RU2524149C1 - Способ получения стекла из пятиокиси фосфора - Google Patents
Способ получения стекла из пятиокиси фосфора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2524149C1 RU2524149C1 RU2013100524/28A RU2013100524A RU2524149C1 RU 2524149 C1 RU2524149 C1 RU 2524149C1 RU 2013100524/28 A RU2013100524/28 A RU 2013100524/28A RU 2013100524 A RU2013100524 A RU 2013100524A RU 2524149 C1 RU2524149 C1 RU 2524149C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- phosphorus
- source
- carried out
- phosphorus pentoxide
- diffusion
- Prior art date
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Использование: для получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования p-n переходов. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри нагретой однозонной печи СДОМ-3/100. Через трубу пропускается поток газа носителя - водород (H2), а фосфорный ангидрид (P2O5) помещают в зону источника и нагревают до температуры 300°C, при которой происходит испарение источника. Процесс проводят при следующем расходе газов: О2=40 л/ч, азот N2=500 л/ч. Технический результат: обеспечение возможности осуществления процесса диффузии фосфора с применением твердого источника диффузанта - фосфорный ангидрид (P2O5) при температуре 1050°C и времени - 40 минут, и получить RS=140±10 Ом/см, при котором обеспечивается уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и снижение длительности и температуры процесса.
Description
Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования
p-n переходов.
Известны способы получения p-n переходов на основе различных диффузантов: твердый планарный источник (ТПИ); жидкие - POCl3, PCl3 и газообразные - PH3 [1].
Недостатками этих способов является неравномерное распределение концентрации по поверхности кремниевой пластины и длительность процесса.
Образующиеся в процессе диффузии фосфора пленки фосфоросиликатного стекла (ФСС) являются хорошим средством геттерирования примесей в полупроводниковой технологии.
Целью изобретения является уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и уменьшение длительности процесса.
Поставленная цель достигается проведением технологического процесса диффузии фосфора в однозонной диффузионной печи типа на установке СДОМ-3/100 с применением твердого источника пятиокиси фосфора - фосфорный ангидрид (P2O5).
Сущность способа диффузии фосфора заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помешенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри нагретой однозонной печи СДОМ-3/100. Через трубу пропускается поток газа носителя - водород (H2), а фосфорный ангидрид (P2O5) помешают в зону источника и нагревают до температуры 300°С, при которой происходит испарение источника. Процесс проводят при следующем расходе газов: O2=40 л/ч, азот - N2=500 л/ч.
Диффузию фосфора проводят из фосфорного ангидрида в откачанной ампуле и в открытой трубе в потоке сухого азота с расходом 1 л/мин. Газом-носителем служит водород. Присутствие паров воды в газе-носителе не допускается, так как на поверхности кремниевых пластин образуется метафосфорная кислота, которая вызывает уменьшение поверхностной концентрации атомов фосфора. Протекая над Р2О5, газ-носитель захватывает молекулы пятиокиси фосфора и переносит их в зону диффузии.
Температура процесса 1050°C и время проведения процесса равно 40 минут. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно - RS=140±10 Ом/см.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1: Технологический процесс диффузии фосфора проводят в однозонной диффузионной печи типа на установке СДОМ-3/100. Кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу однозонной печи СДОМ-3/100. В качестве диффузанта используется твердый источник фосфорный ангидрид, а газом носителем служит водород (H2).
Процесс проводят при следующем расходе газов: О2=50 л/ч, азот - N2=600 л/ч. Температура процесса 1160°C и время проведения процесса загонки - 60 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление - RS=100±5 Ом/см.
ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Технологический процесс проводят при следующем расходе газов: O2=45 л/ч, азот - N2=550 л/ч. Температура процесса 1100°C и время проведения процесса загонки - 50 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление - RS=120±5 Ом/см.
ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Технологический процесс проводят при следующем расходе газов: О2=40 л/ч, азот - N2=500 л/ч. Температура процесса 1050°C и время проведения процесса загонки - 40 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление - RS=140±10 Ом/см.
Таким образом, предлагаемый способ, по сравнению с прототипами, позволяет проводить процесс диффузии фосфора с применением твердого источника диффузанта - фосфорный ангидрид (P2O5).при температуре 1050°C и времени - 40 минут, и получить RS=140±10 Ом/см, при котором обеспечивается уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по кремниевой пластине, снижение длительности и температуры процесса.
Литература
1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа». 1980. 327 с.
Claims (1)
- Способ получения стекла из пятиокиси фосфора, включающий процесс образования фосфоро-силикатного стекла на поверхности кремниевой пластины, отличающийся тем, что в качестве источника диффузанта используется твердый источник диффузанта пятиокиси фосфора - фосфорный ангидрид (P2O5) при следующем соотношении компонентов: кислород - O2=40 л/ч, азот - N2=500 л/ч при температуре процесса 1050°C при времени диффузии фосфора - 40 минут, причем поверхностное сопротивление равно RS=140±10 Ом/см.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013100524/28A RU2524149C1 (ru) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | Способ получения стекла из пятиокиси фосфора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013100524/28A RU2524149C1 (ru) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | Способ получения стекла из пятиокиси фосфора |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013100524A RU2013100524A (ru) | 2014-07-20 |
RU2524149C1 true RU2524149C1 (ru) | 2014-07-27 |
Family
ID=51215013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013100524/28A RU2524149C1 (ru) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | Способ получения стекла из пятиокиси фосфора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2524149C1 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU155871A1 (ru) * | ||||
US4433008A (en) * | 1982-05-11 | 1984-02-21 | Rca Corporation | Doped-oxide diffusion of phosphorus using borophosphosilicate glass |
CN101139169A (zh) * | 2007-08-09 | 2008-03-12 | 东华大学 | 作为磷扩散源的微晶玻璃及其制备方法 |
RU2359355C1 (ru) * | 2008-03-12 | 2009-06-20 | Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) | Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника |
RU2371807C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-10-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок |
RU2407105C2 (ru) * | 2008-01-22 | 2010-12-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ получения фосфоросиликатных пленок |
-
2013
- 2013-01-09 RU RU2013100524/28A patent/RU2524149C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU155871A1 (ru) * | ||||
US4433008A (en) * | 1982-05-11 | 1984-02-21 | Rca Corporation | Doped-oxide diffusion of phosphorus using borophosphosilicate glass |
CN101139169A (zh) * | 2007-08-09 | 2008-03-12 | 东华大学 | 作为磷扩散源的微晶玻璃及其制备方法 |
RU2407105C2 (ru) * | 2008-01-22 | 2010-12-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ получения фосфоросиликатных пленок |
RU2359355C1 (ru) * | 2008-03-12 | 2009-06-20 | Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) | Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника |
RU2371807C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-10-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013100524A (ru) | 2014-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20160107314A (ko) | 원격 플라즈마 pecvd를 사용하는 fcvd 하드웨어에 의한 유동 가능한 탄소 필름 | |
WO2008073926A3 (en) | Formation of epitaxial layers containing silicon | |
US9633840B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
US9217201B2 (en) | Methods for forming layers on semiconductor substrates | |
JP6109852B2 (ja) | 基板上に第iii−v族層を堆積させる方法 | |
US20150259828A1 (en) | Epitaxial wafer and method for fabricating the same | |
RU2524149C1 (ru) | Способ получения стекла из пятиокиси фосфора | |
RU2015107986A (ru) | Способ изготовления солнечного элемента и изготовленный с помощью этого способа солнечный элемент | |
US9087951B2 (en) | Method and apparatus for diffusion into semiconductor materials | |
RU2524140C1 (ru) | Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5) | |
RU2371807C1 (ru) | Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок | |
RU2359355C1 (ru) | Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника | |
RU2407105C2 (ru) | Способ получения фосфоросиликатных пленок | |
TWI593023B (zh) | 晶圓的形成方法 | |
RU2361316C2 (ru) | Способ диффузии бора | |
RU2449413C2 (ru) | Метод получения пленки диоксида кремния | |
RU2575613C2 (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНОЙ p+- ОБЛАСТИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | |
RU2586267C2 (ru) | Способ формирования активной n-области солнечных элементов | |
RU2372688C2 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ОКИСЛА КРЕМНИЯ SiO2 | |
RU2534386C2 (ru) | Способ формирования p-области | |
CN105428234A (zh) | 一种平面型三极管芯片的制备方法 | |
CN102383197B (zh) | 用工艺气体处理基底的方法 | |
RU2524151C1 (ru) | Способ диффузии бора для формирования р-области | |
RU2567405C2 (ru) | Способ получения истоковой области силового транзистора | |
CN103715301A (zh) | 一种高效扩散的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150110 |