RU2586267C2 - Способ формирования активной n-области солнечных элементов - Google Patents

Способ формирования активной n-области солнечных элементов Download PDF

Info

Publication number
RU2586267C2
RU2586267C2 RU2014127448/28A RU2014127448A RU2586267C2 RU 2586267 C2 RU2586267 C2 RU 2586267C2 RU 2014127448/28 A RU2014127448/28 A RU 2014127448/28A RU 2014127448 A RU2014127448 A RU 2014127448A RU 2586267 C2 RU2586267 C2 RU 2586267C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
oxygen
nitrogen
phosphorus
area
solar elements
Prior art date
Application number
RU2014127448/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2014127448A (ru
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Айшат Расуловна Шахмаева
Бийке Алиевна Шангереева
Патимат Расуловна Захарова
Азамат Ибрагимович Муртузалиев
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2014127448/28A priority Critical patent/RU2586267C2/ru
Publication of RU2014127448A publication Critical patent/RU2014127448A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2586267C2 publication Critical patent/RU2586267C2/ru

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной n- области солнечных элементов включает процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, при этом в качестве источника диффузанта используется жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl3) при следующем соотношении компонентов: азот N2=280 л/ч, кислород O2=300 л/ч, кислород O2=15 л/ч, азот через питатель N2=14 л/ч. Изобретение обеспечивает возможность проводить процесс диффузии фосфора при температуре 1000°C и получить RS=35±10 Ом/см с обеспечением уменьшения разброса значений поверхностной концентрации по полупроводниковой пластине, снижения длительности и температуры процесса. 3 пр.

Description

Изобретение относится к технологии формирования активной n-области, в частности к способам получения тонких фосфоросиликатных стекол в производстве солнечных элементов.
Известны способы формирования активных областей n-области из твердого планарного источника (ТПИ); жидкие - POCl3, PCl3 и газообразные - PH3 [1].
При изготовлении солнечных элементов из кремниевых пленок, создаваемых методом вакуумного испарения, а также пленок, выращиваемых на керамических и многократно используемых подложках, легирование и формирование р-п-перехода осуществляются с помощью обычной диффузионной технологии [2, 3, 4].
Недостатками этих способов является неравномерное распределение концентрации по поверхности полупроводниковой пластины, длительность процесса и высокие температуры.
Образующиеся в процессе диффузии фосфора пленки фосфоросиликатного стекла (ФСС) являются хорошим средством генерирования примесей в полупроводниковой технологии. При температуре осаждения фосфоросиликатного стекла ФСС создаются индуцированные диффузионные напряжения впереди фронта диффузии. Эта область является стоком для металлических примесей.
Целью изобретения является уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности полупроводниковой пластины, уменьшения длительности и температуры процесса.
Поставленная цель достигается проведением процесса диффузии фосфора с применением диффузанта - оксихлорид фосфора (POCl3), при следующем расходе газов: азот -N2=280 л/ч, кислород - O2=300 л/ч, кислород - O2=15 л/ч, азот через питатель - N2=14 л/ч. Температура процесса 1000°C, и время проведения процесса равно 5 минутам. На стадии загонки используется окисляющая смесь, в результате образуется P2O5 в определенной точке системы перед зоной диффузии. Присутствие кислорода на стадии загонки предотвращает подтравливание поверхности галогеном, особенно при высоких концентрациях POCl3 в смеси.
Сущность способа диффузии из жидкого источника заключается в том, что пластины кремния помешают в кварцевую трубу, находящуюся внутри нагретой однозонной печи. Через трубу пропускается поток газа носителя азот N2, к которому добавляется примесь источника диффузанта, находящегося при обычных условиях в жидком состоянии.
Технологический процесс проводят при следующем расходе газов: азот N2=280 л/ч, кислород O2=300 л/ч, кислород O2=15 л/ч, азот через питатель - N2=14 л/ч. Температура процесса 1000°C, и время проведения процесса равно 5 минутам.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1: Технологический процесс диффузия фосфора проводят в однозонных диффузионных печах типа на установке СДОМ-3/100. Полупроводниковые пластины размещаются на кварцевую кассету, которая устанавливается на лодочку, расстояние между пластинами 2,4 мм. Через трубу пропускается поток газа носителя азот - N2, к которому добавляется примесь источника диффузанта, находящегося при обычных условиях в жидком состоянии.
Азот - N2=280 л/ч, кислород O2=300 л/ч, кислород O2=15 л/ч, азот через питатель N2=14 л/ч. Температура процесса 900°C, и время проведения процесса загонки - 20 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно RS=55±10 Ом/см.
ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Технологический процесс проводят при следующих расходах газов: азот - N2=280 л/ч, кислород O2=300 л/ч, кислород O2=15 л/ч, азот через питатель - N2=14 л/ч. Температура процесса 950±50°C, и время проведения процесса загонки - 15 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно RS=45±10 Ом/см.
ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Технологический процесс проводят при следующих расходах газов: азот N2=280 л/ч, кислород O2=300 л/ч, кислород O2=15 л/ч, азот через питатель - N2=14 л/ч. Температура процесса 1000°C и время проведения процесса загонки - 5 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно RS=35±10 Ом/см.
Таким образом, предлагаемый способ, по сравнению с прототипами, позволяет проводить процесс диффузии фосфора при температуре, равной 1000°C, и получить RS=35±10 Ом/см, при котором обеспечивается уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по полупроводниковой пластине, снижение длительности и температуры процесса.
Литература
1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: «Радио и связь», 1991, с. 179-180.
2. N. Nakayama, Н. Matsumoto, A. Nakano, S. Ikegami, Н. Uda and Т. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys., 19, 703 A980).
3. Наумов Г.П., Николаев О.В. КПД превращения энергии прямого солнечного» излучения в электрическую энергию с помощью фотоэлемента из CdTe. - Физика твердого тела, 1961, т. 3, №12, с. 3748.
4. L.W. James and R.L. Moon, Appl. Phys. Lett., 26, 467 A975).

Claims (1)

  1. Способ формирования активной n-области солнечных элементов, включающий процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, отличающийся тем, что в качестве источника диффузанта используется жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl3) при следующем соотношении компонентов: азот N2=280 л/ч, кислород O2=300 л/ч, кислород O2=15 л/ч, азот через питатель N2=14 л/ч.
RU2014127448/28A 2014-07-04 2014-07-04 Способ формирования активной n-области солнечных элементов RU2586267C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014127448/28A RU2586267C2 (ru) 2014-07-04 2014-07-04 Способ формирования активной n-области солнечных элементов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014127448/28A RU2586267C2 (ru) 2014-07-04 2014-07-04 Способ формирования активной n-области солнечных элементов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014127448A RU2014127448A (ru) 2016-02-10
RU2586267C2 true RU2586267C2 (ru) 2016-06-10

Family

ID=55312964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014127448/28A RU2586267C2 (ru) 2014-07-04 2014-07-04 Способ формирования активной n-области солнечных элементов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2586267C2 (ru)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101980381A (zh) * 2010-09-29 2011-02-23 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺
CN102157606A (zh) * 2010-12-30 2011-08-17 光为绿色新能源有限公司 一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法
TW201140658A (en) * 2010-01-25 2011-11-16 Innovalight Inc Methods of forming a multi-doped junction with silicon-containing particles
CN102593262A (zh) * 2012-03-14 2012-07-18 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法
RU2469439C1 (ru) * 2011-06-23 2012-12-10 Общество с ограниченной ответственностью "Солнечный ветер" Способ изготовления солнечного элемента с двухсторонней чувствительностью
CN103824899A (zh) * 2014-02-27 2014-05-28 浙江晶科能源有限公司 一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201140658A (en) * 2010-01-25 2011-11-16 Innovalight Inc Methods of forming a multi-doped junction with silicon-containing particles
CN101980381A (zh) * 2010-09-29 2011-02-23 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺
CN102157606A (zh) * 2010-12-30 2011-08-17 光为绿色新能源有限公司 一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法
RU2469439C1 (ru) * 2011-06-23 2012-12-10 Общество с ограниченной ответственностью "Солнечный ветер" Способ изготовления солнечного элемента с двухсторонней чувствительностью
CN102593262A (zh) * 2012-03-14 2012-07-18 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法
CN103824899A (zh) * 2014-02-27 2014-05-28 浙江晶科能源有限公司 一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2014127448A (ru) 2016-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106757324B (zh) 一种硅外延片的制造方法
US8124502B2 (en) Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device and semiconductor device manufacturing installation
US9633840B2 (en) Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device
US8598020B2 (en) Plasma-enhanced chemical vapor deposition of crystalline germanium
WO2000026948A1 (fr) Plaquette a semi-conducteur et dispositif de cristallisation en phase vapeur
CN104347401B (zh) 一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法
WO2010046284A1 (en) Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device and semiconductor device manufacturing installation
US20130023111A1 (en) Low temperature methods and apparatus for microwave crystal regrowth
CN103632935A (zh) N 型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN105702809A (zh) 一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法
JP6786939B2 (ja) 炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体基板の製造方法
RU2586267C2 (ru) Способ формирования активной n-области солнечных элементов
CN115704106B (zh) SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法
Bauer High Throughput Selective Epitaxial Growth of In Situ Doped SiCP/SiP Layers for NMOS Devices Using a Si3H8/SiH3CH3/PH3/Cl2 Based Cyclic Deposition and Etch Process
RU2371807C1 (ru) Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок
RU2449413C2 (ru) Метод получения пленки диоксида кремния
JP7025023B2 (ja) 電子部品のためのシリコンウェーハ及びその製造方法
Xu et al. CMOS compatible in-situ n-type doping of ge using new generation doping agents P (MH3) 3 and As (MH3) 3 (M= Si, Ge)
CN105002563B (zh) 碳化硅外延层区域掺杂的方法
CN103715299A (zh) 一种逆扩散的方法
CN103715301A (zh) 一种高效扩散的方法
RU2407105C2 (ru) Способ получения фосфоросиликатных пленок
RU2575613C2 (ru) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНОЙ p+- ОБЛАСТИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
RU2524149C1 (ru) Способ получения стекла из пятиокиси фосфора
RU2567405C2 (ru) Способ получения истоковой области силового транзистора

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160705