RU2449413C2 - Метод получения пленки диоксида кремния - Google Patents
Метод получения пленки диоксида кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2449413C2 RU2449413C2 RU2010113865/28A RU2010113865A RU2449413C2 RU 2449413 C2 RU2449413 C2 RU 2449413C2 RU 2010113865/28 A RU2010113865/28 A RU 2010113865/28A RU 2010113865 A RU2010113865 A RU 2010113865A RU 2449413 C2 RU2449413 C2 RU 2449413C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- dioxide film
- silicon
- carried out
- temperature
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к методам получения защитных пленок для формирования активных областей p-n переходов. Сущность изобретения: при получении диэлектрической пленки диоксида кремния на поверхности кремниевой подложки формируют слой диэлектрический пленки диоксида кремния за счет горения водорода (H2) и сухого кислорода (O2) в среде азота (N2) при температуре - 980±20°С и расходе газов: N2=400 л/ч; Н2=65 л/ч; O2=650±50 л/ч, разброс толщины пленки составляет - 3,5÷4,0%. Изобретение позволяет получить равномерную и ненарушенную пленку диоксида кремния без примесей при низких температурах.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к методам получения защитных пленок для формирования активных областей p-n-переходов.
Известны методы получения защитных диэлектрических пленок: термическое окисление кремния в парах воды, сухое окисление и т.д. [1].
Недостатками этих методов является неравномерность наращивания пленки диоксида кремния на поверхности кремниевых подложек и получения пористого слоя.
Известен комбинированный метод, в который входит два процесса: окисление в парах воды и окисление в сухом кислороде при температуре 1000÷1200°С.
Недостаток этого метода заключается в том, что на поверхности подложек образуется неравномерная пленка диоксида кремния и скорость роста пленки в сухом кислороде меньше, чем в парах воды, а также пленки диоксида кремния SiO2, выращенные во влажном кислороде обладают худшими электрическими и защитными свойствами, чем слои, выращенные в сухом кислороде.
Целью изобретения является получение на поверхности равномерной и ненарушенной пленки диоксида кремния без примесей при низких температурах.
Поставленная цель достигается использованием газовой фазы, в состав которой входят: азот (N2), водород (H2) и кислород (O2).
Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевой подложки формируют слой диэлектрической пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота (N2) при расходе газов: N2=400 л/ч; H2=65 л/ч; O2=650±50 л/ч.
Температура рабочей зоны - 980±20°С.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине диэлектрической пленки диоксида кремния на кремниевых подложках составляет 3,0-3,5%.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Технологический процесс проводят в однозонной диффузионной печи типа СДОМ-1/100 при температуре 1000°С и применением кварцевой оснастки. Кремниевые подложки предварительно нагревают до температуры 800±50°С, при расходе азота N2=400 л/ч. Сухое окисление при расходе азота O2=400 л/ч проводят в течение 8 мин. После чего пускают водород на поджиг, расход водорода H2=80 л/ч и кислорода O2 - 800±50 л/ч, а затем происходит горение водорода и кислорода в течение 1 минуты, при котором образуется диэлектрическая пленка диоксида кремния.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине диэлектрической пленки диоксида кремния на кремниевых подложках составляет 5,0÷5,5%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующем расходе газов, л/ч: N2=400 л/ч; H2=75 л/ч; O2=700±50 л/ч.
Температура рабочей зоны - 980±50°С.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине полученной пленки окисла кремния на подложках составляет 4,5÷5,0%.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующем расходе газов, л/ч: N2=400 л/ч; H2=70 л/ч; O2=700±50 л/ч.
Температура рабочей зоны - 980±20°С.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине диэлектрической пленки диоксида кремния на кремниевых подложках составляет 4,0÷4,5%.
ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующем расходе газов, л/ч: N2=400 л/ч; H2=65 л/ч; O2=650±50 л/ч.
Температура рабочей зоны - 980±20°С.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине диэлектрической пленки диоксида кремния на кремниевых подложках составляет 3,5÷4,0%.
Таким образом, предлагаемый метод по сравнению с прототипом позволяет получать на поверхности кремниевой подложки равномерный, чистый без примесей и ненарушенный слой диэлектрической пленки диоксида кремния.
Литература.
1. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Под ред. А.И.Курносова, В.В.Юдина, М., Высшая школа, 1996, стр.387.
Claims (1)
- Метод получения пленки диоксида кремния, включающий метод получения диэлектрической пленки на поверхности кремниевой подложки, отличающийся тем, что на поверхности подложки формируют слой диэлектрической пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота (N2) при температуре 980±20°С и расхода газов: N2=400 л/ч; Н2=65 л/ч; O2=650±50 л/ч, разброс толщины составил 3,5÷4,0%.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010113865/28A RU2449413C2 (ru) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | Метод получения пленки диоксида кремния |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010113865/28A RU2449413C2 (ru) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | Метод получения пленки диоксида кремния |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010113865A RU2010113865A (ru) | 2011-11-27 |
RU2449413C2 true RU2449413C2 (ru) | 2012-04-27 |
Family
ID=45317324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010113865/28A RU2449413C2 (ru) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | Метод получения пленки диоксида кремния |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2449413C2 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2539801C1 (ru) * | 2013-07-01 | 2015-01-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния |
RU2586265C2 (ru) * | 2014-07-04 | 2016-06-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2012091C1 (ru) * | 1992-03-10 | 1994-04-30 | Научно-исследовательский институт материаловедения им.А.Ю.Малинина | Способ изготовления моп-структур |
US5314724A (en) * | 1991-01-08 | 1994-05-24 | Fujitsu Limited | Process for forming silicon oxide film |
RU2116686C1 (ru) * | 1996-05-05 | 1998-07-27 | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | Способ получения пленки диоксида кремния на подложке |
RU2372688C2 (ru) * | 2005-07-25 | 2009-11-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ОКИСЛА КРЕМНИЯ SiO2 |
-
2010
- 2010-04-08 RU RU2010113865/28A patent/RU2449413C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5314724A (en) * | 1991-01-08 | 1994-05-24 | Fujitsu Limited | Process for forming silicon oxide film |
RU2012091C1 (ru) * | 1992-03-10 | 1994-04-30 | Научно-исследовательский институт материаловедения им.А.Ю.Малинина | Способ изготовления моп-структур |
RU2116686C1 (ru) * | 1996-05-05 | 1998-07-27 | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | Способ получения пленки диоксида кремния на подложке |
RU2372688C2 (ru) * | 2005-07-25 | 2009-11-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ОКИСЛА КРЕМНИЯ SiO2 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2539801C1 (ru) * | 2013-07-01 | 2015-01-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния |
RU2586265C2 (ru) * | 2014-07-04 | 2016-06-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2010113865A (ru) | 2011-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107492482B (zh) | 一种提高碳化硅外延层载流子寿命的方法 | |
JP2008508696A5 (ru) | ||
JP2011142310A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2011146697A5 (ru) | ||
CN104584190B (zh) | 外延晶片及其制造方法 | |
WO2014122854A1 (ja) | 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
RU2449413C2 (ru) | Метод получения пленки диоксида кремния | |
CN101941696B (zh) | 一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法 | |
RU2372688C2 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ОКИСЛА КРЕМНИЯ SiO2 | |
JP2006228763A (ja) | 単結晶SiC基板の製造方法 | |
Zhao et al. | Annealing and amorphous silicon passivation of porous silicon with blue light emission | |
CN104952912A (zh) | 基于MgO衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法 | |
CN105118853A (zh) | 基于MgO衬底的氧化镓薄膜及其生长方法 | |
JP2008263025A5 (ru) | ||
RU2586265C2 (ru) | Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов | |
CN102290333A (zh) | 一种适用于石墨烯基器件的栅氧介质的形成方法 | |
CN102383197B (zh) | 用工艺气体处理基底的方法 | |
RU2361316C2 (ru) | Способ диффузии бора | |
RU2012149255A (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
JP2016051892A (ja) | 半導体基板、太陽電池、太陽電池の製造方法及びその製造装置 | |
Mandracci et al. | Low temperature growth of SiO2 on SiC by plasma enhanced chemical vapor deposition for power device applications | |
CN102031501A (zh) | 一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法 | |
KR100826308B1 (ko) | 질화갈륨/산화갈륨 나노케이블, 나노케이블을 이용한전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
JP5975460B2 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置の製造方法 | |
RU2586267C2 (ru) | Способ формирования активной n-области солнечных элементов |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120409 |