RU2013100524A - Способ получения стекла из пятиокиси фосфора - Google Patents

Способ получения стекла из пятиокиси фосфора Download PDF

Info

Publication number
RU2013100524A
RU2013100524A RU2013100524/28A RU2013100524A RU2013100524A RU 2013100524 A RU2013100524 A RU 2013100524A RU 2013100524/28 A RU2013100524/28 A RU 2013100524/28A RU 2013100524 A RU2013100524 A RU 2013100524A RU 2013100524 A RU2013100524 A RU 2013100524A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diffusant
producing glass
phosphorus pentoxide
phosphorus
phosphorus oxide
Prior art date
Application number
RU2013100524/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2524149C1 (ru
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Бийке Алиевна Шангереева
Юсуп Пахрутдинович Шангереев
Азамат Ибрагимович Муртазалиев
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2013100524/28A priority Critical patent/RU2524149C1/ru
Publication of RU2013100524A publication Critical patent/RU2013100524A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2524149C1 publication Critical patent/RU2524149C1/ru

Links

Landscapes

  • Glass Compositions (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Способ получения стекла из пятиокиси фосфора, включающий процесс образования фосфоро-силикатного стекла на поверхности кремниевой пластины, отличающийся тем, что в качестве источника диффузанта используется твердый источник диффузанта пятиокиси фосфора - фосфорный ангидрид (PO) при следующем соотношении компонентов: кислород -O=40 л/ч, азот -N=500 л/ч при температуре процесса 1050°C при времени диффузии фосфора -40 минут, причем поверхностное сопротивление равно -R=140±10 Ом/см.

Claims (1)

  1. Способ получения стекла из пятиокиси фосфора, включающий процесс образования фосфоро-силикатного стекла на поверхности кремниевой пластины, отличающийся тем, что в качестве источника диффузанта используется твердый источник диффузанта пятиокиси фосфора - фосфорный ангидрид (P2O5) при следующем соотношении компонентов: кислород -O2=40 л/ч, азот -N2=500 л/ч при температуре процесса 1050°C при времени диффузии фосфора -40 минут, причем поверхностное сопротивление равно -RS=140±10 Ом/см.
RU2013100524/28A 2013-01-09 2013-01-09 Способ получения стекла из пятиокиси фосфора RU2524149C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013100524/28A RU2524149C1 (ru) 2013-01-09 2013-01-09 Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013100524/28A RU2524149C1 (ru) 2013-01-09 2013-01-09 Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013100524A true RU2013100524A (ru) 2014-07-20
RU2524149C1 RU2524149C1 (ru) 2014-07-27

Family

ID=51215013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013100524/28A RU2524149C1 (ru) 2013-01-09 2013-01-09 Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2524149C1 (ru)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4433008A (en) * 1982-05-11 1984-02-21 Rca Corporation Doped-oxide diffusion of phosphorus using borophosphosilicate glass
CN101139169A (zh) * 2007-08-09 2008-03-12 东华大学 作为磷扩散源的微晶玻璃及其制备方法
RU2407105C2 (ru) * 2008-01-22 2010-12-20 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ получения фосфоросиликатных пленок
RU2359355C1 (ru) * 2008-03-12 2009-06-20 Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника
RU2371807C1 (ru) * 2008-07-17 2009-10-27 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок

Also Published As

Publication number Publication date
RU2524149C1 (ru) 2014-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201614840A (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
WO2018217698A3 (en) SUBSTRATE CONTAINING SILICA WITH INTERCONNECTION HOLES HAVING AXIALLY VARIABLE SIDEWALL CONICITY AND METHODS OF FORMING THE SAME
JP2013062499A5 (ru)
MY170621A (en) Additive for preparing suede on polycrystalline silicon chip and use method thereof
TWD153878S1 (zh) 基板運送用固持構件
WO2014172159A8 (en) Defective p-n junction for backgated fully depleted silicon on insulator mosfet
JP2012209544A5 (ru)
JP2011199272A5 (ru)
GB2507188A (en) Method for forming bonded structures and bonded structures formed thereby
WO2008105136A1 (ja) シリコン単結晶ウエーハの製造方法
WO2015038367A3 (en) Forming through wafer vias in glass
MY185237A (en) Semiconductor wafer with a layer of al:ga1-zn and process for producing it
MY161721A (en) Bonding Wire for Semiconductor Device Use and Method of Production of Same
JP2014007398A5 (ja) 半導体装置の作製方法
WO2016142219A8 (de) Leuchtstoffpartikel mit einer schutzschicht und verfahren zur herstellung der leuchtstoffpartikel mit der schutzschicht
WO2017052308A3 (ko) 유기소자에 사용되는 유기화합물 및 이를 이용한 유기소자의 제조방법
WO2015013656A3 (en) Thieno-containing compounds and processes and uses thereof
TW201611914A (en) Method for cleaning semiconductor substrate and method for fabricating semiconductor device
EP3002779A3 (en) Method of manufacturing semiconductor device
RU2013100524A (ru) Способ получения стекла из пятиокиси фосфора
WO2015084920A3 (en) Glucoamylase variants
MY167362A (en) Disk-shaped glass substrate, magnetic-disk glass substrate, method for manufacturing magnetic-disk glass substrate, and magnetic disk
MD4280C1 (ru) Способ роста структуры pInP-nCdS
RU2013101269A (ru) Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5)
WO2014200985A3 (en) Chemical compositions for semiconductor manufacturing processes and/or methods, apparatus made with same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150110