JP3031993B2 - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JP3031993B2 JP3031993B2 JP2299442A JP29944290A JP3031993B2 JP 3031993 B2 JP3031993 B2 JP 3031993B2 JP 2299442 A JP2299442 A JP 2299442A JP 29944290 A JP29944290 A JP 29944290A JP 3031993 B2 JP3031993 B2 JP 3031993B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、Ｘ線を利用して露光を行なうＸ線露光装置
に係り、特にＸ線マスクと半導体ウェハの位置合わせを
行うアライメント光学系に改良を加えたＸ線露光装置に
関する。
に係り、特にＸ線マスクと半導体ウェハの位置合わせを
行うアライメント光学系に改良を加えたＸ線露光装置に
関する。
（従来の技術） 従来、LSIパターンを形成するには、光露光装置が一
般に用いられていたが、LSIパターンの微細化に伴っ
て、微細化されたパターンを光露光装置で形成するの
は、解像度や生産性の面で限界に近くなってきている。
そこで最近は、光露光装置よりも微細なパターンを形成
することが可能なＸ線露光装置の開発が進められてい
る。このＸ線露光装置では、その物理的特性から縮小投
影にすることが困難で、等倍の露光にならざるを得な
い。等倍露光を行うためには、Ｘ線マスクと半導体ウェ
ハとのギャップを極小にした近接露光となる。
般に用いられていたが、LSIパターンの微細化に伴っ
て、微細化されたパターンを光露光装置で形成するの
は、解像度や生産性の面で限界に近くなってきている。
そこで最近は、光露光装置よりも微細なパターンを形成
することが可能なＸ線露光装置の開発が進められてい
る。このＸ線露光装置では、その物理的特性から縮小投
影にすることが困難で、等倍の露光にならざるを得な
い。等倍露光を行うためには、Ｘ線マスクと半導体ウェ
ハとのギャップを極小にした近接露光となる。
第７図は、Ｘ線源としてシンクロトロンを用いた従来
の一般的なＸ線露光装置を示す概略構成図である。
の一般的なＸ線露光装置を示す概略構成図である。
即ち、図示しないシンクロトロンから放射されたＸ線
１は、Ｘ線反射ミラーで反射され、超高真空のポート２
内を通って、この先端面に装着されたＸ線取出し窓３か
らベローズ４を通過してヘリウムチャンバ５内に入る。
このチャンバ５の内部には、Ｘ線マスク６を移動可能に
保持するマスクステージ７と、半導体ウェハ８を移動可
能に保持するウェハステージ９と、Ｘ線マスク６と半導
体ウェハ８との位置ずれを検出するアライメント光学系
10が収納されている。
１は、Ｘ線反射ミラーで反射され、超高真空のポート２
内を通って、この先端面に装着されたＸ線取出し窓３か
らベローズ４を通過してヘリウムチャンバ５内に入る。
このチャンバ５の内部には、Ｘ線マスク６を移動可能に
保持するマスクステージ７と、半導体ウェハ８を移動可
能に保持するウェハステージ９と、Ｘ線マスク６と半導
体ウェハ８との位置ずれを検出するアライメント光学系
10が収納されている。
これによって、前記Ｘ線取り出し窓３からチャンバ５
内に照射されるＸ線１は、Ｘ線マスク６に当たり、この
Ｘ線マスク６と数十ミクロンのギャップで保持された半
導体ウェハ８にはマスクパターンを近接露光するように
なされている。
内に照射されるＸ線１は、Ｘ線マスク６に当たり、この
Ｘ線マスク６と数十ミクロンのギャップで保持された半
導体ウェハ８にはマスクパターンを近接露光するように
なされている。
ここにこれらの露光工程は、複数回繰り返す必要があ
るため、Ｘ線マスク６と半導体ウェハ８のX,Y及びθ方
向の位置ずれを正確に検出して補正する必要があり、こ
のために前記アライメント光学系10が備えられている。
るため、Ｘ線マスク６と半導体ウェハ８のX,Y及びθ方
向の位置ずれを正確に検出して補正する必要があり、こ
のために前記アライメント光学系10が備えられている。
従来の一般的なアライメント光学系10の構成を第８図
及び第９図に示す。
及び第９図に示す。
このアライメント光学系10は、Ｘ線マスク６と半導体
ウェハ８に夫々形成されたアライメントマークの画像デ
ータをITVカメラで取り込み、画像処理によって相対位
置ずれ情報を取出すようにしたものである。
ウェハ８に夫々形成されたアライメントマークの画像デ
ータをITVカメラで取り込み、画像処理によって相対位
置ずれ情報を取出すようにしたものである。
即ち、Ｘ線マスク６のチップ部には、３つのアライメ
ントマーク（Ｘマーク6a、Ｙマーク6b及びθマーク6c）
が形成され、一方アライメント光学系10にも、３組のア
ライメント検出系（Ｙ位置検出用アライメント検出系11
a,Y位置検出用アライメント検出系11b及びθ位置検出用
アライメント検出系11c）が備えられている。
ントマーク（Ｘマーク6a、Ｙマーク6b及びθマーク6c）
が形成され、一方アライメント光学系10にも、３組のア
ライメント検出系（Ｙ位置検出用アライメント検出系11
a,Y位置検出用アライメント検出系11b及びθ位置検出用
アライメント検出系11c）が備えられている。
これらの各アライメント検出系11a〜11cは、夫々対物
レンズ12a〜12c、プリズム13a〜13c、一面透過型反射ミ
ラー14a〜14c及び反射ミラー15a〜15c（第１図乃至第３
図参照）等が備えられ、この反射ミラー15a〜15cで反射
された光が、画像データとして取り込まれるようなされ
ている。
レンズ12a〜12c、プリズム13a〜13c、一面透過型反射ミ
ラー14a〜14c及び反射ミラー15a〜15c（第１図乃至第３
図参照）等が備えられ、この反射ミラー15a〜15cで反射
された光が、画像データとして取り込まれるようなされ
ている。
前記アライメントマーク6a〜6cの位置は、各露光工程
によって異なることがあり、またセルサイズによっても
変化する。このため、前記アライメント検出系11a〜11c
もこのマーク6a〜6cの位置に合わせて移動させる必要が
あり、各アライメント検出系11a〜11cは、夫々独立して
Ｘ−Ｙ方向に移動自在な各移動用ベース（Ｘ位置検出用
アライメント系移動用ベース16a,Y位置検出用アライメ
ント系移動用ベース16b及びθ位置検出用アライメント
系移動用ベース16c）上に配置されている。
によって異なることがあり、またセルサイズによっても
変化する。このため、前記アライメント検出系11a〜11c
もこのマーク6a〜6cの位置に合わせて移動させる必要が
あり、各アライメント検出系11a〜11cは、夫々独立して
Ｘ−Ｙ方向に移動自在な各移動用ベース（Ｘ位置検出用
アライメント系移動用ベース16a,Y位置検出用アライメ
ント系移動用ベース16b及びθ位置検出用アライメント
系移動用ベース16c）上に配置されている。
ここに、Ｘ線露光装置は、前記のように近接露光であ
り、このため露光サイズの中にX,Y及びθ検出用のアラ
イメントマーク6a〜6cをすべて収める必要があり、必然
的に各アライメント検出系11a〜11cは、これらのマーク
6a〜6cの上方に配備される。しかも、露光サイズは、一
般に10mm角〜30mm角と小さく、アライメント検出系11a
〜11cが互いに干渉しないように配置する必要がある。
り、このため露光サイズの中にX,Y及びθ検出用のアラ
イメントマーク6a〜6cをすべて収める必要があり、必然
的に各アライメント検出系11a〜11cは、これらのマーク
6a〜6cの上方に配備される。しかも、露光サイズは、一
般に10mm角〜30mm角と小さく、アライメント検出系11a
〜11cが互いに干渉しないように配置する必要がある。
このため、同図に示すように、互いに対峙して位置す
る幅ａのＹ及びθ位置検出用アライメント系移動ベース
16b,16cひいてはＹ及びθ位置検出用アライメント検出
系11b,11cは同一平面上に配置されているが、これらの
間に位置する幅ａのＸ位置検出用アライメント系移動ベ
ース16aひいてはＸ位置検出用アライメント検出系11aは
一段高い位置に配置されている。
る幅ａのＹ及びθ位置検出用アライメント系移動ベース
16b,16cひいてはＹ及びθ位置検出用アライメント検出
系11b,11cは同一平面上に配置されているが、これらの
間に位置する幅ａのＸ位置検出用アライメント系移動ベ
ース16aひいてはＸ位置検出用アライメント検出系11aは
一段高い位置に配置されている。
即ち、Ｙ及びθ位置検出用アライメント検出系11b,11
cの光軸からＸ線マスク６のチップまでの距離h2,h3は共
に等しい（h2＝h3）が、Ｘ位置検出用アライメント検出
系11aの光軸からＸ線マスク６のチップまでの距離h
1は、この距離h2,h3より大きく（h1＞h2＝h3）なってい
る。
cの光軸からＸ線マスク６のチップまでの距離h2,h3は共
に等しい（h2＝h3）が、Ｘ位置検出用アライメント検出
系11aの光軸からＸ線マスク６のチップまでの距離h
1は、この距離h2,h3より大きく（h1＞h2＝h3）なってい
る。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記従来例のように、Ｙ及びθ位置検
出用アライメント検出系11b,11cとＸ位置検出用アライ
メント検出系11aとを段違いに配置した場合、Ｙ及びθ
位置検出用アライメント検出系11b,11cの対物レンズ12
b,12cとＸ位置検出用アライメント検出系11aの対物レン
ズ12aの焦点距離が異なってしまう。
出用アライメント検出系11b,11cとＸ位置検出用アライ
メント検出系11aとを段違いに配置した場合、Ｙ及びθ
位置検出用アライメント検出系11b,11cの対物レンズ12
b,12cとＸ位置検出用アライメント検出系11aの対物レン
ズ12aの焦点距離が異なってしまう。
つまり、上記対物レンズ12b（12c）の焦点距離f
2（f3）は、この軸心からＸ線マスク６のチップまでの
距離h2（h3）とプリズム13b（13c）までの距離h2′
（h3′）の合計（f2＝h2＋h2′（f3＝h3＋h3′））であ
るが、他方の対物レンズ12aの焦点距離f1は、この中心
からＸ線マスク６のチップまでの距離h1とプリズム13a
までの距離h1′の合計（f1＝h1＋h1′≠f2（＝f3））と
なる。
2（f3）は、この軸心からＸ線マスク６のチップまでの
距離h2（h3）とプリズム13b（13c）までの距離h2′
（h3′）の合計（f2＝h2＋h2′（f3＝h3＋h3′））であ
るが、他方の対物レンズ12aの焦点距離f1は、この中心
からＸ線マスク６のチップまでの距離h1とプリズム13a
までの距離h1′の合計（f1＝h1＋h1′≠f2（＝f3））と
なる。
このため、レンズの直径及び光学倍率がこれらの検出
系の間で異なってしまい、光学部品の共通化が図れず、
この結果、製作する際の図面が３枚必要となったり、製
作工程が増え、コストダウン化が価値分析化が図れなか
った。しかも、Ｘ線マスク上に設けるアライメントマー
クの線幅等も異なってしまい（第８図に示すようにＸマ
ーク6a,Yマーク6b及びθマーク6cの幅をc1,c2,c3とした
時、c1≠c3＝c2）、この結果、検出系のアライメント精
度も異なってしまう。逆に、光学倍率を揃えるために
は、焦点距離等の異なる光学部品を製作する必要があ
り、上記と同様な問題が生じてしまうといった問題点が
あった。
系の間で異なってしまい、光学部品の共通化が図れず、
この結果、製作する際の図面が３枚必要となったり、製
作工程が増え、コストダウン化が価値分析化が図れなか
った。しかも、Ｘ線マスク上に設けるアライメントマー
クの線幅等も異なってしまい（第８図に示すようにＸマ
ーク6a,Yマーク6b及びθマーク6cの幅をc1,c2,c3とした
時、c1≠c3＝c2）、この結果、検出系のアライメント精
度も異なってしまう。逆に、光学倍率を揃えるために
は、焦点距離等の異なる光学部品を製作する必要があ
り、上記と同様な問題が生じてしまうといった問題点が
あった。
本発明は上記に鑑み、アライメント検出系を略同一平
面上に配置することにより、上記対物レンズの焦点距離
が異なることに基づく欠点を除去し、さらに各アライメ
ント検出系同士が互いに衝突してしまうことを機械的に
防止できるようにしたものを提供することを目的とす
る。
面上に配置することにより、上記対物レンズの焦点距離
が異なることに基づく欠点を除去し、さらに各アライメ
ント検出系同士が互いに衝突してしまうことを機械的に
防止できるようにしたものを提供することを目的とす
る。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明に係るＸ線露光装置
は、複数の位置検出用アライメント系移動用ベースの各
々に固定された複数の位置検出用アライメント検出系を
介してＸ線マスクと半導体ウェハとの位置決めを行うア
ライメント光学系を備え、Ｘ線取出し窓からチャンバ内
に放射されるＸ線をＸ線マスク画上のマスクパターンに
照射して該パターンを半導体ウェハ面上に照射するＸ線
露光装置において、前記各アライメント系移動用ベース
を略同一平面上に配置するとともに、これらの先端部に
幅狭とした先細部を設け、さらに、前記各アライメント
系移動用ベースに、前記各アライメント検出系の先端部
の衝突に先だって衝突する干渉ブロックであって、その
衝突部の形状が前記各アライメント検出系の先端部とほ
ぼ同じ形状の干渉ブロックを設けたものである。
は、複数の位置検出用アライメント系移動用ベースの各
々に固定された複数の位置検出用アライメント検出系を
介してＸ線マスクと半導体ウェハとの位置決めを行うア
ライメント光学系を備え、Ｘ線取出し窓からチャンバ内
に放射されるＸ線をＸ線マスク画上のマスクパターンに
照射して該パターンを半導体ウェハ面上に照射するＸ線
露光装置において、前記各アライメント系移動用ベース
を略同一平面上に配置するとともに、これらの先端部に
幅狭とした先細部を設け、さらに、前記各アライメント
系移動用ベースに、前記各アライメント検出系の先端部
の衝突に先だって衝突する干渉ブロックであって、その
衝突部の形状が前記各アライメント検出系の先端部とほ
ぼ同じ形状の干渉ブロックを設けたものである。
（作 用） 上記のように構成した本発明によれば、各アライメン
ト系移動用ベース、ひいては各アライメント検出系を略
同一平面上に配置することによって、各検出系の光学部
品の共通化を図り、しかも前記移動用ベースの先端部に
先細部を設けることによって、この先端部の互いに自由
に移動できるＸ−Ｙ平面に対する自由度を確保して、こ
の各先端部が互いに干渉して上記各移動用ベースが移動
不能となってしまうことを防止することができる。
ト系移動用ベース、ひいては各アライメント検出系を略
同一平面上に配置することによって、各検出系の光学部
品の共通化を図り、しかも前記移動用ベースの先端部に
先細部を設けることによって、この先端部の互いに自由
に移動できるＸ−Ｙ平面に対する自由度を確保して、こ
の各先端部が互いに干渉して上記各移動用ベースが移動
不能となってしまうことを防止することができる。
更に、前記各移動用テーブルに干渉ブロックを設け、
各アライメント検出系の先端部同士の衝突に先立って、
この干渉ブロック同士を衝突させることによって、各ア
ライメント検出系の先端部のこれ以上に動きを規制し、
これによって各アライメント検出系の先端部同士の衝突
を機械的に防止することができる。
各アライメント検出系の先端部同士の衝突に先立って、
この干渉ブロック同士を衝突させることによって、各ア
ライメント検出系の先端部のこれ以上に動きを規制し、
これによって各アライメント検出系の先端部同士の衝突
を機械的に防止することができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図乃至第３図は第１の実施例を示すもので、上記
第８図及び第９図に示す従来例と異なる点は以下の通り
である。
第８図及び第９図に示す従来例と異なる点は以下の通り
である。
即ち、各位置検出用アライメント系駆動用ベース（Ｘ
位置検出用アライメント系駆動用ベース16a,Y位置検出
用アライメント系駆動用ベース16b及びθ位置検出用ア
ライメント系駆動用ベース16c）は、略同一平面上に配
置されているとともに、この各駆動用ベース16a,16b,16
c上に各位置検出用アライメント検出系（Ｘ位置検出用
アライメント検出系11a,Y位置検出用アライメント検出
系11b及びθ位置検出用アライメント検出系ベース11c）
が設置されている。
位置検出用アライメント系駆動用ベース16a,Y位置検出
用アライメント系駆動用ベース16b及びθ位置検出用ア
ライメント系駆動用ベース16c）は、略同一平面上に配
置されているとともに、この各駆動用ベース16a,16b,16
c上に各位置検出用アライメント検出系（Ｘ位置検出用
アライメント検出系11a,Y位置検出用アライメント検出
系11b及びθ位置検出用アライメント検出系ベース11c）
が設置されている。
これにより、各アライメント検出系11a,11b,11cも略
同一平面上に配置されることになって、これら構成する
各光学部品の共通化が図れるようなされている。
同一平面上に配置されることになって、これら構成する
各光学部品の共通化が図れるようなされている。
即ち、Ｘ位置検出用アライメント検出部11aの光軸か
らＸ線マスク６のチップまでの距離h1、Ｙ位置検出用ア
ライメント検出系11bの光軸からＸ線マスク６のチップ
までの距離h2、及びθ位置検出用アライメント検出系ベ
ース11cからＸ線マスク６のチップまでの距離h3は等し
く（h1＝h2＝h3）なり、従って、各アライメント検出系
11a〜11cにおける各対物レンズ12a〜12cとプリズム13a
〜13cとの距離h1′,h2′,h3′を等しくすることによ
り、Ｘ位置検出用アライメント検出系11aの対物レンズ1
2aの焦点距離f1（＝h1＋h1′）Ｙ位置検出用アライメン
ト検出系11bの対物レンズの焦点距離f2（＝h2＋
h2′）、及び及びθ位置検出用アライメント検出系ベー
ス11cの対物レンズ12cの焦点距離f3（＝h3＋h3′）を等
しく（f1＝f2＝f3か）することができる。
らＸ線マスク６のチップまでの距離h1、Ｙ位置検出用ア
ライメント検出系11bの光軸からＸ線マスク６のチップ
までの距離h2、及びθ位置検出用アライメント検出系ベ
ース11cからＸ線マスク６のチップまでの距離h3は等し
く（h1＝h2＝h3）なり、従って、各アライメント検出系
11a〜11cにおける各対物レンズ12a〜12cとプリズム13a
〜13cとの距離h1′,h2′,h3′を等しくすることによ
り、Ｘ位置検出用アライメント検出系11aの対物レンズ1
2aの焦点距離f1（＝h1＋h1′）Ｙ位置検出用アライメン
ト検出系11bの対物レンズの焦点距離f2（＝h2＋
h2′）、及び及びθ位置検出用アライメント検出系ベー
ス11cの対物レンズ12cの焦点距離f3（＝h3＋h3′）を等
しく（f1＝f2＝f3か）することができる。
これによって、各アライメントマーク（Ｘマーク6a、
Ｙマーク6b及びθマーク6c）の幅c1,c2,c3も統一（c1＝
c2＝c3）して、各アライメント検出系11a〜11cのアライ
メント精度を同等にすることができる。
Ｙマーク6b及びθマーク6c）の幅c1,c2,c3も統一（c1＝
c2＝c3）して、各アライメント検出系11a〜11cのアライ
メント精度を同等にすることができる。
更に、各移動用ベース16a〜16cの先端部には、両側部
を矩形状に切取ってこれらの基端部の幅ａよりも幅狭と
した幅ｂの先細部16a′〜16c′が設けられている。
を矩形状に切取ってこれらの基端部の幅ａよりも幅狭と
した幅ｂの先細部16a′〜16c′が設けられている。
これによって、各移動用ベース16a〜16cを上記のよう
に略同一平面上に配置しても、この先端部（先細部16
a′〜16c′）の互いに自由に移動できるＸ−Ｙ平面に対
する自由度を確保して、この各先端部が互いに干渉して
上記各移動用ベース16a〜16cが移動不能となってしまう
ことを防止するようなされている。
に略同一平面上に配置しても、この先端部（先細部16
a′〜16c′）の互いに自由に移動できるＸ−Ｙ平面に対
する自由度を確保して、この各先端部が互いに干渉して
上記各移動用ベース16a〜16cが移動不能となってしまう
ことを防止するようなされている。
そして、Ｘ線マスク６のチップサイズをｄ×ｄとした
時の前記アライメント光学系10のサーチは、例えばこの
サイズｄが前記各先端部16a′〜16c′幅ｂより大きい
（ｄ≧ｂ）場合には、第２図に示すように、チップの中
心のマークから出発して同図矢印に示すように一方向に
移動させてこれを行い、サイズｄが前記各先細部16a′
〜16c′幅ｂより小さい（ｄ＜ｂ）場合には、第３図に
示すように、チップの端部のマークから出発して同図矢
印に示すように一方向に移動させてこれを行う。
時の前記アライメント光学系10のサーチは、例えばこの
サイズｄが前記各先端部16a′〜16c′幅ｂより大きい
（ｄ≧ｂ）場合には、第２図に示すように、チップの中
心のマークから出発して同図矢印に示すように一方向に
移動させてこれを行い、サイズｄが前記各先細部16a′
〜16c′幅ｂより小さい（ｄ＜ｂ）場合には、第３図に
示すように、チップの端部のマークから出発して同図矢
印に示すように一方向に移動させてこれを行う。
なお、前記ｄ≧b,d＜ｂかは、主に対物レンズの直径
及びミラーの幅で決まる。
及びミラーの幅で決まる。
ここに、上記実施例の場合、３組のアライメント検出
系11a〜11c同士がアライメント移動用ベース16a〜16cの
移動によって衝突しないようにするため、衝突防止用の
インターロック機構が必要となる。このインターロック
には、一般にソフトウェアが使用される。即ち、３組の
アライメント系移動用ベース16a〜16cのＸ−Ｙ座標位置
でアライメント検出系11a〜11c同士が干渉する座標マッ
プを予め作っておき、アライメント系移動用ベース16a
〜16cによってアライメント検出系11a〜11cを移動させ
た時のＸ−Ｙ座標位置と、この座標マップを比較するこ
とで、移動用ベース16a〜16cを停止させ、アライメント
検出系11a〜11c同士の衝突を防止することができる。
系11a〜11c同士がアライメント移動用ベース16a〜16cの
移動によって衝突しないようにするため、衝突防止用の
インターロック機構が必要となる。このインターロック
には、一般にソフトウェアが使用される。即ち、３組の
アライメント系移動用ベース16a〜16cのＸ−Ｙ座標位置
でアライメント検出系11a〜11c同士が干渉する座標マッ
プを予め作っておき、アライメント系移動用ベース16a
〜16cによってアライメント検出系11a〜11cを移動させ
た時のＸ−Ｙ座標位置と、この座標マップを比較するこ
とで、移動用ベース16a〜16cを停止させ、アライメント
検出系11a〜11c同士の衝突を防止することができる。
しかし、このようなインターロックには、いくつかの
問題がある。第１にソフトウェアによるインターロック
であるため、アライメント系移動用ベース16a〜16cの暴
走などが生じた時には、アライメント系移動用ベース16
a〜16cを停止させることができない。第２に、アライメ
ント系移動用ベース16a〜16cを移動させる際に、常に座
標データを取り込み座標マップとの比較を行うため、コ
ンピュータがある程度専有されコストアップに繋がって
しまう。
問題がある。第１にソフトウェアによるインターロック
であるため、アライメント系移動用ベース16a〜16cの暴
走などが生じた時には、アライメント系移動用ベース16
a〜16cを停止させることができない。第２に、アライメ
ント系移動用ベース16a〜16cを移動させる際に、常に座
標データを取り込み座標マップとの比較を行うため、コ
ンピュータがある程度専有されコストアップに繋がって
しまう。
第４図及び第５図は、このような欠点を防止した第２
の実施例を示すものである。
の実施例を示すものである。
即ち、各移動用ベース16a〜16cの互いに隣り合う端
部、即ちＸ位置検出用アライメント系移動用ベース16a
の両端部、Ｙ位置検出用アライメント系移動用ベース16
bのＸ位置検出用アライメント系移動用ベース16a側端
部、θ位置検出用アライメント系移動用ベース16cのＸ
位置検出用アライメント系移動用ベース16a側端部に
は、第1X干渉ブロック17a,第2X干渉ブロック17b,Y干渉
ブロック17c及びθ干渉ブロック17dが夫々取付けられて
いる。
部、即ちＸ位置検出用アライメント系移動用ベース16a
の両端部、Ｙ位置検出用アライメント系移動用ベース16
bのＸ位置検出用アライメント系移動用ベース16a側端
部、θ位置検出用アライメント系移動用ベース16cのＸ
位置検出用アライメント系移動用ベース16a側端部に
は、第1X干渉ブロック17a,第2X干渉ブロック17b,Y干渉
ブロック17c及びθ干渉ブロック17dが夫々取付けられて
いる。
この各干渉ブロック17a〜17dは、アライメント検出系
11a〜11cの先端部形状よりひとまわり大きく、かつ露光
チップ上の各アライメント検出系11a〜11cの配列と同じ
になるよう、即ち第５図において、Ａ部がＡ′部に、Ｂ
部がＢ′部に、Ｃ部がＣ′部に夫々対応するように配置
固定されている。
11a〜11cの先端部形状よりひとまわり大きく、かつ露光
チップ上の各アライメント検出系11a〜11cの配列と同じ
になるよう、即ち第５図において、Ａ部がＡ′部に、Ｂ
部がＢ′部に、Ｃ部がＣ′部に夫々対応するように配置
固定されている。
このように各干渉ブロック17a〜17dを各移動用ベース
16a〜16cに固定することにより、マスクマーク（Ｘマー
ク6a,Yマーク6b及びθマーク6c）に合わせて各アライメ
ント系移動用ベース16a〜16cを介して各アライメント検
出系11a〜11cを移動させる時、このアライメント検出系
11a〜11c同士が衝突して破損する前に、干渉ブロック17
a〜17d同士がぶつかり、これによって機械的なインター
ロックが行われるよう構成されている。
16a〜16cに固定することにより、マスクマーク（Ｘマー
ク6a,Yマーク6b及びθマーク6c）に合わせて各アライメ
ント系移動用ベース16a〜16cを介して各アライメント検
出系11a〜11cを移動させる時、このアライメント検出系
11a〜11c同士が衝突して破損する前に、干渉ブロック17
a〜17d同士がぶつかり、これによって機械的なインター
ロックが行われるよう構成されている。
なお、第６図に示すように、例えばθ干渉ブロック17
d′を枢軸18を介して揺動自在に支承して、この干渉ブ
ロック17d′とこれに隣接する第1X干渉ブロック17aとが
衝突した時に該干渉ブロック17d′を揺動させ、即ち、
干渉ブロック17a,17d′が衝突してこの干渉ブロック1
7′に衝撃力P1又はP2が作用した時にこれを揺動させ、
この揺動時に点避19を作動させて移動中の移動用ベース
16a又は16cの移動を停止させるようにすることもでき
る。
d′を枢軸18を介して揺動自在に支承して、この干渉ブ
ロック17d′とこれに隣接する第1X干渉ブロック17aとが
衝突した時に該干渉ブロック17d′を揺動させ、即ち、
干渉ブロック17a,17d′が衝突してこの干渉ブロック1
7′に衝撃力P1又はP2が作用した時にこれを揺動させ、
この揺動時に点避19を作動させて移動中の移動用ベース
16a又は16cの移動を停止させるようにすることもでき
る。
以上詳述したように本発明によれば、各アライメント
系移動用ベース、ひいては各アライメント検出系をＸ−
Ｙ平面に対する自由度を確保しつつ略同一平面上に配置
することができ、これによって、各光学系の光学部品の
共通化を図り、製作図面及び製作工程の削減等によるコ
ストダウン化を図ることができる。
系移動用ベース、ひいては各アライメント検出系をＸ−
Ｙ平面に対する自由度を確保しつつ略同一平面上に配置
することができ、これによって、各光学系の光学部品の
共通化を図り、製作図面及び製作工程の削減等によるコ
ストダウン化を図ることができる。
しかも、各光学倍率が統一されるので、アライメント
マークの線幅を統一でき、各アライメント検出系のアラ
イメント精度を同等となすことができる。
マークの線幅を統一でき、各アライメント検出系のアラ
イメント精度を同等となすことができる。
更に、前記各移動用テーブルに干渉ブロックを設け、
各アライメント検出系の先端部同士の衝突に先立って、
この干渉ブロック同士を衝突させることによって、各ア
ライメント検出系の先端部同士の衝突を機械的に防止す
ることができるといった効果がある。
各アライメント検出系の先端部同士の衝突に先立って、
この干渉ブロック同士を衝突させることによって、各ア
ライメント検出系の先端部同士の衝突を機械的に防止す
ることができるといった効果がある。
第１図乃至第３図は本発明の第１の実施例を示し、第１
図は斜視図、第２図及び第３図は異なるチップサイズの
ものをサーチする際の平面図、第４図及び第５図は第２
の実施例を示し、第４図は斜視図、第５図は平面図、第
６図は変形例の要部を示す平面図、第７図はＸ線露光装
置の概略構成図、第８図及び第９図は従来例のアライメ
ント光学系を示し、第８図は正面図、第９図は側面図で
ある。 １……Ｘ線、３……Ｘ線取出し窓、６……Ｘ線マスク、
6a〜6c……アライメントマーク、８……半導体ウェハ、
10……アライメント光学系、11a〜11c……アライメント
検出系、12a〜12c……対物レンズ、16a〜16c……アライ
メント系移動用ベース、16a′〜16c′……同先細部、17
a〜17d……干渉ブロック。
図は斜視図、第２図及び第３図は異なるチップサイズの
ものをサーチする際の平面図、第４図及び第５図は第２
の実施例を示し、第４図は斜視図、第５図は平面図、第
６図は変形例の要部を示す平面図、第７図はＸ線露光装
置の概略構成図、第８図及び第９図は従来例のアライメ
ント光学系を示し、第８図は正面図、第９図は側面図で
ある。 １……Ｘ線、３……Ｘ線取出し窓、６……Ｘ線マスク、
6a〜6c……アライメントマーク、８……半導体ウェハ、
10……アライメント光学系、11a〜11c……アライメント
検出系、12a〜12c……対物レンズ、16a〜16c……アライ
メント系移動用ベース、16a′〜16c′……同先細部、17
a〜17d……干渉ブロック。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−192112（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (2)
- 【請求項１】複数の位置検出用アライメント系移動用ベ
ースの各々に固定された複数の位置検出用アライメント
検出系を介してＸ線マスクと半導体ウェハとの位置決め
を行うアライメント光学系を備え、Ｘ線取出し窓からチ
ャンバ内に放射されるＸ線をＸ線マスク画上のマスクパ
ターンに照射して該パターンを半導体ウェハ面上に照射
するＸ線露光装置において、前記各アライメント系移動
用ベースを略同一平面上に配置するとともに、これらの
先端部に幅狭とした先細部を設け、さらに、前記各アラ
イメント系移動用ベースに、前記各アライメント検出系
の先端部の衝突に先だって衝突する干渉ブロックであっ
て、その衝突部の形状が前記各アライメント検出系の先
端部とほぼ同じ形状の干渉ブロックを設けたことを特徴
とするＸ線露光装置。 - 【請求項２】前記各干渉ブロック同士の衝突を検出する
センサをさらに備え、該センサによる衝突の検出時に前
記各アライメント系移動用ベースの移動を停止させるこ
とを特徴とする請求項１記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2299442A JP3031993B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | Ｘ線露光装置 |
| DE4135762A DE4135762C2 (de) | 1990-11-05 | 1991-10-30 | Bestrahlungsvorrichtung mit Maskenhalter |
| US08/046,928 US5299251A (en) | 1990-11-05 | 1993-04-13 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2299442A JP3031993B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171806A JPH04171806A (ja) | 1992-06-19 |
| JP3031993B2 true JP3031993B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=17872635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2299442A Expired - Fee Related JP3031993B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5299251A (ja) |
| JP (1) | JP3031993B2 (ja) |
| DE (1) | DE4135762C2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3291408B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2002-06-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置および集積回路の製造方法 |
| TWI598934B (zh) * | 2003-10-09 | 2017-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666241B2 (ja) * | 1985-10-14 | 1994-08-24 | 株式会社日立製作所 | 位置検出方法 |
| JPH079877B2 (ja) * | 1986-07-11 | 1995-02-01 | 株式会社ニコン | アライメント装置 |
| EP0358515B1 (en) * | 1988-09-09 | 1997-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for detecting positional relationship between two objects |
| JPH02192112A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH06318623A (ja) * | 1993-05-08 | 1994-11-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体デバイスの欠陥分布検出方法及びその装置 |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP2299442A patent/JP3031993B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-10-30 DE DE4135762A patent/DE4135762C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-13 US US08/046,928 patent/US5299251A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5299251A (en) | 1994-03-29 |
| JPH04171806A (ja) | 1992-06-19 |
| DE4135762A1 (de) | 1992-05-07 |
| DE4135762C2 (de) | 1994-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |