JP2004526318A - 水素化シリコンオキシカーバイド膜を生産するための方法 - Google Patents
水素化シリコンオキシカーバイド膜を生産するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004526318A JP2004526318A JP2002575353A JP2002575353A JP2004526318A JP 2004526318 A JP2004526318 A JP 2004526318A JP 2002575353 A JP2002575353 A JP 2002575353A JP 2002575353 A JP2002575353 A JP 2002575353A JP 2004526318 A JP2004526318 A JP 2004526318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- film
- compound
- fluorocarbon
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02131—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being halogen doped silicon oxides, e.g. FSG
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
- H01L21/3122—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31629—Deposition of halogen doped silicon oxide, e.g. fluorine doped silicon oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31633—Deposition of carbon doped silicon oxide, e.g. SiOC
Abstract
低い誘電率を持つ、フッ素化水素化シリコンオキシカーバイド(H:F:SiOC)および非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイド(H:F:SiC)膜を生産するための方法。該方法は、シリコン含有化合物を、FまたはHに結合した不飽和炭素を持つフッ化炭素またはフッ化炭化水素化合物と反応させることを含む。結果的に得られる膜は、半導体装置の形成において有用である。
Description
【技術分野】
【0001】
この出願は、2001年3月23日に提出された米国仮出願第 60/278,211 号の利益を請求する。
この発明は、低い誘電率を持つ、フッ素化水素化シリコンオキシカーバイド(H:F:SiOC)および非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイド(H:F:SiC)膜を生産するための方法である。該方法は、シリコン含有化合物を、FまたはHに結合した不飽和炭素を持つフッ化炭素またはフッ化炭化水素化合物と反応させることを含む。結果的に得られる膜は、半導体装置の形成において有用である。
【背景技術】
【0002】
シラン(SiH4)、テトラエチルオルトケイ酸(TEOS)、シラシクロブタンのようなシリコン含有材料、およびトリメチルシランのようなアルキルシランから、半導体装置上のSiO2、SiNCまたはSiC薄膜を生産するための化学気相蒸着(CVD)の使用は、当業界において開示されている。化学気相蒸着法は、気体のシリコン含有材料および反応性気体を、半導体基板を含有する反応器中へ導入することを典型的に含む。熱的な、またはプラズマのようなエネルギー源は、該シリコン含有材料および該反応性気体の間の反応を誘導し、これにより、該半導体装置上のSiO2、SiNCまたはSiCの薄膜の蒸着が結果的に得られる。プラズマ促進化学気相蒸着(PECVD)は、典型的には低温(500℃未満)にて行われ、これによりPECVDは、半導体装置上の誘電的および不動態化膜を生産するための適切な手段となる。
【0003】
半導体装置の構造が益々より小さくなるにつれて、膜の完全性同様、誘電率も重要になる。既知のCVD法により生産される膜は、高い誘電率(つまり3.8以上)を持つ。これ故に、低い誘電率の膜が結果的に得られる方法および材料に対する必要性がある。Low-k Flowfill(登録商標)として知られる新しい蒸着方法は、3.0未満の誘電率を持つ膜を生産する。この方法は、メチルシランおよび過酸化水素の間の化学気相蒸着反応を使用し、メチルドープ酸化シリコン膜を生産する(S. McClatchie, K. Beekmann, A. Kiermasz; Low Dielectric Constant Oxide Films Deposited Using CVD Techniques, 1988 DUMIC Conference Proceedings, 2/98, p.311-318 参照)。しかしながらこの方法は、非標準CVD系、より低い安定性の酸素源(過酸化水素)の使用を要求し、半導体装置中では望ましくない可能性がある副生産物として、水を生成する。
【0004】
それ故にこの発明の目的は、オルガノシラン化合物、フッ素および酸素含有気体の混合物のプラズマ補助ポリマー化による、フッ素化水素化シリコンオキシカーバイドおよびフッ素化水素化シリコンカーバイドの低誘電率膜を生産するための方法を提供することである。
【0005】
(発明の概要)
この発明は、基板、好ましくは半導体装置上に、低い誘電率を持つ非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイド(H:SiC)および水素化フッ素化シリコンオキシカーバイド(H:SiOC)の薄膜を生産する方法に関する。該方法は、少なくとも1つのSi含有化合物、およびFまたはHに結合した少なくとも1つの不飽和炭素を持つ少なくとも1つのフッ化炭素またはフッ化炭化水素化合物の、プラズマ補助ポリマー化を含む。酸素含有気体は、該H:F:SiOC膜を生産するために、任意に加えられる。これらの膜は低い誘電率を持ち、特に層間の誘電体として適している。
【0006】
(発明の詳細な説明)
この発明は、基板、好ましくは半導体基板上に、非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイドおよびフッ素化水素化シリコンオキシカーバイド膜を生産するための方法に関する。該膜を生産するための該方法は、シリコン含有化合物、およびFまたはHに結合した少なくとも1つの不飽和炭素を持つフッ化炭素またはフッ化炭化水素化合物(「フッ化炭素化合物」)の、プラズマ補助ポリマー化を含む。酸素供給気体も、該膜中へ酸素を導入するために存在していてもよい。
【0007】
これらに限定されないが、フォーカル・プレーン・アレイ(focal plane array)、光電子装置、光起電力電池、光学装置、トランジスター様装置、3−D装置、絶縁体上にシリコンのある装置、超格子装置および類似のものを包含する半導体素子の製造における使用のために意図されたシリコンを主体とした装置、および砒化ガリウムを主体とした装置を包含することが、「半導体基板」により意味される。該半導体基板は、配線の1つ以上の層を含有してもよい。該半導体基板は、どの配線層の形成の前のそれらの基板であってもよい。
【0008】
本明細書中で生産される非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイド膜は、一般式SiaCbHcFdにより表されてもよく、ここでC:Siの比は約1:1〜約10:1の範囲中にあることが可能であり、水素の水準は該膜中の全ての原子に基づき0より大きく約40原子%までの範囲中にある。該膜中のフッ素(F)の量は、典型的には該膜中の全ての原子に基づき0.01〜15原子%までの範囲中にあるであろう。典型的には、該フッ素化水素化シリコンカーバイド膜中には、いくらかの酸素不純物があるであろう。該酸素不純物は、典型的には該膜中の全ての原子に基づき3原子%未満であり、より典型的には該膜中の全ての原子に基づき1〜3原子%の範囲中にあるであろう。
【0009】
本明細書中で生産されるフッ素化水素化シリコンオキシカーバイド膜は、一般式SivCwOxHyFzにより表されることができ、ここでC:Siの比は約1:3〜約10:1の範囲中にあることが可能であり、Si:Oの比は約1:1〜約20:1の範囲中にあることが可能であって、残部が水素およびフッ素である。水素の量は、典型的には該膜中の全ての原子に基づき0.0〜40原子%の範囲中にある。フッ素の量は、典型的には該膜中の全ての原子に基づき0.01〜15原子%の範囲中にある。
【0010】
前記薄膜を生産することにおいて有用なシリコン含有化合物は、これらに限定されないが、シラン、オルガノシラン、ポリカルボシラン、環状シロキサンおよび直鎖シロキサンを包含する。有用なシリコン含有化合物は、米国特許第6,162,742号において詳細に開示され、本明細書中ではその教えるところのシリコン含有化合物に関する言及により援用される。該シリコン含有化合物は、典型的には式R−Siを持つ単位を含有し、ここでR基は、水素原子、フッ素原子、フッ素置換有機基または有機基から選ばれる。Rは好ましくはアルキル基で、より好ましくはメチル基である。Si原子は、追加的なR基に結合されていてもよく(オルガノシラン)、炭化水素基を通じて他のSi原子に結合されていてもよく(ポリカルボシラン)、またはO原子を通じて他のSi原子に結合されていてもよい(シロキサン)。好ましいシリコン含有化合物は、室温近辺にて気体または液体であり、約10Torr以上にて蒸発され得るものである。
【0011】
前記膜を生産することにおいて有用なシリコン含有化合物は、これらに限定されないが、シラン、テトラフルオロシラン、トリフルオロメチルトリフルオロシラン、メチルシラン、ジメチルシラントリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジシラノメタン、ビス(メチルシラノ)メタン、1,2−ジシラノエタン、1,2−ビス(メチルシラノ)エタン、2,2−ジシラノプロパン、1,3,5−トリシラノ−2,4,6−トリメチレン、1,3−ジメチルシロキサン、1,3−ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(1−メチルジシロキサニル)プロパン、2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8,10−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、1,3,5,7−テトラシラノ−2,6−ジオキシ−4,8−ジメチレン、テトラプロパルギルシラン、テトラエチニルシラン、フェニルシラン、シラシクロブタン(H2SiC3H6)、ならびに1,1−ジフルオロシラシクロブタン、1−メチルシラシクロブタン、1,1−ジメチルシラシクロブタン、1,1−エチルメチルシラシクロブタン、1−ブチルシラシクロブタン、2,4−ジメチルシラシクロブタン、3,3−ジエチルシラシクロブタンおよび3,3−エチルプロピルシラシクロブタンのような誘導体、1,3−ジシラシクロブタン、ならびに1,1,3,3−テトラフルオロ−1,3−ジシラシクロブタン、1−メチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジメチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,1−エチルメチル−1,3−ジシラシクロブタン、1−ブチル−1,3−ジシラシクロブタン、2,4−ジメチル−1,3−ジシラシクロブタン、2,2−ジエチル−1,3−ジシラシクロブタンおよび2,4−エチルプロピル−1,3−ジシラシクロブタンのような誘導体により例示されてもよい。2つ以上のシリコン含有化合物の組み合わせが、誘電率、酸化物含量、疎水性、膜ストレスおよびプラズマエッチング特性のような所望の特性の混合を提供するのに用いられ得る。
【0012】
該シリコン含有化合物が所望の膜を生産するに充分な炭素を含有しない場合、炭素はフッ化炭素化合物を通じて、またはメタンのような炭化水素の使用を通じて導入されてもよい。
【0013】
前記薄膜を生産することにおいて有用な、FまたはHに結合した少なくとも1つの不飽和炭素を持つフッ化炭素またはフッ化炭化水素(「フッ化炭素化合物」)は、ヘキサフルオロプロペン、トリフルオロメチルプロペン、ジ−またはトリ−フルオロベンゼン、ジ(トリフルオロメチルベンゼン)、オクタフルオロトルエンおよび他を包含する。
【0014】
Si含有材料に対するFの量。Si含有気体流量のF含有気体流量に対する比は、1:3〜10:1の範囲であろう。
【0015】
F:H:SiOC膜を生産することが所望される場合、制御された量の酸素が、蒸着器中に存在していてもよい。酸素は、使用される酸素供給気体のタイプ、または使用される酸素供給気体の量により制御されてもよい。もし多過ぎる酸素が蒸着器中に存在すると、SiO2に近い化学量論を有する酸化シリコン膜が生産され、誘電率は所望されるよりもより高いであろう。酸素供給気体は、これらに限定されないが、空気、オゾン、酸素、亜酸化窒素および酸化窒素、好ましくは亜酸化窒素を包含する。酸素供給気体の量は、典型的にはシリコン含有化合物の1体積部につき5体積部未満の酸素供給気体、より好ましくはシリコン含有化合物の1体積部につき0.01〜4.5体積部の酸素供給気体である。当業者は、酸素供給気体のタイプおよび蒸着条件に基づいて、酸素供給気体の量を容易に決定することが出来るであろう。
【0016】
酸素供給気体に加えて、酸素は、酸素を含有するシリコン含有化合物、例えば2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8,10−ペンタメチルシクロペンタシロキサンの使用から、前記膜中へ導入されてもよい。
【0017】
他の材料が、反応性気体混合物中に存在していてもよい。例えば、ヘリウムまたはアルゴンのような担体気体、ホスフィンまたはジボランのようなドーパント、フッ素のようなハロゲン、メタンのような炭化水素、または前記膜に追加的な所望の特性を提供する他の如何なる材料も存在していてもよい。
【0018】
シリコン含有化合物、フッ化炭素化合物および任意の成分の反応性気体混合物は、基板、好ましくは半導体基板を含有する蒸着器中へ導入され、ここでシラン化合物のプラズマ補助ポリマー化が誘導され、結果的に該基板上での膜の蒸着が生じ、ここで該膜は、水素、シリコン、炭素、フッ素および任意に酸素を含み、該基板上で低い誘電率(≧2.0〜≦3.6)を持つ。使用され得る低温および産業における幅広い使用のため、プラズマ促進化学気相蒸着(PECVD)が好ましい。
【0019】
PECVDにおいて、前記気体混合物は、それをプラズマ電界を通過させることにより反応させられる。このような方法において使用されるプラズマは、電気放電、ラジオ周波数またはマイクロ波の範囲中の電磁界、レーザーまたは粒子ビームのような様々な源由来のエネルギーを含む。一般的にプラズマ蒸着法では、中庸の電力密度(0.1〜5ワット/cm2)にてラジオ周波数(10kHz〜102MHz)またはマイクロ波(1.0〜10GHz)のエネルギーの使用が好ましい。しかしながら一般的には、この特定の周波数、電力および圧力が、設備に合うように仕立てられる。好ましくは前記膜は、20〜1000Wの電力;1〜50,000mTorrの圧力;および25〜500℃の温度にてPECVDを使用して生産される。絞り込まれた低い圧力(1〜5mTorr)のマイクロ波周波数プラズマは、しばしば高密度プラズマとして言及されるが、CVD成長の間変化する表面起伏を平坦化することを助ける方法において、RF周波数励起と組み合わされ得る。
【0020】
本明細書中で生産される膜は、種々の厚さを有していてもよい。0.01〜10μmの厚さを持つ膜は、この発明の方法により生産されてもよい。好ましくは該膜は、0.5〜3.0μmの厚さを持つ。
【0021】
この発明の方法にとっての利点は、CVD法の間の適切な時間に酸素供給気体および/またはフッ素化合物を増加させ、または削除することにより、例えばSiO2/F:H:SiOC/SiO2またはSiC:H/F:H:SiOC/SiC:Hの多層構造を生産する連続した成長過程に繋がることが出来ることである。反応性気体の流れを止めること、酸素供給気体および/またはフッ素化合物の量を調整すること、およびその後反応性気体の流れを次の層を生産するために再開することにより、手の込んだ層を生産することが好ましい。
【0022】
本明細書中で生産される膜は、その低い誘電率のために、これらに限定されないが、ゲート誘電体、金属前(premetal)および金属間(intermetal)誘電体ならびに不動態化コーティングを包含する半導体集積回路の製造における層間誘電体として特に適している。本明細書中で生産される膜は、≧2.0〜≦3.6、好ましくは≧2.0〜≦3.0の誘電率を持つ。
【0023】
回路接続に関連した電気的RC(抵抗*静電容量)の遅延を最小化する産業界の要求と共に、新しい低い誘電率の誘電体が、隣接の導体間の分離材料としての使用のために要求されている。多くの候補の膜材料が3.5<k<2.5の範囲中の相対的誘電率kを有して存在する一方、殆どの膜材料は低い誘電率を持たない。k<2.5を有する材料の中には、非晶質炭素合金、フッ素化非晶質炭素合金、および有孔の酸化シリコンの形態がある。
【0024】
F:H:SiOC合金であろう非常に低い密度の膜は、シリコン含有化合物、フッ素化合物および酸素含有気体の同時のプラズマポリマー化により形成され得る。これらの膜が有孔の酸化シリコンに似た誘電特性を持つであろうことが、期待される。フッ素の該膜中への取り込みは、誘電率をさらに低くするのを助け得る。フッ素は、シリコン結合について脱分極効果を持ち、フッ素のない同じシリコン材料に比較して全体的により低い誘電率の膜を生産し得る。
【0025】
フッ素化合物の使用における利点は、CFラジカルからの該膜中へのFの取り込みである。この様式の取り込みはより効果的であるべきで、結果的により高い熱的安定性を有するフッ素結合が得られるべきである。また、Fラジカルに比較してのCFラジカルの相対的な生成を制御することにより、Fラジカルによる前記膜のエッチングは抑えられ得、これ故に成長の間の膜の高密度化を最小化する。該密度を最小化することは、誘電率を抑えることを助ける。
【0026】
フッ素の取り込みのためのこの方法は、非晶質SiCHおよび非晶質SiCOH合金材料を主体とした新しいより低い誘電率の誘電膜における誘電率をさらに抑える方法において使用され得る。これらの材料は、金属間誘電分離層のような集積回路の製作応用において、拡散障壁として有用である。
【0027】
以下の非限定例が、当業者が本発明をより容易に理解するように提供される。
【0028】
(実施例)
(実施例1)
ヘキサフルオロプロペン(HFP)が、トリメチルシラン(「TMS」)を使用するSiC:HまたはSiCO:Hの蒸着のためのPECVD法の間に加えられた。前記膜が、容量的にカップリングした平行プレートPECVD反応器を使用して、基板としての裸のシリコンウエーハ上で成長させられた。HFPドープSiC:H膜の成長の場合には、TMS、HFPおよびヘリウム(He)の混合物が、PECVD法において使用された。HFPドープSiCO:H膜の成長については、亜酸化窒素(N2O)が、前記混合物中において加えられたもう1つ別の気体であった。HFPドープSiC:Hに関するPECVDパラメータ、誘電率、成長率が、表1中にある。実施例において生産される膜の典型的な組成物および密度が、表2中にある。
【0029】
【表1】
【0030】
【表2】
【0031】
HFP流量が増加するにつれて、C/Si比および前記成長率が増加する。同時に、Kの値および屈折率(RI)が減少する。HFPからのCFラジカルが、表面にて炭素含有部分の流束を上昇させるにつれて、炭素含量および膜厚を増加させる。CFx挿入により引き起こされる誘電率の抑制は、炭素およびフッ素両方の取り込みによる。炭素はSiよりもより低い質量を持つので、該膜の密度は落ち(表2参照)、これはバルクの分極性、そして誘電率を抑える。加えて、フッ素はSi結合を脱分極することを助け、kを抑えることを助ける。HFPドープSiCO:Hに関するPECVDパラメータ、誘電率は、表3中にある。
【0032】
【表3】
【0033】
2つのタイプの膜において、金属接着または熱的不安定性は観察されなかった。Si含量はCF:Hと典型的に関連した材料よりも良い接着を支持するので、このことはオルガノSi+HFPの化学の利点である。
【0034】
(比較例1)
CF4がHPFの代わりに使用されたこと以外、実施例1におけるものと同じ方法が使用された。結果が表4中にある。
【0035】
【表4】
【0001】
この出願は、2001年3月23日に提出された米国仮出願第 60/278,211 号の利益を請求する。
この発明は、低い誘電率を持つ、フッ素化水素化シリコンオキシカーバイド(H:F:SiOC)および非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイド(H:F:SiC)膜を生産するための方法である。該方法は、シリコン含有化合物を、FまたはHに結合した不飽和炭素を持つフッ化炭素またはフッ化炭化水素化合物と反応させることを含む。結果的に得られる膜は、半導体装置の形成において有用である。
【背景技術】
【0002】
シラン(SiH4)、テトラエチルオルトケイ酸(TEOS)、シラシクロブタンのようなシリコン含有材料、およびトリメチルシランのようなアルキルシランから、半導体装置上のSiO2、SiNCまたはSiC薄膜を生産するための化学気相蒸着(CVD)の使用は、当業界において開示されている。化学気相蒸着法は、気体のシリコン含有材料および反応性気体を、半導体基板を含有する反応器中へ導入することを典型的に含む。熱的な、またはプラズマのようなエネルギー源は、該シリコン含有材料および該反応性気体の間の反応を誘導し、これにより、該半導体装置上のSiO2、SiNCまたはSiCの薄膜の蒸着が結果的に得られる。プラズマ促進化学気相蒸着(PECVD)は、典型的には低温(500℃未満)にて行われ、これによりPECVDは、半導体装置上の誘電的および不動態化膜を生産するための適切な手段となる。
【0003】
半導体装置の構造が益々より小さくなるにつれて、膜の完全性同様、誘電率も重要になる。既知のCVD法により生産される膜は、高い誘電率(つまり3.8以上)を持つ。これ故に、低い誘電率の膜が結果的に得られる方法および材料に対する必要性がある。Low-k Flowfill(登録商標)として知られる新しい蒸着方法は、3.0未満の誘電率を持つ膜を生産する。この方法は、メチルシランおよび過酸化水素の間の化学気相蒸着反応を使用し、メチルドープ酸化シリコン膜を生産する(S. McClatchie, K. Beekmann, A. Kiermasz; Low Dielectric Constant Oxide Films Deposited Using CVD Techniques, 1988 DUMIC Conference Proceedings, 2/98, p.311-318 参照)。しかしながらこの方法は、非標準CVD系、より低い安定性の酸素源(過酸化水素)の使用を要求し、半導体装置中では望ましくない可能性がある副生産物として、水を生成する。
【0004】
それ故にこの発明の目的は、オルガノシラン化合物、フッ素および酸素含有気体の混合物のプラズマ補助ポリマー化による、フッ素化水素化シリコンオキシカーバイドおよびフッ素化水素化シリコンカーバイドの低誘電率膜を生産するための方法を提供することである。
【0005】
(発明の概要)
この発明は、基板、好ましくは半導体装置上に、低い誘電率を持つ非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイド(H:SiC)および水素化フッ素化シリコンオキシカーバイド(H:SiOC)の薄膜を生産する方法に関する。該方法は、少なくとも1つのSi含有化合物、およびFまたはHに結合した少なくとも1つの不飽和炭素を持つ少なくとも1つのフッ化炭素またはフッ化炭化水素化合物の、プラズマ補助ポリマー化を含む。酸素含有気体は、該H:F:SiOC膜を生産するために、任意に加えられる。これらの膜は低い誘電率を持ち、特に層間の誘電体として適している。
【0006】
(発明の詳細な説明)
この発明は、基板、好ましくは半導体基板上に、非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイドおよびフッ素化水素化シリコンオキシカーバイド膜を生産するための方法に関する。該膜を生産するための該方法は、シリコン含有化合物、およびFまたはHに結合した少なくとも1つの不飽和炭素を持つフッ化炭素またはフッ化炭化水素化合物(「フッ化炭素化合物」)の、プラズマ補助ポリマー化を含む。酸素供給気体も、該膜中へ酸素を導入するために存在していてもよい。
【0007】
これらに限定されないが、フォーカル・プレーン・アレイ(focal plane array)、光電子装置、光起電力電池、光学装置、トランジスター様装置、3−D装置、絶縁体上にシリコンのある装置、超格子装置および類似のものを包含する半導体素子の製造における使用のために意図されたシリコンを主体とした装置、および砒化ガリウムを主体とした装置を包含することが、「半導体基板」により意味される。該半導体基板は、配線の1つ以上の層を含有してもよい。該半導体基板は、どの配線層の形成の前のそれらの基板であってもよい。
【0008】
本明細書中で生産される非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイド膜は、一般式SiaCbHcFdにより表されてもよく、ここでC:Siの比は約1:1〜約10:1の範囲中にあることが可能であり、水素の水準は該膜中の全ての原子に基づき0より大きく約40原子%までの範囲中にある。該膜中のフッ素(F)の量は、典型的には該膜中の全ての原子に基づき0.01〜15原子%までの範囲中にあるであろう。典型的には、該フッ素化水素化シリコンカーバイド膜中には、いくらかの酸素不純物があるであろう。該酸素不純物は、典型的には該膜中の全ての原子に基づき3原子%未満であり、より典型的には該膜中の全ての原子に基づき1〜3原子%の範囲中にあるであろう。
【0009】
本明細書中で生産されるフッ素化水素化シリコンオキシカーバイド膜は、一般式SivCwOxHyFzにより表されることができ、ここでC:Siの比は約1:3〜約10:1の範囲中にあることが可能であり、Si:Oの比は約1:1〜約20:1の範囲中にあることが可能であって、残部が水素およびフッ素である。水素の量は、典型的には該膜中の全ての原子に基づき0.0〜40原子%の範囲中にある。フッ素の量は、典型的には該膜中の全ての原子に基づき0.01〜15原子%の範囲中にある。
【0010】
前記薄膜を生産することにおいて有用なシリコン含有化合物は、これらに限定されないが、シラン、オルガノシラン、ポリカルボシラン、環状シロキサンおよび直鎖シロキサンを包含する。有用なシリコン含有化合物は、米国特許第6,162,742号において詳細に開示され、本明細書中ではその教えるところのシリコン含有化合物に関する言及により援用される。該シリコン含有化合物は、典型的には式R−Siを持つ単位を含有し、ここでR基は、水素原子、フッ素原子、フッ素置換有機基または有機基から選ばれる。Rは好ましくはアルキル基で、より好ましくはメチル基である。Si原子は、追加的なR基に結合されていてもよく(オルガノシラン)、炭化水素基を通じて他のSi原子に結合されていてもよく(ポリカルボシラン)、またはO原子を通じて他のSi原子に結合されていてもよい(シロキサン)。好ましいシリコン含有化合物は、室温近辺にて気体または液体であり、約10Torr以上にて蒸発され得るものである。
【0011】
前記膜を生産することにおいて有用なシリコン含有化合物は、これらに限定されないが、シラン、テトラフルオロシラン、トリフルオロメチルトリフルオロシラン、メチルシラン、ジメチルシラントリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジシラノメタン、ビス(メチルシラノ)メタン、1,2−ジシラノエタン、1,2−ビス(メチルシラノ)エタン、2,2−ジシラノプロパン、1,3,5−トリシラノ−2,4,6−トリメチレン、1,3−ジメチルシロキサン、1,3−ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(1−メチルジシロキサニル)プロパン、2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8,10−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、1,3,5,7−テトラシラノ−2,6−ジオキシ−4,8−ジメチレン、テトラプロパルギルシラン、テトラエチニルシラン、フェニルシラン、シラシクロブタン(H2SiC3H6)、ならびに1,1−ジフルオロシラシクロブタン、1−メチルシラシクロブタン、1,1−ジメチルシラシクロブタン、1,1−エチルメチルシラシクロブタン、1−ブチルシラシクロブタン、2,4−ジメチルシラシクロブタン、3,3−ジエチルシラシクロブタンおよび3,3−エチルプロピルシラシクロブタンのような誘導体、1,3−ジシラシクロブタン、ならびに1,1,3,3−テトラフルオロ−1,3−ジシラシクロブタン、1−メチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジメチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,1−エチルメチル−1,3−ジシラシクロブタン、1−ブチル−1,3−ジシラシクロブタン、2,4−ジメチル−1,3−ジシラシクロブタン、2,2−ジエチル−1,3−ジシラシクロブタンおよび2,4−エチルプロピル−1,3−ジシラシクロブタンのような誘導体により例示されてもよい。2つ以上のシリコン含有化合物の組み合わせが、誘電率、酸化物含量、疎水性、膜ストレスおよびプラズマエッチング特性のような所望の特性の混合を提供するのに用いられ得る。
【0012】
該シリコン含有化合物が所望の膜を生産するに充分な炭素を含有しない場合、炭素はフッ化炭素化合物を通じて、またはメタンのような炭化水素の使用を通じて導入されてもよい。
【0013】
前記薄膜を生産することにおいて有用な、FまたはHに結合した少なくとも1つの不飽和炭素を持つフッ化炭素またはフッ化炭化水素(「フッ化炭素化合物」)は、ヘキサフルオロプロペン、トリフルオロメチルプロペン、ジ−またはトリ−フルオロベンゼン、ジ(トリフルオロメチルベンゼン)、オクタフルオロトルエンおよび他を包含する。
【0014】
Si含有材料に対するFの量。Si含有気体流量のF含有気体流量に対する比は、1:3〜10:1の範囲であろう。
【0015】
F:H:SiOC膜を生産することが所望される場合、制御された量の酸素が、蒸着器中に存在していてもよい。酸素は、使用される酸素供給気体のタイプ、または使用される酸素供給気体の量により制御されてもよい。もし多過ぎる酸素が蒸着器中に存在すると、SiO2に近い化学量論を有する酸化シリコン膜が生産され、誘電率は所望されるよりもより高いであろう。酸素供給気体は、これらに限定されないが、空気、オゾン、酸素、亜酸化窒素および酸化窒素、好ましくは亜酸化窒素を包含する。酸素供給気体の量は、典型的にはシリコン含有化合物の1体積部につき5体積部未満の酸素供給気体、より好ましくはシリコン含有化合物の1体積部につき0.01〜4.5体積部の酸素供給気体である。当業者は、酸素供給気体のタイプおよび蒸着条件に基づいて、酸素供給気体の量を容易に決定することが出来るであろう。
【0016】
酸素供給気体に加えて、酸素は、酸素を含有するシリコン含有化合物、例えば2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8,10−ペンタメチルシクロペンタシロキサンの使用から、前記膜中へ導入されてもよい。
【0017】
他の材料が、反応性気体混合物中に存在していてもよい。例えば、ヘリウムまたはアルゴンのような担体気体、ホスフィンまたはジボランのようなドーパント、フッ素のようなハロゲン、メタンのような炭化水素、または前記膜に追加的な所望の特性を提供する他の如何なる材料も存在していてもよい。
【0018】
シリコン含有化合物、フッ化炭素化合物および任意の成分の反応性気体混合物は、基板、好ましくは半導体基板を含有する蒸着器中へ導入され、ここでシラン化合物のプラズマ補助ポリマー化が誘導され、結果的に該基板上での膜の蒸着が生じ、ここで該膜は、水素、シリコン、炭素、フッ素および任意に酸素を含み、該基板上で低い誘電率(≧2.0〜≦3.6)を持つ。使用され得る低温および産業における幅広い使用のため、プラズマ促進化学気相蒸着(PECVD)が好ましい。
【0019】
PECVDにおいて、前記気体混合物は、それをプラズマ電界を通過させることにより反応させられる。このような方法において使用されるプラズマは、電気放電、ラジオ周波数またはマイクロ波の範囲中の電磁界、レーザーまたは粒子ビームのような様々な源由来のエネルギーを含む。一般的にプラズマ蒸着法では、中庸の電力密度(0.1〜5ワット/cm2)にてラジオ周波数(10kHz〜102MHz)またはマイクロ波(1.0〜10GHz)のエネルギーの使用が好ましい。しかしながら一般的には、この特定の周波数、電力および圧力が、設備に合うように仕立てられる。好ましくは前記膜は、20〜1000Wの電力;1〜50,000mTorrの圧力;および25〜500℃の温度にてPECVDを使用して生産される。絞り込まれた低い圧力(1〜5mTorr)のマイクロ波周波数プラズマは、しばしば高密度プラズマとして言及されるが、CVD成長の間変化する表面起伏を平坦化することを助ける方法において、RF周波数励起と組み合わされ得る。
【0020】
本明細書中で生産される膜は、種々の厚さを有していてもよい。0.01〜10μmの厚さを持つ膜は、この発明の方法により生産されてもよい。好ましくは該膜は、0.5〜3.0μmの厚さを持つ。
【0021】
この発明の方法にとっての利点は、CVD法の間の適切な時間に酸素供給気体および/またはフッ素化合物を増加させ、または削除することにより、例えばSiO2/F:H:SiOC/SiO2またはSiC:H/F:H:SiOC/SiC:Hの多層構造を生産する連続した成長過程に繋がることが出来ることである。反応性気体の流れを止めること、酸素供給気体および/またはフッ素化合物の量を調整すること、およびその後反応性気体の流れを次の層を生産するために再開することにより、手の込んだ層を生産することが好ましい。
【0022】
本明細書中で生産される膜は、その低い誘電率のために、これらに限定されないが、ゲート誘電体、金属前(premetal)および金属間(intermetal)誘電体ならびに不動態化コーティングを包含する半導体集積回路の製造における層間誘電体として特に適している。本明細書中で生産される膜は、≧2.0〜≦3.6、好ましくは≧2.0〜≦3.0の誘電率を持つ。
【0023】
回路接続に関連した電気的RC(抵抗*静電容量)の遅延を最小化する産業界の要求と共に、新しい低い誘電率の誘電体が、隣接の導体間の分離材料としての使用のために要求されている。多くの候補の膜材料が3.5<k<2.5の範囲中の相対的誘電率kを有して存在する一方、殆どの膜材料は低い誘電率を持たない。k<2.5を有する材料の中には、非晶質炭素合金、フッ素化非晶質炭素合金、および有孔の酸化シリコンの形態がある。
【0024】
F:H:SiOC合金であろう非常に低い密度の膜は、シリコン含有化合物、フッ素化合物および酸素含有気体の同時のプラズマポリマー化により形成され得る。これらの膜が有孔の酸化シリコンに似た誘電特性を持つであろうことが、期待される。フッ素の該膜中への取り込みは、誘電率をさらに低くするのを助け得る。フッ素は、シリコン結合について脱分極効果を持ち、フッ素のない同じシリコン材料に比較して全体的により低い誘電率の膜を生産し得る。
【0025】
フッ素化合物の使用における利点は、CFラジカルからの該膜中へのFの取り込みである。この様式の取り込みはより効果的であるべきで、結果的により高い熱的安定性を有するフッ素結合が得られるべきである。また、Fラジカルに比較してのCFラジカルの相対的な生成を制御することにより、Fラジカルによる前記膜のエッチングは抑えられ得、これ故に成長の間の膜の高密度化を最小化する。該密度を最小化することは、誘電率を抑えることを助ける。
【0026】
フッ素の取り込みのためのこの方法は、非晶質SiCHおよび非晶質SiCOH合金材料を主体とした新しいより低い誘電率の誘電膜における誘電率をさらに抑える方法において使用され得る。これらの材料は、金属間誘電分離層のような集積回路の製作応用において、拡散障壁として有用である。
【0027】
以下の非限定例が、当業者が本発明をより容易に理解するように提供される。
【0028】
(実施例)
(実施例1)
ヘキサフルオロプロペン(HFP)が、トリメチルシラン(「TMS」)を使用するSiC:HまたはSiCO:Hの蒸着のためのPECVD法の間に加えられた。前記膜が、容量的にカップリングした平行プレートPECVD反応器を使用して、基板としての裸のシリコンウエーハ上で成長させられた。HFPドープSiC:H膜の成長の場合には、TMS、HFPおよびヘリウム(He)の混合物が、PECVD法において使用された。HFPドープSiCO:H膜の成長については、亜酸化窒素(N2O)が、前記混合物中において加えられたもう1つ別の気体であった。HFPドープSiC:Hに関するPECVDパラメータ、誘電率、成長率が、表1中にある。実施例において生産される膜の典型的な組成物および密度が、表2中にある。
【0029】
【表1】
【0030】
【表2】
【0031】
HFP流量が増加するにつれて、C/Si比および前記成長率が増加する。同時に、Kの値および屈折率(RI)が減少する。HFPからのCFラジカルが、表面にて炭素含有部分の流束を上昇させるにつれて、炭素含量および膜厚を増加させる。CFx挿入により引き起こされる誘電率の抑制は、炭素およびフッ素両方の取り込みによる。炭素はSiよりもより低い質量を持つので、該膜の密度は落ち(表2参照)、これはバルクの分極性、そして誘電率を抑える。加えて、フッ素はSi結合を脱分極することを助け、kを抑えることを助ける。HFPドープSiCO:Hに関するPECVDパラメータ、誘電率は、表3中にある。
【0032】
【表3】
【0033】
2つのタイプの膜において、金属接着または熱的不安定性は観察されなかった。Si含量はCF:Hと典型的に関連した材料よりも良い接着を支持するので、このことはオルガノSi+HFPの化学の利点である。
【0034】
(比較例1)
CF4がHPFの代わりに使用されたこと以外、実施例1におけるものと同じ方法が使用された。結果が表4中にある。
【0035】
【表4】
Claims (23)
- フッ素化水素化シリコンカーバイド膜を生産するための化学気相蒸着の方法であって、
シリコン含有化合物およびフッ化炭素化合物を含む反応性気体混合物を、基板を含有する蒸着器中へ導入すること
25℃〜500℃の温度にて該シリコン含有化合物およびフッ化炭素化合物の間の反応を誘導し、水素、シリコン、炭素およびフッ素を含む膜を提供すること
を含む方法。 - 前記蒸着器中の前記シリコン含有化合物の前記フッ化炭素化合物に対する比が、1:3〜10:1の範囲にある請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン含有化合物が、メチル含有シランである請求項1に記載の方法。
- 前記メチル含有シランが、トリメチルシランである請求項3に記載の方法。
- 前記フッ化炭素が、ヘキサフルオロプロペン、トリフルオロメチルプロペン、ジ−またはトリ−フルオロベンゼン、ジ(トリフルオロメチルベンゼン)、オクタフルオロトルエンからなる群から選ばれる請求項1に記載の方法。
- 前記フッ化炭素化合物が、ヘキサフルオロプロペンである請求項1に記載の方法。
- 前記膜が、式SiaCbHcFdを持ち、ここでb:aの比が約1:1〜約10:1の範囲にあり;cが前記膜中の全ての原子に基づき0より大きく約40原子%までであり、dが前記膜中の全ての原子に基づき0.01〜15原子%までの範囲にある請求項1に記載の方法。
- 前記反応性気体混合物が、追加的に担体気体を含む請求項1に記載の方法。
- 前記反応が、前記反応性気体混合物を、20〜1000ワットの電力、1〜10,000mTorrの圧力および25〜500℃の温度でのプラズマに晒すことにより誘導される請求項1に記載の方法。
- フッ素化水素化シリコンオキシカーバイド膜を生産するための化学気相蒸着の方法であって、
シリコン含有化合物、フッ化炭素化合物および酸素供給気体を含む反応性気体混合物を、基板を含有する蒸着器中へ導入すること
25℃〜500℃の温度にて該シリコン含有化合物およびフッ化炭素化合物の間の反応を誘導し、ここで該反応の間に、制御された量の酸素が存在して、水素、シリコン、炭素、酸素およびフッ素を含む膜を提供すること
を含む方法。 - 前記蒸着器中の前記シリコン含有化合物の前記フッ化炭素化合物に対する比が、1:3〜10:1の範囲にある請求項10に記載の方法。
- 1体積の前記シリコン含有化合物につき、約0.01〜約4.5体積部の酸素供給気体がある請求項10に記載の方法。
- 前記シリコン含有化合物が、メチル含有シランである請求項10に記載の方法。
- 前記メチル含有シランが、トリメチルシランである請求項13に記載の方法。
- 前記フッ化炭素が、ヘキサフルオロプロペン、トリフルオロメチルプロペン、ジ−またはトリ−フルオロベンゼン、ジ(トリフルオロメチルベンゼン)、オクタフルオロトルエンからなる群から選ばれる請求項10に記載の方法。
- 前記フッ化炭素化合物が、ヘキサフルオロプロペンである請求項15に記載の方法。
- 前記膜が、式SivCwOxHyFzを持ち、ここでv:wの比が約1:3〜約10:1の範囲にあり;v:xの比が約1:1〜20:1の範囲にあり;yが前記膜中の全ての原子に基づき0より大きく約40原子%までであり、zが前記膜中の全ての原子に基づき0.01〜15原子%までの範囲にある請求項10に記載の方法。
- 前記膜が、約2〜約3.6の誘電率を持つ請求項10に記載の方法。
- 前記反応性気体混合物が、追加的に担体気体を含む請求項10に記載の方法。
- 前記反応が、前記反応性気体混合物を、20〜1000ワットの電力、1〜10,000mTorrの圧力および25〜500℃の温度でのプラズマに晒すことにより誘導される請求項10に記載の方法。
- 前記酸素供給気体が亜酸化窒素である請求項10に記載の方法。
- 前記基板が半導体基板である請求項1に記載の方法。
- 前記基板が半導体基板である請求項10に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US27821101P | 2001-03-23 | 2001-03-23 | |
PCT/US2002/008689 WO2002077320A1 (en) | 2001-03-23 | 2002-03-20 | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004526318A true JP2004526318A (ja) | 2004-08-26 |
Family
ID=23064124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002575353A Pending JP2004526318A (ja) | 2001-03-23 | 2002-03-20 | 水素化シリコンオキシカーバイド膜を生産するための方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6593248B2 (ja) |
EP (1) | EP1373595A1 (ja) |
JP (1) | JP2004526318A (ja) |
KR (1) | KR20030093270A (ja) |
TW (1) | TW535238B (ja) |
WO (1) | WO2002077320A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006519496A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-08-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。 |
WO2011108456A1 (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | 大陽日酸株式会社 | 低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法 |
Families Citing this family (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997026350A1 (en) * | 1996-01-19 | 1997-07-24 | Smithkline Beecham Plc | STAPHYLOCOCCUS AUREUS METHIONYL-tRNA SYNTHETASE |
US6593247B1 (en) * | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6660656B2 (en) | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US6800571B2 (en) * | 1998-09-29 | 2004-10-05 | Applied Materials Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US7074489B2 (en) * | 2001-05-23 | 2006-07-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low dielectric constant material and method of processing by CVD |
KR20030002993A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 학교법인 포항공과대학교 | 저유전체 박막의 제조방법 |
US7183201B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers |
KR100432704B1 (ko) * | 2001-09-01 | 2004-05-24 | 주성엔지니어링(주) | 수소화된 SiOC 박막 제조방법 |
US6656837B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications |
US6699784B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-03-02 | Applied Materials Inc. | Method for depositing a low k dielectric film (K>3.5) for hard mask application |
US6890850B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-05-10 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing dielectric materials in damascene applications |
KR100878270B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 저유전율 절연막의 증착방법 |
US7105460B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-09-12 | Applied Materials | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
DE102004012798A1 (de) * | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Stickstofffreie antireflektierende Beschichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
DE102004036753B4 (de) * | 2004-07-29 | 2008-11-06 | Advanced Micro Devices Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Herstellung einer stickstofffreien ARC-Deckschicht |
US7622193B2 (en) * | 2004-08-18 | 2009-11-24 | Dow Corning Corporation | Coated substrates and methods for their preparation |
WO2007001337A2 (en) * | 2004-08-18 | 2007-01-04 | Dow Corning Corporation | Coated substrates and methods for their preparation |
US20060199367A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-09-07 | Jim-Jey Huang | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7291563B2 (en) * | 2005-08-18 | 2007-11-06 | Micron Technology, Inc. | Method of etching a substrate; method of forming a feature on a substrate; and method of depositing a layer comprising silicon, carbon, and fluorine onto a semiconductor substrate |
US7618902B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-11-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Plasma treatment of a semiconductor surface for enhanced nucleation of a metal-containing layer |
CN100539071C (zh) * | 2006-02-16 | 2009-09-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于形成低介电常数氟掺杂层的方法 |
US7790634B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc | Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications |
US7902080B2 (en) | 2006-05-30 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide |
US7825038B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen |
US8232176B2 (en) | 2006-06-22 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill |
US7745352B2 (en) | 2007-08-27 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | Curing methods for silicon dioxide thin films deposited from alkoxysilane precursor with harp II process |
US7541297B2 (en) * | 2007-10-22 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill |
US7943531B2 (en) | 2007-10-22 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate |
US7867923B2 (en) | 2007-10-22 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors |
US7803722B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-09-28 | Applied Materials, Inc | Methods for forming a dielectric layer within trenches |
US20090115060A1 (en) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
US8357435B2 (en) | 2008-05-09 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
TWI400534B (zh) * | 2009-07-15 | 2013-07-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 薄膜電晶體光感測器以及製作氟矽氧碳氫化合物介電層之方法 |
US8980382B2 (en) | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
US7935643B2 (en) | 2009-08-06 | 2011-05-03 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
US8741788B2 (en) | 2009-08-06 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes |
US7989365B2 (en) | 2009-08-18 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source seasoning |
US8449942B2 (en) | 2009-11-12 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Methods of curing non-carbon flowable CVD films |
CN102687252A (zh) | 2009-12-30 | 2012-09-19 | 应用材料公司 | 以可变的氮/氢比所制造的自由基来生长介电薄膜的方法 |
US8329262B2 (en) | 2010-01-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dielectric film formation using inert gas excitation |
JP2013517616A (ja) | 2010-01-06 | 2013-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体 |
SG182333A1 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-30 | Applied Materials Inc | In-situ ozone cure for radical-component cvd |
CN102844848A (zh) | 2010-03-05 | 2012-12-26 | 应用材料公司 | 通过自由基成分化学气相沉积的共形层 |
US8236708B2 (en) | 2010-03-09 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor |
US7994019B1 (en) | 2010-04-01 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon-ozone CVD with reduced pattern loading using incubation period deposition |
US8476142B2 (en) | 2010-04-12 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | Preferential dielectric gapfill |
US8524004B2 (en) | 2010-06-16 | 2013-09-03 | Applied Materials, Inc. | Loadlock batch ozone cure |
US8318584B2 (en) | 2010-07-30 | 2012-11-27 | Applied Materials, Inc. | Oxide-rich liner layer for flowable CVD gapfill |
US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
US8664127B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8450191B2 (en) | 2011-01-24 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Polysilicon films by HDP-CVD |
US8716154B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers |
US8445078B2 (en) | 2011-04-20 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Low temperature silicon oxide conversion |
US8466073B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-06-18 | Applied Materials, Inc. | Capping layer for reduced outgassing |
US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
US8617989B2 (en) | 2011-09-26 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Liner property improvement |
US8551891B2 (en) | 2011-10-04 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma burn-in |
US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
EP3212696B1 (en) | 2014-10-29 | 2018-10-24 | PPG Industries Ohio, Inc. | Protective coating system for plastic substrate |
WO2018017684A1 (en) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | Applied Materials, Inc. | Deposition of flowable silicon-containing films |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6067901A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素化及び弗素化した非晶質炭化ケイ素薄膜を用いた光学素子 |
US5284730A (en) * | 1990-10-24 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
SG53005A1 (en) * | 1996-07-03 | 1998-09-28 | Novellus Systems Inc | Method for depositing substituted fluorcarbon polymeric layers |
US5989998A (en) | 1996-08-29 | 1999-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming interlayer insulating film |
JPH10242142A (ja) | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Nippon Asm Kk | 半導体素子とその製造方法 |
US6159871A (en) * | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
US6458718B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-10-01 | Asm Japan K.K. | Fluorine-containing materials and processes |
-
2002
- 2002-03-20 EP EP02728533A patent/EP1373595A1/en not_active Withdrawn
- 2002-03-20 US US10/103,331 patent/US6593248B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-20 JP JP2002575353A patent/JP2004526318A/ja active Pending
- 2002-03-20 KR KR10-2003-7012361A patent/KR20030093270A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-03-20 WO PCT/US2002/008689 patent/WO2002077320A1/en active Application Filing
- 2002-03-25 TW TW091105741A patent/TW535238B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006519496A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-08-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。 |
WO2011108456A1 (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | 大陽日酸株式会社 | 低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法 |
JP2011181672A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1373595A1 (en) | 2004-01-02 |
WO2002077320A1 (en) | 2002-10-03 |
KR20030093270A (ko) | 2003-12-06 |
US20020173172A1 (en) | 2002-11-21 |
TW535238B (en) | 2003-06-01 |
US6593248B2 (en) | 2003-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6593248B2 (en) | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant | |
US6159871A (en) | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant | |
US6068884A (en) | Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films | |
US6667553B2 (en) | H:SiOC coated substrates | |
US7030468B2 (en) | Low k and ultra low k SiCOH dielectric films and methods to form the same | |
US6815373B2 (en) | Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films | |
US7354873B2 (en) | Method for forming insulation film | |
JP3762304B2 (ja) | 低誘電率層間絶縁膜の形成方法 | |
US20030194496A1 (en) | Methods for depositing dielectric material | |
US7737525B1 (en) | Method for producing low-K CDO films | |
JP4881153B2 (ja) | 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。 | |
US6905981B1 (en) | Low-k dielectric materials and processes | |
EP1149933A1 (en) | Deposition method of dielectric films having a low dielectric constant |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080701 |