JP2005173615A - アレイ基板及びその製造方法、並びにこれを有する液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】視野角を向上し、製造工程を単純化する。
【解決手段】液晶表示装置用のアレイ基板は、画素領域１４０を含み、スイッチング素子１１９が基板上に配置される。絶縁膜は基板上に形成され、画素領域内に配置された多重領域用開口部１３０ａ及びスイッチング素子の電極１１８ａ〜１１８ｃの一部を露出するコンタクトホールを含む。画素電極は、画素領域１４０内の絶縁膜の表面、多重領域用開口部の内面及びコンタクトホールの内面上に配置され、スイッチング素子の電極に電気的に接続される。これにより、絶縁膜内に形成された多重領域用開口部により液晶層内に多重領域が生成され、視野角が向上される。又、工程が単純化され製造費用が減少する。
【選択図】図１

Description

本発明は、アレイ基板及びその製造方法、並びにこれを有する液晶表示装置に関し、より詳細には、視野角が向上され、製造工程が単純化されるアレイ基板及びその製造方法、並びにこれを有する液晶表示装置に関するものである。

液晶表示装置は、薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板とカラーフィルタ基板との間に注入されている異方性誘電率を有する液晶物質に電界を印加し、この電界の強度を調整して、基板に透過される光の量を調節することにより、所望する画像信号を得る表示装置である。

液晶表示装置は、液晶の異方性のために光が透過する方向に応じて画質に差異が発生する。従来の液晶表示装置は、一定の角度範囲内でのみ良質の画像を得ることができる。特に、液晶表示装置は、角度範囲が９０°より広い卓上用モニタで用いられることができる。一般的に、視野角とは、コントラストが１０：１以上である画像を得ることができる角度を言う。コントラストは、画面における明るい所と暗い所との明るさの差を示す。コントラストは、液晶表示装置が、より暗い状態を実現できるか、より均一な輝度を実現できる場合に増加する。

より暗い状態を実現するために、光が漏れる現象を減少させ、ノーマリブラックモードを採用し、ブラックマトリックス表面での光反射を減らす。ノーマリブラックモードは、電界が印加されない場合に黒色が表示される。より均一な輝度を有するために、液晶表示装置は、補償フィルムを採用し、多重領域を有する液晶層を含む。

視野角を広くするために、液晶表示装置は、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等を含む。

しかしながら、液晶表示装置がＭＶＡモードを含む場合、カラーフィルタ基板及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板上に突起が形成され、液晶層内に多重領域を形成して視野角を向上させる。しかし、ＭＶＡ技術は、カラーフィルタ基板及び薄膜トランジスタ基板上に突起を形成するための別の工程が必要となり、製造費用が増加する。又、カラーフィルタ基板と薄膜トランジスタ基板とが正確に整列しない場合、突起により多重領域が良好に形成されず、歩留まりが減少するという問題点がある。

液晶表示装置がＰＶＡモードを含む場合、共通電極内にスリットが形成され、共通電極と画素電極との間に歪曲された電場を形成する。しかし、カラーフィルタ基板と薄膜トランジスタ基板とが正確に整列しない場合、スリットにより多重領域が良好に形成されず、歩留まりが減少するという問題点がある。

液晶表示装置がＩＰＳモードを含む場合、薄膜トランジスタ基板が互いに平行な２つの電極を含み、歪曲された電場を形成する。しかし、ＩＰＳ技術は輝度が減少するという問題点がある。
又、従来の視野角が増大された液晶表示装置は、スリット又は突起を形成するための追加的な工程を含むので、製造費用が増加するという問題点がある。

前記のような問題点を解決するための本発明の第１目的は、視野角が向上されたアレイ基板を提供することにある。
前記のような問題点を解決するための本発明の第２目的は、工程が単純化されるアレイ基板の製造方法を提供することにある。
前記のような問題点を解決するための本発明の第３目的は、アレイ基板を有する液晶表示装置を提供することにある。

前記第１目的を達成するための本発明の一実施例によるアレイ基板は、基板、スイッチング素子、絶縁膜、及び画素電極を含む。前記基板は画素領域を含み、前記スイッチング素子は前記基板上に配置される。前記絶縁膜は、前記基板上に形成され前記画素領域内に配置された多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む。画素電極は、前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に配置され、前記スイッチング素子の電極に電気的に接続される。

本発明の他の実施例によるアレイ基板は、基板、スイッチング素子、絶縁膜、及び画素電極を含む。前記基板は、光を透過させる透過窓を含む画素領域、及び前記画素領域内に配置されたスイッチング素子が具備される。前記絶縁膜は、スイッチング素子が配置された基板上に形成され、前記透過窓内に配置された複数の多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む。前記画素電極は、前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に配置され、前記スイッチング素子の電極に電気的に接続された画素電極と、を含む。

前記第２目的を達成するために、本発明の一実施例によるアレイ基板の製造方法において、まず、画素領域が定義された基板上にスイッチング素子を形成する。その後、前記画素領域内に配置された多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む絶縁膜を前記基板上に形成する。その後、前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に前記スイッチング素子の前記電極に電気的に接続される画素電極を形成する。

本発明の他の実施例によるアレイ基板の製造方法において、まず、光を透過させる透過窓を含む画素領域が定義された基板上に、前記透過窓内に配置された複数の多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む絶縁膜を形成する。その後、前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に前記スイッチング素子の電極に電気的に接続される画素電極を形成するステップと、を含む。

本発明の更に他の実施例によるアレイ基板の製造方法において、まず、光を透過させる透過窓を含む画素領域が定義された基板上にゲート電極を形成する。その後、前記ゲート電極が形成された基板上にゲート絶縁膜を形成する。続けて、前記ゲート絶縁膜上に半導体層パターン、ソース電極、及びドレイン電極を形成してスイッチング素子を形成する。その後、前記スイッチング素子が形成された基板の全面に透明な絶縁物質を蒸着する。続けて、前記蒸着された透明な絶縁物質及び前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記透過窓内に配置された複数の多重領域用開口部及び前記ドレイン電極の一部を露出するコンタクトホールを形成する。その後、前記画素領域内の前記有機膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に透明電極を形成する。最後に、前記画素領域内の反射領域内に外部光を反射させる反射電極を形成する。

前記第３目的を達成するための本発明の一実施例による液晶表示装置は、第１基板、第２基板、及び液晶層を含む。
前記第２基板は、画素領域を含む基板と、前記基板上に配置されたスイッチング素子と、前記基板上に形成され、前記画素領域内に配置された多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む絶縁膜と、前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に配置され、前記スイッチング素子の前記電極に電気的に接続された画素電極と、を含み、前記第１基板に対向する。前記液晶層は、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される。

本発明の他の実施例による液晶表示装置は、第１基板、第２基板、及び液晶層を含む。
前記第２基板は、画素領域を含む下部基板と、前記下部基板上に配置されたスイッチング素子と、前記画素領域内に配置された複数の多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含み、前記スイッチング素子が配置された下部基板上に形成される絶縁膜と、前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に配置され、前記スイッチング素子の前記電極に電気的に接続された画素電極を含む。前記液晶層は、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される。

前記液晶表示装置は、反射型液晶表示装置、透過型液晶表示装置、反射−透過型液晶表示装置等を含む。前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）等を含む。

本発明は、上記したように構成されているので、前記絶縁膜が多重領域用開口部を含み、視野角が増加して画質が向上される。又、前記多重領域用開口部が前記第２基板上に配置されるので、前記第１基板と前記第２基板とが正確に整列されなくても、優れた品質の多重領域が生成される。
又、前記多重領域用開口部を前記コンタクトホールと共に形成して工程が単純化され、製造費用が減少する。

以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
（実施例１）
図１は本発明の第１実施例による液晶表示装置を示す平面図であり、図２は図１の液晶表示装置の透過窓に形成された多重領域を示す平面図であり、図３は図１のI−I′に沿って切断した断面図であり、図４は図１のII−II′に沿って切断した断面図である。
図１〜図４を参照すると、液晶表示装置は、第１基板１７０、第２基板１８０、及び液晶層１０８を含む。

第１基板１７０は、上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルタ１０４、共通電極１０６、及びスペーサ１１０を含む。第２基板１８０は、下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ′、ゲートライン１１８ｂ′、ゲート絶縁膜１２６、パッシベーション膜１１６、透明電極１１２、及び反射電極１１３を含む。液晶層１０８は、第１基板１７０と第２基板１８０との間に配置される。

第２基板１８０は、画像が表示される画素領域１４０及び光が遮断される遮光領域１４５を含む。画素領域１４０は、バックライトアセンブリ（図示せず）から発生された光を透過させる透過窓１２９ａ、及び外部光を反射させる反射領域１２８を含む。透過窓１２９ａは、長方形形状を有することができる。

上部基板１００及び下部基板１２０は、光を通過させることができる透明な材質のガラスを用いる。ガラスは、アルカリイオンを含まないことが好ましい。ガラスがアルカリイオンを含む場合、ガラスからアルカリイオンが液晶層１０８内に溶出されるので、液晶比抵抗が低下して画質が低下し、シーラントとガラスとの付着力を低下させ、薄膜トランジスタ１１９を劣化させる。

この際、上部基板１００及び下部基板１２０が、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）、ポリカボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ；ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＮ）、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）、ポリメチルメタクリレート（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）、サイクロオレフィンポリマー（Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＣＯＰ）等を含むこともできる。
好ましくは、上部基板１００及び下部基板１２０は、光学的に等方性である。上部基板１００及び下部基板１２０が光学的に異方性であってもよい。

ブラックマトリックス１０２は、反射領域１２８に対応する上部基板１００の一部に形成され光を遮断する。ブラックマトリックス１０２は、液晶を制御することができない遮光領域１４５を通過する光を遮断して画質を向上させる。
ブラックマトリックス１０２は、金属性物質又は不透明な有機物を上部基板１００上に蒸着しエッチングして形成される。金属性物質は、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯｘ）、窒化クロム（ＣｒＮｘ）等を含み、不透明な有機物は、カーボンブラック（Ｃａｒｂｏｎ Ｂｌａｃｋ）、顔料混合物、染料混合物等を含む。顔料混合物は赤色、緑色、及び青色顔料を含むことができ、染料混合物は赤色、緑色、及び青色染料を含むことができる。又、ブラックマトリックス１０２は、フォトレジスト成分を含む不透明物質を上部基板１００上に塗布した後、フォト工程（Ｐｈｏｔｏ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を通じて形成されることもできる。この際、複数のカラーフィルタを重ねてブラックマトリックスを形成することもできる。

カラーフィルタ１０４は、ブラックマトリックス１０２が形成された上部基板１２０上に形成され、所定の波長を有する光のみを選択的に透過させる。カラーフィルタ１０４は、光重合開始剤、モノマー、バインダー、顔料、分散剤、溶剤、フォトレジスト等を含む。この際、カラーフィルタ１０４を下部基板１２０又はパッシベーション膜１１６上に配置させることもできる。

共通電極１０６は、ブラックマトリックス１０２及びカラーフィルタ１０４が形成された上部基板１００の全面に形成される。共通電極１０６は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、又はＺＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電性物質を含む。この際、共通電極１０６を、下部基板１２０上に透明電極１１２及び反射電極１１３と平行に配置させることもできる。

スペーサ１１０は、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルタ１０４、及び共通電極１０６が形成された上部基板１００上に形成される。スペーサ１１０により、第１基板１７０と第２基板１８０との間にセルギャップが一定に維持される。好ましくは、スペーサ１１０は、ブラックマトリックス１０２に対応し配置され、カラムスペーサを含む。この際、スペーサ１１０が、ボールスペーサ、又はカラムスペーサとボールスペーサが混合されたスペーサを含むこともできる。

薄膜トランジスタ１１９は、下部基板１２０の反射領域１２８内に形成され、ソース電極１１８ａ、ゲート電極１１８ｂ、ドレイン電極１１８ｃ、及び半導体層パターンを含む。駆動回路（図示せず）はデータ電圧を出力して、ソースライン１１８ａ′を通じてソース電極１１８ａに伝達し、選択信号を出力してゲートライン１１８ｂ′を通じてゲート電極１１８ｂに伝達する。

ストレージキャパシタ（図示せず）は、下部基板１２０上に形成され、共通電極１０６と反射電極１１３との間、及び共通電極１０６と透明電極１１２との間の電位差を維持させる。ストレージキャパシタ（図示せず）は、前段ゲート方式又は独立配線方式である。
ゲート絶縁膜１２６は、ゲート電極１１８ｂが形成された下部基板１２０の全面に配置され、ゲート電極１１８ｂをソース電極１１８ａ及びドレイン電極１１８ｃと電気的に絶縁する。この際、ゲート絶縁膜１２６は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含むこともできる。

パッシベーション膜１１６は、薄膜トランジスタ１１９が形成された下部基板１２０上の全面に配置され、ドレイン電極１１８ｃの一部を露出するコンタクトホールを含む。この際、パッシベーション膜１２６は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含むこともできる。
パッシベーション膜１１６は、液晶層１０８内に多重領域を形成するために、パッシベーション膜１１６の一部が除去された多重領域用開口部１３０ａを含む。多重領域用開口部１３０ａは、透過窓１２９ａ内に配置される。好ましくは、多重領域用開口部１３０ａは、透過窓１２９ａの中心線に沿って配置され、延長された長方形形状を有する。好ましくは、多重領域用開口部１３０ａに対応するゲート絶縁膜１２６の一部も共に除去される。

有機膜１１４は、薄膜トランジスタ１１９及びパッシベーション膜１２６が形成された下部基板１２０上に配置され、薄膜トランジスタ１１９を透明電極１１２及び反射電極１１３と絶縁する。有機膜１１４は、透過窓１２９ａが露出され、ドレイン電極１１８ｃの一部を露出するビアコンタクトホール１２８を含む。
有機膜１１４により液晶層１０８の厚さが調節され、液晶層は、反射領域１２８に対応する第１厚さ及び透過窓１２９ａに対応する第２厚さを有する。第２厚さは、第１厚さと互いに異なる厚さを有する。

又、有機膜１１４は、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ′、ゲートライン１１８ｂ′等が配置され、互いに異なる高さを有する下部基板１２０の表面を平坦化する役割も果たす。
好ましくは、有機膜１１４の表面は、凹部及び凸部を有する。凹部及び凸部は、反射電極１１３の反射効率を増加させる。この際、ソースライン１１８ａ′とゲートライン１１８ｂ′とが交差する部分に対応する有機膜１１４の一部には、凸部より高い高さを有する突出部１１５が配置される。好ましくは、突出部１１５は、スペーサ１１０に対応し配置され、隣接する垂直配向された液晶の一部の配列を調節する。配列が調節された液晶は、多重領域を形成する。

図２を更に参照すると、透過窓１２９ａ内には多重領域用開口部１３０ａを中心として４つの領域が形成される。４つの領域は、多重領域用開口部１３０ａと透過窓１２９ａの辺との間にそれぞれ配置される。
図３及び図４に示す透明電極１１２は、画素領域１４０内の有機膜１１４の表面、コンタクトホール１２８の内面、及び透過窓１２９ａの内面上に形成され、ドレイン電極１１８ｃと電気的に接続される。透明電極１１２は、共通電極１０６との間に印加された電圧により液晶層１０８内の液晶を制御して、光の透過を調節する。透明電極１１２は、透明な導電性物質である酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺＯ）等を含む。

反射電極１１３は、反射領域１２８内の有機膜１１４上に配置され外部光を反射させる。好ましくは、反射電極１１３は、有機膜１１４の表面上に形成された凹部及び凸部の形状に沿って配置され、外部光を一定の方向で反射させる。反射電極１１３は、導電性物質を含み、透明電極１１２を通じてドレイン電極１１８ｃと電気的に接続される。
この際、液晶を配向するために、第１基板１７０及び第２基板１８０の表面に配向膜（図示せず）を配置し、配向膜（図示せず）の表面を一定方向にラビングすることができる。好ましくは、第１基板１７０上に配置された配向膜（図示せず）のラビング方向は、第２基板１８０上に配置された配向膜（図示せず）のラビング方向と互いに逆方向である。

液晶層１０８は、第１基板１７０と第２基板１８０との間に配置され、シーラント（図示せず）により密封される。液晶層１０８内の液晶は、垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ、ＶＡ）、ツイスト配向（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ、ＴＮ）、ＭＴＮ配向（Ｍｉｘｅｄ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ、ＭＴＮ）、又はホモジニアス（Ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ）配向モードで配列される。好ましくは、液晶層１０８内の液晶は、垂直配向モードで配列される。

透明電極１１２と共通電極１０６との間、及び反射電極１１３と共通電極１０６との間に電圧が印加されると、突出部１１５及びスペーサ１１０に隣接する領域、透過窓１２９ａと反射領域１２８との間の段差がある部分（Ｓｔｅｐｐｅｄ Ｐｏｒｔｉｏｎ）、及び多重領域用開口部１３０ａに隣接する領域内に電場の歪曲が発生する。液晶が垂直配向モードで配列される場合、歪曲された電場により液晶層１０８内に多重領域が形成され視野角が向上される。

図５〜図１２は、本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
図５に示すように、まず、下部基板１２０に画素領域１４０及び遮光領域１４５を画定する。画素領域１４０は、バックライトアセンブリ（図示せず）から発生された光を透過させる透過窓１２９ａ及び外部光を反射させる反射領域１２８を含む。

その後、図６に示すように、下部基板１２０上に導電性物質を蒸着する。続けて、蒸着された導電性物質の一部を除去して、ゲート電極１１８ｂ及びゲートライン１１８ｂ′を形成する。次いで、ゲート電極１１８ｂ及びゲートライン１１８ｂ′が形成された下部基板１２０の全面にゲート絶縁膜１２６を蒸着する。ゲート絶縁膜１２６は透明な絶縁物質を含む。好ましくは、ゲート絶縁膜１２６は、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を含む。

次いで、ゲート絶縁膜１２６上にアモルファスシリコン及びＮ＋アモルファスシリコンを順次で蒸着しエッチングして、ゲート電極１１８ｂに対応するゲート絶縁膜１２６上に半導体層を形成する。その後、半導体層が形成されたゲート絶縁膜１２６上に導電性物質を蒸着する。そして、導電性物質の一部をエッチングして、ソース電極１１８ａ、ソースライン１１８ａ′、及びドレイン電極１１８ｃを形成する。このようにして、ソース電極１１８ａ、ゲート電極１１８ｂ、ドレイン電極１１８ｃ、及び半導体層を含む薄膜トランジスタ１１９が下部基板１２０上に形成される。
その後、薄膜トランジスタ１１９が形成された下部基板１２０上に透明な絶縁物質を蒸着する。好ましくは、透明な絶縁物質は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含む。

次いで、図７に示すように、蒸着された透明な絶縁物質及びゲート絶縁膜１２６の一部を除去して、ドレイン電極１１８ｃの一部を露出するコンタクトホール、及び透過窓１２９ａの中心線に対応する下部基板１２０の一部を露出する多重領域用開口部１３０ａを形成する。従って、薄膜トランジスタ１１９が形成された下部基板１２０上にコンタクトホール及び多重領域用開口部１３０ａを含むパッシベーション膜１１６が形成される。

その後、図８に示すように、コンタクトホール及び多重領域用開口部１３０ａが形成されたパッシベーション膜１１６上に有機物を塗布する。好ましくは、有機物はフォトレジストを含む。
次いで、図９に示すように、塗布された有機物１１４′を露光し現像して、ドレイン電極１１８ｃの一部に対応するビアホール、透過窓１２９ａ、凹部、凸部、及び突出部１１５を含む有機膜１１４を形成する。露光及び現像工程は、１つのマスクを用いた１回の工程又は複数のマスクを有する複数回の工程を含む。１つのマスクを用いた１回の工程を通じて、ビアホール、透過窓１２９ａ、凹部、凸部、及び突出部１１５を形成する場合、１つのマスクは、不透明な部分、半透明な部分、及び透明な部分を含む。好ましくは、不透明な部分は突出部１１５に対応し、半透明な部分は凹部と凸部に対応し、ビアホール及び透過窓１２９ａは透明な部分に対応する。この際、マスクが半透明な部分の代わりに、スリットを含むこともできる。

図１０に示すように、次いで、有機膜１１４、パッシベーション膜１１６、コンタクトホールの内面、透過窓１２９ａの内面、及び多重領域用開口部１３０ａの内面上に透明な導電性物質を蒸着する。透明な導電性物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＯ等を含む。好ましくは、透明な導電性物質はＩＴＯである。その後、透明な導電性物質の一部をエッチングして透明電極１１２を形成する。透明電極１１２は画素領域１４０内に形成される。

その後、有機膜１１４が形成された下部基板１２０上に反射率が高い導電体を蒸着する。好ましくは、反射率が高い導電体は、アルミニウム（Ａｌ）及びネオジウム（Ｎｄ）を含む。その後、蒸着された反射率が高い導電体の一部をエッチングして、反射領域１２８内に反射電極１１３を形成する。
このとき、反射電極１１３は、多層構造を有することができる。反射電極が多層構造を有する場合、反射電極１１３は、モリブデン（Ｍｏ）−タングステン（Ｗ）合金層、及びモリブデン（Ｍｏ）−タングステン（Ｗ）合金層上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）−ネオジウム（Ｎｄ）合金層を含むことが好ましい。反射電極１１３は、透明電極１１２及びビアコンタクトホール１２８を通じて、ドレイン電極１１８ｃに電気的に接続される。

この際、透明電極１１２を透過窓１２９ａ及び多重領域用開口部１３０ａの内面上に形成し、反射電極１１３を有機膜１１４及びコンタクトホールの内面上に形成し、透明電極１１２を反射電極１１３を通じてドレイン電極１１８ｃと電気的に接続させることもできる。
このようにして、下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ソースライン１１８ａ′、ゲートライン１１８ｂ′、有機膜１１４、透明電極１１２、及び反射電極１１３を含む第２基板１８０が形成される。

その後、図１１に示すように、上部基板１００上に不透明な物質を蒸着する。続けて、蒸着された不透明な物質の一部を除去して、ブラックマトリックス１０２を形成する。この際、不透明な物質及びフォトレジストを上部基板１００上に塗布した後、フォト工程でブラックマトリックス１０２を形成することもできる。フォト工程は、露光工程及び現像工程を含む。この際、ブラックマトリックス１０２を下部基板１２０上に形成することもできる。

次いで、ブラックマトリックス１０２が形成された上部基板１００上にカラーフィルタ１０４を形成する。カラーフィルタ１０４は、特定な波長の光のみを選択的に透過させる。カラーフィルタ１０４は下部基板１２０上に形成されることもできる。カラーフィルタ１０４が下部基板１２０上に形成される場合、カラーフィルタは有機膜１１４を形成する前に形成することが好ましい。好ましくは、カラーフィルタ１０４はフォト工程を用いて形成される。
その後、カラーフィルタ１０４及びブラックマトリックス１０２が形成された上部基板１００上に透明な導電性物質を蒸着して、共通電極１０６を形成する。透明な導電性物質はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＯ等を含む。

続けて、共通電極１０６上に有機物を塗布する。好ましくは、有機物はフォトレジスト成分を含む。次いで、塗布された有機物を露光及び現像して、ブラックマトリックス１０２に対応する共通電極１０６の一部上にスペーサ１１０を形成する。この際、共通電極１０６上にスペーサ１１０を形成せずに、ボールスペーサを配置することもできる。又、スペーサ１１０が下部基板１２０上に形成されることもできる。
従って、上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルタ１０４、共通電極１０６、及びスペーサ１１０を含む第１基板１７０が形成される。

図１２に示すように、その後、第１基板１７０及び第２基板１８０を対向し結合する。
そして、第１基板１７０と第２基板１８０との間に液晶を注入し、注入された液晶をシーラント（図示せず）で密封して液晶層１０８を形成する。シーラント（図示せず）が形成された第１基板１７０又は第２基板１８０上に液晶を滴下した後に、第１基板１７０及び第２基板１８０を対向し結合して、液晶層１０８を形成することもできる。

このようにして、スペーサ１１０と隣接する突出部１１５、透過窓１２９ａと反射領域１２８との間の段差がある部分、及び多重領域用開口部１３０ａに隣接する領域内に配置された垂直配向された液晶の一部の配列が調節され、透過窓１２９ａ内に４つの多重領域が形成される。

（実施例２）
図１３は、本発明の第２実施例による液晶表示装置を示す平面図であり、図１４は、図１３の液晶表示装置の透過窓内に形成された多重領域を示す平面図であり、図１５は図１３のIII−III′に沿って切断した断面図である。
本実施例において、透過窓及び多重領域用開口部を除いた残りの構成要素は実施例１と同じなので、重複された部分についての詳細な説明は省略する。

図１３及び図１５を参照すると、第２基板１８０は画素領域１４０及び遮光領域１４５を含み、画素領域１４０は２つの透過窓１２９ｂ及び反射領域１２８を含む。好ましくは、透過窓１２９ｂは四角形形状である。画素領域１４０が３つ以上の透過窓を有することもできる。
ゲート絶縁膜１２６は、ゲート電極１１８ｂが形成された下部基板１２０の全面に配置され、パッシベーション膜１１６は薄膜トランジスタ１１９が形成された下部基板１２０上の全面に配置される。

パッシベーション膜１１６は、ドレイン電極１１８ｃの一部を露出するコンタクトホール及び２つの多重領域用開口部１３０ｂを含む。多重領域用開口部１３０ｂは、２つの透過窓１２９ｂ内にそれぞれ配置される。好ましくは、多重領域用開口部１２８ｂは、透過窓１２９ｂの中心線に対応して配置され、四角形形状を有する。四角形の一辺の長さはｗである。好ましくは、多重領域用開口部１３０ｂに対応するゲート絶縁膜１２６の一部も共に除去される。

有機膜１１４は、透過窓１２９ｂが開口されドレイン電極１１８ｃの一部を露出するビアコンタクトホール１２８を含む。
透明電極１１２は、画素領域１４０内の有機膜１１４、コンタクトホールの内面、及び透過窓１２９ｂの内面上に形成される。反射電極１１３は、反射領域１２８内の有機膜１１４上に配置され外部光を反射させる。隣接する透過窓１２９ｂの間の反射電極１１３を省略することもできる。

図１４を参照すると、それぞれの透過窓１２９ｂ内には、多重領域用開口部１３０ｂを中心として４つの領域が形成される。４つの領域は、多重領域用開口部１３０ｂと透過窓１２９ｂの辺との間にそれぞれ配置される。
従って、透明電極１１２と共通電極１０６との間、及び反射電極１１３と共通電極１０６との間に電圧が印加されると、突出部１１５及びスペーサ１１０に隣接する領域、透過窓１２９ｂと反射領域１２８との間の段差がある部分、及び多重領域用開口部１３０ｂに隣接する領域内に電場の歪曲が発生する。液晶が垂直配向モードで配列される場合、歪曲された電場により液晶層１０８内に８つの領域が形成され、視野角が向上される。

（実施例３）
図１６は、本発明の第３実施例による液晶表示装置を示す平面図である。
本実施例において、透過窓及び多重領域用開口部を除いた残りの構成要素は実施例２と同じなので、重複された部分についての詳細な説明は省略する。
図１６に示すように、、第２基板１８０は画素領域１４０及び遮光領域１４５を含み、画素領域１４０は２つの透過窓１２９ｃ及び反射領域１２８を含む。透過窓１２９ｃは六角形形状である。

パッシベーション膜１１６は、ドレイン電極１１８ｃの一部を露出するコンタクトホール、及び液晶層１０８内に多重領域を形成するために、パッシベーション膜１１６の一部が除去された２つの多重領域用開口部１３０ｃを含む。多重領域用開口部１３０ｃは、２つの透過窓１２９ｃ内にそれぞれ配置される。好ましくは、それぞれの多重領域用開口部１２８ｃは、それぞれの透過窓１２９ｃの中心線に対応し配置され、六角形形状を有する。
有機膜１１４は、透過窓１２９ｃが露出されドレイン電極１１８ｃの一部を露出するビアコンタクトホール１２８を含む。

透明電極１１２は、画素領域１４０内の有機膜１１４、コンタクトホールの内面、及び透過窓１２９ｃの内面上に形成される。反射電極１１３は、反射領域１２８内の有機膜１１４上に配置され外部光を反射させる。
それぞれの透過窓１２９ｃ内には、多重領域用開口部１３０ｃを中心として多重領域が形成される。多重領域は、多重領域用開口部１３０ｃと透過窓１２９ｃの辺との間にそれぞれ配置される。

透明電極１１２と共通電極１０６との間、及び反射電極１１３と共通電極１０６との間に電圧が印加されると、突出部１１５及びスペーサ１１０に隣接する領域、透過窓１２９ｃと反射領域１２８との間の段差がある部分、及び多重領域用開口部１３０ｃに隣接する領域内に電場の歪曲が発生する。電場が歪曲された領域内に配置された垂直配向モードを有する液晶層１０８内に１２つの多重領域が形成され視野角が向上される。

（実施例４）
図１７は、本発明の第４実施例による液晶表示装置を示す平面図である。
本実施例において、透過窓及び多重領域用開口部を除いた残りの構成要素は実施例２と同じなので、重複された部分についての詳細な説明は省略する。
図１７に示すように、第２基板１８０は画素領域１４０及び遮光領域１４５を含み、画素領域１４０は２つの透過窓１２９ｄ及び反射領域１２８を含む。透過窓１２９ｄは八角形形状である。

パッシベーション膜１１６は、ドレイン電極１１８ｃの一部を露出するコンタクトホール、及び液晶層１０８内に多重領域を形成するためにパッシベーション膜１１６の一部が除去された２つの多重領域用開口部１３０ｄを含む。多重領域用開口部１３０ｄは、２つの透過窓１２９ｄ内にそれぞれ配置される。それぞれの多重領域用開口部１２８ｄは、透過窓１２９ｄの中心線に対応して配置され、八角形形状を有する。
有機膜１１４は、透過窓１２９ｄが露出され、ドレイン電極１１８ｄの一部を露出するビアコンタクトホール１２８を含む。

透明電極１１２は、画素領域１４０内の有機膜１１４、コンタクトホールの内面、及び透過窓１２９ｄの内面上に形成される。反射電極１１３は、反射領域１２８内の有機膜１１４上に配置され外部光を反射させる。
それぞれの透過窓１２９ｄ内には、多重領域用開口部１３０ｄを中心として多重領域が形成される。多重領域は、多重領域用開口部１３０ｄと透過窓１２９ｄの辺との間にそれぞれ配置される。

透明電極１１２と共通電極１０６との間、及び反射電極１１３と共通電極１０６との間に電圧が印加されると、突出部１１５及びスペーサ１１０に隣接する領域、透過窓１２９ｄと反射領域１２８との間の段差がある部分、及び多重領域用開口部１３０ｄに隣接する領域内に電場の歪曲が発生する。電場が歪曲された領域内に配置された垂直配向モードを有する液晶層１０８内に、１６つの多重領域が生成され、視野角が向上される。
しかし、複数個の透過窓１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄが一つの画素領域１４０内に配置される場合、透過窓１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄの境界部に配置された有機膜１１４に段差がある部分が増加する。段差がある部分では、液晶層１０８の配向が不良なので画質が低下する恐れがある。

（実施例５）
図１８は本発明の第５実施例による液晶表示装置を示す平面図であり、図１９は図１８の液晶表示装置の透過窓内に形成された多重領域を示す平面図であり、図２０は図１８のIV−IV′に沿って切断した断面図であり、図２１は図１８のV−V′に沿って切断した断面図である。本実施例において、多重領域用開口部を除いた残りの構成要素は実施例１と同じなので、重複された部分についての詳細な説明は省略する。
図１８〜図２１を参照すると、液晶表示装置は、第１基板２７０、第２基板２８０、及び液晶層２０８を含む。

第１基板２７０は、上部基板２００、ブラックマトリックス２０２、カラーフィルタ２０４、共通電極２０６、及びスペーサ２１０を含む。第２基板２８０は、下部基板２２０、薄膜トランジスタ２１９、ソースライン２１８ａ′、ゲートライン２１８ｂ′、ゲート絶縁膜２２６、パッシベーション膜２１６、透明電極２１２、及び反射電極２１３を含む。液晶層２０８は、第１基板２７０と第２基板２８０との間に配置される。

第２基板２８０は、画像が表示される画素領域２４０及び光が遮断される遮光領域２４５を含む。画素領域２４０は、バックライトアセンブリ（図示せず）から発生された光が透過される透過窓２２９ａ、及び外部光が反射される反射領域２２８を含む。透過窓２２９ａは、ソースライン２１８ａ′と平行な縦方向で延長された長方形形状である。一つの画素領域２４０は、一つの透過窓２２９ａに対応する。
上部基板２００及び下部基板２２０は、光を通過させることができる透明な材質のガラスを用いる。

ブラックマトリックス２０２は、反射領域２２８に対応する上部基板２００の一部に形成され、遮光領域２４５を通過する光を遮断する。ブラックマトリックス２０２は、不透明物質を蒸着しエッチングして形成される。又、ブラックマトリックス２０２は、フォトレジスト成分を含む不透明物質を塗布した後に、フォト工程を通じて形成されることもできる。
カラーフィルタ２０４は、ブラックマトリックス２０２が形成された上部基板２００上に形成され、所定の波長を有する光のみを選択的に透過させる。

共通電極２０６は、ブラックマトリックス２０２及びカラーフィルタ２０４が形成された上部基板２００の全面に形成される。
スペーサ２１０は、共通電極２０６が形成された上部基板２００上に形成される。スペーサ２１０により第１基板２７０と第２基板２８０との間にセルギャップが一定に維持される。
薄膜トランジスタ２１９は、下部基板２２０の反射領域２２８内に形成され、ソース電極２１８ａ、ゲート電極２１８ｂ、ドレイン電極２１８ｃ、及び半導体層パターンを含む。駆動回路（図示せず）は、データ電圧を出力して、ソースライン２１８ａ′を通じてソース電極２１８ａに伝達し、選択信号を出力してゲートライン２１８ｂ′を通じてゲート電極２１８ｂに伝達する。

ストレージキャパシタ（図示せず）は、下部基板２２０上に形成され、共通電極２０６と反射電極２１３との間、及び共通電極２０６と透明電極２１２との間の電位差を維持させる。
ゲート絶縁膜２２６は、ゲート電極２１８ｂが形成された下部基板２２０の全面に配置され、ゲート電極２１８ｂをソース電極２１８ａ及びドレイン電極２１８ｃと電気的に絶縁する。

パッシベーション膜２１６は、薄膜トランジスタ２１９が形成された下部基板２２０上の全面に配置され、ドレイン電極２１８ｃの一部を露出させるコンタクトホールを含む。
パッシベーション膜２１６は、液晶層２０８内に多重領域を形成するために、パッシベーション膜２１６の一部が除去された３つの多重領域用開口部２３０ａを含む。多重領域用開口部２３０ａは、透過窓２２９ａの中心線に対応して平行に配置され、四角形形状を有する。四角形の１辺の長さはｗである。透過窓２２９ａの境界に隣接する多重領域用開口部２３０ａの辺と境界との最短距離ｄは、多重領域用開口部２３０ａ間の間隔ｉと同じである。
好ましくは、多重領域用開口部２３０ａに対応するゲート絶縁膜２２６の一部も共に除去される。

有機膜２１４は、薄膜トランジスタ２１９及びパッシベーション膜２２６が形成された下部基板２２０上に配置され、薄膜トランジスタを透明電極２１２及び反射電極２１３と絶縁する。
有機膜２１４の表面は、凹部、及び凸部を有する。凹部及び凸部は、反射電極２１３の反射効率を増加させる。この際、ソースライン２１８ａ′及びゲートライン２１８ｂ′が交差する部分に対応する有機膜２１４の一部には、凸部より高い高さを有する突出部２１５が配置される。

図１９に示すように、透過窓２２９ａ内には、１２つの領域が形成される。１２つの領域のうち、４つの領域はそれぞれの多重領域用開口部２３０ａを中心として配置される。４つの領域は、多重領域用開口部２３０ａと透過窓２２９ａの辺との間、及び多重領域用開口部２３０ａの間にそれぞれ配置される。
透明電極２１２は、画素領域２４０内の有機膜２１４の表面、コンタクトホールの内面、及び透過窓２２９ａの内面上に形成され、ドレイン電極２１８ｃと電気的に接続される。
反射電極２１３は、反射領域２２８内の有機膜２１４上に配置され、外部光を反射させる。

液晶を配向するために、第１基板２７０及び第２基板２８０の表面に配向膜（図示せず）を配置し、配向膜（図示せず）の表面を一定の方向でラビングする。
液晶層２０８は、第１基板２７０と第２基板２８０との間に配置され、シーラント（図示せず）により密封される。液晶層２０８は、垂直方向で配向される。

このような構成において、透明電極２１２と共通電極２０６との間、及び反射電極２１３と共通電極２０６との間に電圧が印加されると、突出部２１５及びスペーサ２１０に隣接する領域、透過窓２２９ａと反射領域２２８との間の段差がある部分、及び多重領域用開口部２３０ａに隣接する領域内に電場の歪曲が発生する。電場が歪曲された領域内に配置された垂直配向モードを有する液晶層２０８内に多重領域が形成される。
又、一つの透過窓２２９ａ内に多重領域用開口部２３０ａが配置され、有機膜２１４の段差がある部分が減少して画質が向上される。
又、透過窓２２９ａ内に、最短距離ｄが間隔ｉと互いに同じなので、多様な形態を有する多重領域が生成され視野角が向上される。

（実施例６）
図２２は本発明の第６実施例による液晶表示装置を示す平面図であり、図２３は図２２の液晶表示装置の透過窓内に形成された多重領域を示す平面図であり、図２４は図２２のVI−VI′に沿って切断した断面図である。本実施例において、多重領域用開口部を除いた残りの構成要素は実施例１と同じなので、重複された部分についての詳細な説明は省略する。
図２２〜図２４を参照すると、液晶表示装置は、第１基板２７０、第２基板２８０、及び液晶層２０８を含む。

第２基板２８０は、下部基板２２０、薄膜トランジスタ２１９、ソースライン２１８ａ′、ゲートライン２１８ｂ′、ゲート絶縁膜２２６、パッシベーション膜２１６、透明電極２１２、及び反射電極２１３を含む。
第２基板２８０は、画像が表示される画素領域２４０、及び光が遮断される遮光領域２４５を含む。画素領域２４０は、バックライトアセンブリ（図示せず）から発生された光が透過される透過窓２２９ｂ、及び外部光が反射される反射領域２２８を含む。透過窓２２９ｂは、ソースライン２１８ａ′と平行な縦方向で延長された長方形形状である。

パッシベーション膜２１６は、薄膜トランジスタ２１９が形成された下部基板２２０上の全面に配置され、ドレイン電極２１８ｃの一部を露出するコンタクトホールを含む。
パッシベーション膜２１６は、液晶層２０８内に多重領域を形成するために、パッシベーション膜２１６の一部が除去された２つの多重領域用開口部２３０ｂを含む。多重領域用開口部２３０ｂは、透過窓２２９ｂの中心線に沿って平行に配置され、四角形形状を有する。四角形の１辺の長さはｗである。多重領域用開口部２３０ｂ間の間隔ｉ′は、透過窓２２９ｂの境界に隣接する多重領域用開口部２３０ｂの辺と境界との最短距離ｄの２倍である。
好ましくは、多重領域用開口部２３０ｂに対応するゲート絶縁膜２２６の一部も共に除去される。

図２３に示すように、透過窓２２９ｂ内には８つの領域が形成される。８つの領域のうち、４つの領域はそれぞれの多重領域用開口部２３０ｂを中心として配置される。４つの領域は、多重領域用開口部２３０ｂと透過窓２２９ｂの辺との間、及び多重領域用開口部２３０ｂの間にそれぞれ配置される。

従って、透明電極２１２と共通電極２０６との間、及び反射電極２１３と共通電極２０６との間に電圧が印加されると、多重領域用開口部２３０ｂに隣接する領域内に電場の歪曲が発生する。電場が歪曲された領域内に配置された垂直配向モードを有する液晶層２０８内に多重領域が形成され、視野角が向上される。
又、１つの透過窓２２９ｂ内に多重領域用開口部２３０ｂが配置され、有機膜２１４の段差がある部分が減少して画質が向上される。
又、間隔ｉ′が透過窓２２９ａ内に最短距離ｄの２倍なので、同じ形態を有する多重領域が生成される。

（実施例７）
図２５は本発明の第７実施例による液晶表示装置を示す平面図であり、図２６は図２５の液晶表示装置の透過窓内に形成された多重領域を示す平面図であり、図２７は図２５のVII−VII′に沿って切断した断面図である。本実施例において、多重領域用開口部を除いた残りの構成要素は実施例１と同じなので、重複された部分についての詳細な説明は省略する。
図２５及び図２７を参照すると、透過窓２２９ｃは、ソースライン２１８ａ′と平行な縦方向で延長された長方形形状である。

パッシベーション膜２１６は、薄膜トランジスタ２１９が形成された下部基板２２０上の全面に配置され、ドレイン電極２１８ｃの一部を露出するコンタクトホールを含む。
パッシベーション膜２１６は、液晶層２０８内に多重領域を形成するために、パッシベーション膜２１６の一部が除去された３つの多重領域用開口部２３０ｃを含む。多重領域用開口部２３０ｃは、透過窓２２９ｃの中心線と平行に配置され、縦方向で延長された長方形形状を有する。長方形の縦方向の長さ、及びゲートライン２１８ｂ′と平行な横方向の長さは、それぞれｗ１及びｗ２である。多重領域用開口部２３０ｃ間の間隔ｉ″は、透過窓２２９ｂの境界に隣接する多重領域用開口部２３０ｃの辺と境界との最短距離ｄと同じである。
好ましくは、それぞれの多重領域用開口部２３０ｃは、透過窓２２９ｃと同じ形状を有する。

多重領域用開口部２３０ｃが透過窓２２９ｃと同じ形状を有する場合、透過窓２２９ｃのソースライン２１８ａ′と平行な縦方向の長さ、及びゲートライン２１８ｂ′と平行な横方向の長さは、それぞれ（２ｄ＋２ｉ″＋３ｗ１）及び（２ｄ＋ｗ２）である。従って、透過窓２２９ｃの縦方向の長さ（２ｄ＋２ｉ″＋３ｗ１）と透過窓２２９ｃの横方向の長さ（２ｄ＋ｗ２）の比、及び開口部２３０ｃの縦方向の長さｗ１と開口部２３０ｃの横方向の長さｗ２の比は、下記の式を満足する。
ｄ＝ｉ″、及び
２ｄ＋２ｉ″＋３ｗ１：２ｄ＋ｗ２＝ｗ１：ｗ２

例えば、透過窓２２９ｃのサイズが、縦方向の長さ（２ｄ＋２ｉ″＋３ｗ１）及び横方向の長さ（２ｄ＋ｗ２）がそれぞれ２１０μｍ及び７０μｍである場合、多重領域用開口部２３０ｃの縦方向の長さｗ１及び横方向の長さｗ２は、それぞれ３０μｍ及び１０μｍである。
又、透過窓２２９ｃは、２個、４個、５個等の多重領域用開口部２３０ｃを含むこともできる。透過窓２２９ｃがｎ個の多重領域用開口部２３０ｃを含む場合、透過窓２２９ｃの縦方向の長さ及び横方向の長さは、それぞれ（２ｄ＋（ｎ−１）ｉ″＋３ｗ１）及び（２ｄ＋ｗ２）である。従って、透過窓２２９ｃの縦方向の長さ（２ｄ＋（ｎ−１）ｉ″＋３ｗ１）と透過窓２２９ｃの横方向の長さ（２ｄ＋ｗ２）の比、及び開口部２３０ｃの縦方向の長さｗ１と開口部２３０ｃの横方向の長さｗ２の比は、下記の式を満足する。
ｄ＝ｉ″、及び
２ｄ＋（ｎ−１）ｉ″＋３ｗ１：２ｄ＋ｗ２＝ｗ１：ｗ２
好ましくは、多重領域用開口部２３０ｃに対応するゲート絶縁膜２２６の一部も共に除去される。

図２６を参照すると、透過窓２２９ｃ内には１２の領域が形成される。８の領域のうち、４の領域はそれぞれの多重領域用開口部２３０ｃを中心としてそれぞれ４つの領域が形成される。４つの領域は、多重領域用開口部２３０ｃと透過窓２２９ｃの辺との間、及び多重領域用開口部２３０ｃの間にそれぞれ配置される。多重領域用開口部２３０ｃの上下に配置された領域は横方向で延長された形状を有し、多重領域用開口部２３０ｃの左右に配置された領域は縦方向で延長された形状を有する。

従って、透明電極２１２と共通電極２０６、及び反射電極２１３と共通電極２０６との間に電圧が印加されると、多重領域用開口部２３０ｃに隣接する領域内に電場の歪曲が発生する。液晶が垂直配向モードで配列される場合、歪曲された電場により液晶層２０８内に多重領域が形成され、視野角が向上される。
又、多重領域用開口部２３０ｃが透過窓２２９ｃと同じ形状を有するので、多重領域用開口部が四角形形状を有する場合より多様な形態の多重領域が生成される。

（実施例８）
図２８は本発明の第８実施例による液晶表示装置を示す平面図であり、図２９は図２８のVIII−VIII′に沿って切断した断面図である。本実施例において、実施例１と同じ構成要素については詳細な説明を省略する。
図２８及び図２９を参照すると、液晶表示装置は、第１基板３７０、第２基板３８０、及び液晶層３０８を含む。

第１基板３７０は、上部基板３００、ブラックマトリックス３０２、カラーフィルタ３０４、オーバーコーティング層３０５、共通電極３０６、及びスペーサ３１０を含む。
第２基板３８０は、下部基板３２０、薄膜トランジスタ３１９、ゲート絶縁膜３２６、パッシベーション膜３１６、透明電極３１２、及び反射電極３１３を含む。第２基板３８０は、画素領域３４０及び遮光領域３４５を含む。
画素領域３４０は、外部光を反射させる反射領域３４９及びバックライトアセンブリ（図示せず）から発生した光が透過される透過窓３２９を含む。

薄膜トランジスタ３１９及び透明電極３１２は、反射領域３２８内に配置され、反射電極３１３は透過窓３２９内に配置される。
遮光領域３４５は、画素領域３４０に隣接し配置される。ソースライン３１８ａ′、ゲートライン３１８ｂ′、駆動回路（図示せず）等は遮光領域３４５内に配置される。
ブラックマトリックス３０２は、遮光領域３４５に対応する上部基板３００上に配置される。
カラーフィルタ３０４は、ブラックマトリックス３０２が形成された上部基板３００上に形成され、所定の波長の光のみを選択的に透過させる。カラーフィルタ３０４は、反射電極３１３に対応し配置され、透過率を向上させるスリット３０３を含む。

オーバーコーティング層３０５ａ、３０５ｂ及び共通電極３０６は、ブラックマトリックス３０２及びカラーフィルタ３０４が形成された上部基板３００の全面に交互に配置される。透過窓３２９に対応する共通電極３０６ｂは、カラーフィルタ３０４上に配置されたオーバーコーティング層３０５ａ上に配置される。しかし、遮光領域３４５及び反射領域３２８に対応する共通電極３０６ａは、カラーフィルタ３０４とオーバーコーティング層３０５ｂとの間に配置される。

反射領域３２８に対応する液晶層３０８のセルギャップが、透過窓３２９に対応する液晶層３０８のセルギャップと同じであっても、透過窓３２９に対応する共通電極３０６ｂの高さと、遮光領域３４５及び反射領域３２８に対応する共通電極３０６ａの高さとが互いに異なるので、透過窓３２９に対応する液晶層３０８に形成される電界の強度が、反射領域３２８に対応する液晶層３０８に形成される電界の強度が異なる。
オーバーコーティング層３０５ａ、３０５ｂはカラーフィルタ３０４を保護し、ブラックマトリックス３０２及びカラーフィルタ３０４により形成された段差がある部分を平坦化する。

スペーサ３１０は、ブラックマトリックス３０２、カラーフィルタ３０４、オーバーコーティング層３０５ａ、３０５ｂ、及び共通電極３０６が形成された上部基板３００上に形成される。
薄膜トランジスタ３１９は、下部基板３２０上に形成され、ソース電極３１８ａ、ゲート電極３１８ｂ、ドレイン電極３１８ｃ、及び半導体層パターンを含む。
ストレージキャパシタ（図示せず）は、下部基板３２０上に形成され、共通電極３０６と反射電極３１３との間、及び共通電極３０６と透明電極３１２との間の電位差を維持させる。
ゲート絶縁膜３２６は、ゲート電極３１８ｂが形成された下部基板３２０の全面に配置され、ゲート電極３１８ｂをソース電極３１８ａ及びドレイン電極３１８ｃと電気的に絶縁する。

パッシベーション膜３１６は、薄膜トランジスタ３１９が形成された下部基板３２０上の全面に配置され、ドレイン電極３１８ｃの一部を露出するコンタクトホールを含む。
パッシベーション膜３１６及びゲート絶縁膜３２６は、３つの多重領域用開口部３３０を含む。多重領域用開口部３３０は、液晶層３０８内に多重領域を形成する。多重領域用開口部３３０は、透過窓３２９の中心線と平行に配置され、１辺の長さがｗである四角形形状を有する。多重領域用開口部３３０間の間隔ｉは、透過窓３２９の境界に隣接する多重領域用開口部３３０の辺と境界との最短距離ｄと同じである。

透明電極３１２は、パッシベーション膜３１６及びパッシベーション膜３１６の一部を露出するコンタクトホールの内面上に形成され、ドレイン電極３１８ｃと電気的に接続される。
反射電極３１３は、パッシベーション膜３１６及び透明電極３１２の一部上に配置され、外部光を反射させる。
液晶層３０８は、第１基板３７０と第２基板３８０との間に配置され、シーラント（図示せず）により密封される。
液晶層３０８を配向するために、第１基板３７０及び第２基板３８０の表面に配向膜（図示せず）を配置し、配向膜（図示せず）の表面を一定の方向でラビングする。

従って、反射領域３２８に対応する共通電極３０６ａの高さが、透過窓３２９に対応する共通電極３０６ｂの高さと異なるので、反射領域３２８に対応する液晶層３０８及び透過窓３２９に対応する液晶層３０８の光学条件を最適化することができる。

前述した構成を有する本発明によると、絶縁膜が多重領域用開口部を含み、液晶表示装置の視野角が増加して画質が向上される。
又、多重領域用開口部が第２基板上に配置されるので、第１基板と第２基板との整列が完全ではなくても、優れた品質の多重領域が生成される。この際、多重領域は互いに同じ形状又は互いに異なる形状を有することができる。
更に、多重領域用開口部をコンタクトホールと共に形成して、工程が単純化され製造費用が減少する。
又、一つの透過窓内に絶縁膜が複数の多重領域用開口部を含み、有機膜の段差がある部分の長さが減少して、液晶表示装置の画質が向上される。
又、反射領域に対応する共通電極の高さが、透過窓に対応する共通電極の高さと異なるので、液晶層の光学条件を最適化することができる。

以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。

本発明の第１実施例による液晶表示装置を示す平面図である。 図１の液晶表示装置の透過窓内に形成された多重領域を示す平面図である。 図１のI−I′に沿って切断した断面図である。 図１のII−II′に沿って切断した断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第２実施例による液晶表示装置を示す平面図である。 図１３の液晶表示装置の透過窓内に形成された多重領域を示す平面図である。 図１３のIII−III′に沿って切断した断面図である。 本発明の第３実施例による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第４実施例による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第５実施例による液晶表示装置を示す平面図である。 図１８の液晶表示装置の透過窓内に形成された多重領域を示す平面図である。 図１８のIV−IV′に沿って切断した断面図である。 図１８のV−V′に沿って切断した断面図である。 本発明の第６実施例による液晶表示装置を示す平面図である。 図２２の液晶表示装置の透過窓内に形成された多重領域を示す平面図である。 図２３のVI−VI′に沿って切断した断面図である。 本発明の第７実施例による液晶表示装置を示す平面図である。 図２５の液晶表示装置の透過窓内に形成された多重領域を示す平面図である。 図２５のVII−VII′に沿って切断した断面図である。 本発明の第８実施例による液晶表示装置を示す平面図である。 図２８のVIII−VIII′に沿って切断した断面図である。

符号の説明

１００、２００、３００ 上部基板
１０２、２０２、３０２ ブラックマトリックス
１０４、２０４、３０４ カラーフィルタ
１０６、２０６、３０６、３０６ａ、３０６ｂ 共通電極
１０８、２０８ 液晶層
１１０ スペーサ
１１２、２１２、３１２ 透明電極
１１３、２１３、３１３ 反射電極
１１４、１１４′、２１４ 有機膜
１１５、２１５ 突出部
１１６、２１６、３１６ パッシベーション膜
１１８ａ、２１８ａ、３１８ａ ソース電極
１１８ａ′、２１８ａ′、３１８ａ′ ソースライン
１１８ｂ、２１８ｂ、３１８ｂ ゲート電極
１１８ｂ′、２１８ｂ′、３１８ｂ′ ゲートライン
１１８ｃ、２１８ｃ、３１８ｃ ドレイン電極
１１９、２１９、３１９ 薄膜トランジスタ
１２０、２２０、３２０ 下部基板
１２６、２２６、３２６ ゲート絶縁膜
１２８、２２８、３４８ 反射領域
１２８ ビアコンタクトホール
１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄ、２２９ａ、２２９ｂ、２２９ｃ、３２９ 透過窓
１３０ａ、１３０ｂ、２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃ 多重領域用開口部
１４０、２４０、３４０ 画素領域
１４５、２４５、３４５ 遮光領域
１７０、２７０、３７０ 第１基板
１８０、２８０、３８０ 第２基板
３０５、３０５ａ、３０５ｂ オーバーコーティング層

Claims (39)

1. 画素領域を含む基板と、
   前記基板上に配置されたスイッチング素子と、
   前記基板上に形成され前記画素領域内に配置された多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む絶縁膜と、
   前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に配置され、前記スイッチング素子の電極に電気的に接続された画素電極と、
   を含むことを特徴とするアレイ基板。
2. 前記画素領域は、光を透過させる透過窓、及び外部光を反射させる反射領域を更に含み、前記多重領域用開口部は前記透過窓の中心線に対応して配置されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
3. 前記透過窓は、四角形、六角形、八角形、又は円形であることを特徴とする請求項２記載のアレイ基板。
4. 前記画素領域は２つの透過窓を含み、前記絶縁膜は２つの多重領域用開口部を含み、前記それぞれの多重領域用開口部は、前記それぞれの透過窓の中心線に対応して配置されることを特徴とする請求項３記載のアレイ基板。
5. 前記絶縁膜上に配置され多重領域を形成する突出部を含み、前記透過窓及び前記コンタクトホールに対応する前記画素領域の一部が開口される有機膜を更に含むことを特徴とする請求項２記載のアレイ基板。
6. 前記スイッチング素子は、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含み、前記アレイ基板は、前記ゲート電極が形成された前記基板上に配置され、前記ゲート電極を前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁し、前記多重領域用開口部に対応する部分が開口されたゲート絶縁膜を更に含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
7. 光を透過させる透過窓を含む画素領域、及び前記画素領域内に配置されたスイッチング素子が具備された基板と、
   スイッチング素子が配置された基板上に形成され、前記透過窓内に配置された複数の多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む絶縁膜と、
   前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に配置され、前記スイッチング素子の電極に電気的に接続された画素電極と、
   を含むことを特徴とするアレイ基板。
8. 前記透過窓の形状と前記それぞれの多重領域用開口部の形状とが同じであることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板。
9. 前記多重領域用開口部は、前記透過窓の中心線に沿って配列されることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板。
10. 前記透過窓の第１境界に隣接する前記多重領域用開口部の辺と、前記多重領域用開口部に隣接する前記第１境界との最短距離は、前記第１境界に垂直である前記透過窓の第２境界に隣接する前記多重領域用開口部の辺と、前記多重領域用開口部に隣接する前記第２境界との最短距離と同じであることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板。
11. 前記多重領域用開口部間の間隔が、前記最短距離と同じであることを特徴とする請求項１０記載のアレイ基板。
12. 前記絶縁膜は、３つの前記多重領域用開口部を含むことを特徴とする請求項１１記載のアレイ基板。
13. 前記多重領域用開口部間の間隔が、前記最短距離の２倍であることを特徴とする請求項１０記載のアレイ基板。
14. 前記絶縁膜は、２つの前記多重領域用開口部を含むことを特徴とする請求項１３記載のアレイ基板。
15. 前記透過窓は、前記基板を基準として縦方向で延長された長方形であり、前記それぞれの多重領域用開口部は、四角形であることを特徴とする請求項１０記載のアレイ基板。
16. 前記それぞれの多重領域用開口部は、前記基板を基準として縦方向で延長された長方形であることを特徴とする請求項１５記載のアレイ基板。
17. 前記絶縁膜上に配置され多重領域を形成する突出部を含み、前記透過窓に対応する前記画素領域の一部が開口される有機膜を更に含むことを特徴とする請求項７記載のアレイ基板。
18. 前記画素領域は外部光が反射される反射領域を更に含み、前記スイッチング素子は前記反射領域内に配置されることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板。
19. 前記アレイ基板は前記基板上に配置され、前記多重領域用開口部に対応する部分が開口されたゲート絶縁膜を更に含むことを特徴とする請求項７記載のアレイ基板。
20. 画素領域が画定された基板上にスイッチング素子を形成するステップと、
    前記画素領域内に配置された多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む絶縁膜を前記基板上に形成するステップと、
    前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に前記スイッチング素子の前記電極に電気的に接続される画素電極を形成するステップと、
    を含むことを特徴とするアレイ基板の製造方法。
21. 前記画素電極を形成するステップは、
    前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に透明電極を形成するステップと、
    前記絶縁膜上に多重領域を形成する突出部を含み、前記透過窓に対応する前記画素領域の一部が開口される有機膜を形成するステップと、
    前記画素領域内の反射領域内に外部光を反射させる反射電極を形成するステップと、
    を更に含むことを特徴とする請求項２０記載のアレイ基板の製造方法。
22. 前記画素電極を形成するステップは、
    前記絶縁膜上に多重領域を形成する突出部を含み、前記透過窓及び前記コンタクトホールに対応する前記画素領域の一部が開口される有機膜を形成するステップと、
    前記画素領域内の前記有機膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に透明電極を形成するステップと、
    前記画素領域内の反射領域内に外部光を反射させる反射電極を形成するステップと、
    を更に含むことを特徴とする請求項２０記載のアレイ基板の製造方法。
23. 光を透過させる透過窓を含む画素領域が画定された基板上に、前記透過窓内に配置された複数の多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む絶縁膜を形成するステップと、
    前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に前記スイッチング素子の電極に電気的に接続される画素電極を形成するステップと、
    を含むことを特徴とするアレイ基板の製造方法。
24. 前記基板上にゲート電極を形成するステップと、
    前記ゲート電極が形成された基板上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
    前記ゲート電極に対応する前記ゲート絶縁膜上に半導体層パターンを形成するステップと、
    前記半導体層パターンが形成された前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する部分に、ソース電極及び前記ソース電極に離隔するドレイン電極を形成してスイッチング素子を形成するステップと、
    を更に含むことを特徴とする請求項２３記載のアレイ基板の製造方法。
25. 前記絶縁膜を形成するステップは、
    前記スイッチング素子が形成された基板上に透明な絶縁物質を蒸着するステップと、
    前記蒸着された透明な絶縁物質及び前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記多重領域用開口部及び前記コンタクトホールを形成するステップと、
    を更に含むことを特徴とする請求項２４記載のアレイ基板の製造方法。
26. 前記絶縁膜を形成するステップは、
    前記スイッチング素子が形成された基板上に、透明な絶縁物質を蒸着するステップと、
    前記蒸着された透明な絶縁物質の一部をエッチングして、前記多重領域用開口部及び前記コンタクトホールを形成するステップと、
    を更に含むことを特徴とする請求項２４記載のアレイ基板の製造方法。
27. 前記絶縁膜上に多重領域を形成する突出部を含み、前記透過窓及び前記コンタクトホールに対応する部分が開口された有機膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項２３記載のアレイ基板の製造方法。
28. 前記画素電極を形成するステップは、
    前記画素領域内の前記有機膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に光を透過する透明電極を形成するステップと、
    前記画素領域内の反射領域内に外部光を反射させる反射電極を形成するステップと、
    を更に含むことを特徴とする請求項２７記載のアレイ基板の製造方法。
29. 前記画素電極を形成するステップは、
    前記絶縁膜上に多重領域を形成する突出部を含み、前記透過窓及び前記コンタクトホールに対応する前記画素領域の一部が開口される有機膜を形成するステップと、
    前記画素領域内の前記有機膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に透明電極を形成するステップと、
    前記画素領域内の反射領域内に外部光を反射させる反射電極を形成するステップと、
    を更に含むことを特徴とする請求項２３記載のアレイ基板の製造方法。
30. 光を透過させる透過窓を含む画素領域が画定された基板上にゲート電極を形成するステップと、
    前記ゲート電極が形成された基板上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
    前記ゲート絶縁膜上に半導体層パターン、ソース電極、及びドレイン電極を形成してスイッチング素子を形成するステップと、
    前記スイッチング素子が形成された基板の全面に透明な絶縁物質を蒸着するステップと、
    前記蒸着された透明な絶縁物質及び前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記透過窓内に配置された複数の多重領域用開口部及び前記ドレイン電極の一部を露出するコンタクトホールを形成するステップと、
    前記画素領域内の前記有機膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に透明電極を形成するステップと、
    前記画素領域内の反射領域内に外部光を反射させる反射電極を形成するステップと、
    を更に含むことを特徴とするアレイ基板の製造方法。
31. 第１基板と、
    画素領域を含む基板と、前記基板上に配置されたスイッチング素子と、前記基板上に形成され前記画素領域内に配置された多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含む絶縁膜と、前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に配置され、前記スイッチング素子の前記電極に電気的に接続された画素電極と、を含み、前記第１基板に対向する第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
    を含むことを特徴とする液晶表示装置。
32. 前記画素領域内に配置された透過窓を更に含み、前記多重領域用開口部は、前記透過窓の中心線に対応して配置されることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置。
33. 前記画素領域は、２つの多角形又は２つの円形透過窓を含むことを特徴とする請求項３２記載の液晶表示装置。
34. 第１基板と、
    画素領域を含む下部基板と、前記下部基板上に配置されたスイッチング素子と、前記画素領域内に配置された複数の多重領域用開口部、及び前記スイッチング素子の電極の一部を露出するコンタクトホールを含み、前記スイッチング素子が配置された下部基板上に形成される絶縁膜と、前記画素領域内の前記絶縁膜の表面、前記多重領域用開口部の内面、及び前記コンタクトホールの内面上に配置され、前記スイッチング素子の前記電極に電気的に接続された画素電極を含む第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
    を含むことを特徴とする液晶表示装置。
35. 前記液晶層は、前記第１基板を基準として垂直方向で配向されることを特徴とする請求項３４記載の液晶表示装置。
36. 前記画素領域は外部光を反射させる反射領域を更に含み、前記第１基板は上部基板及び前記上部基板の全面に配置された共通電極を含み、前記共通電極は前記上部基板の表面を基準として前記透過窓に対応する部分の高さが前記反射領域に対応する部分の高さより高いことを特徴とする請求項３４記載の液晶表示装置。
37. 前記第２基板は、前記絶縁膜上に配置され多重領域を形成する突出部を更に含み、前記透過窓及び前記コンタクトホールに対応する前記画素領域の一部が開口される有機膜を更に含むことを特徴とする請求項３４記載の液晶表示装置。
38. 前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記突出部に対応されるスペーサを更に含むことを特徴とする請求項３７記載の液晶表示装置。
39. 前記スペーサは、前記突出部に接触されることを特徴とする請求項３８記載の液晶表示装置。

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