RU2534386C2 - Способ формирования p-области - Google Patents
Способ формирования p-области Download PDFInfo
- Publication number
- RU2534386C2 RU2534386C2 RU2012154867/28A RU2012154867A RU2534386C2 RU 2534386 C2 RU2534386 C2 RU 2534386C2 RU 2012154867/28 A RU2012154867/28 A RU 2012154867/28A RU 2012154867 A RU2012154867 A RU 2012154867A RU 2534386 C2 RU2534386 C2 RU 2534386C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gallium
- distillation
- minutes
- stage
- ohm
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии проведения диффузии галлия для формирования р-области при изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает уменьшение разброса значений поверхностной концентрации и получение равномерного легирования по всей поверхности подложек. В способе формирования р-области в качестве источника диффузанта используют окись галлия (Ga2O3) в виде порошка. Процесс проводят в два этапа: 1 - загонка галлия и 2 - разгонка галлия в одной трубе. Загонку и разгонку проводят при температуре процесса 1220°С, время загонки равно 30 минут, а время разгонки - 130 минут. Поверхностное сопротивление на этапе загонки 320±10 Ом/см, а на этапе разгонки 220±10 Ом/см.
Description
Изобретение относится к технологии проведения диффузии галлия для формирования р-области, в частности при изготовлении полупроводниковых приборов и кремниевых мощных транзисторов.
Известны различные способы формирования р-области диффузии галлия: методом открытой трубы и методом запаянной ампулы в вакууме из легированных окислов [1].
Недостатками этих способов заключается в том, что при проведении диффузии галлия значительно сложнее получить равномерное распределение поверхностной концентрации по всей поверхности подложки.
Целью изобретения является уменьшение разброса значений поверхностной концентраций и получения равномерного легирования по всей поверхности подложек.
Поставленная цель достигается проведением процесса диффузии галлия с применением окиси галлия (Ga2O3).
Сущность способа заключается в том, что в качестве источника диффузанта используется окись галлия (Ga2O3) в виде порошка. Процесс проводят в два этапа: 1 - загонка галлия и 2 - разгонка галлия в одной трубе. Загонку и разгонку проводят при температуре процесса -1220°С, время загонки равно 30 минут; а время разгонки - 130 минут.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что технологический процесс диффузии галлия проводят из окиси галлия (Ga2O3) в виде порошка. Затем навеску помещают рядом с подложкой. Перед проведением диффузии галлия проводят насыщение кварцевой трубы смесью (N2+H2) в течение 30 минут. И после проведения диффузии галлия в два этапа на поверхности подложки образуется слой стекла.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS) на установке «FPP-5000». Поверхностное сопротивление на этапе загонки RS=320±10 Ом/см, а на этапе разгонки - RS=220±10 Ом/см.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1: Технологический процесс диффузии галлия проводят в однозонной диффузионной печи на установке СДОМ-3/100. Кремниевые подложки размещаются на кварцевых лодочках, а в качестве диффузанта используется окись галлия (Ga2O3) в виде порошка. Навеску помещают рядом с подложкой, а перед диффузией проводят насыщение кварцевой трубы смесью (N2+H2) в течение 30 минут. Процесс проводят в инертной среде, очищенной от водяных паров и кислорода в два этапа: 1 - загонка и 2 - разгонка в одной кварцевой трубе. Подложки предварительно нагревают до 850°С и после проведения процесса диффузии галлия на поверхности подложки образуется слой стекла.
Температура загонки и разгонки процесса -1200°С, время загонки равно 50 минут; а время разгонки -150 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS) на установке «FPP-5000». Поверхностное сопротивление на этапе загонки RS=240±10 Ом/см, а на этапе разгонки - RS=140±10 Ом/см.
ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1, при температуре загонки и разгонки процесса -1220°С, время загонки равно 40 минут; а время разгонки -140 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS) на установке «FPP-5000». Поверхностное сопротивление на этапе загонки RS=280±10 Ом/см, а на этапе разгонки - RS=180±10 Ом/см.
ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1, при следующем расходе газов:
Температура загонки и разгонки процесса -1220°С, время загонки равно 30 минут; а время разгонки - 130 минут.
Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS) на установке «FPP-5000». Поверхностное сопротивление на этапе загонки RS=320±10 Ом/см, а на этапе разгонки - RS=220±10 Ом/см.
Таким образом, предлагаемый способ диффузии галлия с применением источника диффузанта - окиси галлия в виде порошка по сравнению с прототипом позволяет обеспечивать точное регулирование поверхностного сопротивления и уменьшение разброса значений поверхностной концентрации и получения равномерного легирования по длине лодочек.
Литература
1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, М.: «Высшая школа», 1986, с.158-162.
Claims (1)
- Способ формирования p-области, включающий диффузию галлия, отличающийся тем, что процесс диффузия галлия проводят в два этапа: 1 - загонка и 2 - разгонка с использованием источника окиси галлия (Ga2O3) в виде порошка при температуре загонки и разгонки, равной 1220°С, время загонки - 30 минут, а на этапе разгонки - 130 минут, при этом поверхностное сопротивление равно: на этапе загонки RS=320±10 Ом/см, а на этапе разгонки RS=220±10 Ом/см.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012154867/28A RU2534386C2 (ru) | 2012-12-18 | 2012-12-18 | Способ формирования p-области |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012154867/28A RU2534386C2 (ru) | 2012-12-18 | 2012-12-18 | Способ формирования p-области |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012154867A RU2012154867A (ru) | 2014-06-27 |
| RU2534386C2 true RU2534386C2 (ru) | 2014-11-27 |
Family
ID=51215801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012154867/28A RU2534386C2 (ru) | 2012-12-18 | 2012-12-18 | Способ формирования p-области |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2534386C2 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3573116A (en) * | 1968-01-03 | 1971-03-30 | Bell Telephone Labor Inc | Process for masked planar diffusions |
| DD113447A1 (ru) * | 1974-09-10 | 1975-06-12 | ||
| JP2012084699A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Hitachi Chem Co Ltd | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
-
2012
- 2012-12-18 RU RU2012154867/28A patent/RU2534386C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3573116A (en) * | 1968-01-03 | 1971-03-30 | Bell Telephone Labor Inc | Process for masked planar diffusions |
| DD113447A1 (ru) * | 1974-09-10 | 1975-06-12 | ||
| JP2012084699A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Hitachi Chem Co Ltd | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| З.Ю.Готра. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М. Радио и связь. 1991, стр. 187-188. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012154867A (ru) | 2014-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5744726B2 (ja) | 多重アクティブチャネル層を用いた薄膜トランジスタ | |
| JP2020145461A (ja) | 低温でのＳｉＮの蒸着用Ｓｉ前駆体 | |
| JP6195386B2 (ja) | ディスプレイ・デバイスのためのバリア材料 | |
| TWI479547B (zh) | 薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體 | |
| WO2008073926A3 (en) | Formation of epitaxial layers containing silicon | |
| JP2018060995A5 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| TW200943389A (en) | Selective formation of silicon carbon epitaxial layer | |
| TW200746430A (en) | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device | |
| Hong et al. | Electrical properties of ZnO nanowire field effect transistors by surface passivation | |
| CN104370282A (zh) | 一种简易制备n型石墨烯场效应管的方法 | |
| SE0900641L (sv) | Förfarande för framställning av halvledaranordning | |
| Chuang et al. | Density-controlled and seedless growth of laterally bridged ZnO nanorod for UV photodetector applications | |
| RU2534386C2 (ru) | Способ формирования p-области | |
| CN101859704B (zh) | 一种高温、高功率场效应晶体管的制备方法 | |
| RU2012149255A (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| CN105609569A (zh) | 恒流二极管结构及其形成方法 | |
| CN109103203A (zh) | 一种cmos薄膜晶体管及其制作方法 | |
| RU2449413C2 (ru) | Метод получения пленки диоксида кремния | |
| RU2524151C1 (ru) | Способ диффузии бора для формирования р-области | |
| TW201714220A (zh) | 晶圓的形成方法 | |
| Kim et al. | Improved performance of solution-processed a-InGaZnO thin-film transistors due to Ar/O 2 mixed-plasma treatment | |
| RU2524140C1 (ru) | Диффузия фосфора из нитрида фосфора (p2n5) | |
| RU2524149C1 (ru) | Способ получения стекла из пятиокиси фосфора | |
| Wang et al. | Using phosphorus-doped α-Si gettering layers to improve NILC Poly-Si TFT performance | |
| CN106033726B (zh) | 场效应晶体管的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20141219 |