RU2371807C1 - Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок - Google Patents

Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок Download PDF

Info

Publication number
RU2371807C1
RU2371807C1 RU2008129476/28A RU2008129476A RU2371807C1 RU 2371807 C1 RU2371807 C1 RU 2371807C1 RU 2008129476/28 A RU2008129476/28 A RU 2008129476/28A RU 2008129476 A RU2008129476 A RU 2008129476A RU 2371807 C1 RU2371807 C1 RU 2371807C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
phosphorous
nitrogen
phosphorus
diffusing
oxygen
Prior art date
Application number
RU2008129476/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов (RU)
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Бийке Алиевна Шангереева (RU)
Бийке Алиевна Шангереева
Айшат Расуловна Шахмаева (RU)
Айшат Расуловна Шахмаева
Original Assignee
Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2008129476/28A priority Critical patent/RU2371807C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2371807C1 publication Critical patent/RU2371807C1/ru

Links

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора. Сущность изобретения: в способе диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок, включающем процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины из газовой фазы, в качестве источника диффузанта используют жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl3) при следующем соотношении компонентов: кислород - O2=38 л/ч азот - N2=700 л/ч, азот через питатель - N2=36,7 л/ч при температуре процесса 1000°С, время проведения загонки фосфора -40 минут, при этом поверхностное сопротивление равно RS=160±10 Ом/см. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины, уменьшение длительности и температуры процесса.

Description

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам получения фосфорно-силикатных стекол для формирования активной эмиттерной области.
Известны способы диффузии фосфора: твердый планарный источник - ТПИ; жидкие источники диффузии фосфора - PCl3; газообразные источники диффузии в потоке газа - PH3 [1].
Недостатками этих способов является неравномерное распределение концентрации по поверхности кремниевой пластины, высокие температуры и длительность процессов.
Образующиеся в процессе диффузии фосфора пленки фосфоросиликатного стекла (ФСС) являются хорошим средством геттерирования примесей в полупроводниковой технологии. При температуре осаждения ФСС создаются индуцированные диффузионные напряжения впереди фронта диффузии. Эта область является стоком для металлических примесей.
Целью изобретения является уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины, уменьшение длительности и температуры процесса.
Поставленная цель достигается проведением процесса диффузии фосфора с применением диффузанта - оксихлорид фосфора (POCl3), при следующем расходе газов: кислород - O2=37,8±0,5 л/ч, азот - N2=740±10 л/ч, азот через питатель - N2=36,7 л/ч. Температура процесса 1000°С и время проведения процесса равно 40 минут. На стадии загонки используется окисляющая смесь, в результате образуется P2O5 в определенной точке системы перед зоной диффузии. Присутствие кислорода на стадии загонки предотвращает подтравливание поверхности галогеном, особенно при высоких концентрациях POCl3 в смеси.
Сущность способа диффузии из жидкого источника заключается в том, что пластины кремния помещают в кварцевую трубу, находящуюся внутри нагретой однозонной печи. Через трубу пропускается поток газа носителя - азот N2, к которому добавляется примесь источника диффузанта, находящегося при обычных условиях в жидком состоянии. При этом в газовую смесь на все время добавляется кислород - O2=37,8±0,5 л/ч.
Технологический процесс проводят при следующем расходе газов: кислород - O2=37,8±0,5 л/ч, азот - N2=740±10 л/ч, азот через питатель - N2=36,7 л/ч. Температура процесса 1000°С и время проведения процесса загонки 40 минут.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Технологический процесс диффузия фосфора проводят в однозонных диффузионных печах типа на установке СДОМ-3/100. Кремниевые пластины размещаются на кварцевых лодочках, расстояние между пластинами 2,4 мм. Через трубу пропускается поток газа носителя - азот N2, к которому добавляется примесь источника диффузанта, находящегося при обычных условиях в жидком состоянии. При этом в газовую смесь на все время добавляется кислород - O2=37,8±0,5 л/ч.
Технологический процесс проводят при следующем расходе газов: кислород - O2=40±0,5 л/ч, азот - N2=500±10 л/ч, азот через питатель - N2=36,7 л/ч. Температура процесса 1100°С и время проведения процесса загонки 60 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно RS=120±10 Ом/см.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Технологический процесс проводят при следующем расходе газов: кислород - O2=38±0,5 л/ч, азот - N2=600±10 л/ч, азот через питатель - N2=36,7 л/ч. Температура процесса 1000±50°С и время проведения процесса загонки 50 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно RS=140±10 Ом/см.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Технологический процесс проводят при следующем расходе газов: кислород - O2=37,8±0,5 л/ч, азот - N2=700±10 л/ч, азот через питатель - N2=36,7 л/ч. Температура процесса 1000°С и время проведения процесса загонки 40 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно RS=160±10 Ом/см.
Таким образом, предлагаемый способ, по сравнению с прототипами, позволяет проводить процесс диффузии фосфора при температуре, равной 1000°С, и получить RS=160±10 Ом/см, при котором обеспечивается уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по кремниевой пластине, снижение длительности и температуры процесса.
Источники информации
1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь. 1991, с.179-180.

Claims (1)

  1. Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок, включающий процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины из газовой фазы, отличающийся тем, что в качестве источника диффузанта используется жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl3) при следующем соотношении компонентов: кислород O2=38 л/ч, азот N2=700 л/ч, азот через питатель N2=36,7 л/ч при температуре процесса 1000°С, время проведения загонки фосфора 40 мин, поверхностное сопротивление равно RS=160±10 Ом/см.
RU2008129476/28A 2008-07-17 2008-07-17 Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок RU2371807C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008129476/28A RU2371807C1 (ru) 2008-07-17 2008-07-17 Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008129476/28A RU2371807C1 (ru) 2008-07-17 2008-07-17 Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2371807C1 true RU2371807C1 (ru) 2009-10-27

Family

ID=41353272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008129476/28A RU2371807C1 (ru) 2008-07-17 2008-07-17 Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2371807C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2524140C1 (ru) * 2013-01-10 2014-07-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5)
RU2524149C1 (ru) * 2013-01-09 2014-07-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1556432A1 (ru) * 1988-03-04 1995-01-09 В.В. Бачурин Способ изготовления высоковольтных кремниевых приборов
SU1829758A1 (ru) * 1991-06-28 1995-05-10 Киевский научно-исследовательский институт микроприборов Научно-производственного объединения "Микропроцессор" Способ диффузии фосфора из твердого источника при изготовлении полупроводниковых приборов
RU2094901C1 (ru) * 1990-08-08 1997-10-27 Владимир Антонович Денисюк Способ диффузии примеси из твердого источника при изготовлении полупроводниковых приборов
RU2111575C1 (ru) * 1995-10-18 1998-05-20 Московский государственный институт электроники и математики Способ легирования полупроводниковых пластин
US6461948B1 (en) * 2000-03-29 2002-10-08 Techneglas, Inc. Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam
RU2005120614A (ru) * 2005-07-04 2007-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (RU) Способ диффузии фосфора в кремниевую подложку

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1556432A1 (ru) * 1988-03-04 1995-01-09 В.В. Бачурин Способ изготовления высоковольтных кремниевых приборов
RU2094901C1 (ru) * 1990-08-08 1997-10-27 Владимир Антонович Денисюк Способ диффузии примеси из твердого источника при изготовлении полупроводниковых приборов
SU1829758A1 (ru) * 1991-06-28 1995-05-10 Киевский научно-исследовательский институт микроприборов Научно-производственного объединения "Микропроцессор" Способ диффузии фосфора из твердого источника при изготовлении полупроводниковых приборов
RU2111575C1 (ru) * 1995-10-18 1998-05-20 Московский государственный институт электроники и математики Способ легирования полупроводниковых пластин
US6461948B1 (en) * 2000-03-29 2002-10-08 Techneglas, Inc. Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam
RU2005120614A (ru) * 2005-07-04 2007-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (RU) Способ диффузии фосфора в кремниевую подложку

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2524149C1 (ru) * 2013-01-09 2014-07-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ получения стекла из пятиокиси фосфора
RU2524140C1 (ru) * 2013-01-10 2014-07-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20160300712A1 (en) Apparatus and method for selective oxidation at lower temperature using remote plasma source
US20100041212A1 (en) Film forming method and film forming apparatus
TW201331997A (zh) 在基板上沉積矽鍺錫層的方法
JP2000138168A (ja) 半導体ウェーハ及び気相成長装置
TW200415729A (en) Manufacturing method for semiconductor integrated circuit device
KR100434698B1 (ko) 반도체소자의 선택적 에피성장법
RU2371807C1 (ru) Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок
JP2010103495A (ja) 半導体デバイス、その製造装置及び製造方法
US6806144B2 (en) Method and apparatus for improved gate oxide uniformity with reducing system contaminants
CN103715067A (zh) 一种提高成膜均匀性的方法
RU2361316C2 (ru) Способ диффузии бора
RU2786376C2 (ru) Способ получения боросиликатных слоев в производстве изготовления мощных транзисторов
JPH1116903A (ja) 湿式酸化を用いた薄膜酸化膜の形成方法
RU2407105C2 (ru) Способ получения фосфоросиликатных пленок
JP2008181912A (ja) プラズマ処理装置
RU2524149C1 (ru) Способ получения стекла из пятиокиси фосфора
RU2524140C1 (ru) Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5)
US5881090A (en) Quartz used in semiconductor manufacturing device, apparatus for manufacturing the quartz, and method for manufacturing the same
US8158495B2 (en) Process for forming a silicon-based single-crystal portion
RU2586267C2 (ru) Способ формирования активной n-области солнечных элементов
JP3706811B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
RU2575613C2 (ru) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНОЙ p+- ОБЛАСТИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
KR20230133191A (ko) 에칭 방법, 및 에칭 장치
US20070254450A1 (en) Process for forming a silicon-based single-crystal portion
JP4779519B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100718