に適用した場合、成膜の低温化によるトランジスタ性能の改善、水素含有による電気特性劣化を防止が可能となる。
さらに、上記第2実施例では、窒化の際に用いるアンモニアの水素も除去することgはができるので、上記第1実施例で成膜される窒化膜よりも水素をより多く除去することが可能になるという利点もある。
また、水素原子Hの解離時に、結合エネルギーにより表層が局所加熱されることも同時に期待できる。これによって、引っ張り(Tensile)側にストレスを上げることが可能となる。
さらに、上記第2実施例の製造方法では、水素ラジカルにより塩素原子Clも除去することができる。塩素原子Clを除去することができるので、例えば、上記窒化膜をトランジスタのサイドウォール、サイドウォールスペーサ、ストレスライナー膜等に用いた場合、塩素原子によるトランジスタ特性の劣化を低減することができる。
さらに、上記各実施例は、例えば、窒化シリコン膜の成膜に適用できるが、金属窒化膜の成膜にも適用できる。この場合、原料ガスに有機金属ガス、例えば金属アルコキシドガスを用いる。通常、金属アルコキシドには水素が含まれているため、水素の除去に上記各実施例で説明した製造方法が有効となる。
上記各実施例で説明した製造方法では、トランジスタのゲート電極に形成されるサイドウォール膜に対して適用することができる。その一例を図3の概略構成断面図によって説明する。
例えば、図3に示すように、半導体基板21上にゲート絶縁膜22を介してゲート電極23が形成されている。このゲート電極23上にはオフセット絶縁膜24が形成されている。またげ23の両側にはオフセットスペーサ25を介してサイドウォール26が形成され、さらに上記オフセット絶縁膜24、サイドウォール26等を被覆するように、半導体基板21上にストレスライナー膜31が形成されている。例えば、上記オフセットスペーサ25、サイドウォール26、ストレスライナー膜31は、上記第1実施例もしくは第2実施例で説明した製造方法による窒化膜を用いることができる。この場合の窒化膜は、例えば窒化シリコン膜を用いる。さらに、上記ゲート電極23の両側における半導体基板21にはソース・ドレイン領域27、28が形成されている。
本発明の製造方法を適用することによって、低温成膜によりサイドウォール26を形成するための窒化膜を成膜することができ、かつ窒化膜の膜質改善が図れるので、トランジスタ特性(例えば、NBTI(Negative Bias Temperature Instability)特性)を向上させることができる。また、上記サイドウォール26と同様に、オフセットスペーサー25やストレスライナー膜31の成膜に対して本発明の製造方法を適用することにより、低温成膜による窒化膜の膜質改善によるトランジスタ特性の向上が達成される。
11…被成膜面、Si…シリコン原子、H…水素原子、H*…活性化した水素、N…窒素原子
Claims (4)
- 原子層蒸着法により被成膜面に窒化シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記窒化シリコン膜の形成工程は、
前記被成膜面にシリコン原子を吸着させる工程と、
前記被成膜面に活性化した水素を供給し、前記シリコン原子とともに吸着した水素原子に結合させて、前記被成膜面より前記水素を解離させる工程と、
前記被成膜面に窒素原子を供給して前記シリコン原子と結合させて窒化シリコン膜を形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記窒化シリコン膜の形成工程は、
前記被成膜面にシリコン原子を吸着させる工程から前記被成膜面に窒素原子を供給して前記シリコン原子と窒素原子とを結合させて窒化シリコン膜を形成する工程までを繰り返し行う
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 原子層蒸着法により被成膜面に窒化シリコン膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記窒化シリコン膜の形成工程は、
前記被成膜面にシリコン原子を吸着させる工程と、
前記被成膜面に窒素原子を供給して前記シリコン原子と結合させて窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記被成膜面に活性化した水素を供給し、前記被成膜面に吸着した水素原子に結合させて、前記被成膜面より前記水素を解離させる工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記窒化シリコン膜の形成工程は、
前記被成膜面にシリコン原子を吸着させる工程から前記被成膜面に活性化した水素を供給し、前記被成膜面に吸着した水素原子に結合させて、前記被成膜面より前記水素を解離させる工程までを繰り返し行う
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
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