JP2001267400A

JP2001267400A - ウエハ支持部材

Info

Publication number: JP2001267400A
Application number: JP2000074187A
Authority: JP
Inventors: Koichi Nagasaki; 浩一長崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-03-16
Filing date: 2000-03-16
Publication date: 2001-09-28

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】ウエハの着脱時に伴う保持面の摩耗が少なく、
ノイズに強く、高温や腐食性ガスに曝されたとしても酸
化や腐食がなく、かつウエハの有無を確実に検知できる
ウエハ支持部材を提供する。【解決手段】絶縁性セラミック体２の一方の主面にウエ
ハを載せる保持面を有するとともに、絶縁性セラミック
体２中に平板状をした一対の導体層４，４を埋設し、一
対の導体層４，４にはインピーダンスメータ８を設けて
ウエハ支持部材である搬送アーム１を構成し、一対の導
体層４，４及びインピーダンスメータ８とでウエハの有
無を測定する検知手段を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に、半導体ウエ
ハ等のウエハを搬送する搬送アームや、上記ウエハを支
持する静電チャック、ヒータ付きサセプタ、真空チャッ
クなどのウエハ支持部材に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
半導体ウエハに薄膜を形成するＰＶＤやＣＶＤ等の成膜
装置、半導体ウエハに微細加工を施すドライエッチング
装置、あるいは半導体ウエハに露光処理を施す露光装置
などいわゆる半導体製造装置においては、半導体ウエハ
を支持するために、静電チャック、ヒータ付きサセプ
タ、真空チャック等のウエハ支持部材が用いられてお
り、また、これら半導体製造装置に半導体ウエハを搬
入、搬出するのに搬送アームと呼ばれるウエハ支持部材
が用いられている。

【０００３】例えば、図７は従来のウエハ支持部材の一
例である搬送アームを示す図で、（ａ）はその斜視図、
（ｂ）は縦断面図であり、この搬送アーム２１は、板状
をした絶縁性セラミック体２２の一方の主面に、略円板
状した半導体ウエハ（不図示）の外径より若干大きな径
を有する凹部を備えたもので、該凹部の底面を保持面２
３とし、保持面２３のほぼ中央には裏面まで貫通する孔
２４を有し、この孔２４の裏面開口部には近接スイッチ
やファイバスイッチなどのセンサ２５を接着剤にて接合
し、該センサ２５にてウエハの有無を検知するようにな
っていた。

【０００４】この他、保持面に開口部を設け、開口部と
連通する吸引孔より真空吸引することにより、保持面に
ウエハを強制的に吸着固定するとともに、その時の減圧
状態を監視することによりウエハの有無を検知するよう
にしたものや、絶縁性セラミック体中に電極を埋設し、
保持面に載せたウエハとの間に直流電圧を印加して電極
とウエハとの間に静電吸着力を発現させることにより、
保持面にウエハを強制的に吸着固定するとともに、その
時に電極とウエハとの間に流れる漏れ電流を測定するこ
とによりウエハの有無を検知するようにしたものがあっ
た（特願昭５９−７９５４５号公報参照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ウエハの検
知手段として近接スイッチやファイバスイッチなどのセ
ンサを備えたウエハ支持部材では、絶縁性セラミック体
よりセンサが出っぱるため、ウエハ支持部材が図７のよ
うな搬送アーム２１である場合、複数のウエハを収容す
るラックから１枚のウエハを取り出したり収納する際
に、センサ２５が他のウエハにあたって目的のウエハを
取り出したり収納することができないといった課題があ
った。

【０００６】また、センサ２５は樹脂製のものが多いた
め、１００℃を超える温度では使用することができず、
ウエハ支持部材が成膜装置で使用される静電チャックや
サセプタである場合、２５０℃以上の温度に曝されるこ
とから使用することができず、またウエハ支持部材がエ
ッチング装置で使用される静電チャックやサセプタであ
る場合、ハロゲン系の腐食性ガスによってセンサ２５が
働かなくなるといった課題があった。

【０００７】また、真空吸着機能を有し、その時の減圧
状態を監視することによりウエハの有無を検知するよう
にしたウエハ支持部材では、ウエハの保持面に開口する
開口部にゴミ等が溜まって目詰まりすると、保持面にウ
エハが載っていないのにウエハが載っていると間違った
判断をしてしまう恐れがあった。

【０００８】さらに、静電チャック機能を有し、ウエハ
と電極との間に流れる漏れ電流を測定することによりウ
エハの有無を検知するようにしたウエハ支持部材では、
ウエハと電極との間に流れる漏れ電流が、使用環境、絶
縁性セラミック体の材質等によって大きく変動するとと
もに、流れる電流値が極めて微量であるため、正確にウ
エハの有無を判断することが難しかった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、請求項１に係る発明は、絶縁性セラミック体
の一方の主面にウエハを載せる保持面を有するととも
に、上記絶縁性セラミック体中に平板状をした一対の導
体層を埋設し、かつ上記一対の導体層には、一対の導体
層間の静電容量を測定するインピーダンスメータを設け
てウエハ支持部材を構成し、上記一対の導体層及びイン
ピーダンスメータとでウエハの有無を測定する検知手段
を構成したことを特徴とする。

【００１０】また、請求項２に係る発明は、絶縁性セラ
ミック体の一方の主面にウエハを載せる保持面を有する
とともに、上記絶縁性セラミック体中にコイル状をした
導体層を埋設し、かつ上記コイル状をした導体層には、
導体層のインピーダンスを測定するインピーダンスメー
タ又は前記コイル状をした導体層を流れる磁束の大きさ
を測定するガウスメータを設けてウエハ支持部材を構成
し、上記コイル状をした導体層及びインピーダンスメー
タ又はガウスメーターとでウエハの有無を測定する検知
手段を構成したことを特徴とする。

【００１１】さらに、各絶縁性セラミック体中には、外
部からのノイズを遮断するシールド電極を設けることが
好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００１３】図１は本発明に係るウエハ支持部材の一例
である搬送アームを示す斜視図、図２はその縦断面図で
あり、この搬送アーム１は、板状をした絶縁性セラミッ
ク体２の上面に、略円板状した半導体ウエハ（不図示）
の外径より若干大きな径を有する凹部を備え、この凹部
の底面を保持面３としたもので、保持面３の下方におけ
る絶縁性セラミック体２中には、ウエハの有無を検知す
る素子として、平板状をした一対の導体層４，４を埋設
するとともに、絶縁性セラミック体２の下面側には、外
部からのノイズを遮断するシールド電極として、平板状
をした導体層５を埋設してある。

【００１４】ウエハの有無を検知する素子としての一つ
の導体層４は、図３にその平面形状を示すように櫛歯状
とし、一方の導体層４の櫛歯が、他方の導体層４の櫛歯
の間に入り込むように配置してあり、またシールド電極
としての導体層５は、図４にその平面形状を示すよう
に、外径寸法が一対の導体層４，４と略同寸法の長方形
としてある。

【００１５】なお、絶縁性セラミック体２の端部には、
一対の導体層４，４とそれぞれ電気的に接続させた給電
ピン６，６、及び導体層５と電気的に接続されるアース
ピン７を突出させてあり、これら給電ピン６，６はイン
ピーダンスメータ８と接合するとともに、アースピン７
はアースしてある。

【００１６】そして、この搬送アーム１にてウエハの有
無を検知するには、インピーダンスメータ８より一対の
導体層４，４間に数ミリワット以下の高周波電力を印加
し、保持面３にウエハを載せていない時の一対の導体層
４，４間における静電容量と、保持面３にウエハを載せ
た時の一対の導体層４，４間における静電容量とを比較
することによりウエハの有無を検知することができる。

【００１７】即ち、保持面３にウエハを載せると、一対
の導体層４，４間における静電容量が、保持面３にウエ
ハを載せていない場合と比較して一桁以上大きく変化す
るため、ウエハを載せる前後の静電容量の差を見ること
で容易にウエハの有無を検知することができる。なお、
一対の導体層４，４に加える電力は小さいため、この電
力による絶縁性セラミック体２の発熱は無視することが
できる。

【００１８】また、この搬送アーム１によれば、ウエハ
の有無を検知する素子を絶縁性セラミック体２中に埋設
してあるため、図７に示す従来の搬送アーム２１のよう
にセンサ２５が出っぱるようなことがなく、搬送アーム
１全体を薄くすることができるため、複数のウエハが収
容されたラックからのウエハの出し入れの際に、他のウ
エハにあたってしまうようなことがなく、狭いウエハ間
に搬送アーム１を挿入し、所定のウエハを出し入れする
ことができる。

【００１９】しかも、使用環境によっては高温に曝され
たり、ハロゲンガス等の腐食性ガスに曝されることもあ
るが、ウエハの有無を検知する素子はセラミックスによ
り覆われ、直接曝されるようなことがないため、素子で
ある導体層４が酸化したり、腐食するようなことがな
い。

【００２０】なお、この搬送アーム１においても信号変
化を測定することでウエハの有無を検知することから、
ノイズに弱いという欠点がある。具体的には、ロボット
アームの伸縮に伴って発生するノイズや、金属材料から
なるチャンバーに近づいたり、離れる際に発生するノイ
ズ等がある。

【００２１】しかしながら、本発明の搬送アーム１は、
絶縁性セラミック体２中にシールド電極としての導体層
５を埋設し、アースしてあることから、電磁波等のノイ
ズがウエハの有無を検知する素子に達するのを効果的に
防止することができるため、ノイズによるウエハの検出
特性に悪影響を与えることがない。なお、ノイズを有効
にカットするには、シールド電極としての導体層５の大
きさを、平面的に見たときに、ウエハの有無を検知する
一対の導体層４，４と同等又はそれ以上の大きさとする
ことが好ましい。ただし、ノイズがなければシールド電
極としての導体層５を埋設する必要はない。

【００２２】ところで、絶縁性セラミック体２を形成す
る材質としては、使用環境において、体積固有抵抗値が
１×１０¹⁰Ω・ｃｍより高い絶縁性を有するセラミック
スにより形成することが重要であり、好ましくは体積固
有抵抗値が１×１０¹³Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有するセ
ラミックスを用いることが良い。なぜなら、絶縁性セラ
ミック体２の体積固有抵抗値が１×１０¹⁰Ω・ｃｍ以下
になると、ウエハの有無を検知する一対の導体層４，４
間に漏れ電流が発生し、ウエハの有無を検知することが
できなくなるからである。具体的には、アルミナ、窒化
珪素、サイアロン、窒化アルミニウムを主成分とするセ
ラミックスを用いることができ、使用目的及び使用環境
における抵抗値を考慮して適宜選択して用いれば良い。

【００２３】また、絶縁性セラミック体２中に埋設する
一対の導体層４，４及び導体層５を形成する材質として
は、絶縁性セラミック体２中に埋設することから、絶縁
性セラミック体２との熱膨張差が小さく、１０以下の比
透磁率を有する高融点金属やその合金等により形成する
ことが良い。理由としては、比透磁率が１０を超える
と、不要な磁性が発生し、この磁性がノイズ源となって
誤測定の原因となるからであり、また、後述するよう
に、一対の導体層４，４や導体層５は絶縁性セラミック
体２中に埋設し、焼結にて一体化するため、焼成時の温
度に耐え得るような高い融点を有する金属や合金等によ
り形成する必要があるからである。このように、１０以
下の比透磁率を有する高融点金属や合金等としては、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム
（Ｔｉ）、タングステンカーバイト（ＷＣ）、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）を用いることができ、絶縁性セラミック体
２との熱膨張差を考慮して適宜選択して用いれば良い。

【００２４】さらに、ウエハの有無を検知する一対の導
体層４，４は、平面的に見たときの面積が互いに等しい
方が良く、また一対の導体層４，４の全体の外形状は、
ウエハと同等以上とすることにより検知感度を大きくす
ることができて好ましい。なお、導体層４の平面形状と
しては、櫛歯状をしたものだけに限らず、半円状をした
もの、市松模様状をしたものなど様々な形状を採用する
ことができ、搬送アーム１の構造や保持面３の形状に合
わせて選択すれば良い。

【００２５】ただし、ウエハの有無を検知する素子であ
る一対の導体層４，４が埋設されている深さが保持面３
から５ｍｍを越えると、ウエハを載せた時の静電容量変
化が小さいためにウエハの有無を検知することが難し、
逆に保持面３からの深さを０.１ｍｍ未満とすることが
製作上難しい。その為、ウエハの有無を検知する素子の
埋設深さは保持面３から０．１〜５ｍｍの範囲とするこ
とが良く、好ましくは保持面３から０．３〜０．６ｍｍ
の深さに埋設することが良い。

【００２６】また、シールド電極としての導体層５は、
ノイズが素子に達することを防止するため、素子として
の一対の導体層４，４の近傍に埋設することが良く、一
対の導体層４，４から０．１〜５ｍｍの深さに埋設する
ことが良い。即ち、シールド電極の埋設深さを一対の導
体層４，４から０．１ｍｍ未満の深さとすることは製造
上難しく、逆に一対の導体層４，４から５ｍｍを超える
と、ノイズを遮断する効果が小さくなるからである。好
ましくは一対の導体層４，４から０．３〜０．６ｍｍの
深さに埋設することが良い。

【００２７】さらに、一対の導体層４，４及び導体層５
とそれぞれ電気的に接続される給電ピン６及びアースピ
ン７を形成する材質としては、導体層４，５と同様に、
絶縁性セラミック体２との熱膨張差が小さく、１０以下
の比透磁率を有する高融点金属やその合金等により形成
すれば良く、具体的には、タングステン（Ｗ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）等の金属やこれらの
金属を含む合金、あるいはタングステンカーバイト（Ｗ
Ｃ）や窒化チタン（ＴｉＮ）を用いることができ、絶縁
性セラミック体２との熱膨張差を考慮して適宜選択すれ
ば良い。

【００２８】なお、本発明の搬送アーム１を構成する絶
縁性セラミック体２を製造する方法としては、絶縁性セ
ラミック体２を形成するセラミックグリーンシートを複
数枚用意し、一つのセラミックグリーンシートに、一対
の導体層４となる導体ペーストを図３のようなパターン
形状に印刷するとともに、他のセラミックグリーンシー
トに、シールド電極となる導体ペーストを図４のような
パターン形状に印刷し、各々を所定の順序で積み重ねて
積層体としたあと焼成するか、あるいは図３のパターン
形状を有する一対の金属箔や金属板と、図４のパターン
形状を有する金属箔や金属板を、金型内に充填したセラ
ミック粉体中に埋設しておき、加圧成形により一体的に
成形体を形成し、しかる後一体的に焼成すれば良い。

【００２９】以上、図１ではウエハの有無を検知する素
子のみを備えた搬送アーム１について説明したが、ウエ
ハの有無を検知する素子以外の機能を持たせることもで
き、例えば、絶縁性セラミック体２中に抵抗発熱体を埋
設してヒータ機能を持たせたり、一対の導体層４，４に
直流電圧を印加して導体層４とウエハとの間に静電吸着
力を発現させる静電吸着機能を持たせたり、保持面３に
開口部を設けるとともに、絶縁性セラミック体２中に開
口部に連通する吸引孔を設け、真空吸引することにより
ウエハを保持面３に強制吸着させる真空吸着機能を持た
せることもできる。

【００３０】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。

【００３１】図５はウエハの有無を検知する素子とし
て、平板状をした一対の導体層４，４に代えて、コイル
状をした導体層１１を埋設する以外は図１と同様の構造
をしたもので、コイル状をした導体層１１にインピーダ
ンスメータ８より高周波電力を加え、保持面３にウエハ
を載せた時に変化する導体層１１のインピーダンスをイ
ンピーダンスメータ８にて測定することで、ウエハの有
無を検知するようにしたもので、この搬送アーム１にお
いてもウエハを載せると大きなインピーダンス変化が得
られるため、確実にウエハの有無を検知することができ
る。

【００３２】また、図６はウエハの有無を検知する素子
として、平板状をした一対の導体層４，４に代えて、コ
イル状をした導体層１１を埋設するとともに、インピー
ダンスメータ８に代えてガウスメータ１２を用いる以外
は図１と同様の構造をしたもので、コイル状をした導体
層１１にガウスメータ１２から交流信号を与えることに
より渦電流を発生させ、保持面３にウエハを載せた時に
渦電流による磁束が変化するのをモニターすることで、
ウエハの有無を検知するようにしたもので、この搬送ア
ーム１においてもウエハを載せると大きな磁束変化が得
られるため、確実にウエハの有無を検知することができ
る。

【００３３】また、これら図５及び図６の搬送アーム１
においても、ウエハの有無を検知する素子を絶縁性セラ
ミック体２中に埋設してあるため、搬送アーム１全体を
小型でコンパクトに仕上げることができるとともに、使
用環境によっては高温に曝されたり、ハロゲンガス等の
腐食性ガスに曝されることもあるが、素子であるコイル
状の導体層１１が酸化したり、腐食することがない。

【００３４】なお、絶縁性セラミック体２中に埋設する
コイル状の導体層１１としては、前述した平板状の導体
層４と同様に、絶縁性セラミック体２との熱膨張差が小
さく、１０以下の比透磁率を有する、タングステン
（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）等の
金属やこれらの金属を含む合金、あるいはタングステン
カーバイト（ＷＣ）や窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いれ
ば良く、また少なくとも１００ターン以上巻線したもの
を用いれば、ウエハの有無を検知することができる。

【００３５】また、図３や図４の搬送アーム１において
も、静電吸着機能や真空吸着機能を備えていても構わな
い。

【００３６】以上、本実施形態では、搬送アーム１を例
にとって説明したが、本発明は搬送アーム１だけに限定
されるものではなく、この他、静電チャックや真空チャ
ックあるいはサセプタ等のウエハ支持部材にも好適に用
いることができることは言うまでもない。

【００３７】

【実施例】（実施例１）ここで、図１乃至図４に示す搬
送アーム１を試作し、ウエハの有無が検知可能か否かに
ついて調べる実験を行った。

【００３８】本実験で使用する搬送アーム１を以下のよ
うにして製作した。まず、平均粒子径が１μｍ程度で、
純度が９９％のＡｌ₂Ｏ₃粉末に対し、助剤としてＳｉＯ
₂とＭｎをそれぞれ０．４重量％添加するとともに、バ
インダー及び溶媒を添加して泥しょうを作製し、ドクタ
ーブレード法にて厚さ０.３ｍｍのセラミックグリーン
シートを複数枚得た。そして、あるセラミックグリーン
シートには、Ｍｏ粉末を７０重量％、Ａｌ₂Ｏ₃粉末を３
０重量％混合して粘度調整したペーストを、図３に示す
ような一対の櫛歯状にスクリーン印刷し、他のセラミッ
クグリーンシートには、図４に示すような平板状にスク
リーン印刷し、残りのセラミックグリーンシートを積み
重ね、８０℃の温度で４９ＧＰａの圧力を加えながら熱
圧着したあと、切削加工を施して板状のセラミック積層
体を得た。そして、このセラミック積層体を脱脂し、次
いで水素窒素雰囲気下で１７００℃の温度で焼成するこ
とにより、純度９９％以上、熱伝導率３０Ｗ／ｍ・Ｋ、
曲げ強度４９０ＭＰa、２５℃での体積固有抵抗値が１
０¹⁴Ω・ｃｍ以上のアルミナセラミックスからなる絶縁
性セラミック体２を得た。

【００３９】この後、一対の導体層４，４が埋設されて
いる側の絶縁性セラミック体２上に研削加工を施して、
直径８インチのウエハを収容できる凹部を形成すること
により、凹部の底面を保持面３とする搬送アーム１を製
作した。なお、ウエハの有無を検知する素子としての一
対の導体層４，４が埋設されている深さは保持面３から
０．５ｍｍの深さであった。

【００４０】なお、導体層４及び導体層５への通電は、
絶縁性セラミック体２の端部より挿入してメタライズ接
合した給電ピン６，６及びアースピン７を介して行うよ
うにし、給電ピン６，６及びアースピン７には絶縁性セ
ラミック体２の熱膨張係数と同程度のＴｉを用いた。

【００４１】次いで、アースピン７は接地してアースす
るとともに、給電ピン６，６にはインピーダンスメータ
８を接続することにより本発明の搬送アーム１を用意し
た。

【００４２】そして、まず、保持面３にウエハを載せな
い状態で、一対の導体層４，４間における静電容量を測
定したところ、１ＭＨｚの高周波電力の印加に対して１
０ｐＦ以下であったのに対し、保持面３にウエハを載せ
た状態で、一対の導体層４，４間における静電容量を測
定したところ、１ＭＨｚの高周波電力の印加に対して３
５０ｐＦとなり、ウエハを載せない時と比較して３０倍
以上の静電容量変化が得られ、ウエハの有無を十分に検
知できることが確認できた。

【００４３】この結果、インピーダンスメータ８の上限
警報値を１００ｐＦとすることで、ウエハが載置された
時は必ず警報用リレーが作動し、ウエハの存在を検知す
ることが可能となる。（実施例２）次に、ウエハの有無を検知する素子の埋設
深さと検知感度（静電容量変化の度合い）について確認
する実験を行ったところ、ウエハの有無を検知する素子
である一対の導体層４，４の深さが保持面３から０.１
ｍｍ以下となると製作することが自体が難しく、また深
さが５ｍｍを越えると、ウエハを載せた時の静電容量が
１ＭＨｚの高周波電力の印加に対して７０ｐＦとなり、
ウエハが無いときと比べ７倍程と１０倍以上の静電容量
変化が得られず、検知感度が著しく劣った。

【００４４】この結果、ウエハの有無を検知する素子で
ある一対の導体層４，４の埋設深さは、保持面３から
０．１〜５ｍｍの深さに埋設することが良いことが判
る。（実施例３）さらに、ウエハの有無を検知する素子であ
る一対の導体層４，４の材質をＭｏに代えて、Ｗ、Ｔ
ｉ、Ｎｉ、コバール等を用い、前述したのと同様の実験
を行った。

【００４５】結果はそれぞれ表１に示す通りである。

【００４６】

【表１】

【００４７】この結果、導体層４に比透磁率が１０以下
の金属を用いれば、ウエハを載せた時の静電容量変化を
１０倍以上とすることができることが判る。このことか
ら、ウエハの有無を検知する素子である導体層４，４の
材質としては、比透磁率が１０以下のものを用いること
が良いことが判る。（実施例４）次に、この搬送アーム１の耐熱性を調べる
実験を行った。実験は、予め赤外線ランプによってウエ
ハを加熱しておき、熱せられたウエハを搬送アーム１の
保持面３に載せた時にウエハの有無を検知できるか否か
について測定した。

【００４８】この結果、本発明の搬送アーム１は５００
℃に加熱したウエハを載せても１０倍以上の静電容量の
変化を確認することができ、ウエハの有無を検知するこ
とが可能であった。これに対し、比較例として用意した
図７に示す従来の搬送アーム２１では、３００℃に加熱
したウエハを載せると、その輻射熱等によって、接着剤
や樹脂そのものが溶融してしまい、実用に供しなかっ
た。（実施例５）さらに、ノイズによる影響を調べる実験を
行った。実験は、搬送アーム１をチャンバー等に取り付
けられた狭いシャッター状の出入口を往復移動させた時
にウエハの有無を検知できるか否かについて測定した。

【００４９】この結果、シールド電極を有する搬送アー
ム１は、シャッター状の出入口をくぐりぬける際、ウエ
ハを載せていない時の静電容量を５０pＦ以下に抑えら
れ、確実にウエハを検知することができた。

【００５０】これに対し、シールド電極を備えていない
搬送アーム１は、シャッター状の出入口をくぐりぬける
時に、一対の導体層４，４がチャンバー部材との間でキ
ャパシタンスを形成し、ウエハを載せていないのに静電
容量が１００pＦにまで上昇し、ウエハを載せたとき
と、ウエハを載せていないときで静電容量変化が殆どな
くウエハの有無を検知することが難しかった。

【００５１】この結果、ノイズが発生するような場合に
は、シールド電極を設けることが良いことが判る。

【００５２】

【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発明によ
れば、絶縁性セラミック体の一方の主面にウエハを載せ
る保持面を有するとともに、前記絶縁性セラミック体中
に平板状をした一対の導体層を埋設し、かつ前記一対の
導体層には、一対の導体層間における静電容量を測定す
るインピーダンスメータを設けてウエハ支持部材を構成
し、前記一対の導体層及びインピーダンスメータとでウ
エハの検知手段を構成したことによって、ウエハ支持部
材にセンサ等が突出するようなことがなく、小型化、薄
肉化できるとともに、ウエハの有無を検知する素子を絶
縁性セラミック体中に埋設してあることから、熱や腐食
性ガス等の使用環境に影響を受けることがなく、ウエハ
の有無を正確かつ確実に検知することができる。

【００５３】また、請求項２に係る発明によれば、絶縁
性セラミック体の一方の主面にウエハを載せる保持面を
有するとともに、前記絶縁性セラミック体中にコイル状
の導体層を埋設し、かつ前記導体層には、前記導体層の
インピーダンスを測定するインピーダンスメータ又は前
記導体層の磁束の大きさを測定するガウスメータを設け
てウエハ支持部材を構成し、前記導体層及びインピーダ
ンスメータ又はガウスメーターとでウエハの検知手段を
構成したことによって、請求項１に係る発明と同様に、
ウエハ支持部材を小型化、薄肉化できるとともに、熱や
腐食性ガス等の使用環境に影響を受けることがなく、ウ
エハの有無を正確かつ確実に検知することができる。

【００５４】さらに、請求項３に係る発明によれば、絶
縁性セラミック体中にシールド電極を埋設してあること
から、外部からのノイズによって検知感度が劣化するこ
とを防止することができ、常にウエハの有無を検知する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るウエハ支持部材の一例である搬送
アームを示す斜視図である。

【図２】図１に示す搬送アームの縦断面図である。

【図３】ウエハの有無を検知する素子である一対の導体
層のパターン形状を示す平面図である。

【図４】シードル電極である導体層のパターン形状を示
す平面図である。

【図５】本発明に係る搬送アームの他の例を示す縦断面
図である。

【図６】本発明に係る搬送アームの更に他の例を示す縦
断面図である。

【図７】（ａ）は従来のウエハ支持部材の一例である搬
送アームを示す斜視図、（ｂ）は（ａ）の縦断面図であ
る。

【符号の説明】

１：搬送アーム２：絶縁性セラミック体３：保持面
４：平板状の導体層５：導体層６：給電ピン７：アースピン８：イン
ピーダンスメータ１１：コイル状の導体層１２：ガウスメータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性セラミック体の一方の主面にウエハ
を載せる保持面を有するとともに、上記絶縁性セラミッ
ク体中には平板状をした一対の導体層を埋設し、かつ上
記一対の導体層にはインピーダンスメータを接続して成
り、前記一対の導体層及びインピーダンスメータとでウ
エハの有無を測定する検知手段を構成したことを特徴と
するウエハ支持部材。
【請求項２】絶縁性セラミック体の一方の主面にウエハ
を載せる保持面を有するとともに、上記絶縁性セラミッ
ク体中にはコイル状をした導体層を埋設し、かつ上記コ
イル状の導体層にはインピーダンスメータ又はガウスメ
ータを接続して成り、前記コイル状をした導体層及びイ
ンピーダンスメータ又はガウスメーターとでウエハの有
無を測定する検知手段を構成したことを特徴とするウエ
ハ支持部材。
【請求項３】前記絶縁性セラミック体中に、外部からの
ノイズを遮断するシールド電極を備えることを特徴とす
る請求項１又は請求項２に記載のウエハ支持部材。