CN112786488A - 加热装置 - Google Patents

加热装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112786488A
CN112786488A CN202011208955.8A CN202011208955A CN112786488A CN 112786488 A CN112786488 A CN 112786488A CN 202011208955 A CN202011208955 A CN 202011208955A CN 112786488 A CN112786488 A CN 112786488A
Authority
CN
China
Prior art keywords
filament
specific
heating
wire
straight line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011208955.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112786488B (zh
Inventor
铃木佳祐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Publication of CN112786488A publication Critical patent/CN112786488A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112786488B publication Critical patent/CN112786488B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02Details
    • H05B3/03Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00Details of electric heating devices
    • H05B1/02Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227Applications
    • H05B1/023Industrial applications
    • H05B1/0233Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/18Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being embedded in an insulating material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/26Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
    • H05B3/265Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/68Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
    • H05B3/74Non-metallic plates, e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
    • H05B3/748Resistive heating elements, i.e. heating elements exposed to the air, e.g. coil wire heater
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/002Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Control And Other Processes For Unpacking Of Materials (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

本发明提供一种抑制由于加热丝部在多个特定部的周边密集而产生高温区域。加热装置包括:加热电极,其配置在板状体的内部,具有加热丝部;以及多个特定部(孔或导电部),其沿规定的排列方向排列。加热丝部具有第1加热丝部和配置在比第1加热丝部接近特定部的位置的第2加热丝部。将以最短距离连接第1特定部的中心和第1加热丝部的直线设为第1假想直线,将以最短距离连接与第1特定部相邻的第2特定部的中心和第1加热丝部的直线设为第2假想直线。第2加热丝部具有:凸状丝部分,其通过第1假想直线,且向第1加热丝部侧弯曲;以及凹状丝部分,其以避开第2假想直线的方式延伸,且向第1加热丝部的相反侧弯曲。

Description

加热装置
技术领域
本说明书公开的技术涉及一种具有加热电极的加热装置。
背景技术
例如作为制造半导体时配置晶圆的装置而使用静电吸盘。静电吸盘包括陶瓷构件和吸盘电极,所述陶瓷构件具有大致垂直于规定方向(以下称作“第1方向”)的大致平面状的表面(以下称作“吸附面”),所述吸盘电极设置在陶瓷构件的内部,利用通过对吸盘电极施加电压而产生的静电引力,将晶圆吸附保持在陶瓷构件的吸附面上。
当保持在静电吸盘的吸附面上的晶圆的温度没有达到所期望的温度时,有针对晶圆的各处理(成膜、蚀刻等)的精度降低的风险,因此,要求静电吸盘具有控制晶圆的温度分布的性能。因此,例如在陶瓷构件的内部设置有加热电极,该加热电极具有作为线状的电阻发热体的加热丝部。当对加热电极施加电压时,通过加热电极发热来对陶瓷构件进行加热,由此实现陶瓷构件的吸附面的温度控制(乃至保持在吸附面上的晶圆的温度控制)。
在此,在静电吸盘的陶瓷构件上例如存在如升降销用的通孔那样不能配置加热电极的加热丝部的特定部。因此,例如已知有以下技术,即,在第1方向上观察时,在加热电极具有同心圆状的多个加热丝部的结构中,以避开升降销用的通孔的方式来将一部分的加热丝部弯曲配置(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本实用新型登记第3182120号公报
发明内容
发明要解决的问题
在此,并不限于升降销用的通孔,例如,在陶瓷构件上形成的孔(例如气体流路)、被配置在陶瓷构件的内部的导电部(例如导电衬垫或通路)也能成为陶瓷构件中的上述特定部。因此,假想使在第1方向上观察时位于多个特定部附近的一个加热丝部的形状为,以避开该多个特定部中的每一个特定部的方式具有多个弯曲部分的形状。在这种结构中,由于多个加热丝部密集而产生高温区域的可能性较高。但是,在现有技术中,没有对该点进行充分研究。
此外,这样的技术问题并不限定于利用静电引力来保持晶圆的静电吸盘,在具有加热电极的加热装置(半导体制造用构件)中通常是共同的技术问题。
在本说明书中,公开一种能够至少解决一部分上述技术问题的技术。
用于解决问题的方案
本发明所公开的技术能够实现为以下方式。
(1)本说明书所公开的加热装置包括:板状体,其具有与第1方向大致垂直的第1表面;加热电极,其被配置在所述板状体的内部,具有在所述第1方向上观察时呈线状的电阻发热体即加热丝部;以及多个特定部,其被配置在所述板状体的内部,在所述第1方向上观察时沿规定的排列方向排列,分别是沿所述第1方向延伸的孔或导电部,该加热装置在所述第1表面配置对象物,所述加热电极所具有的所述加热丝部在所述第1方向上观察时具有:第1加热丝部,其沿所述排列方向延伸;以及第2加热丝部,其沿所述排列方向延伸,且被配置在比所述第1加热丝部接近所述多个特定部的位置,当将以最短距离连接所述多个特定部中的第1特定部的中心和所述第1加热丝部的直线设为第1假想直线,且将以最短距离连接所述多个特定部中的与所述第1特定部相邻的第2特定部的中心和所述第1加热丝部的直线设为第2假想直线时,所述第2加热丝部在所述第1方向上观察时具有:凸状丝部分,其通过所述第1假想直线,且向所述第1加热丝部侧弯曲成凸状;以及凹状丝部分,其以避开所述第2假想直线的方式延伸,且向所述第1加热丝部的相反侧弯曲成凹状。
本加热装置中,加热电极的加热丝部包括第1加热丝部和第2加热丝部,这些第1加热丝部和第2加热丝部均大致沿多个特定部的排列方向延伸。第2加热丝部配置于比第1加热丝部接近多个特定部的位置,具有与第1特定部对应而弯曲的凸状丝部分和与第2特定部对应而弯曲的凹状丝部分。即,凸状丝部分在第1方向上观察时,相对于第1特定部向与第1加热丝部相同的一侧弯曲成凸状。另一方面,凹状丝部分在第1方向观察时,相对于第2特定部向第1加热丝部的相反侧弯曲成凹状。因此,与例如加热电极的加热丝部相对于彼此相邻的第1特定部和第2特定部这二者向相同侧弯曲成凸状的结构相比,能够抑制由于在第1方向上观察时加热丝部在多个特定部的周边密集而产生高温区域。
(2)上述加热装置中,也可以构成为,所述第1特定部与所述第2特定部的中心间距离在60mm以下。根据本加热装置,特定部密集,因此,应用本发明特别有效。
(3)上述加热装置中,也可以构成为,所述多个特定部在所述第1特定部的相反侧具有与所述第2特定部相邻的第3特定部,当将以最短距离连接所述第3特定部和所述第1加热丝部的直线设为第3假想直线时,所述第2加热丝部还具有第2凸状丝部分,该第2凸状丝部分通过所述第3假想直线,且向所述第1加热丝部侧弯曲成凸状。根据本加热装置,例如与加热电极的加热丝部相对于彼此相邻的3个特定部全部向相同侧弯曲成凸状的结构相比,能够抑制由于在第1方向上观察时加热丝部在多个特定部的周边密集而产生高温区域。
(4)上述加热装置中,也可以构成为,所述第1特定部与所述第2特定部的中心间距离、和所述第2特定部与所述第3特定部的中心间距离均在60mm以下。根据本加热装置,特定部密集,因此,应用本发明特别有效。
(5)上述加热装置中,也可以构成为,所述第1加热丝部与对应于所述凹状丝部分的所述特定部的最短距离比所述第1加热丝部与对应于所述凸状丝部分的所述特定部的最短距离短。根据本加热装置,针对第1加热丝部,能够抑制与凹状丝部分对应的特定部附近的无益的形状变化,并且抑制由于加热丝部在与凸状丝部分对应的特定部的周边密集而产生高温的温度异常点。
(6)上述加热装置中,也可以构成为,所述加热电极所具有的所述加热丝部还包含第3加热丝部,该第3加热丝部在所述第1方向上观察时,沿所述排列方向延伸,且相对于所述第2加热丝部配置在所述第1加热丝部的相反侧,所述第3加热丝部与对应于所述凸状丝部分的所述特定部的最短距离比所述第3加热丝部与对应于所述凹状丝部分的所述特定部的最短距离短。根据本加热装置,针对第3加热丝部,能够抑制与凸状丝部分对应的特定部附近的无益的形状变化,并且抑制由于在第1方向观察时加热丝部在特定部的周边密集而产生高温的温度异常点。
(7)上述加热装置中,也可以构成为,所述板状体包括:陶瓷构件,其具有所述第1表面和所述第1表面相反侧的第2表面;基座构件,其具有第3表面,以所述第3表面位于所述陶瓷构件的所述第2表面侧的方式来配置,且由导热系数比所述陶瓷构件的导热系数高的材料形成;以及接合部,其配置在所述陶瓷构件的所述第2表面与所述基座构件的所述第3表面之间,使所述陶瓷构件和所述基座构件相接合,所述多个特定部中的至少1个特定部是在所述基座构件上形成的孔。根据本加热装置,能够抑制由于在基座构件上形成的孔而使基座构件的吸附效果产生误差,并且抑制由于在第1方向上观察时加热丝部在多个特定部的周边密集而产生高温区域。
此外,本说明书所公开的技术能够以各种形态来实现,例如能够以保持装置、静电吸盘、半导体制造用构件、CVD加热器等的加热器装置、真空吸盘、其他具有加热电极的加热装置、及其制造方法等的形态来实现。
附图说明
图1是概略地表示实施方式中的静电吸盘100的外观结构的立体图。
图2是概略地表示实施方式中的静电吸盘100的XZ截面结构的说明图。
图3是概略地表示实施方式中的静电吸盘100的XY平面(上表面)结构的说明图。
图4是表示图3的X1部分的加热电极50的布线图案的说明图。
图5是表示比较例的静电吸盘100a中的加热电极50a的布线图案的说明图。
图6是特定部的中心间距离L与特定部附近的相对温度ΔT(℃)间的关系的说明图。
附图标记说明
10:陶瓷构件;12:凹部;20:基座构件;21:制冷剂流路;22、32:通孔;30:接合部;40:吸盘电极;50、50a:加热电极;60(61、62):驱动电极;100、100a:静电吸盘;120:端子用孔;121:第1端子用孔;122:第2端子用孔;123:第3端子用孔;124:第4端子用孔;125:第5端子用孔;500、500a:加热丝部;510:第1加热丝部;512:第1凸状丝部分;520、520a:第2加热丝部;522、522a:第2凸状丝部分;524:第2凹状丝部分;530:第3加热丝部;532:第3凹状丝部分;540:第4加热丝部;542:第4凸状丝部分;550:第5加热丝部;560:第6加热丝部;562:第6凹状丝部分;570:第7加热丝部;711、712:供电侧通路;721、722:加热侧通路;731、732:电极焊盘;741、742:供电端子;B1:第1假想直线;B2:第2假想直线;HP:温度异常点;L:中心间距离;M:假想圆;MP:高温区域;S1:吸附面;W:晶圆。
具体实施方式
A.实施方式:
A-1.静电吸盘100的结构:
图1是概略地表示本实施方式中的静电吸盘100的外观结构的立体图,图2是概略地表示本实施方式中的静电吸盘100的XZ截面结构的说明图,图3是概略地表示本实施方式中的静电吸盘100的XY平面(上表面)结构的说明图。在各图中示出用于确定方向的彼此正交的XYZ轴。在本说明书中,为了便于说明,设Z轴正方向为上方向,设Z轴负方向为下方向,但静电吸盘100实际上也可以以与这种朝向不同的朝向来设置。
静电吸盘100是通过静电引力来吸附保持对象物(例如晶圆W)的装置,例如用于在半导体制造装置的真空腔内将晶圆W固定。静电吸盘100具有沿规定的排列方向(在本实施方式中为上下方向(Z轴方向))排列配置的陶瓷构件10和基座构件20。陶瓷构件10和基座构件20以陶瓷构件10的下表面S2(参照图2)与基座构件20的上表面S3在上述排列方向上相向的方式来配置。静电吸盘100相当于权利要求书中的板状体,上下方向相当于权利要求书中的第1方向。
陶瓷构件10是具有与上述的排列方向(Z轴方向)大致正交的大致圆形平面状的上表面(以下称作“吸附面”)S1的板状构件,由陶瓷(例如氧化铝、氮化铝等)形成。陶瓷构件10的直径例如在50mm以上且500mm以下左右(通常为200mm以上且350mm以下左右),陶瓷构件10的厚度例如在1mm以上且10mm以下左右。在本说明书中,将与Z轴方向正交的方向称为“面方向”,如图3所示,将面方向内、以吸附面S1的中心点Px为中心的圆周方向称为“圆周方向CD”,将面方向内、与圆周方向CD正交的方向称为“径向RD”。吸附面S1相当于权利要求书中的第1表面,下表面S2相当于权利要求书中的第2表面。
如图2所示,在陶瓷构件10的内部配置有由导电性材料(例如钨、钼、铂等)形成的吸盘电极40。在上下方向上观察时的吸盘电极40的形状例如为大致圆形。当从电源(未图示)对吸盘电极40施加电压时,产生静电引力,通过该静电引力将晶圆W吸附固定在陶瓷构件10的吸附面S1上。
另外,在陶瓷构件10的内部配置有用于进行陶瓷构件10的吸附面S1的温度控制(即,保持在吸附面S1上的晶圆W的温度控制)的加热电极50、和用于向加热电极50供电的结构。在后面对这些结构详细进行叙述。
基座构件20例如是直径与陶瓷构件10相同的、或者直径比陶瓷构件10大的圆形平面的板状构件,例如由金属(铝、铝合金等)形成。基座构件20的直径例如在220mm以上且550mm以下左右(通常在220mm以上且350mm以下),基座构件20的厚度例如在20mm以上且40mm以下左右。
基座构件20通过被配置在陶瓷构件10的下表面S2与基座构件20的上表面S3之间的接合部30,来与陶瓷构件10相接合。接合部30例如由硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂等粘合材料构成。接合部30的厚度例如在0.1mm以上且1mm以下左右。上表面S3相当于权利要求书中的第3表面。
在基座构件20的内部形成有制冷剂流路21。当制冷剂(例如氟类惰性液体、水等)在制冷剂流路21中流动时,对基座构件20进行冷却,通过隔着接合部30的基座构件20与陶瓷构件10之间的传热(散热)对陶瓷构件10进行冷却,由此对保持在陶瓷构件10的吸附面S1上的晶圆W进行冷却。由此,实现晶圆W的温度控制。
A-2.加热电极50等的结构:
接着,对加热电极50的结构和用于向加热电极50供电的结构详细进行叙述。
如上所述,静电吸盘100具有加热电极50(参照图2)。加热电极50由导电性材料(例如钨、钼、铂等)形成。此外,在本实施方式中,加热电极50被配置在比吸盘电极40靠下侧的位置。
加热电极50具有在上下方向上观察时呈线状的电阻发热体即加热丝部500。加热丝部500包括以吸附面S1的中心点Px为中心的同心圆状的多个加热丝部(例如后述的图4所示的第1加热丝部510等)。在本实施方式中,如图3所示,加热丝部500为在上下方向观察时以中心点Px为中心形成为螺旋状的形状。
另外,如图2所示,静电吸盘100具有用于向加热电极50供电的结构。具体而言,静电吸盘100具有驱动电极60。此外,在本实施方式中,驱动电极60被配置在比加热电极50靠下侧的位置。驱动电极60由导电性材料(例如钨、钼、铂等)形成。驱动电极60包括一对驱动电极61、62,所述一对驱动电极61、62为具有平行于面方向的规定区域的图案。此外,各驱动电极61、62在满足以下必要条件方面与加热电极50不同。
必要条件:各驱动电极61、62的截面面积在加热电极50的截面面积的10倍以上。
加热电极50的一个端部通过由导电性材料形成的第1加热侧通路721与一个第1驱动电极61导通,加热电极50的另一个端部通过由导电性材料形成的第2加热侧通路722与另一个驱动电极62导通。
另外,如图2所示,在静电吸盘100上形成有从基座构件20的下表面S4到陶瓷构件10的内部的多个端子用孔120。在图2中仅图示出一对端子用孔120,在图3中仅图示出5个端子用孔120。各端子用孔120是通过通孔22、通孔32和凹部12相互连通而构成的一体的孔,所述通孔22沿上下方向贯穿基座构件20,所述通孔32沿上下方向贯穿接合部30,所述凹部12形成在陶瓷构件10的下表面S2侧。在基座构件20上形成的通孔22相当于权利要求书中的在基座构件上形成的孔。
在多个端子用孔120中的1个端子用孔120中收容有柱状的第1供电端子741。另外,在陶瓷构件10的构成该一个端子用孔120的凹部12的底面上设置有第1电极焊盘731。第1供电端子741例如通过焊接等与第1电极焊盘731相接合。另外,第1电极焊盘731通过第1供电侧通路711与一个驱动电极61导通。同样地,在多个端子用孔120中的另一个端子用孔120中收容有柱状的第2供电端子742。另外,在陶瓷构件10的构成该另一个端子用孔120的凹部12的底面上设置有第2电极焊盘732。第2供电端子742例如通过焊接等与第2电极焊盘732相接合。另外,第2电极焊盘732通过第2供电侧通路712与另一个驱动电极62导通。此外,供电端子741、742、电极焊盘731、732以及供电侧通路711、712全部由导电性材料形成。
分别收容在两个端子用孔120中的一对供电端子741、742连接于电源(未图示)。来自电源的电压通过一对供电端子741、742、一对电极焊盘731、732以及一对供电侧通路711、712向一对驱动电极61、62供给,并且通过一对加热侧通路721、722施加给加热电极50。由此,各加热电极50发热,对陶瓷构件进行加热,由此,实现陶瓷构件的吸附面的温度控制(乃至保持在吸附面上的晶圆的温度控制)。此外,多个端子用孔120并不限于与加热电极50导通的供电端子,例如还收容与吸盘电极40、未图示的热电偶等导通的供电端子等。
A-3.静电吸盘100中的特定部:
静电吸盘100具有多个特定部。多个特定部被配置在静电吸盘100的内部,且以在上下方向上观察时沿面方向排列的方式来配置。各特定部是沿上下方向延伸的孔、或者沿上下方向延伸的导电部。特定部由于物理上的理由、静电吸盘100的温度分布上的理由,对加热电极50的加热丝部500的布线图案施加限制。具体而言,作为特定部的例子列举出以下特定部。
<在静电吸盘100的内部形成的导电部>
(1)被配置在陶瓷构件10的内部,存在于配置有加热电极50的假想平面上的第1导电部(存在于与加热电极50同一层上的导电部):在存在这种第1导电部的情况下,必须使加热电极50的加热丝部500的在上下方向上观察时的形状为以避开该第1导电部的方式弯曲的形状。第1导电部例如是将吸盘电极40、热电偶(未图示)等和端子用孔120电连接的通路(未图示)。
(2)被配置在陶瓷构件10或基座构件20的内部,且不存在于上述假想平面上,但由于电流集中等能成为高温的温度异常点的第2导电部:在存在这种第2导电部的情况下,加热电极50的加热丝部500的布线图案不会受到物理性限制,但当以在上下方向上观察时与该第2导电部的中心重叠的方式来配置加热丝部500时,高温的温度异常点变得更明显。因此,在存在这种第2导电部的情况下,优选为,使加热电极50的加热丝部500的在上下方向上观察时的形状为以至少避开该第2导电部的中心的方式弯曲的形状。在本实施方式中,第2导电部例如是供电端子741、742等端子或供电侧通路711、712。
<在静电吸盘100的内部形成的孔>
(1)在配置有加热电极50的假想平面上存在的第1孔(存在于与加热电极50同一层上的孔):在存在这种第1孔的情况下,必须使加热电极50的加热丝部500的在上下方向上观察时的形状为以避开该第1孔的方式弯曲的形状。第1孔例如是沿上下方向贯穿静电吸盘100的升降销用孔(未图示)、或在陶瓷构件10的内部形成的气体流路中的沿上下方向延伸的部分(未图示)。
(2)被配置在陶瓷构件10、基座构件20或接合部30的内部,且不存在于上述假想平面上,但能成为高温的温度异常点的第2孔:在存在这种第2孔的情况下,加热电极50的加热丝部500的布线图案不会受到物理上的限制,但当以在上下方向上观察时与该第2孔的中心重叠的方式来配置加热丝部500时,高温的温度异常点变得更明显。因此,在存在这种第2孔的情况下,优选为,使加热电极50的加热丝部500的在上下方向上观察时的形状为以至少避开该第2孔的中心的方式弯曲的形状。在本实施方式中,第2孔例如是端子用孔120(凹部12、通孔22、32)、气体流路。
A-4.加热电极50中的加热丝部500的结构:
图4是表示图3的X1部分的加热电极50的布线图案的说明图。在图4中例示出7个加热丝部500(510~570)。如图3和图4所示,在上下方向上观察时5个端子用孔120(以下称作“端子用孔120群”)以沿圆周方向CD排列的方式配置。在圆周方向CD上彼此相邻的端子用孔120彼此间的中心间距离L在60mm以下,也可以在30mm以下。此外,在特定部(端子用孔120)的在上下方向上观察时的形状为非圆形的情况下,特定部的中心是特定部的在上下方向上观察时的形状的外接圆的中心。圆周方向CD相当于权利要求书中的排列方向。
如图4所示,7个加热丝部500(510~570)的在上下方向上观察时的形状整体均为沿圆周方向CD延伸的圆弧状。第1加热丝部510在上下方向上观察时,相对于端子用孔120群被配置在径向RD的外侧。第3加热丝部530在上下方向上观察时,相对于端子用孔120群被配置在径向RD的内侧。第2加热丝部520被配置于比第1加热丝部510和第3加热丝部530接近端子用孔120群的位置。具体而言,第2加热丝部520的至少一部分(沿着圆周方向CD的部分)位于以中心点Px为中心,且通过端子用孔120群的假想圆M上。
第2加热丝部520的在上下方向上观察时的形状是第2凸状丝部分522和第2凹状丝部分524一个个交错排列的形状。第2凸状丝部分522是相对于1个端子用孔120向与第1加热丝部510相同的一侧(径向RD的外侧)弯曲成凸状的部分。第2凹状丝部分524是相对于1个端子用孔120向与第3加热丝部530相同的一侧(径向RD的内侧)弯曲成凹状的部分。具体而言,将以最短距离连接一个端子用孔120(第1端子用孔121、第3端子用孔123、第5端子用孔125)的中心和第1加热丝部510的直线设为第1假想直线B1。另外,将以最短距离连接与上述一个的端子用孔120相邻的另一端子用孔120(第2端子用孔122、第4端子用孔124)的中心和第1加热丝部510的直线设为第2假想直线B2。第2凸状丝部分522是通过第1假想直线B1且向第1加热丝部510侧弯曲成凸状的部分。第2凹状丝部分524是以避开第2假想直线B2的方式延伸,且向第1加热丝部510的相反侧弯曲成凹状的部分。第1端子用孔121、第3端子用孔123和第5端子用孔125相当于权利要求书中的第1特定部、第3特定部,第2端子用孔122和第4端子用孔124相当于权利要求书中的第2特定部。另外,第1假想直线B1相当于权利要求书中的第1假想直线和第3假想直线。
在本实施方式中,第2凸状丝部分522和第2凹状丝部分524在上下方向上观察时均以沿着端子用孔120的圆弧的方式来配置。另外,第2凸状丝部分522和第2凹状丝部分524的宽度比加热丝部500的其他部分(沿着圆周方向CD的部分)的宽度宽。因此,第2凸状丝部分522和第2凹状丝部分524的截面面积比加热丝部500的其他部分的截面面积大,其结果,抑制了第2凸状丝部分522和第2凹状丝部分524中的因发热导致的温度上升。第2凸状丝部分522相当于权利要求书中的凸状丝部分,第2凹状丝部分524相当于权利要求书中的凹状丝部分。
第1加热丝部510的在上下方向上观察时的形状是具有与第2加热丝部520的第2凸状丝部分522对应地向径向RD的外侧弯曲成凸状的第1凸状丝部分512的形状。第4加热丝部540相对于第1加热丝部510被配置在径向RD的外侧。第4加热丝部540的在上下方向上观察时的形状与第1加热丝部510大致相同,是具有与第2凸状丝部分522对应地向径向RD的外侧弯曲成凸状的第4凸状丝部分542的形状。但是,第1凸状丝部分512和第4凸状丝部分542均为与第2凸状丝部分522相比突出程度小且平缓的曲线。
第5加热丝部550相对于第4加热丝部540被配置在径向RD的外侧。第5加热丝部550的在上下方向上观察时的形状是全长都沿着圆周方向CD的圆弧状。此外,第2凸状丝部分522与第1凸状丝部分512的最短距离D1(径向RD上的距离)、第1凸状丝部分512与第4凸状丝部分542的最短距离D4、以及第4凸状丝部分542与第5加热丝部550的最短距离D5彼此大致相同。这些最短距离D1、D4、D5比在径向RD上彼此相邻的两个加热丝部500的沿着径向RD的部分彼此间的最短距离D10短。因此,如图4所示,第2凸状丝部分522附近由于加热丝部500相对地密集,因此易于成为高温的温度异常点HP。
第3加热丝部530的在上下方向上观察时的形状是具有与第2加热丝部520的第2凹状丝部分524对应地向径向RD的内侧弯曲成凹状的第3凹状丝部分532的形状。第6加热丝部560相对于第3加热丝部530被配置在径向RD的内侧。第6加热丝部560的在上下方向上观察时的形状与第3加热丝部530大致相同,是具有与第2凹状丝部分524对应地向径向RD的内侧弯曲成凹状的第6凹状丝部分562的形状。
但是,第3凹状丝部分532和第6凹状丝部分562均为与第2凹状丝部分524相比突出程度小且平缓的曲线。第7加热丝部570相对于第6加热丝部560被配置在径向RD的外侧。第7加热丝部570的在上下方向上观察时的形状是全长都沿着圆周方向CD的圆弧状。此外,第2凹状丝部分524与第3凹状丝部分532的最短距离D3、第3凹状丝部分532与第6凹状丝部分562的最短距离D6、以及第6凹状丝部分562与第7加热丝部570的最短距离D7彼此大致相同。另外,这些最短距离D3、D6、D7比在径向RD上彼此相邻的两个加热丝部500(510~570)的沿着径向RD的部分彼此间的上述最短距离D10短。因此,图4所示,第2凹状丝部分524附近由于加热丝部500相对密集,因此易于成为高温的温度异常点HP。
第1加热丝部510与对应于第2凹状丝部分524的端子用孔120(122、124)的最短距离D8比第1加热丝部510与对应于第2凸状丝部分522的端子用孔120(121、123、125)的最短距离D1短。另外,第3加热丝部530与对应于第2凸状丝部分522的端子用孔120(121、123、125)的最短距离D9比第3加热丝部530与对应于第2凹状丝部分524的端子用孔120(122、124)的最短距离D3短。
A-5.本实施方式的效果:
如以上说明那样,在本实施方式的静电吸盘100中,加热电极50的加热丝部500包括第1加热丝部510和第2加热丝部520,这些第1加热丝部510和第2加热丝部520均大致沿多个端子用孔120(特定部)的排列方向延伸。第2加热丝部520被配置于比第1加热丝部510接近多个端子用孔120的位置,例如具有对应于第3端子用孔123而弯曲的第2凸状丝部分522和对应于第2端子用孔122而弯曲的第2凹状丝部分524。即,第2凸状丝部分522在上下方向上观察时,相对于第3端子用孔123向与第1加热丝部510相同的一侧弯曲成凸状。另一方面,第2凹状丝部分524在上下方向上观察时,相对于第2端子用孔122向第1加热丝部510的相反侧弯曲成凹状。因此,例如与加热电极50的加热丝部500相对于彼此相邻的第2端子用孔122和第3端子用孔123这二者向相同侧弯曲成凸状的结构相比,能够抑制由于在上下方向上观察时加热丝部500在多个端子用孔120的周边密集使得高温的温度异常点HP密集而产生高温区域MP(参照图5)的情况。接着具体地进行说明。
图5是表示比较例的静电吸盘100a中的加热电极50a的布线图案的说明图。如图5所示,在比较例中,加热电极50a的加热丝部500a也为以避开多个端子用孔120(121~125)的中心的方式弯曲的形状。因此,根据比较例,与在基座构件20上以与散热效果低的端子用孔120的中心重叠的方式形成加热丝部的结构相比,能够抑制由于端子用孔120(特定部)的存在而造成的高温的温度异常点的产生。
但是,在比较例中,有在多个端子用孔120的附近易于产生高温区域MP这样的问题。即,比较例中的结构为,加热电极50a的加热丝部500a相对于多个端子用孔120(510~570)中的全部端子用孔120向相同侧弯曲成凸状。具体而言,第2加热丝部520a具有多个第2凸状丝部分522a,但并不具有相当于上述实施方式的第2凹状丝部分524的部分。总之,加热丝部500a为了避开多个端子用孔120的中心,全体都为相对于多个端子用孔120向径向RD的外侧弯曲的形状。因此,由于加热丝部500a的密集而产生的多个高温的温度异常点HP集中在第2加热丝部520a的径向RD的外侧。其结果,在多个端子用孔120的附近产生高温区域MP。
与此相对,如图4所示,在本实施方式中,第2加热丝部520的在上下方向上观察时的形状为,第2凸状丝部分522和第2凹状丝部分524交替排列的形状。因此,根据本实施方式,与比较例相比,由于加热丝部500a的密集而产生的多个高温的温度异常点HP分散,因此,能够抑制在多个端子用孔120的附近产生高温区域MP。
在本实施方式中,在圆周方向CD上彼此相邻的端子用孔120彼此间的中心间距离L在60mm以下。在这种结构中,特定部密集,因此应用本发明特别有效。在此,图6是表示特定部(端子用孔120)的中心间距离L与特定部附近的相对温度ΔT(℃)间的关系的说明图。相对温度是测量温度减去规定的基准温度得到的温度。第1曲线图G1是针对上述实施方式的静电吸盘100,对端子用孔120彼此间的中心间距离L互不相同的多个样品示出加热电极50发热时的端子用孔120附近的相对温度的图。第2曲线图G2是针对上述比较例的静电吸盘100a,对端子用孔120彼此间的中心间距离L互不相同的多个样品示出加热电极50a发热时端子用孔120附近的相对温度的图。
根据图6可知,根据本实施方式,与比较例相比,能够抑制高温区域的产生,由此抑制特定部附近的温度上升。另外,当端子用孔120彼此间的中心间距离L在30mm以下、20mm以下进一步10mm以下时,实施方式与比较例的效果的差异变得显著。因此可知,对端子用孔120彼此间的中心间距离L在30mm以下的结构、20mm以下的结构进一步10mm以下的结构应用本发明特别有效。
在本实施方式中,第2加热丝部520的在上下方向上观察时的形状是第2凸状丝部分522和第2凹状丝部分524交替排列的形状。由此,与第2加热丝部520中的第2凸状丝部分522和第2凹状丝部分524不规则地排列的结构相比,能够有效地抑制由于在上下方向上观察时加热丝部500在多个特定部的周边密集而产生高温区域MP。
在本实施方式中,第1加热丝部510与对应于第2凹状丝部分524的端子用孔120(122、124)的最短距离D8比第1加热丝部510与对应于第2凸状丝部分522的端子用孔120(121、123、125)的最短距离D1短。由此,根据本实施方式,针对第1加热丝部510,能够抑制与第2凹状丝部分524对应的端子用孔120(122、124)附近的无益的形状变化,并且抑制由于加热丝部500在与第2凸状丝部分522对应的端子用孔120(121、123、125)周边密集而产生高温的温度异常点。
在本实施方式中,第3加热丝部530与对应于第2凸状丝部分522的端子用孔120(121、123、125)的最短距离D9比第3加热丝部530与对应于第2凹状丝部分524的端子用孔120(122、124)的最短距离D3短。由此,根据本实施方式,针对第3加热丝部530,能够抑制与第2凸状丝部分522对应的端子用孔120(121、123、125)附近的无益的形状变化,并且抑制由于在上下方向上观察时加热丝部500在端子用孔120的周边密集而产生高温的温度异常点。
根据本实施方式,能够抑制由于在基座构件20上形成的孔(端子用孔120)而使得基座构件20的吸附效果产生误差,并且抑制由于在上下方向上观察时加热丝部500在多个特定部(端子用孔120)的周边密集而产生高温区域。
B.变形例:
本说明书所公开的技术并不限定于上述实施方式,在没有脱离其主旨的范围内能够变形为各种形态,例如还能够如下那样变形。
上述实施方式中的静电吸盘100的结构只是一个例子,还能够进行各种变形。静电吸盘100也可以是具有被配置在与第1方向大致垂直的一个假想平面上的多个加热电极的结构。另外,静电吸盘100也可以是在上下方向上的位置互不相同的多个层分别具有加热电极的结构。具体而言,在本实施方式中,也可以是在加热电极50之上配置有其他加热电极(例如被配置在与第1方向大致垂直的一个假想平面上的多个加热电极)的结构。在这种结构中,由于用于将多个加热电极中的每一个加热电极和被配置在陶瓷构件10的下表面S2侧的供电端子电连接的多个导电部(通路等),加热电极50的布线图案受到限制。这些多个导电部相当于权利要求书中的特定部。因此,对这样的结构应用本发明特别有效。另外,加热电极50的形状并不限定于螺旋形状,也可以是环状形状、圆弧形状、直线形状等。
在上述实施方式中,第1加热丝部510至第7加热丝部570是1个加热电极50所具有的加热丝部500的各部分,但也可以是彼此不同的加热电极的加热丝部。另外,第2加热丝部520的在上下方向上观察时的形状可以是分别具有一个第2凸状丝部分522和一个第2凹状丝部分524的形状,也可以是多个第2凸状丝部分522和多个第2凹状丝部分524交替排列的形状。另外,加热丝部500中的凸状丝部分(第2凸状丝部分522等)、凹状丝部分(第2凹状丝部分524等)的在上下方向上观察时的形状并不限于曲线状,也可以是折线状等。
在上述实施方式中,在基座构件20上形成的通孔22的数量是5个,但并不限定于此,也可以是5个以外的数量。
在上述实施方式中,多个特定部(端子用孔120)的排列方向是圆周方向CD,但例如也可以是直线方向。另外,在上述实施方式中,第2凸状丝部分522和第2凹状丝部分524在上下方向上观察时以沿着端子用孔120的圆弧的方式来配置,但也可以以第2凸状丝部分522、第2凹状丝部分524的至少一部分与端子用孔120重叠的方式来配置,也可以配置在端子用孔120的外侧。另外,第2凸状丝部分522与第2凹状丝部分524的宽度也可以与加热丝部500中的其他部分的宽度大致相同。
在本实施方式中,第1加热丝部510与对应于第2凹状丝部分524的端子用孔120(122、124)的最短距离D8可以同第1加热丝部510与对应于第2凸状丝部分522的端子用孔120(121、123、125)的最短距离D1相同,也可以比该最短距离D1长。另外,在本实施方式中,第3加热丝部530与对应于第2凸状丝部分522的端子用孔120(121、123、125)的最短距离D9可以同第3加热丝部530与对应于第2凹状丝部分524的端子用孔120(122、124)的最短距离D3相同,也可以比该最短距离D3长。
另外,在上述实施方式中,各通路可以由单个通路构成,也可以由多个通路的组构成。另外,在上述实施方式中,各通路可以是仅由通路部分构成的单层结构,也可以是多层结构(例如通路部分、焊盘部分和通路部分层叠而成的结构)。
另外,在上述实施方式中,采用在陶瓷构件10的内部设置有1个吸盘电极40的单极方式,但也可以是在陶瓷构件10的内部设置有一对吸盘电极40的双极方式。另外,形成上述实施方式的静电吸盘100中的各构件的材料只是示例,各构件也可以由其他材料形成。
在上述实施方式中,作为板状构件,例示了具有陶瓷构件10、基座构件20和接合部30的静电吸盘100,但也可以是陶瓷构件单体、具有陶瓷构件和支承构件的加热装置等。另外,板状构件也可以由陶瓷以外的材料(例如金属、树脂)形成。
在上述实施方式中,作为基座构件,例示了金属制的基座构件20,但也可以是由导热系数比陶瓷构件的导热系数高的材料形成的基座构件。
另外,本发明并不限定于具有陶瓷构件10和基座构件20并利用静电引力来保持晶圆W的静电吸盘100,还能够适用于包括具有加热电极的板状构件的装置(例如CVD加热器等的加热器装置、真空吸盘等的加热装置、保持装置、半导体制造装置用构件)。

Claims (8)

1.一种加热装置,该加热装置包括:
板状体,其具有与第1方向大致垂直的第1表面;
加热电极,其被配置在所述板状体的内部,具有在所述第1方向上观察时呈线状的电阻发热体即加热丝部;以及
多个特定部,其被配置在所述板状体的内部,在所述第1方向上观察时沿规定的排列方向排列,分别是沿所述第1方向延伸的孔或导电部,
该加热装置在所述第1表面配置对象物,
所述加热装置的特征在于,
所述加热电极所具有的所述加热丝部在所述第1方向上观察时具有:
第1加热丝部,其沿所述排列方向延伸;以及
第2加热丝部,其沿所述排列方向延伸,且被配置在比所述第1加热丝部接近所述多个特定部的位置,
当将以最短距离连接所述多个特定部中的第1特定部的中心和所述第1加热丝部的直线设为第1假想直线,且将以最短距离连接所述多个特定部中的与所述第1特定部相邻的第2特定部的中心和所述第1加热丝部的直线设为第2假想直线时,
所述第2加热丝部在所述第1方向上观察时具有:
凸状丝部分,其通过所述第1假想直线,且向所述第1加热丝部侧弯曲成凸状;以及
凹状丝部分,其以避开所述第2假想直线的方式延伸,且向所述第1加热丝部的相反侧弯曲成凹状。
2.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,
所述第1特定部与所述第2特定部的中心间距离在60mm以下。
3.根据权利要求1或2所述的加热装置,其特征在于,
所述多个特定部在所述第1特定部的相反侧具有与所述第2特定部相邻的第3特定部,
当将以最短距离连接所述第3特定部和所述第1加热丝部的直线设为第3假想直线时,
所述第2加热丝部还具有第2凸状丝部分,该第2凸状丝部分通过所述第3假想直线,且向所述第1加热丝部侧弯曲成凸状。
4.根据权利要求3所述的加热装置,其特征在于,
所述第1特定部与所述第2特定部的中心间距离、和所述第2特定部与所述第3特定部的中心间距离均在60mm以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的加热装置,其特征在于,
所述第1加热丝部与对应于所述凹状丝部分的所述特定部的最短距离比所述第1加热丝部与对应于所述凸状丝部分的所述特定部的最短距离短。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的加热装置,其特征在于,
所述加热电极所具有的所述加热丝部还包含第3加热丝部,该第3加热丝部在所述第1方向上观察时,沿所述排列方向延伸,且相对于所述第2加热丝部配置在所述第1加热丝部的相反侧,
所述第3加热丝部与对应于所述凸状丝部分的所述特定部的最短距离比所述第3加热丝部与对应于所述凹状丝部分的所述特定部的最短距离短。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的加热装置,其特征在于,
所述板状体包括:
陶瓷构件,其具有所述第1表面和所述第1表面相反侧的第2表面;
基座构件,其具有第3表面,以所述第3表面位于所述陶瓷构件的所述第2表面侧的方式来配置,且由导热系数比所述陶瓷构件的导热系数高的材料形成;以及
接合部,其配置在所述陶瓷构件的所述第2表面与所述基座构件的所述第3表面之间,使所述陶瓷构件和所述基座构件相接合,
所述多个特定部中的至少1个特定部是在所述基座构件上形成的孔。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的加热装置,其特征在于,
所述加热装置是静电吸盘。
CN202011208955.8A 2019-11-05 2020-11-03 加热装置 Active CN112786488B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-200564 2019-11-05
JP2019200564A JP7411383B2 (ja) 2019-11-05 2019-11-05 加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112786488A true CN112786488A (zh) 2021-05-11
CN112786488B CN112786488B (zh) 2024-07-23

Family

ID=75688496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011208955.8A Active CN112786488B (zh) 2019-11-05 2020-11-03 加热装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12063719B2 (zh)
JP (1) JP7411383B2 (zh)
KR (1) KR102659775B1 (zh)
CN (1) CN112786488B (zh)
TW (1) TWI807226B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060221539A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP2011049425A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体製造装置用部品
CN104576442A (zh) * 2013-10-15 2015-04-29 住友电气工业株式会社 半导体制造装置用陶瓷加热器
JP2016207777A (ja) * 2015-04-20 2016-12-08 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ及び静電チャック
JP2017103325A (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
CN107004629A (zh) * 2014-12-10 2017-08-01 Toto株式会社 静电吸盘及晶片处理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003007661A1 (fr) * 2001-07-09 2003-01-23 Ibiden Co., Ltd. Appareil de chauffage en ceramique et article en ceramique soude
JP4119211B2 (ja) * 2002-09-13 2008-07-16 日本碍子株式会社 加熱装置
JP4819549B2 (ja) * 2005-03-31 2011-11-24 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
JP4658913B2 (ja) 2006-12-01 2011-03-23 京セラ株式会社 ウェハ支持部材
JP3182120U (ja) 2012-12-26 2013-03-07 日本碍子株式会社 セラミックヒーター
JP6510440B2 (ja) * 2016-02-24 2019-05-08 日本特殊陶業株式会社 ヒータ及び静電チャック並びにプラズマ発生用部材
JP2017195276A (ja) * 2016-04-20 2017-10-26 日本特殊陶業株式会社 保持装置の製造方法
CN113170539B (zh) * 2019-01-25 2023-03-14 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
JP2023146610A (ja) * 2022-03-29 2023-10-12 Toto株式会社 静電チャック
KR102539719B1 (ko) * 2022-08-18 2023-06-13 주식회사 미코세라믹스 세라믹 서셉터

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060221539A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP2011049425A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体製造装置用部品
CN104576442A (zh) * 2013-10-15 2015-04-29 住友电气工业株式会社 半导体制造装置用陶瓷加热器
CN107004629A (zh) * 2014-12-10 2017-08-01 Toto株式会社 静电吸盘及晶片处理装置
JP2016207777A (ja) * 2015-04-20 2016-12-08 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ及び静電チャック
JP2017103325A (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 日本特殊陶業株式会社 静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
JP7411383B2 (ja) 2024-01-11
JP2021077666A (ja) 2021-05-20
US12063719B2 (en) 2024-08-13
TW202126107A (zh) 2021-07-01
TWI807226B (zh) 2023-07-01
KR20210054459A (ko) 2021-05-13
KR102659775B1 (ko) 2024-04-22
CN112786488B (zh) 2024-07-23
US20210136875A1 (en) 2021-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6850138B2 (ja) 保持装置
JP4421624B2 (ja) 半導体製造装置及びヒータ
JP6955407B2 (ja) 保持装置
JP2018018587A (ja) 保持装置
CN111712910B (zh) 保持装置
CN112786488B (zh) 加热装置
JP6850137B2 (ja) 保持装置
JP7126398B2 (ja) 保持装置
JP7030557B2 (ja) 保持装置
JP7164979B2 (ja) 静電チャック
US20220108909A1 (en) Member for semicondutor manufacturing apparatus
JP7101058B2 (ja) 保持装置
JP6994953B2 (ja) 保持装置
JP7139165B2 (ja) 保持装置
JP7164974B2 (ja) 保持装置
JP7494972B1 (ja) 静電チャック
JP7071130B2 (ja) 保持装置
JP7077006B2 (ja) 保持装置
JP7392887B1 (ja) 静電チャック
JP6943774B2 (ja) 保持装置
JP7445433B2 (ja) 保持装置
JP7017957B2 (ja) 保持装置
JP2024119739A (ja) 静電チャック及びその製造方法
JP2024119230A (ja) 静電チャック及びその製造方法
JP2024119227A (ja) 静電チャック及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant