CN117374205A - 电子装置及其制备方法 - Google Patents

电子装置及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117374205A
CN117374205A CN202210941325.4A CN202210941325A CN117374205A CN 117374205 A CN117374205 A CN 117374205A CN 202210941325 A CN202210941325 A CN 202210941325A CN 117374205 A CN117374205 A CN 117374205A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
opening
insulating layer
electronic device
spacer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210941325.4A
Other languages
English (en)
Inventor
蔡明志
郭凡炜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Priority to TW111134322A priority Critical patent/TWI831368B/zh
Priority to US18/325,641 priority patent/US20240006560A1/en
Publication of CN117374205A publication Critical patent/CN117374205A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13396—Spacers having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本公开提供一种电子装置，包含：一第一基板；一第二基板，与该第一基板相对设置；多个第一电极，设置于该第一基板上；一绝缘层，设置于该第一基板与该多个第一电极之间；以及一第一间隔件，设置于该第一基板与该第二基板之间，其中，该绝缘层具有一第一开口，该第一开口包含一第一扩大部，于该第一基板的法线方向上，该第一扩大部与该第一间隔件重叠。

Description

电子装置及其制备方法
技术领域
本公开涉及一种电子装置及其制备方法，尤指一种绝缘层具有特殊设计的电子装置。
背景技术
当电子产品中的电极的电阻过高可能影响导电性，一般可通过增加导电层的厚度来降低电阻。然而，当导电层厚度增加时，易产生蚀刻残留问题，进而导致短路等缺点。
发明内容
本公开提供一种电子装置，包含：一第一基板；一第二基板，与该第一基板相对设置；多个第一电极，设置于该第一基板上；一绝缘层，设置于该第一基板与该多个第一电极之间；以及一第一间隔件，设置于该第一基板与该第二基板之间，其中，该绝缘层具有一第一开口，该第一开口包含一第一扩大部，于该第一基板的法线方向上，该第一扩大部与该第一间隔件重叠。
本公开还提供一种电子装置的制备方法，包含以下步骤：提供一第一基板；形成一绝缘层于该第一基板上；形成一导电层于该绝缘层上；图案化该绝缘层以使该绝缘层具有一第一开口；以及图案化该导电层以形成多个第一电极；其中，该多个第一电极中的相邻两者之间间隔一第一间隔区，于该第一基板的法线方向上，该第一间隔区与该第一开口重叠。
附图说明
图1为本公开一实施例的电子装置的制备方法的示意图；
图2为本公开一实施例的电子装置的制备方法的示意图；
图3A为本公开一实施例的部分电子装置的立体示意图；
图3B为本公开一实施例的部分第一基板的俯视图；
图3C为本公开一实施例的部分第二基板的底视图；
图4为本公开一实施例的部分电子装置的剖面图；
图5A至图5C分别为本公开不同实施例的部分电子装置的剖面图；
图6为本公开一实施例的色坐标图。
【附图标记说明】
10、第一基板；101、上表面；11、绝缘层；111、第一开口；112、第二开口；113、底表面；114、侧表面；114-1、侧表面；12、导电层；121、第一电极；20、第二基板；21、平坦层；221、第二电极；BM、遮光层；E1、第一扩大部；E2、第二扩大部；L1、L2、高度；M、介质层；P1、第一间隔区；P2、第二间隔区；PS1、第一间隔件；PS2、第二间隔件；W1、W2、W3、W4、宽度；θ、夹角；X第二方向；Y、第一方向；z、法线方向。
具体实施方式
以下将详细地参考本公开的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
本公开通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包含”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为”的意思。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本公开。在附图中，各图式绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些图式不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
本公开中所描述的结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上/上方，可以指二个结构相邻且直接连接，或是可以指二个结构相邻而非直接连接。非直接连接是指二个结构之间具有至少一个中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一个结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本公开中，当某结构设置在其它结构上时，有可能是指某结构直接在其它结构上，或指某结构间接在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一个结构。
术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”，一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
再者，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一数值等于第二数值，其隐含着第一数值与第二数值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于或大致垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于或大致平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
说明书与权利要求书中所使用的序数例如第一、第二等的用词用以修饰组件，其本身并不意含及代表该(或该些)组件有任何之前的序数，也不代表某一组件与另一组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的组件得以和另一具有相同命名的组件能做出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
在本公开中，杨氏模量可以通过杨氏模量测试仪或拉伸试验机或其他合适的仪器或方法量测，但不以此为限。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
此外，本公开提供的电子装置可包含显示设备、背光装置、天线装置、感测装置、拼接装置、触控电子装置(touch display)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。电子装置可例如包含液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emitting diode)、荧光(luorescence)、磷光(phosphor)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。显示设备可为非自发光型显示设备或自发光型显示设备。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。电子装置所包含的电子组件可包括被动组件与主动组件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管(light emitting diode，LED)或光电二极管(photodiode)。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统等周边系统以支持显示设备、天线装置或拼接装置。为方便说明，下文将以电子装置为背光装置的态样进行说明，但本公开不以此为限。
应理解的是，根据本公开实施例，可使用光学显微镜(optical microscope，OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其他合适的方式量测各组件的深度、厚度、宽度或高度、或组件之间的间距或距离。根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包含欲量测的组件的剖面结构影像，并量测各组件的深度、厚度、宽度或高度、或组件之间的间距或距离。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本公开的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背公开精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本公开所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。
图1为本公开一实施例的电子装置的制备方法的示意图。
如图1所示，首先，提供一第一基板10。于本公开中，第一基板10的材料可包括石英、玻璃、硅晶圆、蓝宝石、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)或其他塑料或高分子材料，或前述的组合，但不限于此。
接着，形成一绝缘层11于第一基板10上，而后图案化绝缘层11，以使绝缘层11具有第一开口111。于一些实施例中，绝缘层11的材料可包含氧化硅(silicon oxide)、氮化硅(silicon nitride)、氮氧化硅(silicon oxynitride)、或其组合，但不限于此。于本公开中，可使用任何合适的方法来图案化绝缘层11，包含黄光制程和蚀刻，蚀刻可包含干蚀刻、或湿蚀刻，但不限于此。于本公开中，绝缘层11的厚度可至少为50纳米，但不限于此。于一些实施例中，于第一基板10的法线方向Z上，绝缘层11的第一开口111可暴露出部分第一基板10，但不限于此，当绝缘层11与第一基板10之间包含其他材料层时，第一开口111可不暴露出第一基板10，而是暴露出下方的其他材料层。
然后，形成一导电层12于绝缘层11上，且图案化导电层12，使导电层12形成多个第一电极121。其中，多个第一电极121中的相邻两者之间间隔一第一间隔区P1，于第一基板10的法线方向Z上，第一间隔区P1可与第一开口111重叠。换句话说，于第一基板10的法线方向Z上，第一间隔区P1于第一基板10上的投影可与第一开口111于第一基板10上的投影重叠。于实施例中，导电层12的材料可包含氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铝锌(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化锡锑(antimony tin oxide，ATO)、氟掺杂氧化锡(fluorine-doped tin oxide，FTO)、其它合适材料或其组合，但不限于此。
于一些实施例中，可使用任何合适的方法来图案化导电层12，包含黄光制程和蚀刻，其中，蚀刻可包含干蚀刻、或湿蚀刻，但实施例并不限于此。
于一些实施例中，导电层12的厚度可大于30纳米且小于或等于200纳米，例如可大于或等于42纳米、大于或等于85纳米、大于或等于110纳米、或大于或等于150纳米，但不限于此。通过增加导电层12的厚度，可使所形成的第一电极121具有较低的电阻值。
之后，虽然图未示，提供一第二基板与第一基板10对组可形成本公开的电子装置。其中，第一基板10与第二基板之间可包含一介质层(如图4的介质层M)，介质层M例如包括显示介质层，用以显示各种图像，但不限于此。于一些实施例中，介质层的材料可包含一主客效应型液晶(guest host type liquid crystal，GHLC)、染料液晶、扭曲向列型液晶(twisted nematic liquid crystal，TN LC)、超级扭曲向列液晶(super twisted nematicliquid crystal，STN LC)、聚合物分散液晶(polymer dispersed liquid crystal，PDLC)、高分子网目状液晶(polymer network liquid crystal，PNLC)、胆固醇液晶(cholesterictexture liquid crystal)、聚合物稳定胆固醇液晶结构薄膜液晶(polymer-stabilizedcholesteric texture liquid crystal，PSCT LC)、悬浮粒子材料(suspended particlematerial，SPD)、电致变色材料(electrochromic materials)等，其它合适材料或其组合，但不限于此。
图2为本公开一实施例的电子装置的制备方法的示意图。
如图2所示，首先，提供一第一基板10。接着，形成一绝缘层11于第一基板10上，而后形成一导电层12于绝缘层11上。之后，图案化导电层12以使导电层12形成多个第一电极121。接着，图案化绝缘层11以使绝缘层11具有一第一开口111。其中，多个第一电极121中的相邻两者之间间隔一第一间隔区P1，于第一基板10的法线方向Z上，第一间隔区P1可与第一开口111重叠。换句话说，于第一基板10的法线方向Z上，第一间隔区P1于第一基板10上的投影可与第一开口111于第一基板10上的投影重叠。之后，虽然图未示，提供一第二基板与第一基板10对组可形成本公开的电子装置。其中，第一基板10与第二基板之间可包含一介质层(如图4的介质层M)，介质层M的材料如前所述，在此不再赘述。
于本实施例中，第一基板10、绝缘层11、导电层12及介质层M的材料如前所述，在此不再赘述。此外，可使用任何合适的方法来图案化绝缘层11及导电层12，合适的方法如前所述，在此不再赘述。
因此，本公开的电子装置的制备方法，可包含以下步骤：提供一第一基板10；形成一绝缘层11于第一基板10上；形成一导电层12于绝缘层11上；分别图案化绝缘层11及导电层12，以使绝缘层11具有一第一开口111，并使导电层12形成多个第一电极121；其中，多个第一电极121中的相邻两者之间间隔一第一间隔区P1，于第一基板10的法线方向Z上，第一间隔区P1与第一开口111重叠。通过本公开的方法，可改善导电层12蚀刻残留的情形，降低相邻的第一电极121之间发生短路风险。
图3A为本公开一实施例的部分电子装置的立体示意图。图3B为本公开一实施例的部分第一基板的俯视图。图3C为本公开一实施例的部分第二基板的底视图。图4为本公开一实施例的部分电子装置的剖面图。其中，图4为图3B的A-A’线段与图3C的B-B’线段组合而成的剖面图。此外，为了方便说明，图式中省略了部分组件，例如图3A中省略了遮光层、绝缘层、第一间隔件和第二间隔件等组件。
如图3A和图4所示，本公开的电子装置可包含一第一基板10；一第二基板20，与第一基板10相对设置；多个第一电极121，设置于第一基板10上；多个第二电极221，设置于第二基板20上；以及一第一间隔件PS1，设置于第一基板10与第二基板20之间。于本公开中，多个第一电极121可沿第一方向Y依序排列，多个第一电极121可沿第二方向X延伸。于本公开中，多个第二电极221可沿第二方向X依序排列，且多个第二电极221可沿第一方向Y延伸。第一方向Y不同于第二方向X。在一些实施例中，第一方向Y大致垂直于第二方向X。在一些实施例中，于第一基板10的法线方向Z上，多个第一电极121与多个第二电极221可交错设置，且第一电极121可部分重叠于第二电极221。详细来说，电子装置包括多个像素，像素的范围可由第一电极121与第二电极221重叠的区域来定义，通过对第一电极121和第二电极221分别施加电压，可控制设置于第一基板10与第二基板20之间的介质层M调变。当电子装置为显示设备时，通过对第一电极121和第二电极221分别施加电压，可控制设置于第一基板10与第二基板20之间的显示介质层M的排列调变，以显示各种图像。于一些实施例中，第二基板20的材料与第一基板10的材料相似，第二电极221的材料与第一电极121的材料相似，在此不再赘述。于一些实施例中，第一间隔件PS1的形状并无特别限制，例如可为圆柱体、矩形柱体、梯形柱体、三角柱体、圆锥体、三角椎体或其他不规则形柱体，但不限于此。此外，于本公开一实施例中，如图4所示，第一间隔件PS1可与第一基板10接触。
如图3B、图3C和图4所示，于本公开中，电子装置还包含一绝缘层11，设置于第一基板10与多个第一电极121之间。其中，绝缘层11具有第一开口111，第一开口111沿第二方向X延伸且包含第一扩大部E1，于第一基板10的法线方向Z上，第一扩大部E1可与第一间隔件PS1重叠。通过设计第一开口111，当第一电极121厚度增加时，可改善第一电极121的材料蚀刻残留的情形，进而降低第一电极121之间短路的风险、或提升电子装置良率的功效。
如图3B所示，多个第一电极121沿第一方向Y排列，多个第一电极121中的相邻两者之间间隔一第一间隔区P1，第一间隔区P1可沿第二方向X延伸，其中，于第一基板10的法线方向Z上，第一间隔区P1与第一开口111重叠。换句话说，第一间隔区P1于第一基板10上的投影可与第一开口111于第一基板10上的投影重叠。于一实施例中，于第一方向Y上，第一间隔区P1的宽度W2可大于第一开口111的宽度W1，因此，于第一基板10的法线方向Z上看，可同时显露第一电极121与绝缘层11。于一些实施例中，第一开口111的宽度W1可介于1.5微米至120微米之间，但不限于此。于一些实施例中，第一开口111的宽度W1可介于2微米至50微米之间。所述第一间隔区的宽度是指于第一方向Y上，两相邻的第一电极121之间的最小宽度。所述第一开口的宽度是指于第一方向Y上，绝缘层11暴露出下方的材料层处的开口宽度，例如绝缘层11暴露出下方第一基板10处的第一开口111的宽度W1。于本公开一实施例中，于第一基板10的法线方向Z上看，第一开口111可暴露出绝缘层11下方的材料层，例如可暴露出部分第一基板10，但不限于此。
此外，于本公开中，第一扩大部E1的形状并无特别限制，第一扩大部E1的形状可选择性配合第一间隔件PS1设计，如图3B所示，于第一基板10的法线方向Z上，第一扩大部E1可具有六边形的形状，但不局限于此，例如第一扩大部E1也可具有矩形、梯形、棱形、弧形、或不规则形的形状。于一些实施例中，第一扩大部E1于第一基板10上的投影可大于第一间隔件PS1于第一基板10上的投影。换句话说，第一间隔件PS1于第一基板10上的投影可位于第一扩大部E1于第一基板10上的投影之内。
如图3B所示，多个第一电极121中的相邻两者之间可间隔一第二间隔区P2，绝缘层11可具有一第二开口112，其中，第二间隔区P2与第二开口112可分别沿第二方向X延伸，于第一基板10的法线方向Z上，第二间隔区P2与第二开口112重叠。换句话说，第二间隔区P2于第一基板10上的投影可与第二开口112于第一基板10上的投影重叠。于一些实施例中，第二间隔区P2的宽度W4可大于第二开口112的宽度W3。于一些实施例中，第二间隔区P2的宽度W4可与第一间隔区P1的宽度W2相似，在此不再赘述。于一些实施例中，第二开口112的宽度W2可与第一开口111的宽度W1相似，在此不再赘述。因此，于本公开一实施例中，于第一基板10的法线方向Z上，第二开口112可暴露出绝缘层11下方的材料层，例如可暴露出部分第一基板10。
如图3B、图3C及图4所示，本公开的电子装置可还包含一第二间隔件PS2，设置于第一基板10与第二基板20之间，其中，绝缘层11的第二开口112包含一第二扩大部E2，于第一基板10的法线方向Z上，第二扩大部E2与第二间隔件PS2重叠，且第一扩大部E1的尺寸与第二扩大部E2的尺寸不同。于实施例中，所述扩大部的尺寸不同是指扩大部的形状或尺寸大小不相同，具体地，是指扩大部于第一基板10的投影的形状或面积大小不相同。于一些实施例中，如图3B所示，第二扩大部E2具有矩形的形状，但不限于此，例如第二扩大部E2也可具有矩形、梯形、棱形、弧形、或不规则形的形状。本公开中，第一间隔件PS1的尺寸可与第二间隔件PS2的尺寸不同或相同。所述间隔件的尺寸不同是指间隔件的形状或大小不相同，具体地，是指间隔件于第一基板10的投影的形状或面积大小不相同。于一些实施例中，第二间隔件PS2的形状并无特别限制，例如可为矩形柱体、圆柱体、梯形柱体、三角柱体、圆锥体、三角椎体、或其他不规则形柱体，但不限于此。于一些实施例中，如图4所示，第一间隔件PS1的高度L1大于第二间隔件PS2的高度L2，且第二间隔件PS2可不与第一基板10接触。
于本公开一实施例中，如图3B和图3C所示，多个第二间隔件PS2可分别设置于第一间隔件PS1的周边，但不限于此。换句话说，多个第二扩大部E2可分别设置于第一扩大部E1的周边，但不限于此。于其他实施例中(未绘示)，第一间隔件PS1与第二间隔件PS2可为交错设置，相似的，第一扩大部E1与第二扩大部E2也可为交错设置。
于本公开中，如图4所示，电子装置可还包含一遮光单元BM，设置于第一基板10与第二基板20之间，其中，于第一基板10的法线方向Z上，第一开口111(或第一间隔区P1)与遮光单元BM重叠。由于重叠于第一开口111(或第一间隔区P1)上的介质层M(例如液晶层)并无法根据第一电极121或第二电极221驱动而调整排列，故通过于第一基板10的法线方向Z上，第一开口111(或第一间隔区P1)与遮光单元BM重叠，可以降低漏光，影响显示质量。相似的，于第一基板10的法线方向Z上，第二开口112(或第二间隔区P2)与遮光单元BM重叠，其优点如上述说明。于一些实施例中，第一电极121或第二电极221可与遮光单元BM重叠，可减少漏光，提升显示质量。需注意的是，上述两组件重叠意指两组件之间可完全重叠或至少部分重叠。在一些实施例中，第一开口111(或第一间隔区P1)投影至第一基板10的投影区例如位于遮光单元BM投影至第一基板10的投影区之内。在一些实施例中，第二开口112(或第二间隔区P2)投影至第一基板10的投影区例如位于遮光单元BM投影至第一基板10的投影区之内。于本公开中，如图4所示，电子装置可还包含一平坦层21，设置于第二基板20与第二电极221之间，但不限于此。在其它实施例(未绘示)，第二基板20与第二电极221之间可选择性插入其它绝缘层(未绘示)或是滤光层(未绘示)。于一些实施例中，第一间隔件PS1和第二间隔件PS2可分别与平坦层21接触。于实施例中，平坦层21的材料可包含氧化硅(silicon oxide)、氮化硅(silicon nitride)、氮氧化硅(silicon oxynitride)、氧化铝(aluminum oxide)、树脂(resin)、聚合物(polymer)、光阻(photoresist)或其组合，但不限于此。
图5A至图5C分别为本公开的不同实施例的部分电子装置的剖面图。
其中，图5A至图5C分别为图3B的线段C-C’的剖面。
于本公开一实施例中，如图5A所示，于一剖面图中，第一间隔区P1的宽度W2可大于第一开口111的宽度W1。其中，于一剖面图中，绝缘层11具有底表面113及侧表面114，侧表面114邻近第一开口111，且底表面113与侧表面114之间的夹角θ可为锐角，具体地，绝缘层11的底表面113与侧表面114之间的夹角θ可介于35度至65度之间，但不限于此。于一些实施例中，夹角θ可介于40度至60度之间。于一些实施例中，夹角θ可介于45度至55度之间。
于本公开一实施例中，如图5B所示，于一剖面图中，第一间隔区P1的宽度W2可大致等于第一开口111的宽度W1。其中，对应第一开口111的绝缘层11的底表面113与侧表面114之间的夹角θ可大致为直角，具体地，对应第一开口111的绝缘层11的底表面113与侧表面114之间的夹角θ可大约等于90度。于其它实施例中(未绘示)，对应第一开口111的绝缘层11的侧表面114与第一电极121的侧表面114-1可未切齐或切齐。
于本公开一实施例中，如图5C所示，第一电极121可延伸设置于部分的第一开口111中，例如第一电极121可覆盖至少部分绝缘层11的侧表面114及/或至少部分第一基板10的上表面101，或第一电极121可与至少部分绝缘层11的侧表面114及/或至少部分第一基板10的上表面101接触。于一些实施例中，于一剖面图中，第一间隔区P1的宽度W2可小于第一开口111的宽度W1。
图6为本公开一实施例的色坐标图。
使用如图3B至图4所示的电子装置进行色坐标量测。举例固定第一电极的厚度为150纳米时，将绝缘层的厚度由5纳米逐渐增加，观察电子装置的色偏情形。其中，a*轴表示红/绿轴，a值为正表示红色偏移，a值为负表示绿色偏移；b*轴表示蓝/黄轴，b值为正表示黄色偏移，b值为负表示蓝色偏移。如图6所示，在未设置绝缘层的情况下，显示绿色和黄色偏移，而当绝缘层的厚度为310纳米时，可使色坐标接近原点，即此时的色度接近0。而当绝缘层的厚度由310纳米再提高时，色坐标则由原点偏移。需注意的是，图6仅为示意一些设计下的第一电极的厚度(例如为150纳米下)与绝缘层的厚度为310纳米时，可使色坐标接近原点，即此时的色度接近0。而当绝缘层厚度搭设计的色度坐标结果，但不限于此，其色度坐标可能受第一电极的材料或绝缘层的材料不同而有所变化。图6仅为说明可通过调整绝缘层的厚度来调整色偏的情形。
以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种电子装置，其特征在于，包含：
一第一基板；
一第二基板，与该第一基板相对设置；
多个第一电极，设置于该第一基板上；
一绝缘层，设置于该第一基板与该多个第一电极之间；以及
一第一间隔件，设置于该第一基板与该第二基板之间，
其中，该绝缘层具有一第一开口，该第一开口包含一第一扩大部，于该第一基板的法线方向上，该第一扩大部与该第一间隔件重叠。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该多个第一电极沿一第一方向排列，该多个第一电极中的相邻两者之间间隔一第一间隔区，其中，于该第一基板的法线方向上，该第一间隔区与该第一开口重叠。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，于该第一方向上，该第一间隔区的宽度大于该第一开口的宽度。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该多个第一电极沿一第一方向排列，于该第一方向上，该第一开口的宽度介于1.5微米至120微米之间。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包含一第二间隔件，设置于该第一基板与该第二基板之间，其中，该绝缘层具有一第二开口，该第二开口包含一第二扩大部，于该第一基板的法线方向上，该第二扩大部与该第二间隔件重叠，且该第一扩大部的尺寸与该第二扩大部的尺寸不同。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，于该第一基板的法线方向上，该第一开口暴露出部分该第一基板。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，于一剖面图中，该绝缘层具有一底表面及一侧表面，该侧表面邻近该第一开口，且该底表面与该侧表面之间的夹角介于35度至65度之间。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包含一遮光单元，设置于该第一基板与该第二基板之间，其中，于该第一基板的法线方向上，该第一开口与该遮光单元重叠。
9.一种电子装置的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
提供一第一基板；
形成一绝缘层于该第一基板上；
形成一导电层于该绝缘层上；
图案化该绝缘层以使该绝缘层具有一第一开口；以及
图案化该导电层以形成多个第一电极；
其中，该多个第一电极中的相邻两者之间间隔一第一间隔区，于该第一基板的法线方向上，该第一间隔区与该第一开口重叠。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，图案化该绝缘层以使该绝缘层具有该第一开口之后，形成该导电层于该绝缘层上。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成该导电层于该绝缘层上之后，图案化该绝缘层以使该绝缘层具有该第一开口。
CN202210941325.4A 2022-06-30 2022-08-03 电子装置及其制备方法 Pending CN117374205A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111134322A TWI831368B (zh) 2022-06-30 2022-09-12 顯示裝置及其製備方法
US18/325,641 US20240006560A1 (en) 2022-06-30 2023-05-30 Electronic device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210776063 2022-06-30
CN2022107760630 2022-06-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117374205A true CN117374205A (zh) 2024-01-09

Family

ID=89398968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210941325.4A Pending CN117374205A (zh) 2022-06-30 2022-08-03 电子装置及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240006560A1 (zh)
CN (1) CN117374205A (zh)
TW (1) TWI831368B (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004239982A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Chi Mei Electronics Corp 画像表示装置
KR20240034876A (ko) * 2012-07-20 2024-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI638209B (zh) * 2015-05-05 2018-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN108738364B (zh) * 2016-02-18 2022-06-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备
WO2018066459A1 (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 Jsr株式会社 液晶装置及びその製造方法
TWI744383B (zh) * 2016-10-19 2021-11-01 日商索尼股份有限公司 液晶顯示裝置及投射型顯示裝置
TWI658607B (zh) * 2018-03-28 2019-05-01 友達光電股份有限公司 液晶顯示面板
CN108427229A (zh) * 2018-05-08 2018-08-21 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
US10330991B1 (en) * 2018-05-31 2019-06-25 a.u. Vista Inc. Liquid crystal display devices with electrode stacks and methods for manufacturing such devices
KR102562291B1 (ko) * 2018-09-10 2023-08-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
CN114077108B (zh) * 2021-11-19 2023-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20240006560A1 (en) 2024-01-04
TWI831368B (zh) 2024-02-01
TW202403416A (zh) 2024-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080180590A1 (en) Liquid crystal display panel
US8558975B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
TWI506350B (zh) 陣列基板以及包含該陣列基板之液晶顯示裝置
US8154703B2 (en) Liquid crystal display panel
EP2116894A1 (en) Liquid crystal display panel, liquid crystal display device, and television receiver
US9703149B2 (en) Liquid crystal display panel
US20150070762A1 (en) Polarizer, display device having the same, and method of manufacturing the same
US10957718B2 (en) Pixel structure
US20060255337A1 (en) Multi-domain member for a display device
US20220293670A1 (en) Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same
KR20170001128A (ko) 액정 표시 장치
JP2005173615A (ja) アレイ基板及びその製造方法、並びにこれを有する液晶表示装置
US11822194B2 (en) Display device
KR102178887B1 (ko) 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN117374205A (zh) 电子装置及其制备方法
KR102420997B1 (ko) 표시 장치
KR20150136339A (ko) 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101222956B1 (ko) 반투과형 액정표시소자
US20230411576A1 (en) Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same
CN113219733B (zh) 显示面板
CN113075811B (zh) 电子装置
US20240142833A1 (en) Electronic device
US20230305343A1 (en) Electronic device
US20230324748A1 (en) Electronic device
TW202338465A (zh) 電子裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination