KR101800072B1 - 반송 장치 및 세라믹 부재 - Google Patents

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도모노리 니와
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니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤
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Abstract

세라믹 부재 (200) 는, 절연성을 갖고, 일체 소성된 복수의 세라믹층 (291 ∼ 297) 과 ; 제 1 세라믹층 (296) 상에 형성되고, 정전력에 의해 유전체를 흡착 가능하게 구성된 전극인 흡착 전극 (372, 374 376, 378) 과 ; 세라믹 부재 (200) 의 외부로부터 흡착 전극 (372, 374 376, 378) 에 대한 전력의 공급을 받는 급전구 (312, 316) 와 ; 제 2 세라믹층 (295) 상에 형성되고, 급전구를 통하여 수전 가능하게 구성된 도체인 랜드 (332, 336) 와 ; 복수의 세라믹층 중 적어도 1 개를 관통하여 흡착 전극 (372, 374 376, 378) 과 랜드 (332, 336) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체인 비아 (352, 354, 356, 358) 를 구비한다.

Description

반송 장치 및 세라믹 부재{TRANSFER APPARATUS AND CERAMIC MEMBER}
본 발명은, 반송 장치 및 세라믹 부재에 관한 것이다.
반송 장치에 있어서 피반송체를 유지하는 세라믹 부재는, 픽으로도 불리며, 복수의 세라믹층을 일체 소성하여 이루어지는 것이나 (예를 들어, 특허문헌 1, 2 를 참조), 유전체인 피반송체 (예를 들어, 웨이퍼) 를 정전력에 의해 흡착 가능하게 구성된 것이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 3 을 참조). 정전력에 의해 피반송체를 흡착하는 세라믹 부재의 내부에는, 정전력을 발생시키기 위한 전극인 흡착 전극이 형성되어 있다.
일본 공개특허공보 평4-37047호 일본 공개특허공보 2009-202240호 일본 공개특허공보 2011-77288호
상압에서 부압 (진공) 에 걸친 환경에서의 피반송체에 대한 흡착력의 확보나, 반송 속도의 고속화에 대응하기 위한 피반송체에 대한 흡착력의 향상 등, 다양한 사정에서 정전력에 의한 흡착력의 향상이 반송 장치의 세라믹 부재에 요구되고 있는데, 종래, 복수의 세라믹층을 일체 소성하여 이루어지는 세라믹 부재의 내부에 흡착 전극을 형성하는 것에 대해 충분한 검토가 이루어지지 않았었다. 예를 들어, 흡착 전극의 배치나 형상에 따라서는, 흡착 전극에 급전하기 위한 배선의 레이아웃이 곤란해져, 흡착 전극의 배치나 형상이 제한되고, 정전력에 의한 흡착력을 충분히 확보할 수 없게 되는 것을 생각할 수 있다.
본 발명은, 상기 서술한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 이하의 형태로서 실현할 수 있다.
(1) 본 발명의 일 형태에 의하면, 반송 장치에 있어서 피반송체를 유지한 상태에서 상기 피반송체와 함께 이동 가능하게 구성된 세라믹 부재가 제공된다. 이 세라믹 부재는, 절연성을 갖고, 일체 소성된 복수의 세라믹층과 ; 상기 복수의 세라믹층의 내부로서 상기 복수의 세라믹층 중 제 1 세라믹층 상에 형성되고, 정전력에 의해 유전체를 흡착 가능하게 구성된 전극인 흡착 전극과 ; 상기 세라믹 부재의 외부로부터 상기 흡착 전극에 대한 전력의 공급을 받는 급전구와 ; 상기 복수의 세라믹층 중 상기 제 1 세라믹층과는 상이한 제 2 세라믹층 상에 형성되고, 상기 급전구를 통하여 수전 가능하게 구성된 도체인 랜드와 ; 상기 복수의 세라믹층 중 적어도 1 개를 관통하여 상기 흡착 전극과 상기 랜드 사이를 전기적으로 접속시키는 도체인 비아를 구비한다. 이 형태에 의하면, 제 1 세라믹층 상에 형성된 흡착 전극에 대하여, 제 2 세라믹층 상에 형성된 랜드를 경유하고, 비아를 통하여 급전하기 때문에, 제 1 세라믹층 상에 있어서의 흡착 전극의 배치나 형상의 자유도를 향상시킬 수 있다. 그 결과, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있고, 나아가서는, 반송 장치의 반송 성능을 향상시킬 수 있다.
(2) 상기 형태의 세라믹 부재에 있어서, 상기 흡착 전극은, 상기 랜드보다 상기 피반송체를 유지하는 측에 위치해도 된다. 이 형태에 의하면, 피반송체를 유지하는 측에 보다 많은 전하를 발생시키고, 정전력에 의한 흡착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
(3) 상기 형태의 세라믹 부재에 있어서, 상기 복수의 세라믹층의 층면 방향을 따른 면으로서 상기 피반송체를 유지한 상태에서 상기 피반송체에 대향하는 면인 제 1 대향면 및 제 2 대향면을 추가로 구비하고, 상기 제 2 대향면은, 상기 제 1 대향면보다 상기 피반송체측에 위치하고, 상기 층면 방향에 직교하는 두께 방향에서 봤을 때, 상기 흡착 전극의 적어도 일부는, 상기 제 2 대향면과 중첩되어도 된다. 이 형태에 의하면, 피반송체에 보다 가까운 제 2 대향면에 보다 많은 전하를 발생시키고, 정전력에 의한 흡착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
(4) 상기 형태의 세라믹 부재에 있어서, 상기 흡착 전극은, 서로 상이한 극성의 전위가 되도록 구성된 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극의 각각은, 상기 두께 방향에서 봤을 때에 상기 제 2 대향면에 대하여 거의 균등하게 중첩되어도 된다. 이 형태에 의하면, 세라믹 부재 및 피반송체에 각각 발생시키는 정전하와 부전하의 균형을 유지할 수 있다.
(5) 상기 형태의 세라믹 부재에 있어서, 상기 제 1 대향면에 형성되고, 상기 제 1 대향면에 부압을 제공함으로써 상기 피반송체를 흡착 가능하게 구성된 구멍인 흡착공을 추가로 구비하고, 상기 제 2 대향면은, 상기 두께 방향에서 봤을 때에 상기 흡착공 및 상기 제 1 대향면을 둘러싸도 된다. 이 형태에 의하면, 제 2 대향면에 둘러싸인 제 1 대향면에 걸쳐서 부압에 의한 흡착력을 피반송체에 대하여 미치게 할 수 있다.
(6) 본 발명의 일 형태에 의하면, 상기 형태의 세라믹 부재를 사용하여 상기 피반송체를 반송하는 반송 장치가 제공된다. 이 형태에 의하면, 세라믹 부재에 있어서의 피반송체에 대한 흡착력을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 반송 장치의 반송 성능을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 형태는, 세라믹 부재 및 반송 장치 이외의 다양한 형태로 실현할 수도 있다. 예를 들어, 반송 픽, 반도체 제조 장치, 반송 방법, 세라믹 부재의 제조 방법 등의 형태로 실현할 수 있다.
도 1 은 반송 장치의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 2 는 세라믹 부재의 상면을 나타내는 설명도이다.
도 3 은 도 2 에 있어서의 화살표 (F3) 에서 본 세라믹 부재의 측면을 나타내는 설명도이다.
도 4 는 도 2 에 있어서의 화살표 (F4-F4) 에서 본 세라믹 부재의 단면을 나타내는 설명도이다.
도 5 는 도 4 의 화살표 (F5-F5) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층을 나타내는 설명도이다.
도 6 은 도 4 의 화살표 (F6-F6) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층을 나타내는 설명도이다.
도 7 은 도 6 의 화살표 (F7-F7) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹 부재의 단면을 나타내는 설명도이다.
도 8 은 도 4 의 화살표 (F8-F8) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층을 나타내는 설명도이다.
도 9 는 도 4 의 화살표 (F9-F9) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층을 나타내는 설명도이다.
도 10 은 도 4 의 화살표 (F10-F10) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층을 나타내는 설명도이다.
도 11 은 도 9 의 화살표 (F11-F11) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹 부재의 단면을 나타내는 설명도이다.
도 12a 는 제 2 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 상면을 나타내는 설명도이다.
도 12b 는 제 2 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 부분 단면을 나타내는 설명도이다.
도 13a 는 제 3 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 상면을 나타내는 설명도이다.
도 13b 는 제 3 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 부분 단면을 나타내는 설명도이다.
도 14 는 제 4 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 단면을 나타내는 설명도이다.
도 15 는 제 5 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 상면을 나타내는 설명도이다.
도 16 은 도 15 에 있어서의 화살표 (F16-F16) 에서 본 세라믹 부재의 단면을 나타내는 설명도이다.
도 17 은 제 6 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 상면을 나타내는 설명도이다.
도 18 은 도 17 에 있어서의 화살표 (F18-F18) 에서 본 세라믹 부재의 단면을 나타내는 설명도이다.
도 19 는 제 7 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 상면을 나타내는 설명도이다.
도 20 은 도 19 에 있어서의 화살표 (F20-F20) 에서 본 세라믹 부재의 단면을 나타내는 설명도이다.
도 21 은 도 20 의 화살표 (F21-F21) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층을 나타내는 설명도이다.
도 22 는 도 20 의 화살표 (F22-F22) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층을 나타내는 설명도이다.
도 23 은 제 8 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 단면을 나타내는 설명도이다.
도 24 는 제 9 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 상면을 나타내는 설명도이다.
도 25 는 제 10 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 상면을 나타내는 설명도이다.
도 26 은 제 11 실시형태에 있어서의 세라믹 부재의 상면을 나타내는 설명도이다.
도 27 은 세라믹 부재의 제조 공정을 나타내는 설명도이다.
A. 제 1 실시형태 :
도 1 은 반송 장치 (10) 의 구성을 나타내는 설명도이다. 반송 장치 (10) 는, 피반송체 (90) 를 반송한다. 본 실시형태에서는, 반송 장치 (10) 는 반도체 제조 장치의 일부를 구성하는 장치이고, 피반송체 (90) 는 원판상의 유전체인 실리콘제의 웨이퍼이다.
반송 장치 (10) 는, 제어부 (100) 와, 세라믹 부재 (200) 와, 아암 기구 (710) 와, 이동 기구 (720) 와, 흡착 전극 구동부 (830) 와, 부압 공급부 (840) 와, 전열체 구동부 (850) 와, 처리 가스 공급부 (860) 를 구비한다.
반송 장치 (10) 의 제어부 (100) 는, 아암 기구 (710), 이동 기구 (720), 흡착 전극 구동부 (830), 부압 공급부 (840), 전열체 구동부 (850), 및 처리 가스 공급부 (860) 의 각 부의 동작을 제어한다. 본 실시형태에서는, 제어부 (100) 의 기능은, 컴퓨터 프로그램에 기초하여 CPU (Central Processing Unit) 가 동작함으로써 실현된다. 다른 실시형태에 있어서, 제어부 (100) 의 기능은, ASIC (Application Specific Integrated Circuit) 가 그 회로 구성에 기초하여 동작함으로써 실현되어도 된다.
반송 장치 (10) 의 아암 기구 (710) 는, 세라믹 부재 (200) 와 이동 기구 (720) 사이를 연결하는 기구로서, 세라믹 부재 (200) 를 이동 기구 (720) 에 대하여 상대적으로 이동시켜, 반송 장치 (10) 의 외부에 대한 피반송체 (90) 의 수수를 실시한다. 반송 장치 (10) 의 이동 기구 (720) 는, 세라믹 부재 (200) 및 아암 기구 (710) 를 탑재하고, 반송 장치 (10) 의 외부에 대하여 상대적으로 이동 가능하게 구성된 기구로서, 세라믹 부재 (200) 에 유지된 피반송체 (90) 의 이동을 실시한다.
반송 장치 (10) 의 세라믹 부재 (200) 는 픽으로도 불리며, 반송 장치 (10) 에 있어서 피반송체 (90) 를 유지한 상태에서 피반송체 (90) 와 함께 이동 가능하게 구성되어 있다. 세라믹 부재 (200) 는, 절연성 세라믹 재료를 사용한 복수의 세라믹층을 일체 소성하여 이루어진다. 세라믹 부재 (200) 의 내부에는, 도전성 재료를 사용한 도체 패턴이 형성되어 있다.
본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 에 사용되는 절연성 세라믹 재료의 주성분은, 산화알루미늄 (알루미나) (Al2O3) 이다. 다른 실시형태에 있어서, 절연성 세라믹 재료의 주성분은, 이트리아 (Y2O3), 산화규소 (SiO2), 산화지르코늄 (ZrO2), 산화마그네슘 (MgO), 멀라이트 (3Al2O3·2SiO2), 또는 유리 세라믹 (예를 들어, 알루미나와 붕규산 유리의 혼합물) 이어도 된다.
본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 에 사용되는 도전성 재료의 주성분은 텅스텐 (W) 이다. 다른 실시형태에 있어서, 도전성 재료의 주성분은, 몰리브덴 (Mo), 탄탈 (Ta), 은 (Ag), 또는 구리 (Cu) 여도 되고, 이들 도전성 금속의 합금이나, 도전성 탄화규소 (SiC) 여도 된다.
본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 는, 흡착 전극 구동부 (830) 로부터 전력의 공급을 받음으로써, 유전체인 피반송체 (90) 를 정전력으로 흡착 가능하게 구성되어 있다. 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 정전 흡착을 위한 구성의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 는, 부압 공급부 (840) 로부터 부압 (진공) 의 공급을 받음으로써, 피반송체 (90) 를 부압으로 흡착 가능하게 구성되어 있다. 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 부압 흡착을 위한 구성의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 는, 전열체 구동부 (850) 로부터 전력의 공급을 받음으로써 발열 가능하게 구성되어 있다. 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 발열하기 위한 구성의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 는, 처리 가스 공급부 (860) 로부터 처리 가스의 공급을 받음으로써, 피반송체 (90) 에 대하여 처리 가스를 방출 가능하게 구성되어 있다. 본 실시형태에서는, 처리 가스 공급부 (860) 에 의해 세라믹 부재 (200) 에 공급되는 처리 가스는, 세라믹 부재 (200) 의 열을 피반송체 (90) 에 전달시키기 위한 열 전달용 가스 (예를 들어, 헬륨 (He)) 이다. 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 처리 가스를 방출하기 위한 구성의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
도 2 는 세라믹 부재 (200) 의 상면을 나타내는 설명도이다. 도 3 은 도 2 에 있어서의 화살표 (F3) 에서 본 세라믹 부재 (200) 의 측면을 나타내는 설명도이다. 도 4 는 도 2 에 있어서의 화살표 (F4-F4) 에서 본 세라믹 부재 (200) 의 단면을 나타내는 설명도이다. 도 2 에는, 서로 직교하는 XYZ 축을 도시하였다. 도 2 의 XYZ 축은, 도 3 및 도 4 를 비롯한 다른 도면에 있어서의 XYZ 축에 대응한다.
도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 는, 대략 U 자형의 판상을 이룬다. 반송 장치 (10) 에 있어서의 세라믹 부재 (200) 의 사용 상태에 있어서, 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 U 자의 횡방향을 따른 축을 X 축으로 하고, U 자의 종방향을 따른 축을 Y 축으로 하고, 중력 방향을 따른 축을 Z 축으로 한다. 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 U 자의 우측에서 좌측을 향하여 ＋X 축 방향, 그 반대를 －X 축 방향으로 한다. 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 U 자의 폐색단에서 개방단을 향하여 ＋Y 축 방향, 그 반대를 －Y 축 방향으로 한다. 중력 방향의 하방에서 상방을 향하여 ＋Z 축 방향, 그 반대를 －Z 축 방향으로 한다. 본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 X 축 및 Y 축과 평행한 면 상에 피반송체 (90) 가 유지된다. 세라믹 부재 (200) 의 두께 방향은, Z 축 방향에 대응한다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 세라믹 부재 (200) 는, 복수의 세라믹층으로서 7 층의 세라믹층 (291, 292, 293, 294, 295, 296, 297) 을 구비한다. 이들 세라믹층은, 바닥면 (216) 측에서부터 세라믹층 (291), 세라믹층 (292), 세라믹층 (293), 세라믹층 (294), 세라믹층 (295), 세라믹층 (296), 세라믹층 (297) 의 순서로 적층되어 있다. 이들 세라믹층의 층면 방향은, X 축 및 Y 축과 평행한 면을 따른 방향이다. 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 세라믹층의 수는 7 층에 한정되는 것이 아니며, 다른 실시형태에서는, 6 층 이하여도 되고, 8 층 이상이어도 된다.
세라믹 부재 (200) 는, 기단면 (211) 과, 기단 측면 (213, 214) 과, 기단 상면 (215) 과, 바닥면 (216) 과, 관통공 (218) 과, 기단 단차면 (219) 과, 선단면 (222, 223) 과, 외측면 (224, 225) 과, 내측면 (221, 226, 227) 과, 대향면 (231, 232, 233, 234, 235) 과, 선단 상면 (242, 243) 과, 선단 단차면 (248, 249) 을 갖는다.
세라믹 부재 (200) 의 기단면 (211) 은, X 축 및 Z 축과 평행하고 －Y 축 방향을 향한 면이다. 기단면 (211) 은, 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 －Y 축 방향의 단 (端) 에 위치하고, 반송 장치 (10) 에 장착되는 측의 단인 기단부를 구성한다. 기단면 (211) 은, 기단 측면 (213, 214), 기단 상면 (215), 및 바닥면 (216) 의 각 면에 연결된다.
세라믹 부재 (200) 의 기단 측면 (213) 은, －X 축 방향 및 －Y 축 방향을 향한 Z 축과 평행한 면이며, 기단면 (211) 과 외측면 (224) 사이에 형성되어 있다. 세라믹 부재 (200) 의 기단 측면 (214) 은, ＋X 축 방향 및 －Y 축 방향을 향한 Z 축과 평행한 면이며, 기단면 (211) 과 외측면 (225) 사이에 형성되어 있다.
세라믹 부재 (200) 의 기단 상면 (215) 은, X 축 및 Y 축과 평행하고 ＋Z 축 방향을 향한 면이다. 기단 상면 (215) 은, 기단면 (211) 및 기단 측면 (213, 214) 에 연결된다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기단 상면 (215) 은, 대향면 (231, 232) 보다 ＋Z 축 방향측에 형성되어 있다. 기단 상면 (215) 과 대향면 (231) 사이에는, 기단 단차면 (219) 이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기단 상면 (215) 의 ＋Y 축 방향측, 기단 단차면 (219), 및 대향면 (231) 의 －Y 축 방향측은, 피반송체 (90) 의 외형을 따른 원호상으로 형성되어 있다.
세라믹 부재 (200) 의 바닥면 (216) 은, X 축 및 Y 축과 평행하고 －Z 축 방향을 향한 면이다. 바닥면 (216) 은, 세라믹 부재 (200) 의 전체 형상과 동일한 대략 U 자형의 면이며, 기단면 (211), 기단 측면 (213, 214), 선단면 (222, 223), 외측면 (224, 225), 및 내측면 (221, 226, 227) 의 각 면에 연결된다.
세라믹 부재 (200) 의 관통공 (218) 은, 기단 상면 (215) 과 바닥면 (216) 사이를 Z 축을 따라 관통한다. 본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 는, 관통공 (218) 을 사용하여 아암 기구 (710) 에 장착된다. 본 실시형태에서는, 관통공 (218) 의 개수는 2 개이지만, 다른 실시형태에서는, 3 개 이상이어도 된다.
세라믹 부재 (200) 의 선단면 (222, 223) 은, Z 축과 평행하고 ＋Y 축 방향으로 볼록상의 원호면이다. 선단면 (222, 223) 은, 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 ＋Y 축 방향의 단에 위치하고, 기단면 (211) 과의 사이에 대향면 (231, 232, 233, 234, 235) 을 배치한 선단부를 구성한다. 선단면 (222) 은 －X 축 방향측에 위치하고, 선단면 (223) 은 ＋X 축 방향측에 위치한다. 선단면 (222) 은, 바닥면 (216), 외측면 (224), 내측면 (226), 대향면 (231), 및 선단 상면 (242) 에 연결된다. 선단면 (223) 은, 바닥면 (216), 외측면 (225), 내측면 (227), 대향면 (231), 및 선단 상면 (243) 에 연결된다.
세라믹 부재 (200) 의 외측면 (224) 은, Y 축 및 Z 축과 평행하고 －X 축 방향을 향한 면이며, 선단면 (222) 과 기단 측면 (213) 사이에 형성되어 있다. 세라믹 부재 (200) 의 외측면 (225) 은, Y 축 및 Z 축과 평행하고 ＋X 축 방향을 향한 면이며, 선단면 (223) 과 기단 측면 (214) 사이에 형성되어 있다. 외측면 (224, 225) 은, 세라믹 부재 (200) 의 외주를 형성하는 외주부이다.
세라믹 부재 (200) 의 내측면 (221) 은, Z 축과 평행하고 ＋Y 축 방향에 대하여 오목상의 원호면이며, 내측면 (226) 과 내측면 (227) 사이에 형성되어 있다. 세라믹 부재 (200) 의 내측면 (226) 은, Y 축 및 Z 축과 평행하고 ＋X 축 방향을 향한 면이며, 선단면 (222) 과 내측면 (221) 사이에 형성되어 있다. 세라믹 부재 (200) 의 내측면 (227) 은, Y 축 및 Z 축과 평행하고 －X 축 방향을 향한 면이며, 선단면 (223) 과 내측면 (221) 사이에 형성되어 있다. 내측면 (221, 226, 227) 은, 세라믹 부재 (200) 의 외주를 형성하는 외주부이다.
세라믹 부재 (200) 의 대향면 (231, 232, 233, 234, 235) 은, X 축 및 Y 축과 평행하고 ＋Z 축 방향을 향한 면이다. 대향면 (231, 232, 233, 234, 235) 은, 세라믹 부재 (200) 에 피반송체 (90) 를 유지한 상태에서 피반송체 (90) 에 대향한다. 도 2 에서는, 도면의 이해를 용이하게 하기 위해, 대향면 (232, 234) 에 해칭을 실시하였다.
대향면 (231, 233, 235) 은, 대향면 (232, 234) 보다 바닥면 (216) 측, 즉, 대향면 (232, 234) 보다 －Z 축 방향측에 위치하는 제 1 대향면이다. 대향면 (232, 234) 은, 대향면 (231, 233, 235) 보다 피반송체 (90) 측, 즉, 대향면 (231, 233, 235) 보다 ＋Z 축 방향측에 위치하는 제 2 대향면이다. 본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 의 일체 소성 후에 세라믹층 (297) 을 절삭함으로써, 대향면 (231, 232, 233, 234, 235) 을 형성한다.
본 실시형태에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 대향면 (235) 은 Z 축 방향에서 봤을 때에 대략 U 자형의 평면이다. 대향면 (234) 은 대향면 (235) 보다 ＋Z 축 방향에 위치하고, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (235) 의 외주를 위요 (圍繞) 하는 평면이다. 대향면 (233) 은, 대향면 (234) 보다 －Z 축 방향에 위치하고, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (234) 의 외주를 위요하는 평면이다. 대향면 (232) 은 대향면 (233) 보다 ＋Z 축 방향에 위치하고, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (233) 의 외주를 위요하는 평면이다. 대향면 (231) 은 대향면 (232) 보다 －Z 축 방향에 위치하고, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (232) 의 외주를 위요하는 평면이다. 본 실시형태에서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 대향면 (231, 233, 235) 의 Z 축 방향의 각 위치는 동일하고, 대향면 (232, 234) 의 Z 축 방향의 각 위치는 동일하다.
세라믹 부재 (200) 의 선단 상면 (242, 243) 은, X 축 및 Y 축과 평행하고 ＋Z 축 방향을 향한 면이다. 선단 상면 (242) 은 선단면 (222) 에 연결되고, 선단 상면 (243) 은 선단면 (223) 에 연결된다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 선단 상면 (242, 243) 은, 대향면 (231, 232) 보다 ＋Z 축 방향측에 형성되어 있다. 선단 상면 (242) 과 대향면 (231) 사이에는 선단 단차면 (248) 이 형성되어 있고, 선단 상면 (243) 과 대향면 (231) 사이에는 선단 단차면 (249) 이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 선단 상면 (242, 243) 의 －Y 축 방향측, 선단 단차면 (248, 249), 및 대향면 (231) 의 ＋Y 축 방향측은, 피반송체 (90) 의 외형을 따른 원호상으로 형성되어 있다.
도 2 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 세라믹 부재 (200) 의 대향면 (235) 에는, 대향면 (235) 에 부압을 제공함으로써 피반송체 (90) 를 흡착 가능하게 구성된 구멍인 흡착공 (450) 이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 의 일체 소성 전에 세라믹층 (295, 296, 297) 을 절삭함으로써, 흡착공 (450) 을 형성한다. 본 실시형태에서는, 흡착공 (450) 의 개수는 6 개이지만, 다른 실시형태에서는, 5 개 이하여도 되고, 7 개 이상이어도 된다.
도 2 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 세라믹 부재 (200) 의 대향면 (233) 에는, 처리 가스를 방출 가능하게 구성된 구멍인 가스 방출공 (650) 이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200) 의 일체 소성 전에 세라믹층 (295, 296, 297) 을 절삭함으로써, 가스 방출공 (650) 을 형성한다. 본 실시형태에서는, 가스 방출공 (650) 의 개수는 12 개이지만, 다른 실시형태에서는, 11 개 이하여도 되고, 13 개 이상이어도 된다.
도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 세라믹 부재 (200) 는, 급전구 (312, 316) 와, 부압 공급구 (412) 와, 급전구 (512, 516) 와, 가스 공급구 (612) 를 구비한다.
세라믹 부재 (200) 의 급전구 (312, 316) 는, 서로 극성이 반전된 전위가 되는 전력의 공급을 흡착 전극 구동부 (830) 로부터 각각 받는다. 본 실시형태에서는, 급전구 (312, 316) 는, 기단 상면 (215) 에서 ＋Z 축 방향으로 돌출된 원통상의 도전성 금속 단자를 납땜하여 형성되어 있고, 흡착 전극 구동부 (830) 에 접속된 케이블의 단자 (도시 생략) 를 고정 가능하게 구성되어 있다.
세라믹 부재 (200) 의 부압 공급구 (412) 는, 부압 공급부 (840) 로부터 부압의 공급을 받는다. 본 실시형태에서는, 부압 공급구 (412) 는, 기단 상면 (215) 에서 ＋Z 축 방향으로 돌출된 원통상의 도전성 금속 단자를 납땜하여 형성되어 있고, 부압 공급부 (840) 에 접속된 튜브의 단부 (도시 생략) 를 고정 가능하게 구성되어 있다.
세라믹 부재 (200) 의 급전구 (512, 516) 는, 전열체 구동부 (850) 로부터 전력의 공급을 받으며, 일방이 정극에 대응하고, 타방이 부극에 대응한다. 본 실시형태에서는, 급전구 (512, 516) 는, 기단 상면 (215) 에서 ＋Z 축 방향으로 돌출된 원통상의 도전성 금속 단자를 납땜하여 형성되어 있고, 전열체 구동부 (850) 에 접속된 케이블의 단자 (도시 생략) 를 고정 가능하게 구성되어 있다.
세라믹 부재 (200) 의 가스 공급구 (612) 는, 처리 가스 공급부 (860) 로부터 처리 가스의 공급을 받는다. 본 실시형태에서는, 가스 공급구 (612) 는, 기단 상면 (215) 에서 ＋Z 축 방향으로 돌출된 원통상의 도전성 금속 단자를 납땜하여 형성되어 있고, 처리 가스 공급부 (860) 에 접속된 튜브의 단부 (도시 생략) 를 고정 가능하게 구성되어 있다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 세라믹층 (296) 과 세라믹층 (297) 사이에는, 도체 패턴인 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 세라믹층 (296) 에 세라믹층 (297) 을 적층하기 전에 도전성 재료를 함유하는 도전체 페이스트를 세라믹층 (296) 에 스크린 인쇄함으로써, 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 을 형성한다. 본 실시형태에서는, 흡착 전극 (372, 374) 은, 흡착 전극 (376, 378) 과는 상이한 극성의 전위가 되도록 구성된 제 1 전극이며, 흡착 전극 (376, 378) 은, 흡착 전극 (372, 374) 과는 상이한 극성의 전위가 되도록 구성된 제 2 전극이다.
도 5 는 도 4 의 화살표 (F5-F5) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층 (296) 을 나타내는 설명도이다. 도 5 에는, 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 이 형성된 세라믹층 (296) 을 도시하였다. 도 5 에는, 도면의 이해를 용이하게 하기 위해, 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 에 해칭을 실시하였다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 은, 흡착공 (450) 및 가스 방출공 (650) 을 피하여 형성되어 있다.
도 2, 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 흡착 전극 (372) 은, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (232) 의 외측쪽을 따라 중첩되고, 흡착 전극 (376) 은, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (232) 의 내측쪽을 따라 중첩된다. 흡착 전극 (372) 및 흡착 전극 (376) 의 각각은, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (232) 에 대하여 거의 균등하게 중첩되도록 배치되어 있다.
도 2, 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 흡착 전극 (374) 은, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (234) 의 외측쪽을 따라 중첩되고, 흡착 전극 (378) 은, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (234) 의 내측쪽을 따라 중첩된다. 흡착 전극 (374) 및 흡착 전극 (378) 의 각각은, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (234) 에 대하여 거의 균등하게 중첩되도록 배치되어 있다.
도 6 은 도 4 의 화살표 (F6-F6) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층 (295) 을 나타내는 설명도이다. 도 7 은 도 6 의 화살표 (F7-F7) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹 부재 (200) 의 단면을 나타내는 설명도이다. 도 6 및 도 7 에 나타내는 바와 같이, 세라믹층 (295) 과 세라믹층 (296) 사이에는, 도체 패턴인 랜드 (332, 336) 가 형성되어 있다. 도 6 에는, 도면의 이해를 용이하게 하기 위해, 랜드 (332, 336) 에 해칭을 실시하였다. 도 6 에는, 급전구 (312, 316) 를, Z 축 방향을 따라 세라믹층 (295) 상에 투영한 위치에 일점쇄선으로 도시하였다. 또한, 도 5 에는, 랜드 (332, 336) 를 파선으로 도시하였다.
본 실시형태에서는, 세라믹층 (295) 에 세라믹층 (296) 을 적층하기 전에 도전성 재료를 함유하는 도전체 페이스트를 세라믹층 (295) 에 스크린 인쇄함으로써, 랜드 (332, 336) 를 형성한다.
랜드 (332) 는, 급전구 (312) 를 통하여 수전 가능하게 구성된 도체이다. 본 실시형태에서는, 랜드 (332) 는, 원통상의 급전구 (312) 의 내부로 노출됨으로써, 급전구 (312) 를 통하여 수전 가능하게 구성되어 있다.
랜드 (336) 는, 급전구 (316) 를 통하여 수전 가능하게 구성된 도체이다. 본 실시형태에서는, 랜드 (336) 는, 원통상의 급전구 (316) 의 내부로 노출됨으로써, 급전구 (316) 를 통하여 수전 가능하게 구성되어 있다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 세라믹층 (296) 에는 비아 (352, 354) 가 형성되어 있고, 동일하게, 세라믹층 (296) 에는 비아 (356, 358) 가 형성되어 있다. 도 5 에는, 비아 (352, 354, 356, 358) 를 파선으로 도시하였다. 도 6 에는, 비아 (352, 354, 356, 358) 를 Z 축 방향을 따라 세라믹층 (295) 상에 투영한 위치에 일점쇄선으로 도시하였다.
본 실시형태에서는, 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 을 세라믹층 (296) 에 형성하기 전에 세라믹층 (296) 에 관통공을 형성하고, 그 관통공에 도전성 재료를 함유하는 도전체 페이스트를 구멍 메우기 인쇄 (filling print) 함으로써, 비아 (352, 354, 356, 358) 를 형성한다.
비아 (352) 는, 세라믹층 (296) 을 관통하여 랜드 (332) 와 흡착 전극 (372) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다. 비아 (354) 는, 세라믹층 (296) 을 관통하여 랜드 (332) 와 흡착 전극 (374) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다.
비아 (356) 는, 세라믹층 (296) 을 관통하여 랜드 (336) 와 흡착 전극 (376) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다. 비아 (358) 는, 세라믹층 (296) 을 관통하여 랜드 (336) 와 흡착 전극 (378) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 세라믹층 (294) 에는, 부압 연통로 (430) 및 가스 연통로 (630) 가 형성되어 있다. 부압 연통로 (430) 는, 부압 공급구 (412) 와 흡착공 (450) 사이를 연통시키는 유로이다. 가스 연통로 (630) 는, 가스 공급구 (612) 와 가스 방출공 (650) 사이를 연통시키는 유로이다. 본 실시형태에서는, 세라믹층 (294) 에 세라믹층 (295) 을 적층하기 전에 세라믹층 (294) 을 절삭함으로써, 부압 연통로 (430) 및 가스 연통로 (630) 를 형성한다.
도 8 은 도 4 의 화살표 (F8-F8) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층 (294) 을 나타내는 설명도이다. 도 8 에는, 부압 공급구 (412), 흡착공 (450), 가스 공급구 (612), 및 가스 방출공 (650) 의 각각을 Z 축 방향을 따라 세라믹층 (294) 상에 투영한 위치에 일점쇄선으로 도시하였다.
본 실시형태에서는, 부압 연통로 (430) 는, 부압 공급구 (412) 에 대응하는 위치에서 내측면 (221) 으로 진행된 후, 선단면 (222) 및 선단면 (223) 을 향하여 2 개로 분기되어 6 개의 흡착공 (450) 에 대응하는 위치를 통과한다. 본 실시형태에서는, 가스 연통로 (630) 는, 가스 공급구 (612) 에 대응하는 위치에서 선단면 (222) 및 선단면 (223) 을 향하여 2 개로 분기된 후, 일방에서 외측면 (224), 선단면 (222), 내측면 (226) 의 순서를 따라 6 개의 가스 방출공 (650) 에 대응하는 위치를 통과하고, 타방에서 외측면 (225), 선단면 (223), 내측면 (227) 의 순서를 따라 6 개의 가스 방출공 (650) 에 대응하는 위치를 통과한다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 세라믹층 (291) 과 세라믹층 (292) 사이에는, 도체 패턴인 전열체 (572, 574, 576) 가 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 세라믹층 (291) 에 세라믹층 (292) 을 적층하기 전에 도전성 재료를 함유하는 도전체 페이스트를 세라믹층 (291) 에 스크린 인쇄함으로써, 전열체 (572, 574, 576) 를 형성한다.
도 9 는 도 4 의 화살표 (F9-F9) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층 (292) 을 나타내는 설명도이다. 도 10 은 도 4 의 화살표 (F10-F10) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층 (291) 을 나타내는 설명도이다. 도 11 은 도 9 의 화살표 (F11-F11) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹 부재 (200) 의 단면을 나타내는 설명도이다. 도 10 에서는, 도면의 이해를 용이하게 하기 위해, 전열체 (572, 574, 576) 에 해칭을 실시하였다.
도 10 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 전열체 (572, 576) 는 세라믹층 (291) 의 외주측에 배치된 제 1 전열체이며, 전열체 (574) 는 전열체 (572, 576) 보다 내측에 배치된 제 2 전열체이다. 본 실시형태에서는, 전열체 (572, 576) 를 전열체 (574) 보다 저항값이 높은 도전성 재료로 형성함으로써, 전열체 (572, 576) 의 단위 면적당의 발열량이 전열체 (574) 보다 커지도록 구성되어 있다. 다른 실시형태에서는, 전열체 (572, 576) 에 전열체 (574) 보다 큰 전류를 공급함으로써, 전열체 (572, 576) 의 단위 면적당의 발열량이 전열체 (574) 보다 커지도록 구성해도 된다. 또, 다른 실시형태에서는, 전열체 (572, 574, 576) 의 단위 면적당의 발열량이 동일해지도록 구성해도 된다.
도 9 내지 도 11 에 나타내는 바와 같이, 세라믹층 (292) 과 세라믹층 (293) 사이에는, 도체 패턴인 랜드 (532, 536) 가 형성되어 있다. 도 9 에는, 도면의 이해를 용이하게 하기 위해, 랜드 (532, 536) 에 해칭을 실시하였다. 도 9 에는, 급전구 (512, 516) 를 Z 축 방향을 따라 세라믹층 (292) 상에 투영한 위치에 일점쇄선으로 도시하였다. 도 10 에는, 랜드 (532, 536) 를, Z 축 방향을 따라 세라믹층 (291) 상에 투영한 위치에 일점쇄선으로 도시하였다.
본 실시형태에서는, 세라믹층 (292) 에 세라믹층 (293) 을 적층하기 전에 도전성 재료를 함유하는 도전체 페이스트를 세라믹층 (292) 에 스크린 인쇄함으로써, 랜드 (532, 536) 를 형성한다.
랜드 (532) 는, 급전구 (512) 를 통하여 수전 가능하게 구성된 도체이다. 본 실시형태에서는, 랜드 (532) 는, 원통상의 급전구 (512) 의 내부로 노출됨으로써, 급전구 (512) 를 통하여 수전 가능하게 구성되어 있다.
랜드 (536) 는, 급전구 (516) 를 통하여 수전 가능하게 구성된 도체이다. 본 실시형태에서는, 랜드 (536) 는, 원통상의 급전구 (516) 의 내부로 노출됨으로써, 급전구 (516) 를 통하여 수전 가능하게 구성되어 있다.
도 9 및 도 11 에 나타내는 바와 같이, 세라믹층 (292) 에는 비아 (552, 553, 554), 및 비아 (556, 557, 558) 가 형성되어 있다. 도 9 에는, 비아 (552, 553, 554), 및 비아 (556, 557, 558) 를 파선으로 도시하였다. 도 10 에는, 급전구 (512, 516), 랜드 (532, 536), 비아 (552, 553, 554), 및 비아 (556, 557, 558) 의 각각을, Z 축 방향을 따라 세라믹층 (291) 상에 투영한 위치에 일점쇄선으로 도시하였다.
본 실시형태에서는, 랜드 (532, 536) 를 세라믹층 (292) 에 형성하기 전에 세라믹층 (292) 에 관통공을 형성하고, 그 관통공에 도전성 재료를 함유하는 도전체 페이스트를 구멍 메우기 인쇄함으로써, 비아 (552, 553, 554), 및 비아 (556, 557, 558) 를 형성한다.
비아 (552) 는, 세라믹층 (292) 을 관통하여 전열체 (572) 에 있어서의 ＋X 축 방향측의 단부와 랜드 (532) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다. 비아 (553) 는, 세라믹층 (292) 을 관통하여 전열체 (574) 에 있어서의 ＋X 축 방향측의 단부와 랜드 (532) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다. 비아 (554) 는, 세라믹층 (292) 을 관통하여 전열체 (576) 에 있어서의 ＋X 축 방향측의 단부와 랜드 (532) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다.
비아 (556) 는, 세라믹층 (292) 을 관통하여 전열체 (572) 에 있어서의 －X 축 방향측의 단부와 랜드 (536) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다. 비아 (557) 는, 세라믹층 (292) 을 관통하여 전열체 (574) 에 있어서의 －X 축 방향측의 단부와 랜드 (536) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다. 비아 (558) 는, 세라믹층 (292) 을 관통하여 전열체 (576) 에 있어서의 －X 축 방향측의 단부와 랜드 (536) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다.
도 27 은 세라믹 부재 (200) 의 제조 공정을 나타내는 설명도이다. 세라믹 부재 (200) 를 제조할 때에는, 처음에 세라믹층 (291 ∼ 297) 의 소스가 되는 그린 시트를 준비한다 (공정 P110). 그린 시트는, 절연성 세라믹 재료 분말에 유기 바인더, 가소제, 용제 등을 혼합하여 시트상으로 성형한 것이다.
그린 시트를 준비한 후 (공정 P110), 세라믹층 (291 ∼ 297) 의 각각의 구성에 따라 그린 시트를 가공한다 (공정 P120). 구체적으로는, 각 그린 시트를 정방형으로 절삭 가공한 후, 후공정 (스크린 인쇄, 절삭 가공 및 열압착 등) 에 있어서의 위치 맞춤에 적합한 가이드공을, 각 그린 시트의 외주 부근에 펀칭 가공한다. 필요에 따라, 흡착 전극 (372, 374, 376, 378), 랜드 (332, 336), 전열체 (572, 574, 576), 랜드 (532, 536) 의 각 형상에 맞춰 도전체 페이스트를 그린 시트의 표면에 스크린 인쇄한다. 필요에 따라, 비아 (352, 354, 356, 358), 비아 (552, 553, 554, 556, 557, 558) 를 형성하는 위치에 관통공인 비아공을 펀칭 가공하고, 그 비아공에 도전체 페이스트를 구멍 메우기 인쇄한다. 필요에 따라, 관통공 (218), 부압 연통로 (430), 흡착공 (450), 가스 연통로 (630), 가스 방출공 (650) 등을 그린 시트에 절삭 가공한다.
세라믹층 (291 ∼ 297) 의 각각에 따라 그린 시트를 가공한 후 (공정 P120), 세라믹층 (291 ∼ 297) 의 각각에 따른 복수의 그린 시트를 적층하고, 열압착에 의해 인접하는 세라믹층끼리를 접합한다 (공정 P125). 이로써, 복수의 그린 시트를 적층한 그린 시트 적층체가 형성된다.
그린 시트 적층체를 형성한 후 (공정 P125), 이 그린 시트 적층체를 후공정의 소성에 적합한 외형 형상으로 절삭 가공한다 (공정 P130).
그린 시트 적층체를 절삭 가공한 후 (공정 P130), 그린 시트 적층체를 탈지한다 (공정 P140). 구체적으로는, 그린 시트 적층체를 250 ℃ 의 대기 분위기 중에 10 시간 노출시킴으로써 탈지한다.
그린 시트 적층체를 탈지한 후 (공정 P140), 그린 시트 적층체를 일체 소성한다. 구체적으로는, 1400 ∼ 1600 ℃ 의 환원 분위기 중에서 그린 시트 적층체를 소성한다 (공정 P150). 이로써, 그린 시트에서 유래하는 알루미나와 도전체 페이스트에서 유래하는 텅스텐이 동시 소결되어, 세라믹 부재 (200) 의 내부 구조가 형성된 소성체를 얻는다.
소성 후 (공정 P150), 소성으로 얻은 소성체를 세라믹 부재 (200) 로 성형한다 (공정 P160). 구체적으로는, 세라믹 부재 (200) 에 맞춰 소성체의 외형 형상을 연마 절삭 가공한다. 대향면 (231, 233, 235) 에 대해서는, 본 실시형태에서는, 연마 절삭 가공으로 형성하는데, 다른 실시형태에서는, 블라스트 가공으로 형성해도 된다.
이상 설명한 제 1 실시형태에서는, 제 1 세라믹층인 세라믹층 (296) 상에 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 을 형성하고, 제 2 세라믹층인 세라믹층 (295) 상에 급전구 (312, 316) 를 통하여 수전 가능하게 구성된 랜드 (332, 336) 를 형성하고, 세라믹층 (296) 을 관통하여 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 과 랜드 (332, 336) 사이를 전기적으로 접속시키는 비아 (352, 354, 356, 358) 를 형성하였다. 이 제 1 실시형태에 의하면, 세라믹층 (296) 상에 형성된 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 에 대하여, 세라믹층 (295) 상에 형성된 랜드 (332, 336) 를 경유하고, 비아 (352, 354, 356, 358) 를 통하여 급전하기 때문에, 세라믹층 (296) 상에 있어서의 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 의 배치나 형상의 자유도를 향상시킬 수 있다. 그 결과, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있고, 나아가서는, 반송 장치 (10) 의 반송 성능을 향상시킬 수 있다.
또, 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 을 랜드 (332, 336) 보다 피반송체 (90) 를 유지하는 측 (즉, ＋Z 축 방향측) 에 배치하였기 때문에, 피반송체 (90) 를 유지하는 측 (즉, 대향면 (231, 232, 233, 234, 235) 측) 에 보다 많은 전하를 발생시켜, 정전력에 의한 흡착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 제 2 대향면인 대향면 (232, 234) 은, 제 1 대향면인 대향면 (231, 233, 235) 보다 피반송체 (90) 측 (즉, ＋Z 축 방향측) 에 위치하고, Z 축 방향에서 봤을 때에 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 의 적어도 일부가 대향면 (232, 234) 과 중첩되도록 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 을 배치하였기 때문에, 피반송체 (90) 에 보다 가까운 대향면 (232, 234) 에 보다 많은 전하를 발생시켜, 정전력에 의한 흡착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 제 1 전극인 흡착 전극 (372, 374) 과 제 2 전극인 흡착 전극 (376, 378) 을 서로 상이한 극성의 전위가 되도록 구성하고, 흡착 전극 (372, 374) 및 흡착 전극 (376, 378) 의 각각을, Z 축 방향에서 봤을 때에 대향면 (232, 234) 에 대하여 거의 균등하게 중첩되도록 배치하였기 때문에, 세라믹 부재 (200) 및 피반송체 (90) 에 각각 발생시키는 정전하와 부전하의 균형을 유지할 수 있다.
또, Z 축 방향에서 봤을 때에 흡착공 (450) 을 형성한 대향면 (235) 을 대향면 (234) 이 둘러싸기 때문에, 대향면 (234) 에 둘러싸인 대향면 (235) 에 걸쳐서 부압에 의한 흡착력을 피반송체 (90) 에 대하여 미치게 할 수 있다.
또, 제 1 실시형태에서는, 가스 공급구 (612) 에 연통되는 가스 연통로 (630) 를 세라믹층 (294) 에 형성하고, 가스 연통로 (630) 에서 대향면 (233) 으로 관통하는 가스 방출공 (650) 을 형성하였다. 이 제 1 실시형태에 의하면, 가스 방출공 (650) 에서 대향면 (233) 으로 열 전달용 가스 (처리 가스) 를 방출하여, 피반송체 (90) 와 세라믹 부재 (200) 사이 (특히, 피반송체 (90) 와 대향면 (232, 234) 의 간극) 에 열 전달용 가스를 개재시킴으로써, 세라믹 부재 (200) 로부터 피반송체 (90) 에 대한 열 전달을 촉진시킬 수 있다. 따라서, 정전력에 의한 흡착 기능을 실현하면서, 피반송체 (90) 의 온도 조정을 효과적으로 실시할 수 있다. 그 결과, 피반송체 (90) 의 온도 조정에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있고, 나아가서는, 반송 장치 (10) 의 반송 성능을 향상시킬 수 있다.
또, 제 1 실시형태에서는, 세라믹층 (297) 상에 흡착 전극 (372, 374, 376, 378) 을 형성하여 정전력에 의한 흡착력을 확보한 후, 세라믹층 (291) 상에 형성된 전열체 (572, 574, 576) 에 대하여, 세라믹층 (292) 상에 형성된 랜드 (532, 536) 를 경유하고 비아 (552, 553, 554, 556, 557, 558) 를 통하여 급전한다. 이 제 1 실시형태에 의하면, 세라믹층 (291) 상에 있어서의 전열체 (572, 574, 576) 의 배치나 형상의 자유도를 향상시킬 수 있다. 그 결과, 정전력에 의한 흡착력을 저해하지 않고, 전열체 (572, 574, 576) 에 의한 온도 조정을 효과적으로 실시할 수 있으며, 나아가서는, 반송 장치 (10) 의 반송 성능을 향상시킬 수 있다.
또, 전열체 (572, 574, 576) 를 대향면 (231, 232, 233, 234, 235) 보다 바닥면 (216) 쪽에 배치하였기 때문에, 대향면 (231, 232, 233, 234, 235) 에 있어서의 온도 불균일을 억제하여, 전열체 (572, 574, 576) 에 의한 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다.
또, 제 1 전열체인 외주측의 전열체 (572, 576) 를 제 2 전열체인 내측의 전열체 (574) 보다 단위 면적당의 발열량이 커지도록 구성하였기 때문에, 세라믹 부재 (200) 에 있어서의 외주측과 내측 사이의 온도 불균일을 억제하여, 전열체 (572, 574, 576) 에 의한 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다.
B. 제 2 실시형태 :
제 2 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「A」를 붙인 부호를 사용한다.
도 12a 는 제 2 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200A) 의 상면을 나타내는 설명도이다. 도 12b 는 제 2 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200A) 의 부분 단면을 나타내는 설명도이다. 제 2 실시형태의 세라믹 부재 (200A) 는, 기단 단차면 (219A) 에 가스 방출공 (650A) 을 형성한 점을 제외하고, 제 1 실시형태의 세라믹 부재 (200) 와 동일하다. 제 2 실시형태의 기단 단차면 (219A) 은, 기단 상면 (215) 과 대향면 (231) 사이에 형성된 면이며, 제 1 실시형태의 기단 단차면 (219) 에 대응한다.
제 2 실시형태의 가스 방출공 (650A) 은, 가스 연통로 (630A) 에 연통되고, 처리 가스를 방출 가능하게 구성된 구멍이다. 본 실시형태에서는, 도 12b 에 나타내는 바와 같이, 가스 방출공 (650A) 은, 가스 연통로 (630A) 로부터 세라믹층 (295A, 296A) 을 Z 축 방향을 따라 관통한 후, 세라믹층 (297A) 의 내부에서 층면 방향을 따라 기단 단차면 (219A) 으로 관통한다.
본 실시형태에서는, 도 12a 에 나타내는 바와 같이, 가스 방출공 (650A) 은, 대향면 (231) 의 외주를 따른 방향을 향하여 기단 단차면 (219A) 을 관통한다. 다른 실시형태에서는, 가스 방출공 (650A) 은, 대향면 (231) 의 외주에 직교하는 방향을 향하여 기단 단차면 (219A) 을 관통해도 된다.
본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200A) 의 일체 소성 전에 세라믹층 (295A, 296A, 297A) 을 절삭함으로써, 가스 방출공 (650A) 을 형성한다. 본 실시형태에서는, 가스 방출공 (650A) 의 개수는 4 개이지만, 다른 실시형태에서는, 3 개 이하여도 되고, 5 개 이상이어도 된다.
이상 설명한 제 2 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일하게, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있다. 또, 기단 단차면 (219A) 에 가스 방출공 (650A) 을 형성하였기 때문에, 대향면 (233) 에 추가하여 기단 단차면 (219A) 으로부터도 처리 가스를 방출함으로써 피반송체 (90) 의 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다. 또, 가스 방출공 (650A) 이 대향면 (231) 의 외주를 따른 방향을 향하여 기단 단차면 (219A) 을 관통하기 때문에, 피반송체 (90) 의 외주를 따라 처리 가스를 방출함으로써 피반송체 (90) 의 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다. 또, 가스 방출공 (650A) 을 대향면 (231) 보다 기단면 (211) 측에 배치하였기 때문에, 기단면 (211) 측에 위치하는 피반송체 (90) 의 부위에 대한 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다.
C. 제 3 실시형태 :
제 3 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「B」를 붙인 부호를 사용한다.
도 13a 는 제 3 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200B) 의 상면을 나타내는 설명도이다. 도 13b 는 제 3 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200B) 의 부분 단면을 나타내는 설명도이다. 제 3 실시형태의 세라믹 부재 (200B) 는, 선단 단차면 (248B, 249B) 에 가스 방출공 (650B) 을 형성한 점을 제외하고, 제 1 실시형태의 세라믹 부재 (200) 와 동일하다.
제 3 실시형태의 선단 단차면 (248B) 은, 선단 상면 (242) 과 대향면 (231) 사이에 형성된 면이며, 제 1 실시형태의 선단 단차면 (248) 에 대응한다. 제 3 실시형태의 선단 단차면 (249B) 은, 선단 상면 (243) 과 대향면 (231) 사이에 형성된 면이며, 제 1 실시형태의 선단 단차면 (249) 에 대응한다.
제 3 실시형태의 가스 방출공 (650B) 은, 가스 연통로 (630B) 에 연통되고, 처리 가스를 방출 가능하게 구성된 구멍이다. 본 실시형태에서는, 도 13b 에 나타내는 바와 같이, 가스 방출공 (650B) 은, 가스 연통로 (630B) 로부터 세라믹층 (295B, 296B) 을 Z 축 방향을 따라 관통한 후, 세라믹층 (297B) 의 내부에서 층면 방향을 따라 선단 단차면 (248B, 249B) 으로 관통한다.
본 실시형태에서는, 도 13a 에 나타내는 바와 같이, 가스 방출공 (650B) 은, 대향면 (231) 의 외주를 따른 방향을 향하여 선단 단차면 (248B, 249B) 을 관통한다. 다른 실시형태에서는, 가스 방출공 (650B) 은, 대향면 (231) 의 외주에 직교하는 방향을 향하여 선단 단차면 (248B, 249B) 을 관통해도 된다.
본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200B) 의 일체 소성 전에 세라믹층 (295B, 296B, 297B) 을 절삭함으로써, 가스 방출공 (650B) 을 형성한다. 본 실시형태에서는, 가스 방출공 (650B) 의 개수는, 선단 단차면 (248B, 249B) 에 각각 2 개이지만, 다른 실시형태에서는, 선단 단차면 (248B, 249B) 에 각각 1 개여도 되고, 각각 3 개 이상이어도 된다.
이상 설명한 제 3 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일하게, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있다. 또, 선단 단차면 (248B, 249B) 에 가스 방출공 (650B) 을 형성하였기 때문에, 대향면 (233) 에 추가하여 선단 단차면 (248B, 249B) 으로부터도 처리 가스를 방출함으로써 피반송체 (90) 의 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다. 또, 가스 방출공 (650B) 이 대향면 (231) 의 외주를 따른 방향을 향하여 선단 단차면 (248B, 249B) 을 관통하기 때문에, 피반송체 (90) 의 외주를 따라 처리 가스를 방출함으로써 피반송체 (90) 의 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다. 또, 가스 방출공 (650B) 을 대향면 (231) 보다 선단면 (222, 223) 측에 배치하였기 때문에, 선단면 (222, 223) 측에 위치하는 피반송체 (90) 의 부위에 대한 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다.
D. 제 4 실시형태 :
제 4 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「C」를 붙인 부호를 사용한다.
도 14 는 제 4 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200C) 의 단면을 나타내는 설명도이다. 도 14 에는, 도 2 에 있어서의 화살표 (F4-F4) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹 부재 (200C) 의 단면을 도시하였다. 제 4 실시형태의 세라믹 부재 (200C) 는, 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 에 가스 방출공 (650C) 을 형성한 점을 제외하고, 제 1 실시형태의 세라믹 부재 (200) 와 동일하다.
제 4 실시형태의 외측면 (224C) 은, 선단면 (222) 과 기단 측면 (213) 사이에 형성된 면이며, 제 1 실시형태의 외측면 (224) 에 대응한다. 제 4 실시형태의 외측면 (225C) 은, 선단면 (223) 과 기단 측면 (214) 사이에 형성된 면이며, 제 1 실시형태의 외측면 (225) 에 대응한다.
제 4 실시형태의 내측면 (226C) 은, 선단면 (222) 과 내측면 (221) 사이에 형성된 면이며, 제 1 실시형태의 내측면 (226) 에 대응한다. 제 4 실시형태의 내측면 (227C) 은, 선단면 (223) 과 내측면 (221) 사이에 형성된 면이며, 제 1 실시형태의 내측면 (227) 에 대응한다.
제 4 실시형태의 가스 방출공 (650C) 은, 가스 연통로 (630C) 에 연통되고, 처리 가스를 방출 가능하게 구성된 구멍이다. 본 실시형태에서는, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 가스 방출공 (650C) 은, 가스 연통로 (630C) 로부터 층면 방향을 따라 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 으로 각각 관통한다.
본 실시형태에서는, 가스 방출공 (650C) 은, 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 에 각각 직교하는 방향을 향하여 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 을 각각 관통한다. 다른 실시형태에서는, 가스 방출공 (650C) 은, 피반송체 (90) 의 외형을 따른 방향을 향하여 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 을 각각 관통해도 된다.
본 실시형태에서는, 세라믹 부재 (200C) 의 일체 소성 전에 세라믹층 (294C) 을 절삭함으로써, 가스 방출공 (650C) 을 형성한다. 본 실시형태에서는, 가스 방출공 (650C) 의 개수는, 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 에 각각 복수이지만, 다른 실시형태에서는, 각각 1 개여도 된다.
이상 설명한 제 4 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일하게, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있다. 또, 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 에 가스 방출공 (650C) 을 형성하였기 때문에, 대향면 (233) 에 추가하여 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 으로부터도 처리 가스를 방출함으로써 피반송체 (90) 의 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다. 또, 가스 방출공 (650C) 을 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 에 배치하였기 때문에, 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 의 각 근방에 위치하는 피반송체 (90) 의 부위에 대한 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다.
또한, 제 4 실시형태에서는, 외측면 (224C, 225C) 및 내측면 (226C, 227C) 에 가스 방출공 (650C) 을 형성하였지만, 다른 실시형태에서는, 외측면 (224C, 225C) 에만 가스 방출공 (650C) 을 형성해도 되고, 내측면 (226C, 227C) 에만 가스 방출공 (650C) 을 형성해도 된다. 또, 제 4 실시형태에서는, 내측면 (221) 에는 가스 방출공 (650C) 을 형성하고 있지 않지만, 다른 실시형태에서는, 내측면 (221) 에 가스 방출공 (650C) 을 형성해도 된다.
E. 제 5 실시형태 :
제 5 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「D」를 붙인 부호를 사용한다.
도 15 는 제 5 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200D) 의 상면을 나타내는 설명도이다. 도 16 은 도 15 에 있어서의 화살표 (F16-F16) 에서 본 세라믹 부재 (200D) 의 단면을 나타내는 설명도이다. 제 5 실시형태의 세라믹 부재 (200D) 는, 대향면 (231, 232, 233) 및 선단 상면 (242, 243) 대신에 대향면 (231D) 이 형성되어 있는 점, 처리 가스 공급부 (860) 로부터 공급되는 처리 가스가 피반송체 (90) 를 냉각시키기 위한 냉각 가스인 점을 제외하고, 제 1 실시형태의 세라믹 부재 (200) 와 동일하다.
제 5 실시형태의 대향면 (231D) 은, 제 1 실시형태에 있어서의 대향면 (232) 및 선단 상면 (242, 243) 을 대향면 (231, 233) 의 위치로까지 절삭한 형상을 갖고, 제 1 실시형태의 대향면 (231, 233) 에 대응하는 면을 포함한다. 대향면 (231D) 은, 대향면 (234) 보다 －Z 축 방향에 위치하고, 대향면 (234) 의 외주를 위요한다. 대향면 (231D) 은, 기단 단차면 (219), 선단면 (222, 223), 외측면 (224, 225), 및 내측면 (221, 226, 227) 의 각 면에 연결된다. 대향면 (231D) 에는, 가스 방출공 (650) 이 제 1 실시형태와 동일한 배치로 형성되어 있다.
제 5 실시형태의 처리 가스 공급부 (860) 는, 충분히 냉각된 처리 가스를 냉각 가스로서 세라믹 부재 (200D) 에 공급한다. 처리 가스 공급부 (860) 로부터 공급되는 냉각 가스는, 피반송체 (90) 를 손상 및 오염시키지 않는 기체이면 된다. 본 실시형태에서는, 냉각 가스는 질소 (N2) 이지만, 다른 실시형태에서는, 아르곤 (Ar), 이산화탄소 (CO2) 등의 다른 불활성 가스여도 된다.
이상 설명한 제 5 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일하게, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있다. 또, 가스 방출공 (650) 에서 대향면 (231D) 으로 냉각 가스 (처리 가스) 를 방출함으로써, 피반송체 (90) 를 냉각시킬 수 있다. 따라서, 정전력에 의한 흡착 기능을 실현하면서, 피반송체 (90) 의 온도 조정을 효과적으로 실시할 수 있다. 그 결과, 피반송체 (90) 의 온도 조정에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있고, 나아가서는, 반송 장치 (10) 의 반송 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 제 2 실시형태의 가스 방출공 (650A), 제 3 실시형태의 가스 방출공 (650B), 제 4 실시형태의 가스 방출공 (650C) 중 적어도 하나를 제 5 실시형태의 세라믹 부재 (200D) 에 적용해도 된다. 이로써, 피반송체 (90) 의 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다.
F. 제 6 실시형태 :
제 6 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「E」를 붙인 부호를 사용한다.
도 17 은 제 6 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200E) 의 상면을 나타내는 설명도이다. 도 18 은 도 17 에 있어서의 화살표 (F18-F18) 에서 본 세라믹 부재 (200E) 의 단면을 나타내는 설명도이다. 제 6 실시형태의 세라믹 부재 (200E) 는, 대향면 (231, 233, 234, 235) 및 선단 상면 (242, 243) 대신에 대향면 (231E, 235E) 이 형성되어 있는 점, 처리 가스를 방출하기 위한 구성을 구비하고 있지 않은 점을 제외하고, 제 1 실시형태의 세라믹 부재 (200) 와 동일하다.
제 6 실시형태의 대향면 (231E) 은, 제 1 실시형태에 있어서의 선단 상면 (242, 243) 을 대향면 (231) 의 위치로까지 절삭한 형상을 갖고, 제 1 실시형태의 대향면 (231) 에 대응하는 면을 포함한다. 대향면 (231E) 은, 대향면 (232) 보다 －Z 축 방향에 위치하고, 대향면 (232) 의 외주를 위요한다. 대향면 (231E) 은, 기단 단차면 (219), 선단면 (222, 223), 외측면 (224, 225), 및 내측면 (221, 226, 227) 의 각 면에 연결된다.
제 6 실시형태의 대향면 (235E) 은, 제 1 실시형태에 있어서의 대향면 (234) 을 대향면 (235) 의 위치로까지 절삭한 형상을 갖고, 제 1 실시형태의 대향면 (233, 235) 에 대응하는 면을 포함한다. 대향면 (235E) 은, 대향면 (232) 보다 －Z 축 방향에 위치하고, 대향면 (235E) 의 외주는 대향면 (232) 에 둘러싸여 있다. 대향면 (235E) 에는, 흡착공 (450) 이 제 1 실시형태와 동일한 배치로 형성되어 있다.
이상 설명한 제 6 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일하게, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있다.
G. 제 7 실시형태 :
제 7 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「F」를 붙인 부호를 사용한다.
도 19 는 제 7 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200F) 의 상면을 나타내는 설명도이다. 도 20 은 도 19 에 있어서의 화살표 (F20-F20) 에서 본 세라믹 부재 (200F) 의 단면을 나타내는 설명도이다. 제 7 실시형태의 세라믹 부재 (200F) 는, 대향면 (231, 232, 233, 234, 235) 및 선단 상면 (242, 243) 대신에 대향면 (232F, 235F) 이 형성되어 있는 점, 흡착 전극의 형상이 상이한 점, 부압 연통로의 형상이 상이한 점, 처리 가스를 방출하기 위한 구성을 구비하고 있지 않은 점, 그리고, 전열체 (572, 574, 576) 를 구비하고 있지 않은 점을 제외하고, 제 1 실시형태의 세라믹 부재 (200) 와 동일하다.
제 7 실시형태의 대향면 (232F, 235F) 은, X 축 및 Y 축과 평행하고 ＋Z 축 방향을 향한 면이다. 대향면 (232F, 235F) 은, 세라믹 부재 (200F) 에 피반송체 (90) 를 유지한 상태에서 피반송체 (90) 에 대향한다. 대향면 (232F) 은, 대향면 (235F) 보다 ＋Z 축 방향측에 위치한다. 대향면 (232F) 은, 기단 단차면 (219), 선단면 (222, 223), 외측면 (224, 225), 및 내측면 (221, 226, 227) 의 각 면에 연결된다. 대향면 (235F) 은, 대향면 (232F) 의 내측에 위치하고, 대략 U 자형의 망목상을 이룬다.
도 19 에 나타내는 바와 같이, 대향면 (235F) 에 있어서의 망목의 교점에는, 흡착공 (450F) 이 형성되어 있다. 제 7 실시형태에서는, 흡착공 (450F) 의 개수는 9 개이지만, 다른 실시형태에서는, 8 개 이하여도 되고 10 개 이상이어도 된다.
도 20 에 나타내는 바와 같이, 세라믹 부재 (200F) 는, 복수의 세라믹층으로서 5 층의 세라믹층 (293F, 294F, 295F, 296F, 297F) 을 구비한다. 이들 세라믹층은, 바닥면 (216) 측에서부터 세라믹층 (293F), 세라믹층 (294F), 세라믹층 (295F), 세라믹층 (296F), 세라믹층 (297F) 의 순서로 적층되어 있다.
도 21 은 도 20 의 화살표 (F21-F21) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층 (296F) 을 나타내는 설명도이다. 도 21 에는, 흡착 전극 (372F, 376F) 이 형성된 세라믹층 (296F) 을 도시하였다.
흡착 전극 (372F) 및 흡착 전극 (376F) 의 각각은, 서로 상이한 극성의 전위가 되도록 구성되어 있다. 흡착 전극 (372F, 376F) 은, 흡착공 (450F) 을 피하여 형성되어 있다. 도 19, 도 20 및 도 21 에 나타내는 바와 같이, 흡착 전극 (372F) 은 외측면 (224), 기단 단차면 (219), 외측면 (225) 을 따라 배치되고, 흡착 전극 (376F) 은 내측면 (226), 내측면 (221), 내측면 (227) 을 따라 배치되어 있다. 흡착 전극 (372F) 및 흡착 전극 (376F) 의 각각은, Z 축 방향에서 봤을 때, 대향면 (232F) 에 대하여 거의 균등하게 중첩되도록 배치되어 있다.
도 22 는 도 20 의 화살표 (F22-F22) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹층 (294F) 을 나타내는 설명도이다. 도 22 에는, 부압 공급구 (412F) 및 흡착공 (450F) 의 각각을, Z 축 방향을 따라 세라믹층 (294F) 상에 투영한 위치에 일점쇄선으로 도시하였다. 제 7 실시형태의 부압 연통로 (430F) 는, 부압 공급구 (412F) 에 대응하는 위치에서 내측면 (221) 으로 진행된 후, 선단면 (222) 및 선단면 (223) 을 향하여 2 개로 분기되어 9 개의 흡착공 (450F) 에 대응하는 위치를 통과한다.
도 21 에는, 랜드 (332F, 336F) 및 비아 (352F, 356F) 를 파선으로 도시하였다. 랜드 (332F) 는, 세라믹층 (295F) 에 형성된 도체 패턴으로서, 급전구 (312F) 를 통하여 수전 가능하게 구성되어 있다. 랜드 (336F) 는, 세라믹층 (295F) 에 형성된 도체 패턴으로서, 급전구 (316F) 를 통하여 수전 가능하게 구성되어 있다. 비아 (352F) 는, 세라믹층 (296F) 을 관통하여 랜드 (332F) 와 흡착 전극 (372F) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다. 비아 (356F) 는, 세라믹층 (296F) 을 관통하여 랜드 (336F) 와 흡착 전극 (376F) 사이를 전기적으로 접속시키는 도체이다.
이상 설명한 제 7 실시형태에 의하면, 세라믹층 (296F) 상에 형성된 흡착 전극 (372F, 376F) 에 대하여, 세라믹층 (295F) 상에 형성된 랜드 (332F, 336F) 를 경유하고, 비아 (352F, 356F) 를 통하여 급전하기 때문에, 세라믹층 (296F) 상에 있어서의 흡착 전극 (372F, 376F) 의 배치나 형상의 자유도를 향상시킬 수 있다. 그 결과, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있고, 나아가서는, 반송 장치 (10) 의 반송 성능을 향상시킬 수 있다.
H. 제 8 실시형태 :
제 8 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「G」를 붙인 부호를 사용한다.
도 23 은 제 8 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200G) 의 단면을 나타내는 설명도이다. 제 8 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200G) 의 상면은, 도 17 에 나타낸 제 6 실시형태의 세라믹 부재 (200E) 와 동일하다. 도 23 에는, 도 17 에 있어서의 화살표 (F18-F18) 에 대응하는 위치에서 본 세라믹 부재 (200G) 의 단면을 도시하였다.
제 8 실시형태의 세라믹 부재 (200G) 는, 부압 연통로 (430G) 보다 ＋Z 축 방향측에 전열체 (572G, 576G) 를 형성한 점을 제외하고, 제 6 실시형태와 동일하다. 제 8 실시형태에서는, 세라믹층 (292G) 에 부압 연통로 (430G) 가 형성되어 있고, 세라믹층 (292G) 과 세라믹층 (293G) 사이에 전열체 (572G, 576G) 가 형성되어 있다.
이상 설명한 제 8 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일하게, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있다. 또, 전열체 (572G, 576G) 와 피반송체 (90) 사이가 부압 연통로 (430G) 에 의해 단열되는 것을 회피하여, 전열체 (572G, 576G) 에 의한 온도 조정을 더욱 효과적으로 실시할 수 있다.
I. 제 9 실시형태 :
제 9 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「H」를 붙인 부호를 사용한다.
도 24 는 제 9 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200H) 의 상면을 나타내는 설명도이다. 제 9 실시형태의 세라믹 부재 (200H) 는, 3 방향으로 연장된 판상을 이루는 점, 대향면 및 흡착 전극의 형상이 상이한 점, 부압 흡착을 위한 구성 및 처리 가스를 방출하기 위한 구성을 구비하고 있지 않은 점을 제외하고, 제 1 실시형태의 세라믹 부재 (200) 와 동일하다.
세라믹 부재 (200H) 는, 3 방향으로 연장된 대향면 (231H) 을 갖는다. 대향면 (231H) 에 있어서의 3 개 지점의 선단 근방에는, Z 축 방향에서 봤을 때에 원형의 대향면 (232H) 이 각각 배치되어 있다. 대향면 (232H) 은, 대향면 (231H) 보다 ＋Z 축 방향측에 위치한다.
세라믹 부재 (200H) 의 내부에는, 3 개의 대향면 (232H) 에 대응하여 흡착 전극 (372H, 376H) 이 각각 형성되어 있다. 흡착 전극 (372H) 및 흡착 전극 (376H) 의 각각은, 서로 상이한 극성의 전위가 되도록 구성되어 있다. Z 축 방향에서 봤을 때, 흡착 전극 (372H) 은, 내주가 흡착 전극 (376H) 의 외주보다 크고, 외주가 대향면 (232H) 의 외주보다 큰 고리형 형태를 이루고, 흡착 전극 (376H) 은, 대향면 (232H) 의 외주보다 작은 원형을 이룬다. Z 축 방향에서 봤을 때, 대향면 (232H), 흡착 전극 (372H) 및 흡착 전극 (376H) 에 있어서의 각 원호의 중심은 일치한다. 흡착 전극 (372H) 및 흡착 전극 (376H) 의 각각은, Z 축 방향에서 봤을 때, 대향면 (232H) 에 대하여 거의 균등하게 중첩되도록 배치되어 있다.
이상 설명한 제 9 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일하게, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있다.
J. 제 10 실시형태 :
제 10 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「I」를 붙인 부호를 사용한다.
도 25 는 제 10 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200I) 의 상면을 나타내는 설명도이다. 제 10 실시형태의 세라믹 부재 (200I) 는, 흡착 전극의 형상이 상이한 점을 제외하고, 제 9 실시형태의 세라믹 부재 (200H) 와 동일하다.
세라믹 부재 (200I) 는, 3 방향으로 연장된 대향면 (231I) 을 갖는다. 대향면 (231I) 에 있어서의 3 개 지점의 선단 근방에는, Z 축 방향에서 봤을 때에 원형의 대향면 (232I) 이 각각 배치되어 있다. 대향면 (232I) 은, 대향면 (231I) 보다 ＋Z 축 방향측에 위치한다.
세라믹 부재 (200I) 의 내부에는, 3 개의 대향면 (232I) 에 대응하여 흡착 전극 (372I, 376I) 이 각각 형성되어 있다. 흡착 전극 (372I) 및 흡착 전극 (376I) 의 각각은, 서로 상이한 극성의 전위가 되도록 구성되어 있다. Z 축 방향에서 봤을 때, 흡착 전극 (372I) 은 외주가 대향면 (232I) 의 외주보다 큰 반원을 이루고, 흡착 전극 (376I) 은 흡착 전극 (372I) 에 대하여 선대칭인 반원을 이룬다. Z 축 방향에서 봤을 때, 대향면 (232I), 흡착 전극 (372I) 및 흡착 전극 (376I) 에 있어서의 각 원호의 중심은 일치한다. 흡착 전극 (372I) 및 흡착 전극 (376I) 의 각각은, Z 축 방향에서 봤을 때, 대향면 (232I) 에 대하여 거의 균등하게 중첩되도록 배치되어 있다.
이상 설명한 제 10 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일하게, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있다.
K. 제 11 실시형태 :
제 11 실시형태의 설명에서는, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 동일한 부호를 사용하고, 형상이나 배치 등이 상이하기는 하지만 제 1 실시형태에 대응하는 구성에 대해서는 제 1 실시형태의 부호에 영문자「J」를 붙인 부호를 사용한다.
도 26 은 제 11 실시형태에 있어서의 세라믹 부재 (200J) 의 상면을 나타내는 설명도이다. 제 11 실시형태의 세라믹 부재 (200J) 는, 흡착 전극의 형상이 상이한 점을 제외하고, 제 9 실시형태의 세라믹 부재 (200H) 와 동일하다.
세라믹 부재 (200J) 는, 3 방향으로 연장된 대향면 (231J) 을 갖는다. 대향면 (231J) 에 있어서의 3 개 지점의 선단 근방에는, Z 축 방향에서 봤을 때에 원형의 대향면 (232J) 이 각각 배치되어 있다. 대향면 (232J) 은, 대향면 (231J) 보다 ＋Z 축 방향측에 위치한다.
세라믹 부재 (200J) 의 내부에는, 3 개의 대향면 (232J) 에 대응하여 흡착 전극 (372J, 376J) 이 각각 형성되어 있다. 흡착 전극 (372J) 및 흡착 전극 (376J) 의 각각은, 서로 상이한 극성의 전위가 되도록 구성되어 있다. Z 축 방향에서 봤을 때, 흡착 전극 (372J) 및 흡착 전극 (376J) 은 서로 맞물리는 빗상을 이룬다. 흡착 전극 (372J) 및 흡착 전극 (376J) 의 각각은, Z 축 방향에서 봤을 때, 대향면 (232J) 에 대하여 거의 균등하게 중첩되도록 배치되어 있다.
이상 설명한 제 11 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일하게, 정전력에 의한 흡착력을 향상시킬 수 있다.
L. 다른 실시형태 :
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이러한 실시형태에 조금도 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 다양한 형태로 실시할 수 있음은 물론이다.
예를 들어, 세라믹 부재의 전체 형상은, 대략 U 자형의 판상이나 3 방향으로 연장된 판상에 한정되는 것이 아니며, 원형, 삼각형, 사각형, 다각형 등 다양한 형상이어도 된다. 또, 대향면, 흡착 전극, 부압 연통로, 흡착공, 전열체, 랜드, 비아, 가스 연통로, 및 가스 방출공의 각각에 대한 형상, 배치, 개수 등은, 상기 서술한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 실시양태에 따라 적절히 변경해도 된다.
또, 반송 장치 (10) 는 유리 기판을 사용하여 액정 기판을 제조하는 액정 기판 제조 장치의 일부를 구성하는 장치이고, 피반송체 (90) 는 그 유리 기판인 것으로 해도 된다. 또, 반송 장치 (10) 는 유리 기판을 사용하여 플라즈마 기판을 제조하는 플라즈마 기판 제조 장치의 일부를 구성하는 장치이고, 피반송체 (90) 는 그 유리 기판인 것으로 해도 된다. 또, 반송 장치 (10) 는 아모르퍼스 실리콘 웨이퍼를 사용하여 태양 전지 기판을 제조하는 태양 전지 제조 장치의 일부를 구성하는 장치이고, 피반송체 (90) 는 그 아모르퍼스 실리콘 웨이퍼인 것으로 해도 된다.
10 : 반송 장치
90 : 피반송체
100 : 제어부
200, 200A ∼ 200J : 세라믹 부재
211 : 기단면
213 : 기단 측면
214 : 기단 측면
215 : 기단 상면
216 : 바닥면
218 : 관통공
219, 219A : 기단 단차면
221 : 내측면
222 : 선단면
223 : 선단면
224, 224C : 외측면
225, 225C : 외측면
226, 226C : 내측면
227, 227C : 내측면
231, 231D, 231E, 231H, 231I, 231J : 대향면
232, 232F, 232H, 232I, 232J : 대향면
233 : 대향면
234 : 대향면
235, 235E, 235F : 대향면
242 : 선단 상면
243 : 선단 상면
248, 248B : 선단 단차면
249, 249B : 선단 단차면
291 ∼ 297 : 세라믹층
312, 312F : 급전구
316, 316F : 급전구
332, 336 : 랜드
352, 354, 356, 358 : 비아
372, 372F, 372H, 372I, 372J : 흡착 전극
374 : 흡착 전극
376, 376F, 376H, 376I, 376J : 흡착 전극
378 : 흡착 전극
412, 412F : 부압 공급구
430, 430F, 430G : 부압 연통로
450, 450F : 흡착공
512 : 급전구
516 : 급전구
532, 536 : 랜드
552, 553, 554, 556, 557, 558 : 비아
572, 572G : 전열체
574 : 전열체
576 : 전열체
612 : 가스 공급구
630, 630A, 630B, 630C : 가스 연통로
650, 650A, 650B, 650C : 가스 방출공
710 : 아암 기구
720 : 이동 기구
830 : 흡착 전극 구동부
840 : 부압 공급부
850 : 전열체 구동부
860 : 처리 가스 공급부

Claims (6)

  1. 반송 장치에 있어서 피반송체를 유지한 상태에서 상기 피반송체와 함께 이동 가능하게 구성된 세라믹 부재로서,
    절연성을 갖고, 일체 소성된 복수의 세라믹층과,
    상기 복수의 세라믹층의 내부로서 상기 복수의 세라믹층 중 제 1 세라믹층 상에 형성되고, 정전력에 의해 유전체인 상기 피반송체를 흡착 가능하게 구성된 전극인 흡착 전극과,
    상기 세라믹 부재의 외부로부터 상기 흡착 전극에 대한 전력의 공급을 받는 급전구와,
    상기 복수의 세라믹층 중 상기 제 1 세라믹층과는 상이한 제 2 세라믹층 상에 형성되고, 상기 급전구를 통하여 수전 가능하게 구성된 도체인 랜드와,
    상기 복수의 세라믹층 중 적어도 1 개를 관통하여 상기 흡착 전극과 상기 랜드 사이를 전기적으로 접속시키는 도체인 비아와,
    상기 복수의 세라믹 층에 형성된 면으로, 상기 복수의 세라믹층의 층면 방향을 따른 면으로서 상기 피반송체를 유지한 상태에서 상기 피반송체에 대향하는 면인 제 1 대향면 및 복수의 제 2 대향면을 추가로 구비하고, 상기 제 2 대향면은, 상기 제 1 대향면보다 상기 피반송체측에 위치하고, 상기 층면 방향에 직교하는 두께 방향에서 봤을 때, 상기 흡착 전극의 적어도 일부는, 상기 제 2 대향면과 중첩되며,
    상기 흡착 전극은, 서로 상이한 극성의 전위가 되도록 구성된 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하고,
    상기 두께 방향에서 봤을 때, 하나의 상기 제 2 대향면에 대해, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극의 각각이 균등하게 중첩되는 것과,
    상기 급전구 중 적어도 일부는, 흡착 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 흡착 전극은, 상기 랜드보다 상기 피반송체를 유지하는 측에 위치하는, 세라믹 부재.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 대향면에 형성되고, 상기 제 1 대향면에 부압을 제공함으로써 상기 피반송체를 흡착 가능하게 구성된 구멍인 흡착공을 추가로 구비하고,
    상기 제 2 대향면은, 상기 두께 방향에서 봤을 때에 상기 흡착공 및 상기 제 1 대향면을 둘러싸는, 세라믹 부재.
  6. 제 1 항, 제 2 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 세라믹 부재를 사용하여 상기 피반송체를 반송하는, 반송 장치.
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