TWI658607B - 液晶顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種液晶顯示面板包含第一陣列基板、第二陣列基板以及液晶層。第一陣列基板包含第一主電極以及第一副電極。第一主電極具有多個第一狹縫。兩相鄰之第一狹縫於第一方向上的節距為P1。第一副電極重疊於第一主電極。第二陣列基板包含第二主電極以及第二副電極。第二主電極具有多個第二狹縫。相鄰之第二狹縫於第一方向上的節距為P2。第一狹縫與第二狹縫於第一方向上具有錯位量V，0＜V＜P1。第二副電極重疊於第二主電極。液晶層位於第一陣列基板以及第二陣列基板之間。

Description

液晶顯示面板
本發明是有關於一種液晶顯示面板，且特別是有關於一種包含第一陣列基板以及第二陣列基板的液晶顯示面板。
近年來，隨著顯示技術的不斷進步，觀賞者對於顯示器之顯示品質的要求也越來越高。在液晶顯示裝置中，液晶反應時間是決定其性能的重要參數。為了縮短液晶顯示裝置的液晶反應時間，在一些畫素設計中往往導致暗區寬度的增加，暗區的寬度一但增加，液晶顯示裝置的整體亮度就勢必會下降，並嚴重的影響了液晶顯示裝置的影像品質。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。
本發明提供一種液晶顯示面板，其液晶反應時間短且亮度高。
本發明之至少一實施例提供一種液晶顯示面板包含第一陣列基板、第二陣列基板以及液晶層。第一陣列基板包含第一主電極以及第一副電極。第一主電極具有多個第一狹縫。相鄰之第一狹縫於第一方向上的節距為P1。第一副電極重疊於第一主電極。第二陣列基板包含第二主電極以及第二副電極。第二主電極具有多個第二狹縫。相鄰之第二狹縫於第一方向上的節距為P2。第一狹縫與第二狹縫於第一方向上具有錯位量V，0＜V＜P1。第二副電極重疊於第二主電極。液晶層位於第一陣列基板以及第二陣列基板之間。
本發明之目的之一為縮短液晶顯示面板之液晶反應時間。
本發明之目的之一為提升液晶顯示面板之亮度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部俯視示意圖。圖1B是沿圖1A線AA’之剖面示意圖。圖1C是圖1A之第一主電極以及第二主電極的局部俯視示意圖。為了方便說明，圖1A僅繪示出第一掃描線SL1、第一資料線DL1、第一主動元件T1、第一主電極ME1以及第二主電極ME2，並省略繪示了其他構件。
請參考圖1A~圖1C，液晶顯示面板10包含第一陣列基板100、第二陣列基板200以及液晶層LC。
第一陣列基板100包含第一主電極ME1以及第一副電極SE1。
請參考圖1A與圖1C，第一主電極ME1具有多個第一狹縫O1。相鄰之第一狹縫O1於第一方向DR1上的節距為P1。在本實施例中，多個第一狹縫O1的形狀呈蜂巢狀，藉此，液晶顯示面板10之液晶反應時間可以大幅縮短。在本實施例中，每個第一狹縫O1皆為六邊形，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一狹縫O1可為三邊形、四邊形、五邊形、六邊形、七邊形、八邊形、橢圓形或其他對稱幾何形狀。於第一方向DR1上，相鄰的第一狹縫O1互相對齊。於第二方向DR2上，相鄰的第一狹縫O1互相對齊。第一方向DR1交錯於第二方向DR2，舉例來說，第一方向DR1垂直於第二方向DR2。
請參考圖1A與圖1B，第一副電極SE1重疊於第一主電極ME1。第一副電極SE1例如是重疊於第一主電極ME1的多個第一狹縫O1。
在本實施例中，第一陣列基板100還包含第一基板110、第一掃描線SL1、第一資料線DL1、第一主動元件T1、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140以及絕緣層150。在一些實施例中，第一掃描線SL1實質上沿著第二方向DR2延伸，第一資料線DL1實質上沿著第一方向DR1延伸，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一資料線DL1實質上沿著第二方向DR2延伸，第一掃描線SL1實質上沿著第一方向DR1延伸，但本發明不以此為限。
第一主動元件T1位於第一基板110上。第一主動元件T1例如為底部閘極型薄膜電晶體或是頂部閘極型薄膜電晶體，其包括閘極G1、半導體通道層C1、源極S1以及汲極D1。第一主動元件T1的閘極G1電性連接至第一掃描線SL1，閘極G1舉例係為第一掃描線SL1之一部分。閘極G1與半導體通道層C1互相重疊，且閘極G1與半導體通道層C1之間夾有絕緣層120。源極S1以及汲極D1電性連接至半導體通道層C1。第一主動元件T1的源極S1電性連接至第一資料線DL1，源極S1舉例係為第一資料線DL1之一部分。絕緣層130覆蓋第一掃描線SL1、第一資料線DL1以及第一主動元件T1。第一主電極ME1或第一副電極SE1藉由開口H1而電性連接至第一主動元件T1的汲極D1，開口H1貫穿一層以上的絕緣層（例如貫穿絕緣層130）。在本實施例中，第一主動元件T1電性連接至第一副電極SE1，且第一副電極SE1係作為畫素電極，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一主動元件T1電性連接至第一主電極ME1。在本實施例中，第一主電極ME1具有對應於第一主動元件T1的開口OP1，開口OP1舉例係暴露第一主動元件T1之至少一部份，但本發明不以此為限。
絕緣層140覆蓋第一副電極SE1以及絕緣層130。第一主電極ME1位於絕緣層140上，且與第一副電極SE1分離。在本實施例中，第一主電極ME1作為共通電極。絕緣層150覆蓋第一主電極ME1。絕緣層150例如包括配向層。
第二陣列基板200包含第二主電極ME2以及第二副電極SE2。
第二主電極ME2具有多個第二狹縫O2。請參考圖1C，相鄰之第二狹縫O2於第一方向DR1上的節距為P2。在本實施例中，多個第二狹縫O2的形狀呈蜂巢狀，藉此，顯示面板之液晶反應時間可以大幅縮短。在本實施例中，每個第二狹縫O2皆為六邊形，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二狹縫O2包括三邊形、四邊形、五邊形、六邊形、七邊形、八邊形、橢圓形或其他對稱幾何形狀。在本實施例中，第二狹縫O2與第一狹縫O1具有相同的形狀及尺寸，但本發明不以此為限。在本實施例中，P1=P2。於第一方向DR1上，相鄰的第二狹縫O2互相對齊。於第二方向DR2上，相鄰的第二狹縫O2互相對齊。
從垂直第一基板110的第三方向DR3上觀察，第一狹縫O1與第二狹縫O2於第一方向DR1上具有錯位量V，0＜V＜P1，其中又以(1/8) P1＜V＜(3/8)P1較佳，V=(1/4)P1最佳。第一狹縫O1與第二狹縫O2於第二方向DR2上舉例係不具有錯位量。
第二副電極SE2重疊於第二主電極ME2。第二副電極SE2例如是重疊於第二主電極ME2的多個第二狹縫O2。
在本實施例中，請繼續參考圖1A及圖1B，第二陣列基板200還包含第二基板210、遮光層BM、濾光層F、保護層OC、第二掃描線SL2、第二資料線DL2、第二主動元件T2、絕緣層220、絕緣層230、絕緣層240以及絕緣層250。在一些實施例中，第二掃描線SL2實質上沿著第二方向DR2延伸，第二資料線DL2實質上沿著第一方向DR1延伸，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第二資料線DL2實質上沿著第二方向DR2延伸，第二掃描線SL2實質上沿著第一方向DR1延伸，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第二陣列基板200例如為彩色濾光基板，第二陣列基板200之濾光層F例如包括不同顏色的濾光圖案。遮光層BM例如位於不同顏色的濾光圖案之間。在一些實施例中，遮光層BM於垂直第二基板210的第三方向DR3上重疊於第二掃描線SL2、第二資料線DL2以及第二主動元件T2，在一些較佳的實施例中，遮光層BM於第三方向DR3上還重疊於第一掃描線SL1、第一資料線DL1以及第一主動元件T1，其中第三方向DR3例如垂直於第一基板110以及第二基板210。
在本實施例中，第二掃描線SL2與第二資料線DL2分別與第一掃描線SL1以及第一資料線DL1對位重疊，第二主動元件T2與第一主動元件T1對位重疊，但本發明不以此為限。
第二主動元件T2位於第二基板210上。第二主動元件T2例如為底部閘極型薄膜電晶體或是頂部閘極型薄膜電晶體，其包括閘極G2、半導體通道層C2、源極S2以及汲極D2。第二主動元件T2的閘極G2電性連接至第二掃描線SL2，閘極G2舉例係為第二掃描線SL2之一部分。閘極G2與半導體通道層C2互相重疊，且閘極G2與半導體通道層C2之間夾有絕緣層220。源極S2以及汲極D2電性連接至半導體通道層C2。第二主動元件T2的源極S2電性連接至第二資料線DL2，源極S2舉例係為第二資料線DL2之一部分。絕緣層230覆蓋第二掃描線SL2、第二資料線DL2以及第二主動元件T2。第二主電極ME2或第二副電極SE2藉由開口H2而電性連接至第二主動元件T2的汲極D2，開口H2貫穿一層以上的絕緣層（例如貫穿絕緣層230）。在本實施例中，第二主動元件T2電性連接至第二副電極SE2，且第二副電極SE2係作為畫素電極，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二主動元件T2電性連接至第二主電極ME2。在一些實施例中，第二主電極ME2具有對應於第二主動元件T2的開口OP2，開口OP2舉例係暴露第二主動元件T2之至少一部份，但本發明不以此為限。
絕緣層240覆蓋第二副電極SE2以及絕緣層230。第二主電極ME2位於絕緣層240上，且與第二副電極SE2分離。在本實施例中，第二主電極ME2作為共通電極。絕緣層250覆蓋第二主電極ME2。絕緣層250例如包括配向層。
液晶層LC位於第一陣列基板100以及第二陣列基板200之間。在一些較佳的實施例中，液晶層的雙折射率在攝氏溫度25度且波長為589.3奈米時為Δn=ne– no=0.118。間隙物P位於第一陣列基板100以及第二陣列基板200之間，且適於控制液晶層LC的厚度。
在本實施例中，第一主電極ME1與第一副電極SE1之間的電場會作用於液晶層LC而產生第一暗區及第一亮區，且第二主電極ME2與第二副電極SE2之間的電場亦會於液晶層LC中產生第二暗區及第二亮區。由於第一主電極ME1之第一狹縫O1與第二主電極ME2之第二狹縫O2互相錯位，因此，第一亮區與第二亮區亦會互相錯位。第一亮區與第二暗區可以於第三方向DR3重疊，且第二亮區與第一暗區可以於第三方向DR3重疊。藉此，穿過亮區（包括第一亮區與第二亮區）之光線的總量能夠提升，因此能夠增加顯示面板之整體亮度。
圖2是依照本發明的一實施例的一種第一主電極以及第二主電極的局部俯視示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖2之實施例與圖1C之實施例的差異在於：圖2之第二主電極ME2’的第二狹縫O2’與圖1之第二主電極ME2的第二狹縫O2具有不同的形狀。
請參考圖2，在本實施例中，第二狹縫O2’例如是由沿著第二方向DR2上排列的多個六邊型開孔連通而成，且第二主電極ME2’之單個第二狹縫O2’重疊於多個第一主電極ME1之第一狹縫O1。舉例而言，每個第二狹縫O2’是由沿著第二方向DR2上排列的三個六邊型開孔連通而成，且第二主電極ME2’之單個第二狹縫O2’重疊於三個第一主電極ME1之第一狹縫O1。
圖3是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖3之液晶顯示面板20與圖1B之液晶顯示面板10的差異在於：液晶顯示面板20之第二陣列基板200a的第二掃描線SL2、第二資料線DL2以及第二主動元件T2並未分別與第一掃描線SL1、第一資料線DL1以及第一主動元件T1對位重疊。
在本實施例中，第二陣列基板200a之第二掃描線SL2、第二資料線DL2、第二主動元件T2、第二主電極ME2以及第二副電極SE2例如分別與第一陣列基板100之第一掃描線SL1、第一資料線DL1、第一主動元件T1、第一主電極ME1以及第一副電極SE1具有相同的大小及形狀。換句話說，第二陣列基板200a之第二掃描線SL2、第二資料線DL2、第二主動元件T2、第二主電極ME2以及第二副電極SE2可以採用與第一陣列基板100之第一掃描線SL1、第一資料線DL1、第一主動元件T1、第一主電極ME1以及第一副電極SE1相同的製程參數而形成。因此，液晶顯示面板20之製程的複雜程度較低。
圖4是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4之液晶顯示面板30與圖1B之液晶顯示面板10的差異在於：液晶顯示面板30包括導電柱CP，且第二陣列基板200b不具有第二主動元件T2。
導電柱CP電性連接第二主電極ME2或第二副電極SE2至第一主動元件T1，亦即第二主電極ME2或第二副電極SE2藉由導電柱CP電性連接至第一主動元件T1。在本實施例中，第二陣列基板200b之第二副電極SE2透過導電柱CP而電性連接至第一主動元件T1的汲極D1。換句話說，第一陣列基板100之第一主動元件T1可以同時控制第一陣列基板100之第一副電極SE1以及第二陣列基板200b之第二副電極SE2。
在本實施例中，導電柱CP例如包括間隙物P以及覆蓋於其上的導電層M。導電柱CP例如穿過多層絕緣層和液晶層LC以電性連接第一副電極SE1以及第二副電極SE2。在本實施例中，導電柱CP還穿過第一主電極ME1的開口OP1以及第二主電極ME2的開口OP2，但本發明不以此為限。
基於上述，本實施例不需要於第二陣列基板200b中設置第二主動元件T2即可於液晶層中形成互相錯位的亮區。
圖5是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖5之液晶顯示面板40與圖1B之液晶顯示面板10的差異在於：第一陣列基板100c之第一主動元件T1電性連接至第一主電極ME1，且第二陣列基板200c之第二主動元件T2電性連接至第二主電極ME2。
在本實施例中，開口H1貫穿絕緣層130以及絕緣層140。第一主電極ME1透過開口H1而與第一主動元件T1的汲極D1電性連接。在本實施例中，第一主電極ME1作為畫素電極，且第一副電極SE1作為共通電極。
在本實施例中，開口H2貫穿絕緣層230以及絕緣層240。第二主電極ME2透過開口H2而與第二主動元件T2的汲極D2電性連接。在本實施例中，第二主電極ME2作為畫素電極，且第二副電極SE2作為共通電極。
圖6是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖6之液晶顯示面板50與圖5之液晶顯示面板30的差異在於：液晶顯示面板50包括導電柱CP。
在本實施例中，第二陣列基板200d不具有第二主動元件T2。第二陣列基板200d之第二主電極ME2透過導電柱CP而電性連接至第一主動元件T1的汲極D1。換句話說，第一陣列基板100d之第一主動元件T1可以同時控制第一陣列基板100d之第一主電極ME1以及第二陣列基板200d之第二主電極ME2。
在本實施例中，導電柱CP例如包括間隙物P以及覆蓋於其上的導電層M。導電柱CP例如穿過多層絕緣層和液晶層LC以電性連接第一主電極ME1以及第二主電極ME2。
基於上述，本實施例不需要於第二陣列基板200d中設置第二主動元件T2即可於液晶層中形成互相錯位的亮區。
圖7是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的局部剖面示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
在本實施例中，對第一主電極ME1、第一副電極SE1、第二主電極ME2以及第二副電極SE1施加電壓後，液晶層LC中之液晶分子L會由於外加電場的變化而轉動。在一些較佳的實施例中，液晶層的厚度為3.8微米至6.0微米，藉此，可以降低第一陣列基板100對液晶層LC產生的電場與第二陣列基板200對液晶層LC產生的電場互相干擾。在本實施例中，液晶層LC中包括虛擬牆DW，液晶層LC中之液晶分子L由於外加電場的變化而轉動，虛擬牆DW中具有轉動角度約小於25度之液晶分子L，舉例來說，虛擬牆DW中具有轉動角度約為0度之液晶分子L。非虛擬牆DW之至少部分液晶分子L的轉動角度大於0度，轉動角度舉例係大於25度。
在本實施例中，虛擬牆DW包括大致上位於液晶層LC中間的第一部分DW1以及從第一部分DW1往第一主電極ME1、第一副電極SE1、第二主電極ME2以及第二副電極SE2延伸的第二部分DW2。在圖7中，第一部分DW1及第二部分DW2以外之至少部分液晶分子L的轉動角度大於0度。第一部分DW1兩側之第二部分DW2實質上呈現錯位排列。在一些實施例中，虛擬牆DW大致上對應於液晶顯示面板暗區的位置。
圖8是依照一比較例的一種第一主電極的局部俯視示意圖。圖9A是依照本發明的一比較例的一種液晶顯示面板的暗區模擬圖。圖9B是依照本發明的實施例一的一種液晶顯示面板的暗區模擬圖。圖9C是依照本發明的實施例二的一種液晶顯示面板的暗區模擬圖。圖10A是依照本發明的一比較例的一種液晶顯示面板的光分佈圖。圖10B是依照本發明的實施例一的一種液晶顯示面板的光分佈圖。圖10C是依照本發明的實施例二的一種液晶顯示面板的光分佈圖。
圖9A與圖10A之比較例所對應的液晶顯示面板與圖1B之液晶顯示面板10之主要差異在於：比較例對應的液晶顯示面板不具有第二主動元件T2、第二主電極ME2以及第二副電極SE2。圖10A對應的液晶顯示面板中的第一主電極如圖8所示。
圖9B與圖10B係對應圖1B之液晶顯示面板。
圖9C與圖10C對應的液晶顯示面板與圖1B之液晶顯示面板10相似，差異在於：圖9C與圖10C對應的液晶顯示面板的第一主電極以及第二主電極的形狀如圖2之實施例所示。
圖9A~圖9C之黑色區域分別對應比較例、實施例一與實施例二之液晶顯示面板的暗區，也是液晶顯示面板中液晶效率較差的區域。圖9A~圖9C之白色區域則分別對應比較例、實施例一與實施例二之液晶顯示面板的亮區，也是液晶顯示面板中液晶效率較佳的區域。由圖9A~圖9C可以明顯發現，實施例一與實施例二的亮區明顯多於比較例的亮區。
比較例、實施例一與實施例二之液晶顯示面板的液晶層厚度（Cell-gap）、液晶效率、液晶反應時間以及對比度（CR）如表1所示：
[表1]
比較例 實施例一 實施例二
液晶層厚度 2.8µm 4.8µm 4.8µm
液晶效率 57% 76% 80%
液晶反應時間 121ms 120ms 134ms
對比度 600 800 840
由圖9A~圖9C以及圖10A~圖10C可以看出，實施例一與實施例二之液晶顯示面板的暗區面積明顯較比較例之液晶顯示面板小，因此，實施例一與實施例二之液晶顯示面板的液晶效率與對比度皆較比較例之液晶顯示面板還要高。實施例一之液晶反應時間較比較例之液晶反應時間短。此外，因實施例一及實施例二使用了足夠厚的液晶層厚度，故可有效產生虛擬牆，藉此使得虛擬牆中及虛擬牆外之液晶分子分別有特定的轉動角度，以達成本案之目的之一，較佳的液晶效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30、40、50‧‧‧液晶顯示裝置
100c、100d‧‧‧第一陣列基板
110‧‧‧第一基板
120、130、140、150、220、230、240、250‧‧‧絕緣層
200a、200b、200c、200d‧‧‧第二陣列基板
210‧‧‧第二基板
AA’‧‧‧線
BM‧‧‧遮光層
C1、C2‧‧‧半導體通道層
CP‧‧‧導電柱
D1、D2‧‧‧汲極
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
DR3‧‧‧第三方向
DL1‧‧‧第一資料線
DL2‧‧‧第二資料線
DW‧‧‧虛擬牆
DW1‧‧‧第一部分
DW2‧‧‧第二部分
F‧‧‧濾光層
G1、G2‧‧‧閘極
H1、H2、OP1、OP2‧‧‧開口
L‧‧‧液晶分子
LC‧‧‧液晶層
M‧‧‧導電層
ME1‧‧‧第一主電極
ME2、ME2’‧‧‧第二主電極
O1‧‧‧第一狹縫
O2、O2’‧‧‧第二狹縫
OC‧‧‧保護層
P‧‧‧間隙物
P1‧‧‧節距
P2‧‧‧節距
S1、S2‧‧‧源極
SL1‧‧‧第一掃描線
SL2‧‧‧第二掃描線
SE1‧‧‧第一副電極
SE2‧‧‧第二副電極
T1‧‧‧第一主動元件
T2‧‧‧第二主動元件
V‧‧‧錯位量
圖1A是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部俯視示意圖。 圖1B是沿圖1A線AA’之剖面示意圖。 圖1C是圖1A之第一主電極以及第二主電極的局部俯視示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的一種第一主電極以及第二主電極的局部俯視示意圖。 圖3是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部剖面示意圖。 圖4是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部剖面示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部剖面示意圖。 圖6是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部剖面示意圖。 圖7是依照本發明的一實施例的一種液晶顯示面板的局部剖面示意圖。 圖8是依照本發明的一比較例的一種第一主電極的局部俯視示意圖。 圖9A是依照本發明的一比較例的一種液晶顯示面板的暗區模擬圖。 圖9B是依照本發明的實施例一的一種液晶顯示面板的暗區模擬圖。 圖9C是依照本發明的實施例二的一種液晶顯示面板的暗區模擬圖。 圖10A是依照本發明的一比較例的一種液晶顯示面板的光分佈圖。 圖10B是依照本發明的實施例一的一種液晶顯示面板的光分佈圖。 圖10C是依照本發明的實施例二的一種液晶顯示面板的光分佈圖。

Claims (10)

  1. 一種液晶顯示面板，包含： 一第一陣列基板，包含： 一第一主電極，具有多個第一狹縫，其中兩相鄰之第一狹縫於一第一方向上的節距為P1；以及 一第一副電極，重疊於該第一主電極； 一第二陣列基板，包含： 一第二主電極，具有多個第二狹縫，其中兩相鄰之第二狹縫於該第一方向上的節距為P2，其中彼此相鄰之該第一狹縫與該第二狹縫於該第一方向上具有錯位量V，0＜V＜P1；以及 一第二副電極，重疊於該第二主電極；以及 一液晶層，位於該第一陣列基板以及該第二陣列基板之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板，其中(1/8)P1＜V＜(3/8)P1。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板，其中該些第一狹縫的形狀呈蜂巢狀，且該些第二狹縫的形狀呈蜂巢狀。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板，其中： 該第一陣列基板，更包含： 一第一掃描線以及一第一資料線，其中該第一掃描線實質上沿一第二方向延伸，該第二方向實質上垂直於該第一方向；以及 一第一主動元件，電性連接至該第一掃描線以及該第一資料線，且該第一主動元件電性連接至該第一主電極或該第一副電極。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的液晶顯示面板，其中： 該第二陣列基板，更包含： 一第二掃描線以及一第二資料線，分別與該第一掃描線以及該第一資料線對位重疊；以及 一第二主動元件，與該第一主動元件對位重疊，該第二主動元件電性連接至該第二掃描線以及該第二資料線，且該第二主動元件電性連接至該第二主電極或該第二副電極。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的液晶顯示面板，更包括： 一導電柱，其中該第二主電極或該第二副電極藉由該導電柱電性連接至該第一主動元件。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板，其中該液晶層的雙折射率在攝氏溫度25度且波長為589.3奈米時為Δn=ne– no=0.118。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板，其中P1=P2，且(1/8)P1＜V＜(3/8)P1。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的液晶顯示面板，其中該液晶層中包括一虛擬牆，該虛擬牆中具有轉動角度小於25度之液晶分子，且該虛擬牆兩側之至少部分液晶分子的轉動角度大於25度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示面板，其中該液晶層的厚度為3.8微米至6.0微米。
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