JP2018060995A5 - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Claims (8)
- 基板上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、酸化窒化シリコン膜を有し、
前記基板上の前記ゲート絶縁層を昇温脱離ガス分析法で測定した結果において、酸素分子に相当する質量電荷比Ｍ／ｚ＝３２の放出量の最大のピークは、基板温度が１５０℃以上、３５０℃以下に出現する半導体装置。 - 請求項１において、
昇温脱離ガス分析法の測定時における基板温度範囲は、８０℃から５００℃までである半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、ｃ軸配向性を有する結晶を有する半導体装置。 - 基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、酸化窒化シリコン膜を含むゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層に酸素プラズマ処理を施し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成した後、１５０℃以上、４５０℃以下にて熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜に、前記ゲート絶縁層中の酸素を拡散させ、前記酸化物半導体膜の導電率を下げる半導体装置の作製方法。 - 請求項５において、前記酸素プラズマ処理は、３５０℃以下の基板温度で処理する半導体装置の作製方法。
- 基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、酸化窒化シリコン膜を含むゲート絶縁層を形成し、
酸素を含む雰囲気で酸化物半導体をスパッタリング法にて形成して、前記ゲート絶縁層に酸素を添加しつつ前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成した後、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜に前記ゲート絶縁層の酸素を拡散させ、前記酸化物半導体膜の導電率を下げる半導体装置の作製方法。 - 請求項５または請求項７において、前記酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、３５０℃以下の基板温度で成膜する半導体装置の作製方法。
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