RU2586265C2 - Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов - Google Patents
Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2586265C2 RU2586265C2 RU2014127446/28A RU2014127446A RU2586265C2 RU 2586265 C2 RU2586265 C2 RU 2586265C2 RU 2014127446/28 A RU2014127446/28 A RU 2014127446/28A RU 2014127446 A RU2014127446 A RU 2014127446A RU 2586265 C2 RU2586265 C2 RU 2586265C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrates
- silicon dioxide
- thin films
- substrate
- solar cells
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N2=450 л/ч; H2=75 л/ч; O2=750±50 л/ч. Температура рабочей зоны 900±10°C. Разброс по толщине пленки диоксида кремния на подложке составил 3,0÷3,5%. Изобретение обеспечивает получение на поверхности подложки однородной и равномерной диэлектрической пленки диоксида кремния при низких температурах. 3 пр.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов, в частности к методам получения тонких пленок на поверхности подложек для формирования активных областей p-n перехода.
Известны методы получения тонких пленок: термическое окисление кремния в парах воды, сухое окисление и т.д. [1].
Тонкие пленки кремния получают различными методами, в том числе химическим осаждением из паровой фазы испарением, ионным распылением, нанесением на керамические подложки, осаждением на многократно используемые подложки с последующим отделением пленок за счет неравномерного теплового расширения, электролитическим и электрогидродинамическим методами.
Недостатками этих методов является неоднородность получения тонких пленок диоксида кремния на поверхности подложек и получения пористого слоя.
Целью изобретения является получение на поверхности подложки однородной и равномерной диэлектрической пленки диоксида кремния при низких температурах.
Поставленная цель достигается использованием газовой фазы, в состав которого входят азот, водород и кислород.
Сущность способа заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота (N2) при расходе газов: N2=450 л/ч; H2=75 л/ч; O2=750±50 л/ч.
Температура рабочей зоны 900±10°C.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине пленки диоксида кремния на подложке составило 3,0÷3,5%.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1: Технологический процесс проводят в однозонной диффузионной печи типа СДОМ-1/100 при температуре 1000±10°C и применением кварцевой оснастки. Подложки предварительно нагревают до температуры 850±50°C, при расходе азота N2=500 л/ч. Сухое окисление при расходе азота O2=500 л/ч проводят в течение 10 мин. После чего пускают водород на поджиг, расход водорода H2=85 л/ч и кислорода O2=900±50 л/ч, а затем происходит горение водорода и кислорода в течение 1 минуты, при котором образуется диэлектрическая пленка диоксид германия.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине диэлектрической пленки диоксида кремния на подложке составил 5,0÷5,5%.
ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующем расходе газов, л/ч: N2=450 л/ч; H2=75 л/ч; O2=800±50 л/ч.
Температура рабочей зоны 950±50°C.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине полученной пленки диоксида германия на подложке составил 4,0÷4,5%.
ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующем расходе газов, л/ч: N2=450 л/ч; H2=75 л/ч; O2=750±50 л/ч.
Температура рабочей зоны 900±10°C.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине диэлектрической пленки диоксида кремния на подложке составил 3,0÷3,5%.
Таким образом, предлагаемый метод по сравнению с прототипами позволяет получать на поверхности однородный и ненарушенный тонкий слой пленки диоксида кремния.
Литература
1. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. / Под редакцией А.И. Курносова, В.В. Юдина. М.: «Высшая школа», 1996, с. 387.
Claims (1)
- Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов, включающий обработку поверхности подложек, отличающийся тем, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота (N2) и расхода газов: N2=450 л/ч; H2=75 л/ч; O2=750±50 л/ч при температуре процесса 900±10°C, где разброс составил 3,0÷3,5%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014127446/28A RU2586265C2 (ru) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014127446/28A RU2586265C2 (ru) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014127446A RU2014127446A (ru) | 2016-02-10 |
| RU2586265C2 true RU2586265C2 (ru) | 2016-06-10 |
Family
ID=55312963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014127446/28A RU2586265C2 (ru) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2586265C2 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006097525A2 (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming silicon oxide containing films |
| RU2372688C2 (ru) * | 2005-07-25 | 2009-11-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ОКИСЛА КРЕМНИЯ SiO2 |
| WO2009157052A1 (ja) * | 2008-06-23 | 2009-12-30 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| RU2449413C2 (ru) * | 2010-04-08 | 2012-04-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Метод получения пленки диоксида кремния |
-
2014
- 2014-07-04 RU RU2014127446/28A patent/RU2586265C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006097525A2 (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming silicon oxide containing films |
| RU2372688C2 (ru) * | 2005-07-25 | 2009-11-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ОКИСЛА КРЕМНИЯ SiO2 |
| WO2009157052A1 (ja) * | 2008-06-23 | 2009-12-30 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| RU2449413C2 (ru) * | 2010-04-08 | 2012-04-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Метод получения пленки диоксида кремния |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2014127446A (ru) | 2016-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2012044622A3 (en) | Low-temperature dielectric film formation by chemical vapor deposition | |
| JP2013545275A5 (ru) | ||
| WO2007103598A3 (en) | Silicon photovoltaic cell junction formed from thin film doping source | |
| CN103606514B (zh) | 基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法 | |
| CN106298466A (zh) | 基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法 | |
| CN102674333B (zh) | 基于Ni膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 | |
| JP2011044704A5 (ja) | 微結晶半導体膜の作製方法および半導体装置の作製方法 | |
| JP2014518010A5 (ru) | ||
| MX2012006821A (es) | Celula solar de pelicula fina de silicio que tiene turbidez mejorada y metodos de fabricacion de la misma. | |
| CN102653401B (zh) | 基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法 | |
| RU2586265C2 (ru) | Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов | |
| RU2449413C2 (ru) | Метод получения пленки диоксида кремния | |
| ATE541065T1 (de) | Verfahren zur herstellung von dünnschichten und vorrichtungen | |
| RU2372688C2 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ОКИСЛА КРЕМНИЯ SiO2 | |
| CN102031501B (zh) | 一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法 | |
| CN102938368A (zh) | 基于Ni膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法 | |
| RU2012149255A (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| CN102383197B (zh) | 用工艺气体处理基底的方法 | |
| RU2567405C2 (ru) | Способ получения истоковой области силового транзистора | |
| JP2009537967A5 (ru) | ||
| RU2575613C2 (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНОЙ p+- ОБЛАСТИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | |
| CN108977887A (zh) | 单晶氮化铟的生长方法 | |
| RU2542591C1 (ru) | Способ формирования эмиттерной области транзистора | |
| CN102683183B (zh) | 基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法 | |
| RU2534386C2 (ru) | Способ формирования p-области |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160705 |