JPH0987851A - マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法 - Google Patents

マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法

Info

Publication number
JPH0987851A
JPH0987851A JP7243375A JP24337595A JPH0987851A JP H0987851 A JPH0987851 A JP H0987851A JP 7243375 A JP7243375 A JP 7243375A JP 24337595 A JP24337595 A JP 24337595A JP H0987851 A JPH0987851 A JP H0987851A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
chamber
substrate
magnetic field
microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7243375A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobumasa Suzuki
伸昌 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP7243375A priority Critical patent/JPH0987851A/ja
Priority to US08/714,445 priority patent/US5985091A/en
Priority to EP96115091A priority patent/EP0764969B1/en
Priority to DE69625149T priority patent/DE69625149D1/de
Priority to KR19960041213A priority patent/KR100220132B1/ko
Publication of JPH0987851A publication Critical patent/JPH0987851A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32688—Multi-cusp fields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低圧領域でも高密度かつ大面積均一なプラズ
マを維持できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
を提供する。 【解決手段】 プラズマ発生室１０１と、それにに連結
した処理室１１１と、該処理室内に設置される被処理基
体１１２を支持する手段と、該プラズマ発生室の周囲に
配された複数のスロットを備えて無終端環状導波管１０
３を用いるマイクロ波導入手段と、該プラズマ発生室及
び該成膜室内にガスを導入する手段１０４、１１５と排
気する手段１１６とで構成されるマイクロ波プラズマ処
理装置であって、該複数のスロットの中心を含む面に節
面をもち該スロット近傍の磁界の磁束密度は基板近傍の
磁界の磁束密度よりも大きいカスプ磁界を発生する手段
１０５を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波プラズ
マ処理装置及び方法に関する。更に詳しくは、本発明
は、大面積基体を低温で高速に高品質処理を行うため
に、１ｍＴｏｒｒ以下の低圧領域でも高密度かつ大面積
均一なプラズマを維持できるマイクロ波プラズマ処理装
置及び処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波をプラズマ生起用の励起源と
して使用するプラズマ処理装置としては、ＣＶＤ装置、
エッチング装置等が知られている。
【０００３】こうしたいわゆるマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置を使用する成膜は例えば次のように行われる。即
ち、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置のプラズマ発生室及
び成膜室内にガスを導入し、同時にマイクロ波エネルギ
ーを投入してプラズマ発生室内にプラズマを発生させガ
スを励起、分解して、成膜室内に配された基体上に堆積
膜を形成する。
【０００４】また、いわゆるマイクロ波プラズマエッチ
ング装置を使用する被処理基体のエッチング処理は、例
えば次のようにして行われる。即ち、該装置の被処理室
内にエッチャントガスを導入し、同時にマイクロ波エネ
ルギーを投入して該エッチャントガスを励起、分解して
該処理室内にプラズマを発生させ、これにより該処理室
内に配された被処理基体の表面をエッチングする。
【０００５】マイクロ波プラズマ処理装置においては、
ガスの励起源としてマイクロ波を使用することから、電
子を高い周波数をもつ電界により加速でき、ガス分子を
効率的に電離、励起させることができる。それ故、マイ
クロ波プラズマ処理装置については、ガスの電離効率、
励起効率及び分解効率が高く、高密度のプラズマを比較
的容易に形成し得る、低温で高速に高品質処理ができる
といった利点を有する。また、マイクロ波が誘電体を透
過する性質を有することから、プラズマ処理装置を無電
極放電タイプのものして構成でき、これが故に高清浄な
プラズマ処理を行い得るという利点もある。
【０００６】こうしたマイクロ波プラズマ処理装置の更
なる高速化のために、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）を利用したプラズマ処理装置が実用化されてきてい
る。ＥＣＲは、磁束密度８７．５ｍＴの場合、磁力線の
周りを電子が回転する電子サイクロトロン周波数が、マ
イクロ波の一般的な周波数２．４５ＧＨｚと一致し、電
子がマイクロ波を共鳴的に吸収して加速され、高密度プ
ラズマが発生する現象である。こうしたＥＣＲプラズマ
処理装置においては、マイクロ波導入手段と磁界発生手
段との構成について、代表的なものとして次の４つの構
成が知られている。
【０００７】即ち、（ｉ）導波管を介して伝送されるマ
イクロ波を被処理基体の対向面から透過窓を介して円筒
状のプラズマ発生室に導入し、プラズマ発生室の中心軸
と同軸の発散磁界をプラズマ発生室の周辺に設けられた
電磁コイルを介して導入する構成（ＮＴＴ方式）；（i
i）導波管を介して伝送されるマイクロ波を被処理基体
の対向面から釣鐘状のプラズマ発生室に導入し、プラズ
マ発生室の中心軸と同軸の磁界をプラズマ発生室の周辺
に設けられた電磁コイルを介して導入する構成（日立方
式）；（iii)円筒状スロットアンテナの一種であるリジ
ターノコイルを介してマイクロ波を周辺からプラズマ発
生室に導入し、プラズマ発生室の中心軸と同軸の磁界を
プラズマ発生室の周辺に設けられた電磁コイルを介して
導入する構成（リジターノ方式）；（iv）導波管を介し
て伝送されるマイクロ波を被処理基体の対向面から平板
状のスロットアンテナを介して円筒状のプラズマ発生室
に導入し、アンテナ平面に平行なループ状磁界を平面ア
ンテナの背面に設けられた永久磁石を介して導入する構
成（平面スロットアンテナ方式）、である。
【０００８】マイクロ波プラズマ処理装置の例として、
近年、マイクロ波の均一で効率的な導入装置として複数
のスロットが内側面に形成された環状導波管を用いた装
置が提案されている（特許出願番号Ｈ３−２９３０１
０）。このマイクロ波プラズマ処理装置を図５に示す。
１１０１はプラズマ発生室、１１０２はプラズマ発生室
１１０１を形成する石英管、１１０３はマイクロ波をプ
ラズマ発生室１１０１に導入するためのスロット付環状
導波管、１１０４はプラズマ発生用ガス導入手段、１１
１１はプラズマ発生室１１０１に連結した処理室、１１
１２は被処理基体、１１１３は基体１１１２の支持体、
１１１４は基体１１１２を加熱するヒータ、１１１５は
処理用ガス導入手段、１１１６は排気である。プラズマ
の発生及び処理は以下のようにして行う。排気系（不図
示）を介してプラズマ発生室１１０１内及び処理室１１
１１内を真空排気する。続いてプラズマ発生用ガスをガ
ス導入口１１０４を介して所定の流量でプラズマ発生室
１１０１内に導入する。次に排気系（不図示）に設けら
れたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、プラズ
マ発生室１１０１内を所定の圧力に保持する。マイクロ
波電源（不図示）より所望の電力を環状導波管１１０３
を介してプラズマ発生室１１０１内に供給する。電子が
マイクロ波電界により加速され、プラズマ発生室１１０
１内に高密度プラズマが発生する。このときに処理用ガ
ス導入管１１１５を介して処理用ガスを処理室１１１１
内に導入しておくと処理用ガスは発生した高密度プラズ
マにより励起され、支持体１１１３上に載置された被処
理基体１１１２の表面を処理する。この際用途に応じ
て、プラズマ発生用ガス導入口１１０４に処理用ガスを
導入してもよい。
【０００９】このようなマイクロ波プラズマ処理装置を
用いることにより、大口径空間に均一な電子温度３ｅＶ
以下、電子密度１０12／ｃｍ2 台の低温高密度プラズマ
が発生でき、ガスを充分に反応させ活性な状態で基板に
供給できるので、低温でも高品質で高速な処理が可能に
なる。
【００１０】しかしながら、図１１に示したような低温
高密度プラズマを発生するマイクロ波プラズマ処理装置
を用いて、低温で処理を行う場合、性能上より有利にな
る１ｍＴｏｒｒ以下の圧力領域で電子密度が低下し、放
電が不安定にある等の不充分点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、上述した従来のマイクロ波プラズマ処理装置におけ
る問題点を解決し、低温で高品質な処理を高速に行うた
めに、１ｍＴｏｒｒ以下の低圧領域でも高密度かつ大面
積均一なプラズマを維持できるプラズマ処理装置及びプ
ラズマ処理方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、従来の
マイクロ波プラズマ処理装置における上述した問題点を
解決し、上記目的を達成すべく鋭意努力した結果、概
要、前記スロット付環状導波管の複数のスロットの中心
を含む面に節面をもち該基板支持手段に略垂直な磁力線
をもち該スロット近傍の磁界の磁束密度は基板近傍の磁
界の磁束密度よりも大きいカスプ磁界を発生する手段を
設けることにより、低温で高品質な処理を高速に行うた
めに１ｍＴｏｒｒ以下の低圧領域でも高密度かつ大面積
均一なプラズマを維持できるという知見を得て完成され
たもので、前記目的は以下の手段によって達成される。
【００１３】即ち、本発明は、プラズマ発生室と、該プ
ラズマ発生室に連結した処理室と、該処理室内に設置さ
れる被処理基体を支持する手段と、該プラズマ発生室の
周囲に配された複数のスロットを備えて無終端環状導波
管を用いるマイクロ波導入手段と、該プラズマ発生室及
び該成膜室内にガスを導入する手段と、該プラズマ発生
室及び該成膜室内を排気する手段とで構成されるマイク
ロ波プラズマ処理装置であって、該複数のスロットの中
心を含む面に節面をもち該スロット近傍の磁界の磁束密
度は基板近傍の磁界の磁束密度よりも大きいカスプ磁界
を発生する手段を有することを特徴とするマイクロ波プ
ラズマ処理装置を提案するものであり、前記スロット近
傍の磁界がマイクロ波の周波数の略３．５７×１０-11
（Ｔ／Ｈｚ）倍の磁束密度をもつこと、前記基体支持手
段に略垂直な磁力線をもつこと、前記磁界発生手段が、
前記環状導波管を挟んで上下に配された電磁コイルであ
ること、前記真空容器内のプラズマ発生領域とは隔離さ
れた位置に基体支持手段が配されていること、前記被処
理基体表面に紫外光を照射する手段を有すること、前記
基体支持手段に高周波バイアスを印加する手段を有する
ことを含む。
【００１４】また、本発明はプラズマ発生室と、該プラ
ズマ発生室に連結した処理室と、該処理室内に設置され
る被処理基体を支持する手段と、該プラズマ発生室の周
囲に配された複数のスロットを備えた無終端環状導波管
を用いるマイクロ波導入手段と、該複数のスロットの略
中心を含む節面をもつ磁力線をもち該スロット近傍の磁
界の磁束密度は基板近傍の磁界の磁束密度よりも大きい
カスプ磁界を発生する手段と、該プラズマ発生室及び該
処理室内にガスを導入する手段と、該プラズマ発生室及
び該処理室内を排気する手段とで構成されるマイクロ波
プラズマ処理装置を用いて、該基体支持体上に被処理基
体を設置する工程と、該プラズマ発生室及び該処理室内
を排気する工程と、該プラズマ発生室及び該処理室内に
ガスを導入し所定の圧力に保持する工程と、該プラズマ
発生室にマイクロ波を導入すると共に磁界を供給してプ
ラズマを発生せしめ該基体を処理する工程とを含むこと
を特徴とするマイクロ波プラズマ処理方法を提案するも
のであり、前記処理はエッチングであること、前記処理
は、ＣＶＤであること、紫外光照射手段を用い、薄膜形
成中に前記被覆基体表面上に紫外光を照射すること、前
記被処理基体はプラスチック基板であることを含む。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して更
に詳細に説明する。
【００１６】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置を図
１に示す。１０１はプラズマ発生室、１０２はプラズマ
発生室１０１を形成する石英管、１０３はマイクロ波を
プラズマ発生室１０１に導入するためのスロット付環状
導波管、１０４はプラズマ発生用ガス導入手段、１０５
はスロット付環状導波管１０３の複数のスロットの中心
を含む面に節面をもち該基板支持手段に略垂直な磁力線
をもち該スロット近傍の磁界の磁束密度は基板近傍の磁
界の磁束密度よりも大きいカスプ磁界を発生する磁界発
生手段、１１１はプラズマ発生室に連結した処理室、１
１２は被処理基体、１１３は基体１１２の支持体、１１
４は基体１１２を加熱するヒータ、１１５は処理用ガス
導入手段、１１６は排気である。
【００１７】プラズマの発生及び処理は以下のようにし
て行う。排気系（不図示）を介してプラズマ発生室１０
１内及び処理室１１１内を真空排気する。続いてプラズ
マ発生用ガスをガス導入口１０４を介して所定の流量で
プラズマ発生室１０１内に導入する。次に排気系（不図
示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調
整し、プラズマ発生室１０１内及び処理室１１１を所定
の圧力に保持する。磁界発生手段１０５を用いてプラズ
マ発生室１０１内にカスプ磁界を発生すると共に、マイ
クロ波電源（不図示）より所望の電力を環状導波管１０
３を介してプラズマ発生室１０１内に供給することによ
りプラズマ発生室１０１内にプラズマが発生する。この
ときに処理用ガス導入管１１５を介して処理用ガスを処
理室１１１１内に導入しておくと処理用ガスは発生した
高密度プラズマにより励起され、支持体１１３上に載置
された被処理基体１１２の表面上に成膜する。この際用
途に応じて、プラズマ発生用ガス導入口１０４に処理用
ガスを導入してもよい。
【００１８】スロット付環状導波管の複数のスロットの
中心を含む面に節面をもち該基板支持手段に略垂直な磁
力線をもち該スロット近傍の磁界の磁束密度は基板近傍
の磁界の磁束密度よりも大きいカスプ磁界を発生するこ
とにより、電子が磁力線に沿ってスロット近傍から基板
近傍へ長行程を磁力線の周りに回転しながら拡散し、か
つ電子の壁への拡散・再結合による損失が抑えられるの
で、低温で高品質な処理を高速に行うために１ｍＴｏｒ
ｒ以下の低圧領域でも高密度かつ大面積均一なプラズマ
を維持することが可能になる。
【００１９】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置にお
いて用いられるマイクロ波周波数は、０．８ＧＨｚ乃至
２０ＧＨｚの範囲から適宜選択することができる。
【００２０】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置にお
いて用いられる導波管の形状は、円筒状ものでも、プラ
ズマ発生室の形状によって円盤状や多角形等他の形でも
よい。
【００２１】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置にお
いて用いられる磁界発生手段としては、スロット付環状
導波管の複数のスロットの中心を含む面に節面をもち基
板支持手段に略垂直な磁力線をもちスロット近傍の磁界
の磁束密度は基板近傍の磁界の磁束密度よりも大きいカ
スプ磁界を発生できるものなら、コイル以外でも、永久
磁石でも使用可能である。コイルを用いる場合には過熱
防止のための水冷機構や空冷等他の冷却手段を用いても
よい。ここにスロット付環状導波管の複数のスロットの
中心を含む面の節面とはカスプ磁界の磁力線が横切らな
い面をいう。また、処理のより高品質化のため、紫外光
を基体表面に照射してもよい。光源としては、被処理基
体もしくは基体上に付着したガスに吸収される光を放射
するものなら適用可能で、エキシマレーザ、エキシマラ
ンプ、希ガス共鳴線ランプ、低圧水銀ランプ等が適当で
ある。
【００２２】本発明のマイクロ波プラズマ処理方法にお
ける発生室内もしくは処理室内の圧力は好ましくは０．
０５ｍＴｏｒｒ乃至１．０ｍＴｏｒｒの範囲から選択す
ることができる。
【００２３】本発明のマイクロ波プラズマ処理方法によ
る堆積膜の形成は、使用するガスを適宜選択することに
よりＳｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 ，Ｔ
ｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＭｇＦ2 等の絶縁膜、ａ−
Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＳｉＣ，ＧａＡｓ等の半導体
膜、Ａｌ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ等の金属膜等、各種の
堆積膜を効率よく形成することが可能である。
【００２４】本発明のプラズマ処理方法によりする基体
は、半導体であっても、導電性のものであっても、ある
いは電気絶縁性のものであってもよいが、耐熱性の低い
プラスチック等の基体の場合、特に効果を発揮する。
【００２５】導電性基体としては、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，
Ａｌ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等の金
属またはこれらの合金、例えば真鍮、ステンレス鋼等が
挙げられる。
【００２６】絶縁性基体としては、ＳｉＯ2 系の石英や
各種ガラス、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＮａＣｌ，ＫＣｌ，ＬｉＦ，
ＣａＦ2 ，ＢａＦ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＮｇＯ等の
無機物、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、セロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド等の
有機物のフィルムシート等が挙げられる。
【００２７】薄膜形成用ガスとしては、一般に公知のガ
スが使用できる。プラズマの作用で容易に分解され単独
でも堆積し得るガスは、化学量論的組成の達成やプラズ
マ発生室内の膜付着防止のため成膜室内の成膜用ガス導
入手段等を介して成膜室内へ導入することが望ましい。
また、プラズマの作用で容易に分解されにくく単独では
堆積し難いガスは、プラズマ発生室内のプラズマ発生用
ガス導入口を介してプラズマ発生室内へ導入することが
望ましい。
【００２８】ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＳｉＣ等のＳ
ｉ系半導体薄膜を形成する場合の成膜ガス導入手段を介
して導入するＳｉ原子を含有する原料としては、ＳｉＨ
4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 等の無機シラン類、テトラエチルシラン
（ＴＥＳ）、テトリアメチルシラン（ＴＭＳ）、ジメチ
ルシラン（ＤＭＳ）等の有機シラン類、ＳｉＦ4 ，Ｓｉ
2 Ｆ6 ，ＳｉＨＦ3 ，ＳｉＨ2 Ｆ2 ，ＳｉＣｌ4 ，Ｓｉ
2 Ｃｌ6 ，ＳｉＨＣｌ 3 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨ3 Ｃ
ｌ，ＳｉＣｌ2 Ｆ2 等のハロシラン類等、常温常圧でガ
ス状態であるものまたは容易にガス化し得るものが挙げ
られる。また、この場合のプラズマ発生用ガス導入口を
介して導入するプラズマ発生用ガスとしては、Ｈ2 ，Ｈ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎが挙げられる。
【００２９】Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 等のＳｉ化合物系薄
膜を形成する場合の成膜用ガス導入手段を介して導入す
るＳｉ原子を含有する原料としては、ＳｉＨ4 ，Ｓｉ2
Ｈ6等の無機シラン類、テトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、オクタメチ
ルシクロテトラシラン（ＯＭＣＴＳ）等の有機シラン
類、ＳｉＦ4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 ，ＳｉＨＦ3 ，ＳｉＨ2 Ｆ
2 ，ＳｉＣｌ4 ，Ｓｉ2 Ｃｌ6 ，ＳｉＨＣｌ3 ，ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨ3 Ｃｌ，ＳｉＣ2 Ｆ2 等のハロシラン
類等、常温常圧でガス状態であるものまたは容易にガス
化し得るものが挙げられる。また、この場合のプラズマ
発生用ガス導入口を介して導入する原料としては、Ｎ
2 ，ＮＨ3 ，Ｎ2 Ｈ4 ，ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤ
Ｓ）、Ｏ2 ，Ｏ 3 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＮＯ2 等が
挙げられる。
【００３０】Ａｌ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ等の金属薄膜
を形成する場合の成膜用ガス導入手段を介して導入する
金属原子を含有する原料としては、トリメチルアルミニ
ウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ
ｌ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジ
メチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タン
グステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6 ）、モリブデンカル
ボニル（Ｍｏ（ＣＯ）6）、トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）等の有機金
属、ＡｌＣｌ3 ，ＷＦ6 ，ＴｉＣｌ3 ，ＴａＣｌ5 等の
ハロゲン化金属等が挙げられる。また、この場合のプラ
ズマ発生用ガス導入口を介して導入するプラズマ発生用
ガスとしては、Ｈ2 ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，
Ｒｎが挙げられる。
【００３１】Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ
2 ，ＴｉＮ，ＷＯ3 等の金属化合物薄膜を形成する場合
の成膜用ガス導入手段を介して導入する金属原子を含有
する原料としては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
ｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）、トリイソ
ブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジメチルアルミニ
ウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タングステンカルボ
ニル（Ｗ（ＣＯ）6 ）、モリブデンカルボニル（Ｍｏ
（ＣＯ）6 ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリ
エチルガリウム（ＴＥＧａ）等の有機金属等が挙げられ
る。ＡｌＣｌ3 ，ＷＦ6 ，ＴｉＣｌ3 ，ＴａＣｌ5 等の
ハロゲン化金属等が挙げられる。また、この場合のプラ
ズマ発生用ガス導入口を介して導入するプラズマ発生用
ガスとしては、Ｏ2 ，Ｏ3 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，Ｎ
Ｏ2 ，Ｎ2 ，ＮＨ3 ，Ｎ2 Ｈ4 ，ヘキサメチルジシラザ
ン（ＨＭＤＳ）等が挙げられる。
【００３２】また本発明のマイクロ波プラズマ処理装置
を表面改質にも適用する場合、使用するガスを適宜選択
することにより例えば基体もしくは表面層としてＳｉ，
Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｔａ等を使用してこれら基体もしく
は表面層の酸化処理あるいは窒化処理更にはＢ，Ａｓ、
Ｐ等のドーピング処理等が可能である。更に本発明にお
いて採用する成膜技術はクリーニング方法にも適用でき
おる。その場合酸化物あるいは有機物や重金属等のクリ
ーニングに使用することもできる。
【００３３】基体を酸化表面処理する場合のプラズマ発
生用ガス導入口を介して導入する酸化性ガスとしては、
Ｏ2 、Ｏ3 ，Ｈ2 Ｏ，Ｎｏ，Ｎ2 Ｏ，ＮＯ2 等が挙げら
れる。また、基体を窒化表面処理する場合のプラズマ発
生用ガス導入口を介して導入する窒化性ガスとしては、
Ｎ2 ，ＮＨ3 ，Ｎ2 Ｈ4 ，ヘキサメチルジシラザン（Ｈ
ＭＤＳ）等が挙げられる。この場合成膜しないので、処
理用ガス導入手段を介して処理用ガスは導入しない、も
しくはプラズマ発生用ガス導入口を介して導入するガス
と同様のガスを導入する。
【００３４】基体表面の有機物をクリーニングする場合
のプラズマ発生用ガス導入口から導入するクリーニング
用ガスとしては、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ，Ｎｏ，Ｎ2 Ｏ，
ＮＯ 2 等が挙げられる。また、基体表面の無機物をクリ
ーニングする場合のプラズマ発生用ガス導入口から導入
するクリーニング用ガスとしては、Ｆ2 ，ＣＦ4 ，ＣＨ
2 Ｆ2 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＦ2 Ｃｌ2 ，ＳＦ6 ，ＮＦ3 等が
挙げられる。この場合成膜しないので、成膜用ガス導入
手段を介して原料ガスは導入しない、もしくはプラズマ
発生用ガス導入口を介して導入するガスと同様のガスを
導入する。
【００３５】
【実施例】以下装置の実施例を挙げて本発明のマイクロ
波プラズマ処理装置をより具体的に説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３６】実施例１ 本発明の一例であるマイクロ波プラズマ処理装置を図１
に示す。１０１はプラズマ発生室、１０２はプラズマ発
生室１０１を構成する石英管、１０３はマイクロ波をプ
ラズマ発生室１０１に導入するためのスロット付環状導
波管、１０４はプラズマ発生用ガス導入手段、１０５は
磁界発生手段、１１１はプラズマ発生室に連結した処理
室、１１２は被処理基体、１１３は基体１１２の支持
体、１１４は基体１１２を加熱するヒータ、１１５は処
理用ガス導入手段、１１６は排気である。
【００３７】環状導波管１０３は、内壁断面の寸法がＷ
ＲＴ−２規格導波管と同じ２７ｍｍ×９６ｍｍであっ
て、中心径が３５４ｍｍである。環状導波管１０３の材
質は、機械的強度を保つためステンレス鋼で構成されて
いて、その内壁面にはマイクロ波の伝搬損失を抑えるた
め銅をコーティングした上に更に銀をコーティングした
二層メッキが施されている。環状導波管１０３には、マ
イクロ波をプラズマ発生室１０１へ導入するためのスロ
ットが形成されている。スロットの形状は長さ４２ｍ
ｍ、幅２ｍｍの矩形であり、管内波長の１／４間隔に形
成されている。管内波長は、使用するマイクロ波の周波
数と導波管の断面の寸法に依存するが、周波数２．４５
ＧＨｚのマイクロ波と上記の寸法を導波管を用いた場合
は約１５９ｍｍである。使用した環状導波管１０３で
は、スロットは約４０ｍｍ間隔で２８個形成されてい
る。
【００３８】環状導波管１０３には、４Ｅチューナ、方
向性結合器、アイソレータ、２．４５ＧＨｚの周波数を
もつマイクロ波電源（不図示）が順に接続されている。
【００３９】プラズマの発生及び処理は以下のようにし
て行う。排気系（不図示）を介してプラズマ発生室１０
１内及び処理室１１１内を真空排気する。続いてプラズ
マ発生用のガスをガス導入口１０４を介して所定の流量
でプラズマ発生室１０１内に導入する。次に排気系（不
図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を
調整し、プラズマ発生室１０１内及び処理室１１１内を
所定の圧力に保持する。プラズマ発生室１０１内に、磁
界発生手段１０５を介して所望の磁界を発生する共に、
マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を環状導波管
１０３を介して供給することによりプラズマ発生室１０
１内にプラズマが発生する。このときに処理用ガス導入
管１１５を介して処理用ガスを処理室１１１内に導入し
ておくと処理用ガスは発生した高密度プラズマにより励
起され、支持体１１３上に載置された被処理基体１１２
の表面を処理する。この際用途に応じて、プラズマ発生
用ガス導入口１０４に処理ガスを導入してもよい。
【００４０】図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置
を使用して、Ａｒ流量５００ｓｃｃｍ、圧力１ｍＴｏｒ
ｒ、マイクロ波パワー３．０ｋＷ、最大磁束密度９０ｍ
Ｔの条件でプラズマを発生させ、得られたプラズマの計
測を行った。プラズマ計測は、シングルプローブ法によ
り以下のようにして行った。プローブに印加する電圧を
−５０から＋５０Ｖの範囲で変化させ、プローブに流れ
る電流をＩーＶ測定器により測定し、得られたＩ−Ｖ曲
線からラングミュアらの方法により電子密度、電子温
度、プラズマ電位を算出した。その結果、電子密度は
２．７×１０12／ｃｍ3 （φ２００面内）、電子温度
３．６ｅＶであり、低圧にも関わらず高密度なプラズマ
が形成されていることが確認された。
【００４１】実施例２ 本発明の一例である隔離プラズマ処理装置を図２に示
す。２０１はプラズマ発生室、２０２はプラズマ発生室
２０１を形成する石英管、２０３はマイクロ波をプラズ
マ発生室２０１に導入するためのスロット付環状導波
管、２０４はプラズマ発生用ガス導入手段、２０５は磁
界発生手段、２１１はプラズマ発生室に連結した処理
室、２１２は被処理基体、２１３は基体２１２の支持
体、２１４は基体２１２を加熱するヒータ、２１５は処
理用ガス導入手段、２１６は排気である。プラズマ−基
体間隔を装置例１と比較し１００ｍｍ離してある。
【００４２】プラズマの発生及び処理は以下のようにし
て行う。排気系（不図示）を介してプラズマ発生室２０
１内及び処理室２１１内を真空排気する。続いてプラズ
マ発生用のガスをガス導入口２０４を介して所定の流量
でプラズマ発生室２０１内に導入する。次に排気系（不
図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を
調整し、プラズマ発生室２０１内を所定の圧力に保持す
る。次いで直流電源（不図示）より所望の電力をコイル
２０５に供給しプラズマ発生する２０１内に磁界を発し
させた後、プラズマ発生室２０１内にマイクロ波電源
（不図示）より所望の電力を環状導波管２０３を介して
供給する。コイル２０５によりプラズマ発生室２０１内
に生じた磁力線の廻り螺旋運動する電子がマイクロ波を
共鳴的に吸収して加速され、プラズマ発生室２０１内に
更に高密度プラズマが発生する。このときに処理用ガス
導入管２１５を介して処理用ガスを処理室２１１内に導
入しておくと処理用ガスは、発生した高密度プラズマに
より励起されたプラズマ発生用ガスと反応し、支持体２
１３上に載置された被覆基体２１２の表面を処理する。
この際用途に応じて、プラズマ発生用ガス導入口２０４
に処理ガスを導入してもよい。
【００４３】実施例３ 本発明の一例である光アシストプラズマ処理装置を図３
に示す。３０１はプラズマ発生室、３０２はプラズマ発
生室３０１を形成する石英管、３０３はマイクロ波をプ
ラズマ発生室３０１に導入するためのスロット付環状導
波管、３０４はプラズマ発生用ガス導入手段、３０５は
磁界発生手段、３１１はプラズマ発生室に連結した処理
室、３１２は被処理基体、３１３は基体３１２の支持
体、３１４は基体３１２を加熱するヒータ、３１５は処
理用ガス導入手段、３１６は排気、３２１は基体３１２
の表面に紫外光を照射するための照明系、３２２は照明
系３２１からの可視紫外光をプラズマ発生室３０１を通
して処理室３１１へ導入する光導入窓である。
【００４４】プラズマの発生及び処理は以下のようにし
て行なう。排気系（不図示）を介してプラズマ発生室３
０１内及び処理室３１１内を真空排気する。続いて照明
系３２１からの可視紫外光を光導入窓３２２を通して基
体３１２表面に照射する共に基体３１２を所望の温度に
保持する。更にプラズマ発生用のガスをガス導入口３０
４を介して所定の流量でプラズマ発生室３０１に導入す
る。次に排気系（不図示）に設けられたコンダクタンス
バルブ（不図示）を調整し、プラズマ発生室３０１内を
所定の圧力に保持する。プラズマ発生室３０１内に磁界
発生手段３０５を介して磁界を発生するともにマイクロ
波電源（不図示）より所望の電力を環状導波管３０３を
介して供給することによりプラズマ発生室３０１内にプ
ラズマが発生する。このときに処理ガス導入管３１５を
介して処理用ガスを処理室３１１内に導入しておくと処
理用ガスは発生した高密度プラズマにより励起され、支
持体３１３上に載置された被処理基体３１２の表面を処
理する。このとき表面は紫外光により活性化されるの
で、より高品質な処理が可能になる。この際用途に応じ
て、プラズマ発生用ガス導入口３０４に処理用ガスを導
入してもよい。
【００４５】照明系３２１の光源としては、低圧水銀ラ
ンプ、キセノン−水銀ランプ、重水素ランプ、Ａｒ共鳴
線ランプ、Ｋｒ共鳴線ランプ、Ｘｅ共鳴線ランプ、エキ
シマランプ、エキシマレーザ、Ａｒ+ レーザ高調波、Ｎ
2 レーザ、ＹＡＧレーザ高調波等、基体表面もしくは基
体表面に付着したガスまたは前駆体に吸収される波長を
有する光源ならいずれのものも使用可能である。
【００４６】実施例４ 本発明の一例であるバイアスプラズマ処理装置を図４に
示す。４０１はプラズマ発生室、４０２はプラズマ発生
室４０１を形成する石英管、４０３はマイクロ波をプラ
ズマ発生室４０１に導入するためのスロット付環状導波
管、４０４はプラズマ発生用ガス導入手段、４０５は磁
界発生手段、４１１はプラズマ発生室に連結したプラズ
マ発生室、４１２は被処理基体、４１３は基体４１２の
支持体、４１４は基体４１２を加熱するヒータ、４１５
は処理用ガス導入手段、４１６は排気、４１７は基体支
持体４１２にバイアスを印加する高周波供給手段であ
る。プラズマの発生及び処理は以下のようにして行う。
排気系（不図示）を介してプラズマ発生室４０１内及び
処理室４１１内を真空排気する。続いてヒータ４１４を
介して基体４１２を所望の温度に加熱、保持する。更に
プラズマ発生用のガスをガス導入口４０４を介して所定
の流量でプラズマ発生室４０１内に導入する。次に排気
系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図
示）を調整し、プラズマ発生室４０１内を所定の圧力に
保持する。プラズマ発生室４０１内に磁界発生手段４０
５を介して磁界を発生すると共にマイクロ波電源（不図
示）より所望の電力を環状導波管４０３を介して供給す
ることによりプラズマ発生室４０１内にプラズマが発生
する。
【００４７】更に高周波供給手段４１７を介して基体支
持体４１３に高周波を印加することにより基体表面に自
己バイアスが発生する。このときに処理用ガス導入管４
１５を介して処理用ガスを発生室４１１内に導入してお
くと処理用ガスは発生した高密度プラズマにより励起さ
れ、発生したイオンは自己バイアスにより加速され、支
持体４１３上に載置された被処理基体４１２の表面を処
理する。この際用途に応じて、プラズマ発生用ガス導入
口４０４に処理用ガスを導入してもよい。
【００４８】高周波供給手段４１７の周波数は、１００
ｋＨｚから２０ＭＨｚ、就中１ＭＨｚから５ＭＨｚが放
電安定性・自己バイアスの点で最適である。
【００４９】以下、本発明の処理方法の実施例を挙げて
本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ方法をより具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
【００５０】実施例５ 図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、光
磁気ディスク用窒化シリコン膜の形成を行った。
【００５１】基体１１２としては、１．２μｍ幅グルー
プ付きのポリカーボネート（ＰＣ）基板（φ３．５イン
チ）を使用した。まず、ＰＣ基板１１２を基体支持体１
１３上に設置した後、排気系（不図示）を介してプラズ
マ発生室１０１及び成膜室１１１内を真空排気し、１０
-6Ｔｏｒｒまで減圧させた。プラズマ発生用ガス導入口
１０４を介して窒素ガスを１００ｓｃｃｍ、アルゴンガ
スを６００ｓｃｃｍの流量でプラズマ発生室１０１内に
導入した。同時に、成膜用ガス導入手段１１５を介して
モノシランガスを２００ｓｃｃｍの流量で成膜室１１１
内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けられた
コンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、成膜室１１
１内を５ｍＴｏｒｒに保持した。プラズマ発生室１０１
内に、磁界発生手段１０５を介して最大磁束密度９０ｍ
Ｔの磁界を発生すると共に２．４５ＧＨｚのマイクロ波
電源より３．０ｋＷの電力を環状導波管１０３を介して
供給した。かくして、プラズマ発生室１０１内にプラズ
マを発生させた。この際、プラズマ発生用ガス導入口１
０４を介して導入された窒素ガスはプラズマ発生室１０
１内で励起、分解されて活性種となり、シリコン基板１
１２の方向に輸送され、成膜用ガス導入手段１１５を介
して導入されたモノシランガスと反応し、窒化シリコン
膜がシリコン基板１１２上に１２秒の間に１００ｎｍの
厚さで形成された。成膜後、屈折率等の膜質について評
価した。
【００５２】得られた窒化シリコン膜の成膜速度は、５
００ｎｍ／ｍｉｎと極めて大きく、膜質も屈折率２．
２、密着性・耐久性良好な極めて良質な膜であることが
確認された。また密度は２．９ｇ／ｃｍ3 であり、磁界
を供給しない場合（２．７ｇ／ｃｍ3 ）よりも緻密な膜
が形成された。
【００５３】実施例６ 図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、プ
ラスチックレンズ反射防止用酸化シリコン膜及び窒化シ
リコン膜の形成を行った。
【００５４】基体１１２としては、直径５０ｍｍプラス
チック凸レンズを使用した。レンズ１１２を基体支持台
１１３上に設置した後、排気系（不図示）を介してプラ
ズマ発生室１０１及び成膜室１１１内を真空排気し、１
０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。プラズマ発生用ガス
導入口１０４を介して窒素ガスを１５０ｓｃｃｍの流量
でプラズマ発生室２０１内に導入した。同時に、成膜用
ガス導入手段１１５を介してモノシランガスを１００ｓ
ｃｃｍの流量で成膜室１１１内に導入した。次いで、排
気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不
図示）を調整し、成膜室１１１内を１ｍＴｏｒｒに保持
した。次いで、直流電源（不図示）より電力をコイル１
０６に供給しプラズマ発生室１０１内に最大磁束密度９
０ｍＴの磁界を発生させた後、２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波電源（不図示）より３．０ｋＷの電力を環状導波管
１０３を介してプラズマ発生室１０１内に供給した。か
くして、プラズマ発生室１０１内にプラズマを発生させ
た。この際、プラズマ発生用ガス導入口１０４を介して
導入された窒素ガスはプラズマ発生室１０１内で励起、
分解されて窒素原子等の活性種となり、レンズ１１２の
方向に輸送され、成膜用ガス導入手段１１５を介して導
入されたモノシランガスと反応し、窒化シリコン膜がレ
ンズ１１２上に２１ｎｍの厚さで形成された。
【００５５】次に、プラズマ発生用ガス導入口１０４を
介して酸素ガスを２００ｓｃｃｍの流量でプラズマ発生
室１０１内に導入した。同時に、成膜用ガス導入手段１
１５を介してモノシランガスを１００ｓｃｃｍの流量で
成膜室１１１内に導入した。次いで、排気系（不図示）
に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整
し、成膜室１１１内を１ｍＴｏｒｒに保持した。次い
で、直流電源（不図示）より電力をコイル１０６に供給
しプラズマ発生室１０１内に最大磁束密度９０ｍＴの磁
界を発生させた後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
（不図示）より２．０ｋＷの電力を環状導波管１０３を
介してプラズマ発生室１０１内に供給した。かくして、
プラズマ発生室１０１内にプラズマを発生させた。この
際、プラズマ発生用ガス導入口１０４を介して導入され
た酸素ガスは、プラズマ発生室１０１内で励起、分解さ
れて酸素原子等の活性種となり、ガラス基板１１２の方
向に輸送され、成膜用ガス導入手段１１５を介して導入
されたモノシランガスと反応し、酸化シリコン膜がガラ
ス基板１１２上に８６ｎｍの厚さで形成された。成膜
後、成膜速度、反射特性について評価した。
【００５６】得られた窒化シリコン膜及び酸化シリコン
膜の成膜速度はそれぞれ３００ｎｍ／ｍｉｎ、３６０ｎ
ｍ／ｍｉｎと良好で、膜質も５００ｎｍ付近の反射率が
０．３％と極めて良好な光学特性であることが確認され
た。
【００５７】実施例７ 図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半
導体素子保護用窒化シリコン膜の形成を行った。
【００５８】基体１１２としては、Ａｌ配線パターン
（ラインアンドスペース０．５μｍ）が形成された層間
ＳｉＯ2 膜付きＰ型単結晶シリコン（面方位＜１００
＞、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、シリコン基
板１１２を基体支持体１１３上に設置した後、排気系
（不図示）を介してプラズマ発生室１０１及び成膜室１
１１内を真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させ
た。続いてヒータ（不図示）に通電し、シリコン基板１
１２を３００℃に加熱し、該基板をこの温度に保持し
た。プラズマ発生用ガス導入口１０４を介して窒素ガス
を５００ｓｃｃｍの流量でプラズマ発生室１０１内に導
入した。同時に、成膜用ガス導入手段１１５を介してモ
ノシランガスを１００ｓｃｃｍの流量で成膜室１１１内
に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けられたコ
ンダクタンスバルブ（不図示）を調整し成膜室１１１内
を５ｍＴｏｒｒに保持した。次いで、直流電源（不図
示）より電力をコイル１０６に供給しプラズマ発生室１
０１内に最大磁束密度９０ｍＴの磁界を発生させた後、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より３．０
ｋＷの電力を環状導波管１０３を介して供給した。かく
して、プラズマ発生室１０１内にプラズマを発生させ
た。この際、プラズマ発生用ガス導入口１０８を介して
導入された窒素ガスはプラズマ発生室１０１内で励起、
分解されて活性種となり、シリコン基板１１２の方向に
輸送され、成膜用ガス導入手段１１５を介して導入され
たモノシランガスと反応し、窒化シリコン膜がシリコン
基板１１２上に１，０μｍの厚さで形成した。成膜後、
成膜速度、応力等の膜質について評価した。応力は成膜
前後の基板の反り量の変化をレーザ干渉計Ｚｙｇｏ（商
品名）で測定し求めた。
【００５９】得られた窒化シリコン膜の速度はそれぞれ
４６０ｎｍ／ｍｉｎと極めて大きく、膜質も応力１．１
×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 （圧縮）、リーク電流１．２×
１０ -10 Ａ／ｃｍ2 、絶縁耐圧９ＭＶ／ｃｍと極めて良
質な膜であることが確認された。
【００６０】実施例８ 図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半
導体素子ＢＰＳＧ膜のエッチングを行った。
【００６１】基体１１２としては、ポリシリコンパター
ン（ラインアンドスペース０．５μｍ）上に１μｍ厚の
ＢＰＳＧ膜が形成されたＰ型単結晶シリコン基板（面方
位＜１００＞、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、
シリコン基板１１２を基体支持体１１３上に設置した
後、排気系（不図示）を介してプラズマ発生室１０１及
びエッチング室１１１内を真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒ
の値まで減圧させた。プラズマ発生用ガス導入口１０４
を介してＣＦ4 を３００ｓｃｃｍの流量でプラズマ発生
室１０１内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設
けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、プ
ラズマ発生室１０１内を０．５ｍＴｏｒｒに保持した。
次いで、直流電流（不図示）より電力をコイル１０６に
供給しプラズマ発生室１０１内に最大磁束密度９０ｍＴ
の磁界を発生させた後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電
源より１．５ｋＷの電力を環状導波管１０３を介してプ
ラズマ発生室１０１内に供給した。かくして、プラズマ
発生室１０１内にプラズマを発生させた。プラズマ発生
用ガス導入口１０４を介して導入れたＣＦ4 ガスはプラ
ズマ発生室１０１内で励起、分解されて活性種となり、
シリコン基板１１２の方向に輸送され、ＢＰＳＧ膜がエ
ッチングされた。エッチング後、エッチング速度選択
比、及びエッチング形状について評価した。エッチング
形状は、エッチングされた酸化シリコン膜の断面を走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測し、評価した。
【００６２】エッチング速度と対ポリシリコン選択比は
３００ｎｍ／ｍｉｎ、３０と良好で、エッチング形状も
略垂直で、マイクロローディング効果も少ないことが確
認された。
【００６３】実施例９ 図２に示した隔離プラズマ処理装置を使用し、半導体素
子ゲート絶縁用酸化シリコン膜の形成を行った。
【００６４】基体２１２としては、Ｐ型単結晶シリコン
（面方位＜１００＞、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。
シリコン基板２１２を基体支持体２１３上に設置した
後、排気系（不図示）を介してプラズマ発生室２０１及
び成膜室２１１内を真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値ま
で減圧させた。続いてヒータ（不図示）に通電し、シリ
コン基板２１２を３００℃に加熱し、シリコン基板２１
２をこの温度に保持した。プラズマ発生用ガス導入口２
０４を介して酸素ガスを２００ｓｃｃｍの流量でプラズ
マ発生室２０１内に導入した。同時に、成膜用ガス導入
手段２１５を介してモノシランガスを５０ｓｃｃｍの流
量で成膜室２１１内に導入した。次いで、排気系（不図
示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調
整し、プラズマ発生室２０１及び成膜室２１１内を２０
ｍＴｏｒｒに保持した。次いで、直流電源（不図示）よ
り電力をコイル２０６に供給しプラズマ発生室２０１内
に最大磁束密度９０ｍＴの磁界を発生させた後、２．４
５ＧＨｚのマイクロ波電源より１．５ｋＷの電力を環状
導波管２０３を介してプラズマ発生室２０１内に供給し
た。かくして、プラズマ発生室２０１内にプラズマを発
生させた。この際、プラズマ発生用ガス導入口２０４を
介して導入された酸素ガスは、プラズマ発生室２０１内
で励起、分解されて酸素原子等の活性種となり、シリコ
ン基板２１２の方向に輸送され、成膜用ガス導入手段２
１５を介して導入されたモノシランガスと反応し、酸化
シリコン膜がシリコン基板２１２上に０．１μｍの厚さ
で形成した。成膜後、成膜速度、均一性、リーク電流、
絶縁耐圧、及び界面準位密度について評価した。界面準
位密度は容量測定器により得られた１ＭＨｚの高周波印
加の場合のＣ−Ｖ曲線より求めた。
【００６５】得られた酸化シリコン膜の成膜速度と均一
性は１１０ｎｍ／ｍｉｎ±２．３％と良好で、膜質もリ
ーク電流４×１０-11 Ａ／ｃｍ2 、絶縁耐圧１１ＭＶ／
ｃｍ、界面準位密度６×１０10ｃｍ-2であって、極めて
良質な膜であることが確認された。
【００６６】実施例１０ 図３に示した光アシストマイクロ波プラズマ処理装置を
使用し、半導体素子層間絶縁用酸化シリコン膜の形成を
行った。
【００６７】基体３１２としては、最上部にＡｌパター
ン（ラインアンドスペース０．５μｍ）が形成されたＰ
型単結晶シリコン（面方位＜１００＞、抵抗率１０Ωｃ
ｍ）を使用した。まず、シリコン基板３１２を基体支持
体３１３上に設置した後、排気系（不図示）を介してプ
ラズマ発生室３０１及び成膜室３１１内を真空排気し、
１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。続いて照明系３２
１のＫｒＣｌ* エキシマランプを点灯してシリコン基板
３１２表面における光照度が２０ｍＷ／ｃｍ2となるよ
うに光をシリコン基板３１２の表面に照射した。続いて
ヒータ（不図示）に通電し、シリコン基板３１２を３０
０℃に加熱し、該基板をこの温度に保持した。プラズマ
発生用ガス導入口３０４を介して酸素ガスを５００ｓｃ
ｃｍの流量でプラズマ発生室３１１内に導入した。同時
に、成膜用ガス導入手段３１５からテトラエトキシシラ
ン（ＴＥＯＳ）ガスを２００ｓｃｃｍの流量で成膜室３
１１内に導入した。次いで、排気系（不図示）に設けら
れたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、プラズ
マ発生室３０１内を０．１Ｔｏｒｒ、成膜室３１１内を
０．５Ｔｏｒｒに保持した。次いで、直流電源（不図
示）より電力をコイル３０６に供給しプラズマ発生室３
０１内に最大磁束密度９０ｍＴの磁界を発生させた後、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より１．５ｋＷの電力
を環状導波管３０３を介してプラズマ発生室３０１内に
供給した。かくして、プラズマ発生室３０１内にプラズ
マを発生させた。この際、プラズマ発生用ガス導入口３
０４を介して導入された酸素ガスはプラズマ発生室３０
１内で励起、分解されて活性種となり、シリコン基板３
１２の方向に輸送され、成膜用ガス導入手段３１５を介
して導入されたテトラエトキシシランガスと反応し、酸
化シリコン膜がシリコン基板３１２上に０．８μｍの厚
さで形成した。成膜後、成膜速度、均一性、絶縁耐圧、
及び段差被覆性について評価した。段差被覆性は、Ａｌ
配線パターン上に成膜した酸化シリコン膜の断面を走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測し、段差上の膜厚に対す
る段差側壁上の膜厚の比（カバーファクタ）を求め評価
した。
【００６８】得られた酸化シリコン膜の成膜速度と均一
性は１８０ｎｍ／ｍｉｎ±２．７％と良好で、膜質も絶
縁耐圧９．３ＭＶ／ｃｍ、カバーファクタ０．９であっ
て、良質な膜であることが確認された。
【００６９】実施例１１ 図４に示したバイアスプラズマ処理装置を使用し、半導
体素子ゲート電極間ポリシリコン膜のエッチングを行っ
た。
【００７０】基体４１２としては、最上部にポリシリコ
ン膜が形成されたＰ型単結晶シリコン（面方位＜１００
＞、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、シリコン基
板４１２を基体支持体４１３上に設置した後、排気系
（不図示）を介してプラズマ発生室４０１及びエッチン
グ室４１１内を真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減
圧させた。プラズマ発生用ガス導入口４０４を介してＣ
Ｆ4 ガスを３００ｓｃｃｍ、酸素を２０ｓｃｃｍの流量
でプラズマ発生室４１１内に導入した。次いで、排気系
（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図
示）を調整し、プラズマ発生室４０１内を０．５Ｔｏｒ
ｒに保持した。次いで、直流電源（不図示）より電力を
コイル４０６に供給しプラズマ発生室４０１内に最大磁
束密度９０ｍＴの磁界を発生させた後、高周波印加手段
４１７を介して４００ｋＨｚに高周波を基板支持体４１
３に印加すると共に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
より５ｋＷの電力を環状導はかん波管４０３を介してプ
ラズマ発生室４０１内に供給した。かくして、プラズマ
発生室４０１内にプラズマを発生させた。プラズマ発生
用ガス導入口４０４を介して導入されたＣＦ4 ガス及び
酸素はプラズマ発生室４０１内で励起、分解されて活性
種となり、シリコン基板４１２の方向に輸送され、自己
バイアスにより加速されたイオンによりポリシリコン膜
がエッチングされた。エッチング後、エッチング速度、
選択比、及びエッチング形状について評価した。エッチ
ング形状は、エッチングされたポリシリコン膜の断面を
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測し、評価した。
【００７１】エッチング速度と対ＳｉＯ2 選択比はそれ
ぞれ６００ｎｍ／ｍｉｎ，３０と良好で、エッチング形
状も高周波を印加しない場合よいりも垂直で、マイクロ
ローディング効果も少ないことが確認された。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、スロット付環状導
波管の複数のスロットの中心を含む面に節面をもちスロ
ット近傍の磁界の磁束密度は基板近傍の磁界の磁束密度
よりも大きいカスプ磁界を発生する手段を設けることに
より、低温で高品質な処理を高速に行うために、１ｍＴ
ｏｒｒ以下の低圧領域でも高密度かつ大面積均一なプラ
ズマを維持できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方
法を提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例を示すマイクロ波プラズマ処理装
置の模式図である。
【図２】本発明の一例を示すマイクロ波隔離プラズマ処
理装置の模式図である。
【図３】本発明の一例を示す光アシストマイクロ波プラ
ズマ処理装置の模式図である。
【図４】本発明の一例を示すバイアスマイクロ波プラズ
マ処理装置の模式図である。
【図５】従来例の一例であるマイクロ波プラズマ処理装
置の模式図である。
【符号の説明】
１０１，２０１，３０１，４０１ プラズマ発生室 １０２，２０２，３０２，４０２ 石英管 １０３，２０３，３０３，４０３ スロット付環状導
波管 １０４，２０４，３０４，４０４ プラズマ発生用ガ
ス導入手段 １０５，２０５，３０５，４０５ 磁界発生手段 １１１，２１１，３１１，４１１ 処理室 １１２，２１２，３１２，４１２ 被処理基体 １１３，２１３，３１３，４１３ 支持体 １１４，２１４，３１４，４１４ ヒータ １１５，２１５，３１５，４１５ 処理用ガス導入手
段 １１６，２１６，３１６，４１６ 排気

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマ発生室と、該プラズマ発生室に
    連結した処理室と、該処理室内に設置される被処理基体
    を支持する手段と、該プラズマ発生室の周囲に配された
    複数のスロットを備えて無終端環状導波管を用いるマイ
    クロ波導入手段と、該プラズマ発生室及び該成膜室内に
    ガスを導入する手段と、該プラズマ発生室及び該成膜室
    内を排気する手段とで構成されるマイクロ波プラズマ処
    理装置であって、該複数のスロットの中心を含む面に節
    面をもち該スロット近傍の磁界の磁束密度は基板近傍の
    磁界の磁束密度よりも大きいカスプ磁界を発生する手段
    を有することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装
    置。
  2. 【請求項２】 前記スロット近傍の磁界がマイクロ波の
    周波数の略３．５７×１０-11 （Ｔ／Ｈｚ）倍の磁束密
    度をもつ請求項１に記載のマイクロ波プラズマ処理装
    置。
  3. 【請求項３】 前記基体支持手段に略垂直な磁力線をも
    つ請求項１または２記載のマイクロ波プラズマ処理装
    置。
  4. 【請求項４】 前記磁界発生手段が、前記環状導波管を
    挟んで上下に配された電磁コイルである請求項１乃至３
    のうちいずれか１項に記載のマイクロ波プラズマ処理装
    置。
  5. 【請求項５】 前記真空容器内のプラズマ発生領域とは
    隔離された位置に基体支持手段が配されている請求項１
    乃至４のうちいずれか１項に記載のマイクロ波プラズマ
    処理装置。
  6. 【請求項６】 前記被処理基体表面に紫外光を照射する
    手段を有する請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載
    のマイクロ波プラズマ処理装置。
  7. 【請求項７】 前記基体支持手段に高周波バイアスを印
    加する手段を有する請求項１乃至６のうちいずれか１項
    に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
  8. 【請求項８】 プラズマ発生室と、該プラズマ発生室に
    連結した処理室と、該処理室内に設置される被処理基体
    を支持する手段と、該プラズマ発生室の周囲に配された
    複数のスロットを備えた無終端環状導波管を用いるマイ
    クロ波導入手段と、該複数のスロットの略中心を含む節
    面をもつ磁力線をもち該スロット近傍の磁界の磁束密度
    は基板近傍の磁界の磁束密度よりも大きいカスプ磁界を
    発生する手段と、該プラズマ発生室及び該処理室内にガ
    スを導入する手段と、該プラズマ発生室及び該処理室内
    を排気する手段とで構成されるマイクロ波プラズマ処理
    装置を用いて、該基体支持体上に被処理基体を設置する
    工程と、該プラズマ発生室及び該処理室内を排気する工
    程と、該プラズマ発生室及び該処理室内にガスを導入し
    所定の圧力に保持する工程と、該プラズマ発生室にマイ
    クロ波を導入すると共に磁界を供給してプラズマを発生
    せしめ該基体を処理する工程とを含むことを特徴とする
    マイクロ波プラズマ処理方法。
  9. 【請求項９】 前記処理は、エッチングである請求項８
    に記載のマイクロ波プラズマ処理方法。
  10. 【請求項１０】 前記処理は、ＣＶＤである請求項８に
    記載のマイクロ波プラズマ処理方法。
  11. 【請求項１１】 紫外光照射手段を用い、薄膜形成中に
    前記被覆基体表面上に紫外光を照射する請求項８乃至１
    ０のうちいずれか１項に記載のマイクロ波プラズマ処理
    方法。
  12. 【請求項１２】 前記被処理基体はプラスチック基板で
    ある請求項８乃至１１のうちいずれか１項に記載のマイ
    クロ波プラズマ処理方法。
JP7243375A 1995-09-21 1995-09-21 マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法 Pending JPH0987851A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7243375A JPH0987851A (ja) 1995-09-21 1995-09-21 マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法
US08/714,445 US5985091A (en) 1995-09-21 1996-09-16 Microwave plasma processing apparatus and microwave plasma processing method
EP96115091A EP0764969B1 (en) 1995-09-21 1996-09-19 Microwave plasma processing apparatus and microwave plasma processing method
DE69625149T DE69625149D1 (de) 1995-09-21 1996-09-19 Mikrowellen-Plasmabearbeitungsgerät und Mikrowellen-Plasmabearbeitungsverfahren
KR19960041213A KR100220132B1 (ko) 1995-09-21 1996-09-20 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7243375A JPH0987851A (ja) 1995-09-21 1995-09-21 マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0987851A true JPH0987851A (ja) 1997-03-31

Family

ID=17102922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7243375A Pending JPH0987851A (ja) 1995-09-21 1995-09-21 マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5985091A (ja)
EP (1) EP0764969B1 (ja)
JP (1) JPH0987851A (ja)
KR (1) KR100220132B1 (ja)
DE (1) DE69625149D1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002103079A1 (fr) * 2001-06-14 2002-12-27 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Appareil de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma
JP2017168524A (ja) * 2016-03-14 2017-09-21 株式会社東芝 半導体製造装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531193B2 (en) 1997-07-07 2003-03-11 The Penn State Research Foundation Low temperature, high quality silicon dioxide thin films deposited using tetramethylsilane (TMS) for stress control and coverage applications
US6274459B1 (en) 1998-02-17 2001-08-14 Silicon Genesis Corporation Method for non mass selected ion implant profile control
JP3352418B2 (ja) 1999-01-28 2002-12-03 キヤノン株式会社 減圧処理方法及び減圧処理装置
JP2000312045A (ja) * 1999-02-26 2000-11-07 Tadahiro Omi レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法
US6458723B1 (en) 1999-06-24 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation High temperature implant apparatus
JP3419745B2 (ja) * 2000-02-28 2003-06-23 キヤノン販売株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2001267291A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Nec Corp 回路処理方法および装置、動作制御方法および装置、情報記憶媒体
US6873113B2 (en) 2000-04-13 2005-03-29 Tokyo Electron Limited Stand alone plasma vacuum pump
US6541781B1 (en) * 2000-07-25 2003-04-01 Axcelis Technologies, Inc. Waveguide for microwave excitation of plasma in an ion beam guide
US6729850B2 (en) 2001-10-31 2004-05-04 Tokyo Electron Limited Applied plasma duct system
US7219403B2 (en) * 2002-07-23 2007-05-22 The Procter & Gamble Company Fastening member comprising shaped tab
WO2007067086A1 (fr) * 2005-12-08 2007-06-14 Georgiy Yakovlevitch Pavlov Dispositif de traitement par plasma
KR100927995B1 (ko) * 2008-11-20 2009-11-24 한국기초과학지원연구원 전자 맴돌이 공명 이온원 장치 및 그의 제조방법
US8298372B2 (en) * 2009-04-20 2012-10-30 Applied Materials, Inc. Quartz window having gas feed and processing equipment incorporating same
TWI465158B (zh) * 2011-01-12 2014-12-11 Ind Tech Res Inst 微波電漿激發裝置
US20140042152A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Variable frequency microwave device and method for rectifying wafer warpage
US9435031B2 (en) 2014-01-07 2016-09-06 International Business Machines Corporation Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same
EP3291279B1 (en) * 2016-09-06 2021-05-05 Nano Coatings, S.L. Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy
JP2022504088A (ja) * 2018-10-02 2022-01-13 エヴァテック・アーゲー プラズマ支援原子層堆積（ｐｅａｌｄ）装置
CN116472598A (zh) * 2020-11-20 2023-07-21 朗姆研究公司 使用静态磁场的等离子体均匀性控制
KR20240034463A (ko) * 2022-09-07 2024-03-14 한국핵융합에너지연구원 공진 도파관에 의한 플라즈마 발생장치
KR20240034503A (ko) * 2022-09-07 2024-03-14 한국핵융합에너지연구원 튜너를 구비하는 공진 도파관에 의한 플라즈마 발생장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3750115T2 (de) * 1986-10-20 1995-01-19 Hitachi Ltd Plasmabearbeitungsgerät.
US5133826A (en) * 1989-03-09 1992-07-28 Applied Microwave Plasma Concepts, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source
US5370765A (en) * 1989-03-09 1994-12-06 Applied Microwave Plasma Concepts, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source and method of operation
EP0418540A3 (en) * 1989-08-11 1991-08-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Dry etching method
JP3042127B2 (ja) * 1991-09-02 2000-05-15 富士電機株式会社 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置
WO2004089046A1 (ja) * 1991-11-05 2004-10-14 Nobumasa Suzuki 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び該装置を備えたプラズマ処理装置
JP2886752B2 (ja) * 1991-11-05 1999-04-26 キヤノン株式会社 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び該装置を備えたプラズマ処理装置
DE4235914A1 (de) * 1992-10-23 1994-04-28 Juergen Prof Dr Engemann Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen
EP0626683B1 (en) * 1993-05-27 1999-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Microwave processing apparatus and process for producing an inorganic dielectrique film

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002103079A1 (fr) * 2001-06-14 2002-12-27 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Appareil de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma
US7156046B2 (en) 2001-06-14 2007-01-02 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Plasma CVD apparatus
JP2017168524A (ja) * 2016-03-14 2017-09-21 株式会社東芝 半導体製造装置
US11031212B2 (en) 2016-03-14 2021-06-08 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Semiconductor manufacturing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
DE69625149D1 (de) 2003-01-16
KR970015781A (ja) 1997-04-28
KR100220132B1 (ko) 1999-09-01
EP0764969A2 (en) 1997-03-26
EP0764969B1 (en) 2002-12-04
EP0764969A3 (en) 1997-11-12
US5985091A (en) 1999-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5803975A (en) Microwave plasma processing apparatus and method therefor
EP0880164B1 (en) Plasma processing apparatus provided with microwave applicator having annular waveguide and processing method
JPH0987851A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法
KR100554116B1 (ko) 멀티슬롯 안테나를 이용한 표면파 플라즈마 처리장치
JP2925535B2 (ja) 環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法
US20010048981A1 (en) Method of processing substrate
JP2008181710A (ja) プラズマ処理装置及び方法
JP3907444B2 (ja) プラズマ処理装置及び構造体の製造方法
JP3118121B2 (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ装置及び堆積膜形成方法
JPH07161489A (ja) 有磁場誘導結合プラズマ処理装置
JP3295336B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP3530788B2 (ja) マイクロ波供給器及びプラズマ処理装置並びに処理方法
JP4298049B2 (ja) 誘電体窓を用いたマイクロ波プラズマ処理装置
JP2001345312A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに構造体の製造方法
JPH07130494A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH10158846A (ja) バッチ式マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法
JP2001043997A (ja) プラズマ処理装置
JPH07153595A (ja) 有磁場誘導結合プラズマ処理装置
JP4669153B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および素子の製造方法
JPH0978244A (ja) プラズマｃｖｄ方法
JP2000138171A (ja) 円弧状スロット付無終端環状導波管、及びそれを用いたプラズマ処理装置及び処理方法
JPH11329792A (ja) マイクロ波供給器
JPH11193466A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH11167998A (ja) パラボラアンテナを用いたプラズマ処理装置および処理方法
JPH09209156A (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ装置及び方法