JP2016014901A - 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016014901A JP2016014901A JP2015205399A JP2015205399A JP2016014901A JP 2016014901 A JP2016014901 A JP 2016014901A JP 2015205399 A JP2015205399 A JP 2015205399A JP 2015205399 A JP2015205399 A JP 2015205399A JP 2016014901 A JP2016014901 A JP 2016014901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- stage
- exposure apparatus
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
これにより、基板アライメント系5の検出基準位置と、基板ステージPSTに載置された基板P上の各ショット領域との位置関係が決定される。すなわち、制御装置CONTは、レーザ干渉計56の出力から基板アライメント系5の検出基準位置に対して基板P上の各ショット領域がどこに位置しているかを知ることができる。
なお本実施形態のマスクアライメント系6では、マークに対して光を照射し、CCDカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するVRA(ビジュアル・レチクル・アライメント)方式が採用されている。
こうすることで、基準部材3上の液体LQが回収される。なお、基準部材3と補助プレート57とが一体的に設けられ、基準部材3bと基板Pとが補助プレート57を介してほぼ同じ高さで連続している構成が好ましく、この場合には、液体供給機構10の液体供給動作を停止することなく、投影光学系PLの像面側に液体LQを保持した状態で、液体LQの液浸領域を基準部材3上から基板P上に移動することができる。
基板アライメント系5は残留した液体LQの影響を受けることなく基準マークPFMの検出を精確に行うことができる。
また、マスク側基準マークMFMと基板側基準マークPFMとを別々の基準部材に形成してもよい。その場合、本実施形態のように、マスク側基準マークMFMと基板側基準マークPFMとを非同時に検出するようにすることで、基準マークPFMが形成された基準部材上には液浸領域を形成する必要がなくなる。したがって、基準マークPFMの無段差化などの液浸対応を行う必要がないばかりでなく、ウォーターマークなどの発生も防止できる。
Claims (41)
- 投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージに保持された前記基板上のアライメントマークを検出するとともに前記基板ステージに設けられた基準を検出する第1検出系と、
前記基板ステージに設けられた基準を前記投影光学系を介して検出する第2検出系とを備え、
前記第1検出系を用いて前記基板ステージに設けられた基準を、液体を介さずに検出するとともに、前記第2検出系を用いて前記基板ステージに設けられた基準を前記投影光学系と液体とを介して検出して、前記第1検出系の検出基準位置と前記パターンの像の投影位置との位置関係を求めることを特徴とする露光装置。 - 前記基板上に形成された複数のアライメントマークの位置情報を前記第1検出系を用いて検出し、
前記第1検出系を用いて検出された位置情報、及び前記検出基準位置と前記投影位置との位置関係に基づいて前記基板を位置合わせして、前記基板の露光を行うことを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記第1検出系による前記アライメントマークの位置情報の検出は、液体を介さずに行われることを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
- 前記基板ステージは、前記基板を保持するための基板ホルダを有し、前記第2検出系による前記基板ステージに設けられた基準の検出は、前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板を保持した状態で行われることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記基準は、前記第1検出系で検出される第1基準と前記第2検出系で検出される第2基準とを含み、前記第1基準と前記第2基準は所定の位置関係で離れて配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第1検出系による前記基準の検出と、前記第2検出系による前記基準の検出とは同時に行われることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の露光装置。
- 液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材と、
前記第1検出系の検出領域に前記アライメントマークを配置するための前記基板ステージの移動軌跡を、前記第1検出系と前記ノズル部材との位置関係に応じて決定する制御装置とを備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記制御装置は、前記第1検出系の検出領域に配置される前の前記アライメントマークが、前記ノズル部材の下を通過しないように前記基板ステージの移動軌跡を決定することを特徴とする請求項7記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する基板ホルダを有し、前記基板ホルダに前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージに保持された前記基板上のアライメントマークを検出する第1検出系と、
前記基板ステージに設けられた基準を液体を介して検出する第2検出系とを備え、
前記第2検出系を用いて前記基板ステージに設けられた基準を液体を介して検出するときに、前記基板ホルダには基板もしくはダミー基板が配置されていることを特徴とする露光装置。 - 前記第2検出系は、前記パターンを有するマスクと前記投影光学系とを介して前記基板ステージ上の基準の検出を行うことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第2検出系で検出される基準は、前記基板ステージ上に配置された基準部材に形成され、
前記第2検出系で前記基準部材に形成された基準を検出する際に、前記投影光学系の端面と前記基準部材の上面との間に液体が満たされることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記基準部材の上面は無段差であることを特徴とする請求項11記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
上面が無段差の基準部材と、
前記投影光学系の端面と前記基準部材の上面との間を液体で満たした状態で、前記基準部材に形成された基準マークを検出する検出系とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記投影光学系の像面側で移動可能なステージをさらに備え、
前記基準部材は、前記ステージに配置されていることを特徴とする請求項13に記載の露光装置。 - 前記ステージは、前記基板を保持することを特徴とする請求項14に記載の露光装置。
- 前記基準部材の上面は、その少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項11〜15のいずれか一項記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する基板ホルダを有し、前記基板ホルダに前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出する検出器と、
前記検出器の検出結果に応じて、前記基板ステージの可動領域を変更する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記基板上に液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材を備え、
前記検出器が基板もしくは前記ダミー基板を検出しないときは、前記制御装置は、前記基板ステージの可動領域を前記ノズル部材の下に前記基板ホルダが位置しない領域とすることを特徴とする請求項17記載の露光装置。 - 前記ノズル部材に液体を供給する液体供給機構を備え、
前記検出器が前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板を検出しないときは、前記制御装置は、前記液体供給機構による液体供給を停止することを特徴とする請求項17又は18記載の露光装置。 - 投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する基板ホルダを有し、前記基板ホルダに前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
液体を供給する液体供給機構と、
前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出する検出器と、
前記検出器の検出結果に基づいて、前記液体供給機構の動作を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。 - さらに、基板ホルダに基板を吸着するための基板吸着保持機構を備え、前記検出器は基板吸着保持機構と流体接続された圧力検出器であることを特徴とする請求項17〜20のいずれか一項に記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する基板ホルダを有し、前記基板ホルダに前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ホルダ上に基板又はダミー基板が保持されている場合に限り、前記基板ステージ上に液体を供給する液体供給機構とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、
前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージに基板又はダミー基板が保持されている場合に限り、前記基板ステージ上に液浸領域を形成する液浸機構とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記基板ステージは、その保持された基板又はダミー基板の周囲に、その保持された基板又はダミー基板の表面とほぼ面一の平坦部を有することを特徴とする請求項23に記載の露光装置。
- 前記基板ステージの平坦部に配置された計測部材と、
前記計測部材上の少なくとも一部に液浸領域を形成した状態で、前記計測部材からの光を検出する検出系とを備えたことを特徴とする請求項24に記載の露光装置。 - さらに、ダミー基板を収容するダミー基板ライブラリを備えたことを特徴とする請求項17〜25のいずれか一項に記載の露光装置。
- 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、
前記基板を保持するための凹部と、前記凹部の周囲に配置され、前記凹部に保持された前記基板の表面とほぼ面一の平坦部とを有する基板ステージとを備え、
前記基板ステージ上の凹部に物体が配置され、前記物体表面と前記平坦部とがほぼ面一になっている場合に限り、前記基板ステージ上に液浸領域を形成することを特徴とする露光装置。 - 前記物体は、基板又はダミー基板を含むことを特徴とする請求項27記載の露光装置。
- 前記凹部に前記物体が配置されていない場合、前記基板ステージ上に液浸領域を形成することを禁止する制御装置を備えたことを特徴とする請求項27又は28に記載の露光装置。
- 前記液浸領域を形成するために液体を供給する液浸機構を更に備え、前記制御装置は、前記凹部に前記物体が配置されていない場合に、前記液浸機構による液体の供給を中止することを特徴とする請求項27〜29のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記凹部に前記物体が配置されていない場合に、前記基板ステージと前記投影光学系の終端の光学素子とが対向しないように、前記基板ステージの移動を制御することを特徴とする請求項27〜30のいずれか一項に記載の露光装置。
- 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置において、
基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、
前記投影光学系の像面側で移動可能なステージと、
前記基板上のアライメントマークを検出するとともに前記ステージに設けられた基準を検出する第1検出系と、
前記ステージに設けられた前記基準を前記投影光学系を介して検出する第2検出系とを備え、
前記第1検出系を用いて前記ステージに設けられた基準を、液体を介さずに検出するとともに、前記第2検出系を用いて前記ステージに設けられた基準を前記投影光学系と液体とを介して検出して、前記第1検出系の検出基準位置と前記パターンの像の投影位置との位置関係を求めることを特徴とする露光装置。 - 請求項1〜請求項32のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 投影光学系と液体とを介して基板上のパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光方法において、
前記基板上のアライメントマークの位置情報を第1検出系を用いて検出し、
前記第1検出系を用いて、前記基板を保持する基板ステージ上の基準の位置情報を検出し、
前記第1検出系による前記アライメントマークの位置情報の検出と前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出との両方が完了した後に、前記基板ステージ上の基準を前記投影光学系と液体とを介して第2検出系を用いて検出し、
前記第1検出系による前記アライメントマークの位置情報の検出結果と、前記第1検出系による前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出結果と、前記第2検出系による前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出結果とに基づいて、前記第1検出系の検出基準位置と前記パターンの像の投影位置との関係を求めるとともに、前記パターンの像と前記基板との位置合わせを行って、前記基板上の複数のショット領域のそれぞれに順次前記パターンの像を投影して露光することを特徴とする露光方法。 - 前記基板の露光完了後に別の基板を前記基板ステージ上に保持して露光する際には、前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出を行うことなく、前記別の基板上のアライメントマークの位置情報を第1検出系を用いて検出し、
前記第1検出系を用いて検出された前記別の基板上のアライメントマークの位置情報、及び前記第1検出系の検出基準位置と前記パターンの像の投影位置との関係に基づいて、前記別の基板上の複数のショット領域のそれぞれに順次前記パターンの像を投影して前記基板を露光することを特徴とする請求項34記載の露光方法。 - 前記第1検出系で検出される前記基板ステージ上の基準と、前記第2検出系で検出される前記基板ステージ上の基準とは、所定の位置関係で離れて配置されていることを特徴とする請求項34又は35記載の露光方法。
- 前記基板の露光を終了した後、該基板を前記基板ステージに保持した状態で、前記第1検出系による前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出と前記第2検出系による前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出とを行い、該検出が終了した後、前記基板を基板ステージより搬出することを特徴とする請求項34〜36のいずれか一項記載の露光方法。
- 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって前記基板を露光する露光方法において、
基準と基板ホルダが設けられた基板ステージに保持された前記基板上のアライメントマークを第1検出器で検出することと、
前記基板ホルダに基板またはダミー基板を配置した状態で、前記基準を液体を介して第2検出器で検出することと、
第1及び第2検出器の検出結果に基づいて基板とパターンの像を位置合わせして、パターンの像で基板を露光することを含む露光方法。 - 移動可能な基板ステージの基板ホルダに保持された基板上に液体を介してパターンの像を投影することによって前記基板を露光する露光方法において、
前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出することと、
前記検出結果に応じて、前記基板ステージの可動領域を設定することを含む露光方法。 - 移動可能な基板ステージに保持された基板上に液体を介してパターンの像を投影することによって前記基板を露光する露光方法において、
前記基板ステージに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出することと、
前記検出結果に応じて、前記基板ステージ上に液浸領域を形成するか否かを判断することを含む露光方法。 - 請求項34〜請求項40のいずれか一項記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015205399A JP6304190B2 (ja) | 2003-10-09 | 2015-10-19 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003350628 | 2003-10-09 | ||
JP2003350628 | 2003-10-09 | ||
JP2004045103 | 2004-02-20 | ||
JP2004045103 | 2004-02-20 | ||
JP2015205399A JP6304190B2 (ja) | 2003-10-09 | 2015-10-19 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014227908A Division JP6036791B2 (ja) | 2003-10-09 | 2014-11-10 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016201770A Division JP6332395B2 (ja) | 2003-10-09 | 2016-10-13 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016014901A true JP2016014901A (ja) | 2016-01-28 |
JP6304190B2 JP6304190B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=34436914
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000106A Expired - Fee Related JP5136565B2 (ja) | 2003-10-09 | 2010-01-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2011082809A Expired - Fee Related JP5299465B2 (ja) | 2003-10-09 | 2011-04-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2012082716A Expired - Fee Related JP5765285B2 (ja) | 2003-10-09 | 2012-03-30 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2013269195A Expired - Fee Related JP5811169B2 (ja) | 2003-10-09 | 2013-12-26 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2014227908A Expired - Fee Related JP6036791B2 (ja) | 2003-10-09 | 2014-11-10 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2015205399A Expired - Fee Related JP6304190B2 (ja) | 2003-10-09 | 2015-10-19 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
JP2016201770A Expired - Fee Related JP6332395B2 (ja) | 2003-10-09 | 2016-10-13 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
JP2017212586A Pending JP2018028692A (ja) | 2003-10-09 | 2017-11-02 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2018218881A Withdrawn JP2019035983A (ja) | 2003-10-09 | 2018-11-22 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000106A Expired - Fee Related JP5136565B2 (ja) | 2003-10-09 | 2010-01-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2011082809A Expired - Fee Related JP5299465B2 (ja) | 2003-10-09 | 2011-04-04 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2012082716A Expired - Fee Related JP5765285B2 (ja) | 2003-10-09 | 2012-03-30 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2013269195A Expired - Fee Related JP5811169B2 (ja) | 2003-10-09 | 2013-12-26 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2014227908A Expired - Fee Related JP6036791B2 (ja) | 2003-10-09 | 2014-11-10 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016201770A Expired - Fee Related JP6332395B2 (ja) | 2003-10-09 | 2016-10-13 | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 |
JP2017212586A Pending JP2018028692A (ja) | 2003-10-09 | 2017-11-02 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2018218881A Withdrawn JP2019035983A (ja) | 2003-10-09 | 2018-11-22 | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US8130361B2 (ja) |
EP (6) | EP2284614B1 (ja) |
JP (9) | JP5136565B2 (ja) |
KR (8) | KR101476903B1 (ja) |
CN (1) | CN102360167B (ja) |
HK (4) | HK1094090A1 (ja) |
IL (1) | IL174854A (ja) |
SG (3) | SG147431A1 (ja) |
TW (4) | TW201738932A (ja) |
WO (1) | WO2005036624A1 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI474380B (zh) * | 2003-05-23 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
CN1938646B (zh) * | 2004-01-20 | 2010-12-15 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 曝光装置和用于投影透镜的测量装置 |
EP3252533B1 (en) | 2004-02-04 | 2019-04-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device |
JP4872916B2 (ja) | 2005-04-18 | 2012-02-08 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007103658A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Canon Inc | 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法 |
CN100462845C (zh) * | 2005-11-11 | 2009-02-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有晶圆密封机构的改良型浸润式微影系统及其方法 |
US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
JP4704221B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2011-06-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
US7978308B2 (en) * | 2006-05-15 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW201610608A (zh) * | 2006-09-01 | 2016-03-16 | 尼康股份有限公司 | 移動體驅動方法及移動體驅動系統、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、以及元件製造方法 |
JP2008283052A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Toshiba Corp | 液浸露光装置および半導体装置の製造方法 |
JP5266855B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2013-08-21 | 日本電気株式会社 | 光学式外観検査装置 |
TW200944946A (en) * | 2008-04-28 | 2009-11-01 | Nanya Technology Corp | Exposure system |
JP2009295933A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Canon Inc | ダミー露光基板及びその製造方法、液浸露光装置、並びに、デバイス製造方法 |
US8290240B2 (en) * | 2008-06-11 | 2012-10-16 | Sirona Dental Systems Gmbh | System, apparatus, method, and computer program product for determining spatial characteristics of an object using a camera and a search pattern |
NL2002998A1 (nl) * | 2008-06-18 | 2009-12-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
JP2012004490A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
US9083863B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-07-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Alignment system for a digital image capture device |
US9162880B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Mass transfer tool |
US9217917B2 (en) * | 2014-02-27 | 2015-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Three-direction alignment mark |
JP6506153B2 (ja) * | 2015-10-27 | 2019-04-24 | 株式会社Screenホールディングス | 変位検出装置および変位検出方法ならびに基板処理装置 |
JP6207671B1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-10-04 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法 |
JP6307730B1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-11 | 株式会社新川 | 半導体装置の製造方法、及び実装装置 |
WO2018094668A1 (zh) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 水泵的清洁方法、水泵动力组件及农业无人机的加药装置 |
JP2018116036A (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-26 | 株式会社エンプラス | マーカ搭載用ユニット |
JP2019512041A (ja) * | 2017-02-24 | 2019-05-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板の真空処理のための装置、基板の真空処理のためのシステム、及び真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアを移送するための方法 |
JP7297878B2 (ja) * | 2018-10-01 | 2023-06-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置におけるオブジェクト |
KR20210070995A (ko) | 2018-10-05 | 2021-06-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 냉각 후드 상에서의 빠른 온도 제어를 위한 가스 혼합 |
US20200326275A1 (en) * | 2019-04-09 | 2020-10-15 | Illinois Tools Works Inc. | Non-destructive testing (ndt) based setups with integrated light sensors |
KR102227885B1 (ko) * | 2020-06-02 | 2021-03-15 | 주식회사 기가레인 | 패턴 정렬 가능한 전사 장치 |
DE102020216518B4 (de) * | 2020-12-22 | 2023-08-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Endpunktbestimmung mittels Kontrastgas |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62266846A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Canon Inc | ウエハ検出装置 |
JPH0294540A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Canon Inc | 基板着脱装置 |
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH11307612A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001267400A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP4524601B2 (ja) * | 2003-10-09 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Family Cites Families (222)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS587823A (ja) | 1981-07-06 | 1983-01-17 | Hitachi Ltd | アライメント方法およびその装置 |
US4410563A (en) | 1982-02-22 | 1983-10-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Repellent coatings for optical surfaces |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
US4650983A (en) | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
US4617057A (en) | 1985-06-04 | 1986-10-14 | Dow Corning Corporation | Oil and water repellent coating compositions |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62298728A (ja) | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Fujitsu Ltd | 照度測定装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5117254A (en) * | 1988-05-13 | 1992-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
JP3033135B2 (ja) | 1990-06-13 | 2000-04-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP3031993B2 (ja) * | 1990-11-05 | 2000-04-10 | 株式会社東芝 | X線露光装置 |
US6503567B2 (en) | 1990-12-25 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transparent substrate and method of manufacturing the same |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
US5689339A (en) * | 1991-10-23 | 1997-11-18 | Nikon Corporation | Alignment apparatus |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP3198309B2 (ja) | 1992-12-10 | 2001-08-13 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法およびワーク処理方法 |
JPH06232379A (ja) | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
TW417158B (en) * | 1994-11-29 | 2001-01-01 | Ushio Electric Inc | Method and device for positioning mask and workpiece |
JP3387075B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
CN1244018C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
KR100197885B1 (ko) * | 1996-12-23 | 1999-06-15 | 윤종용 | 노광설비의 기준마크 보호장치 |
DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands Bv | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
JP3817836B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1149504A (ja) | 1997-07-29 | 1999-02-23 | Toshiba Eng Co Ltd | 廃活性炭と水との分離装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU2549899A (en) | 1998-03-02 | 1999-09-20 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
JP4352445B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びその製造方法、並びにデバイス及びその製造方法 |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
US6498582B1 (en) | 1998-06-19 | 2002-12-24 | Raytheon Company | Radio frequency receiving circuit having a passive monopulse comparator |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
DE69930398T2 (de) | 1999-09-20 | 2006-10-19 | Nikon Corp. | Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren |
US6549277B1 (en) | 1999-09-28 | 2003-04-15 | Nikon Corporation | Illuminance meter, illuminance measuring method and exposure apparatus |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP2001318470A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置、マイクロデバイス、フォトマスク、及び露光方法 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP4579376B2 (ja) | 2000-06-19 | 2010-11-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2002075815A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Sony Corp | パターン検査装置及びこれを用いた露光装置制御システム |
EP1186959B1 (en) * | 2000-09-07 | 2009-06-17 | ASML Netherlands B.V. | Method for calibrating a lithographic projection apparatus |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US6710850B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
EP1256843A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-13 | ASML Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus |
TW530334B (en) * | 2001-05-08 | 2003-05-01 | Asml Netherlands Bv | Optical exposure apparatus, lithographic projection tool, substract coating machine, and device manufacturing method |
US20040253809A1 (en) | 2001-08-18 | 2004-12-16 | Yao Xiang Yu | Forming a semiconductor structure using a combination of planarizing methods and electropolishing |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
JP3448812B2 (ja) * | 2002-06-14 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法 |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101349876B (zh) | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4645027B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-03-09 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
US6992750B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP4179283B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2008-11-12 | 株式会社ニコン | 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置 |
WO2004053954A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
JP4364806B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
CN1316482C (zh) | 2002-12-19 | 2007-05-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照射层上斑点的方法和装置 |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
DE10303902B4 (de) * | 2003-01-31 | 2004-12-09 | Süss Microtec Lithography Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske |
TWI247339B (en) | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
JP4488005B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
EP1611486B1 (en) | 2003-04-10 | 2016-03-16 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
KR101364889B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-02-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
SG10201803122UA (en) | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
KR101861493B1 (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
WO2004095135A2 (en) | 2003-04-17 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1480065A3 (en) | 2003-05-23 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101915914B1 (ko) | 2003-05-28 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
TWI442694B (zh) | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007527615A (ja) | 2003-07-01 | 2007-09-27 | 株式会社ニコン | 同位体特定流体の光学素子としての使用方法 |
WO2005010611A2 (en) | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
US20050007596A1 (en) | 2003-07-11 | 2005-01-13 | Wilks Enterprise, Inc. | Apparatus and method for increasing the sensitivity of in-line infrared sensors |
US7738074B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005057294A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法 |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7158211B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60302897T2 (de) | 2003-09-29 | 2006-08-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP2005136374A (ja) | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
TW201738932A (zh) * | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
US8854602B2 (en) | 2003-11-24 | 2014-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Holding device for an optical element in an objective |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
EP1700163A1 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-13 | Carl Zeiss SMT AG | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
EP1697798A2 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-06 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
KR101309242B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-09-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
KR101233879B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-02-15 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
CN1938646B (zh) | 2004-01-20 | 2010-12-15 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 曝光装置和用于投影透镜的测量装置 |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
EP1723467A2 (en) | 2004-02-03 | 2006-11-22 | Rochester Institute of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
EP1714192A1 (en) | 2004-02-13 | 2006-10-25 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
EP1721201A1 (en) | 2004-02-18 | 2006-11-15 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7513802B2 (en) | 2004-03-23 | 2009-04-07 | Leviton Manufacturing Company, Inc. | Lamp base adapter |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
US8107162B2 (en) | 2004-05-17 | 2012-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101257960B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-04-24 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
US8605257B2 (en) | 2004-06-04 | 2013-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor |
-
2004
- 2004-10-11 TW TW106122876A patent/TW201738932A/zh unknown
- 2004-10-11 TW TW104138732A patent/TWI598934B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-11 TW TW101117751A patent/TWI553701B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-11 TW TW093130706A patent/TW200514138A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-12 EP EP10186748.9A patent/EP2284614B1/en not_active Not-in-force
- 2004-10-12 KR KR1020127033864A patent/KR101476903B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 EP EP04773783A patent/EP1672680B1/en not_active Not-in-force
- 2004-10-12 WO PCT/JP2004/015332 patent/WO2005036624A1/ja active Application Filing
- 2004-10-12 SG SG200807578-0A patent/SG147431A1/en unknown
- 2004-10-12 KR KR1020117024988A patent/KR101183851B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 EP EP16205778.0A patent/EP3206083B1/en not_active Not-in-force
- 2004-10-12 EP EP18177525.5A patent/EP3410216A1/en not_active Withdrawn
- 2004-10-12 KR KR1020127013752A patent/KR101261774B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 KR KR1020137022692A patent/KR101523456B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 SG SG10201702204YA patent/SG10201702204YA/en unknown
- 2004-10-12 EP EP15151347.0A patent/EP2937734B1/en not_active Not-in-force
- 2004-10-12 KR KR1020187005006A patent/KR20180021920A/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 KR KR1020167009409A patent/KR101832713B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 KR KR1020147016498A patent/KR101613062B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 CN CN201110302682.8A patent/CN102360167B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-12 SG SG10201508288RA patent/SG10201508288RA/en unknown
- 2004-10-12 KR KR1020067006560A patent/KR101183850B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-12 EP EP18177529.7A patent/EP3432073A1/en not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-04-06 IL IL174854A patent/IL174854A/en active IP Right Grant
- 2006-04-07 US US11/399,537 patent/US8130361B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-22 HK HK06110605.0A patent/HK1094090A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-01-04 JP JP2010000106A patent/JP5136565B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-04 JP JP2011082809A patent/JP5299465B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-20 US US13/354,899 patent/US9063438B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-30 JP JP2012082716A patent/JP5765285B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-25 HK HK12105144.0A patent/HK1164462A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-12-26 JP JP2013269195A patent/JP5811169B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-11-10 JP JP2014227908A patent/JP6036791B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-04-22 US US14/693,320 patent/US9383656B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-19 JP JP2015205399A patent/JP6304190B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-03-02 HK HK16102384.2A patent/HK1214373A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-06-30 US US15/199,195 patent/US10209623B2/en active Active
- 2016-10-13 JP JP2016201770A patent/JP6332395B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-11-02 JP JP2017212586A patent/JP2018028692A/ja active Pending
-
2018
- 2018-11-22 JP JP2018218881A patent/JP2019035983A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-01-24 US US16/256,026 patent/US20190155168A1/en not_active Abandoned
- 2019-01-31 HK HK19101715.1A patent/HK1259349A1/zh unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62266846A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Canon Inc | ウエハ検出装置 |
JPH0294540A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Canon Inc | 基板着脱装置 |
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
US5610683A (en) * | 1992-11-27 | 1997-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Immersion type projection exposure apparatus |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH11307612A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001267400A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP4524601B2 (ja) * | 2003-10-09 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6332395B2 (ja) | 液浸露光装置及び液浸露光方法、デバイス製造方法 | |
JP4524601B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20160614 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160808 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170404 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6304190 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |