RU2524140C1 - Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5) - Google Patents
Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2524140C1 RU2524140C1 RU2013101269/28A RU2013101269A RU2524140C1 RU 2524140 C1 RU2524140 C1 RU 2524140C1 RU 2013101269/28 A RU2013101269/28 A RU 2013101269/28A RU 2013101269 A RU2013101269 A RU 2013101269A RU 2524140 C1 RU2524140 C1 RU 2524140C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- phosphorus
- carried out
- diffusion
- nitride
- surface resistance
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоросиликатного стекла для формирования p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерного значения поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и уменьшение длительности процесса. Способ диффузии фосфора включает образование фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины. В качестве источника диффузанта используют нитрид фосфора. Процесс проводят при расходе газов: O2=70 л/ч, азот N2=700 л/ч, при температуре 1020°C и времени проведения процесса 30 минут. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно RS=155±5 Ом/см.
Description
Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоросиликатного стекла для формирования p-n переходов.
Известны способы получения p-n-переходов на основе различных диффузантов: твердый планарный источник (ТПИ); жидкие - POСl3, РСl3 и газообразные - РН3 [1].
Недостатками этих способов является неравномерное распределение концентрации на поверхности пластин и длительность процесса.
Образующиеся в процессе диффузии фосфора пленки фосфоросиликатного стекла (ФСС) являются хорошим средством геттерирования примесей в полупроводниковой технологии.
Целью изобретения является получение равномерного значения поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и уменьшение длительности процесса.
Поставленная цель достигается проведением технологического процесса диффузии фосфора в диффузионной печи типа на установке СДОМ-3/100 с применением источника диффузанта из нитрида фосфора (P2N5).
Сущность способа диффузии фосфора заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри нагретой диффузионной печи СДОМ-3/100. В газ-носитель добавляют небольшое количество кислорода до 1%, что в свою очередь оказывает влияние на поверхностную концентрацию атомов фосфора в кремнии.
В газ-носитель добавляют небольшое количество кислорода до 1%, через трубу пропускается поток газа носителя - водород (H2), а нитрид фосфора (P2N5) помещают в зону источника и нагревают до температуры 600°C, при котором происходит испарение источника. Процесс проводят при следующем расходе газов: O2=70 л/ч, азот - N2=700 л/ч.
Температура процесса 1020°C и время проведения процесса равно 30 минут. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно - Rs=155±5 Ом/см.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1: Технологический процесс диффузии фосфора проводят в диффузионной печи типа на установке СДОМ-3/100. В газ-носитель добавляют небольшое количество кислорода до 1%, что в свою очередь оказывает влияние на поверхностную концентрацию атомов фосфора в кремнии.
Кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу диффузионной печи СДОМ-3/100. В качестве диффузанта используется нитрид фосфора (P2N5).
Процесс проводят при следующем расходе газов: O2=50 л/ч, азот - N2=500 л/ч. Температура процесса 1100°C и время проведения процесса загонки - 35 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление - RS=175±5 Ом/см.
ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Технологический процесс проводят при следующем расходе газов:
O2=60 л/ч, азот - N2=600 л/ч. Температура процесса 1040°C и время проведения процесса загонки - 30 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление - RS=165±5 Ом/см.
ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Технологический процесс проводят при следующем расходе газов: O2=70 л/ч, азот - N2=700 л/ч. Температура процесса 1020°C и время проведения процесса загонки -30 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление - RS=155±5 Ом/см.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами позволяет проводить процесс диффузии фосфора с применением твердого источника диффузанта-фосфорный ангидрид (P2O5) при температуре 1020°C и времени - 30 минут и получить RS=155±5 Ом/см, при котором обеспечивается уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по кремниевой пластине, снижение длительности и температуры процесса.
Литература
1. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа. 1980. 327 с.
Claims (1)
- Способ диффузии фосфора из нитрида фосфора (P2N5), включающий процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, отличающийся тем, что в качестве источника диффузанта используется нитрид фосфора (P2N5) при следующем соотношении компонентов: кислород - О2=70 л/ч, азот - N2=700 л/ч, при температуре процесса 1020°С, при времени диффузии фосфора 30 минут причем поверхностное сопротивление равно RS=155±5 Ом/см.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013101269/28A RU2524140C1 (ru) | 2013-01-10 | 2013-01-10 | Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5) |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013101269/28A RU2524140C1 (ru) | 2013-01-10 | 2013-01-10 | Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5) |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013101269A RU2013101269A (ru) | 2014-07-20 |
RU2524140C1 true RU2524140C1 (ru) | 2014-07-27 |
Family
ID=51215210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013101269/28A RU2524140C1 (ru) | 2013-01-10 | 2013-01-10 | Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5) |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2524140C1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6461948B1 (en) * | 2000-03-29 | 2002-10-08 | Techneglas, Inc. | Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam |
RU2005120614A (ru) * | 2005-07-04 | 2007-01-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (RU) | Способ диффузии фосфора в кремниевую подложку |
RU2007127118A (ru) * | 2007-07-16 | 2009-01-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) (Ru) | Способ диффузии фосфора в кремниевую подложку |
RU2359355C1 (ru) * | 2008-03-12 | 2009-06-20 | Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) | Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника |
RU2371807C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-10-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок |
-
2013
- 2013-01-10 RU RU2013101269/28A patent/RU2524140C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6461948B1 (en) * | 2000-03-29 | 2002-10-08 | Techneglas, Inc. | Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam |
RU2262773C2 (ru) * | 2000-03-29 | 2005-10-20 | Текнеглас, Инк. | Способ легирования кремния фосфором и выращивания оксида на кремнии в присутствии пара |
RU2005120614A (ru) * | 2005-07-04 | 2007-01-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (RU) | Способ диффузии фосфора в кремниевую подложку |
RU2007127118A (ru) * | 2007-07-16 | 2009-01-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) (Ru) | Способ диффузии фосфора в кремниевую подложку |
RU2359355C1 (ru) * | 2008-03-12 | 2009-06-20 | Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) | Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника |
RU2371807C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-10-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013101269A (ru) | 2014-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7846822B2 (en) | Methods for controlling dopant concentration and activation in semiconductor structures | |
TW200943389A (en) | Selective formation of silicon carbon epitaxial layer | |
WO2008073926A3 (en) | Formation of epitaxial layers containing silicon | |
JP3671418B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2015083538A5 (ru) | ||
US9217201B2 (en) | Methods for forming layers on semiconductor substrates | |
WO2018185850A1 (ja) | 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
RU2524140C1 (ru) | Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5) | |
JP2014192352A5 (ru) | ||
RU2015107986A (ru) | Способ изготовления солнечного элемента и изготовленный с помощью этого способа солнечный элемент | |
RU2524149C1 (ru) | Способ получения стекла из пятиокиси фосфора | |
RU2371807C1 (ru) | Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок | |
RU2361316C2 (ru) | Способ диффузии бора | |
Tu et al. | The pn junctions of epitaxial germanium on silicon by solid phase doping | |
TWI593023B (zh) | 晶圓的形成方法 | |
KR20130076365A (ko) | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 및 탄화규소 에피 웨이퍼 | |
RU2449413C2 (ru) | Метод получения пленки диоксида кремния | |
RU2575613C2 (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНОЙ p+- ОБЛАСТИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | |
RU2372688C2 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ОКИСЛА КРЕМНИЯ SiO2 | |
CN103443910A (zh) | 硅晶片的原子级平坦化表面处理方法及热处理装置 | |
RU2586267C2 (ru) | Способ формирования активной n-области солнечных элементов | |
RU2534386C2 (ru) | Способ формирования p-области | |
CN105428234A (zh) | 一种平面型三极管芯片的制备方法 | |
CN103715301A (zh) | 一种高效扩散的方法 | |
CN102383197B (zh) | 用工艺气体处理基底的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150111 |